CN105097586A - 晶圆抽取方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶圆抽取方法和装置。其中，该晶圆抽取方法包括：确定抽取晶圆的机台；获取晶圆和机台的对应关系；根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及在查找到的晶圆中抽取晶圆。通过本发明，解决了现有技术中测量晶圆时抽取晶圆的不能准确覆盖机台的问题，进而达到了抽取晶圆准确覆盖机台的效果。

Description

晶圆抽取方法和装置

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆抽取方法和装置。

背景技术

在半导体工厂的生产过程中，需要对处理过的晶圆做实时测量监控以保障其良率，例如，经过刻蚀机台处理后的晶圆的下一个步骤就需要测量晶圆的厚度和带宽等，测量相关晶圆看是否合格，如有问题可以马上批次或者停机台，达到实时监控晶圆的目的。

但是在测量的过程中，出于成本等原因考虑，用户不可能去测量所有的晶圆，只能选取有代表性的几片晶圆来做测量，如果这几片晶圆测量合格，那就认为同一批次的所有晶圆的处理结果是合格的。

针对抽取哪片晶圆作为代表性晶圆，以及抽取多少片晶圆合适，这对于生产工程师来说是比较复杂的，例如刻蚀区的机台处理晶圆，#1、#2、#3、#4、#5五片晶圆经过刻蚀机台A做处理，#6、#7、#8、#9、#10五片晶圆经过刻蚀机台B做处理，如果在测量机台抽片测量的时候抽取了#1、#3、#5三片晶圆做测量，即使这三片晶圆的测量结果都合格，也很难保证#6～#10晶圆的处理结果是正常的，因为它们是经由不同的机台处理的晶圆。

怎样选取合适的晶圆及数量，使得选取的晶圆以及数据能够判断所有晶圆的检测结果，这是现有生产执行***测量机制中的难点。

现有技术中，对于某种产品，总是预先设置抽出指定位置的晶圆和固定数量的晶圆。根据晶圆在晶圆盒中的位置，生产执行***在测量站点根据预先设置来获取可测量的晶圆，具体流程图如图1所示。从图1中可以看出，根据已有的设置选择晶圆，主要会产生如下问题：

1、容易遗漏关键性的晶圆。只能监控抽取到的晶圆，监控不到别的机台处理的晶圆，如工艺处理的机台存在问题，经由其处理的晶圆受其影响也可能会出现问题，但***并没有实时检测到工艺处理的机台存在问题，这样可能导致经由该机台的晶圆报废。

2、容易造成重复测量。如三片晶圆经由同一个机台处理，只需要选取一片做测量就可以，如果选取三片，造成重复测量，增加了晶圆的生产周期，降低机台的有效利用率。

3、在测量中，有些机台属于辅助性的机台，经过其的晶圆无需测量，而现有的选片规则对这种情况无法解决，会造成无效测量。

针对现有技术中测量晶圆时抽取晶圆的不能准确覆盖机台的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

申请内容

本申请的主要目的在于提供一种晶圆抽取方法和装置，以解决现有技术中测量晶圆时抽取晶圆的不能准确覆盖机台的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种晶圆抽取方法。根据本申请的晶圆抽取方法包括：确定抽取晶圆的机台；获取晶圆和机台的对应关系；根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及在查找到的晶圆中抽取晶圆。

进一步地，机台为多个机台，多个机台包括第一测量机台、处理机台和第二测量机台，晶圆在经过第一测量机台进行测量后，经过处理机台进行处理，再经过第二测量机台进行测量，在查找到的晶圆中抽取晶圆包括：记录经过第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息；记录经过处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息；在经过第二测量机台的晶圆中查找带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆；以及在带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

进一步地，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，其中，根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆包括：获取机台信息与测量类型的对应关系；确定待测量类型；根据机台信息与测量类型的对应关系确定待测量类型对应的机台信息；以及查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

进一步地，机台包括预定机台，在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，晶圆抽取方法还包括：获取预定机台的信息；根据晶圆和机台的对应关系查找预定机台对应的晶圆；以及在预定机台对应的晶圆中滤除预定机台的信息。

进一步地，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，晶圆抽取方法还包括：记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息；以及根据晶圆跟踪信息对晶圆的状态进行跟踪。

为了实现上述目的，根据本申请的另一方面，提供了一种晶圆抽取装置。根据本申请的晶圆抽取装置包括：确定单元，用于确定抽取晶圆的机台；第一获取单元，用于获取晶圆和机台的对应关系；第一查找单元，用于根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及抽取单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆。

进一步地，机台为多个机台，多个机台包括第一测量机台、处理机台和第二测量机台，晶圆在经过第一测量机台进行测量后，经过处理机台进行处理，再经过第二测量机台进行测量，第一查找单元包括：第一记录模块，用于记录经过第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息；第二记录模块，用于记录经过处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息；第一查找模块，用于在经过第二测量机台的晶圆中查找带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆；以及抽取模块，用于在带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

进一步地，晶圆抽取装置包括测量单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，第一查找单元包括：获取模块，用于获取机台信息与测量类型的对应关系；确定模块，用于确定待测量类型；对应模块，用于根据机台信息与测量类型的对应关系确定待测量类型对应的机台信息；以及第二查找模块，用于查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

进一步地，机台包括预定机台，晶圆抽取装置还包括：第二获取单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，获取预定机台的信息；第二查找单元，用于根据晶圆和机台的对应关系查找预定机台对应的晶圆；以及滤除单元，用于在预定机台对应的晶圆中滤除预定机台的信息。

进一步地，晶圆抽取装置还包括：记录单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息；以及跟踪单元，用于根据晶圆跟踪信息对晶圆的状态进行跟踪。

通过本申请，采用确定抽取晶圆的机台；获取晶圆和机台的对应关系；根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及在查找到的晶圆中抽取晶圆的方法，解决了现有技术中测量晶圆时抽取晶圆的不能准确覆盖机台的问题，进而达到了抽取晶圆准确覆盖机台的效果。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请第一实施例的晶圆抽取方法的流程图；

图2是根据本申请第二实施例的晶圆抽取方法的流程图；

图3是根据本申请第三实施例的晶圆抽取方法的流程图；

图4是根据本申请第一实施例的晶圆抽取装置的示意图；

图5是根据本申请第二实施例的晶圆抽取装置的示意图；以及

图6是根据本申请第三实施例的晶圆抽取装置的示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本申请提供了一种晶圆抽取方法。

图1是根据本申请第一实施例的晶圆抽取方法的流程图。如图所示，该晶圆抽取方法包括如下步骤：

步骤S102，确定抽取晶圆的机台。

在晶圆处理过程中，一片晶圆可能经过多个机台进行处理，当然，多个相同或者不同的晶圆也可能经过一个机台进行处理。

在抽取晶圆之前，为了使得每个机台处理过的晶圆都至少有一片晶圆被抽中，首先确定抽取晶圆的机台。

步骤S104，获取晶圆和机台的对应关系。

晶圆经过机台处理时，记录每个晶圆经过的机台信息以及晶圆本身的信息。这样，就记录了晶圆和机台的对应关系，即哪个机台对哪个晶圆进行过处理。

当晶圆进入机台进行处理时，记录进入机台时的晶圆信息，当机台对晶圆的处理结束后，记录晶圆离开机台的信息，从而保证记录晶圆和机台的对应关系的实时性和完整性。

步骤S106，根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆。

确定了抽取晶圆的机台，并且确定机台和晶圆的对应关系，根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆。

例如，进行刻蚀步骤的机台刻蚀的晶圆包括晶圆A、晶圆B和晶圆C，则根据晶圆和机台的对应关系查找到的晶圆为晶圆A、晶圆B和晶圆C。

步骤S108，在查找到的晶圆中抽取晶圆。

在查找到的晶圆A、晶圆B和晶圆C中抽取晶圆，抽取的方法可以为随机抽取，抽取的晶圆可以为一个或者多个。

例如，确定了抽取晶圆的机台为进行刻蚀步骤的机台，查找到的晶圆为晶圆A、晶圆B和晶圆C，则在经过该机台的所有晶圆中抽取一个或者多个晶圆，即抽取的晶圆为晶圆A或者晶圆B和晶圆C。

由于在半导体生产的过程中，同一个批次的晶圆需要经过多次的刻蚀处理，采用随机的抽取方法，使得每次抽取的晶圆都不同，例如，第一次抽取的晶圆为晶圆A，下一次抽取的晶圆为晶圆B。在抽取晶圆之后会对晶圆的性能进行测试，而测试结果又能反应相应的机台是否运行正常，因此，这种抽取晶圆的方法可以提高抽取的晶圆的覆盖率，不仅提高和保证晶圆的良率，还能准确监控机台的运行状态。

通过上述实施例，首先确定抽取晶圆的机台，然后根据晶圆和机台的对应关系在确定的机台中查找到经过该机台处理的晶圆，并在查找到的晶圆中抽取晶圆，能够确定针对确定抽取晶圆的机台都能抽取至少一片晶圆，提高了晶圆抽取的覆盖率，又避免重复抽取造成的重复测量。

图2是根据本申请第二实施例的晶圆抽取方法的流程图。如图所示，该晶圆抽取方法中的机台可以为多个机台，第一测量机台、处理机台和第二测量机台，所述晶圆在经过所述第一测量机台进行测量后，经过所述处理机台进行处理，再经过所述第二测量机台进行测量，在查找到的晶圆中抽取晶圆包括如下步骤：

步骤S202，记录经过第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息。

记录经过第一测量机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第一晶圆信息。第一晶圆信息可以是晶圆编号，测量晶圆的类型或者该晶圆信息已经被测量的标记等。例如，经过第一测量机台处理的晶圆A带有已经测量的标记。

步骤S204，记录经过处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息。

处理机台对晶圆进行处理，例如，刻蚀、溅射等。第二晶圆信息包括该晶圆经过处理机台的刻蚀处理。

步骤S206，在经过第二测量机台的晶圆中查找带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆。

例如，第一测量机台对晶圆A进行测量，测量晶圆A的厚度为THK1，处理机台对晶圆A进行刻蚀，刻蚀后进入第二测量机台进行测量。在第二测量机台进行测量之前，在经过第二测量机台的晶圆中查找晶圆A。

步骤S208，在带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

如果带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆只有一个，例如晶圆A，则抽取的晶圆为晶圆A。如果带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆不止一个，则在多个带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取至少一个晶圆。

在经过第二测量机台处理的晶圆中抽取晶圆，抽中的晶圆中至少包括一个经过第一测量机台和处理机台的晶圆。

晶圆A在经过第一测量机台处理后，测量其性能，然后经过处理机台进行处理，再经过第二测量机台对其性能测量，保证了测量的连续性，根据测量的结果可以对半导体生产的制程进行微调。

例如，在第一测量机台进行测量时选择进行测量的晶圆为晶圆1和晶圆2，在处理机台中选择的晶圆是晶圆1和晶圆3。在第二测量机台进行测量时，在第二测量机台中可选择的晶圆包括经过第一测量机台测量的晶圆和未经过第一测量机台测量的晶圆，最终选择的晶圆至少有一片晶圆是在第一测量机台中已经测量过的。综合考虑测量晶圆的覆盖率和测量的连续性，选择晶圆1和晶圆3进行测量。

通过上述实施例，在相关联的机台中，根据晶圆信息选择具有连续性的晶圆进行测量，使得在不同的处理步骤之后都能够得到测量结果，对晶圆进行连续性测量，便于根据测量结果对半导体制造的制程进行微调。

图3是根据本申请第三实施例的晶圆抽取方法的流程图。如图所示，该晶圆抽取方法中，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，其中，根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆包括如下步骤：

步骤S302，获取机台信息与测量类型的对应关系。

对经过机台处理的晶圆测量时，针对不同的机台具有不同的测量类型。例如，四个机台A、B、C、D。经过机台A和机台B的晶圆需要测量晶圆的厚度，经过机台C和机台D的晶圆需要测量晶圆的带宽。那么，机台信息与测量类型的对应关系为机台B和机台A对应的测量类型为晶圆的厚度，机台C和机台D的测量类型为晶圆的带宽。

步骤S304，确定待测量类型。

判断需要测量晶圆的厚度还是测量晶圆的带宽，例如，确定测量晶圆的厚度。

步骤S306，根据机台信息与测量类型的对应关系确定待测量类型对应的机台信息。

机台A和机台B对应的测量类型为晶圆的厚度，待测量类型为晶圆的厚度，则待测量类型对应的机台信息为机台A和机台B。

步骤S308，查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

确定待测量类型之后，则确定待测量类型对应的机台信息，那么，根据机台与晶圆的对应关系，可以确定待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

例如，待测量类型对应的机台信息为机台A和机台B，机台A对应的晶圆为晶圆A1和晶圆A2，机台B对应的晶圆为晶圆B1和晶圆B2。查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆为晶圆A1、晶圆A2、晶圆B1和晶圆B2。

在查找到晶圆A1、晶圆A2、晶圆B1和晶圆B2之后，在查找到的这些晶圆中抽取晶圆，那么，最终抽取的晶圆包括晶圆A1和晶圆A2中的任一个晶圆，还包括晶圆B1和晶圆B2中的任一个晶圆。

通过上述实施例，根据测量晶圆的测量类型选择相应的机台信息，并根据机台信息查找对应的晶圆，从而针对不同的测量类型选择相应的晶圆，使得抽取的晶圆能够准确覆盖机台。

优选地，机台包括预定机台，预定机台可以是不需要进行监控的机台，在抽取晶圆的过程中，为了避免这些预定机台对抽取晶圆的影响，在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，该晶圆抽取方法还包括：

获取预定机台的信息。

根据晶圆和机台的对应关系查找预定机台对应的晶圆。

在预定机台对应的晶圆中滤除预定机台的信息。

获取预定机台的信息，查找预定机台对应的晶圆，由于晶圆中记录了预定机台的信息，在查找到的晶圆中滤除预定机台的信息，在对晶圆进行测量时，可以不针对预定机台进行监控和测量。

在将晶圆中的预定机台信息滤除之后，使得抽取的晶圆不会受到预定机台的干扰，从而减少了抽取的晶圆的数量，在保证抽取晶圆的覆盖率的情况下，又减少晶圆的测量数量，提高了测量效率。

进一步地，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，晶圆抽取方法还包括：记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息。根据晶圆跟踪信息对晶圆的状态进行跟踪。

晶圆跟踪信息包括晶圆对应的机台信息以及晶圆的批次信息等。抽取晶圆时记录晶圆本身的信息，在进行量测后，记录量测结果以及晶圆对应的机台信息。根据晶圆的信息能够反映机台的工作状态，在对晶圆一系列的测量过程中，可以记录多个机台的工作状态，从而方便对机台进行追踪，及时发现机台或者晶圆的问题。

本申请的上述方法可以用于半导体制造过程中的机台和子机台，每个机台或者子机台的功能可以相同或者不同。应该理解为，无论是机台还是子机台都应该在本申请的技术方案的精神之内。

本申请实施例还提供了一种晶圆抽取装置。

本申请实施例的晶圆抽取方法可以通过本申请实施例所提供的晶圆抽取装置来执行，本申请实施例的晶圆抽取装置也可以用于执行本申请实施例所提供的晶圆抽取方法。

图4是根据本申请第一实施例的晶圆抽取装置的示意图。如图所示，该晶圆抽取装置包括确定单元10、第一获取单元20、第一查找单元30和抽取单元40。

确定单元10用于确定抽取晶圆的机台。

在晶圆处理过程中，一片晶圆可能经过多个机台进行处理，当然，多个相同或者不同的晶圆也可能经过一个机台进行处理。

在抽取晶圆之前，为了使得每个机台处理过的晶圆都至少有一片晶圆被抽中，首先确定抽取晶圆的机台。

第一获取单元20用于获取晶圆和机台的对应关系。

晶圆经过机台处理时，记录每个晶圆经过的机台信息以及晶圆本身的信息。这样，就记录了晶圆和机台的对应关系，即哪个机台对哪个晶圆进行过处理。

当晶圆进入机台进行处理时，记录进入机台时的晶圆信息，当机台对晶圆的处理结束后，记录晶圆离开机台的信息，从而保证记录晶圆和机台的对应关系的实时性和完整性。

第一查找单元30用于根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆。

确定了抽取晶圆的机台，并且确定机台和晶圆的对应关系，根据晶圆和机台的对应关系查找抽取晶圆的机台对应的晶圆。

例如，进行刻蚀步骤的机台刻蚀的晶圆包括晶圆A、晶圆B和晶圆C，则根据晶圆和机台的对应关系查找到的晶圆为晶圆A、晶圆B和晶圆C。

抽取单元40用于在查找到的晶圆中抽取晶圆。

在查找到的晶圆A、晶圆B和晶圆C中抽取晶圆，抽取的方法可以为随机抽取，抽取的晶圆可以为一个或者多个。

例如，确定了抽取晶圆的机台为进行刻蚀步骤的机台，查找到的晶圆为晶圆A、晶圆B和晶圆C，则在经过该机台的所有晶圆中抽取一个或者多个晶圆，即抽取的晶圆为晶圆A或者晶圆B和晶圆C。

由于在半导体生产的过程中，同一个批次的晶圆需要经过多次的刻蚀处理，采用随机的抽取方法，使得每次抽取的晶圆都不同，例如，第一次抽取的晶圆为晶圆A，下一次抽取的晶圆为晶圆B。在抽取晶圆之后会对晶圆的性能进行测试，而测试结果又能反应相应的机台是否运行正常，因此，这种抽取晶圆的方法可以提高抽取的晶圆的覆盖率，不仅提高和保证晶圆的良率，还能准确监控机台的运行状态。

通过上述实施例，首先确定抽取晶圆的机台，然后根据晶圆和机台的对应关系在确定的机台中查找到经过该机台处理的晶圆，并在查找到的晶圆中抽取晶圆，能够确定针对确定抽取晶圆的机台都能抽取至少一片晶圆，提高了晶圆抽取的覆盖率，又避免重复抽取造成的重复测量。

图5是根据本申请第二实施例的晶圆抽取装置的示意图。如图所示，该晶圆抽取装置包括确定单元10、第一获取单元20、第一查找单元30和抽取单元40，其中，第一查找单元30包括第一记录模块301、第一查找模块302、第一查找模块303和抽取模块304。

第一记录模块301用于记录经过第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息。

记录经过第一测量机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第一晶圆信息。第一晶圆信息可以是晶圆编号，测量晶圆的类型或者该晶圆信息已经被测量的标记等。例如，经过第一测量机台处理的晶圆A带有已经测量的标记。

第二记录模块302用于记录经过处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息。

处理机台对晶圆进行处理，例如，刻蚀、溅射等。第二晶圆信息包括该晶圆经过处理机台的刻蚀处理。

第一查找模块303用于在经过第二测量机台的晶圆中查找带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆。

例如，第一测量机台对晶圆A进行测量，测量晶圆A的厚度为THK1，处理机台对晶圆A进行刻蚀，刻蚀后进入第二测量机台进行测量。在第二测量机台进行测量之前，在经过第二测量机台的晶圆中查找晶圆A。

抽取模块304用于在带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

如果带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆只有一个，例如晶圆A，则抽取的晶圆为晶圆A。如果带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆不止一个，则在多个带有第一晶圆信息和第二晶圆信息的晶圆中抽取至少一个晶圆。

在经过第二测量机台处理的晶圆中抽取晶圆，抽中的晶圆中至少包括一个经过第一测量机台和处理机台的晶圆。

晶圆A在经过第一测量机台处理后，测量其性能，然后经过处理机台进行处理，再经过第二测量机台对其性能测量，保证了测量的连续性，根据测量的结果可以对半导体生产的制程进行微调。

例如，在第一测量机台进行测量时选择进行测量的晶圆为晶圆1和晶圆2，在处理机台中选择的晶圆是晶圆1和晶圆3。在第二测量机台进行测量时，在第二测量机台中可选择的晶圆包括经过第一测量机台测量的晶圆和未经过第一测量机台测量的晶圆，最终选择的晶圆至少有一片晶圆是在第一测量机台中已经测量过的。综合考虑测量晶圆的覆盖率和测量的连续性，选择晶圆1和晶圆3进行测量。

通过上述实施例，在相关联的机台中，根据晶圆信息选择具有连续性的晶圆进行测量，使得在不同的处理步骤之后都能够得到测量结果，对晶圆进行连续性测量，便于根据测量结果对半导体制造的制程进行微调。

图6是根据本申请第三实施例的晶圆抽取装置的示意图。如图所示，该晶圆抽取装置包括确定单元10、第一获取单元20、第一查找单元30和抽取单元40，还包括测量单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，其中，第一查找单元30包括：获取模块305、确定模块306、对应模块307和第二查找模块308。

获取模块305用于获取机台信息与测量类型的对应关系。

对经过机台处理的晶圆测量时，针对不同的机台具有不同的测量类型。例如，四个机台A、B、C、D。经过机台A和机台B的晶圆需要测量晶圆的厚度，经过机台C和机台D的晶圆需要测量晶圆的带宽。那么，机台信息与测量类型的对应关系为机台B和机台A对应的测量类型为晶圆的厚度，机台C和机台D的测量类型为晶圆的带宽。

确定模块306用于确定待测量类型。

判断需要测量晶圆的厚度还是测量晶圆的带宽，例如，确定测量晶圆的厚度。

对应模块307用于根据机台信息与测量类型的对应关系确定待测量类型对应的机台信息。

机台A和机台B对应的测量类型为晶圆的厚度，待测量类型为晶圆的厚度，则待测量类型对应的机台信息为机台A和机台B。

第二查找模块308用于查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

确定待测量类型之后，则确定待测量类型对应的机台信息，那么，根据机台与晶圆的对应关系，可以确定待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

例如，待测量类型对应的机台信息为机台A和机台B，机台A对应的晶圆为晶圆A1和晶圆A2，机台B对应的晶圆为晶圆B1和晶圆B2。查找待测量类型对应的机台信息对应的晶圆为晶圆A1、晶圆A2、晶圆B1和晶圆B2。

在查找到晶圆A1、晶圆A2、晶圆B1和晶圆B2之后，在查找到的这些晶圆中抽取晶圆，那么，最终抽取的晶圆包括晶圆A1和晶圆A2中的任一个晶圆，还包括晶圆B1和晶圆B2中的任一个晶圆。

通过上述实施例，根据测量晶圆的测量类型选择相应的机台信息，并根据机台信息查找对应的晶圆，从而针对不同的测量类型选择相应的晶圆，使得抽取的晶圆能够准确覆盖机台。

优选地，机台包括预定机台，预定机台可以是不需要进行监控的机台，在抽取晶圆的过程中，为了避免这些预定机台对抽取晶圆的影响，该晶圆抽取装置还包括：

第二获取单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，获取所述预定机台的信息。

第二查找单元，用于根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述预定机台对应的晶圆。

滤除单元，用于在所述预定机台对应的晶圆中滤除所述预定机台的信息。

获取预定机台的信息，查找预定机台对应的晶圆，由于晶圆中记录了预定机台的信息，在查找到的晶圆中滤除预定机台的信息，在对晶圆进行测量时，可以不针对预定机台进行监控和测量。

在将晶圆中的预定机台信息滤除之后，使得抽取的晶圆不会受到预定机台的干扰，从而减少了抽取的晶圆的数量，在保证抽取晶圆的覆盖率的情况下，又减少晶圆的测量数量，提高了测量效率。

进一步地，晶圆抽取装置还包括：记录单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息。跟踪单元，用于根据晶圆跟踪信息对晶圆的状态进行跟踪。

晶圆跟踪信息包括晶圆对应的机台信息以及晶圆的批次信息等。抽取晶圆时记录晶圆本身的信息，在进行量测后，记录量测结果以及晶圆对应的机台信息。根据晶圆的信息能够反映机台的工作状态，在对晶圆一系列的测量过程中，可以记录多个机台的工作状态，从而方便对机台进行追踪，及时发现机台或者晶圆的问题。

本申请的上述装置可以用来在半导体制造过程中对机台和子机台抽取晶圆，每个机台或者子机台的功能可以相同或者不同。应该理解为，无论是机台还是子机台都应该在本申请的技术方案的精神之内。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆抽取方法，其特征在于，包括：

确定抽取晶圆的机台；

获取晶圆和机台的对应关系；

根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及

在查找到的晶圆中抽取晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆抽取方法，其特征在于，所述机台为多个机台，所述多个机台包括第一测量机台、处理机台和第二测量机台，所述晶圆在经过所述第一测量机台进行测量后，经过所述处理机台进行处理，再经过所述第二测量机台进行测量，在查找到的晶圆中抽取晶圆包括：

记录经过所述第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息；

记录经过所述处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息；

在经过所述第二测量机台的晶圆中查找带有所述第一晶圆信息和所述第二晶圆信息的晶圆；以及

在带有所述第一晶圆信息和所述第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

3.根据权利要求1所述的晶圆抽取方法，其特征在于，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，其中，根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述抽取晶圆的机台对应的晶圆包括：

获取机台信息与测量类型的对应关系；

确定待测量类型；

根据所述机台信息与测量类型的对应关系确定所述待测量类型对应的机台信息；以及

查找所述待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

4.根据权利要求1所述的晶圆抽取方法，其特征在于，所述机台包括预定机台，在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，所述晶圆抽取方法还包括：

获取所述预定机台的信息；

根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述预定机台对应的晶圆；以及

在所述预定机台对应的晶圆中滤除所述预定机台的信息。

5.根据权利要求1所述的晶圆抽取方法，其特征在于，在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，所述晶圆抽取方法还包括：

记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息；以及

根据所述晶圆跟踪信息对所述晶圆的状态进行跟踪。

6.一种晶圆抽取装置，其特征在于，

确定单元，用于确定抽取晶圆的机台；

第一获取单元，用于获取晶圆和机台的对应关系；

第一查找单元，用于根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述抽取晶圆的机台对应的晶圆；以及

抽取单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆。

7.根据权利要求6所述的晶圆抽取装置，其特征在于，所述机台为多个机台，所述多个机台包括第一测量机台、处理机台和第二测量机台，所述晶圆在经过所述第一测量机台进行测量后，经过所述处理机台进行处理，再经过所述第二测量机台进行测量，所述第一查找单元包括：

第一记录模块，用于记录经过所述第一测量机台的晶圆信息，得到第一晶圆信息；

第二记录模块，用于记录经过所述处理机台处理的晶圆的晶圆信息，得到第二晶圆信息；

第一查找模块，用于在经过所述第二测量机台的晶圆中查找带有所述第一晶圆信息和所述第二晶圆信息的晶圆；以及

抽取模块，用于在带有所述第一晶圆信息和所述第二晶圆信息的晶圆中抽取晶圆。

8.根据权利要求6所述的晶圆抽取装置，其特征在于，所述晶圆抽取装置包括测量单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，对抽取的晶圆进行测量，所述第一查找单元包括：

获取模块，用于获取机台信息与测量类型的对应关系；

确定模块，用于确定待测量类型；

对应模块，用于根据所述机台信息与测量类型的对应关系确定所述待测量类型对应的机台信息；以及

第二查找模块，用于查找所述待测量类型对应的机台信息对应的晶圆。

9.根据权利要求6所述的晶圆抽取装置，其特征在于，所述机台包括预定机台，所述晶圆抽取装置还包括：

第二获取单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之前，获取所述预定机台的信息；

第二查找单元，用于根据所述晶圆和机台的对应关系查找所述预定机台对应的晶圆；以及

滤除单元，用于在所述预定机台对应的晶圆中滤除所述预定机台的信息。

10.根据权利要求6所述的晶圆抽取装置，其特征在于，所述晶圆抽取装置还包括：

记录单元，用于在查找到的晶圆中抽取晶圆之后，记录抽取的晶圆的晶圆跟踪信息；以及

跟踪单元，用于根据所述晶圆跟踪信息对所述晶圆的状态进行跟踪。