CN104372384A - 一种超厚电子铜箔的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超厚电子铜箔的制造方法，步骤如下：经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔。本发明相比现有技术具有以下优点：改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，可根据实际情况进行调整满足多种规格铜箔的生产要求，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，显著提高了铜箔的剥离强度。
Description
技术领域
本发明涉及电子铜箔制造技术领域，尤其涉及的是一种超厚电子铜箔的制造方法。
背景技术
电子铜箔则是覆铜板不可或缺的基础关键材料，也是印制电路板中唯一的导电材料，被誉为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。进入21世纪以来，随着电子技术、电动汽车及工业机器人制造行业的快速发展，PCB上集成的功能元件数越来越多，对线路的电流导通能力和承载能力的要求越来越高，线路板用铜箔会越来越厚，而能够提供大电流和将电源集成的超厚铜印制电路板将逐渐成为今后线路板行业发展的一个趋势。因此，电子铜箔的超厚化，代表着铜箔产品未来发展的一个主要方向，应用前景十分广阔。
目前，采用普通电子铜箔的制造工艺来生产超厚铜箔，铜箔会由于毛面结晶过于粗大而导致表面粗糙度大，经粗化处理后铜箔的剥离强度较低，且极易产生铜粉，严重影响铜箔的质量及使用性能。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种超厚电子铜箔的制造方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，步骤如下：经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产的超厚铜箔，具体如下：
生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000～8000A/m2，生箔液温度控制在40～60℃，生箔液中硫酸的浓度为100～160g/L,二价铜离子的浓度为65～95g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含0.5～2.0g/L浓度的低分子量水解明胶，低分子量水解明胶的分子量在10000以下，1.0～2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，高分子量羟乙基纤维素的分子量在100000以上，0.1～1.0g/L浓度的药用糊精，0.1～0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.1～0.5g/L浓度的葡萄糖和10～30mg/L浓度的盐酸；
第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；
第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；
第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，镀锌液中焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含1.0g/L浓度的低分子量水解明胶，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.5g/L浓度的药用糊精，0.3g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和20mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂中包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含1.5g/L浓度的低分子量水解明胶，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.7g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和25mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含2.0g/L浓度的低分子量水解明胶，1.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.1g/L浓度的药用糊精，0.1g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和10mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为30ppm的盐酸，浓度为15ppm的钨酸钠，浓度为20ppm的硫酸钴，浓度为20ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为40ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为30ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
作为优化，生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，粗化混合添加剂包含浓度为10ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为15ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
本发明相比现有技术具有以下优点：
1、本发明的生箔混合添加剂由低分子量水解明胶、高分子量羟乙基纤维素、药用糊精、聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，影响铜离子电沉积过程，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
2、本发明的生箔添加剂流量可根据实际情况进行调整满足多种规格(105um-210um)铜箔的生产要求。
3、本发明的粗化层处理添加剂为混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，显著提高了铜箔的剥离强度。
附图说明
图1为超厚电子铜箔的生箔毛面电镜图(2000放大倍数)。
图2为超厚电子铜箔经处理后的的毛面电镜图(2000放大倍数)。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为8000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为110g/L,二价铜离子的浓度为70g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含1.0g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，0.5g/L浓度的药用糊精，0.3g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和20mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
参照图1和图2，分别是超厚电子铜箔的生箔毛面电镜图(2000放大倍数)和超厚电子铜箔经处理后的的毛面电镜图(2000放大倍数)，该方法制作的超厚电子铜箔符合工艺要求。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.2N/mm。
实施例2
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为140g/L,二价铜离子的浓度为80g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含1.5g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，0.7g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和25mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.3N/mm。
实施例3
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为7000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为120g/L,二价铜离子的浓度为75g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含2.0g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，1.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，0.1g/L浓度的药用糊精，0.1g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和10mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.5N/mm。
实施例4
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为130g/L,二价铜离子的浓度为70g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.2N/mm。
实施例5
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为7000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为110g/L,二价铜离子的浓度为70g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为30ppm的盐酸，浓度为15ppm的钨酸钠，浓度为20ppm的硫酸钴，浓度为20ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为30ppm的盐酸，浓度为15ppm的钨酸钠，浓度为20ppm的硫酸钴，浓度为20ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.3N/mm。
实施例6
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为8000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为140g/L,二价铜离子的浓度为75g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为40ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为30ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为40ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为30ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.2N/mm。
实施例7
一种超厚电子铜箔的制造方法，经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体步骤如下：
1、生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000A/m2，生箔液温度控制在40℃，生箔液中硫酸的浓度为130g/L,二价铜离子的浓度为80g/L,生箔液中还包括生箔添加剂，生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶(分子量10000以下)，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素(分子量100000以上)，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸；
2、第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为10ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为15ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
3、第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
4、第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,粗化液中还包括粗化混合添加剂，混合添加剂包含浓度为10ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为15ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲；
5、第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
6、第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，固化液温度控制在30℃，固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
7、黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，黑化液温度控制在28℃，黑化液pH值为5.3,黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
8、镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，镀锌液温度控制在40℃，镀锌液pH值为9.6,镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
9、防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，防氧化液温度控制在30℃，防氧化液pH值为11.3,防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
10、偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
生箔添加剂，由低分子量水解明胶，高分子量羟乙基纤维素，药用糊精，聚二硫二丙磺酸钠、葡萄糖和盐酸按一定比例组成。在大电流(电流密度6000～8000A/m2)生箔制造中该添加剂通过增大极化作用，改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，表面粗糙度Rz≤18μm。
粗化混合添加剂，其主要成分为盐酸、钨酸钠、硫酸钴和乙撑硫脲，并采用“两粗三固”的微细粗化层处理工艺，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，铜箔的剥离强度达到3.5N/mm。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，步骤如下：经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体如下：
生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000～8000A/m2，所述生箔液温度控制在40～60℃，所述生箔液中硫酸的浓度为100～160g/L,二价铜离子的浓度为65～95g/L,所述生箔液中还包括生箔添加剂，所述生箔添加剂中包含0.5～2.0g/L浓度的低分子量水解明胶，所述低分子量水解明胶的分子量在10000以下，1.0～2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，所述高分子量羟乙基纤维素的分子量在100000以上，0.1～1.0g/L浓度的药用糊精，0.1～0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.1～0.5g/L浓度的葡萄糖和10～30mg/L浓度的盐酸；
第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，所述粗化液温度控制在30℃，所述粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,所述粗化液中还包括粗化混合添加剂，所述混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；
第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为5A/dm2，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,所述粗化液中还包括粗化混合添加剂，所述混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；
第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为25A/dm2，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm2，二段电流密度为15A/dm2，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；
黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m2，二段电流密度为25A/m2，所述黑化液温度控制在28℃，所述黑化液pH值为5.3,所述黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；
镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m2，二段电流密度为65A/m2，光面电流密度为100A/m2，所述镀锌液温度控制在40℃，所述镀锌液pH值为9.6,所述镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，所述镀锌液中焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；
防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m2，二段电流密度为110A/m2，光面电流密度为98A/m2，所述防氧化液温度控制在30℃，所述防氧化液pH值为11.3,所述防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；
偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，所述有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；
上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。
2.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含1.0g/L浓度的低分子量水解明胶，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.5g/L浓度的药用糊精，0.3g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和20mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂中包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
3.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含1.5g/L浓度的低分子量水解明胶，1.5g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.7g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.3g/L浓度的葡萄糖和25mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
4.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含2.0g/L浓度的低分子量水解明胶，1.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，0.1g/L浓度的药用糊精，0.1g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和10mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
5.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为20ppm的盐酸，浓度为10ppm的钨酸钠，浓度为10ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
6.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为30ppm的盐酸，浓度为15ppm的钨酸钠，浓度为20ppm的硫酸钴，浓度为20ppm的乙撑硫脲。
7.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为40ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为30ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
8.如权利要求1所述一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，所述生箔工序中使用的生箔液中的生箔添加剂和所述第一粗化工序、第二粗化工序中使用的粗化液中的粗化混合添加剂的组成如下：所述生箔添加剂中包含0.5g/L浓度的低分子量水解明胶，2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，1.0g/L浓度的药用糊精，0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.5g/L浓度的葡萄糖和30mg/L浓度的盐酸，所述粗化混合添加剂包含浓度为10ppm的盐酸，浓度为20ppm的钨酸钠，浓度为15ppm的硫酸钴，浓度为30ppm的乙撑硫脲。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104846407A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-19 | 灵宝华鑫铜箔有限责任公司 | 一种添加剂及使用该添加剂生产6μm高抗拉强度电解铜箔的工艺 |
| CN104911661A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-09-16 | 安徽铜冠铜箔有限公司 | 一种减少铜箔毛面铜粉的表面处理装置 |
| CN106350836A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-25 | 灵宝华鑫铜箔有限责任公司 | 一种电解铜箔用添加剂及制备双光电池用电解铜箔的生产工艺 |
| CN106939432A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-07-11 | 东强（连州）铜箔有限公司 | 一种厚规格铜箔的复合添加剂及其生产制备工艺 |
| CN110029373A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-07-19 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种消除电解铜箔异常粗化结晶的复合添加剂 |
| CN110453252A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-15 | 安徽铜冠铜箔有限公司 | 一种高频高速覆铜板用hvlp铜箔的制造方法 |
| CN110699715A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-17 | 湖北中科铜箔科技有限公司 | 一种用于制备电解铜箔的复合添加剂组合物及其制备方法 |
| CN110760862A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-07 | 江东电子材料有限公司 | 一种光面粗化电解铜箔的生产工艺 |
| CN110791793A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-14 | 江东电子材料有限公司 | 一种高Tg板的电解铜箔生产工艺 |
| CN111304700A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-19 | 深圳市惟华电子科技有限公司 | 一种逆向铜箔的制备方法 |
| CN112118672A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | 金居开发股份有限公司 | 具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板 |
| CN113718307A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-11-30 | 惠州合正电子科技有限公司 | 一种高抗剥铜箔表面处理工艺 |
| CN114703515A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-07-05 | 中国科学院金属研究所 | 一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体 |
| US11408087B2 (en) | 2019-06-19 | 2022-08-09 | Co-Tech Development Corp. | Advanced electrodeposited copper foil having island-shaped microstructures and copper clad laminate using the same |
| CN116516425A (zh) * | 2023-05-17 | 2023-08-01 | 安徽铜冠铜箔集团股份有限公司 | 一种电解高阶通讯用极低轮廓电子铜箔的制作方法及应用 |
| CN116770374A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-09-19 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种10-12oz超厚电解铜箔生产工艺和设备 |
| CN116970934A (zh) * | 2023-08-03 | 2023-10-31 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种电解铜箔双面黑化表面处理工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4376154A (en) * | 1979-04-27 | 1983-03-08 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Copper foil for a printed circuit and a method for the production thereof |
| US20020182433A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-12-05 | Yasuhiro Endo | Method of producing a roughening-treated copper foil |
| CN102277605A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-14 | 合肥铜冠国轩铜材有限公司 | 光面粗化电解铜箔的制造工艺 |
| CN103397342A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-20 | 湖北中科铜箔科技有限公司 | 一种高耐热电解铜箔及其制备方法 |
| CN103469267A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-12-25 | 江西铜业股份有限公司 | 一种表面处理电解铜箔的工艺方法及其处理的铜箔 |
-
2014
- 2014-11-18 CN CN201410657849.6A patent/CN104372384B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4376154A (en) * | 1979-04-27 | 1983-03-08 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Copper foil for a printed circuit and a method for the production thereof |
| US20020182433A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-12-05 | Yasuhiro Endo | Method of producing a roughening-treated copper foil |
| CN102277605A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-14 | 合肥铜冠国轩铜材有限公司 | 光面粗化电解铜箔的制造工艺 |
| CN103469267A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-12-25 | 江西铜业股份有限公司 | 一种表面处理电解铜箔的工艺方法及其处理的铜箔 |
| CN103397342A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-20 | 湖北中科铜箔科技有限公司 | 一种高耐热电解铜箔及其制备方法 |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104846407A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-19 | 灵宝华鑫铜箔有限责任公司 | 一种添加剂及使用该添加剂生产6μm高抗拉强度电解铜箔的工艺 |
| CN104911661A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-09-16 | 安徽铜冠铜箔有限公司 | 一种减少铜箔毛面铜粉的表面处理装置 |
| CN104911661B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-07-18 | 安徽铜冠铜箔有限公司 | 一种使用处理装置减少铜箔毛面铜粉的工艺 |
| CN106350836A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-25 | 灵宝华鑫铜箔有限责任公司 | 一种电解铜箔用添加剂及制备双光电池用电解铜箔的生产工艺 |
| CN106939432A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-07-11 | 东强（连州）铜箔有限公司 | 一种厚规格铜箔的复合添加剂及其生产制备工艺 |
| CN106939432B (zh) * | 2017-04-25 | 2018-05-08 | 东强（连州）铜箔有限公司 | 一种厚规格铜箔的复合添加剂及其生产制备工艺 |
| CN110029373A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-07-19 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种消除电解铜箔异常粗化结晶的复合添加剂 |
| CN112118672A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | 金居开发股份有限公司 | 具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板 |
| CN112118672B (zh) * | 2019-06-19 | 2022-04-29 | 金居开发股份有限公司 | 具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板 |
| US11408087B2 (en) | 2019-06-19 | 2022-08-09 | Co-Tech Development Corp. | Advanced electrodeposited copper foil having island-shaped microstructures and copper clad laminate using the same |
| CN110453252A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-15 | 安徽铜冠铜箔有限公司 | 一种高频高速覆铜板用hvlp铜箔的制造方法 |
| CN110453252B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-08-13 | 安徽铜冠铜箔集团股份有限公司 | 一种高频高速覆铜板用hvlp铜箔的制造方法 |
| CN110699715A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-17 | 湖北中科铜箔科技有限公司 | 一种用于制备电解铜箔的复合添加剂组合物及其制备方法 |
| CN110760862A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-07 | 江东电子材料有限公司 | 一种光面粗化电解铜箔的生产工艺 |
| CN110791793A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-14 | 江东电子材料有限公司 | 一种高Tg板的电解铜箔生产工艺 |
| CN111304700A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-19 | 深圳市惟华电子科技有限公司 | 一种逆向铜箔的制备方法 |
| CN113718307B (zh) * | 2021-06-16 | 2023-09-15 | 惠州合正电子科技有限公司 | 一种高抗剥铜箔表面处理工艺 |
| CN113718307A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-11-30 | 惠州合正电子科技有限公司 | 一种高抗剥铜箔表面处理工艺 |
| CN114703515A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-07-05 | 中国科学院金属研究所 | 一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体 |
| CN114703515B (zh) * | 2022-04-14 | 2024-05-03 | 中国科学院金属研究所 | 一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体 |
| CN116516425A (zh) * | 2023-05-17 | 2023-08-01 | 安徽铜冠铜箔集团股份有限公司 | 一种电解高阶通讯用极低轮廓电子铜箔的制作方法及应用 |
| CN116516425B (zh) * | 2023-05-17 | 2023-12-19 | 安徽铜冠铜箔集团股份有限公司 | 一种电解高阶通讯用极低轮廓电子铜箔的制作方法及应用 |
| CN116970934A (zh) * | 2023-08-03 | 2023-10-31 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种电解铜箔双面黑化表面处理工艺 |
| CN116970934B (zh) * | 2023-08-03 | 2024-02-06 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种电解铜箔双面黑化表面处理工艺 |
| CN116770374A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-09-19 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种10-12oz超厚电解铜箔生产工艺和设备 |
| CN116770374B (zh) * | 2023-08-08 | 2024-02-06 | 广东盈华电子科技有限公司 | 一种10-12oz超厚电解铜箔生产工艺和设备 |
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