CN104184452A - 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法 - Google Patents

数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104184452A
CN104184452A CN201410216898.6A CN201410216898A CN104184452A CN 104184452 A CN104184452 A CN 104184452A CN 201410216898 A CN201410216898 A CN 201410216898A CN 104184452 A CN104184452 A CN 104184452A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
high frequency
dtu
transfer unit
data transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410216898.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104184452B (zh
Inventor
陈仰鹃
陈志荣
张湘辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MediaTek Inc
Original Assignee
MediaTek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MediaTek Inc filed Critical MediaTek Inc
Priority to CN201710601043.9A priority Critical patent/CN107257231B/zh
Publication of CN104184452A publication Critical patent/CN104184452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104184452B publication Critical patent/CN104184452B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/017509—Interface arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/06—Arrangements for measuring electric power or power factor by measuring current and voltage
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/24—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively in discharge-tube amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2178—Class D power amplifiers; Switching amplifiers using more than one switch or switching amplifier in parallel or in series
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/017581—Coupling arrangements; Interface arrangements programmable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12—Analogue/digital converters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
    • H04L25/028—Arrangements specific to the transmitter end
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/08—Modifications for reducing interference; Modifications for reducing effects due to line faults ; Receiver end arrangements for detecting or overcoming line faults
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
    • H04L27/20—Modulator circuits; Transmitter circuits
    • H04L27/2032—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner
    • H04L27/2053—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using more than one carrier, e.g. carriers with different phases
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
    • H04L27/20—Modulator circuits; Transmitter circuits
    • H04L27/2032—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner
    • H04L27/2053—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using more than one carrier, e.g. carriers with different phases
    • H04L27/206—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using more than one carrier, e.g. carriers with different phases using a pair of orthogonal carriers, e.g. quadrature carriers
    • H04L27/2067—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using more than one carrier, e.g. carriers with different phases using a pair of orthogonal carriers, e.g. quadrature carriers with more than two phase states
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/32—Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
    • H04L27/34—Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
    • H04L27/3405—Modifications of the signal space to increase the efficiency of transmission, e.g. reduction of the bit error rate, bandwidth, or average power
    • H04L27/3411—Modifications of the signal space to increase the efficiency of transmission, e.g. reduction of the bit error rate, bandwidth, or average power reducing the peak to average power ratio or the mean power of the constellation; Arrangements for increasing the shape gain of a signal set
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/32—Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
    • H04L27/34—Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
    • H04L27/3405—Modifications of the signal space to increase the efficiency of transmission, e.g. reduction of the bit error rate, bandwidth, or average power
    • H04L27/3444—Modifications of the signal space to increase the efficiency of transmission, e.g. reduction of the bit error rate, bandwidth, or average power by applying a certain rotation to regular constellations
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L7/00—Arrangements for synchronising receiver with transmitter
    • H04L7/0016—Arrangements for synchronising receiver with transmitter correction of synchronization errors
    • H04L7/0033—Correction by delay
    • H04L7/0037—Delay of clock signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L7/00—Arrangements for synchronising receiver with transmitter
    • H04L7/0091—Transmitter details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W24/00—Supervisory, monitoring or testing arrangements
    • H04W24/02—Arrangements for optimising operational condition
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21154—An output signal of a power amplifier being controlled by controlling voltage signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
    • H04B2001/045—Circuits with power amplifiers with means for improving efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Abstract

本发明提供了一种数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法，该数据转换装置包含有：一数据取样电路，用来根据一时钟信号来对一数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号；一电压电平产生电路，用来产生一可调整电压；以及一信号转换电路，用来根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一转换信号。本发明可以将最小有效位的动态功率延伸至更小的范围，从而可以具有较大的动态功率范围。

Description

数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法
技术领域
本发明是关于一数据转换装置、一数字传送装置与一数字转换方法，尤指具有较大动态功率范围的一数字传送装置及与其相关的数字转换方法。 
背景技术
在无线通信***(例如第三代的移动通信***)中，其输出信号的功率具有高的动态范围是必要的条件。举例而言，一手机所要求的输出功率的动态范围是-78分贝(dBm)。一般而言，若一单芯片的传送器要能够传送范围从0dBm至-78dBm的功率的话，则该传送器会包含有多个功能元件，例如一数模转换器、低通滤波器、可编程增益放大器、调制器以及前级驱动器(pre-driver)。该些元件的构造都是非常复杂且会占据较大的芯片面积。因此，利用一射频功率数模转换器(RF power DAC)来取代一传送器可降低该传送器的元件复杂度。举例而言，该射频功率数模转换器可以用一切换模式的功率放大器来实施。但是，数字式的传送器的动态功率范围常常会受限于其半导体制造工艺所能支持的最小面积。举例而言，当一切换式的功率放大器具有最小的面积时，其所能产生的一最小功率为-45dBm。因此，该最小功率依然远大于第三代的移动通信***所要求的-78dBm。因此，如何使得一切换式功率放大器能够产生更小的功率来使得一数字传送器具有更宽的动态功率范围是本领域技术人员所亟需解决的问题。 
发明内容
因此，本发明的一目的在于提供具有较大动态功率范围的一数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法，以使得数字传送器能具有更宽的动态功率范围。 
依据本发明的一第一实施例，其提供了一种数据转换装置(Data Converting Device)。该数据转换装置包含有一数据取样电路、一电压电平产生电路以及一信号转换电路。该数据取样电路用来根据一时钟信号来对一数字信号进行高频取样以产生 一高频取样信号。该电压电平产生电路用来产生一可调整电压。该信号转换电路用来根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一转换信号。 
依据本发明的一第二实施例，其提供了一种数字传送装置(Digital Transmitting Apparatus)。该数字传送装置包含有多个第一数据转换装置、多个第二数据转换装置以及一负载电路。该多个第一数据转换装置用来根据多个第一数字信号来分别产生多个第一转换信号。该多个第二数据转换装置用来根据多个第二数字信号来分别产生多个第二转换信号。该多个第二数据转换装置中的至少一个第二数据转换装置包含有一数据取样电路、一电压电平产生电路以及一信号转换电路。该数据取样电路用来根据一时钟信号来对一第二数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号。该电压电平产生电路用来产生一可调整电压。该信号转换电路用来根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一第二转换信号。该负载电路用来根据该多个第一转换信号以及该多个第二转换信号来产生一输出信号；其中该多个第二数字信号相对于该多个第一数字信号具有较低的有效性(less significant)。 
依据本发明的一第三实施例，其提供了一种数字转换方法(data converting method)。数字转换方法包含有：根据一时钟信号来对一数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号；产生一可调整电压；以及根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一转换信号。 
因此，本发明的实施例的打破了利用一半导体制造工艺来制造一数字传送器的动态功率范围的限制。本发明利用该全码数据来对一电流式数模转换器所产生的一可变电压进行取样，以调整该些延伸位的启动电阻值来以产生较低的功率电平，如此就可以将最小有效位的动态功率延伸至更小的范围。由于本发明利用了一可变电压来反映出温度的变化，因此本发明的最小有效位之间就会具有较佳的温度追踪能力，以最小化位至位之间的不匹配现象。 
附图说明
图1是本发明一种数字传送装置的一实施例示意图。 
图2是本发明一第一数据转换装置的一实施例示意图。 
图3是本发明多个第二数据转换装置中的其中一个第二数据转换装置的一实施例示意图。 
图4是本发明对应不同的可调整电压的一第二场效应晶体管所分别造成的不同电压降的一实施例时序图。 
图5是本发明多个第二数据转换装置中的其中一个第二数据转换装置的另一实施例示意图。 
图6是本发明一第二数据转换装置的一数字转换方法的一实施例流程图。 
图7是本发明一第二数据转换装置的一数字转换方法的另一实施例流程图。 
符号说明： 
100数字传送装置； 
102_(m+1)～102_(m+n)第二数据转换装置； 
102_1～102_m第一数据转换装置； 
104负载电路； 
1042电感； 
1044电容； 
102_m_1、302、502数据取样电路； 
304、504电压电平产生电路； 
3042、5042电流式数模转换器； 
3044、5044场效应晶体管； 
306、508信号转换电路； 
102_m_2、3062、5082第一场效应晶体管； 
102_m_3、3064、5084第二场效应晶体管； 
3066第三场效应晶体管； 
402、404、406曲线； 
506调整电路； 
5062反相器； 
5064第一传输门； 
5066第二传输门； 
600、700数字转换方法； 
602～604、702～708步骤。 
具体实施方式
在说明书及所附的权利要求当中使用了某些词汇来表示特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及所附的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及所附的权利要求项当中所提及的“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电连接于该第二装置，或者通过其他装置或连接手段间接地电连接至该第二装置。 
请参考图1，其是根据本发明一种数字传送装置(digital transmitting apparatus)100的一实施例示意图。数字传送装置100是用来直接对多个数字信号D[1]～D[m+n]进行提升转换(up-convert)至一射频信号(即以下所述的输出信号RFout)。数字传送装置100包含有多个第一数据转换装置(data converting device)102_1～102_m、多个第二数据转换装置(data converting device)102_(m+1)～102_(m+n)以及一负载电路104。多个第一数据转换装置102_1～102_m是用来根据多个第一数字信号D[1]～D[m]来分别产生多个第一转换信号So_1～So_m。多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)是用来根据多个第二数字信号D[m+1]～D[m+n]来分别产生多个第二转换信号So_(m+1)～So_(m+n)。负载电路104是用来根据多个第一转换信号So_1～So_m以及多个第二转换信号So_(m+1)～So_(m+n)来产生一输出信号RFout。请注意，上述的m以及n可以是任何的正整数。 
在本实施例中，多个第二数字信号D[m+1]～D[m+n]相对于多个第一数字信号D[1]～D[m]具有较低的有效性(less significant)。换句话说，第一数字信号D[1]是最大有效位(most significant bit)，而第二数字信号D[m+n]是最小有效位(least significant bit)。 
进一步而言，多个第一数据转换装置102_1～102_m是利用多个第一时钟信号Lo_1～Lo_m来对多个第一数字信号D[1]～D[m]进行高频取样或提升转换来分别产生多个第一转换信号So_1～So_m。多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)是利用多个第二时钟信号Lo_(m+1)～Lo_(m+n)来对多个第二数字信号D[m+1]～D[m+n]进行高频取样或提升转换来分别产生多个第二转换信号So_(m+1)～So_(m+n)。在本实施 例中，多个第一时钟信号Lo_1～Lo_m以及多个第二时钟信号Lo_(m+1)～Lo_(m+n)是相同的时钟信号。 
此外，本实施例假设由多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)所分别产生的多个第二转换信号So_(m+1)～So_(m+n)的功率电平小于一特定功率电平。该特定功率电平低于用来接收第一数字信号D[m]的第一数据转换装置102_m所产生的功率电平。请注意，第一数字信号D[m]是多个第一数字信号D[1]～D[m]中的最小有效位。进一步而言，请参照图2，其是依据本发明第一数据转换装置102_m的一实施例示意图。第一数据转换装102_m包含有一数据取样电路102_m_1、一第一场效应晶体管102_m_2以及一第二场效应晶体管102_m_3。第一场效应晶体管102_m_2堆叠(cascaded)于第二场效应晶体管102_m_3。第一场效应晶体管102_m_2以及第二场效应晶体管102_m_3都具有该半导体制造工艺所支持的最小宽长比，即W/L。数据取样电路102_m_1是用来根据第一时钟信号Lo_m对第一数字信号D[m]进行高频取样以产生一高频取样信号Su_m。第一场效应晶体管102_m_2接收高频取样信号Su_m。第二场效应晶体管102_m_3由调整电压Vt所控制以产生第一转换信号So_m。请注意，在本实施例中，第二场效应晶体管102_m_3是本发明实施例中举例的隔离元件，并不是一个必要的元件，其可依据实际需求而由Vt或Vdd所控制。 
从图2可以得知，利用上述的堆叠的架构，第一转换信号So_m的功率会具有最低的功率电平，这是因为第一场效应晶体管102_m_2以及第二场效应晶体管102_m_3都具有最小的宽长比，即W/L。举例而言，第一转换信号So_m的功率电平大致上是-45dBm。 
因此，为了将数字传送装置100的功率延伸至比第一转换信号So_m更低的功率电平，本发明所提出的多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)可用来解决此问题。在本实施例中，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的功率电平小于第一转换信号So_m的功率电平，且多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)分别的功率电平会依次减小。换句话说，第二数据转换装置102_(m+n)会具有最小的功率电平。举例来说，第二数据转换装置102_(m+n)的功率电平可以是-78dBm。 
请参考图3，其是依据本发明多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)中的其中一个第二数据转换装置(例如第二数据转换装置102_(m+n))的一实施例示意图。第二数据转换装置102_(m+n)会包含有一数据取样电路302、一电压电平产生电路304 以及一信号转换电路306。图3中另绘示出负载电路104。数据取样电路302是一数字正交相位差转换器(digital quadrature converter,DQC)，其是用来根据一时钟信号Lo_(m+n)对第二数字信号D[m+n]进行高频取样以产生一高频取样信号Su_(m+n)。电压电平产生电路304是用来产生一可调整电压Vb。信号转换电路306是用来根据可调整电压Vb以及高频取样信号Su_(m+n)来产生第二转换信号So_(m+n)。负载电路104是用来接收第二转换信号So_(m+n)。 
电压电平产生电路304包含有一电流式数模转换器(IDAC)3042以及一场效应晶体管3044。电流式数模转换器3042是用来产生一电流Id。场效应晶体管3044是用来根据电流Id产生可调整电压Vb。场效应晶体管3044是一二极管方式连接(diode-connected)的晶体管，其中其漏极端连接至其栅极端，而可调整电压Vb由其漏极端与栅极端的一共同端点所输出。场效应晶体管3044可以是一N型场效应晶体管。 
信号转换电路306包含有一第一场效应晶体管3062、一第二场效应晶体管3064以及一第三场效应晶体管3066。第一场效应晶体管3062具有一栅极端用来接收可调整电压Vb，一第一连接端点(例如源极端)连接至一接地电压Vgnd，以及一第二连接端点(例如漏极端)用来根据可调整电压Vb来输出一第一电压V1。第二场效应晶体管3064具有一栅极端接收高频取样信号Su_(m+n)，一第一连接端点(例如源极端)接收第一电压V1，以及一第二连接端点(例如漏极端)输出一第二电压V2。第三场效应晶体管3066具有一栅极端接收一调整电压Vt，一第一连接端点(例如源极端)接收第二电压V2，以及一第二连接端点(例如漏极端)输出转换信号So_(m+n)。在本实施例中，场效应晶体管3062、3064与3066可以是N型场效应晶体管。请注意，在本实施例中，第三场效应晶体管3066是本发明实施例中举例的隔离元件，并不是一个必要的元件，其可以根据设计所需而由Vt或Vdd所控制。场效应晶体管3062与3066都具有最小的宽长比，即W/L，而场效应晶体管3064的宽长比是2*W/L。但是，上述晶体管的宽长比只是举例，而不是本发明的限制特征。 
此外，负载电路104耦接至一供应电压(即Vdd)，以及负载电路会包含有一电感1042以及一电容1044。电感1042并联于电容1044，如图3所示。 
根据本发明的实施例所示，第二数据转换装置102_(m+n)的可调整电压Vb是一个预定电压。但是，其他的第二数据转换装置则可以分别具有不同的可调整电压。换句话说，依据多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)所输出的功率电平，多个 第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)可以分别具有不同的可调整电压Vb。在本实施例中，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的可调整电压会从第二数据转换装置102_(m+1)往第二数据转换装置102_(m+n)的方向依次减小，这是因为多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的功率电平被设计从第二数据转换装置102_(m+1)往第二数据转换装置102_(m+n)的方向依次减小的。 
简言之，可调整电压Vb会影响第一电压V1，第一电压V1影响第二场效应晶体管3064的栅极端与源极端之间的压降(即Vgs)，该压降Vgs则影响第二数据转换装置102_(m+n)的输出电阻值(即Ron_(m+n))，而该输出电阻值Ron_(m+n)则影响第二数据转换装置102_(m+n)的输出功率。因此，可调整电压Vb可用来决定第二数据转换装置102_(m+n)的功率电平。举例而言，当可调整电压Vb减小时，第一电压V1会提升以减小该压降Vgs，接着该输出电阻值Ron_(m+n)会增加以减小第二数据转换装置102_(m+n)输出功率。请注意，高频取样信号Su_(m+n)是一时钟信号，该时钟信号的高电压电平是Vdd(即电源电压)，而其低电压电平则是Vgnd(即接地电压)。 
请参考图4，其是依据本发明对应不同可调整电压Vb的第二场效应晶体管3064所分别造成的不同电压降Vgs的一实施例时序图。电压降Vgs是一个时钟信号，其高电压电平由可调整电压Vb所决定，而其低电压电平则是接地电压。因此，当可调整电压Vb是供应电压Vdd时，电压降Vgs的该高电压电平就是Vdd，即曲线402。当可调整电压Vb低于供应电压Vdd时，电压降Vgs的该高电压电平也会低于Vdd，例如曲线404或406。换句话说，可调整电压Vb正比于电压降Vgs的该高电压电平。因此，通过提供不同的可调整电压Vb给多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)就会产生分别具有不同功率电平的多个第二转换信号So_(m+1)～So_(m+n)。 
此外，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)对于温度的变化也比较不敏感。以第二数据转换装置102_(m+n)以及102_(m+n-1)为例，第二数据转换装置102_(m+n)以及102_(m+n-1)的功率电平延伸可以用以下方程式(1)～(7)来说明： 
P ∝ I 2 R L R L + R eq - - - ( 1 )
1 R eq = 1 R on _ 1 + 1 R on _ 2 + . . . + 1 R on _ m + 1 R on _ ( m + 1 ) + . . . 1 R on _ ( m + n ) - - - ( 2 )
Vb = I d k ( W L ) vb + V th _ b - - - ( 3 )
R on _ M 0 _ ( m + n ) = 1 k ( W L ) M 0 ( V g 0 - V th 0 ) = 1 k ( W L ) M 0 ( I d k ( W L ) vb ) - - - ( 4 )
R on _ M 1 _ ( m + n ) = 1 k ( W L ) M 1 ( V dd - I d R on _ M 0 _ ( m + n ) - V th 1 ) - - - ( 5 )
R on _ M 1 _ ( m + n - 1 ) = 1 k ( W L ) M 1 ( V dd - I d ′ R on _ M 0 _ ( m + n ) - V th 1 ) - - - ( 6 )
( 5 ) ( 6 ) = ( V dd - I d ′ R on _ M 0 _ ( m + n ) - V th 1 ) ( V dd - I d R on _ M 0 _ ( m + n ) - V th 1 ) - - - ( 7 )
请参考图1～图3。RL是负载电路104的负载电阻值。输出信号RFout的输出功率P反比于多个第一数据转换装置102_1～102_m以及多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的等效输出电阻值Req，其中Ron_1是第一数据转换装置102_1的输出电阻值，Ron_2是第一数据转换装置102_2的输出电阻值，以此类推。Id是流经场效应晶体管3044的电流。(W/L)vb是场效应晶体管3044的宽长比。Vth_b是场效应晶体管3044的临界电压。Ron_m0_(m+n)是第一场效应晶体管3062的启动电阻值。(W/L)M0是第一场效应晶体管3062的宽长比。Vg0是Vb。Vth0是第一场效应晶体管3062的临界电压。Ron_M1_(m+n)是第二场效应晶体管3064的启动电阻值。(W/L)M1是第二场效应晶体管3064的宽长比。Vth1是第二场效应晶体管3064的临界电压。本实施例假设第二数据转换装置102_(m+n-1)与第二数据转换装置102_(m+n)具有相同的特征，除了电流Id’以及Ron_M1_(m+n-1)之外。Id’是第二数据转换装置102_(m+n-1)中流经该二极管式连接的场效应晶体管的电流(即与第二数据转换装置102_(m+n)的场效应晶体管3044具有相同位置的该场效应晶体管)。Ron_M1_(m+n-1)是第二数据转换装置102_(m+n-1)中的该第二场效应晶体管的启动电阻值(即与第二数据转换装置102_(m+n)的场效应晶体管3064具有相同位置的该场效应晶体管)。 
根据上述的方程式(5)、(6)，Ron_M1_(m+n)只会受电流Id影响，而Ron_M1_(m+n-1)只会受电流Id’影响。由于温度变化会造成电流Id与Id’具有相同的变化趋势，因此当环境温度变化时，Ron_M1_(m+n)与Ron_M1_(m+n-1)之间的比值可以大致上维持不变(即方程式(7))。因此，当环境温度变化时，第二数据转换装置102_(m+n)与102_(m+n-1)之间的功率电平差就可以大致上维持不变。换句话说，第二数据转换装置102_(m+n)与102_(m+n-1)之间的位至位之间的变化对于温度的变化也比较不敏感。 
如此以来，由于多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)对于温度的变化比较不敏感，因此多个第二数字信号D[m+1]～D[m+n]的位至位之间的变化对于温度的 变化就可以最小化了。 
从上述描述可以得知，根据本发明所提供的追踪临界电压(即Vb)，本发明的最小有效位之间就会具有较佳的温度追踪能力，因此位至位之间对于温度的变化就可以最小化了。此外，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)内的多个电流式数模转换器之间的不匹配也可以经由内部电路的校正方式来解决。 
请参照图5，其是依据本发明多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)中的其中一个第二数据转换装置(例如第二数据转换装置102_(m+n))的另一实施例示意图。第二数据转换装置102_(m+n)包含有一数据取样电路502、一电压电平产生电路504、一调整电路506以及一信号转换电路508。图5中另绘示出负载电路104。数据取样电路502是一数字正交相位差转换器(digital quadrature converter,DQC)，其是用来根据一时钟信号Lo’_(m+n)对第二数字信号D’[m+n]进行高频取样以产生一高频取样信号Su’_(m+n)。电压电平产生电路504是用来产生一可调整电压Vb’。信号转换电路506是用来根据可调整电压Vb’来调整高频取样信号Su’_(m+n)的一电压电平来产生一调整后高频取样信号Sau’_(m+n)。信号转换电路508是用来根据调整后高频取样信号Sau’_(m+n)产生第二转换信号So’_(m+n)。负载电路104是用来接收第二转换信号So’_(m+n)。 
电压电平产生电路504包含有一电流式数模转换器(IDAC)5042以及一场效应晶体管5044。电流式数模转换器5042是用来产生一电流Id’。场效应晶体管5044是用来根据电流Id’产生可调整电压Vb’。场效应晶体管5044是一二极管方式连接的晶体管，其中其漏极端连接至其栅极端，而可调整电压Vb’由其漏极端与栅极端的一共同端点所输出。场效应晶体管5044可以是一N型场效应晶体管。 
调整电路506包含有一反相器5062、一第一传输门5064以及一第二传输门5066。反相器5062是用来对高频取样信号Su’_(m+n)进行反相以产生一反相高频取样信号Su’_(m+n)_bar。当高频取样信号Su’_(m+n)是一第一电压电平时，例如供应电压Vdd，第一传输门5064用来输出可调整电压Vb’至一输出端Nb’。当高频取样信号Su’_(m+n)是不同于该第一电压的一第二电压电平时，例如接地电压Vgnd，第二传输门5066会用来输出一参考电压至输出端Nb’。在本实施例中，输出端Nb’上的一信号是调整后高频取样信号Sau’_(m+n)。进一步而言，第一传输门5064只有在高频取样信号Su’_(m+n)的电压电平是供应电压Vdd时才会开启(turned on)，以及第二传输门5066 只有在高频取样信号Su’_(m+n)的电压电平是接地电压Vgnd时才会开启。因此，调整后高频取样信号Sau’_(m+n)会随高频取样信号Su’_(m+n)调准(align)，且调整后高频取样信号Sau’_(m+n)与高频取样信号Su’_(m+n)会具有相同的工作周期。它们之间唯一的差别是调整后高频取样信号Sau’_(m+n)的高电压电平是可调整电压Vb’，而高频取样信号Su’_(m+n)的高电压电平则是供应电压Vdd。 
信号转换电路508包含有一第一场效应晶体管5082以及一第二场效应晶体管5084。第一场效应晶体管5082具有一栅极端用来接收调整后高频取样信号Sau’_(m+n)，一第一连接端点(例如源极端)连接至一接地电压Vgnd，以及一第二连接端点(例如漏极端)用来根据调整后高频取样信号Sau’_(m+n)来输出一第一电压V1’。第二场效应晶体管5084具有一栅极端接收一调整电压Vt’，一第一连接端点(例如源极端)接收第一电压V1’，以及一第二连接端点(例如漏极端)输出转换信号So’_(m+n)。第三场效应晶体管3066具有一栅极端接收一调整电压Vt，一第一连接端点(例如源极端)接收第二电压V2，以及一第二连接端点(例如漏极端)输出转换信号So_(m+n)。在本实施例中，场效应晶体管5082与5084可以是N型场效应晶体管。场效应晶体管5082与5084都具有最小的宽长比，即W/L。 
相似于图3，第二数据转换装置102_(m+n)的可调整电压Vb’是一个预定电压。但是，其他的第二数据转换装置则可以分别具有不同的可调整电压。换句话说，依据多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)所输出的功率电平，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)可以分别具有不同的可调整电压Vb’。在本实施例中，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的可调整电压会从第二数据转换装置102_(m+1)往第二数据转换装置102_(m+n)的方向依次减小，这是因为多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的功率电平被设计从第二数据转换装置102_(m+1)往第二数据转换装置102_(m+n)的方向依次减小的。 
简言之，可调整电压Vb’会影响第一场效应晶体管5082的栅极端与源极端之间的电压降(即Vgs’)，该电压降Vgs’则影响第二数据转换装置102_(m+n)的输出电阻值(即Ron_(m+n)’)，而该输出电阻值Ron_(m+n)’则影响第二数据转换装置102_(m+n)的输出功率。因此，可调整电压Vb’可用来决定第二数据转换装置102_(m+n)的功率电平。举例而言，当可调整电压Vb’减小时，电压降Vgs’也会减小，接着该输出电阻值Ron_(m+n)’会增加以减小第二数据转换装置102_(m+n)输出功率。 
相似于图4，可调整电压Vb’正比于电压降Vgs’的该高电压电平。因此，通过提供不同的可调整电压Vb’给多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)就会产生分别具有不同功率电平的多个第二转换信号So_(m+1)’～So_(m+n)’。 
同样的，在本实施例中，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)对于温度的变化也比较不敏感。以第二数据转换装置102_(m+n)以及102_(m+n-1)为例，第二数据转换装置102_(m+n)以及102_(m+n-1)的功率电平延伸可以用以下方程式(8)～(13)来说明： 
P ′ ∝ I 2 R L R L + R ′ eq - - - ( 8 )
1 R eq ′ = 1 R on _ 1 ′ + 1 R on _ 2 ′ + . . . + 1 R on _ m ′ + 1 R on _ ( m + 1 ) ′ + . . . 1 R on _ ( m + n ) ′ - - - ( 9 )
Vb ′ = I d ′ k ( W L ) vb ′ + V th _ b - - - ( 10 )
R on _ M 1 _ ( m + n ) ′ = 1 k ( W L ) M 1 ( V g 0 - V th 0 ) = 1 k ( W L ) M 1 ( I d ′ k ( W L ) vb ′ ) - - - ( 11 )
R on _ M 1 _ ( m + n - 1 ) ′ = 1 k ( W L ) M 1 ( V g 0 - V th 0 ) = 1 k ( W L ) M 1 ( I d ′ ′ k ( W K ) vb ′ ) - - - ( 12 )
( 11 ) ( 12 ) = I d ′ ′ I d ′ - - - ( 13 )
请参考图1、图2以及图5。RL是负载电路104的负载电阻值。输出信号RFout的输出功率P’是反比于多个第一数据转换装置102_1～102_m以及多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)的等效输出电阻值Req’，其中Ron_1’是第一数据转换装置102_1的输出电阻值，Ron_2’是第一数据转换装置102_2的输出电阻值，以此类推。Id’是流经场效应晶体管5044的电流。(W/L)vb’是场效应晶体管5044的宽长比。Vth_b是场效应晶体管5044的临界电压。Ron_m0_(m+n)’是第一场效应晶体管5082的启动电阻值。(W/L)M1是第一场效应晶体管5082的宽长比。Vg0是Vb’。Vth0是第一场效应晶体管5082的临界电压。本实施例假设第二数据转换装置102_(m+n-1)与第二数据转换装置102_(m+n)具有相同的特征，除了电流Id”以及Ron_M1_(m+n-1)’之外。Id”是第二数据转换装置102_(m+n-1)中流经该二极管式连接的场效应晶体管的电流(即与第二数据转换装置102_(m+n)的场效应晶体管5044具有相同位置的该场效应晶体管)。Ron_M1_(m+n-1)’是第二数据转换装置102_(m+n-1)中的该第二场效应晶体管的启动电阻 值(即与第二数据转换装置102_(m+n)的第一场效应晶体管5082具有相同位置的该场效应晶体管)。 
根据上述的方程式(11)、(12)，Ron_M1_(m+n)’只会受电流Id’影响，而Ron_M1_(m+n-1)’只会受电流Id”影响。由于温度变化会造成电流Id’与Id”具有相同的变化趋势，因此当环境温度变化时，Ron_M1_(m+n)’与Ron_M1_(m+n-1)’之间的比值可以大致上维持不变(即方程式(13))。因此，当环境温度变化时，第二数据转换装置102_(m+n)与102_(m+n-1)之间的功率电平差就可以大致上维持不变。换句话说，第二数据转换装置102_(m+n)与102_(m+n-1)之间的位至位之间的变化对于温度的变化也比较不敏感。 
如此以来，由于多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)对于温度的变化比较不敏感，因此多个第二数字信号D[m+1]～D[m+n]的位至位之间的变化对于温度的变化就可以最小化了。 
从上述描述可以得知，根据本发明所提供的追踪临界电压(即Vb’)，本发明的最小有效位之间就会具有较佳的温度追踪能力，因此位至位之间对于温度的变化就可以最小化了。此外，多个第二数据转换装置102_(m+1)～102_(m+n)内的多个电流式数模转换器之间的不匹配也可以经由内部电路的校正方式来解决。 
简言之，上述图3所示的第二数据转换装置(即102_(m+1)～102_(m+n))的方法可以简化为图6的步骤。图6所示是依据本发明第二数据转换装置102_(m+n)的一数字转换方法(data converting method)600的一实施例流程图。此外，倘若大体上可达到相同的结果，并不需要一定照图6所示的流程中的步骤顺序来进行，且图6所示的步骤不一定要连续进行，亦即其他步骤亦可***其中。数字转换方法600包含有： 
步骤602：根据时钟信号Lo_(m+n)对第二数字信号D[m+n]进行高频取样以产生高频取样信号Su_(m+n)； 
步骤604：产生可调整电压Vb；以及 
步骤606：根据可调整电压Vb以及高频取样信号Su_(m+n)产生转换信号So_(m+n)。 
此外，上述图5所示的第二数据转换装置(即102_(m+1)～102_(m+n))的方法可以简化为图7的步骤。图7所示是依据本发明第二数据转换装置102_(m+n)的一数字转换方法700的另一实施例流程图。此外，倘若大体上可达到相同的结果，并不需要一定照图7所示的流程中的步骤顺序来进行，且图7所示的步骤不一定要连续进行，亦 即其他步骤亦可***其中。数字转换方法700包含有： 
步骤702：根据时钟信号Lo’_(m+n)对第二数字信号D’[m+n]进行高频取样以产生高频取样信号Su’_(m+n)； 
步骤704：产生可调整电压Vb’； 
步骤706：根据可调整电压Vb’调整高频取样信号Su’_(m+n)的电压电平来产生调整后高频取样信号Sau’_(m+n)； 
步骤708：根据调整后高频取样信号Sau’_(m+n)产生转换信号So’_(m+n)。 
综上所述，从以上实施例的描述可以得知本发明打破了利用一半导体制造工艺来制造一数字传送器的动态功率范围的限制。本发明是利用该全码数据(即Su_(m+1)～Su_(m+n))来对一电流式数模转换器所产生的一可变电压(即Vb)进行取样，以调整该些延伸位(即D[m+1]～D[m+n])的启动电阻值以产生较低的功率电平，如此就可以将最小有效位的动态功率延伸至更小的范围。由于本发明利用了一可调电压(即Vb)来反映出温度的变化，因此本发明的最小有效位之间就会具有较佳的温度追踪能力，以最小化位至位之间的不匹配现象。此外，本发明的多个电流式数模转换器之间的不匹配也可以通过内部电路的校正方式来解决。 
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的同等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。 

Claims (21)

1.一种数据转换装置，其特征在于，包含有：
一数据取样电路，用来根据一时钟信号来对一数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号；
一电压电平产生电路，用来产生一可调整电压；以及
一信号转换电路，用来根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一转换信号。
2.如权利要求1所述的数据转换装置，其特征在于，该信号转换电路参考该可调整电压来控制对应该高频取样信号的该转换信号的一即时功率。
3.如权利要求1所述的数据转换装置，其特征在于，该信号转换电路包含有一场效应晶体管用来接收该高频取样信号，以及该可调整电压是用来调整该场效应晶体管的一启动电阻值。
4.如权利要求1所述的数据转换装置，其特征在于，该电压电平产生电路包含有：
一电流式数模转换器，用来产生一电流；以及
一场效应晶体管，用来根据该电流来产生该可调整电压。
5.如权利要求1所述的数据转换装置，其特征在于，该信号转换电路包含有：
一第一场效应晶体管，用来根据该可调整电压来产生一第一电压；
一第二场效应晶体管，具有一栅极端用来接收该高频取样信号，一第一连接端点用来接收该第一电压，以及一第二连接端点用来输出一第二电压；以及
一第三场效应晶体管，具有一栅极端用来接收一调整电压，一第一连接端点用来接收该第二电压，以及一第二连接端点用来输出该转换信号。
6.如权利要求1所述的数据转换装置，其特征在于，另包含有：
一调整电路，用来根据该可调整电压来调整该高频取样信号的一电压电平来产生一调整后高频取样信号；
其中该信号转换电路是用来根据该调整后高频取样信号来产生该转换信号。
7.如权利要求6所述的数据转换装置，其特征在于，该调整电路包含有：
一第一传输门，用来于该高频取样信号是一第一电压电平时输出该可调整电压至一输出端；以及
一第二传输门，用来于该高频取样信号是一不同于该第一电压电平的一第二电压电平时输出一参考电压至该输出端；
其中该输出端上的一信号是该调整后高频取样信号。
8.如权利要求6所述的数据转换装置，其特征在于，该信号转换电路包含有：
一第一场效应晶体管，具有一栅极端用来接收该调整后高频取样信号，一第一连接端点连接至一参考电压，以及一第二连接端点用来输出一第一电压；以及
一第二场效应晶体管，具有一栅极端用来接收一调整电压，一第一连接端点用来接收该第一电压，以及一第二连接端点用来输出该转换信号。
9.一种数字传送装置，其特征在于，包含有：
多个第一数据转换装置，用来根据多个第一数字信号来分别产生多个第一转换信号；
多个第二数据转换装置，用来根据多个第二数字信号来分别产生多个第二转换信号，以及该多个第二数据转换装置中的至少一个第二数据转换装置包含有：
一数据取样电路，用来根据一时钟信号来对一第二数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号；
一电压电平产生电路，用来产生一可调整电压；以及
一信号转换电路，用来根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一第二转换信号；以及
一负载电路，用来根据该多个第一转换信号以及该多个第二转换信号来产生一输出信号；
其中该多个第二数字信号相对于该多个第一数字信号具有较低的有效性。
10.如权利要求9所述的数字传送装置，其特征在于，该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置会参考该可调整电压来控制对应于该高频取样信号的该第二转换信号的一即时功率。
11.如权利要求9所述的数字传送装置，其特征在于，该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置包含有一场效应晶体管以用来接收该高频取样信号，以及该可调整电压是用来调整该场效应晶体管的一启动电阻值。
12.如权利要求9所述的数字传送装置，其特征在于，该电压电平产生电路包含有：
一电流式数模转换器，用来产生一电流；以及
一场效应晶体管，用来根据该电流来产生该可调整电压。
13.如权利要求9所述的数字传送装置，其特征在于，该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置包含有：
一第一场效应晶体管，用来根据该可调整电压来产生一第一电压；
一第二场效应晶体管，具有一栅极端用来接收该高频取样信号，一第一连接端点用来接收该第一电压，以及一第二连接端点用来输出一第二电压；以及
一第三场效应晶体管，具有一栅极端用来接收一调整电压，一第一连接端点用来接收该第二电压，以及一第二连接端点用来输出该第二转换信号。
14.如权利要求9所述的数字传送装置，其特征在于，该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置另包含有：
一调整电路，用来根据该可调整电压来调整该高频取样信号的一电压电平来产生一调整后高频取样信号；
其中该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置是用来根据该调整后高频取样信号来产生该第二转换信号。
15.如权利要求14所述的数字传送装置，其特征在于，该调整电路包含有：
一第一传输门，用来于该高频取样信号是一第一电压电平时输出该可调整电压至一输出端；以及
一第二传输门，用来于该高频取样信号是一不同于该第一电压电平的一第二电压电平时输出一参考电压至该输出端；
其中该输出端上的一信号是该调整后高频取样信号。
16.如权利要求14所述的数字传送装置，其特征在于，该多个第二数据转换装置中的该至少一个第二数据转换装置包含有：
一第一场效应晶体管，具有一栅极端用来接收该调整后高频取样信号，一第一连接端点连接至一参考电压，以及一第二连接端点用来输出一第一电压；以及
一第二场效应晶体管，具有一栅极端用来接收一调整电压，一第一连接端点用来接收该第一电压，以及一第二连接端点用来输出该第二转换信号。
17.一种数字转换方法，其特征在于，包含有：
根据一时钟信号来对一数字信号进行高频取样以产生一高频取样信号；
产生一可调整电压；以及
根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生一转换信号。
18.如权利要求17所述的数字转换方法，其特征在于，产生该可调整电压包含有：
利用一电流式数模转换器来产生一电流；以及
利用一场效应晶体管来根据该电流来产生该可调整电压。
19.如权利要求17所述的数字转换方法，其特征在于，根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生该转换信号的步骤包含有：
利用一第一场效应晶体管来根据该可调整电压来产生一第一电压；
利用一第二场效应晶体管的一栅极端接收该高频取样信号，一第一连接端点接收该第一电压，以及一第二连接端点输出一第二电压；以及
一第三场效应晶体管的一栅极端来接收一调整电压，一第一连接端点来接收该第二电压，以及一第二连接端点来输出该转换信号。
20.如权利要求17所述的数字转换方法，其特征在于，另包含有：
根据该可调整电压来调整该高频取样信号的一电压电平来产生一调整后高频取样信号；
其中根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生该转换信号的步骤：
根据该调整后高频取样信号来产生该转换信号。
21.如权利要求20所述的数字转换方法，其特征在于，根据该可调整电压以及该高频取样信号来产生该转换信号的步骤包含有：
利用一第一场效应晶体管的一栅极端来接收该调整后高频取样信号，一第一连接端点连接至一参考电压，以及一第二连接端点来输出一第一电压；以及
利用一第二场效应晶体管的一栅极端来接收一调整电压，一第一连接端点来接收该第一电压，以及一第二连接端点来输出该转换信号。
CN201410216898.6A 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法 Expired - Fee Related CN104184452B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710601043.9A CN107257231B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361825630P 2013-05-21 2013-05-21
US61/825,630 2013-05-21
US14/272,522 US9425796B2 (en) 2013-05-21 2014-05-08 Data converting device, digital transmitting apparatus using the data converting device, and related data converting method
US14/272,522 2014-05-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710601043.9A Division CN107257231B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104184452A true CN104184452A (zh) 2014-12-03
CN104184452B CN104184452B (zh) 2017-08-18

Family

ID=51934996

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810030190.XA Active CN108055008B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 切换式功率放大器与用来控制该切换式功率放大器的方法
CN201410215813.2A Expired - Fee Related CN104184439B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数字传送器以及用于校正数字传送器的方法
CN201410216064.5A Expired - Fee Related CN104184503B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传输器***以及其相关的信号传输方法
CN201410216882.5A Expired - Fee Related CN104184527B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传送功率测量装置以及传送功率测量方法
CN201710601043.9A Active CN107257231B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法
CN201810247818.1A Withdrawn CN108632187A (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传输器***以及其相关的信号传输方法
CN201410216898.6A Expired - Fee Related CN104184452B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法
CN201410215786.9A Active CN104184450B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 信号转换装置及应用该信号转换装置的数字传送装置
CN201410215712.5A Expired - Fee Related CN104184417B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数字信号升频装置以及数字信号升频方法
CN201410216109.9A Expired - Fee Related CN104184451B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 可重组电路区块以及将电路区块进行组态的方法
CN201410215658.4A Active CN104184423B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 切换式功率放大器与用来控制该切换式功率放大器的方法

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810030190.XA Active CN108055008B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 切换式功率放大器与用来控制该切换式功率放大器的方法
CN201410215813.2A Expired - Fee Related CN104184439B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数字传送器以及用于校正数字传送器的方法
CN201410216064.5A Expired - Fee Related CN104184503B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传输器***以及其相关的信号传输方法
CN201410216882.5A Expired - Fee Related CN104184527B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传送功率测量装置以及传送功率测量方法
CN201710601043.9A Active CN107257231B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法
CN201810247818.1A Withdrawn CN108632187A (zh) 2013-05-21 2014-05-21 传输器***以及其相关的信号传输方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410215786.9A Active CN104184450B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 信号转换装置及应用该信号转换装置的数字传送装置
CN201410215712.5A Expired - Fee Related CN104184417B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 数字信号升频装置以及数字信号升频方法
CN201410216109.9A Expired - Fee Related CN104184451B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 可重组电路区块以及将电路区块进行组态的方法
CN201410215658.4A Active CN104184423B (zh) 2013-05-21 2014-05-21 切换式功率放大器与用来控制该切换式功率放大器的方法

Country Status (3)

Country Link
US (10) US9876501B2 (zh)
EP (1) EP2824831A3 (zh)
CN (11) CN108055008B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106018945A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 联发科技股份有限公司 动态功率计量器电路及其操作方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7917798B2 (en) 2005-10-04 2011-03-29 Hypres, Inc. Superconducting digital phase rotator
US10149177B2 (en) 2006-11-18 2018-12-04 Rfmicron, Inc. Wireless sensor including an RF signal circuit
US9876501B2 (en) 2013-05-21 2018-01-23 Mediatek Inc. Switching power amplifier and method for controlling the switching power amplifier
JP2015162753A (ja) * 2014-02-26 2015-09-07 ソニー株式会社 回路、送受信機および通信システム
CN105264814B (zh) * 2014-04-22 2019-03-15 京微雅格（北京）科技有限公司 Lvds数据恢复方法及电路
US9543910B2 (en) 2015-03-06 2017-01-10 Apple Inc. Radio frequency system switching power amplifier systems and methods
US9979831B2 (en) * 2015-03-30 2018-05-22 Mediatek Inc. Method for cellular text telephone modem operation with sampling rate conversion and machine readable medium
TWI563719B (en) * 2015-05-28 2016-12-21 Airoha Tech Corp Wideband front-end device and method for filtering rf signal
US10148468B2 (en) * 2015-06-01 2018-12-04 Huawei Technologies Co., Ltd. Configurable architecture for generating a waveform
EP3353974A1 (en) * 2015-09-25 2018-08-01 Intel IP Corporation An apparatus and a method for generating a radio frequency signal
US9660675B2 (en) * 2015-10-13 2017-05-23 Analog Devices Global Digital predistortion and uptilt and cable communication
CN106712867B (zh) * 2016-12-26 2020-06-26 中国电子科技集团公司第十六研究所 一种低温放大器功率稳定度测试***
JP6917735B2 (ja) * 2017-03-07 2021-08-11 パナソニック株式会社 レーダ装置及びレーダ方法
US10705130B2 (en) * 2017-08-17 2020-07-07 Integrated Device Technology, Inc. Adaptive transmitter present detection
CN107911117B (zh) * 2017-11-22 2020-05-12 成都九芯微科技有限公司 一种高位建立时间动态校准电路
US10218370B1 (en) * 2018-03-09 2019-02-26 Infineon Technologies Ag Temperature reference gain correction for analog-to-digital converter
US11463071B2 (en) * 2018-04-23 2022-10-04 Samsung Electronics Co,. Ltd Asymmetrical filtering to improve GNSS performance in presence of wideband interference
EP3627705A1 (en) * 2018-09-21 2020-03-25 INTEL Corporation Apparatuses for generating an oscillation signal
TWI670939B (zh) * 2018-12-03 2019-09-01 新唐科技股份有限公司 具有校正功能的延遲線電路及其校正方法
US11405171B2 (en) * 2019-02-22 2022-08-02 Nxp B.V. System and method for controlling full duplex communications at an access point
EP3748512B1 (en) * 2019-06-06 2023-08-02 Infineon Technologies AG Method for a slave device for calibrating its output timing, method for a master device for enabling a slave device to calibrate its output timing, master device and slave device
EP4035271A4 (en) * 2019-09-27 2023-07-05 Intel Corporation METHODS AND DEVICES FOR REDUCING POWER CONSUMPTION AND INCREASING OPERATING FREQUENCY IN DIGITAL-ANALOG CONVERTERS
KR20210057416A (ko) * 2019-11-12 2021-05-21 삼성전자주식회사 무선 통신 장치 및 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1707954A (zh) * 2004-06-04 2005-12-14 瑞昱半导体股份有限公司 多线型平行处理三角积分模拟/数字转换器
CN1933333A (zh) * 2005-09-15 2007-03-21 钰创科技股份有限公司 动态输入的建立/保持时间改良机制
CN101647202A (zh) * 2006-12-22 2010-02-10 艾色拉加拿大公司 数字线性发送器架构
CN102437734A (zh) * 2011-02-18 2012-05-02 崇贸科技股份有限公司 电源转换器的具有可调整功能回授端的控制电路及其方法
US20120201338A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-09 Qualcomm Incorporated Two point modulation digital phase locked loop

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540904A (en) 1983-05-03 1985-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Tri-state type driver circuit
NL8800872A (nl) 1988-04-06 1989-11-01 Philips Nv Geintegreerde schakeling.
US4973904A (en) 1988-12-12 1990-11-27 Ncr Corporation Test circuit and method
JPH02222217A (ja) 1989-02-22 1990-09-05 Toshiba Corp プログラマブル論理回路
US5140180A (en) 1990-08-24 1992-08-18 Ncr Corporation High speed cmos flip-flop employing clocked tristate inverters
KR940007346B1 (ko) 1991-03-28 1994-08-13 삼성전자 주식회사 화상 처리 시스템의 엣지 검출 장치
US5382915A (en) * 1993-07-06 1995-01-17 Motorola, Inc. Pulsewidth-modulated amplifier having analog mode
JPH087573A (ja) 1994-06-14 1996-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置と、そのデータの読出および書込方法
US5572535A (en) 1994-07-05 1996-11-05 Motorola Inc. Method and data processing system for verifying the correct operation of a tri-state multiplexer in a circuit design
GB2317760B (en) 1996-09-27 2000-09-13 Nec Technologies Mobile telephone apparatus
KR100211581B1 (ko) * 1997-05-10 1999-08-02 윤종용 Gps 수신기로부터의 기준클럭신호 지연회로를 이용한 페이징 시스템의 호데이타 송출방법
JP3429977B2 (ja) * 1997-05-16 2003-07-28 富士通株式会社 スキュー低減回路及び半導体装置
AU729775B2 (en) 1998-05-12 2001-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for reducing the peak-to-average power ratio of a mobile station's transmit power
US6473506B1 (en) * 1998-10-13 2002-10-29 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Signaling using phase rotation techniques in a digital communications system
US6343207B1 (en) * 1998-11-03 2002-01-29 Harris Corporation Field programmable radio frequency communications equipment including a configurable if circuit, and method therefor
JP3784979B2 (ja) 1999-02-09 2006-06-14 株式会社東芝 バス駆動回路
US6166598A (en) * 1999-07-22 2000-12-26 Motorola, Inc. Power amplifying circuit with supply adjust to control adjacent and alternate channel power
JP3439696B2 (ja) * 1999-09-14 2003-08-25 松下電器産業株式会社 送信帯域制限フィルタ装置および送信装置
US6294957B1 (en) 2000-01-21 2001-09-25 Harris Corporation RF power amplifier having synchronous RF drive
US6346828B1 (en) 2000-06-30 2002-02-12 Intel Corporation Method and apparatus for pulsed clock tri-state control
US6738420B1 (en) * 2000-07-24 2004-05-18 Prairiecomm, Inc. Digital filter having an upsampler operational at a fractional clock rate
US6865235B2 (en) 2001-03-06 2005-03-08 Agere Systems Inc. Multi-protocol modulator
DE10142657B4 (de) * 2001-08-31 2005-02-24 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung nicht-überlappender Taktphasen
US7058139B2 (en) * 2001-11-16 2006-06-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transmitter with transmitter chain phase adjustment on the basis of pre-stored phase information
DE10202879B4 (de) * 2002-01-25 2004-01-29 Infineon Technologies Ag DLL-(Delay-Locked-Loop)Schaltung
US6549471B1 (en) 2002-02-11 2003-04-15 Micron Technology, Inc. Adiabatic differential driver
JP2005527060A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 半同期受信器および情報を読み出すための装置
US6642749B1 (en) 2002-09-27 2003-11-04 Lsi Logic Corporation Latching sense amplifier with tri-state output
DE10247966A1 (de) * 2002-10-15 2004-05-06 Symrise Gmbh & Co. Kg 5,7,7-Trimethyloctannitril
KR100507873B1 (ko) * 2003-01-10 2005-08-17 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로를 구비한 아날로그 지연고정루프
US7394870B2 (en) * 2003-04-04 2008-07-01 Silicon Storage Technology, Inc. Low complexity synchronization for wireless transmission
US7412008B2 (en) 2003-06-30 2008-08-12 Freescale Semiconductor, Inc. Programmable phase mapping and phase rotation modulator and method
CN100397464C (zh) * 2003-11-03 2008-06-25 联咏科技股份有限公司 电压电平转换器
US8677434B2 (en) * 2003-12-03 2014-03-18 Broadcom Corporation Method and system for direct digital up-conversion in a cable modem
US7215972B2 (en) * 2003-12-09 2007-05-08 Freescale Semiconductor, Inc. Adaptive transmit power control system
JP2005295494A (ja) * 2003-12-25 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 直流オフセットキャンセル回路
US7915954B2 (en) 2004-01-16 2011-03-29 Qualcomm, Incorporated Amplifier predistortion and autocalibration method and apparatus
US7843234B2 (en) 2004-04-14 2010-11-30 Qualcomm Incorporated Break-before-make predriver and level-shifter
US7463869B2 (en) 2004-06-29 2008-12-09 Texas Instruments Incorporated Low noise high isolation transmit buffer gain control mechanism
KR100639616B1 (ko) * 2004-10-29 2006-10-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자에서의 지연 고정 루프 및 그의 록킹 방법
JP4791740B2 (ja) * 2005-03-14 2011-10-12 旭化成エレクトロニクス株式会社 デジタルスイッチングアンプ
JP2008005402A (ja) 2005-08-25 2008-01-10 Yokogawa Electric Corp 試験装置
CN101305519A (zh) * 2005-11-11 2008-11-12 Nxp股份有限公司 积分模数转换器
CN100472946C (zh) 2005-11-16 2009-03-25 弥亚微电子（上海）有限公司 一种适用于电力线载波通信的数字功率放大器
CN2849838Y (zh) * 2005-12-02 2006-12-20 浙江大学 采用异步通信机制的可重构计算单元
CN100461627C (zh) 2005-12-29 2009-02-11 南京航空航天大学 三电平开关功率放大器
US20090091400A1 (en) * 2006-01-11 2009-04-09 Orlik Philip V Method and Apparatus for Generating Dynamically Varying Time Hopping Sequences for UWB Signals
KR100752650B1 (ko) 2006-01-13 2007-08-29 삼성전자주식회사 데이터 버스라인의 부하를 감소시키기 위한 트라이스테이트 출력 드라이버 배치방법 및 이를 이용하는 반도체메모리장치
JP2007210454A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Toyota Motor Corp 車両用スタビライザシステム
ES2371107T3 (es) * 2006-02-24 2011-12-27 Bang & Olufsen Icepower A/S Sistema de conversión de potencia de audio.
US7586369B2 (en) 2006-03-01 2009-09-08 Panasonic Corporation Pulse modulation type electric power amplifier
US8115444B2 (en) * 2006-05-31 2012-02-14 Honeywell International, Inc. Common mode filter for motor controllers
EP2041589B1 (en) * 2006-07-17 2009-12-02 Infineon Technologies AG On-chip test circuit for an embedded comparator
US7827430B2 (en) * 2006-07-26 2010-11-02 Broadcom Corporation Integrated circuit with interpolation to avoid harmonic interference
US8494087B2 (en) * 2006-09-26 2013-07-23 Koninklijke Philips N.V. Method and system to reduce PAPR in single carrier and SCBT communications systems
WO2008041447A1 (fr) * 2006-10-04 2008-04-10 Panasonic Corporation Circuit convertisseur d'impulsions, circuit intégré à semi-conducteur et dispositif électronique
JP2008219387A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Oki Electric Ind Co Ltd 発振信号出力回路
JP2008294730A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Sony Corp 信号処理装置および方法、並びにプログラム
WO2009040897A1 (ja) * 2007-09-26 2009-04-02 Fujitsu Limited 送受信増幅器および遅延偏差補償方法
US8724733B2 (en) * 2007-11-02 2014-05-13 Fadhel M. Ghannouchi All-digital multi-standard transmitters architecture using delta-sigma modulators
TWI337000B (en) 2007-12-11 2011-02-01 Rdc Semiconductor Co Ltd Tri-state i/o port
CN101483425B (zh) * 2008-01-09 2013-05-01 联咏科技股份有限公司 低功率差动信号传输装置
FR2926422B1 (fr) * 2008-01-15 2013-08-16 Commissariat Energie Atomique Systeme d'emission radiofrequence
US8040989B2 (en) * 2008-01-29 2011-10-18 Ibiquity Digital Corporation System and method for sampling rate adjustment of digital radio receiver
US20090253398A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Sheehy Paul B Modulation and upconversion techniques
US8059697B2 (en) * 2008-07-02 2011-11-15 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Reduced peak-to-RMS ratio multicode signal
US8058913B2 (en) * 2008-07-17 2011-11-15 Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation DLL-based multiphase clock generator
JP2010098623A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Rohm Co Ltd Ｄ級電力増幅器
JP5355044B2 (ja) * 2008-11-11 2013-11-27 株式会社東芝 磁気共鳴映像装置
US20100135368A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Texas Instruments Incorporated Upsampling/interpolation and time alignment mechanism utilizing injection of high frequency noise
US7932762B2 (en) 2008-12-18 2011-04-26 Lsi Corporation Latch and DFF design with improved soft error rate and a method of operating a DFF
US20100164648A1 (en) 2008-12-29 2010-07-01 Lior Kravitz Innovative calibration circuit and method for high-frequency active filters
KR101012678B1 (ko) * 2009-02-04 2011-02-09 연세대학교 산학협력단 지연 동기 루프 및 이를 포함하는 전자 장치
EP2237418B1 (en) * 2009-04-03 2017-10-04 Nxp B.V. Frequency synthesiser
CN101562440B (zh) * 2009-05-12 2010-11-10 华为技术有限公司 延迟模块和方法、时钟检测装置及数字锁相环
CN101924547B (zh) * 2009-06-12 2012-02-15 苏州源赋创盈微电子科技有限公司 电流采样装置
GB2471876B (en) * 2009-07-15 2011-08-31 Toshiba Res Europ Ltd Data communication method and apparatus
CN101621489B (zh) * 2009-07-24 2012-06-27 北京大学 一种用于四相调制ofdm***的信道估计方法
US8076963B2 (en) * 2009-09-15 2011-12-13 Qualcomm Incorporated Delay-locked loop having a delay independent of input signal duty cycle variation
US8823343B2 (en) * 2009-12-22 2014-09-02 Yamaha Corporation Power amplifying circuit, DC-DC converter, peak holding circuit, and output voltage control circuit including the peak holding circuit
TWI446361B (zh) 2010-01-21 2014-07-21 Etron Technology Inc 具有失能電路之記憶體及使記憶體失能之方法
US8228106B2 (en) * 2010-01-29 2012-07-24 Intel Mobile Communications GmbH On-chip self calibrating delay monitoring circuitry
US7990298B1 (en) * 2010-03-18 2011-08-02 Provigent Ltd. Reduction of digital-to-analog converter distortion using constellation rotation
US8154432B2 (en) * 2010-03-22 2012-04-10 Raytheon Company Digital to analog converter (DAC) having high dynamic range
US8884697B2 (en) * 2010-07-27 2014-11-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Amplifying device
CN101958873B (zh) * 2010-10-11 2013-03-20 华中科技大学 一种降低ofdm信号峰均功率比的信息传输方法
WO2012049912A1 (ja) 2010-10-14 2012-04-19 三菱電機株式会社 送信装置、受信装置および中継装置
TWI445313B (zh) * 2010-11-05 2014-07-11 Nat Univ Chung Cheng Delayed locking circuit with twisted clocks
US8705657B2 (en) 2010-11-22 2014-04-22 Mediatek Inc. Digital signal processing circuit for generating output signal according to non-overlapping clock signals and input bit streams and related wireless communication transmitters
US8487664B2 (en) * 2010-11-30 2013-07-16 Infineon Technologies Ag System and method for driving a switch
JP5712582B2 (ja) 2010-12-02 2015-05-07 富士通株式会社 光送信器および光送信装置
JP2012156875A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Seiko Instruments Inc 水晶発振回路の負荷容量の決定方法およびそれを用いた電子機器
US9276794B2 (en) * 2011-05-20 2016-03-01 Broadcom Corporation High peak to average power ratio (PAPR) mitigation in high speed data networks using symbol mapping adjustment
KR101092141B1 (ko) * 2011-05-30 2011-12-12 동화전자산업주식회사 디지털 파워앰프 스위칭 드라이브 시스템
US8325865B1 (en) * 2011-07-31 2012-12-04 Broadcom Corporation Discrete digital receiver
US8878501B2 (en) * 2011-09-01 2014-11-04 Micrel, Inc. Multi-phase power block for a switching regulator for use with a single-phase PWM controller
US8867303B2 (en) * 2011-09-16 2014-10-21 Altera Corporation Memory arbitration circuitry
US9065504B2 (en) 2011-10-28 2015-06-23 Broadcom Corporation Transmitter front end with programmable notch filter and methods for use therewith
WO2013081995A2 (en) * 2011-11-28 2013-06-06 Access Business Group International Llc Mutli-bridge topology
US8750526B1 (en) * 2012-01-04 2014-06-10 Audience, Inc. Dynamic bandwidth change detection for configuring audio processor
US8842769B2 (en) * 2012-03-16 2014-09-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Programmable digital up-conversion for concurrent multi-band signals
WO2013152046A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 Marvell World Trade Ltd. Very compact/linear software defined transmitter with digital modulator
CN102769455B (zh) * 2012-07-25 2014-08-13 苏州亮智科技有限公司 高速输入输出接口及其接收电路
CN102999467A (zh) * 2012-12-24 2013-03-27 中国科学院半导体研究所 基于fpga实现的高速接口与低速接口转换电路及方法
US9876501B2 (en) 2013-05-21 2018-01-23 Mediatek Inc. Switching power amplifier and method for controlling the switching power amplifier

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1707954A (zh) * 2004-06-04 2005-12-14 瑞昱半导体股份有限公司 多线型平行处理三角积分模拟/数字转换器
CN1933333A (zh) * 2005-09-15 2007-03-21 钰创科技股份有限公司 动态输入的建立/保持时间改良机制
CN101647202A (zh) * 2006-12-22 2010-02-10 艾色拉加拿大公司 数字线性发送器架构
US20120201338A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-09 Qualcomm Incorporated Two point modulation digital phase locked loop
CN102437734A (zh) * 2011-02-18 2012-05-02 崇贸科技股份有限公司 电源转换器的具有可调整功能回授端的控制电路及其方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106018945A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 联发科技股份有限公司 动态功率计量器电路及其操作方法
CN106018945B (zh) * 2015-03-30 2019-02-01 联发科技股份有限公司 动态功率计量器电路及其操作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9577638B2 (en) 2017-02-21
CN104184417A (zh) 2014-12-03
CN104184450A (zh) 2014-12-03
US9191004B2 (en) 2015-11-17
US20140347127A1 (en) 2014-11-27
CN104184439A (zh) 2014-12-03
EP2824831A3 (en) 2015-04-22
US20140350872A1 (en) 2014-11-27
CN104184450B (zh) 2017-09-29
CN104184451A (zh) 2014-12-03
US20140348269A1 (en) 2014-11-27
US20160373243A1 (en) 2016-12-22
CN104184423B (zh) 2018-02-09
US20170272074A1 (en) 2017-09-21
US20140348279A1 (en) 2014-11-27
CN107257231B (zh) 2021-05-28
CN104184503B (zh) 2018-04-24
US9876501B2 (en) 2018-01-23
CN107257231A (zh) 2017-10-17
CN104184527B (zh) 2017-04-12
CN104184451B (zh) 2017-01-18
US9124267B2 (en) 2015-09-01
US20140348259A1 (en) 2014-11-27
CN104184423A (zh) 2014-12-03
CN104184452B (zh) 2017-08-18
CN108055008A (zh) 2018-05-18
EP2824831A2 (en) 2015-01-14
CN104184417B (zh) 2018-07-24
US9917586B2 (en) 2018-03-13
US20140348264A1 (en) 2014-11-27
US9698785B2 (en) 2017-07-04
US9712169B2 (en) 2017-07-18
US9118319B2 (en) 2015-08-25
US20140347094A1 (en) 2014-11-27
US9094004B2 (en) 2015-07-28
US20140348217A1 (en) 2014-11-27
CN108632187A (zh) 2018-10-09
CN108055008B (zh) 2021-07-30
CN104184439B (zh) 2017-04-12
CN104184527A (zh) 2014-12-03
US9425796B2 (en) 2016-08-23
CN104184503A (zh) 2014-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104184452A (zh) 数据转换装置、数字传送装置与数字转换方法
CN101605114B (zh) 解调器
CN102232269B (zh) 用于无线接收器的可重新配置的无源混频器
CN110460335A (zh) 一种基于可调电荷泵的动态比较器失调校准电路
US7576675B1 (en) Return-to-zero current-steering DAC with clock-to-output isolation
US20130249750A1 (en) Antenna adjustment circuit, antenna adjustment method, and communication unit
CN107040322A (zh) 射频互连件及校准射频互连件的方法
CN104270147A (zh) 一种环形振荡器
CN112737586A (zh) 高速采样电路
CN105247436A (zh) 具有前馈和反馈控制的电压调节器
US20220200583A1 (en) Inverter circuit, digital-to-analog conversion cell, digital-to-analog converter, transmitter, base station and mobile device
US9264076B2 (en) Signal generation device
CN109391263A (zh) 一种基于电流补偿的自校准电荷泵电路
US10917106B2 (en) Electronic device forming a digital-to-analog converter and a mixer
Weiß et al. Integrated 2-b Riemann pump RF-DAC in GaN technology for 5G base stations
US9263990B2 (en) Impedance transformer for use with a quadrature passive CMOS mixer
US9397615B2 (en) Harmonic rejection power amplifier
CN204103896U (zh) 一种环形振荡器
CN100508387C (zh) 相位延迟电路
US20220190841A1 (en) Digital-to-analog converter, transmitter and mobile device
CN210724717U (zh) 一种占空比为25%的正交本振信号产生装置
CN219577036U (zh) 低压到正负电压的电平转化电路
US6753704B2 (en) Sampling phase detector
CN210183315U (zh) 一种低成本小型化高性能本振合成器
CN108134579B (zh) 数控振荡器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170818

Termination date: 20190521