CN104736234A - 核-壳纳米颗粒的制备方法和核-壳纳米颗粒 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于核-壳纳米颗粒的连续制备方法，该颗粒包括由核材料制备的核以及由壳材料制备的壳，所述核材料优选为半导体材料，所述壳材料优选为半导体材料，其中选取的用于壳材料的起始材料与核材料的纳米颗粒的分散液混合，并连续穿过管式反应器的反应区域，其他用于壳的起始材料在两个或多个位置供给到管式反应器的反应区域，优选经由管状膜，且用于壳材料的起始材料在反应区域反应以形成围绕核材料纳米颗粒的壳。本发明还涉及带有膜的管式反应器和其在核-壳纳米颗粒的连续合成中的应用。本发明还涉及核-壳纳米颗粒，其包括由核材料制备的核和由壳材料制备的外壳，所述核材料优选为第一半导体材料，其特征在于，在核和壳之间，只有一层过渡区，其中核材料的比例朝着壳逐渐下降，而壳材料的比例逐渐增加。

Description

核-壳纳米颗粒的制备方法和核-壳纳米颗粒
技术领域
本发明涉及新型的核-壳纳米颗粒制备方法和通过该方法获得的核-壳纳米颗粒。本发明还涉及用于连续地制备这些核-壳纳米颗粒的管式反应器。
背景技术
在最近几年中，由于纳米颗粒的独特性质，纳米颗粒的研究获得了很大的兴趣。纳米颗粒的物理性质从根本上不同于相应块材料的物理性能。纳米颗粒的这些不同的物理性质是由于纳米颗粒尺寸的减小，其尺寸介于宏观物质的尺寸和分子尺寸之间。基材(块材料)和纳米颗粒材料之间的物理性质的差异是由于纳米颗粒的表面积/体积比和纳米颗粒尺寸增加，其朝向其中量子效应可成为主导的量级移动。表面积/体积比，当纳米颗粒变小时会增加，导致纳米颗粒表面的原子相对于位于纳米颗粒内部的原子影响增加。
量子效应现象不仅影响单独的纳米颗粒的性质，而且影响纳米颗粒与其它材料相互作用情况下的纳米颗粒性质。因此，纳米颗粒在需要较大表面积的研究领域，例如催化领域或者当用于电极、半导体、光学器件和燃料电池中时引起了极大的兴趣。
目前，存在几种用于生产纳米颗粒的方法。这些方法包括气相沉积法、湿化学合成法和研磨相应块材料法。
WO2009/101091涉及生产纳米颗粒的装置，其包括：至少一个制备溶液的模块，至少一个合成颗粒的模块，其包括三个彼此独立加热的腔室，其中，至少一个制备溶液的模块与至少一个合成粒子的模块串联连接。
本国际申请还公开了生产纳米颗粒的方法，其包括下列步骤：生产至少两种粒子前体溶液，至少两种粒子前体溶液在第一温度分离并基本上同时预热，所述第一温度至少为粒子的成核温度，至少两种粒子前体溶液在第二温度混合并形成纳米颗粒，其中第二温度基本上与第一温度相同，粒子的生长处于第三温度，所述第三温度低于第一温度。
本申请的实施例4涉及根据该方法制备CdSe-CdS的核-壳纳米颗粒。
通过无机壳材料钝化CdSe核或其它半导体纳米颗粒是已知的用来增加粒子稳定性和它们的发光效率的方法，发光效率可根据量子产率来测量。例如，由于CdSe的能带隙比CdS或ZnS的能带隙小，使用CdS或者ZnS壳材料涂覆CdSe纳米颗粒是已知的，从而可以保证光生电子和空穴主要局限于核材料CdSe。然而，生产这种仅由核材料和壳材料构造的纳米颗粒的缺点是晶格应变，这由核材料的晶格常数和壳材料的晶格常数不匹配的事实引起。晶格常数的这一差异，例如CdSe和CdS相比差异为3.9％，CdSe和ZnS相比差异为12％。这个晶格应变可能对量子产率产生不利影响并进一步导致粒子形成不规则形状。
核-壳纳米颗粒在下列文献中提到或举例详细描述：US 7,144,458 B2(量子点纳米晶体的流动合成)，US 2003/0017264 A1(发光纳米颗粒及其制备方法)，US 6,207,229 B1(高发光性的颜色选择性材料及其制备方法)；Peng X.,等，“Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdScore-shell nanocrystals with photostability and electronic accessbility”，J.Am.Chem.Soc.1997,119,7019-7029；Farmer,S.C.and Patten,T.E.,Photoluminescent polymer/quantum dot composite nanoparticles.Chem.Mater.2001,13,3920-3926，有关核-壳的CdS/SiO2纳米颗粒；US2006/0028882 A1(合金半导体纳米晶体)；DE10131173 A1(生产核-壳颗粒的方法，其中核是纳米颗粒)；Ping Yang等(具有窄谱和广泛可调波长的高度发光的CdSe/CdxZn1-XS量子点)，J.Phys.Chem.C 2011,115,14455-14460。Huiguang Zhu等,CdSe量子点上的ZnS和CdZnS壳的低温合成，Nanotechnology 21(2010)255604教导了CdSe核纳米晶体的量子收率分别在CdSe/ZnS和CdSe/CdZnS核-壳纳米晶体中从10％增加到36％和从10％增加到40％。
Renguo Xie等在J.Am.Chem.Soc.2005,127,7480-7488中描述了具有CdSe核和CdS/Zn0.5Cd0.5S/ZnS壳的高发光性的多层核-壳纳米晶体的合成和表征。作者根据J.J.Li等(J.Am.Chem.Soc.,2003,125,12567-12575)使用了所谓的SILAR法。在非连续过程中，将3ml的ODE(1-十八烯)和1g的ODA(十八烷基胺)添加到50mL的反应容器中，然后与CdSe核粒子在己烷中混合并加热至100℃。然后加入用于壳材料的起始材料以生长2个单层的CdS，3.5个单层的Zn0.5Cd0.5S和两个单层ZnS。
作者认为，因为这种组成上的逐渐变化，产生的纳米颗粒具有较高的结晶度。据称，胺稳定的多壳粒子在有机溶剂中的量子产率能得到70-85％，巯基丙酸稳定粒子在水中的量子产率高达50％。
WO 2003/092043描述了发光核-壳粒子可具有过渡区，其包含选自Cd、Se、Te、S、In、P、As、Pb、O、Si和Al中的添加剂。实施例1描述了例如CdSe/ZnS核-壳粒子的制备方法，其中，添加剂Cd(作为二甲基镉)在生成ZnS壳之前添加到CdSe核中。然而，WO2003/092043没有教导如何制作过渡区，其仅由核和壳的材料构成并与核和壳的材料具有相反的梯度。
如果核-壳纳米颗粒的合成根据批量生产法例如根据Xie等的方法或根据WO2003/092043来施行，人们通常注意到，批次到批次的产品性能上的变化，人们希望将其最小化从而保证纳米颗粒的买方尽可能使产品质量均一。
Renguo Xie等描述的方法和WO2003/092043的方法都不适合生产相对大量的核-壳纳米颗粒并不能连续施行。因为需要精确的计算用于壳的起始材料的剂量，根据Xie等的方法也很复杂。
提供新颖和结构简单的核-壳纳米颗粒是必要的，其中期望的核材料和期望的外壳材料之间的晶格应变可以通过其他方式减少。
许多纳米颗粒(NP)合成的缺点是除了纳米颗粒的生长，生成了新的纳米颗粒-核(“成核”)。结果是纳米颗粒分散液具有很宽的粒度分布。特别是在核-壳纳米颗粒的合成中，抑制这种不需要的成核是特别重要的。否则，除了壳之外，由用于壳材料的原料形成了围绕核的新的纳米颗粒，其通常不能从产物混合物中分离出来。
鉴于上述现有技术，期望得到具有非常窄的或更窄的粒度分布的核-壳纳米颗粒。
本发明的目的是提供新型的制备核-壳-纳米颗粒的方法，其在壳生长期间抑制不需要的成核。
本发明的进一步目的是提供新型的制备核-壳纳米颗粒的方法，其导致了非常窄的粒度分布。
本发明的进一步目的是提供新型的制备核-壳纳米颗粒的方法，即使当重复执行该方法时，其使得纳米颗粒具有非常均匀的产品性质。
本发明的进一步目的是提供新的核-壳纳米颗粒，优选具有窄的粒度分布，其中期望的核材料和期望的壳材料之间的晶格应变最小化。
本发明的进一步目的是提供具有优异发光性能例如优异量子产率的核-壳纳米颗粒。
最后，本发明的目的是提供管式反应器和其连续生产核-壳纳米颗粒的应用，这允许在技术上和经济上最佳实施上述方法同时获得本发明的优点。
发明简述
本发明涉及连续制备核-壳纳米颗粒的方法，核-壳纳米颗粒包括由核材料制备的核和由壳材料制备的壳，所述核材料优选第一半导体材料，所述壳材料优选第二半导体材料，
所述方法包括以下步骤：
a)在溶剂中制备核材料(例如CdSe)纳米颗粒的分散液，
b)提供所有用于壳材料(例如CdZnS)的起始材料，优选溶解形式，
c)选择用于在步骤d)中混合的一种或多种壳材料的起始材料，例如，进行以下选择：通过选择所有用于壳材料的金属成分的起始材料，或通过选择所有用于壳材料的非金属成分的起始材料，使得选取的起始材料不互相反应(如果选定一种以上的起始材料)，
d)将用于壳材料的选定的起始材料或多种起始材料(例如Cd溶液和Zn溶液)和核材料(例如CdSe)的纳米颗粒分散液混合，
e)将步骤d)中得到的混合物连续地通过管式反应器的反应区域，
f)在两个或多个位置连续地供给步骤c中未选定的用于壳材料的起始材料或多种起始材料(例如S溶液)到反应区域，
g)使用于壳材料的起始原料在反应区域反应，在核材料的纳米颗粒周围形成壳。
优选核材料和壳材料均是由金属和非金属构成，且所述方法包括以下步骤：
a)在溶剂中制备核材料的纳米颗粒的分散液，优选半导体，例如ZnS或CdSe，
b)提供所有用于壳材料的起始材料，优选第二半导体，例如ZnS或CdZnS，优选溶解形式，
c)选择用于步骤d)中混合的壳材料的金属成分的一种或多种起始材料或选择用于壳材料的非金属成分的一种或多种前体，
d)将选定的壳材料的起始材料或多种起始材料(例如Cd溶液和Zn溶液)和核材料(例如CdSe)的纳米颗粒的分散液混合，
e)将步骤d)中得到的混合物连续地通过管式反应器的反应区域，
f)在两个或多个位置连续地供给在步骤c)中未选定的起始材料或步骤c(例如S溶液)中未选定的壳材料的起始材料到反应区域，
g)使用于壳材料的起始材料在反应区域反应，以在核材料的纳米颗粒周围形成壳。
因此，在步骤f)中，人们连续供给一种或多种用于壳材料的金属成分的起始材料或一种或多种用于非金属成分的起始材料，这取决于在步骤d)中，是非金属成分还是金属成分的起始材料添加到核材料的纳米颗粒的分散液中。
根据优选的实施方案，核-壳纳米颗粒在核和壳之间具有过渡区，其仅由核材料成分和壳材料的成分构成，且其中核材料的比例沿壳方向逐渐减少，而壳材料的比例逐渐增加。为形成这个过渡区，步骤a)中产生的核材料粒子的分散液包含至少一种核材料的起始材料。如果核材料的其他起始材料由壳材料的起始材料提供，则核材料的起始材料的存在就足以形成过渡区域，例如因为核和壳包括相同的金属成分(例如Cd)。否则，在该方法的实施方案中，人们会注意在步骤a)中生产的核材料的颗粒分散液包含所有核材料的起始材料。
本发明的另一方面涉及核-壳纳米颗粒，其包括由第一半导体材料制备的核和由壳材料制成的外壳，所述壳材料优选第二半导体材料，其特征在于在核和壳之间仅存在过渡区域层，其仅由核材料成分和壳材料成分构成，且其中核材料的比例在壳方向上逐渐减小，而壳材料的比例逐渐增加。
根据本发明进一步的方面，连续生产核-壳纳米颗粒的管式反应器具有由壁包围的(i)管状腔和在空腔中纵向(沿流动方向)布置的(ii)膜，其将空腔分成添加区域(9)和反应区域(10)(见图3)，其中反应器在一端具有用于壳起始材料和核颗粒分散液的混合物导入到反应区域的供料管线，且在另一端具有将形成的核-壳纳米颗粒从反应区域(10)导出的排出管线。本发明的管式反应器的特征在于沿着在壁中的空腔设置至少一个连接(5)，用于添加额外的用于壳的起始材料，该连接通向添加区域(9)中。
膜在空腔中纵向布置，即，沿管状延伸，从而形成由膜分隔并沿空腔取向的添加区域(9)和反应区域(10)，其允许进一步添加的壳起始材料和用于壳的其他起始材料与核颗粒分散液的混合物逐步反应并沿着整个腔体发生。因为混合物从管式反应器的一端引入反应区域，且位于添加区域中添加的起始材料流经沿空腔的整个长度的膜，这使得至少一部分反应区域中沿混合物的流动方向壳材料浓度的增加，优选核的浓度恒定(无壳或有壳生长)。优选在反应区域，仅存在较低浓度的用于壳材料的起始材料，其优选通过壳形成反应。用这种方式抑制壳材料(“成核”)新核的形成且在混合物的流动方向上供给的壳起始材料仅用于进一步的壳积累。
当在步骤a)中生产的核材料粒子的分散液包含用于核材料的起始材料时，在优选的实施方案中，纳米颗粒中发生了从核到壳逐渐过渡的形成，即最小化了期望的核材料和期望的壳材料之间的晶格应变。
附图说明
图1示出管式反应器(无膜)的纵向横截面，本发明的方法用其能够有利地施行。
图2示出管状膜，其安装到管式反应器的通道中。
图3示出具有膜的管式反应器的横截面。
图4a-c示出闭合管式反应器(4a)的图片，具有拉出膜的敞口管式反应器(4b)，和为管式反应器研制的加热夹套。
发明详述
本发明涉及连续制备核-壳纳米颗粒的方法，核-壳纳米颗粒包括由核材料制备的核和由壳材料制备的壳，所述核材料优选第一半导体材料，所述壳材料优选第二半导体材料。
术语纳米颗粒是指颗粒的最大平均尺寸(直径)在纳米范围内，即低于1μm。然而，优选平均直径为100nm或以下，特别是小于50nm。
术语“壳”和“壳材料”是指颗粒的最外层。核和壳通常以晶体形式存在。在本发明的特别优选的实施方案中，核和壳之间可能存在具有与核和壳材料的相反浓度梯度的过渡层，这将在后面解释。核-壳纳米颗粒也可能被有机稳定剂分子的壳包围，其防止个别纳米颗粒的团聚。这种稳定剂也在后面详细解释。
纳米颗粒的核和壳优选由第一半导体材料和第二半导体材料组成。优选半导体材料选自II-VI族，III-V族或IV-VI族化合物。因为相容性的原因，人们通常选择第一半导体材料和第二半导体材料使得两者都属于同一类化合物，即II-VI族，III-V族或IV-VI族。然而，也可能使用III-V族的核包围II-VI族(例如ZnS)或IV-VI族的壳。
此外，优选选择核和壳材料的所有组合以便核和壳材料具有相同的晶格结构且优选晶格常数尽可能相似。这对于核和壳材料相互对应的晶格常数，意味着优选较大晶格常数与较小晶格常数相差不超过30％，更优选不超过15％，甚至更优选不超过10％。
优选还考虑到的其他选择标准是人们在半导体材料(优选II-VI族，III-V族或IV-VI族)中选择核材料和壳材料，以使核材料的能带隙小于壳材料的能带隙。
合适的III-V族化合物的例子是AlP,AlAs,AlSb,AlN,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,InN,AlGaN,AlGaP,AlGaS,GaInAs,GaInN,GaInP和含Al，Ga，In和N,P,As或Sb的两种或多种元素的其他的III-V族化合物。
在III-V族半导体材料中，人们优选通过核材料的能带隙小于壳材料的能带隙这样的方式选择核和壳材料，使得光生电子和空穴主要局限于核。
以金属的总含量计，III-V族核材料还可掺杂有0.1至10mol％的过渡金属或稀土金属，例如Mn，Co和Eu。这也适用于III-V族的壳材料。
II-VI族化合物例如可选自CdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,MgTe,HgS,HgSe,HgTe和CdZnS。另外优选的是II-VI族化合物的选择，其中元素Zn,Cd和Hg的两种或多种，优选Zn和Cd与S或Se结合。
以金属原子的总含量计，II-VI族或Ⅳ-Ⅳ族核材料可进一步掺杂有0.1到10mol％的过渡金属或稀土金属，例如Mn,Co或Eu。
IV-VI族化合物可以例如选自PbS,PbSe或PbTe。
核-壳材料的优选组合包括CdSe/ZnS或CdSe/CdZnS。
非半导体，例如SiO2也可以用作壳材料。
本发明的方法包括至少上述步骤a)到g)，其在下面解释。人们应该明白的是这些字母没有限定时间顺序，除非必然遵从这些步骤的定义。例如，该选择步骤c)也可以先于提供壳材料的起始材料实施。同样，由于连续过程，步骤d)、e)、f)和g)通常同时进行。
在步骤a)中，人们在溶剂中提供了核材料的纳米颗粒的分散液。
因为反应优选在大气压(不考虑例如在步骤f中通过泵计量起始材料产生的压力)下进行，人们以以下方式选择溶剂，即沸点显著超过预期的最高反应温度，优选超过至少10K，特别是至少30K，至少50K，或甚至至少100K。最高反应温度通常是90℃到290℃，优选为240℃到260℃。因此，人们优选选择溶剂的沸点至少是90℃，例如至少100℃，至少150℃，或至少200℃，其例如可以选自烃类，羧基酸，磷的有机化合物和含氮的有机化合物。烃可以是芳香族或脂肪族。人们优选选择具有沸点至少是200℃的不饱和脂肪烃，优选至少250℃，例如十八烯或角鲨烯。羧基酸优选具有沸点至少是200℃的脂肪族羧基酸，优选具有12至20个碳原子的链烷酸或链烯酸，例如油酸。
有机磷化合物优选是具有三个脂肪族和/或芳香族基团的膦类化合物或氧化膦，其具有至少200℃的沸点，例如三辛基膦，三辛基氧化膦或三苯基膦。有机氮化合物可以是芳香族或脂肪族并优选具有至少200℃沸点的伯烷基胺，例如C12至C20烷基胺，例如十六烷基胺或油胺。
将在后面解释的羧基酸，有机磷和含氮有机溶剂，还具有稳定剂的功能。单个有机磷化合物，例如三辛基膦或三苯基膦也可以作为磷源。
核纳米颗粒的分散液优选依据CAN GmbH的WO 2009/101091的教导制备。这仅在实施例中描述了II-VI族化合物的制备。IV-VI族化合物的制备可类似地或使用现有技术中描述的其它方式来实施。III-V族核颗粒的生产可以根据CAN GmbH的进一步的申请WO2009/065639来实施。
在II-VI族或IV-VI族化合物的合成中，人们提供优选溶解形式的VI族化合物(优选硫族元素，例如S或Se)的起始材料，例如通过在如三辛基膦的合适的溶剂中溶解硒或硫。在其他的实施方案中，VI族成分的起始材料是VI族元素的甲硅烷基化合物，例如双(三甲硅烷基)硫化物，其溶解在合适溶剂的中，例如三辛基膦。硫脲也可以使用，其在升高的温度下释放H2S。用于II族或IV族成分的起始材料优选盐，特别是II族元素的有机盐，例如，如锌或镉的醋酸盐，或如醋酸铅的Ⅳ族元素的有机盐。
为制备核纳米颗粒稳定的分散液，人们通常添加稳定剂到反应混合物中，其在文献中简称为“封端剂”。这种稳定剂的功能是通过附着到粒子表面防止单个粒子的团聚并稳定纳米颗粒的状态。合适的稳定剂具有例如膦，胺，硫代或羧基基团的极性官能团，优选包含选自P，N，S和O的一种或多种元素，其键合到一种或多种有机基团。每个有机残基的碳原子的数目优选为至少3个，优选至少5个碳原子。每个有机残基的碳原子数通常为不超过30，尤其是不超过20。
某些溶剂，例如羧基酸，膦，胺或多元醇也可以用作稳定剂。两种或多种稳定剂的混合物也可以使用。
在根据本发明的方法的步骤b)中，优选以溶解形式提供壳材料的起始材料。优选以溶解形式提供用于壳材料的所有起始材料。优选的是，这样提供，以便每个单个起始原料，即优选组成壳材料的每个金属成分和组成壳材料的每个非金属成分，优选以溶解形式单独提供。至少一种起始材料的溶液，优选所有溶液，包含能够通过官能团(如前面描述)结合到形成的核-壳粒子表面的稳定剂。应该注意的是，如上面解释的，各种稳定剂，例如羧基酸，如油酸，有机磷化合物如磷化氢，有机氮化合物如胺，或多元醇如烷基二醇、甘油，或(聚)乙二醇，可同时用作溶剂。如先前与核合成有关的描述，人们在生产Ⅱ-Ⅵ族或Ⅳ-Ⅵ族壳材料中使用例如硫脲，优选甲硅烷基化合物或VI族成分的元素形式，优选硫族如S或Se。然而，硫或硒也可以以气体形式(H2S或H2Se)提供并在步骤f)中提供。还对于选择II族或IV族成分的起始材料，溶剂和/或稳定剂，上述解释完全适用。
该方法的重要因素是，并非所有用于壳材料的起始材料都与核粒子的分散液混合并同时供给。因此，在方法的步骤c)中，人们做出哪种起始材料应该与核粒子的分散液混合(在步骤d)中)的选择。基本上，例如通过在步骤d)中选择壳材料的金属成分的所有起始材料或壳材料的非金属成分的所有起始材料来混合而做出选择，以使选取的起始材料不互相反应。
在步骤f)中在管式反应器的多个点添加未选取(剩余的)的起始材料和或多种未选取(剩余的)的起始材料。
如果人们仅具有关于二元II-VI族，IV-VI族或III-V族化合物的两种起始材料，人们可以在步骤d)中将金属成分(II族，IV族或III族)或非金属成分(VI族或V族)与核粒子的分散液混合。然而，本研究表明，当在步骤d)中将金属成分与核粒子混合并在步骤f)中管式反应器反应区域的多个点例如通过膜从外部提供非金属组分时，根据粒子的性质，人们可以得到更均匀的核-壳粒子。在三元(例如CdZnS)或四元的壳材料中，人们也将确保，选择步骤c)中的起始材料以保持反应成分分开以防止过早反应。因此，在此同样地，人们将在步骤d)中混合金属成分并在步骤f)中提供非金属成分(优选的)，或反之亦然。
在步骤d)中，壳材料选定的起始材料或选定的多种起始材料与核粒子的分散液混合。因此，为了尽可能快地得到均匀的混合物，只要它们以溶解的形式存在，人们优选在与存在于核粒子的分散液中的溶剂相同的溶剂中提供起始材料。人们还优选使用相同的稳定剂或多种相同的稳定剂，如上面提到的，其可以有溶剂的功能。优选在步骤d)中，人们混合核粒子合成的反应产物，不隔离或在合成后以其他方式处理核粒子。
在该方法特别优选的实施方案中，能够在核和壳材料之间形成过渡区域层，核粒子合成的反应产物仍然包括用于核材料的起始材料，其组成这个过渡区域。这将在下面更详细的解释。并不需要在步骤d)之前，冷却核粒子合成的反应产物，但可以在该方法的一个实施方案中执行。
优选步骤d)中壳材料的起始材料与核粒子的分散液的混合在进入管式反应器之前实施。然而，尽管并不优选，但为了在反应器中，于反应区之前均匀混合它们，分别地提供用于核粒子的分散液和选取的壳材料的起始材料到管式反应器也有可能。
在步骤e)中，步骤d)中得到的混合物现在连续地通过管式反应器的反应区域。
在步骤f)中，人们连续地在两个或多个点提供用于壳材料的未选择(剩余的)的起始材料到管式反应器的反应区域中。
通过为沿反应区域没有膜的管式反应器提供壳材料的起始材料用的两个或多个导管并相应地添加它们影响实施。
通过步骤f)中的添加，人们可以实现，在反应区域的开端(以及其他过程中)仅有相对较低浓度的可用壳材料起始材料，且这优选通过壳形成反应。壳材料新核的形成(“成核”)通过这种方式抑制。
在可选的和优选的实施方案中，如上下文描述且还如权利要求保护的，人们使用具有管状膜的管式反应器。在本实施方案中，人们提供用于壳材料的起始材料通过膜进入膜的空腔中，其形成管式反应器的反应区域。因此，在这种情况下，术语“在反应区域的两个或多个点提供壳起始材料到反应区域”是指膜的无数细孔(“点”)，壳起始材料通过其进入反应区域。
在步骤g)中，用于壳材料的起始材料在反应区域反应以在核材料粒子周围形成壳。在步骤g)中的反应温度，即在管式反应器的反应区域，优选为大于0℃到380℃，更优选25℃到260℃，甚至更优选80℃到200℃。在CdSe/ZnS或CdSe/CdZnS-纳米颗粒的合成中，人们通常在70℃到250℃操作，更优选90℃到130℃。
从反应区域生成之后，人们可以在生长室中将粒子引向成熟，以便促进更厚的壳生长。优选这个生长室具有和反应区域相同的温度。原则上，人们可以通过起始材料的浓度，反应区域的温度(其应该低于用于壳前体的成核温度)，停留时间和/或稳定剂的用量影响壳的厚度。
步骤h)之后，核-壳纳米颗粒可以用常规方式分离，例如通过离心或通过添加溶剂，其中粒子没有或仅仅具有低的分散性。优选分离通过离心进行。
根据优选的方法实施方案，步骤a)中产生的核材料粒子的分散液包含核材料的起始材料，例如Cd和Se。因此，人们有利地使用制备的包含未反应核材料的起始材料的核粒子的分散液，合成之后无需进一步纯化和处理步骤。在反应区域中，现有的核材料的起始材料导致壳材料不能直接在核上生长以形成核和壳的材料相之间清晰的边界。核和壳之间形成过渡区域层(“过渡层”)，其中核材料的比例在壳方向上逐渐降低，而壳材料的比例逐渐增加。因此，这层过渡层与WO2003/092043中的过渡层不同，其中，其由具有相反梯度的核材料和壳材料组成，且其中，它不包含除核和壳材料的金属和非金属成分以外的成分。CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒的过渡区域仅由例如Cd,Se,Zn和S元素组成。
只要仍然有足够的核材料的起始材料，这层过渡层就可以形成。由于没有提供新的用于核材料的起始材料，核材料的起始材料的浓度沿着反应区域在核的流动方向上减小。足够的用于过渡层生长的核初始材料一旦不再可用，就只有壳材料在成长。
优选地，核-壳纳米颗粒的平均直径为1nm到100nm，优选从3nm到15nm，更优选从4nm到8nm。
在偏离球形的情况下，“直径”意味着在显微镜分析下的最大程度。如实施例(通过计数100个粒子，例如使用商用的程序“ImageJ”)中描述的，例如通过TEM测量确定尺寸是可能的。
优选纳米颗粒的粒度分布使得核-壳纳米颗粒(单位nm)的直径平均值的标准偏差(单位nm)小于平均值20％，优选小于15％，更优选小于10％，甚至更优选小于7.5％。如本申请的实施例显示的，甚至小于平均值5％的值可以根据本发明实现。
特别在CdSe/ZnS或CdSe/CdZnS纳米颗粒的情况下，核的平均直径优选从2.6nm到4.6nm，更优选从3.2nm到3.8nm和/或壳的直径优选从0.2nm到2.5nm。
优选过渡层的平均直径从0.1nm到5nm，优选0.1nm到2nm，优选0.3nm到1.2nm。直径可以通过核和壳材料的组分的浓度分布来确定。如Z.Wang,Z.Li,A.Kornowski,X.Ma,A.Myalitsin,A.Mews,small 2011,17,2464-2468描述的，纳米颗粒的浓度分布可以通过TEM测量来检测。
根据本发明方法的一个实施方案，核材料和壳材料每种都是II-VI族或IV-VI族半导体材料，用于半导体材料的II族或IV族成分的起始材料在步骤c)中选取并在步骤d)中与核材料的粒子分散液混合，且用于半导体材料的VI族成分的起始材料在步骤f)中提供，优选硫族如S或Se。但是，原则上，相反地进行也是可能的，将用于VI族成分的起始材料与核材料粒子的分散液混合并在步骤f)中提供成分II族或IV族到反应区域中。这可以积极方式影响发光特性。
根据该方法的优选实施方案，管式反应器的反应区域由膜包围。因此，在步骤e)中，人们将步骤d)中得到的混合物经过管状膜，其形成管式反应器的反应区域。在步骤f)中将壳材料未选取的起始材料穿过膜供送。此膜参考附图并进一步描述进行更详细地说明。
优选将该膜安装到与膜一起形成管式反应器的可加热膜模块中。
图1说明了该管式反应器的可能结构(此处未示出膜)。管式反应器(1)在纵向方向上包括至少一个或多个用于接收一个或多个管状膜(7)的圆柱形腔(2)，在图1中未示出管状膜(7)。管式反应器(1)在相对的端部具有两个可拆卸的封闭元件(封闭盖)(3a)和(3b)。这些封闭元件可以装配在设置以接收膜(多个膜)的模块的主体上，并且例如，如图4A所示，可以用四个螺钉液体密封地固定。两个封闭元件(3a，3b)具有适合用于液体运输(4a，4b)的至少一个连续的通道，其与圆柱形腔(2)连通。通道可具有用于连接入口和出口线路的螺纹。两个通道(4a)中的一个优选用于将步骤d中得到的壳材料的起始材料和核粒子分散液的混合物传递通过管式反应器的膜(反应区域)，而另一个通道(4b)然后用于排出形成的核-壳纳米颗粒。
管式反应器中的流速选择取决于膜的内径并与合适的反应时间有关，且，例如可以是0.5ml/min到10ml/min。在管式反应器中的停留时间例如可以是1min到30min，并且是从纳米核粒子例如硒化镉纳米核粒子进入膜内部直到核-壳纳米颗粒从管式反应器出去的时间。
在圆筒形管式反应器(1)的壁中，设置有用于在步骤f)中供给壳材料的起始原料到膜中的反应区域的至少一个入口(5)。这个入口(液体通道)也优选具有用于接收线路的螺纹。入口(5)的位置不存在特别的限制。优选地，它位于由膜形成的反应区域长度的第一个三分之二内(沿流动方向)。在有利的实施方案中，如图4a所示，入口(5)位于模块(1)中间，且因此也位于由膜形成的反应区域的中央。流体通道(6)是可选的并可用作另一种壳的壳材料的起始材料的出口。流体通道(6)从而也能控制除泵压力之外的横向流动。
对于温度控制，人们可以在圆筒形反应器(1)的壁中设置如图1所示(以及图3)的温度传感器(8)。
在步骤f)中，通过膜的孔供给壳材料的起始材料以及因此大量到膜内反应区域的点会出现。
上述类型的管式反应器可以通过研制和修改用于废水处理的市购膜模块来生产。例如，由atech innovations GmbH,45966 Gladbeck,德国提供的可用于废水处理的膜模块，其作为适合于本发明的管式反应器结构的起始点，可以使用。
这些由钢生产的市售模块不适合纳米颗粒的合成，因此在本发明中优选由金属材料生产管式反应器，该金属材料即使在较高的温度下仍然是化学惰性的，例如钛。此外，如已经说明的，存在于反应器壁中的atech模块中的第二流体通道(6)通常是没有必要的。通过经由单个入口(5)的适当添加，人们可以实现壳材料的起始材料或多种起始材料通过穿过膜壁的反应区域被完全吸收，以致无需出口。此外，与废水处理相比，通常需要设计可加热的模块，这将参照下文的图4c进行说明。
图2示出了本发明合适的膜(7)，其具有外径D和内径d。所用膜的内径优选为0.2-5cm，更优选0.4至1cm。当在步骤f)中提供用于壳材料的起始材料时，这些清洗膜的周围。起始材料穿透孔到膜内部的反应区，那里它们首先与用于壳材料的起始材料或多种起始材料接触，在步骤d)中与核颗粒的分散液混合。在优选的过渡层形成后，如果合适，起始材料彼此反应以形成核粒子上的壳。
管状膜(7)优选由陶瓷材料制成，如Al2O3或TiO2。根据使用的核颗粒尺寸选择膜孔径。在核-壳纳米颗粒的通常优选合成中，其总体平均直径小于20nm，特别是至多为15nm，人们可以有利地利用膜工作，该膜的孔径对应于假想球状蛋白质的MWCO(截留分子量)(90％保留)，例如200道尔顿或更小，例如100道尔顿或更小，例如80道尔顿或更小，例如50道尔顿或更小，或20道尔顿或更小。除了膜的孔径，人们通过在入口(5)的泵压力也可以保证核颗粒的通道最小化或由膜阻止。
图3示出了管式反应器(1)的横截面，管式反应器在入口(5)的高度上具有嵌合其中的膜(7)。该膜纵向布置(沿流动方向)在管式反应器(1)的空腔(2)中。该膜将空腔(2)(见图1)分为添加区域(9)和反应区域(10)。
可以看出，圆柱形腔(2)的直径应大于膜的外径，以便在添加区域(9)中，它可以由经由入口(5)供给的壳材料的起始材料清洗周围。
图4a示出了只有一个入口(5)的管式反应器的有利实施方案。图4b示出了移除可拆卸封闭元件(3a,3b)之一之后的具有拉出膜(7)的管式反应器(1)。图4c示出了为管式反应器(1)研制的加热套筒，其尽可能精确地围绕金属护套。根据本发明，然而也可以以一些其他的方式加热管式反应器的反应区域，例如，通过浸入加热浴或通过在管式反应器中安装加热元件。
本发明的一个方面也是已经说明的核-壳纳米颗粒的优选实施方案，其以核和壳之间的过渡层为特征，补偿了核和壳材料之间的晶格应变，从而也有利于量子产率增加。
本实施方案涉及核-壳纳米颗粒，包括由核材料制备的核以及由壳材料制备的外壳，所述核材料优选第一半导体材料，所述外壳材料优选第二半导体材料，其特征在于在核和壳之间，只有一层过渡区，其中核材料的比例沿壳的方向逐渐降低，而壳材料的比例逐渐增加。
优选的是，在本发明的核-壳纳米颗粒中，核是发光半导体材料，纳米颗粒的粒度分布是这样的，颗粒，在照射时，以小于40nm的光谱半值宽度(最大值一半处的全宽度，FWHM)发射光，例如不大于35nm，优选不大于30nm。
纳米颗粒的粒度分布优选使得核-壳纳米颗粒(单位nm)直径的平均值的标准偏差(单位nm)小于平均值的20％，优选小于15％，更优选小于10％，甚至更优选小于6.5％。
本发明方法生产的核-壳纳米颗粒的上述说明完全适用于所要求保护的过渡区实施方案。
因此，例如，还存在的情况是，过渡区的平均直径为0.1-5nm,优选0.3-1.2nm，优选的核-壳纳米颗粒的平均直径为1-100nm，优选3至15nm,更优选4至8nm。
优选地，核材料和壳材料每个都是半导体材料，优选每个都是II-VI族、III-V族或IV-VI族半导体材料。
特别优选的是核-壳纳米颗粒，其中核-壳纳米颗粒具有以下核-壳材料的组合：CdSe/ZnS,CdSe/CdZnS,CdSe/CdZnSe。
在另一实施方案中，要求保护核-壳纳米颗粒，其中通过上述和权利要求中所限定的方法获得核-壳纳米颗粒。
根据本发明，先前和权利要求中描述的管式反应器的实施方案能够以特别简单但有效且因此经济有效的方式实施该方法。
管式反应器的膜优选由陶瓷材料制成，例如Al2O3或TiO2，且孔径是这样选择的，它可以阻止核颗粒的通道进入周围的添加区。
由于反应发生在管式反应器的整个长度上，已经发现其有利的是，在本发明的管式反应器中，刚好所述壁中设置了一个连接(5)以用于添加壳的另外的起始材料，它例如可以位于反应器纵向方向的中央，也可位于反应器的第一个三分之二的不同位置处(纵向流动方向)。这使得添加的壳起始材料完全有助于壳形成反应，从而避免了重复循环利用或处置未使用的材料，获得较短的合成时间。由于不需要为未使用的壳起始材料提供排出，因此可以简化反应器的设计，从而降低其采购成本。所述一个连接使得在添加区加入的壳起始材料均匀分布，因此在反应区中的壳起始材料的浓度增加(其中在反应混合物的流动方向上对其富集，从而在流动方向上积累)。
在本发明的管式反应器的可选择实施方案中，璧内设置有额外的连接，无论是用于壳形成的其它起始材料的供应或者是用于壳形成的起始材料的排出。这样，沿着添加区的壳起始材料的浓度，以及例如，沿着反应区的壳起始材料的浓度增加可得以控制或可更精确地控制横向流动。如果期望的话，其它的连接也可以用于过量的用于壳的起始材料的排出。
特别优选地，管式反应器的壁，以及可能的其他组件，如封闭元件，都由钛制成。通过这种材料的选择，可提供惰性的反应环境，该材料即使在本发明的纳米颗粒形成所需的高温和在化学腐蚀性起始材料的存在下都不被腐蚀。
特别有利的是，根据管式反应器的其他实施方案，膜是管状的，并且其内部形成反应区。这样，提供了用于壳起始材料的流入(或添加的其他物质)的特别大的表面，其从添加区域沿空腔通过膜延伸到反应区，伴随相应的多倍增加反应效率。
根据又一优选的实施方案，反应器通过可拆卸的封闭元件在两端流体封闭，入口和出口嵌入其中。在本实施方案中，封闭元件连接至包括膜的管状腔体的开口端。因此，可设置模块化管式反应器，其端部设置的可拆卸封闭元件，允许进入反应器的内部，例如用于膜的引入。此外，根据进行合成反应的性质，可设置具有多个入口或排出路线的封闭元件，或可以连接多个反应器。
最后，特别有利的是，管式反应器包括用于加热反应区域的优选套筒形状的加热装置。通过加热反应区域，合成反应可更快进行。此外，通过选择适当的温度，也可以影响反应的结果，即生成的核-壳纳米颗粒的质量或结构。
具体实施方式
测量方法
平均直径(TEM)
通过在TEM图像中的100个粒子的测量来确定平均直径。使用了程序imageJ 1.40g Wayne Rasband，美国国立卫生研究院，Java 1.6.0_05，594MB中的1720K(<1％)。在使用TEM图像中的长度尺度校准像素尺寸之后，通过围绕环形的手动圈定确定粒子的区域。根据每个粒子的面积，可以计算直径。
量子产率
通过对罗丹名6G的参考测量确定量子产率。为此，利用分散染料的吸收测量了待确定样本的吸收。然后针对每个情况进行一次发射测量。作为激发波长，使用的波长处两个样品具有相同的光密度。从发射曲线下的两个区域的比率乘以参考染料的量子产率(此处为0.96)获得量子产率。
FWHM(最大值一半处的全宽)
由发射带确定FWHM值(最大值一半处的全宽)。这是半峰高的全信号宽度。该值越小，粒度分布越窄。
参考实施例1-CdSe核纳米颗粒
镉原液的制备
参照WO 2009/101091的图1a,1b和1c描述合成方法。
在室温将1.15g乙酸镉加到45mL角鲨烯、3.5mL油酸和20mL油胺中。混合物在减压下脱气，用氮气净化并加热至150℃。它是浑浊的黄色溶液。该溶液在减压下于100℃脱气2小时。室温下在氮气气氛下储存现在浅黄色的透明溶液。
硒原液的制备。在手套箱中，在室温将2.0g的硒溶于17mL的三辛基膦中。向此溶液加入53mL的角鲨烯。在室温于惰性条件下储存此溶液。
CdSe核纳米颗粒的制备。镉溶液和硒溶液通过两个泵被连接并传递到模块15(参见WO 2009/101091图1)中。加热成核腔60PSM(参见WO2009/101091图1b)至成核温度(约250℃)。生长炉65PSM设定为生长温度(约240℃)，两个预热炉55PSMa和55PSMb设定为成核温度(约250℃)。相对于装置20中合适的反应时间选择流速。停留时间被定义为流经核腔60PSM和生长炉65PSM所需的时间。在到达两次停留时间之后，测量所产生的纳米颗粒的光学特性。可调的合成参数一方面是流速，另一方面是温度。从前面的实验确定出用于生产CdSe核纳米颗粒的最佳合成参数。
通过TEM测量确定由此制得的核的平均粒径约为3.4nm。量子产率为约40％。
实施例1-CdSe/CdZnS-核-壳纳米颗粒
锌原液的制备。在200℃将466mg的乙酸锌溶于12mL的角鲨烯和4.0mL的三辛基膦中。该溶液是无色透明的。在室温于惰性条件下储存此溶液，此溶液可以用作合金前体(用于壳的起始材料)。
镉原液的制备。在130℃将533mg的乙酸镉溶于11mL的角鲨烯，1.6mL油酸和4.0mL油胺中。浅黄色透明溶液减压110℃脱气4小时。在室温于惰性条件下储存此溶液，此溶液可以用作合金前体。
硫原液的制备。在手套箱中，在室温将0.8mL双(三甲基甲硅烷)硫醚与11mL三辛基膦混合。该溶液是澄清的，淡黄色的。在室温于惰性条件下储存此溶液，此溶液可以用作合金前体。
按照上述参考实施例1制备CdSe纳米颗粒。因而产生的分散液(重量百分比约为1％)仍含有(约0.2mol/l)大量用于CdSe核的硒组分的起始材料和少量用于CdSe核的镉组分的起始材料。
CdSe/CdZnS核-壳纳米颗粒的制备。由钛制成的管式反应器，如图1至4所示，但只有一个入口(图4a)，设置有Al2O3膜(类型1/6，长度为20cm或50k，20K，或100k的道尔顿)，其可购自atech innovationsGmbH,45966 Gladbeck,德国。该膜的通道具有6mm的内径和10mm的外径。管式反应器(模块)的内径为11.2mm。通过加热夹套加热管式反应器至约110℃的温度，如图4c所示。管式反应器用作合金壳的生长炉，替换WO 2009/101091的图1c中的上部加热腔55SSM。在室温于混合室中，CdSe核纳米颗粒在进入膜内部之前与锌前体和镉前体混合，并且通过泵经由管线35h和35ca供给到混合室(“Mk2”)，混合室替换图1c中的成核腔60SSM。使用溶剂调节器，设定40％至60％的锌/镉泵比。
硫前体通过其他泵经由管式反应器的入口(参见图4a)供给到膜的外侧，并且通过膜扩散进入管式反应器的内部，其中发生壳的生长。由于起始材料(前体)的分开加入，阻止了CdS或ZnS核纳米颗粒的非故意形成。经由细长管状膜的添加形成了浓度梯度，这有利于合金壳的外延生长。
为了延长生长时间，退出模块之后，CdSe-CdZnS核-壳纳米颗粒传送到其它的生长炉中。将该生长炉加热到与膜炉65PSM相同的温度。管式反应器中的停留时间是从硒化镉纳米-核颗粒进入膜内部直到核-壳纳米颗粒从生长炉退出的时间，当使用20cm长的膜时，其约为八分钟，当使用50cm长的膜，约为16分钟。
在到达两次停留时间后，测量所产生的纳米颗粒的光学特性。可调的合成参数一方面是流速，另一方面是温度。从前面的实验确定用于CdSe核颗粒和CdZnS合金纳米颗粒生产的最佳合成参数，并且总结于下表1中。
MK2(℃)表示混合室的温度，VO(℃)表示生长炉的温度，其在管式反应器的下游与膜连接。
表1
CdSe/CdxZn(1-x)S的核-壳纳米颗粒
CdSe/CdZnS核-壳纳米颗粒合成之后，用纯溶剂漂洗模块，并使其冷却到室温。
通过TEM测量确定如此制备的核-壳纳米颗粒的平均粒径为4.3-4.6nm，标准偏差在下表2中给出。量子产率为60-70％。
表2
CdSe/CdxZn(1-x)S的核-壳纳米颗粒
壳的反应温度 核-壳纳米颗粒的直径 标准偏差 单层数
90 4.6 0.23 1.9
100 4.6 0.25 1.9
110 4.3 0.27 1.3
120 4.5 0.28 1.7
重复实施例1中的粒子合成，人们注意到，在产品质量上只有非常小的变化。因此，例如发射峰的偏差通常远小于1％。
实施例2-CdSe/ZnS-核-壳纳米颗粒
按照上述参考实施例1制备CdSe纳米颗粒。产生的分散液(重量百分比约为1％)仍含有(约0.2mol/l)大量CdSe核的硒组分的起始材料和少量CdSe核的镉组分的起始材料。
如在实施例1中一样进行锌原液和硫原液的制备。
在不同系列的实验中使用实施例1中所述的管式反应器和实验装置进行CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒的制备：
"Atech8系列A”和“系列B”在壳起始材料的添加方面(前体)不同。
·在系列A中，在供给到管式反应器内部之前，CdSe的核预先在混合室中(“Mk2”)与硫前体溶液混合。锌前体溶液经由入口(5)供给到膜的外侧，并穿过膜进入到管状膜的内部，其中发生壳的生长。
·在系列B中，与系列A相比，两个前体溶液在周围的其他路径供送。
测试系列“M8_B”和“M8_C”在锌/硫比率上不同，其经由前体溶液的流速(分别为v(Zn)和v(S))设定：
·在测试系列M8_B中，锌和硫之间的摩尔比为1：2.6，
·在测试系列M8_C中，对照为1：4.5。
下面表3和表4总结了测试系列的结果。MK2(℃)表示混合室的温度，VO(℃)表示下游生长室的温度。评估所得的CdSe/ZnSe核-壳纳米颗粒的量子产率(QY)和粒度分布。由于发射波长取决于半导体纳米颗粒的粒径，FWHM(最大值一半处的全宽)是粒度分布宽度的量度。该值越小，粒度分布越窄。
从外侧横过膜的S前体的供给导致了具有更均匀球形形状的颗粒(系列B)。然而Zn和S前体(系列A)的反向供给产生了更高的量子产率。
为了比较，确定了参考实施例1中制备的CdSe核的发射波长(580nm)和它们的FWHW(约28nm)值。CdSe核的量子产率约为40％。
对比CdSe核的FWHW值表明，ZnS壳材料的生长只会导致粒度分布的轻微变宽。同时，对于本***中优选的至少90℃，更优选至少100℃的反应温度，得到了显著提高的量子产率。
重复实施例2的粒子合成，人们注意到，在产品质量上只有非常小的变化。因此，例如发射峰的偏差通常明显小于1％。
表3
Atech 8系列A CdSe/ZnS的核-壳纳米颗粒
表4
Atech 8系列B CdSe/ZnS的核-壳纳米颗粒
具有标准偏差的直径：
为确定表3和表4获得的CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒(NP)的直径，使用imageJ程序计数100个纳米颗粒(TEM图像)，并根据这些数据计算平均值的标准偏差。结果总结在下面的表5和表6中。
表5中的结果涉及CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒，其壳用表3中(Atech8系列A)列出的M8_B_90_系列A到M8_B_120_系列A的设定合成。
表6中的结果涉及CdSe/ZnS的核-壳纳米颗粒，其壳用表4中(Atech8系列B)列出的M8_B_90_系列B to M8_B_120_系列B的设定合成。
表5：CdSe/ZnS的核-壳纳米颗粒
壳的反应温度 核-壳纳米颗粒的直径 标准偏差 单层数
90 3.8 0.19 0.5
100 4.0 0.16 0.7
110 4.0 0.20 0.8
120 3.8 0.27 0.7
表6：CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒
壳的反应温度 核-壳纳米颗粒的直径 标准偏差 单层数
90 3.9 0.19 0.5
100 4.0 0.21 0.7
110 3.9 0.21 0.8
120 4.0 0.23 0.7
可以看出，核-壳纳米颗粒直径的平均值(单位nm)的标准偏差(单位nm)不超过平均值的约7％，其对应于很窄的粒度分布。
比较例
并非根据本发明使用管式反应器来制备CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒，而是根据WO 2009/101091的教导使用连续流动反应器，类似于本申请的实施例4，在90℃的成核腔60SSM和生长腔65SSM的温度下。所得的CdSe/ZnS核-壳纳米颗粒的发射波长为583nm，FWHM为33nm，且量子产率约为34％。

Claims (24)

1. 一种核-壳纳米颗粒的连续制备方法，所述颗粒包括由核材料制备的核以及由壳材料制备的壳，所述核材料优选半导体材料，所述壳材料优选半导体材料，
所述方法包括以下步骤：
a)在溶剂中制备核材料纳米颗粒的分散液，
b)提供所有用于壳材料的起始材料，优选溶解形式，
c)选择用于步骤d）的一种或多种壳材料的起始材料，进行选择使得选取的起始材料不互相反应，
d)将用于壳材料的选定起始材料或多种选定的起始材料与核材料的纳米颗粒分散液混合，
e)将步骤d）中得到的混合物连续地通过管式反应器的反应区域（10），
f)在两个或多个位置连续地供给步骤c）中未选定的用于壳材料的起始材料或多种起始材料到反应区域（10），
g)使用于壳材料的起始原料在反应区域（10）反应，围绕核材料的纳米颗粒形成壳。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述核-壳纳米颗粒具有核和壳之间的过渡区，其仅由核的组分和壳材料的组分构成，并且其中，在壳体的方向上，核材料的比例逐渐降低，同时壳材料的比例逐渐增加，并且其中在步骤a) 所生产的核材料颗粒的分散液含有至少一种用于核材料的起始材料。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中所述核-壳纳米颗粒的平均直径为1至100nm，优选3至15nm，更优选4至8nm。
4. 根据权利要求2或3所述的方法，其中所述过渡区的平均直径为0.1至5nm，优选0.1至2nm，优选0.3至1.2nm。
5. 根据权利要求1、2、3或4中一项或多项所述的方法，其中核材料和壳材料选自II-VI族，IV-VI和III-V族半导体材料。
6. 根据权利要求1、2、3、4或5中一项或多项所述的方法，其中所述核材料和壳材料每种都是II-VI族，第IV-VI族或III-V族的半导体材料，其由金属和非金属组分组成，在步骤c) 中选择一种或多种用于壳的金属组分的起始材料或一种或多种用于壳的非金属组分的起始材料，在步骤d) 中与核材料颗粒的分散液混合，在步骤 f)中未选择的一种或多种非金属组分或金属组分（多种金属组分）的起始材料供给到半导体材料的壳体。
7. 根据权利要求1、2、3、4、5或6中一项或多项所述的方法，其中所述管式反应器的反应区域（10）由膜（7）所包围，经由膜（7）在步骤f)中供给一种或多种在步骤c)中未选择的用于壳材料的起始材料。
8. 根据权利要求1、2、3、4、5、6或7中一项或多项所述的方法，其中所有用于壳材料的起始材料存在于溶液中，并且起始材料的至少一种溶液含有稳定剂，所述稳定剂经由官能团结合到形成的核-壳颗粒的表面上。
9. 根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8中一项或多项所述的方法，其中管式反应器的反应区域中的温度大于0至380℃，优选25至260℃，更优选80至200℃。
10. 核-壳纳米颗粒，包括由核材料制备的核以及由壳材料制备的外壳，所述核材料优选第一半导体材料，所述壳材料优选第二半导体材料，其特征在于，在所述核和所述壳之间，只有一层过渡区，其仅由核的组分和壳材料的组分构成，并且其中在壳体方向上核材料的比例逐渐降低，而壳材料的比例逐渐增加。
11. 根据权利要求10所述的核-壳纳米颗粒，其中所述核由半导体材料组成，纳米颗粒的粒度分布使得核-壳纳米颗粒（单位nm）的直径平均值的标准偏差（单位nm）小于平均值的20％，优选小于15％，更优选小于10％，甚至更优选小于7.5%。
12. 根据权利要求10或11所述的核-壳纳米颗粒，其中过渡区的平均直径为0.1至5nm，优选0.1至1nm，并且优选的核-壳纳米颗粒的平均直径为1至100nm，优选3至15nm，更优选4至8nm。
13. 根据权利要求10、11或12中任一项所述的核-壳纳米颗粒，其中所述核材料和所述壳材料都是各为半导体材料，优选各为II-VI族， IV-VI族或III-V族半导体材料。
14. 根据权利要求10、11、12或13中一项或多项所述的核-壳纳米颗粒，其中所述核-壳纳米颗粒具有下列核-壳纳米颗粒的组合：CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS，或CdSe/CdZnS。
15. 根据权利要求10、11、12、13或14中一项或多项所述的核-壳纳米颗粒，其中通过如权利要求2至9中任一项限定的方法获得核-壳纳米颗粒。
16. 用于核-壳纳米颗粒的连续生产的管式反应器，具有由纵向布置在空腔中的壁（1）和膜（7）围绕的管状腔（2），所述膜将所述空腔分为添加区域（9）和反应区域（10），其中反应器在一端具有用于壳的起始材料和核粒子分散液的混合物的供给线（4a)，所述供给线通入反应区域（10），并且在另一端，具有用于形成的核-壳纳米颗粒的排出线，排出线导出反应区域（10）外，
其特征在于：
沿着壁（1）中的空腔，设置有至少一个连接（5），用于添加壳的额外的起始材料，所述连接通向添加区域。
17. 根据权利要求16所述的管式反应器，其中所述连接（5）刚好设置在所述壁（1）中。
18. 根据权利要求17所述的管式反应器，其中在反应器纵向方向***布置连接（5）。
19. 根据权利要求16所述的管式反应器，其中其它的连接（6）设置在壁（1）中，用于排出过量的壳的起始材料。
20. 根据权利要求16至19中任一项所述的管式反应器，其中反应器的壁由钛制成。
21. 根据权利要求16至20中任一项所述的管式反应器，其中膜（7）是管状的，并且内部形成反应区域。
22. 根据权利要求16至21中任一项所述的管式反应器，其中反应器在每一端是通过可拆卸的封闭元件以液密方式封闭的，其中形成入口（4a）和出口（4b）。
23. 根据权利要求16至22中任一项所述的管式反应器，还包括优选的领形加热装置用于加热反应区域。
24. 根据权利要求16至23中任一项所述的管式反应器用于核-壳纳米颗粒的连续制备的用途。
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