CN108496116B - 反射式光学元件和euv光刻的光学*** - Google Patents

Abstract

为了还促进相对较大入射角范围或波长范围内的高反射率，提出了极紫外波长范围的反射式光学元件，所述反射式光学元件包括在基板上的区域之上延伸的多层***，其中该多层***包括在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料构成的层(54，55’)，所述材料交替地布置，其中至少两个材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或者在所述层和相同材料的最近层之间布置的各层的距基板渐增距离，其中在至少一个堆叠体(53’)中，具有较低折射率实部的层(55’)的材料和/或具有较高折射率实部的层(54)的材料是至少两个物质制成的组合(551、552)，与多层***(51)的剩余区域(61、61”)中相比，至少一个部分区域(61’)中该层(55’)中的其相应的成分是不同的。

Description

反射式光学元件和EUV光刻的光学***

本发明涉及极紫外波长范围的反射式光学元件，其具有在基板上的表面之上延伸的多层***，其中该多层***具有来自交替的在极紫外波长范围的波长具有不同的折射率实部的至少两个不同材料的层，其中至少两个材料中的一个的层形成了堆叠体，其中所述层或者布置在该层和最靠近的相同材料的层之间布置的各层距基板渐增的距离。此外，本发明涉及EUV光刻的光学***并且涉及具有这种反射式光学元件的EUV光刻设备。本申请要求2016年1月21号的德国专利申请10 2016 200 184.5的优先权，其公开的内容通过引用全部并入本申请中。

在EUV光刻设备中，诸如基于多层***的光掩模或反射镜的极紫外(EUV)波长范围(例如在近似5nm和20nm之间的波长)的反射式光学元件用于半导体装置的光刻。因为EUV光刻设备通常具有多个反射式光学元件，所以它们必须具有尽可能高的反射率以确保足够高的总反射率。

为了确保单独反射式光学元件的尽可能高的反射率及其他，目标是能够在高局部入射角带宽处非常均匀地反射局部束的所有射线。为此，将多层***的单独堆叠体的数目和厚度优化。在该最简单的情况下，这些为周期性多层***，其中堆叠体或周期的数目减少到反射率曲线具有期望的宽度的程度。然而，在该多层***中，反射率仍取决于入射角和波长而强烈改变。

在其他步骤中，还可以在多层***中提供两个或更多个区段，其中相应总堆叠体厚度和堆叠体内的层比率是不同的。此外，所述两个区段还可以具有不同数目的堆叠体。在变型中，还可以在多层***的整个层序列之上连续地改变堆叠体的厚度和/或堆叠体内的层厚度比率。

在US 2003/0222225 A1中，其上实现EUV辐射的足够反射率的波长带通过改变而变宽，以适应于多层***的表面之上的入射角分布、由具有较低折射率实部的材料制成的层与多层***的表面之上的相应堆叠体的总厚度的比率Г。这是基于以下观察：对于指定波长，在较低Г的情况下，最大反射率的入射角移位到大于0°的角度，也就是说实现了偏离于垂直入射的最大反射率。堆叠体厚度优选地保持恒定，并且同时由具有较高折射率实部的材料制成的和由具有较低折射率实部的材料制成的层的厚度改变。这可以按步骤或连续地完成。取决于表面之上的入射角分布，还可以替代地或附加地在表面区域中改变堆叠体厚度。

本发明的目标是提供另外的反射式光学元件，其可以使得在较大入射角范围内的较高反射率是可能的。

该目标由极紫外波长范围的反射式光学元件来实现，该反射式光学元件具有在基板上的表面之上延伸的多层***，其中所述多层***具有来自交替的在极紫外波长范围中的波长处具有不同的折射率实部的至少两个不同材料的层，其中至少两个材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或在该层和最靠近的相同材料的层之间布置的各层距基板渐增的距离，其中在至少一个堆叠体中，在至少一个部分表面之上的具有较低折射率实部的层的材料和/或具有较高折射率实部的层的材料与在多层***的剩余表面之上的不同。

已经发现的是，可以对反射率的角度依赖性施加影响来实现：对于固定波长，不仅通过在多层***的表面之上使堆叠体内的层厚度或层厚度的比率改变，而且由于至少一个堆叠体层内的横向材料变化，可以观察到具有与未变化的多层***相比较更高的反射率的入射角范围的变宽。

已经发现的是，特别地，还可以对反射率的角度依赖性施加影响来实现：对于固定波长，通过具有较低折射率实部的层内或具有较高折射率实部的层内的两个或更多个物质的组合，可以观察到具有与未变化的多层***相比较更高的反射率的入射角范围的变宽。可以通过在仅一个的堆叠体中的提供组合层已经影响了反射率的角度依赖性。还可以在多层***中提供多个具有较高折射率和/或较低折射率实部的这样的修改的层。

如果由具有较高折射率实部和/或较低折射率实部的材料制成的层没有在所有堆叠体中被修改，则所述一个或多个修改的堆叠体层有利地位于多层***的远离基板区段中。可以修改由具有较低折射率实部的材料制成的仅一个层或由具有较高折射率实部的材料制成的仅一个层，或者可以修改如上所述的堆叠体的两个层。如果堆叠体包含比由具有较高折射率实部的材料制成的一个层和由具有较低折射率实部的材料制成的一个层更多的层，则还可以相对于材料横向地修改至少一个堆叠体中的附加堆叠体层中的一个或可能更多个。应该指出的是，在入射角固定的情况下，可以类似地观察到具有较高反射率的波长范围的变宽。

入射角范围的变宽(其中实现较高反射率)可以用具有较低折射率实部或较高折射率实部的一个或多个修改的层来实现，其在多层***的整个表面之上或者多层***的仅一部分表面之上延伸。根据特别的优选例，反射式光学元件设计为多层***的表面之上的极紫外辐射的不同入射角范围，并且取决于入射角改变具有较低或较高折射率实部的修改的层或各层中的至少两个物质的比例。由于横向材料变化与多层***的表面之上的入射角分布的相关性，还可以实现在较大入射角范围内的最大可能的反射率值。研究已经示出的是：可以以与通过层厚度比率Г相似的方式、通过在修改的层中的至少两个物质的不同比例，在特定波长处对反射率的入射角依赖性施加影响。因此可以通过改变比例，非常精确地优化多层***的表面之上不同入射角分布的反射率。

可以逐步改变至少两个物质的比例。优选地，连续地改变比例，以便于将EUV光刻设备中存在的入射角分布的连续轮廓尽可能精确适当地成像在照亮的多层***的表面之上。

出于制造的原因，特别有利的是，如果在至少一个修改的堆叠体中，具有较低或较高反射率实部的层的材料是恰好两个物质的组合。

在第一优选的实施例中，至少一个堆叠体中具有较低和/或较高折射率实部的层由两个或更多个物质的子层制成，其中在至少一个部分表面之上的该层的相应的子层厚度不同于它们在多层***的剩余表面之上的情况。这样的修改的层可以用通过连续施加单独子层的常规涂覆方法来生产。

在第二优选的实施例中，至少一个堆叠体中具有较低和/或较高折射率实部的层的材料具有至少两个物质的混合比率，其中在至少一个部分表面之上的该混合比率不同于在多层***的剩余表面之上的混合比率。采用典型涂覆方法，这样的修改的层可以通过同时地施加两个或更多个物质来生产，其中根据将获得的混合物比率来设定涂覆过程期间的单独起始材料的浓度。这可以是用表面之上改变的粒子比例来掺杂具有较低和/或较高折射率实部的层材料，及其它。

在其它变型中，修改的层的材料还可以是对应于具有不同化学剂量比率的化学基本化合物的物质。

具有较低折射率实部的层的厚度与至少一个堆叠体的总厚度的比率(也就是说层厚度比率Г)和/或总厚度在至少一个部分表面之上有利地不同于其在多层***的剩余表面之上的情况。两个措施可以同样地用来对指定入射角的反射率施加影响。

至少一个层的材料有利地在其密度方面改变。可以例如通过离子抛光来实现层内的横向密度变化。取决于持续时间、强度和离子能量，可以局部实现材料的变化的压实度。取决于离子束如何聚焦，可以以高度目标的方式和用高横向分辨率来获得材料压实。这特别是对用于更复杂的入射角分布的反射式光学元件的制造是有利的。应该指出的是，类似地，可以增加固定入射角的反射式光学元件的波长带宽。这对应地应用于入射辐射的波长分布。

在优选的实施例中，反射式光学元件具有作为具有较高折射率实部的材料的硅、作为具有较低折射率实部的材料的钼、以及作为至少两个物质的钼、钌、铌、钪、钛、碳、碳化物的组合中的两个或更多个，或者具有为具有较低折射率实部的材料的钌、作为具有较高折射率实部的材料的硅、以及作为至少两个物质的硅、硼碳化物、铍、硼、碳的组合中的两个或更多个。这样的反射式光学元件特别地适合于范围在12.5nm和15.0nm之间的范围内的波长。通过这样的材料的指定选择，可以经由在具有较低和较高折射率实部的层之间的高对比度来获得高反射率。这是因为在例如一方面所述波长范围中的钼或钌的虚部和另一方面硅的虚部之间的差异足够高。同时，钼和钌的折射率的实部和虚部足够不同，以能够对反射率的入射角分布施加相当大的影响。如果提供了附加地横向密度变化，则这同样地适用。

具有较低折射率实部的层的厚度与至少一个堆叠体的总厚度的比率(也就是说层厚度比率Г)和/或总厚度在至少一个部分表面之上有利地不同于其在多层***的剩余表面之上的情况。两个措施可以同样地用来对指定入射角的反射率施加影响。具有不同层厚度比率和具有材料变化的部分表面可以但不是必须一致的。在固定入射角的情况下，这类似地应用于入射辐射的指定波长范围。

该目标还由EUV光刻的光学***或由具有如上所述的至少一个反射式光学元件的EUV光刻设备来实现。

将参考优选的示例性实施例更详细地解释本发明。附图中：

图1示意性示出了具有含有保护层***的集光反射镜的照明***的EUV光刻设备的实施例；

图2示出了反射式光学元件的示意性视图；

图3示出了修改的堆叠体的第一变型的示意图；

图4a示出了修改的堆叠体的第二变型的示意图；

图4b示出了来自图4a的堆叠体的示意性俯视图；

图5示出了取决于入射角的反射式光学元件的第一和第二实施例的反射率；

图6示出了取决于入射角的第一和第二实施例的修改的层的两个物质的混合比率；

图7示出了取决于第一和第二实施例中的入射角的层厚度因子；

图8示出了取决于入射角的反射式光学元件的其它实施例的反射率；

图9示出了取决于入射角的其它实施例的修改的层的两个物质的混合比率；

图10示出了其它实施例中取决于入射角的层厚度因子。

图1示意性示出了EUV光刻设备10。基本部件是照明***14、光掩模17和投射***20。在真空条件下操作EUV光刻设备10，使得在其内部中尽可能少地吸收EUV辐射。

等离子体源或同步加速器可以例如当作辐射源12。在此所示出的示例中，使用等离子体源。首先由集光反射镜13将近似5nm至20nm的波长范围中的发射的辐射聚焦。然后将操作束引入到照明***14中。图1所示的示例中，照明***14具有两个反射镜15、16。反射镜15、16将束引导到具有结构的光掩模17上，该结构旨在被成像到晶片21上。同样地，光掩模17是EUV波长范围的反射式光学元件，取决于生产过程更换该光掩模。借助于投射***20，将从光掩模17反射的束投射到晶片21上并且由此将光掩模的结构成像到所述晶片上。所示的示例中，投射***20具有两个反射镜18、19。应该指出的是，投射***20和照明***14均可以各具有只有一个或者三个、四个、五个或更多个反射镜。

为了确保入射角之上可能最高且恒定的反射率以及尽可能大的入射角范围，反射镜中的一个或多个或者光掩模具有特别的多层***，其中多层***具有来自交替的在极紫外波长范围中的波长处具有不同的折射率实部的至少两个不同材料的层，其中至少两个材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或布置在该层和最靠近的相同材料的层之间的各层距基板渐增的距离，其中至少一个堆叠体中，具有较低或较高折射率实部的层的材料是至少两个物质的组合，至少一个部分表面之上的该层中该至少两种物质的相应比例不同于其在多层***的剩余表面之上的情况。

图2示意性示出了反射式光学元件50的结构。所示的示例基于多层***51示出了反射式光学元件。多层***在此实质上包括在操作波长(例如在该操作波长处进行光刻曝光)处具有较高折射率实部的材料(也称为间隔体54)和在操作波长处具有较低折射率实部的材料(也称为吸收体55)的交替施加的层，其中在此示出的示例中，吸收体-间隔体对形成了对应于周期性多层***的情况下的周期的堆叠体53。在某些方面，由此模拟晶体，其晶格面对应于布拉格反射发生处的吸收体层。单独层54、55的厚度以及重复堆叠体53的厚度可以在整个多层***51之上是恒定的，或者取决于旨在实现的光谱或角度依赖的反射轮廓来改变。反射轮廓还可以由吸收体55和间隔体54所构成的基本结构用目标方式来影响，该吸收体55和间隔体54由其它吸收体或间隔体材料补充，以便于在相应的操作波长处增加可能最大反射率。为了该目的，在一些堆叠体中，吸收体和/或间隔体材料可以互相交换，或者堆叠体可以由多于一个吸收体和/或间隔体材料构造或具有其它材料制成的附加层。吸收体或间隔体材料可以在所有堆叠体之上具有恒定或变化的厚度，以便于优化反射率。此外，还可以在单独或所有堆叠体中提供例如作为间隔体和吸收体层54、55之间的扩散阻挡体的附加层。

多层***51被施加在基板52上并且形成反射表面60。优选地将具有低热膨胀系数的材料选为基板材料。邻接基板52的第一层可以是吸收体层、间隔体层或附加层。可以在多层***51上提供保护层56，所述保护层尤其保护反射式光学元件50免受污染。

图3示意性示出了包括间隔体层54和结合的吸收体层55’的修改的堆叠体53’的第一示例性变型的构造。在此所示出的示例中，结合的吸收体层55’由分别用不同物质制成的恰好两个子层551和552构成。图3所示的示例中，通过结合的吸收体层55’的相应的子层厚度在多层***的不同部分区段61、61’、61”之上的横向范围中改变，改变了结合的吸收体层55’中的两个物质的比例。因此，图3所示的示例中，在左手侧61上的子层551的厚度为最大值，并且在在右手侧61”上的子层552的厚度为最大值。在中间61’，子层551的厚度连续减少并且子层552的厚度连续增加。由此实现的是，在图3中左手侧上的多层***的区域61中，与图3中右手侧上的多层***的区域61”相比，对于其它入射角反射率为最大值。在单独情况下实际的入射角和反射率是取决于材料或物质选择以及层和子层厚度及其它。子层厚度变化可以在多层***的表面方向上延伸并且在表面平面中相对于其垂直的其他方向上保持恒定。然而，还可以在表面之上的两个维度中实现子层厚度变化。取决于哪一个入射角范围旨在具有尽可能高的反射率，一个或多个堆叠体53可以以在此所述的方式来修改。图3所示的实施例的修改中，修改的吸收体层55’还可以不由子层制成而是由两个物质的混合物制成。除了子层厚度，两个物质的混合物比率和浓度梯度可以根据具有最大反射率的期望入射角来局部地调整。这可以是指层材料的改变的掺杂及其它。浓度梯度的混合物比率的轮廓可以对应于子层厚度变化的轮廓。

图4a示出了修改的堆叠体53”的其他示例性变型，其中间隔体层54’实现为两个物质的组合。将它们用作子层541、542，其厚度在多层***的部分表面61、61’、61”之上连续改变-优选地取决于反射镜或光掩模的表面或者基于所述多层***的另一个反射式光学元件的表面之上的入射角分布一使得间隔体层54’中的单独物质的相应比例连续地改变。图4b示意性示出了来自上文的堆叠体。在本示例中，将整个表面(其对应于反射式光学元件的表面或者其多层***)分成三个部分表面61、61’、61”。间隔体层54’的材料在部分表面区域61中未改变，然而它在部分表面区域61’、61”中改变。在其它实施例中，还可以存在两个、四个、五个、六个或更多个部分表面。甚至该变型的修改中，修改的间隔体层54’还可以不由子层制成而是由两个物质的混合物制成。除了子层厚度，在多层***的表面之上两个物质的混合物比率和浓度梯度可以根据具有最大反射率的期望入射角来调整。这可以是指层材料的改变的掺杂及其它。

在先前所述的示例中，具有较低折射率实部的层的厚度对至少一个堆叠体的总厚度的比率，也就是说层厚度比率Γ，在至少一个部分表面之上的该比率不同于多层***的剩余表面之上的该比率。在修改中，至少一个部分表面之上的总厚度可以替代地或附加地不同于在多层***的剩余表面之上的总厚度。

在其他修改中，层密度可以附加地在表面之上横向变化。还可以将横向材料变化的单独措施组合。这些措施以及上文所提到的那些可以同样地用来对指定入射角的反射率施加影响。

当选择间隔体层和吸收体层的材料以及特别是结合的层的物质时，有利的是，如果对于在极紫外波长范围的波长，两个或更多个物质具有差异尽可能大的折射率实部，以便于能够通过其中比例的变化对反射率的入射角分布施加可测量的影响。特别地，对于EUV波长范围，例如钼、钌、铌、钪、碳和/或钛的组合适合于修改的吸收体层，其中相应组合还可以用可变的化学计量的成分以合金或诸如碳化物(例如钼碳化物)的化合物的形式出现。对于修改的间隔体层而言，例如硅、硼碳化物、铍、硼和/或碳的组合适合于EUV波长范围。

EUV波长范围在12.5nm和15.0nm之间的反射式光学元件的第一优选实施例中，研究两个反射镜，其多层***各具有分别硅为间隔体且钼和钌的组合作为结合的吸收体层的十五个堆叠体。在两个反射镜的情况下结合的吸收体层厚度与堆叠体厚度的比率恒定为0.37。通过共溅射生成修改的吸收体层，因此可以获得具有钼和钌的局部不同浓度的混合物。

图5中，针对第一反射镜，用短划线绘制钌比钼的不同比率的取决于入射角的反射率R，并且针对第二反射镜，用点划线绘制上述反射率。入射束的波长为13.5nm。为了比较，实线示出了具有常规多层***(即，具有含有硅间隔体层和钼吸收体层的十五个堆叠体的多层***)的第一对比反射镜的反射率曲线。图6中，针对第一反射镜，通过矩形相对于入射角描绘十五个吸收体层中钌与钼的比率V，针对第二反射镜，通过三角形来描绘，并且对于对比反射镜通过菱形来描绘。在此限定比率V，使得V＝1对应于钼和钌的相等比例，并且V＝0对应于纯钼层。入射角总是规定为以角度为单位并且是相对于表面法线的。为了进一步优化每个入射角的反射率，堆叠体的厚度与垂直入射比较以因子F增加。图7中的该因子F同样地相对于入射角来绘制，第一反射镜用矩形、第二反射镜用三角形、对比反射镜用菱形。

在第一对比反射镜的情况下，不管可变堆叠体厚度因子F，最大反射率随入射角增加而减少。由于第一反射镜情况下钌与钼的比率V在对于约30°的入射角的近似0.25和对于约32.5°的入射角的0之间改变，反射率可以在近似2.5°的角度间隔内大体上保持恒定。在此，堆叠体厚度因子F仅朝着较小入射角略微偏离于第一对比反射镜的因子F。通过在第二反射镜的情况下在对于近似30°的入射角的近似0.25和对于略微大约32°的入射角的近似0.85之间改变比率V，甚至可以实现最大反射率的增加。由于钌的高比例、与第一反射镜情况和第一对比反射镜情况相比包含略微较高的堆叠体厚度。在EUV光刻设备的光学***中，可以使用第二反射镜来补偿由其他反射式光学元件引起的反射率梯度。

研究根据其他优选的实施例的其他反射镜。所述反射镜具有含有由钌制成的吸收体层和结合的间隔体层的十五个堆叠体的多层***，该结合的间隔体层包括反射镜表面之上具有可变比例的硅和硼碳化物的组合。吸收体层厚度与堆叠体厚度的比率恒定为0.37。图8中，对于其他反射镜的硼碳化物与硅的比率，用短划线绘制取决于入射角的射率R。入射束的波长再次为13.5nm。为了比较，实线示出了具有多层***的第二对比反射镜的反射率曲线，该多层***包括具有作为扩散阻挡体的恒定厚度的硼碳化物中间层的硅间隔体层和钌吸收体层。图9中，相对于入射角描绘了十五个间隔体层中的硅与硼碳化物的比率V，所述其他反射镜用菱形、第二对比反射镜用矩形。在此限定比率V，使得V＝1对应于纯硅层，并且V＝0对应于纯硼碳化物层。对于第二对比反射镜，间隔体层被认为是具有由硼碳化物制成的扩散阻挡体的单元，使得得到硅与硼碳化物的恒定比率近似为0.75。入射角总是在此规定为以角度为单位并且是相对于表面法线的。为了优化每个入射角的反射率，堆叠体的厚度与垂直入射比较以因子F增加。图10中的该因子F同样地相对于入射角来绘制，其他反射镜用菱形、第二对比反射镜用矩形。

在第二对比反射镜的情况下，不管可变堆叠体厚度因子F，最大反射率随入射角增加而再次减少。由于其他反射镜情况下硅与硼碳化物的比率V在对于约21°的入射角的近似0.55和对于约29°的入射角的近似0.75之间改变，反射率可以在近似8°的角度间隔内大体上保持恒定。在此，堆叠体厚度因子F仅朝着较小入射角略微偏离于第二对比反射镜的因子F。可以通过改变第二对比反射镜的生产方法特别容易地生产其他反射镜的多层***，使得在作为光学反射式元件使用期间，取决于期望的入射角在表面上局部地改变硼碳化物层的厚度。

应该指出的是，最大反射率朝着较小入射角在较大角度间隔内保持恒定。还应该指出的是，可以通过多层***的表面之上的吸收体层厚度与堆叠体厚度的比率的改变，附加地影响取决于最大反射率的角度依赖性。

由于最大反射率的入射角依赖性剧烈减小，在此引入的反射式光学元件可以特别良好地用于EUV光刻的光学***中或EUV光刻设备中，其中特别是由于多个反射式光学元件的出现并且尝试布置它们以便于尽可能多地节约空间，所以通常应该期望在照亮的反射式光学元件的表面之上较大地改变入射角。

附图标记

10 EUV光刻设备

12 EUV辐射源

13 集光反射镜

14 照明***

15 第一反射镜

16 第二反射镜

17 掩模

18 第三反射镜

19 第四反射镜

20 投射***

21 晶片

50 反射式光学元件

51 多层***

52 基板

53、53＇、53″ 堆叠体

54、54＇ 间隔体

55、55＇ 吸收体

56 保护层

551、552 吸收体子层

541、542 间隔体子层

60 反射表面

61、61＇、61″ 部分表面

Claims (12)

1.一种极紫外波长范围的反射式光学元件，具有在基板上的表面之上延伸的多层***，其中所述多层***具有来自交替的在所述极紫外波长范围中的波长处具有不同的折射率实部的至少两个不同材料的层，其中所述至少两个不同材料中的一个的层形成堆叠体，其中所述层或在所述层和最靠近的相同材料的层之间布置的各层距所述基板渐增的距离，其特征在于，在所述堆叠体(53’、53”)中的至少一个中，具有较低折射率实部的层(55’)的材料和/或具有较高折射率实部的层(54’)的材料是至少两个物质的组合，至少一个部分表面(61’、61”)之上的该层(55’、54’)中所述至少两种物质的相应比例不同于其在所述多层***(51)的剩余表面(61)之上的相应比例。

2.根据权利要求1所述的反射式光学元件，所述反射式光学元件被设计为针对所述多层***的表面之上的EUV辐射的不同入射角，其特征在于，所述至少两个物质的比例取决于所述入射角来改变。

3.根据权利要求1或2中所述的反射式光学元件，其特征在于所述至少两个物质的比例连续地改变。

4.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，在所述至少一个堆叠体(53’)中，具有所述较低或较高折射率实部的层(55’、54’)的材料是恰好两个物质的组合。

5.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，在所述至少一个堆叠体(53’、53”)中，具有所述较低或较高折射率实部的层(55’、54’)由来自所述两个或更多个物质的子层(551、552、541、542)构造，在至少一个部分表面(61’、61”、61)上的所述子层的相应子层厚度与它们在所述多层***(51)的剩余表面(61、61’、61”)之上的不同。

6.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，在所述至少一个堆叠体(53’、53”)中，具有所述较低或较高折射率实部的层(55’)的材料具有所述至少两个物质的混合比率，至少一个部分表面(61’、61”、61)之上的所述混合比率与在所述多层***(51)的剩余表面(61、61’、61”)之上的不同。

7.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，所述具有所述较低折射率实部的层(55、55’)厚度与至少一个堆叠体(53)的总厚度的比率和/或总厚度在至少一个部分表面之上与在所述多层***(51)的剩余表面之上是不同的。

8.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，至少一个层(54、54’、55、55’)的材料在其密度方面改变。

9.根据权利要求1或2所述的反射式光学元件，其特征在于，所述反射式光学元件具有作为具有所述较高折射率实部的材料的硅、作为具有所述较低折射率实部的材料的钼、以及作为所述至少两个物质的钼、钌、铌、钪、钛、碳、碳化物的组合中的两个或更多个，或者具有作为具有所述较低折射率实部的材料的钌、作为具有所述较高折射率实部的材料的硅、以及作为所述至少两个物质的硅、硼碳化物、铍、硼、碳的组合中的两个或更多个。

10.一种EUV光刻的光学***，具有根据权利要求1至9中任一项所述的反射式光学元件。

11.根据权利要求10所述的光学***，其中将波长的极紫外辐射以在所述多层***的表面之上改变的入射角来入射在所述反射式光学元件，其特征在于，所述至少两个物质的比例取决于所述入射角来改变。

12.一种EUV光刻设备，具有根据权利要求1至9中任一项所述的反射式光学元件或者根据权利要求10或11所述的光学***。

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