CN108267806A - 一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置。其中，所述量子点彩色滤光片包括彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个像素区域，所述像素区域排布有多个子像素滤光层；其中，至少一个子像素滤光层的材料为量子点材料；所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明采用含有量子点材料的彩色滤光片，实现了不同颜色光的效率最大化，可以提高背光源的利用率，同时获得更高纯度的色光，因此基于量子点彩色滤光片的显示装置能够实现高色域和低功耗的彩色显示。

Description

一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前应用最广泛的平板显示器之一，液晶显示面板是液晶显示器的核心部件。液晶显示面板通常是由一彩色滤光片基板(Color Filter Substrate，CF Substrate)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。传统彩色液晶显示器的红色、绿色、蓝色三种三原色是利用白色背光透过制有红色、绿色、蓝色色阻的彩色滤光基板投射出来的，由于色阻的透过率一直处于较低的水平，该种彩色显示方式光源利用率低，并且显示器的色域窄。
量子点是一种在三个维度尺寸上均被限制在纳米数量级的特殊材料，这种显著的量子限域效应使得量子点具有了诸多独特的纳米性质：发射波长连续可调、发光波长窄、吸收光谱宽、发光强度高、荧光寿命长以及生物相容性好等。这些特点使得量子点在平板显示、固态照明、光伏太阳能、生物标记等领域均具有广泛的应用前景。尤其是在平板显示应用方面，然而现有的量子点通常运用在背光模组里，在背光模组中设置一量子点膜片，量子点膜片被背光激发后发出有颜色的光给液晶面板，其过程难免会存在光的损失。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置，以提高光源利用率及色域。
本发明的技术方案如下：
一种量子点彩色滤光片，包括彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个像素区域，所述像素区域排布有多个子像素滤光层；其中，至少一个子像素滤光层的材料为量子点材料；所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。
所述的量子点彩色滤光片中，所述像素区域至少排布有红色子像素滤光层和绿色子像素滤光层；所述红色子像素滤光层和绿色子像素滤光层均为量子点材料，所述红色子像素滤光层在背光的激发下发出红光，所述绿色子像素滤光层在背光的激发下发出绿光。
所述的量子点彩色滤光片中，所述像素区域还设置有透明区域，所述透明区域对应显示背光的颜色。
所述的量子点彩色滤光片中，所述像素区域还排布有蓝色子像素滤光层；所述蓝色子像素滤光层为量子点材料，所述蓝色子像素滤光层在背光的激发下发出蓝光。
所述的量子点彩色滤光片中，所述像素区域还排布有白色子像素滤光层；所述白色子像素滤光层为量子点材料，所述白色子像素滤光层在背光的激发下发出白光。
所述的量子点彩色滤光片中，所述背光为蓝光。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点彩色滤光片还包括基板、保护层及导电层，所述彩色滤光层设置在所述基板上，所述保护层覆盖在所述彩色滤光层的上表面，所述导电层覆盖在所述保护层的上表面；所述彩色滤光层中设置有用于分隔子像素滤光层的黑色矩阵。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元包括红色量子点结构单元、绿色量子点结构单元和蓝色量子点结构单元中的一种或多种。
所述的量子点彩色滤光片中，所述红色子像素滤光层的量子点结构单元包括红色量子点结构单元，所述绿色子像素滤光层的量子点结构单元包括绿色量子点结构单元。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料还包括聚合物、预聚物、低聚物、小分子、无机材料中的一种或多种。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料还包括基质，所述量子点结构单元随机分散或者均匀分散在所述基质中。
所述的量子点彩色滤光片中，所述基质包括聚合物、玻璃、凝胶中的一种。
所述的量子点彩色滤光片中，所述基质包括三聚氰胺树脂、酚醛树脂、烷基树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、马来树脂、聚酰胺树脂、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羟甲基纤维素中的一种，或者包括前述树脂的单体形成的共聚物。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中，至少三个量子点结构单元中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一组分结构。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料包括两种类型的量子点结构单元，其中一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，所述两种类型的量子点结构单元沿径向方向依次交替分布，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种量子点结构单元为均一组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为均一组分结构，另一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元，所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点结构单元包括2-20层单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。
所述的量子点彩色滤光片中，所述量子点材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。
一种液晶显示面板，包括如上所述的量子点彩色滤光片、薄膜晶体管阵列基板以及设置在彩色滤光片与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层。
一种液晶显示装置，包括如上所述的液晶显示面板。
有益效果：本发明提供了一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置。其中，所述量子点彩色滤光片包括彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个像素区域，所述像素区域排布有多个子像素滤光层；其中，至少一个子像素滤光层的材料为量子点材料；所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明采用含有量子点材料的彩色滤光片，实现了不同颜色光的效率最大化，可以提高背光源的利用率，同时获得更高纯度的色光，因此基于量子点彩色滤光片的显示装置能够实现高色域和低功耗的彩色显示。
附图说明
图1为本发明提供的量子点彩色滤光片的一实施例的剖面示意图。
图2为本发明提供的量子点彩色滤光片的一实施例中，彩色滤光层的俯视图。
图3为本发明一种量子点材料具体结构1的能级结构曲线。
图4为本发明一种量子点材料具体结构2的能级结构曲线。
图5为本发明一种量子点材料具体结构3的能级结构曲线。
图6为本发明一种量子点材料具体结构4的能级结构曲线。
图7为本发明一种量子点材料具体结构5的能级结构曲线。
图8为本发明一种量子点材料具体结构6的能级结构曲线。
图9为本发明一种量子点材料具体结构7的能级结构曲线。
具体实施方式
本发明提供一种量子点彩色滤光片、液晶显示面板及液晶显示装置，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1和图2，本发明提供一种量子点彩色滤光片，包括彩色滤光层130，所述彩色滤光层130包括多个像素区域131，所述像素区域131排布有多个子像素滤光层；其中，至少一个子像素滤光层的材料为量子点材料；所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致均一组分结构。
也就是说所述量子点材料中，每个量子点结构单元内部从内至外沿径向方向上任一位置上的一层单原子层或一层以上的单原子层范围内均为具有合金组分的结构。
进一步，在本发明中，所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素。所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。所述II族元素包括但不限于Zn、Cd、Hg、Cn等；所述VI族元素包括但不限于O、S、Se、Te、Po、Lv等。具体地，每个量子点结构单元的合金组分组成为CdxZn1-xSeyS1-y，其中0≤x≤1， 0≤y≤1，并且x和y不同时为0且不同时为1。需说明的是上述情况是优选情况，对于渐变合金组分结构的量子点结构单元而言，其组分均为合金组分；而对于均一组分结构的量子点结构单元而言，其组分可以是合金组分，也可以是非合金组分，但本发明优选的是合金组分，即所述均一组分结构为均一合金组分结构，更优选的是，包含II族和VI族元素，本发明后续实施例均以均一合金组分结构为例进行说明，但显然，对于非合金的均一组分结构同样可以实施。
此处的径向方向是指从量子点材料的中心向外的方向，例如假设本发明的量子点材料为球形或类似球形结构，那么该径向方向即指沿半径的方向，量子点材料的中心（或内部）即指其物理结构的中心，量子点材料的表面（或外部）即指其物理结构的表面。
本发明采用含有量子点材料的彩色滤光片，实现了不同颜色光的效率最大化，可以提高背光源的利用率，同时获得更高纯度的色光，因此基于量子点彩色滤光片的显示装置能够实现高色域和低功耗的彩色显示。
进一步的，本实施例中，所述像素区域131至少排布有红色子像素滤光层R和绿色子像素滤光层G；所述红色子像素滤光层R和绿色子像素滤光层G均为量子点材料，所述红色子像素滤光层R在背光的激发下发出红光，所述绿色子像素滤光层G在背光的激发下发出绿光。优选的，所述背光为蓝光。所述像素区域还设置有透明区域，所述透明区域对应显示背光的颜色。由于背光选取蓝色，固所述像素区域131在背光的照射下能显示红绿蓝以及红绿蓝三原色组成的其它颜色，实现彩色滤光。所述像素区域131即为一个像素。
在其它实施例中，所述透明区域可由蓝色子像素滤光层B取代，如图1和图2所示，三个滤光层RGB阵列排布在像素区域131内。所述蓝色子像素滤光层B同样可以为量子点材料，所述蓝色子像素滤光层B在背光的激发下发出蓝光。
当然，所述像素区域131还可以排布有白色子像素滤光层W（图中未示出）；所述白色子像素滤光层W为量子点材料，所述白色子像素滤光层W在背光的激发下发出白光。通过RGBW进行显示，有利于提高液晶显示面板的亮度和对比度。
请继续参阅图1，所述量子点彩色滤光片还包括基板140、保护层120及导电层110，所述彩色滤光层130设置在所述基板140上，所述保护层120覆盖在所述彩色滤光层130的上表面，所述导电层110覆盖在所述保护层120的上表面；所述彩色滤光层130中设置有用于分隔子像素滤光层的黑色矩阵132。所述基板140可以是玻璃基板，也可以是透明的塑胶基板，或者柔性透明塑胶基板。
所述量子点结构单元包括红色量子点结构单元、绿色量子点结构单元和蓝色量子点结构单元中的一种或多种。具体的，所述红色子像素滤光层R的量子点结构单元包括红色量子点结构单元，所述绿色子像素滤光层G的量子点结构单元包括绿色量子点结构单元，所述蓝色子像素滤光层B的量子点结构单元包括蓝色量子点结构单元。当然，不同的子像素滤光层可设置不同发光波长的量子点材料。
本发明的量子点材料有很多种结构（多种量子点材料），下面对本发明量子点材料存在的结构做详细的说明：
具体地，如图3所示，本发明提供了一种具有漏斗型能级结构的量子点材料，位于所述量子点材料内部的量子点结构单元合金组成成分对应能级宽度小于位于外部的量子点结构单元合金组成成分对应能级宽度；具体地说，本发明提供的量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；后续实施例中将图3所示量子点材料的结构称为具体结构1。图3中的量子点材料，各个相邻的量子点结构单元的能级宽度具有连续结构，即各个相邻的量子点结构单元的能级宽度具有连续变化的特点，而非突变结构，也就是说量子点的合成组分也是具有连续性，后续的连续结构原理相同。
进一步，在径向方向上相邻的量子点结构单元中，靠近中心的量子点结构单元的能级宽度小于远离中心的量子点结构单元的能级宽度；也就是说，所述的量子点材料中，从中心到表面的能级宽度是逐渐变宽的，从而形成开口逐渐变大的漏斗型结构，其中的开口逐渐变大是指如图1所示的能级结构中，从量子点材料中心到量子点材料表面的能级是连续的。同时，本发明中的量子点材料，各个相邻的量子点结构单元的能级是连续的，也就是说量子点的合成组分也具有连续变化的特性，这种特性更有利于实现高的发光效率。
也就是说，所述的量子点材料的具体结构1是具有从内到外沿径向方向的连续渐变合金组分的量子点结构；这种量子点结构在组成成分上具有从内到外沿径向方向连续变化的特点；相应的，在能级分布上也上具有从内到外沿径向方向连续变化的特点；这种量子点结构在组成成分上和能级分布上连续变化的特点，相对于具有明确边界的量子点核和壳的关系，本发明的量子点材料不仅有利于实现更高效的发光效率，同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对量子点材料的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。
进一步，如图3所提供的量子点材料中，A点的合金组分为Cdx0 AZn1-x0 ASey0 AS1-y0 A，B点的合金组分为Cdx0 BZn1-x0 BSey0 BS1-y0 B，其中A点相对于B点更靠近量子点材料中心，且A点和B点的组成满足：x0 A>x0 B，y0 A >y0 B。也就是说，对于量子点材料中的任意两点A点和B点，且A点相对于B点更靠近量子点材料中心，那么x0 A>x0 B，y0 A >y0 B，即A点的Cd含量大于B点的Cd含量，A点的Zn含量小于B点的Zn含量，A点的Se含量大于B点的Se含量，A点的S含量小于B点的S含量。这样，在该量子点材料中，就在径向方向上形成了渐变结构，并且由于在径向方向上，越向外（即远离量子点材料中心）则Cd和Se含量越低，Zn和S含量越高，那么根据这几种元素的特性，其能级宽度将会越宽。
后续不同具体结构的量子点材料中，若量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，则其合金组分均优选为Cdx0Zn1-x0Sey0S1-y0，其中，A点的合金组分为Cdx0 AZn1-x0 ASey0 AS1-y0 A，B点的合金组分为Cdx0 BZn1-x0 BSey0 BS1-y0 B，其中A点相对于B点更靠近量子点材料中心，且A点和B点的组成满足：x0 A>x0 B，y0 A >y0 B。若量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，则其合金组分均优选为Cdx0Zn1-x0Sey0S1-y0，其中，C点的合金组分为Cdx0 CZn1-x0 CSey0 CS1-y0 C，D点的合金组分为Cdx0 DZn1-x0 DSey0 DS1-y0 D，其中C点相对于D点更靠近量子点材料中心，且C点和D点的组成满足：x0 C＜x0 D，y0 C＜y0 D。若量子点结构单元为均一合金组分结构（即径向方向上能级宽度一致），则其合金组分均优选为Cdx0Zn1-x0Sey0S1-y0，其中，E点的合金组分为Cdx0 EZn1-x0 ESey0 ES1-y0 E，F点的合金组分为Cdx0 FZn1-x0 FSey0 FS1-y0 F，其中E点相对于F点更靠近量子点材料中心，且E点和F点的组成满足：x0 E=x0 F，y0 E=y0 F。
进一步，如图4所示，本发明还提供一种具有内部合金组成成分对应能级宽度不大于外部合金组成成分对应能级宽度、且量子点结构最中心和最外部区域之间含有至少一层均一合金组分结构的量子点结构单元的量子点材料；也就是说，本发明提供的量子点材料包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中，所述至少三个量子点结构单元中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的，位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一合金组分结构。后续实施例中将图4所示量子点材料的结构称为具体结构2。
具体地，如图4提供的量子点材料中，所述位于中心和表面的量子点结构单元之间的一层均一合金组分结构的量子点结构单元上，任一点的合金组分为Cdx1Zn1-x1Sey1S1-y1，其中0≤x1≤1，0≤y1≤1，并且x1和y1不同时为0和不同时为1，且x1和y1为固定值。例如某一点的合金组分为Cd0.5Zn0.5Se0.5S0.5，而径向方向上另一点的合金组分也应为Cd0.5Zn0.5Se0.5S0.5；又例如某一均一合金组分结构的量子点结构单元内某一点的均一组分为Cd0.7Zn0.3S，而该量子点结构单元内另一点的合金组分也应为Cd0.7Zn0.3S；又例如某一均一合金组分结构的量子点结构单元内某一点的均一组分为CdSe，而该量子点结构单元内另一点的合金组分也应为CdSe。
进一步，如图3提供的量子点材料中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；即在所述具有渐变合金组分结构的量子点结构单元中，沿径向方向上任一点的合金组成成分对应的能级宽度均要大于相邻的且更靠近量子点结构中心另一点的合金组成成分对应的能级宽度。所述具有渐变合金组分结构的量子点结构单元中的合金组分组成为Cdx2Zn1-x2Sey2S1-y2，其中0≤x2≤1，0≤y2≤1，并且x2和y2不同时为0和不同时为1。例如某一点的合金组分为Cd0.5Zn0.5Se0.5S0.5，而另一点的合金组分为Cd0.3Zn0.7Se0.4S0.6。
进一步，如图5所示，本发明还提供一种具有量子阱结构的全渐变合金组分的量子点材料；也就是说，本发明提供的量子点材料包括两种类型的量子点结构单元（A1类型和A2类型），其中A1类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，A2类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，所述两种量子点结构单元沿径向方向依次交替分布，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。也就是说，所述量子点材料的量子点结构单元分布可以是：A1、A2、A1、A2、A1…，也可以是A2、A1、A2、A1、A2…，即起始的量子点结构单元可以是A1类型，也可以是A2类型。在A1类型的量子点结构单元中，其能级宽度是越向外越宽，在A2类型的量子点结构单元中，其能级宽度是越向外越窄，这两种能级结构均犹如波浪线的形式在径向方向上延伸，后续实施例中将图5所示量子点材料的结构称为具体结构3。
进一步，如图6所示，本发明还提供一种具有能级突变的量子阱结构的全渐变合金组分的量子点材料，具体地，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的，即各个相邻的量子点结构单元的能级宽度具有非连续变化的特点，即突变特点，也就是说量子点的合金组分也是具有突变性，后续的突变结构原理相同；后续实施例中将图6所示量子点材料的结构称为具体结构4。
具体地，图6所述的量子点材料，是由多个量子点结构单元通过突变的方式依次排布构成，这些量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构。进一步，所述量子点材料中，靠近中心的量子点结构单元的能级宽度小于远离中心的量子点结构单元的能级宽度。也就是说，所述的量子点材料中，从中心到表面的能级宽度是逐渐变宽的，从而形成间断的开口逐渐变大的漏斗型结构，当然，所述的量子点材料中，也并不限于上述方式，即远离中心的量子点结构单元的能级宽度也可以小于靠近中心的量子点结构单元的能级宽度，这种结构中，相邻的量子点结构单元的能级宽度有交错重叠的地方。
进一步，如图7所示，本发明还提供另一种具有能级突变的量子阱结构的全渐变合金组分的量子点材料，具体地，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的，即各个相邻的量子点结构单元的能级宽度具有非连续变化的特点，即突变特点，也就是说量子点的合金组分也是具有突变性，后续的突变结构原理相同；后续实施例中将图7所示量子点材料的结构称为具体结构5。
具体地，图7所述的量子点材料，是由多个量子点结构单元通过突变的方式依次排布构成，这些量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构。进一步，所述量子点材料中，靠近中心的量子点结构单元的能级宽度大于远离中心的量子点结构单元的能级宽度。也就是说，所述的量子点材料中，从中心到表面的能级宽度是逐渐变窄的，从而形成间断的开口逐渐变小的漏斗型结构，当然，所述的量子点材料中，也并不限于上述方式，即远离中心的量子点结构单元的能级宽度也可以大于靠近中心的量子点结构单元的能级宽度，这种结构中，相邻的量子点结构单元的能级宽度有交错重叠的地方。
进一步，如图8所示，本发明还提供一种量子点材料，位于所述量子点材料内部的合金组成成分的能级宽度由中心到外部逐渐变大，且量子点结构最外部区域为均一合金组分；具体地，所述量子点材料包括两种量子点结构单元（A3类型和A4类型），其中，A3类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，A4类型的量子点结构单元为均一合金组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的均一合金组分结构的量子点结构单元；后续实施例中将图8所示量子点材料的结构称为具体结构6。
具体地，如图8所示的量子点材料中，其量子点结构单元的分布为A3…A3A4…A4，即所述量子点材料的内部是由A3类型的量子点结构单元组成，所述量子点材料的外部是由A4类型的量子点结构单元组成，且A3类型的量子点结构单元的数量和A4类型的量子点结构单元的数量均大于等于1。
进一步，如图9所示，本发明还提供另一种量子点材料，位于所述量子点材料内部的合金组成成分的能级宽度为均一的，位于所述量子点外部的合金组成成分的能级宽度由中心到外部为逐渐变大；具体地，所述量子点材料包括两种量子点结构单元（A5类型和A6类型），其中，A5类型的量子点结构单元为均一合金组分结构，A6类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的均一合金组分结构的量子点结构单元，所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；后续实施例中将图9所示量子点材料的结构称为具体结构7。
具体地，如图9所示的量子点材料中，其单原子层的分布为A5…A5A6…A6，即所述量子点材料的内部是由A5类型的量子点结构单元组成，所述量子点材料的外部是由A6类型的量子点结构单元组成，且A5类型的量子点结构单元的数量和A6类型的量子点结构单元的数量均大于等于1。
进一步，本发明所提供的量子点结构单元包括2-20层的单原子层。优选的，所述量子点结构单元包括2-5个单原子层，优选的层数能够保证量子点实现良好的发光量子产率以及高效的电荷注入效率。
进一步，所述量子点发光单元包括1-10层晶胞层，优选2-5层晶胞层；所述晶胞层为最小结构单元，即每一层的晶胞层其合金组分均是固定的，即每一晶胞层内具有相同晶格参数和元素，每一量子点结构单元均为晶胞层连接而构成的封闭晶胞曲面，相邻晶胞层之间的能级是连续的或者突变结构。
本发明采用上述结构的量子点材料，能够实现的发光量子产率范围为1%至100%，优选的发光量子产率范围为30%至100%，优选的发光量子产率范围内能够保证量子点的良好应用性。
所述的量子点材料，其中，所述量子点材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。
所述的量子点材料，其中，所述量子点材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。
本发明采用上述结构的量子点材料，能够实现的发光峰波长范围为400纳米至700纳米，优选的发光峰波长范围为430纳米至660纳米，优选的量子点发光峰波长范围能够保证量子点材料在此范围内实现大于30%的发光量子产率。
进一步，在本发明中，所述量子点材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。
本发明所提供的量子点材料具有如下有益效果：第一，有助于最大程度上减少不同合金组分的量子点晶体间的晶格张力并缓解晶格失配，从而减少了界面缺陷的形成，提高了量子点的发光效率。第二，本发明所提供的量子点材料所形成的能级结构更有利于对量子点中电子云的有效束缚，大大减少电子云向量子点表面的扩散几率，从而极大地抑制了量子点无辐射跃迁的俄歇复合损失，减少量子点闪烁并提高量子点发光效率。即，本发明通过采用量子点材料形成彩色滤光片，红色、或绿色、或蓝色滤光片采用可以通过光激发产生红光、或绿光、或蓝光的量子点材料，可以提高背光源的利用率，同时获得更高纯度的色光，因此量子点显示能够实现显示的高色域和低功耗。
本发明还提供一种如上所述的量子点材料的制备方法，其中，包括步骤：
在预定位置处合成第一种化合物；
在第一种化合物的表面合成第二种化合物，所述第一种化合物与所述第二种化合物的合金组分相同或者不同；
使第一种化合物和第二种化合物体之间发生阳离子交换反应形成量子点材料，所述量子点的发光峰波长出现蓝移、红移和不变中的一种或多种。
本发明的制备方法将量子点SILAR合成法结合量子点一步合成法生成量子点，具体为利用量子点逐层生长以及利用量子点一步合成法形成渐变组分过渡壳。即在预定位置处先后形成两层具有相同或者不同合金组分的化合物薄层，通过使两层化合物之间发生阳离子交换反应，从而实现在预定位置处的合金组分分布。重复以上过程可以不断实现在径向方向预定位置处的合金组分分布。
所述的第一种化合物和第二种化合物可以是二元或者二元以上化合物。
进一步，当所述量子点的发光峰波长出现蓝移时，说明发光峰向短波方向移动，能级宽度变宽；当所述量子点的发光峰波长出现红移时，代表发光峰向长波方向移动，能级宽度变窄；当所述量子点的发光峰波长不变时，说明能级宽度不变。
所述第一种化合物和/或所述第二种化合物的阳离子前驱体包括：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌（dimethyl Zinc）、二乙基锌（diethyl Zinc）、醋酸锌（Zincacetate）、乙酰丙酮锌（Zinc acetylacetonate）、碘化锌（Zinc iodide）、溴化锌（Zincbromide）、氯化锌（Zinc chloride）、氟化锌（Zinc fluoride）、碳酸锌（Zinc carbonate）、氰化锌（Zinc cyanide）、硝酸锌（Zinc nitrate）、氧化锌（Zinc oxide）、过氧化锌（Zincperoxide）、高氯酸锌（Zinc perchlorate）、硫酸锌（Zinc sulfate）、油酸锌（Zinc oleate）或硬脂酸锌（Zinc stearate）等中的至少一种，但不限于此。
所述第一种化合物和/或所述第二种化合物的阳离子前驱体包括Cd的前驱体，所述Cd的前驱体为二甲基镉（dimethyl cadmium）、二乙基镉（diethyl cadmium）、醋酸镉（cadmium acetate）、乙酰丙酮镉（cadmium acetylacetonate）、碘化镉（cadmium iodide）、溴化镉（cadmium bromide）、氯化镉（cadmium chloride）、氟化镉（cadmium fluoride）、碳酸镉（cadmium carbonate）、硝酸镉（cadmium nitrate）、氧化镉（cadmium oxide）、高氯酸镉（cadmium perchlorate）、磷酸镉（cadmium phosphide）、硫酸镉（cadmium sulfate）、油酸镉（cadmium oleate）或硬脂酸镉（cadmium stearate）等中的至少一种，但不限于此。
所述第一种化合物和/或所述第二种化合物的阴离子前驱体包括Se的前驱体，例如Se与一些有机物任意组合所形成的化合物，具体是Se-TOP (selenium-trioctylphosphine)、Se-TBP (selenium-tributylphosphine)、Se-TPP (selenium-triphenylphosphine)、Se-ODE (selenium-1-octadecene)、Se-OA (selenium-oleicacid)、Se-ODA (selenium-octadecylamine)、Se-TOA (selenium-trioctylamine)、Se-ODPA (selenium-octadecylphosphonic acid)或Se-OLA (selenium-oleylamine)等中的至少一种，但不限于此。
所述第一种化合物和/或所述第二种化合物的阴离子前驱体包括S的前驱体，例如S与一些有机物任意组合所形成的化合物，具体是S-TOP(sulfur-trioctylphosphine，)、S-TBP(sulfur-tributylphosphine) 、S-TPP(sulfur-triphenylphosphine)、S-ODE(sulfur-1-octadecene) 、S-OA (sulfur-oleic acid)、S-ODA(sulfur-octadecylamine)、S-TOA(sulfur-trioctylamine) 、S-ODPA(sulfur-octadecylphosphonic acid)或S-OLA(sulfur-oleylamine)等中的至少一种，但不限于此；所述S的前驱体为烷基硫醇(alkylthiol)，所述烷基硫醇是己硫醇(hexanethiol)、辛硫醇(octanethiol)、癸硫醇(decanethiol)、十二烷基硫醇(dodecanethiol)、十六烷基硫醇(hexadecanethiol) or 巯丙基硅烷(mercaptopropylsilane)等中的至少一种，但不限于此。
所述第一种化合物和/或所述第二种化合物的阴离子前驱体还包括Te的前驱体，所述Te的前驱体为Te-TOP、Te-TBP、Te-TPP、Te-ODE、Te-OA、Te-ODA、Te-TOA、Te-ODPA或Te-OLA中的至少一种。
在本发明的制备方法中，发生阳离子交换反应的条件是进行加热反应，例如加热温度在100℃至400℃之间，优选的加热温度为150℃至380℃之间。加热时间在2s至24h之间，优选的加热时间为5min至4h之间。
上述阳离子前躯体和阴离子前驱体可以根据最终的纳米晶体组成来确定选择其中的一种或几种：例如需要合成CdxZn1-xSeyS1-y的纳米晶体时，则需要Cd的前驱体、Zn的前驱体、Se的前驱体、S的前驱体；如需要合成CdxZn1-xS的纳米晶体时，则需要Cd的前驱体、Zn的前驱体、S的前驱体；如需要合成CdxZn1-xSe的纳米晶体时，则需要Cd的前驱体、Zn的前驱体、Se的前驱体。
加热温度越高，阳离子交换反应的速率越快，阳离子交换的厚度范围和交换程度也越大，但厚度和程度范围会逐渐达到相对饱和的程度；类似的，加热时间越长，阳离子交换的厚度范围和交换程度也越大，但厚度和程度范围也会逐渐达到相对饱和的程度。阳离子交换的厚度范围和程度直接决定了所形成的渐变合金组分分布。阳离子交换所形成的渐变合金组分分布同时也由各自所形成的二元或者多元化合物纳米晶体的厚度所决定。
在形成各层化合物时，阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比可以为100:1到1:50（具体为阳离子与阴离子的摩尔投料比），例如在形成第一层化合物时，阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比为100:1到1:50；在形成第二层化合物时，阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比为100:1到1:50，优选的比例为20:1到1:10，优选的阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比例可以保证反应速率在易于控制的范围内。
通过上述制备方法所制备的量子点材料，其发光峰波长范围为400纳米至700纳米，优选的发光峰波长范围为430纳米至660纳米，优选的量子点发光峰波长范围能够保证量子点在此范围内实现大于30%的发光量子产率。
以上制备方法所制备的量子点材料，发光量子产率范围为1%至100%，优选的发光量子产率范围为30%至100%，优选的发光量子产率范围内能够保证量子点的良好应用性。
进一步，在本发明中，所述量子点材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。
除了按照上述制备方法制备本发明的量子点材料之外，本发明还提供另外一种如上所述的量子点材料的制备方法，其包括步骤：
在径向方向上预定位置处加入一种或一种以上阳离子前驱体；在一定条件下同时加入一种或一种以上的阴离子前驱体，使阳离子前驱体与阴离子前驱体进行反应形成量子点材料，并且所述量子点材料的发光峰波长在反应过程中出现蓝移和不变，从而实现在预定位置处的合金组分分布。
对于此种方法与前一种方法的不同在于，前一种是先后形成两层化合物，然后发生阳离子交换反应，从而实现本发明所需合金组分分布，而后一种方法是直接控制在预定位置处加入所需合成合金组分的阳离子前驱体和阴离子前驱体，进行反应形成量子点材料，从而实现本发明所需合金组分分布。对于后一种方法，反应原理是反应活性高的阳离子前驱体和阴离子前驱体先发生反应，反应活性低的阳离子前驱体和阴离子前驱体后发生反应，并且在反应过程中，不同的阳离子发生阳离子交换反应，从而实现本发明所需合金组分分布。至于阳离子前驱体与阴离子前驱体的种类在前述方法中已有详述。至于反应温度、反应时间和配比等可根据具体所需合成的量子点材料不同而有所不同，其与前述的前一种方法大体相同，后续以具体实施例进行说明。
本发明还提供一种半导体器件，其包括如上任一项所述的纳米晶体。
所述半导体器件为电致发光器件、光致发光器件、太阳能电池、显示器件、光电探测器、生物探针以及非线性光学器件中的任意一种。
以电致发光器件为例，以本发明所述的量子点材料作为发光层材料的量子点电致发光器件。这种量子点电致发光器件能够实现：1) 高效电荷注入、2) 高发光亮度、3) 低驱动电压、4) 高器件效率等优异器件性能。同时，本发明所述的量子点材料，具有易于控制和多样性能级结构的特点，能够充分满足并配合器件中其他功能层的能级结构，以实现器件整体能级结构的匹配，从而有助于实现高效稳定的半导体器件。
所述光致发光器件是指依赖外界光源进行照射，从而获得能量，产生激发导致发光的器件，紫外辐射、可见光及红外辐射均可引起光致发光，例如磷光与荧光。本发明的纳米晶体可作为光致发光器件的发光材料。
所述太阳能电池也称光伏器件，本发明的纳米晶体可作为太阳能电池的光吸收材料，有效提高光伏器件的各项性能。
所述显示器件是指背光模组或应用所述背光模组的显示面板，所述显示面板可以应用在各种产品当中，例如显示器、平板电脑、手机、笔记本电脑、平板电视、可穿戴式显示设备或其他包含不同尺寸显示面板的产品。
所述光电探测器是指能把光信号转换为电信号的器件，其原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变，将量子点材料应用在光电探测器中，具有如下优势：对垂直入射光敏感、光电导响应度高、比探测率高、探测波长连续可调及可低温制备。这种结构的光电探测器在运行过程中，量子点光敏层（即采用本发明的纳米晶体）吸收光子后产生的光生电子-空穴对能够在内建电场的作用下发生分离，这使得该结构光电探测器具有更低的驱动电压，能在低外加偏压甚至是0外加偏压下就能工作，且易于控制。
所述生物探针是指对某类材料进行修饰，使其具有标记功能的器件，例如对本发明的纳米晶体进行包覆，从而形成荧光探针，应用在细胞成像或者物质检测领域中，相对于传统的有机荧光染料探针，采用本发明的纳米晶体制备的生物探针，具有荧光强度高、化学稳定性好、抗光漂白能力强的特点，具有广泛的用途。
所述非线性光学器件属于光学激光技术领域，其应用较广泛，例如用于电光开光和激光调制，用于激光频率的转换、激光频率的调谐；进行光学信息处理、改善成像质量和光束质量；作为非线性标准具和双稳器件；研究物质的高激发态以及高分辨率光谱以及物质内部能量和激发的转移过程以及其他弛豫过程等。
实施例1：基于CdZnSeS/CdZnSeS量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体、阴离子Se的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中，形成CdyZn1-ySebS1-b层（其中0≤y≤1，0≤b≤1）；继续将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体、阴离子Se的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中，在上述CdyZn1-ySebS1-b层表面形成CdzZn1-zSecS1-c层（其中0≤z≤1，且z不等于y，0≤c≤1）；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，发生内外层纳米晶体（即上述两层化合物）中Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdyZn1-ySebS1-b层与CdzZn1-zSecS1-c层的界面附近形成Cd含量和Zn含量的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSeaS1-a，其中0≤x≤1，0≤a≤1。
实施例2：基于CdZnS/CdZnS量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中，先形成CdyZn1-yS层（其中0≤y≤1）；继续将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中，会在上述CdyZn1-yS层表面形成CdzZn1-zS层（其中0≤z≤1，且z不等于y）；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，发生内外层纳米晶体（即上述两层化合物）中Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdyZn1-yS层与CdzZn1-zS层的界面附近形成Cd含量和Zn含量的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xS，其中0≤x≤1。
实施例3：基于CdZnSe/CdZnSe量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体以及阴离子Se的前驱体注入到反应体系中先形成CdyZn1-ySe层（其中0≤y≤1）；继续将阳离子Cd的前驱体、阳离子Zn的前驱体以及阴离子Se的前驱体注入到反应体系中，会在上述CdyZn1-ySe层表面形成CdzZn1-zSe层（其中0≤z≤1，且z不等于y）；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，发生内外层纳米晶体中Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdyZn1-ySe层与CdzZn1-zSe层的界面附近形成Cd含量和Zn含量的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSe，其中0≤x≤1。
实施例4：基于CdS/ZnS量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中，先形成CdS层；继续将阳离子Zn的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中，会在上述CdS层表面形成ZnS层；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Zn阳离子会逐渐向内层迁移，并与Cd阳离子发生阳离子交换反应，即Cd离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdS层与ZnS层的界面附近形成Cd含量沿着径向向外逐渐减少、Zn含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xS，其中0≤x≤1且x自内向外（径向方向）从1单调递减为0。
实施例5：基于CdSe/ZnSe量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体和阴离子Se的前驱体注入到反应体系中先形成CdSe层；继续将阳离子Zn的前驱体和阴离子Se的前驱体注入到反应体系中，会在上述CdSe层表面形成ZnSe层；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Zn阳离子会逐渐向内层迁移，并与Cd阳离子发生阳离子交换反应，即Cd离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdSe层与ZnSe层的界面附近形成Cd含量沿着径向向外逐渐减少、Zn含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSe，其中0≤x≤1且x自内向外（径向方向）从1单调递减为0。
实施例6：基于CdSeS/ZnSeS量子点的制备
先将阳离子Cd的前驱体、阴离子Se的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中先形成CdSebS1-b层（其中0≤b≤1）；继续将阳离子Zn的前驱体、阴离子Se的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中，会在上述CdSebS1-b层表面形成ZnSecS1-c层（其中0≤c≤1）；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Zn阳离子会逐渐向内层迁移，并与Cd阳离子发生阳离子交换反应，即Cd离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在CdSebS1-b层与ZnSecS1-c层的界面附近形成Cd含量沿着径向向外逐渐减少、Zn含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSeaS1-a，其中0≤x≤1且x自内向外（径向方向）从1单调递减为0，0≤a≤1。
实施例7：基于ZnS/CdS量子点的制备
先将阳离子Zn的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中先形成ZnS层；继续将阳离子Cd的前驱体和阴离子S的前驱体注入到反应体系中，会在上述ZnS层表面形成CdS层；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Cd阳离子会逐渐向内层迁移，并与Zn阳离子发生阳离子交换反应，即Zn离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在ZnS层与CdS层的界面附近形成Zn含量沿着径向向外逐渐减少、Cd含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xS，其中0≤x≤1且x自内向外（径向方向）从0单调递增为1。
实施例8：基于ZnSe/CdSe量子点的制备
先将阳离子Zn的前驱体和阴离子Se的前驱体注入到反应体系中先形成ZnSe层；继续将阳离子Cd的前驱体和阴离子Se的前驱体注入到反应体系中，会在上述ZnSe层表面形成CdSe层；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Cd阳离子会逐渐向内层迁移，并与Zn阳离子发生阳离子交换反应，即Zn离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在ZnSe层与CdSe层的界面附近形成Zn含量沿着径向向外逐渐减少、Cd含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSe，其中0≤x≤1且x自内向外（径向方向）从0单调递增为1。
实施例9：基于ZnSeS/CdSeS量子点的制备
先将阳离子Zn的前驱体、阴离子Se的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中先形成ZnSebS1-b层（其中0≤b≤1）；继续将阳离子Cd的前驱体、阴离子Se的前驱体以及阴离子S的前驱体注入到反应体系中，会在上述ZnSebS1-b层表面形成CdSecS1-c层（其中0≤c≤1）；在一定的加热温度和加热时间等反应条件下，外层的Cd阳离子会逐渐向内层迁移，并与Zn阳离子发生阳离子交换反应，即Zn离子向外层迁移，发生了Cd与Zn离子的互换；由于阳离子的迁移距离有限且越远的迁移距离发生迁移的机率就越小，因此会在ZnSebS1-b层与CdSecS1-c层的界面附近形成Zn含量沿着径向向外逐渐减少、Cd含量沿着径向向外逐渐增加的渐变合金组分分布，即CdxZn1-xSeaS1-a，其中0≤x≤1且x自内向外从0单调递增为1，0≤a≤1。
实施例10：具有具体结构1的蓝色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，反应10 min后，将硫化三辛基膦前驱体和油酸镉前驱体分别以3 mL/h和10 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，然后离心提纯，得到具有具体结构1的蓝色量子点（CdxZn1- xS）。
实施例11：具有具体结构1的绿色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO），8 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10mL油酸（Oleic acid）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder），4 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在4 mL的三辛基膦（Trio ctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSeyS1-y，反应10 min后，将2mL的硫化三辛基膦前驱体以8 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中，直至前驱体注入完。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构1的绿色量子点（CdxZn1-xSeyS1-y/CdzZn1-zS），此处“/”的前面代表所制备的绿色量子点的内部的组成，“/”的后面则代表所制备的绿色量子点外部的组成，并且“/”代表的并不是明显的界限，而是从内到外渐变的结构，后续出现的这种量子点表示方法含义相同。
实施例12：具有具体结构1的红色量子点（结构单元）的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder）在4 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder），0.6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将2mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以4 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构1的红色荧光量子点（CdxZn1-xSeyS1-y/CdzZn1-zS）。
实施例13：油酸镉注入速率对具有具体结构1的蓝色量子点合成的影响
在实施例10的基础上，通过调节油酸镉的注入速率可以调控量子点组分的梯度变化的斜率，从而影响其能级结构，最终实现对量子点发光波长的调控。
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将硫化三辛基膦前驱体以3 mL/h速率逐滴加入到反应体系中，同时将油酸镉前驱体以不同的注入速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有能级结构1的蓝色量子点（CdxZn1-xS/CdyZn1-yS）。
基于相同的量子点中心（合金量子点发光峰447nm）及不同油酸镉前驱体的注入速率下，量子点发光波长调控的列表如下：
实施例14：油酸镉注入量对具有具体结构1的蓝色量子点合成的影响
在实施例10和实施例13的基础上，通过调节油酸镉前驱体的注入量，可以调控量子点的成分的梯度变化的区间，从而影响其能级结构的变化，最终实现对量子点发光波长的调控。基于相同的量子点中心（合金量子点发光峰447nm）及不同油酸镉前驱体的注入量（相同注入速率下1 mmol/h）速率下，量子点发光波长调控的列表如下。
实施例15：具有具体结构2的蓝色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid）和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将反应体系温度降至280℃，接着将2mL的硫化三辛基膦前驱体和6mL油酸镉前驱体分别以3 mL/h和10mL/h的速率同时注入到反应体系中。注入40 min后，将反应体系温度升温至310℃，将1mL硫化三辛基膦前驱体以3 mL/h的速率注入到反应体系中，反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具体结构2的蓝色量子点。
实施例16：具有具体结构2的绿色量子点（结构单元）的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO），8 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder），4 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
将2mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSeyS1-y，反应10 min后，将反应体系温度降至280℃，接着将1.2mL的硫化三辛基膦前驱体和6mL油酸镉前驱体分别以2 mL/h和10mL/h的速率注入到反应体系中，直至前驱体注入完。将反应体系温度升温至310℃，将0.8mL硫化三辛基膦前驱体以2 mL/h的速率注入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构2的绿色量子点。
实施例17：具有具体结构2的红色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder）在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder），0.6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
将0.3 mmol氧化镉（CdO），0.3mL油酸（Oleic acid）和2.7 mL十八烯（1-Octadecene）置于50 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将反应体系温度降至280℃，接着将1mL硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体和3mL油酸镉前驱体分别以2 mL/h和6 mL/h的速率注入到反应体系中。将反应体系温度升温至310℃，将1mL硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以4 mL/h的速率注入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构2的红色量子点。
实施例18：具有具体结构3的蓝色量子点（结构单元）的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder）溶解在1 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将油酸镉前驱体和硫化三辛基膦前驱体分别以0.6 mmol/h、4 mmol/h的速率连续注入20 min到反应体系中。随后将油酸镉前驱体、硫化三辛基膦前驱体和硒化三辛基膦前驱体分别以0.4 mmol/h、0.6 mmol/h和0.2 mmol/h的速率连续注入1 h到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构3）的蓝色量子点(CdZnS/CdZnS/CdZnSeS3)。
实施例19：具有具体结构3的绿色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO），6 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将0.4 mmol硒粉（Selenium powder），4 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在4 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体1。
将0.1 mmol硒粉（Selenium powder），0.3 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体2。
将0.8 mmol硫粉（Sulfur powder），0.8 mmol硒粉（Selenium powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体3。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体1快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSeyS1-y，反应5 min后，将2mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体2以6 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。随后，将3mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体3和6mL的油酸镉前驱体的分别以3 mL/h和6 mL/h速率继续逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构3的绿色量子点(CdZn3SeS3/Zn4SeS3/Cd3Zn5Se4S4)。
实施例20：具有具体结构3的红色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder）在4 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder），0.6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
将0.9 mmol氧化镉（CdO），0.9 mL油酸（Oleic acid）和8.1 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将2 mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以2 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。注入到30 min时，将3 mL的油酸镉前驱体同时以6 mL/h速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构3的红色量子点（CdxZn1-xSe/ZnSeyS1-y/CdzZn1-zSeS）。
实施例21：具有具体结构4的蓝色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.2mmol硒粉（Selenium powder）溶解在1mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将油酸镉前驱体和硒化三辛基膦前驱体分别以0.6 mmol/h、0.6 mmol/h的速率连续注入20 min到反应体系中。随后将油酸镉前驱体和硫化三辛基膦前驱体分别以0.4 mmol/h和6 mmol/h的速率连续注入1h到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构4）的蓝色量子点（CdZnS/CdZnSe/CdZnS）。
实施例22：具有具体结构4的绿色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.4 mmol硒粉（Selenium powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.8 mmol氧化镉（CdO），1.2 mL油酸（Oleic acid）和4.8 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将油酸镉前驱体和硒化三辛基膦前驱体分别以0.6 mmol/h、0.6 mmol/h的速率连续注入40 min到反应体系中。随后将油酸镉前驱体和硫化三辛基膦前驱体分别以0.4 mmol/h和6 mmol/h的速率连续注入1 h到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构4）的绿色量子点（CdZnS/CdZnSe/CdZnS）。
实施例23：具有具体结构4的红色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将1.5 mmol硒粉（Selenium powder），1.75 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体1。
将1 mmol硒粉（Selenium powder）在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder），0.8 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体2。
将3 mmol氧化镉（CdO），3mL油酸（Oleic acid）和6 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体1注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将2 mL的硒化三辛基膦前驱体和3mL的油酸镉前驱体分别以4 mL/h和6 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。注入到30 min时，将2mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体2和3mL的油酸镉前驱体分别以2 mL/h和3 mL/h速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具体结构4的红色量子点（CdxZn1-xSe/CdZnSe/CdzZn1-zSeS）。
实施例24：具有具体结构5的蓝色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将1 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将3 mL硫化三辛基膦前驱体以3 mL/h的速率连续注入1h到反应体系中，在硫化三辛基膦前驱体注入20 min时，将2 mL油酸镉前驱体以6 mL/h注入到反应体系中，在硫化三辛基膦前驱体注入40 min时，将4 mL油酸镉前驱体以12 mL/h注入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构5）的蓝色量子点（CdZnS/ZnS/CdZnS）。
实施例25：具有具体结构5的绿色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO），6 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将0.4 mmol硒粉（Selenium powder），4 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体1。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSeyS1-y，反应10 min后，将3 mL硫化三辛基膦前驱体以3 mL/h的速率连续注入1h到反应体系中，在硫化三辛基膦前驱体注入20min时，将2 mL油酸镉前驱体以6 mL/h注入到反应体系中，在硫化三辛基膦前驱体注入40min时，将4 mL油酸镉前驱体以12 mL/h注入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构5）的绿色量子点（CdZnSeS/ZnS/CdZnS）。
实施例26：具有具体结构5的红色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）和20 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder）在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将硫化三辛基膦前驱体以6 mmol/h的速率连续注入1h到反应体系中，在S-TOP注入20 min时，将0.2 mmol油酸镉前驱体以0.6mmol/h注入到反应体系中，在S-TOP注入40 min时，将0.4 mmol油酸镉前驱体以1.2 mmol/h注入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构（具体结构5）的红色量子点（CdZnSe/ZnS/CdZnS）。
实施例27：具有具体结构6的蓝色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，8 mL油酸（Oleic acid），和15 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250℃加热回流120 min，得到透明的油酸镉前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xS，反应10 min后，将硫化三辛基膦前驱体和油酸镉前驱体分别以6mmol/h和0.6 mmol/h的速率逐滴加入到反应体系中。30 min后，将反应体系温度降至280℃，将剩余的硫化三辛基膦前驱体和油酸镉前驱体分别以6mmol/h和0.6 mmol/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构6的蓝色量子点（CdxZn1-xS）。
实施例28：具有具体结构6的绿色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO），8 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10mL油酸（Oleic acid）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder），4 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
将2mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSeyS1-y，反应10 min后，将反应体系温度降至280℃，将硫化三辛基膦前驱体以4 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构6的绿色量子点（CdxZn1-xSeyS1-y/ZnS）。
实施例29：具有具体结构6的红色量子点的制备
油酸镉和油酸锌前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，14 mL油酸（Oleic acid）置于100 mL三口烧瓶中，于80℃下进行真空脱气60 min。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
将2 mmol硒粉（Selenium powder）在4mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将0.2 mmol硒粉（Selenium powder），0.6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉和油酸锌前驱体升温至310℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，先生成CdxZn1-xSe，反应10 min后，将反应体系温度降至280℃，将硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以4 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有具体结构6的红色量子点（CdxZn1-xSe/ZnSeS）。
实施例30：具有具体结构7的绿色量子点的制备
油酸镉第一前驱体制备：将1 mmol氧化镉（CdO），1 mL油酸（Oleic acid）和5 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。然后将其切换成氮气气氛下，并于该温度下保存以备待用。
油酸镉第二前驱体制备：将0.6 mmol氧化镉（CdO），0.6 mL油酸（Oleic acid）和5.4 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，在氮气氛围下250 ℃加热回流120mins，得到透明的油酸镉第二前驱体。
油酸锌前驱体制备：将9 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，7 mL油酸（Oleic acid），和10mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。然后将其切换成氮气气氛下，并于氮气氛围下250 ℃加热回流保存以备待用。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的十八烯（1-Octadecene）中，得到硫十八烯前驱体。
将6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在3 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉第一前驱体升温至310 ℃，将硫十八烯前驱体快速注入到反应体系中，迅速生成CdS，反应10 mins后，将油酸锌前驱体全部注入反应体系，随后将3mL的硫化三辛基膦前驱体和6 mL油酸镉第二前驱体分别以3 mL/h和10 mL/h的速率同时注入到反应体系中。
反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构的蓝色量子点。
实施例31：具有具体结构7的绿色量子点的制备
油酸镉前驱体制备：将0.4 mmol氧化镉（CdO）， 1 mL油酸（Oleic acid）和5 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。然后将其在氮气氛围下250 ℃加热回流，并于该温度下保存以备待用。
将0.4 mmol硒粉（Selenium powder），溶解在4 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦。
油酸锌前驱体制备：将8 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，9 mL油酸（Oleic acid）和15mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。在氮气氛围下250 ℃加热回流120 mins，得到透明的油酸锌前驱体。
将2 mmol硫粉（Sulfur powder）和1.6 mmol硒粉（Selenium powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉前驱体升温至310 ℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，迅速生成CdSe，反应5 mins后，将油酸锌前驱体全部注入到反应体系中，将2mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以2 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中，直至前驱体注入完。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构的绿色荧光量子点。
实施例32：具有具体结构7的红色量子点的制备
油酸镉前驱体制备：将0.8 mmol氧化镉（CdO），4 mL油酸（Oleic acid）和10 mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。然后将其在氮气氛围下250 ℃加热回流，并于该温度下保存以备待用。
油酸锌前驱体制备：12 mmol乙酸锌[Zn(acet)2]，10 mL油酸（Oleic acid）和10mL十八烯（1-Octadecene）置于100 mL三口烧瓶中，于80 ℃下进行真空脱气60 mins。
将0.8 mmol硒粉（Selenium powder）在4 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦前驱体。
将1 mmol硒粉（Selenium powder），0.6 mmol硫粉（Sulfur powder）溶解在2 mL的三辛基膦（Trioctylphosphine）中，得到硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体。
在氮气氛围下，将油酸镉前驱体升温至310 ℃，将硒化三辛基膦前驱体快速注入到反应体系中，迅速生成CdSe，反应10 mins后，将油酸锌前驱体全部注入到反应体系中，将2 mL的硒化三辛基膦-硫化三辛基膦前驱体以4 mL/h的速率逐滴加入到反应体系中。反应结束后，待反应液冷却至室温后，用甲苯和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到具有量子阱能级结构的红色荧光量子点。
进一步的，所述量子点材料还包括聚合物、预聚物(pre-polymer)、低聚物(oligomer)、小分子(small molecule)、无机材料中的一种或多种。
进一步的，所述量子点材料还包括基质，所述量子点结构单元随机分散或者均匀分散在所述基质中。所述基质可包含有一种或多种有机或无机材料。在一实施例中，所述基质可以包括：聚合物（例如，聚苯乙烯，环氧树脂等）或者玻璃（例如，硅玻璃, ITO玻璃等）或者凝胶（例如，硅凝胶）。所述基质不具有电导性。优选的基质包括但不局限于玻璃、树脂。在所述基质为树脂的具体实施例中，所述基质可以是一种低聚物或聚合物形式，如三聚氰胺树脂、酚醛树脂、烷基树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、马来树脂、聚酰胺树脂、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羟甲基纤维素中的一种，或者前述树脂的单体形成的共聚物。
在其它实施例中，所述基质可以是光聚合树脂，光聚合树脂包括烯酸或甲基丙烯酸酸的基础树脂，其具有活性的乙烯基基团，或是一种光交叉偶联的树脂，其通常包含光敏基团，如聚乙烯肉桂酸，以及类似。当然，所述基质材料也可选用热固性树脂。在某种实施例中，基质可包含一些散射体的树脂材料，金属或金属氧化物颗粒，空气泡，玻璃，聚合物微球（实心或空心），以及或其他选择性的添加物通常用于最终的使用。
在某些实施例中，所述量子点材料可包含可使合金半导体纳米晶（量子点结构单元）分散其中的非极性液体或极性液体。
基于上述实施例提供的量子点彩色滤光片，本发明还提供一种液晶显示面板，包括如上所述的量子点彩色滤光片（CF）、薄膜晶体管阵列基板（TFT）以及设置在彩色滤光片与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层。本发明提供的液晶显示面板比常规面板的色域和光能利用率高，其提高色域和光利用率的结构和原理在在上述实施例中已详细阐述，在此不再赘述。
本发明还提供一种液晶显示装置，包括如上所述的液晶显示面板。所述液晶显示装置可以的用于液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑、电子书阅读器等电子产品。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (26)

1.一种量子点彩色滤光片，包括彩色滤光层，其特征在于，所述彩色滤光层包括多个像素区域，所述像素区域排布有多个子像素滤光层；其中，至少一个子像素滤光层的材料为量子点材料；所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。
2.根据权利要求1所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述像素区域至少排布有红色子像素滤光层和绿色子像素滤光层；所述红色子像素滤光层和绿色子像素滤光层均为量子点材料，所述红色子像素滤光层在背光的激发下发出红光，所述绿色子像素滤光层在背光的激发下发出绿光。
3.根据权利要求2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述像素区域还设置有透明区域，所述透明区域对应显示背光的颜色。
4.根据权利要求2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述像素区域还排布有蓝色子像素滤光层；所述蓝色子像素滤光层为量子点材料，所述蓝色子像素滤光层在背光的激发下发出蓝光。
5.根据权利要求3或4所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述像素区域还排布有白色子像素滤光层；所述白色子像素滤光层为量子点材料，所述白色子像素滤光层在背光的激发下发出白光。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述背光为蓝光。
7.根据权利要求6所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点彩色滤光片还包括基板、保护层及导电层，所述彩色滤光层设置在所述基板上，所述保护层覆盖在所述彩色滤光层的上表面，所述导电层覆盖在所述保护层的上表面；所述彩色滤光层中设置有用于分隔子像素滤光层的黑色矩阵。
8.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元包括红色量子点结构单元、绿色量子点结构单元和蓝色量子点结构单元中的一种或多种。
9.根据权利要求4所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述红色子像素滤光层的量子点结构单元包括红色量子点结构单元，所述绿色子像素滤光层的量子点结构单元包括绿色量子点结构单元。
10.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料还包括聚合物、预聚物、低聚物、小分子、无机材料中的一种或多种。
11.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料还包括基质，所述量子点结构单元随机分散或者均匀分散在所述基质中。
12.根据权利要求11所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述基质包括聚合物、玻璃、凝胶中的一种。
13.根据权利要求11所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述基质包括三聚氰胺树脂、酚醛树脂、烷基树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、马来树脂、聚酰胺树脂、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羟甲基纤维素中的一种，或者包括前述树脂的单体形成的共聚物。
14.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
15.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中，至少三个量子点结构单元中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一组分结构。
16.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料包括两种类型的量子点结构单元，其中一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，所述两种类型的量子点结构单元沿径向方向依次交替分布，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
17.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
18.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
19.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种量子点结构单元为均一组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元。
20.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为均一组分结构，另一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元，所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
21.根据权利要求1或2所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。
22.根据权利要求21所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点结构单元包括2-20层单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层。
23.根据权利要求1所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。
24.根据权利要求1所述的量子点彩色滤光片，其特征在于，所述量子点材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。
25.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-24任意一项所述的量子点彩色滤光片、薄膜晶体管阵列基板以及设置在彩色滤光片与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层。
26.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求25所述的液晶显示面板。
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