CN104638068B - 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法 - Google Patents

一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104638068B
CN104638068B CN201310548758.4A CN201310548758A CN104638068B CN 104638068 B CN104638068 B CN 104638068B CN 201310548758 A CN201310548758 A CN 201310548758A CN 104638068 B CN104638068 B CN 104638068B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sio
growth
iii
protrusion
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201310548758.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104638068A (zh
Inventor
郝茂盛
朱广敏
袁根如
邢志刚
李振毅
齐胜利
刘文弟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Xinyuanji Semiconductor Technology Co Ltd
Shanghai Blue Light Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Xinyuanji Semiconductor Technology Co Ltd
Shanghai Blue Light Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Xinyuanji Semiconductor Technology Co Ltd, Shanghai Blue Light Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Xinyuanji Semiconductor Technology Co Ltd
Priority to CN201310548758.4A priority Critical patent/CN104638068B/zh
Priority to PCT/CN2013/090289 priority patent/WO2015066955A1/zh
Priority to PCT/CN2014/090414 priority patent/WO2015067182A1/zh
Priority to JP2016552661A priority patent/JP2017504221A/ja
Priority to KR1020167015087A priority patent/KR20160122118A/ko
Priority to CN201480009718.5A priority patent/CN105190915A/zh
Priority to US15/035,274 priority patent/US10230018B2/en
Priority to TW103138560A priority patent/TWI574434B/zh
Priority to TW103138556A priority patent/TWI521734B/zh
Priority to US15/035,314 priority patent/US20160359083A1/en
Priority to PCT/CN2014/090415 priority patent/WO2015067183A1/zh
Priority to KR1020167015088A priority patent/KR20160120271A/ko
Publication of CN104638068A publication Critical patent/CN104638068A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104638068B publication Critical patent/CN104638068B/zh
Priority to JP2018003891U priority patent/JP3219854U/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02513—Microstructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1‑xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过光刻胶的加热回流工艺和ICP刻蚀工艺制备出周期性排列的包状的SiO2凸起，本发明既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。

Description

一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体照明领域，特别是涉及一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法。
背景技术
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由III-V族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
现有的发光二极管一般采用蓝宝石作为制备衬底，为了提高发光二极管的出光效率，会于蓝宝石衬底表面制备出周期排列的多个凸起结构，然后再制备GaN基发光外延结构。然而，具有凸起结构的蓝宝石衬底，直接进行GaN发光外延结构的沉积往往会带来巨大的晶体缺陷，严重影响发光二极管的亮度，因此，现有的一种制备过程是，先于1100℃左右对具有凸起结构的蓝宝石衬底表面进行H2还原处理，然后通入反应源，采用低温化学气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积一层低温GaN层，接着停止反应源的通入，并升温至1050℃左右使该层低温GaN层在蓝宝石衬底表面的平台上进行重组，形成GaN基发光外延结构的成核位置，最后开始沉积GaN基发光外延结构，完成后续发光二极管的制备。
对于以上的发光二极管制备方法，需要多步才能形成GaN基发光外延结构的成核位置，工艺复杂，成本较高，而且，蓝宝石衬底的折射率较高，为1.8左右，即使于其表面形成凸起结构，对发光二极管的出光率的提升也有很大的限制。
因此，提供一种可以有效提高GaN基发光二极管生长质量、并且能提高发光二极管出光率的制备方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，用于解决现有技术中发光二极管生长质量及出光率低等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，至少包括以下步骤：
1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；
2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；
3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述生长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的的一种优选方案，所述缓冲层的厚度为50～400埃。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述缓冲层为采用低温化学气相沉积法所制备的低温AlxGa1-xN层，0≤X≤0.5，制备的温度范围为450～700℃。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述缓冲层为采用溅射法所制备的AlN层，所述AlN层的主要晶向为（0001）取向。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述缓冲层为BN材料层。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，步骤2）采用等离子体增强化学气相沉积法于所述缓冲层表面形成SiO2层。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，步骤2）所述的SiO2层的厚度为0.2～2μm。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述多个SiO2凸起呈周期性间隔排列，SiO2凸起的宽度为1～4μm，间距为0.5～3μm。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法的一种优选方案，步骤3）所述的SiO2凸起为SiO2包状凸起、SiO2圆锥状凸起或SiO2金字塔状凸起。
进一步地，所述SiO2凸起为SiO2包状凸起，步骤3）包括以下步骤：
3-1）于所述SiO2层表面形成光刻胶层，通过曝光工艺将所述光刻胶层制作成间隔排列的多个光刻胶块；
3-2）通过加热回流工艺使所述多个光刻胶块回流成多个包状的光刻胶块；
3-3）采用感应耦合等离子体刻蚀法将各该包状的光刻胶块的形状转移至所述SiO2层，形成多个SiO2包状凸起，且露出各该SiO2包状凸起之间的缓冲层，用于后续GaN基发光外延结构的成核生长。
本发明还提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，至少包括：生长衬底；用于后续发光外延结构生长的缓冲层，结合于所述生长衬底表面；以及多个SiO2凸起，间隔排列于所述缓冲层表面。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述生长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述缓冲层的厚度为50～400埃。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述缓冲层为（0001）晶向的AlN层；或AlxGa1-xN层，其中，0≤X≤0.5；或BN材料层。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述SiO2凸起的高度为0.2～3μm。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述多个SiO2凸起呈周期性间隔排列，SiO2凸起的宽度为1～4μm，间距为0.5～2μm。
作为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的一种优选方案，所述SiO2凸起为SiO2包状凸起、SiO2圆锥状凸起或SiO2金字塔状凸起。
如上所述，本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过光刻胶的加热回流工艺和ICP刻蚀工艺制备出周期性排列的包状的SiO2凸起。本发明既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。
附图说明
图1～图2显示为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法步骤1）所呈现的结构示意图。
图3显示为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法步骤2）所呈现的结构示意图。
图4～图7显示为本发明的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法步骤3）所呈现的结构示意图。
元件标号说明
101 生长衬底
102 缓冲层
103 SiO2层
104 光刻胶层
105 光刻胶块
106 包状的光刻胶块
107 SiO2凸起
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
如图1～图7所示，本实施例提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，至少包括以下步骤：
如图1～图2所示，首先进行步骤1），提供一生长衬底101，于所述生长衬底101表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层102。
作为示例，所述生长衬底101的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。在本实施例中，所述生长衬底101为平片型蓝宝石衬底，其表面为平直面。所述缓冲层102为采用低温化学气相沉积法所制备的低温AlxGa1-xN层（0≤X≤0.5），优选为低温AlxGa1-xN层（0≤X≤0.2），制备的温度范围为450～700℃。在本实施例中，所述低温AlxGa1-xN层（0≤X≤0.5）的制备温度为500℃，所述低温AlxGa1-xN层（0≤X≤0.5）为低温GaN层或Al0.1Ga0.9N层等。
作为示例，所述缓冲层102的厚度为50～400埃。在本实施例中，所述缓冲层102的厚度为200埃。当然，此处所列举的厚度范围为最优选的范围，在其它的实施例中，所述缓冲层102的厚度可以根据实际需求进行选择，并不限定于此。
由于所述低温AlxGa1-xN层制备的温度较低，所需制备的厚度较小，在保证后续发光外延结构（尤其是GaN基发光外延结构）成核生长的同时，可以有效地降低生产成本。
如图3所示，然后进行步骤2），于所述缓冲层102表面形成SiO2层103。
在本实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积法于所述缓冲层102表面形成SiO2层103。当然，在其它的实施例中，所述SiO2层103可以采用预期的一切制备方法进行制备，并不限定于此处所列举的一种。
作为示例，所述的SiO2层103的厚度为0.2～3μm。在本实施例中，所述SiO2层103的厚度为1μm。
如图4～图7所示，最后进行步骤3），通过光刻工艺将所述SiO2层103刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起107，且露出各该SiO2凸起107之间的缓冲层102。
作为示例，所述多个SiO2凸起107呈周期性间隔排列，SiO2凸起107的宽度为1～4μm，间距为0.5～2μm。在本实施例中，所述SiO2凸起107的周期为3μm，宽度为2μm，间距为1μm。
作为示例，所述的SiO2凸起107为SiO2包状凸起。表面较平缓的SiO2包状凸起可以有效提高后续发光外延结构（尤其是GaN基发光外延结构）的生长质量。当然，在其它的实施例中，所述SiO2凸起107也可以为SiO2圆锥状凸起、SiO2金字塔状凸起等，并不限定于此。
具体地，步骤3）包括以下步骤：
如图4～图5所示，首先进行步骤3-1），于所述SiO2层103表面形成光刻胶层104，通过曝光工艺将所述光刻胶层104制作成间隔排列的多个光刻胶块105。在本实施例中，所述多个光刻胶块105为长方体状。
如图6所示，然后进行步骤3-2），通过加热回流工艺使所述多个光刻胶块105回流成多个包状的光刻胶块106。
如图7所示，最后进行步骤3-3），采用感应耦合等离子体刻蚀法将各该包状的光刻胶块106的形状转移至所述SiO2层103，形成多个SiO2包状凸起，且露出各该SiO2包状凸起之间的缓冲层102，用于后续GaN基发光外延结构的生长。当然，通过不同的工艺可以制作出不同的光刻胶形状，如圆锥状、金字塔状等，以此为掩膜层可制备出SiO2圆锥状凸起、SiO2金字塔状凸起等。
由于SiO2的折射率一般为1.3～1.4，相比于蓝宝石衬底101有较大的降低，因此，可以有效提高GaN基发光二极管的出光率。
如图7所示，本实施例还提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，至少包括：生长衬底101；后续发光外延结构生长的缓冲层102，结合于所述生长衬底表面；以及多个SiO2凸起107，间隔排列于所述缓冲层102表面。
作为示例，所述生长衬底101的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。在本实施例中，所述生长衬底101为蓝宝石衬底。
在本实施例中，所述缓冲层102为AlxGa1-xN层，其中，0≤X≤0.5。
作为示例，所述缓冲层102的厚度为50～400埃；所述SiO2凸起107的高度为0.2～3μm。
作为示例，所述多个SiO2凸起107呈周期性间隔排列，SiO2凸起107的宽度为1～4μm，间距为0.5～2μm。
作为示例，所述SiO2凸起107为SiO2包状凸起、SiO2圆锥状凸起或SiO2金字塔状凸起。
实施例2
如图1～图7所示，本实施例提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其基本步骤如实施例1，其中，所述缓冲层102为采用溅射法所制备的AlN层，所述AlN层的晶向或者主要晶向为（0001）取向。相比于低温AlxGa1-xN层，溅射法制备AlN层的好处是厚度可控性强、晶向取向度较高，同时也有利于发光外延结构（尤其是GaN基发光外延结构）的成核生长。
如图7所示，本实施例还提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其基本结构如实施例1，其中，所述缓冲层102为（0001）晶向的AlN层或（0001）为主要晶向的AlN层。
实施例3
如图1～图7所示，本实施例提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其基本步骤如实施例1，其中，所述缓冲层102为BN材料层，可以采用溅射等方法制备。
如图7所示，本实施例还提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其基本结构如实施例1，其中，所述缓冲层102为BN材料层。
如上所述，如上所述，本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）通过光刻工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过光刻胶的加热回流工艺和ICP刻蚀工艺制备出周期性排列的包状的SiO2凸起。本发明既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1)提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；
2)于所述缓冲层表面形成SiO2层，其中，所述的SiO2层的厚度为1～3μm；
3)通过光刻工艺以及感应耦合等离子体刻蚀法将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起，且露出各该SiO2凸起之间的缓冲层，步骤3)包括以下步骤：
3-1)于所述SiO2层表面形成光刻胶层，通过曝光工艺将所述光刻胶层制作成间隔排列的多个光刻胶块；
3-2)通过加热回流工艺使所述多个光刻胶块回流成多个包状的光刻胶块；
3-3)采用感应耦合等离子体刻蚀法将各该包状的光刻胶块的形状转移至所述SiO2层，形成多个SiO2包状凸起，且露出各该SiO2包状凸起之间的缓冲层，用于后续发光外延结构的生长。
2.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述生长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。
3.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层的厚度为50～400埃。
4.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层为采用化学气相沉积法所制备的AlxGa1-xN层，0≤X≤0.5，制备的温度范围为450～700℃。
5.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层为采用溅射法所制备的AlN层，所述AlN层的晶向为(0001)取向。
6.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层为BN材料层。
7.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：步骤2)采用等离子体增强化学气相沉积法于所述缓冲层表面形成SiO2层。
8.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：所述多个SiO2凸起呈周期性间隔排列，SiO2凸起的宽度为1～4μm，间距为0.5～2μm。
9.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法，其特征在于：步骤3)所述的SiO2凸起为SiO2包状凸起、SiO2圆锥状凸起或SiO2金字塔状凸起。
10.一种如权利要求1-9任意一项所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法制备的衬底结构，其特征在于，用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构至少包括：
生长衬底；
用于后续发光外延结构生长的缓冲层，结合于所述生长衬底表面；以及
多个SiO2凸起，间隔排列于所述缓冲层表面，其中，所述SiO2凸起的高度为1～3μm。
11.根据权利要求10所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其特征在于：所述生长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。
12.根据权利要求10所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其特征在于：所述缓冲层的厚度为50～400埃。
13.根据权利要求10所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其特征在于：所述缓冲层为(0001)晶向的AlN层；或AlxGa1-xN层，其中，0≤X≤0.5；或BN材料层。
14.根据权利要求10所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其特征在于：所述多个SiO2凸起呈周期性间隔排列，SiO2凸起的宽度为1～4μm，间距为0.5～2μm。
15.根据权利要求10所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构，其特征在于：所述SiO2凸起为SiO2包状凸起、SiO2圆锥状凸起或SiO2金字塔状凸起。
CN201310548758.4A 2013-11-07 2013-11-07 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法 Expired - Fee Related CN104638068B (zh)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310548758.4A CN104638068B (zh) 2013-11-07 2013-11-07 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
PCT/CN2013/090289 WO2015066955A1 (zh) 2013-11-07 2013-12-24 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
US15/035,314 US20160359083A1 (en) 2013-11-07 2014-11-06 Substrate used for group iii-v nitride growth and method for preparation thereof
KR1020167015087A KR20160122118A (ko) 2013-11-07 2014-11-06 Iii-v족 질화물 성장에 이용되는 기판 및 그 제조 방법
CN201480009718.5A CN105190915A (zh) 2013-11-07 2014-11-06 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法
US15/035,274 US10230018B2 (en) 2013-11-07 2014-11-06 Substrate used for III-V-nitride growth and manufacturing method thereof
PCT/CN2014/090414 WO2015067182A1 (zh) 2013-11-07 2014-11-06 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法
TW103138556A TWI521734B (zh) 2013-11-07 2014-11-06 A III-V nitride semiconductor epitaxial wafer, a device comprising the epitaxial wafer, and a method for preparing the same
JP2016552661A JP2017504221A (ja) 2013-11-07 2014-11-06 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法
PCT/CN2014/090415 WO2015067183A1 (zh) 2013-11-07 2014-11-06 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法
KR1020167015088A KR20160120271A (ko) 2013-11-07 2014-11-06 Iii-v족 질화물 반도체 에피택시얼 웨이퍼, 상기 에피택시얼 웨이퍼를 포함하는 장치 및 그 제조 방법
TW103138560A TWI574434B (zh) 2013-11-07 2014-11-06 A substrate for the growth of Group III-V nitride and a preparation method thereof
JP2018003891U JP3219854U (ja) 2013-11-07 2018-10-09 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ及びｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体デバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310548758.4A CN104638068B (zh) 2013-11-07 2013-11-07 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104638068A CN104638068A (zh) 2015-05-20
CN104638068B true CN104638068B (zh) 2018-08-24

Family

ID=53040823

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310548758.4A Expired - Fee Related CN104638068B (zh) 2013-11-07 2013-11-07 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
CN201480009718.5A Pending CN105190915A (zh) 2013-11-07 2014-11-06 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480009718.5A Pending CN105190915A (zh) 2013-11-07 2014-11-06 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20160359083A1 (zh)
JP (2) JP2017504221A (zh)
KR (2) KR20160122118A (zh)
CN (2) CN104638068B (zh)
TW (2) TWI574434B (zh)
WO (3) WO2015066955A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6375890B2 (ja) 2014-11-18 2018-08-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
CN104993023B (zh) * 2015-05-29 2018-06-05 上海芯元基半导体科技有限公司 一种利用化学腐蚀的方法剥离生长衬底的方法
CN105575797A (zh) * 2015-12-23 2016-05-11 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法
WO2017119711A1 (ko) * 2016-01-05 2017-07-13 엘지이노텍(주) 반도체 소자
CN106340571B (zh) * 2016-09-12 2019-05-14 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管及其制作方法
CN106784217A (zh) * 2016-12-12 2017-05-31 上海芯元基半导体科技有限公司 复合衬底、半导体器件结构及其制备方法
CN106684256A (zh) * 2016-12-23 2017-05-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
EP3346508B1 (en) 2017-01-10 2023-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor and image sensor including graphene quantum dots
CN110112271A (zh) * 2019-06-14 2019-08-09 江西乾照光电有限公司 一种底层带有凹纳米图形的led外延结构及其制作方法
FR3086097B1 (fr) * 2018-09-18 2020-12-04 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent
CN110923808A (zh) * 2018-09-19 2020-03-27 中国科学院上海高等研究院 一种双壳层结构籽晶衬底及其制备方法
JP7298111B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-27 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
CN110571311B (zh) * 2019-07-30 2021-12-14 中国科学技术大学 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件
JP7137539B2 (ja) * 2019-08-06 2022-09-14 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
CN112467005A (zh) * 2020-11-18 2021-03-09 福建中晶科技有限公司 一种多复合层图形化蓝宝石衬底的制备方法
CN112563377A (zh) * 2020-12-09 2021-03-26 武汉大学 生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片
CN112687777B (zh) * 2020-12-18 2021-12-03 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
KR20230073549A (ko) 2021-11-19 2023-05-26 주식회사루미지엔테크 질화물막의 성장 방법
CN115267953A (zh) * 2022-07-29 2022-11-01 深圳通感微电子有限公司 微透镜的制备方法及制得的微透镜
CN116978991B (zh) * 2023-09-22 2023-12-12 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444254A (zh) * 2002-02-27 2003-09-24 索尼公司 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
CN102694087A (zh) * 2006-04-25 2012-09-26 新加坡国立大学 电子器件及其制造方法
CN102959739A (zh) * 2010-12-08 2013-03-06 崇高种子公司 Iii族氮化物半导体器件及其制造方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3026087B2 (ja) * 1989-03-01 2000-03-27 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
WO1998047170A1 (en) * 1997-04-11 1998-10-22 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device
JP3196833B2 (ja) * 1998-06-23 2001-08-06 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
JP2001196699A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Sony Corp 半導体素子
TW518767B (en) * 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP4595198B2 (ja) * 2000-12-15 2010-12-08 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP3966207B2 (ja) * 2003-03-28 2007-08-29 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
CN1306624C (zh) 2003-07-16 2007-03-21 璨圆光电股份有限公司 选择性生长的发光二极管结构
EP3699963A1 (en) * 2003-08-19 2020-08-26 Nichia Corporation Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate
US6977219B2 (en) * 2003-12-30 2005-12-20 Intel Corporation Solvent vapor-assisted plasticization of photoresist films to achieve critical dimension reduction during temperature reflow
JP2005223154A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Nichia Chem Ind Ltd 基板の形成方法、半導体基板及び半導体素子
JP4652888B2 (ja) * 2004-05-27 2011-03-16 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系半導体積層構造体の製造方法
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100588377B1 (ko) * 2005-05-10 2006-06-09 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP5023318B2 (ja) * 2005-05-19 2012-09-12 国立大学法人三重大学 ３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
JP2007214276A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Mitsubishi Chemicals Corp 発光素子
JP2008034444A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びランプ
JP5311765B2 (ja) * 2006-09-15 2013-10-09 住友化学株式会社 半導体エピタキシャル結晶基板およびその製造方法
KR100902512B1 (ko) * 2007-05-17 2009-06-15 삼성코닝정밀유리 주식회사 실리콘 기판 상에 ＧａＮ 단결정의 성장 방법, ＧａＮ기반의 발광소자의 제조방법 및 ＧａＮ 기반의 발광소자
CN101471401A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 深圳市方大国科光电技术有限公司 蓝宝石衬底发光二极管芯片的外延生长方法
CN100563037C (zh) * 2008-07-30 2009-11-25 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN101964382B (zh) * 2009-07-21 2012-12-26 展晶科技(深圳)有限公司 提高光萃取效率的半导体光电结构及其制造方法
JP2011119627A (ja) * 2009-12-05 2011-06-16 Mtec:Kk 半導体装置
JP5512877B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-04 シーエスソリューション・カンパニー・リミッテド 半導体テンプレート基板、半導体テンプレート基板を用いる発光素子及びその製造方法
CN101820041A (zh) * 2010-04-01 2010-09-01 晶能光电（江西）有限公司 降低硅衬底led外延应力的方法以及结构
JP5725023B2 (ja) * 2010-06-28 2015-05-27 日亜化学工業株式会社 サファイア基板とその製造方法及び窒化物半導体発光素子
CN102485944A (zh) 2010-12-03 2012-06-06 武汉迪源光电科技有限公司 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构
CN102130245A (zh) 2010-12-23 2011-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
JP5955226B2 (ja) * 2010-12-29 2016-07-20 シャープ株式会社 窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体トランジスタ素子、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法
TWI514614B (zh) 2011-08-30 2015-12-21 Lextar Electronics Corp 固態發光半導體結構及其磊晶層成長方法
TWI437737B (zh) * 2011-09-14 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
CN102368526A (zh) * 2011-10-27 2012-03-07 华灿光电股份有限公司 一种近紫外led器件的制造方法
JP2013187296A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Sharp Corp 窒化物半導体素子形成用ウエハ、窒化物半導体素子形成用ウエハの製造方法、窒化物半導体素子、および窒化物半導体素子の製造方法
JP5874495B2 (ja) * 2012-03-29 2016-03-02 豊田合成株式会社 Ｇａを含むＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法
JP5811009B2 (ja) * 2012-03-30 2015-11-11 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体
CN103840041A (zh) * 2013-12-03 2014-06-04 上海蓝光科技有限公司 一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法
CN103840051A (zh) * 2013-12-03 2014-06-04 上海蓝光科技有限公司 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444254A (zh) * 2002-02-27 2003-09-24 索尼公司 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
CN102694087A (zh) * 2006-04-25 2012-09-26 新加坡国立大学 电子器件及其制造方法
CN102959739A (zh) * 2010-12-08 2013-03-06 崇高种子公司 Iii族氮化物半导体器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015066955A1 (zh) 2015-05-14
CN104638068A (zh) 2015-05-20
KR20160122118A (ko) 2016-10-21
KR20160120271A (ko) 2016-10-17
US20160359082A1 (en) 2016-12-08
TWI521734B (zh) 2016-02-11
CN105190915A (zh) 2015-12-23
TW201521223A (zh) 2015-06-01
US10230018B2 (en) 2019-03-12
TWI574434B (zh) 2017-03-11
US20160359083A1 (en) 2016-12-08
JP3219854U (ja) 2019-01-31
WO2015067183A1 (zh) 2015-05-14
TW201521228A (zh) 2015-06-01
WO2015067182A1 (zh) 2015-05-14
JP2017504221A (ja) 2017-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104638068B (zh) 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
CN104617194B (zh) GaN基LED外延结构的制备方法
CN100495750C (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
CN104701432A (zh) GaN 基LED 外延结构及其制备方法
CN103700735B (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN105336821A (zh) GaN基LED外延结构及其制备方法
CN103840041A (zh) 一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法
CN105529382B (zh) 一种红黄光的发光二极管外延片及芯片的制备方法
CN103413877A (zh) 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN102214745B (zh) 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
WO2017181710A1 (zh) 一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法
CN107507891B (zh) 提高内量子效率的led外延生长方法
CN103840051A (zh) 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法
CN104681681B (zh) 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
CN102867895A (zh) 一种有效提高led侧面出光的外延结构及其制造方法
CN104465919B (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN104347770A (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN207909908U (zh) 紫外发光二极管
CN103996766A (zh) 氮化镓基发光二极管及其制备方法
CN102683521B (zh) 发光二极管的制造方法
CN104347765A (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN201773862U (zh) 一种高亮度发光二极管晶粒
TW201242076A (en) LED and method for manufacturing the same
CN104134728B (zh) 一种发光二极管的制造方法
CN201758137U (zh) 高亮度发光二极管晶粒

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180824