CN105190372A - 包括多层涂层的光学元件及包括光学元件的光学装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种光学元件(50)，包含：基板(52)；以及施加于该基板(52)的多层涂层(51)，多层涂层包含：至少一个第一层***(53)，其由相同构造的堆叠(X1至X4)的布置组成，各堆叠具有至少两个层(53a-d)；以及至少一个第二层***(54)，其由相同构造的堆叠(Y1，Y2)的布置组成，各堆叠具有至少两个层(54a，54b)，其中在该多层涂层(51)的热负载时，第一层***(53)经历各堆叠(X1至X4)的厚度(dX)的不可逆收缩，第二层***(54)经历各堆叠(Y1，Y2)的厚度(dY)的不可逆膨胀。本发明还涉及一种包含至少一个这种光学元件(50)的光学装置，尤其是光刻设备。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年4月29日申请的德国专利申请No.102013207751的优先权，该申请的全部公开内容视为本申请的公开内容的一部分且以引用方式并入本申请的公开内容中。
技术领域
本发明涉及一种光学元件，其包含基板且包含施加到该基板的多层涂层。本发明还涉及一种包含至少一个这种光学元件的光学装置，尤其是微光刻设备。
现有技术
光学多层涂层例如可用来增加预定波长(操作波长)的辐射的反射比。设计用于软X射线或EUV波长范围(即，通常在5nm和20nm之间的波长)的光学元件的多层涂层一般具有交替层，其由具有复折射率的较高及较低实部的材料构成。在围绕大约13.5nm的范围中的操作波长下，交替层通常为钼和硅，其层厚度彼此协调并与给定入射角的操作波长协调，使得涂层可实现其光学功能，尤其确保高反射比。
然而，在将此类及其它光学元件上的多层涂层加热至如60°以上至100℃(若适当至300℃或更高)的高温时，在多层涂层中可发生热控变化，这对光学元件的光学性质有不利的影响。特别地，在高温下操作时间相对较长的情况下，利用常规涂覆方法施加的层的周期长度将不可逆地改变。在该情况下，多层涂层的周期长度可取决于构成改变(例如层材料在层界面处交互扩散或混合后的材料致密化)的基础的机制而增加或减少。由于此改变的周期长度，取决于角度的反射波长、强度和波前通常改变，这降低了涂层的光学性能。
为了增加涂层的热稳定性，已知在多层涂层的相邻层之间提供阻挡层形式的扩散势垒区，以防止层材料混合。使用这种阻挡层的一个缺点是由阻挡层引起的反射比损失随着有效屏障厚度增加，使得涂层性能因厚阻挡层而显著降低。
WO2007/090364公开了由钼和硅(在多层涂层中相邻布置)构成的层在高温下因其界面处的交互扩散过程而容易形成硅化钼，这导致反射比由于层对的层厚度及由此的周期长度的不可逆减少而降低，这又引起多层涂层对于入射辐射的反射比最大值(或质心波长)移向较短波长。为了克服此问题，WO2007/090364提议使用硼化硅取代硅，并使用氮化钼取代钼。
为了解决交互扩散问题，DE10011547C2提议在硅层和钼层之间的界面处施加由Mo2C构成的阻挡层，以防止各层之间的交互扩散及由此改进多层涂层的热稳定性。
以本申请人名义申请的DE102004002764A1公开了多层涂层在利用特定涂覆方法施加期间具有密度比固体形式的对应材料低的非晶态结构。各层的初始较低密度在升高的温度下不可逆地增加，因此造成个别层的层厚度降低，及与此相关联地造成涂层的周期长度减少。这同样具有以下后果：多层涂层呈现反射比最大值的波长偏移。为了解决此问题，DE102004002764A1提议在施加诸层期间提供超大尺寸，并且在光学装置中使用多层涂层的热处理之前，预见层厚度因多层涂层的热处理而不可逆的降低。
S.L.Nyabero等人的论文“InterlayergrowthinMo/B4Cmultilayeredstructuresuponthermalannealing”(J.Appl.Phys,113,144310(2013))公开了Mo/B4C多层结构的周期厚度可在退火形式的热处理时膨胀或减少。对于层厚度为3nm的钼层，取决于B4C层的厚度，观察到两个不同现象：在具有B4C厚度<1.5nm的多层涂层的情况下，将钼供给到已经形成的MoBxCy夹层是主要的并导致其后果为周期紧缩的致密化。在具有B4C厚度>2nm的多层涂层的情况下，B和C在夹层中的增浓导致低密度混合物的形成，并导致周期膨胀，其中在这些层厚度下，在大约350℃的温度下进行相对较长的热处理的情况下，也观察到层周期的紧缩。
发明内容
本发明之目的
本发明之目的在于提供一种包含多层涂层的光学元件及一种包含至少一个这种光学元件的光学装置(尤其是微光刻设备)，其中，即使在持续相对较长时间周期的高热负载后，仍不会损害或仅稍微损害多层涂层的光学性质。
本发明之主题
该目的利用一光学元件实现，该光学元件包含：基板；以及施加至该基板的多层涂层，其中，该多层涂层包含：至少一个第一层***，由相同构造的堆叠的布置组成，各堆叠均具有至少两层；以及至少一个第二层***，由相同构造的堆叠的布置组成，各堆叠均具有至少两层，其中在该多层涂层的热负载时，第一层***经历堆叠厚度的不可逆收缩(取决于热负载的强度及持续时间)，第二层***经历堆叠厚度的不可逆膨胀(取决于热负载的强度及持续时间)。第一和第二层***的相同构造的堆叠的数目在多层涂层中可尤其重复多次(周期性)。
在此提出的多层涂层由两个(或更多个)层***构成，第一层***在热负载时(即，在热输入层***的各层中时)由于尤其在层***的各层之间界面处发生的化学或物理转化过程而收缩(不可逆)，而在第二层***的情况中则形成相反的效应，也就是说，层***膨胀。由于多层涂层中的两个层***的组合，这两个层***在热负载时在个别层***的厚度及因此的周期长度中展现出具有相反符号的改变，所以组合的多层涂层的周期长度或周期厚度通常在永久热负载时(即，在持续经过多个小时的热负载进)仅稍微改变。
在本申请的含义中，热负载应理解为将多层涂层加热至至少大约100℃(通常150℃或更多，尤其250℃或更多)的温度，其中在相对较长的时间周期(通常在多个小时的范围中)内维持该温度，使得各层上的上述物理和/或化学效应在个别堆叠的周期厚度中的可测量改变变得明显。
本发明提出一般仅具有一个层***的(常规)多层涂层，该层***的堆叠例如在热负载时收缩，并因此展现具有负号的周期改变，该层***由第二层***补充，第二层***的堆叠在热负载时膨胀，并因此产生具有相反符号的周期改变。此外，个别层***的堆叠数目(即，周期数目)(分别为两个或更多个)相对于彼此的比率还可最佳化，以获得涂层的最佳可能热性能和光学效能。可因此达成的是，在光学元件或涂层处反射的辐射的质心波长在具有预定(恒定)温度或预定温度剖面的热负载时，在通常尽可能长的持续时间上维持恒定。
在常规多层涂层的情况下，通过添加阻挡层来修改周期层设计，以增加层设计的热稳定性。不言可喻，第一和/或第二层***也可具有这种阻挡层。
在一个有利实施例中，至少一个第二层***的堆叠的膨胀补偿多层涂层的至少一个第一层***的堆叠的收缩。由于利用(至少一个)第一层***的膨胀补偿(至少一个)第二层***的收缩，所以维持多层涂层的平均周期长度或厚度。如此，可确保多层涂层界面相对于周围环境的位置在永久热负载时相对于基板表面位置不会明显改变。
在此提出的解决方案并不通过添加(其它)阻挡层来修改多层涂层的周期厚度，而是引入堆叠的周期性布置形式的新元件，其补偿原始涂层的周期长度或周期厚度的改变。如此处提出的多层涂层的设计可因此在相同热负载下产生比常规多层涂层高的反射比，或替代地对于相同反射比产生较高的热稳定性。不言可喻，第二层***应在最大可能温度范围和最长可能持续时间中补偿第一层***的周期厚度的改变。
亦不言可喻，两个或更多个第一和/或第二层***还可存在于多层涂层中，其中在该情况下，还可确保所有层***的周期厚度的组合改变在多层镀膜的热负载时不会导致“平均”周期厚度改变。原则上，多层涂层中的层***的堆叠的布置为任意的。当在多层涂层中分布层***的堆叠时，应注意确保多层涂层的光学性能不会急剧恶化。因此，这应涉及避免将对于所用辐射具有较大吸收的层***的所有或实际上所有堆叠布置在多层涂层相对于周围环境的界面顶侧或与该界面相邻处。将第二、膨胀层***的所有或实际上所有堆叠邻近基板布置已证实对于多层涂层的光学性质是不利的。
在一个实施例中，第二层***的堆叠的至少一个层含有硼。原则上，对多层涂层的光学性质没有严重有害效应(如，过强吸收)的所有材料均可用作第二层***的堆叠的层。为了在第二层***的层的热负载时产生膨胀，硼或硼化合物已证实是有利的。硼仅具有三价电子，所以在含硼层例如邻近含金属材料的层布置的情况下，形成硼-金属化合物或硼-金属复合物。该等化合物或复合物的密度通常比原始组分的密度低，因而造成堆叠或各层膨胀。
在一个发展例中，至少一个层由B4C形成。在由该材料构成的层布置成与由金属材料构成的层相邻的情况下，可在热负载时侦测到膨胀。然而，不言可喻，其它硼化合物或硼本身(尤其是，如果它们布置成与由金属材料构成的层相邻)还可导致得到的层堆叠膨胀。
特别地，由B4C构成的层可具有2nm或更多(若适当，3nm或更多)的厚度。如序言中引用的论文“Interlayergrowth…”所描述的，厚度2nm或更多的B4C层结合由Mo构成的相邻布置层导致得到的堆叠膨胀，而在厚度小于1.5nm的情况下观察到层堆叠的紧缩。
在另一实施例中，第二层***的堆叠中的至少一个层含有金属(尤其是过渡金属)、或由金属(尤其是过渡金属)组成。如上文另外说明的，尤其是在诸层之间界面处形成的金属硼化物通常具有比个别组分较低的密度，也就是说，金属硼化物的形成对目前用途是有利的，即，用于使第二层***的堆叠产生膨胀。
在一个发展例中，金属从包含Mo和La的群组中选择。在Mo的情况下，在上文引用的论文“Interlayergrowth…”中证明了由Mo/B4C构成的对应堆叠的膨胀。特定金属，尤其是过渡金属，诸如La，在热负载时在适合条件(形成化学化合物的适合层厚度及适合层材料)下还呈现膨胀。除了组合Mo/B4C和/或La/B4C之外，由Mo/B构成和/或由La/B构成的层堆叠也可用于第二层***。
在另一实施例中，第二层***的堆叠的层含有硼和金属二者，其中存在相对于金属过多的硼。金属硼化物的结构及因此密度取决于金属部分和硼部分之间的比率。金属或金属硼化物用硼增浓一般导致形成具有较低密度的化合物，使得有利地，在第二层***的堆叠的层中存在过多的硼。应理解的是，过多的硼意味着堆叠中硼体积大于金属、或硼层的总厚度大于金属层。
在另一实施例中，第一层***的堆叠中的至少一个层由Mo或Si形成。第一层***例如可以是这样的层***，其用于反射EUV辐射(通常在13.5nm下)，并通常具有与由硅构成的层交替的由钼构成的层。不言可喻，第一层***可替代地还具有由其它层材料构成的交替层，其中通常具有折射率的较高实部的材料与具有折射率的较低实部的材料交替，以对预定波长的辐射获得最大可能反射比。
在一个实施例中，第一层***的堆叠中的至少一个层由B4C形成。在该示例中，B4C用作由Si和Mo构成的层之间的阻挡层，也就是说，以最大可能程度防止两个层材料在热负载时扩散。第一层***的堆叠尤其可在该情况下构造成Si/B4C/Mo/B4C，其中即使化合物(SixBy)(其周期厚度在经受热应力时增加)可在Si和B4C之间的界面处形成，堆叠整体仍在热负载时经历紧缩，例如在S.L.Nyabero等人的论文“ThermallyinducedinterfacechemistryinMo/B4C/Si/B4Cmultilayeredfilms”(J.Appl.Phys.112,054317(2012))中所说明的。不言可喻，还可使用其它材料取代B4C作为第一层***的阻挡层。
在另一实施例中，第一层***的堆叠数目与第二层***的堆叠数目的比率为4:2。各自层***的堆叠数目的该比率已证实特别有利的是，第一层***具有由Si/B4C/Mo/B4C组成的堆叠，第二层***具有由Mo/B4C组成的堆叠，因为在该比率下，在热负载时由于加热至如大约250℃的温度，第二层***的堆叠的膨胀精确地补偿多层涂层的第一层***的堆叠的收缩。不言可喻，取决于材料类型和/或要补偿的相应热负载和/或光学元件的操作温度，还可在堆叠数目之间设定其它比率，其中当然应注意确保涂层的光学性质不会因该选择而恶化。
在另一实施例中，多层涂层设计用于反射EUV辐射。如上文另外说明的，这种多层涂层通常包括由具有高低折射率的材料构成的交替层。对于13.5nm的最大波长，具有折射率的较高实部的层通常是硅层，具有较低折射率的层为由钼构成的层。取决于所要最大波长，其它材料组合，诸如钼和铍、钌和铍、或镧和B4C同样可行。
本发明的另一方面涉及一种光学装置，尤其是微光刻设备，其包含：如上文说明的至少一个光学元件。该光学装置例如可以是用于曝光晶片的EUV微光刻设备、或使用(EUV)辐射的一些其它光学装置，例如用于测量EUV微光刻中所用掩模的***。在其它波长(如，VIS或UV波长范围)下操作的光学装置还可具有如上文说明所实现的一个或多个光学元件。可利用如上文说明所实现的多层涂层达成的是，在预定波长下具有尤其高反射比或在抗反射涂层形式的多层涂层的情况中具有尤其低反射比的光学元件即使在永久热负载(如，因加热至大约100℃或更大的温度)时也不会改变、或仅稍微改变其光学性质。
在一个实施例中，在光学元件处反射的EUV辐射的质心波长在光学元件被EUV辐射照射而热负载时仍为恒定或仍然保持恒定。这可凭借以下事实达成：第一层***的周期厚度的收缩被第二层***的周期厚度的对应膨胀精确地补偿，使得多层涂层的周期厚度维持恒定(平均而言)。在该情况下，光学元件的热负载对应于光学装置中的光学元件的操作温度，该操作温度例如通过用EUV辐射进行加热而产生，并且(若适当)通过额外的温度调节装置(尤其是加热装置)而产生。
在该情况下，在将光学元件引入光学装置中之前，或(若适当)在光学装置开始操作(如，在光刻设备的情况下，曝光操作)之前，若适当利用热处理、或利用如借助短暂加热及维持如250℃的温度经过数分钟的热处理，可将多层涂层置于这样的状态，其中周期厚度和由此的质心波长(即，最大反射比的波长)在十分长的时间周期内在热负载(在将光学元件或多层涂层加热至操作温度时)时不会改变。
参考附图，从本发明的示例性实施例的以下说明及从权利要求书中会更明白本发明的其它特征和优点。个别特征各可个别地由其本身实现，或在本发明变型例中以任何期望组合实现为多个特征。
附图说明
示例性实施例在附图中示出，并在下面描述中进行说明。附图中：
图1示出EUV光刻设备的示意图；
图2a、2b示出图1的EUV光刻设备的具有多层涂层的光学元件的示意图；
图3示出图2b的多层涂层的第一和第二层***的周期厚度或周期厚度随热负载持续期间而改变的图示；以及
图4示出包含图2b的多层涂层的光学元件的反射比在不同时间周期的热负载时的图示。
在以下对附图的说明中，使用相同参考标号表示相同或功能上相同的部件部分。
具体实施方式
图1示意性示出投射曝光设备1形式的用于EUV光刻(EUV光刻设备)的光学***。投射曝光设备1包含光束产生***2、照明***3和投射***4，这些***容纳在分离的真空外壳中并连续地布置在光束路径6(从光束产生***2的EUV光源5开始)中。举例而言，等离子体源或同步加速器可用作EUV光源5。从光源5发出的波长范围在大约5nm和大约20nm之间的辐射首先聚焦在收集器反射镜7中，并利用单色仪(未显示)过滤出在本示例中为大约13.5nm的期望操作波长λB。
将在光束产生***2中已关于波长和空间分布处理过的辐射引入照明***3中，照明***在本示例中具有第一和第二反射光学元件9、10。两个反射光学元件9、10将辐射引向作为另一反射光学元件的光掩模11上，光掩模具有利用投射***4按缩小比例成像于晶片12上的结构。为此，在投射***4中提供第三和第四反射光学元件13、14。应加以指明的是，照明***3和投射***4二者可分别具有仅一个或三个、四个、五个或更多个反射光学元件。
以下参考图2a、2b举例描述诸如可在图1的投射曝光设备1的一个或多个光学元件7、9、10、11、13、14上实现的两个光学元件50的结构。光学元件50均包含基板52，其由具有低热膨胀系数的基板材料(如，或)组成。
在图2a、2b示出的反射光学元件50的情况下，将多层涂层51在各情况下施加到基板52。图2a、2b示出的光学元件50的多层涂层51包含第一层***53和第二层***54。第一层***53由四个堆叠X1至X4的布置组成，其构造在各情况中均相等：四个堆叠X1至X4均由序列Si/B4C/Mo/B4C的四个层53a-d组成。在该情况下，第一层***53对应于反射EUV辐射的常规层***，其中提供由B4C构成的两个层53b、53d形式的层***阻挡层以增加热稳定性。在持续相对较长时间周期的热负载时，堆叠X1至X4的厚度dx相对于在施加时形成的厚度减小(此处：dX＝6.9nm，其中dMO＝1.9nm；dB4C＝1nm；dSi＝3nm)，也就是说，堆叠X1至X4收缩。堆叠X1至X4的收缩可实质上归因于在层53a-d之间的界面处在层材料Si、Mo、B4C之间形成化学化合物，其具有的密度比其构成组分高。
第二层***54由均具有相等层构造的两个堆叠Y1、Y2的布置组成：各堆叠Y1、Y2由序列Mo/B4C的两个层54a、54b组成。B4C层54b具有厚度dB4C为2nm或更多，优选地为3nm或更多(在本例中，dB4C＝4.2nm)，而所示示例中的Mo层54a具有厚度dMO为大约3nm并借助例如溅射施加。在此处说明的示例中，第一层***53的堆叠X1至X4和第二层***54的堆叠Y1、Y2整个形成周期性布置，也就是说，图2a显示的堆叠布置X4、Y2、Y1、X3、X2、X1在多层涂层51中重复多次，更精确地说，在本示例中重复八次。然而，多层涂层51中的堆叠X1至X4、Y1、Y2的该周期性布置并非绝对必要。
第二层***54的堆叠Y1、Y2的厚度dY＝7.2nm，在施加期间产生的该厚度在热负载时增加，也就是说，堆叠Y1、Y2在热负载时膨胀。有关产生膨胀的第二层***54的堆叠Y1、Y2的适合设计细节，请参考序言中引用的论文“Interlayergrowth…”，该论文以引用方式并入本申请的内容中。
图2b显示光学元件50，其与图2a显示的光学元件50的不同之处仅在于多层涂层51中的第二层***54的堆叠Y1、Y2的布置以及第一层***53的堆叠X1至X4的层53a-d的顺序(Mo/B4C/Si/B4C)。原则上，在多层涂层51中，第二层***54的堆叠Y1、Y2及第一层***53的堆叠X1至X4的布置是任意的，只要不以不利的方式影响多层涂层的光学性质即可。
特别地，这应有关避免将第二层***54的所有十六个堆叠Y1、Y2布置与图2a、2b中显示的光学表面56(其形成相对于真空周围环境的界面)相邻，以免多层涂层51的反射比以过大的程度降低，因为第二层***54的堆叠Y1、Y2比第一层***53的堆叠X1至X4对于EUV辐射具有更高吸收。为了避免改变多层涂层51的光谱反射比行为，也不应将第二层***54的十六个堆叠Y1、Y2布置成与基板52相邻。已经证实有利的是，以在多层涂层51上分布的方式布置第二层***54的(8×2＝16)堆叠Y1、Y2，如根据图2a、2b的周期性布置的情况。然而，第二层***54的堆叠Y1、Y2还可以非周期性布置分布在多层涂层上。举例而言，在同一个多层涂层51中，图2a显示的堆叠布置X4、Y2、Y1、X3、X2、X1可与图2b显示的堆叠布置X4、X3、X2、X1、Y2、Y1组合。
为了保护相应光学元件50不受真空周围环境的物质污染，在图2a、2b显示的示例中，将保护层***(未示出)施加到多层***51，该保护层***可由一个或多个层形成并且对于本考虑是不重要的，因此在此不以任何更多细节加以说明。
在图2a、2b显示的光学元件的情况下，选择第一层***53的堆叠X1至X4的数目与第二层***54的堆叠Y1、Y2的数目的比率，使得第一层***53的堆叠X1至X4在热负载时的总收缩被第二层***54的堆叠Y1、Y2的总膨胀精确地补偿，致使多层涂层51的平均周期厚度及由此在相对于真空的界面56和光学元件50的基板52顶侧之间的距离保持恒定。
不言可喻，除了B4C层54b，第二层***54还可包含由其它材料构成(例如由硼构成)的层，还可使用其它(尤其金属)材料，明确地说过渡金属，诸如La，取代钼层54a。在由硼和金属构成的层组合的情况下，已经证实有利的是，第二层***54的相应堆叠Y1、Y2具有过多的硼，也就是说，相应堆叠Y1、Y2中的硼体积(显著)超过金属材料的体积。
图3显示图2b的第一层***53的堆叠X1至X4的总周期厚度随热负载持续时间的变化，在图3显示的图示的情况下，通过(永久)加热至250℃的温度产生热负载。如可从针对Mo/B4C和Mo/B4C/Si/B4C显示的曲线得知，两个层***53、54的周期厚度的增加和减小影响精确地彼此抵消，致使多层涂层51的平均周期厚度改变随着时间维持恒定(参见中间曲线)。如同样可在图3中看出，周期厚度相对于所施加厚度的改变并非为零(其在此归因于此处将不以更多细节说明的效应)，而是周期厚度直接在热处理开始时改变，致使在短时间(通常几分钟)后建立恒定值。
如图3所示多层涂层51的周期厚度的热行为还影响光学元件50(更精确地说，多层涂层51)的取决于波长(标准化)反射比R，这在图4中在热处理时间的三个不同点处显示：第一反射比曲线(实线)显示多层涂层51在涂覆后(即，在热处理开始之前)的反射比R；第二反射比曲线(点划线)显示在250℃热处理10分钟后的反射比R；以及第三反射比曲线(虚线)显示在250℃热处理60小时后的反射比R。
如从比较图4的第二和第三反射比曲线可见，取决于波长的反射比R和由此的质心波长λZ(其理想上对应于操作波长λB)在大约10分钟的短暂热处理后不再改变，也就是说，多层涂层的质心波长λZ在此时间周期后维持恒定。可在多层涂层51的设计中考虑在(短暂)热处理10分钟的情况中的反射比曲线偏移，也就是说，可借助在限定多层涂层51的层53a-d、54a、54b的厚度时的限度(margin)考虑该偏移。在该情况下，在EUV光刻设备1中操作光学元件50之前，可执行如10分钟的短暂热处理以将多层涂层51变成其中质心波长λZ不再改变且对应于期望波长的状态。
不言可喻，可针对光学元件的期望热负载或操作温度调配多层涂层的设计(也就是说，尤其层厚度且还有层材料)。由于EUV光刻设备1的光学元件7、9、10、11、13、14的热负载或操作温度通常不同，可尤其针对各光学元件7、9、10、11、13、14建立针对期望操作温度调配的多层涂层51的专属层设计。
由于随着时间为恒定的周期长度，由多层涂层51反射的辐射的取决于角度的反射波长、强度和波前在热负载时通常不会改变，也就是说，维持多层涂层51的光学性能，增加多层涂层或相关联光学元件50的寿命。不言可喻，此处提议的补偿不限于上文说明的材料，而是原则上可使用整体补偿相应层***的堆叠厚度的膨胀和收缩的多样性材料，只要其使用不会使多层涂层的光学性质急剧降低即可。例如对于所用辐射具有过高吸收系数的材料便会发生这种情况。
不言可喻，并无法在所有情况中(实际上)完全补偿相应层***的堆叠厚度的膨胀和紧缩。即使在该情况下，一般仍可以上述方式获得其光学性能在升高温度的操作期间比仅由一个层***组成的多层涂层以较少程度减小的多层涂层51。
Claims (14)
1.一种光学元件(50)，包含：
基板(52)；以及
施加于所述基板(52)的多层涂层(51)，所述多层涂层包含：
至少一个第一层***(53)，由相同构造的堆叠(X1至X4)的布置组成，各堆叠具有至少两个层(53a-d)；以及
至少一个第二层***(54)，由相同构造的堆叠(Y1，Y2)的布置组成，各堆叠具有至少两个层(54a，54b)，其中，在所述多层涂层(51)热负载时，所述第一层***(53)经历各堆叠(X1至X4)的厚度(dX)的不可逆收缩，所述第二层***(54)经历各堆叠(Y1，Y2)的厚度(dY)的不可逆膨胀。
2.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述至少一个第二层***(54)的堆叠(Y1，Y2)的膨胀补偿所述多层涂层(51)的至少一个第一层***(53)的堆叠(X1至X4)的收缩。
3.如权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述第二层***(54)的堆叠(Y1，Y2)中的至少一个层(54b)含有硼。
4.如权利要求3所述的光学元件，其中，所述层(54b)由B4C形成。
5.如权利要求4所述的光学元件，其中，由B4C构成的层(54b)具有2nm或更大的厚度(d)。
6.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述第二层***(54)的堆叠(Y1，Y2)中的至少一个层(54a)含有金属或由金属组成。
7.如权利要求5所述的光学元件，其中，金属从包含Mo和La的组中选择。
8.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述第二层***(54)的堆叠(Y1，Y2)的各层(54a，54c)含有硼和金属两者，其中，存在相对于所述金属过多的硼。
9.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述第一层***(53)的堆叠(X1至X4)中的至少一个层(53a，53c)由Mo或Si形成。
10.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述第一层***(53)的堆叠(X1至X4)中的至少一个层(53b，53d)由B4C形成。
11.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述第一层***(53)的堆叠(X1至X4)的数目与所述第二层***(54)的堆叠(Y1，Y2)的数目的比率为4∶2。
12.如前述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述多层涂层(51)设计用于反射EUV辐射(6)。
13.一种光学装置，尤其是光刻设备(1)，包含：至少一个如前述权利要求任一项所述的光学元件(7，9，10，11，13，14，50)。
14.如权利要求13所述的光学装置，其中，在所述光学元件(7，9，10，11，13，14，50)由EUV辐射(6)照射引起热负载时，在所述光学元件(7，9，10，11，13，14，50)处反射的所述EUV辐射(6)的质心波长(λZ)是恒定的。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |