JP5874495B2 - Gaを含むIII族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献1は、ファセット成長のための結晶核を得るための熱処理であり、貫通転位の発生起点の密度を減少させるものではない。
バッファ層の形成温度は400℃としたが、300℃以上600℃以下において、バッファ層は多結晶、非晶質、又は、多結晶と非晶質の混在した状態となるので、その温度範囲を用いることができる。また、バッファ層の厚さは、10nmとしたが、1nm以上、100nm以下の範囲とすることができる。この厚さの範囲において、バッファ層を多結晶、非晶質、又は、多結晶と非晶質の混在した状態とすることができる。
また、バッファ層はスパッタリングにより形成しても良い。この時、基板温度は、300℃以上、600℃以下とすることが望ましい。
第3ESD層112は、ノンドープのGaNである。第3ESD層112の厚さは50〜200nmである。第3ESD層112はノンドープであるが、残留キャリアによりキャリア濃度が1×1016〜1×1017/cm3 となっている。なお、第3ESD層112には、キャリア濃度が5×1017/cm3 以下となる範囲でSiがドープされていてもよい。
用いた結晶成長方法は有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)である。ここで用いられたガスは、キャリアガスは水素と窒素(H2 又はN2 )を用い、窒素源には、アンモニアガス(NH3 )、Ga源には、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3:以下「TMG」と書く。) 、In源には、トリメチルインジウム(In(CH3)3:以下「TMI」と書く。) 、Al源には、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3:以下「TMA」と書く。) 、n型ドーパントガスには、シラン(SiH4 )、p型ドーパントガスには、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5 H5 )2 :以下「CP2 Mg」と書く。)を用いた。
101:n型コンタクト層
102:ESD層
103:n型クラッド層
104:発光層
106:p型クラッド層
107:p型コンタクト層
108:p電極
120:バッファ層
130:n電極
110:第1ESD層
111:第2ESD層
112:第3ESD層
113:第4ESD層
131:Iny Ga1-y N層
132:Alx Ga1-x N層
133:GaN層
Claims (1)
- サファイア基板上にIII 族窒化物半導体を成長させる方法において、
前記サファイア基板上に、AlN、又は、Alx Ga1-x N(0<x<1)から成る多結晶、非晶質、又は、多結晶と非晶質の混在した状態の厚さ1nm以上、100nm以下のバッファ層を、基板温度を300℃以上、600℃以下の範囲にして、MOCVD法により形成し、
前記バッファ層の形成された前記基板を、温度1300℃以上1700℃以下の範囲で、前記バッファ層上にGaN半導体の単結晶が成長する温度よりも高く、GaN半導体が成長しない温度で、水素ガスとアンモニアガスを流した状態で熱処理することにより隣接する結晶粒を固相成長により合体させてより大きな単結晶の結晶核の集合体を形成して、前記バッファ層の表面の凹凸の高さと深さの標準偏差で表した表面粗さを0.68nm以下とし、且つ、前記バッファ層の結晶核密度を熱処理の前に比べて低減させた7×1010/cm2 以下とし、
その熱処理の後、前記基板の温度を、GaN半導体の単結晶が成長する温度まで降温して、その温度を保持して、
GaN半導体を、MOCVD法により、前記バッファ層上に成長させる
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の成長方法。
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