CN104114287A - 阻气性膜的制造方法及具备阻气性膜的电子构件或光学构件 - Google Patents

阻气性膜的制造方法及具备阻气性膜的电子构件或光学构件 Download PDF

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Abstract

本发明是阻气性膜的制造方法、以及具备由本发明制得的阻气性膜的电子构件或光学构件。所述阻气性膜的制造方法是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法，其特征在于，具有下述工序1、2。由本发明制得的阻气性膜即使在高温·高湿条件下也不会发生阻气层与基材的密合不良的问题。（工序1）是下述工序：在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液，将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥，由此形成含有硅系高分子化合物的层，所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合；（工序2）是下述工序：通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。

Description

阻气性膜的制造方法及具备阻气性膜的电子构件或光学构件
技术领域
本发明涉及用作液晶显示器、电致发光（EL）显示器等电子装置用构件的阻气性膜的制造方法、以及具备所述阻气性膜的电子构件或光学构件。
背景技术
近年来，为了实现液晶显示器、电致发光（EL）显示器等显示器的薄型化、轻量化、挠性化，对使用透明塑料膜进行了研究。然而，通常与玻璃基板相比，塑料膜会使水蒸汽或氧等透过，因而若将透明塑料膜用作显示器的基板，则存在显示器内部的元件容易劣化的问题。
为了解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料膜表面通过蒸镀法、离子镀覆法、溅射法等层叠包含金属氧化物的透明阻气层的挠性显示器基板。然而，专利文献1中记载的方法需要很大的设备，因而在成本方面存在问题。另外，若将层叠有这样的包含金属氧化物的透明阻气层的基板磨圆、或折弯，则也存在该阻气层发生开裂而使阻气性降低的问题。
为了解决这些问题，专利文献2中提出了以下方法：在膜（基材）的至少一个面形成聚硅氮烷膜，对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理来制造阻气性膜。然而，采用该方法时，如果不使阻气层的厚度为微米级别，则不能获得足够的阻气性能，另外，当阻气性膜被放置在高温・高湿条件下时，有时聚硅氮烷膜与膜的界面剥离而使阻气性降低。
目前为止，作为使膜与聚硅氮烷膜的界面的密合性提高的方法，已知在膜上设置底漆层的方法、或者通过电晕处理、等离子体处理等在膜表面生成官能团的方法等，但由于均增加工序数，因此生产率降低而在成本方面具有课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-338901号公报
专利文献2：日本特开2007-237588号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是鉴于上述实际情况完成的，目的在于提供即使被长时间放置在高温・高湿条件下、也不会发生阻气层与基材的密合不良的问题的阻气性膜的制造方法、以及具备采用该制造方法制得的阻气性膜的电子构件或光学构件。
用于解决技术问题的手段
本发明人等为了解决上述课题而对于在基材上形成阻气层的阻气性膜的制造方法进行了深入研究。其结果发现，当在基材上涂布含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液、对得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜进行加热干燥来形成含有硅系高分子化合物的层时，如果将上述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、上述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合用作使用的基材与有机溶剂的组合，进一步对含有所得的硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层，则具有优异的阻气性，而且即使被长时间放置在高温・高湿条件下时，也能够高效地获得不发生阻气层与基材的密合不良的问题的阻气性膜，从而完成本发明。
于是，根据本发明，提供下述（1）～（6）的阻气性膜的制造方法、以及（7）具备根据本发明制得的阻气性膜的电子构件或光学构件。
（1）一种阻气性膜的制造方法，其是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
（工序1）是下述工序：在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液，将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥，由此形成含有硅系高分子化合物的层，
所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合；
（工序2）是下述工序：通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。
（2）根据（1）所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述工序2的等离子体处理是对含有所述硅系高分子化合物的层注入离子。
（3）根据（1）所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述工序2的等离子体处理是采用等离子体离子注入法对含有所述硅系高分子化合物的层注入离子。
（4）根据（1）所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述基材包含非晶性高分子。
（5）根据（1）所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述基材包含玻璃化转变温度为100℃以上的非晶性高分子。
（6）根据（1）所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述硅系高分子化合物是选自聚硅氮烷化合物、聚碳硅烷化合物、聚硅烷化合物以及聚有机硅氧烷化合物中的至少一种。
（7）一种电子构件或光学构件，其具备利用上述（1）～（6）中任一项所述的制造方法而得的阻气性膜。
发明效果
利用本发明的阻气性膜的制造方法，即使被长时间放置在高温・高湿条件下，也能够高效地制造不发生阻气层与基材的密合不良的问题的阻气性膜。
另外，由于本发明的电子构件和光学用构件具备采用本发明的制造方法制得的阻气性膜，因此，即使被长时间放置在高温・高湿条件下时，也不会发生阻气层与基材的密合不良的问题，从而耐久性优异。
附图说明
图1：是本发明的制造方法的工序截面图。
具体实施方式
下面，将本发明按照1）阻气性膜的制造方法、和2）具备阻气性膜的电子构件或光学构件分项进行详细说明。
1）阻气性膜的制造方法
本发明的阻气性膜的制造方法是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法，其特征在于，具有下述工序1和2：
（工序1）是下述工序：在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液，将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥，由此形成含有硅系高分子化合物的层，
所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合；
（工序2）是下述工序：通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。
应予说明，在本说明书中，“膜”不仅包含薄片（枚葉）的膜，也包含长尺寸状（带状）的膜。另外，所谓“阻气性”，是指抑制氧、水蒸汽等气体透过的膜特性。
将本发明的制造方法的工序截面图示于图1（a）～（c）。图1（a）～（c）中，分别为1表示基材，2表示硅系高分子化合物溶液的涂膜，3表示将上述涂膜干燥而得的含有硅系高分子化合物的层，3a表示在含有高分子化合物的层3与基材1的边界部的、通过将基材1的表面部溶解于上述有机溶剂中而由构成基材的合成树脂与硅系高分子化合物的混合物形成的区域，3b表示通过等离子体处理对含有硅系高分子化合物的层的表面改性而得的区域，4表示阻气层。
下面，边参照附图，边对本发明的工序1、2进行详细说明。
应予说明，采用本发明的制造方法制得的阻气性膜不限定于图1（c）。
〈工序1〉
工序1是以下工序：在基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液，将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥，由此形成含有硅系高分子化合物的层，上述基材与有机溶剂的组合是将上述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、上述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合。
作为使用的基材，包含合成树脂，构成上述基材合成树脂可以适度地溶解于在硅系高分子化合物溶液中使用的有机溶剂中（在23℃下浸渍于使用的有机溶剂中72小时时的凝胶分数为70%以上、低于98%的合成树脂），从该观点考虑，优选包含非晶性高分子。
作为非晶性高分子，例如可以举出具有降冰片烯结构的聚烯烃等环烯烃系高分子；聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物等苯乙烯系高分子；芳香族聚碳酸酯、脂肪族聚碳酸酯等碳酸酯系高分子；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系高分子；酰亚胺系高分子；聚醚砜、聚砜、改性聚砜、聚苯基砜等聚砜系高分子；聚苯硫系高分子；乙烯醇系高分子；丁酸乙烯基酯系高分子；乙烯醇缩醛系高分子；芳基化物系高分子；聚甲醛系高分子；或者它们的混合物等。
这些之中，作为使用的合成树脂，从获得耐热性优异的阻气性膜的观点考虑，优选玻璃化转变温度为100℃以上的合成树脂，更优选为120℃以上的合成树脂，特别优选为130℃以上的合成树脂。
玻璃化转变温度为100℃以上的合成树脂的热尺寸稳定性优异，即使在加热时，也不会由基材的热收缩而导致阻气层与基材的密合性降低。
其中，从获得耐热性优异的阻气性膜的观点考虑，优选环烯烃系高分子；碳酸酯系高分子；聚砜系高分子。另外，从获得透明性也优异的阻气性膜的观点考虑，更优选环烯烃系高分子，进一步优选具有降冰片烯结构的聚烯烃，特别优选将降冰片烯与乙烯共聚而得的环烯烃共聚物。
从溶解性的观点考虑，使用的合成树脂的重均分子量优选为200～1,000,000，更优选为1,000～100,000。
作为基材的厚度，没有特别限定，通常为0.5～500μm，优选为1～100μm。
基材的算术表面粗糙度（Ra）优选为2.0nm以下。如果Ra超过2.0nm，则虽然通过锚效应而获得与包含硅系高分子化合物的层的密合性，但在基材上形成的包含硅系高分子化合物的层的表面粗糙度增大，因而不优选。应予说明，上述表面粗糙度Ra是利用光干涉显微镜对测定区域：10,000μm2获得的值。
作为使用的硅系高分子化合物（以下有时简称为“高分子化合物”），是溶解于后述有机溶剂中的硅系高分子化合物，只要可以通过实施等离子体处理来改性而形成阻气层，就没有特别限定。
作为硅系高分子化合物，可以使用公知的硅系高分子化合物。例如可以举出聚硅氮烷化合物、聚碳硅烷化合物、聚硅烷化合物、以及聚有机硅氧烷化合物等（参照日本特公昭63-16325号公报、日本特开昭62-195024号公报、日本特开昭63-81122号公报、日本特开平1-138108号公报、日本特开平2-84437号公报、日本特开平2-175726号公报、日本特开平4-63833号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平5-345826号公报、日本特开平6-122852号公报、日本特开平6-306329号公报、日本特开平6-299118号公报、日本特开平9-31333号公报、日本特开平10-245436号公报、特表2003-514822号公报、日本特开2005-36089号公报、日本特开2008-63586号公报、日本特开2009-235358号公报、日本特开2009-286891号公报、日本特开2010-106100号公报、日本特开2010-229445号公报、日本特开2010-232569号公报、日本特开2010-238736号公报、WO2011/107018号等）。
这些之中，从阻气性的观点考虑，特别优选聚硅氮烷化合物。
作为聚硅氮烷系化合物，没有特别限定，可以为无机聚硅氮烷，也可以为有机聚硅氮烷。从获得容易性和阻气性的观点考虑，更优选无机聚硅氮烷，优选下述式（1）表示的全氢聚硅氮烷、和一部分或全部氢被烷基等有机基团取代而得的有机聚硅氮烷。
[化1]
（式中，n表示任意自然数）。
聚硅氮烷系化合物可以单独使用一种，或者也可以将两种以上混合使用。
另外，也可以直接将作为玻璃涂布材料等市售的市售品用作聚硅氮烷系化合物。
制备硅系高分子化合物溶液（以下有时称为“高分子化合物溶液”。）所使用的溶剂是上述高分子化合物的良溶剂，只要将上述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、上述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%，就没有特别限定。从密合性和抑制卷边的方面考虑，更优选凝胶分数为85～95%。
凝胶分数为98%以上时，基材在溶剂中几乎不溶解，几乎没有形成后述的区域3a。因此，有可能无法获得本发明的效果即基材与阻气层的优异的密合性。另外，凝胶分数小于70%时，基材的表面过度溶解，透明性降低、或基材易于发生极端的卷边。在此，所谓卷边，是指通过目视观察到的基材翘曲。
具体而言，凝胶分数可以按照下面的方式计算。
将切成100mm×100mm的基材用预先测定了质量的150mm×150mm的尼龙网眼布（＃120）包裹，在23℃于100mL有机溶剂中浸渍72小时，取出并在120℃干燥1小时，测定干燥后基材的质量，通过下述式计算出相对于浸渍前基材的质量的质量百分数为凝胶分数。完全不溶解时为100%。
[化2]
凝胶分数(%)=（浸渍后的残留树脂的重量）/（浸渍前的树脂的重量）]×100。
使用的基材与有机溶剂的组合是将基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、上述基材的凝胶分数为上述范围的组合，由此基材的极表面部分经有机溶剂溶解，形成构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的溶液状态，其后，通过加热干燥除去有机溶剂，在基材与含有高分子化合物的层的界面形成包含构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的区域。作为结果，基材与后述阻气层的密合性提高。
根据本发明的制造方法，使密合性提高，因此，不需要在基材与阻气层之间设置底漆层等，从而能够实现工序的简单化。
作为使用的有机溶剂的具体例，取决于使用的基材、高分子化合物的种类，可以举出甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂；乙酸乙酯等酯系溶剂；甲基乙基酮等酮系溶剂；二丁基醚、乙二醇、单丁基醚、1,3-二氧戊环等醚系溶剂；二氯甲烷、氯化乙烯、二氯甲烷等卤代烃系溶剂；己烷等脂肪族烃系溶剂；等。这些溶剂可以单独使用一种，或者可以将两种以上混合使用。
这些之中，出于与上述例示的基材的关系，从获得优选的凝胶分数、和上述例示的高分子化合物的溶解性优异的观点考虑，优选芳香族系溶剂、醚系溶剂，更优选二甲苯、二丁基醚。
高分子化合物溶液可以通过使高分子化合物溶解在有机溶剂中来制备。
高分子化合物溶液的高分子化合物的固体成分浓度优选为1～60质量%，更优选为3～45质量%，进一步优选为3～30质量%。具有该范围的固体成分浓度时，能够使基材适度溶解，且可以通过适度的粘度形成具有优异的涂布操作性的溶液。
在高分子化合物溶液中，可以在不妨碍本发明的效果的范围含有辅助溶解的成分等其它成分。
作为在基材上涂布上述高分子化合物溶液的方法，没有特别限定，可以利用旋涂法、喷雾涂布法、棒涂法、刮刀涂法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版印刷涂布法等公知的涂布方法。
即，如图1（a）所示，对将高分子化合物溶液涂布在基材1上得到的涂膜2进行加热干燥，由此形成含有高分子化合物的层3。此时，基材的极表面部适度地溶解于有机溶剂，形成构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的溶液状态，如图1（b）所示，作为结果，在基材1与含有高分子化合物的层3的界面形成包含构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的区域3a。
作为干燥涂膜2的方法，可以使用热风干燥、热辊干燥等以往公知的干燥方法。
干燥温度宜根据有机溶剂的沸点和构成基材的合成树脂的种类、在基材在有机溶剂中的溶解适度进行的范围适当选择，优选为100℃～构成基材的合成树脂的玻璃化转变温度（Tg）的范围。如果低于100℃，则溶剂的挥发速度变慢，基材过度溶解，有时基材发生卷边，因而不优选。另外，如果干燥温度超过构成基材的合成树脂的Tg，则有时基材热收缩，因而不优选。从该意思上讲，优选构成基材的合成树脂的Tg为100℃以上。
干燥时间取决于使用材料（基材和有机溶剂）的种类、干燥温度等，通常为几秒～1小时，优选为30秒～15分钟，更优选为30秒～5分钟。
通过适当调整干燥温度和干燥时间，在基材1与含有高分子化合物的层3的界面，形成包含构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的纳米水平厚度的区域3a，作为结果，提高基材1与阻气层4的密合性。
图1（b）所示的含有高分子化合物的层3的整体厚度没有特别限定，通常为20nm～10μm，优选为30～500nm，更优选为40～200nm。
〈工序2〉
工序2是通过对工序1中形成的含有高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层的工序。
通过进行等离子体处理，含有高分子化合物的层3的表面被改性，如图1（c）所示，形成具有阻气性的区域，即通过等离子体处理形成含有高分子化合物的层的表面被改性的区域3b。在此，所谓“阻气层”，不是指由等离子体处理而带来的含有高分子化合物的层的表面被改性的区域3b，而是指“包含具有通过等离子体处理而改性的区域3b、和包含构成基材的合成树脂与硅系高分子化合物的混合物的区域3a的高分子化合物的层；4”。
作为等离子体处理的方法，可以使用以往公知的方法，但由于能够简便地形成阻气性优异的阻气层，优选对含有高分子化合物的层注入离子的方法。
作为注入离子的方法，没有特别限定，可以举出照射经电场加速的离子（离子束）的方法、注入等离子体中的离子的方法（等离子体离子注入法）等。其中，从简便地获得阻气性膜的观点考虑，优选后者的等离子体离子注入法。
等离子体离子注入法是以下方法：在含有等离子体生成气体的气氛下使等离子体生成，对含有高分子化合物的层施加负高电压脉冲，由此将该等离子体中的离子（阳离子）注入到对象物。
作为等离子体离子注入法，优选（A）将存在于用外部电场产生的等离子体中的离子注入前述层的表面部的方法、或（B）不使用外部电场，而将存在于仅通过以施加于前述层的负高电压脉冲造成的电场而产生的等离子体中的离子注入前述层的表面部的方法。
在上述（A）和（B）任一方法中，均优选施加负高电压脉冲时、即离子注入时的脉冲宽度为1～15μsec。当脉冲宽度处于这样的范围时，能够简便且高效地形成透明、均匀的离子注入层。
使等离子体生成时的施加电压优选为-1kV～-50kV，更优选为-1kV～-30kV，特别优选为-5kV～-20kV。如果以施加电压比-1kV大的值进行离子注入，则离子注入量（剂量）不够，无法获得所希望的性能。另一方面，如果以比-50kV小的值进行离子注入，则当离子注入时膜带电、还发生在膜上着色等不良情况，从而不优选。
等离子体离子注入的离子种类可以举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子；氟碳化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等金属离子等。
这些之中，由于能够更简便地注入、并获得具有优异的阻气性和透明性的阻气层，因此优选选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、以及氪中的至少一种离子。
离子的注入量、注入离子的部分的厚度考虑阻气层的厚度、阻气性膜的使用目的等适当决定即可。
通常从注入离子方面考虑，注入离子的部分的厚度为10～1000nm，优选为10～200nm。其厚度根据离子种类、施加电压、处理时间等注入条件控制即可。
采用本发明的制造方法制得的阻气性膜具有优异的阻气性。所谓采用本发明的制造方法制得的阻气性膜具有优异的阻气性，可以由阻气性膜的水蒸汽透过率小等来确认。
阻气膜的水蒸汽透过率在40℃、相对湿度为90%气氛下通常为0.5g/m2/天以下，优选为0.1g/m2/天以下。水蒸汽透过率可以采用公知的方法测定。
本发明的阻气性膜的制造方法可以通过上述工序1、工序2、在基材的一面侧形成1层由含有高分子化合物的层形成的阻气层，也可以在基材两面形成该阻气层。另外，可以具有将已形成的阻气性膜多片层叠的工序，也可以具有将基材层、阻气层以外的其它层层叠的工序。作为其它层，可以举出保护层、导电体层、粘接剂层等。
（保护层）
保护层是在由外部加以冲击时具有保护阻气层的作用的层。
层叠保护层的位置没有特别限定，但优选与阻气层邻接层叠。
作为保护层，优选透明性好、耐划伤性良好的层。进而在保护层被***到电子装置、光学装置中时、配置于最表面的情况下，可以具备防污性、耐指纹防吸附性、防静电性、防水性、亲水性等功能。
保护层的材料没有特别限制，例如可以举出含硅化合物；包含光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、以及至少含有通过可见光区域的光生成自由基的聚合引发剂的聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂（特别是聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等与异氰酸酯化合物的双液固化型树脂）、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基缩丁醛系树脂、硝基纤维素系树脂等树脂类；钛酸烷基酯；吖丙啶；等。
这些可以单独使用一种，或者也可以将两种以上组合使用。
其中，作为保护层的材料，从透明性、耐划伤性优异方面考虑，优选包含光聚合性单体和/或光聚合性预聚合物的光聚合性化合物、以及至少含有通过可见光区域的光生成自由基的聚合引发剂的聚合性组合物。
作为光聚合性化合物和聚合引发剂，可以使用公知的活性能量线固化型化合物和光聚合引发剂等。
保护层可以通过以下方式形成：采用公知的方法，涂布将上述材料溶解或分散在适当的溶剂而形成的保护层形成用溶液，使所得的涂膜干燥并根据期望进行加热。
保护层的厚度可考虑阻气性膜的使用目的等适当选择。其厚度通常为0.05～10μm，优选为0.1～8μm，更优选为0.2～5μm。
若为0.05μm以上，则形成耐划伤性足够的保护层。若为10μm以下，则难以发生由固化时的变形导致的卷边。
保护层的表面粗糙度Ra（算术平均粗糙度）优选为10.0nm以下，更优选为8.0nm以下。另外，表面粗糙度Rt（最大截面高度）优选为100nm以下，更优选50nm以下。
若表面粗糙度Ra和Rt分别超过10.0nm、100nm，则阻气层的表面粗糙度增大，有可能降低阻气性膜的阻气性。
应予说明，表面粗糙度Ra和Rt是利用100μm×100μm的试样、采用光干涉法而得到的值。
（导电体层）
由本发明制得的阻气性膜可以具有导电体层。
导电体层是具有导电性的层，是在电子构件等中用作电极、或为了使防静电性、放热性提高而设置的层。
层叠导电体层的位置根据使用阻气性膜的目的选择即可，没有特别限定。
导电体层的表面电阻率优选为1000Ω/□以下，更优选为200Ω/□。
导电体层的厚度考虑阻气性膜的使用目的等适当选择即可。其厚度通常为10nm～9μm，优选为20nm～1.0μm。
作为导电体层的材料，可以举出金属、合金、金属氧化物、导电性化合物、它们的混合物等。具体地可以举出掺杂有锑的氧化锡（ATO）；掺杂有氟的氧化锡（FTO）；氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡（ITO）、氧化锌铟（IZO）等金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属和金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料；等。
这些之中，从透明性方面考虑，优选金属氧化物，特别优选氧化锌、氧化铟、氧化铟锡（ITO）、氧化锌铟（IZO）等氧化铟系、氧化锌系的金属氧化物。
作为导电体层的形成方法，例如可以举出蒸镀法、溅射法、离子镀覆法、热CVD法、等离子体CVD法等。这些之中，由于能够简便地形成导电体层，因而优选溅射法。
对于形成的导电体层，可以根据需要地进行图案化。作为图案化的方法，可以举出基于光刻法等的化学蚀刻、利用激光等的物理蚀刻等、利用掩模的真空蒸镀法、溅射法、提离法、印刷法等。
由本发明制得的阻气性膜含有其它层时，只要满足上述条件，则层叠的顺序、层叠数没有特别限制。
作为含有导电体层、保护层的阻气性膜，例如可以举出具有以下层结构的膜：（导电体层/阻气层/基材）、（导电体层/保护层/阻气层/基材）、（保护层/阻气层/基材）、（保护层/阻气层/基材/阻气层）、（保护层/阻气层/基材/阻气层/保护层）等。
应予说明，上述结构表示使用时的结构。
由本发明制得的阻气性膜即使长时间放置在高温・高湿下后，也难以在基材与阻气层的界面剥离，还难以发生起泡、浮动等，耐弯曲性、耐热性、耐湿性优异。
由本发明制得的阻气性膜的阻气性优异，且可以优选用作在高温・高湿条件下也不会发生阻气层与基材的密合性不良的电子构件用、光学构件用的阻气性膜。特别优选用作挠性显示器基板等要求挠性的电子构件用、液晶显示元件用塑料基板等要求耐热性、耐湿性的电子构件用。
2）具备阻气性膜的电子构件或光学构件
本发明的电子构件和光学构件的特征在于，具备采用本发明的制造方法制得的阻气性膜。
作为电子构件，例如可以举出液晶显示器构件、有机EL显示器构件、无机EL显示器构件、电子纸构件、太阳能电池、热电转换构件等挠性基板等。
作为光学构件，例如可以举出滤光器、波长转换装置、调光装置、偏振片、相位差板的光学构件等。
本发明的电子构件和光学构件是将采用本发明的制造方法制得的阻气性膜层叠而形成的，因此，阻气性优异，能够防止水蒸汽等气体浸入。
另外，本发明的电子构件和光学构件以轻量实现薄型化，且在高温条件下、高湿条件下使用时也难以降低阻气性。
实施例
下面，举出实施例对本发明进一步详细说明。但是，本发明不受以下的实施例任何限定。
（实施例1）
采用旋涂法在作为基材的环烯烃共聚物制膜(Polyplastics公司制，TOPAS 6017，厚度100μm，玻璃化转变温度160℃，第1表中，简写为“COC”。)上，涂布含有作为硅系高分子化合物的全氢聚硅氮烷、和作为溶剂的二甲苯的高分子化合物溶液（Clariant Japan公司制，AQUAMICA NL110-20），以使干燥后的厚度为150nm，对所得涂膜在120℃下加热2分钟，形成高分子化合物层。
应予说明，将上述环烯烃共聚物制膜在23℃下浸渍于二甲苯中72小时时，该环烯烃共聚物制膜的凝胶分数为80%。
接着，利用等离子体离子注入装置，在下述条件下对高分子化合物层的表面等离子体离子注入氩（Ar），制作在基材上形成阻气层的阻气性膜1。
＜等离子体离子注入的条件＞
・气体流量：100sccm
・占空比：0.5%
・重复频率：1000Hz
・施加电压：-10kV
・RF电源：频率　13.56MHz、施加电力　1000W
・腔室内压：0.2Pa
・脉冲宽度：5μsec
・处理时间（离子注入时间）：5分钟
・搬送速度：0.2m/min。
（实施例2～5）
在实施例1中，将下述第1表所示的用作基材和溶剂，除此之外，与实施例1同样地进行，制作在基材上形成有阻气层的实施例2～5的阻气性膜2～5。
应予说明，第1表中，PC、PSF、PVAC表示以下意思。
・PC：聚碳酸酯树脂膜（帝人化成公司制，PUREACE，厚度100μm，玻璃化转变温度145℃）
・PSF：聚砜系树脂膜（BASF公司制、ＵLTRASON　S3010、厚度55μm、玻璃化转变温度187℃）
・PVAC：聚乙烯醇缩醛树脂膜（积水化学工业公司制，SLEC KS-10，厚度20μm，玻璃化转变温度110℃）。
（比较例1）
在实施例1中，作将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（东洋纺公司制，PET50A-4100，厚度50μm，玻璃化转变温度80℃，在下述第1表中表示成“PET”。）用作基材，除此之外，与实施例1同样地进行，制作比较例1的阻气性膜1r。
（比较例2）
在实施例1中，将下述第1表所示的用作基材、溶剂，除此之外，与实施例1同样地进行，制作在基材上形成有阻气层的比较例2的阻气性膜2r。
将实施例1～5和比较例1、2中使用的基材的种类和厚度、硅系高分子化合物的稀释溶剂总结于下述表1。
＜阻气性膜的性能确认试验＞
采用下述所示的方法，对实施例1～5、和比较例1、2中得到的阻气性膜1～5、1r以及2r，进行水蒸汽透过率的测定、层间密合性评价试验。将其结果示于下述第1表。
（水蒸汽透过率的测定）
在40℃、相对湿度为90%的条件下，利用水蒸汽透过率测定装置（mocon公司制、PERMATRAN-W3/33）测定水蒸汽透过率。
（层间密合性评价试验）
在高温湿热条件（60℃，湿度90%）下静置150小时后，根据棋盘格子试验（JIS K-5400（1990年））观测膜的剥离。观察100个格子，观测到膜剥离的数量低于全部的10%时评价为“○”，观测到膜剥离的数量是全部的10%以上时评价为“×”。
[表1]
由第1表可知，实施例1～5中制得的阻气性膜1～5与利用包含相对于使用的有机溶剂的凝胶分数超过98%的合成树脂的基材而形成的比较例1、2的阻气性膜相比，基材与阻气层的密合性优异。
特别是对于利用包含相对于使用的有机溶剂的凝胶分数为90%的合成树脂的基材的实施例2、4中得到的阻气性膜，通过目视观察完全没有观察到卷边，作为阻气性膜极其优异。
符号说明
1・・・基材
2・・・高分子化合物溶液的涂膜
3・・・含有高分子化合物的层
3a・・・包含构成基材的合成树脂与高分子化合物的混合物的区域
3b・・・通过等离子体处理对含有高分子化合物的层的表面改性而得的区域
4・・・阻气层

Claims (7)

1.一种阻气性膜的制造方法，其是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
工序1是下述工序：在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液，将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥，由此形成含有硅系高分子化合物的层，
所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合；
工序2是下述工序：通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。
2.根据权利要求1所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述工序2的等离子体处理是对含有所述硅系高分子化合物的层注入离子。
3.根据权利要求1所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述工序2的等离子体处理是采用等离子体离子注入法对含有所述硅系高分子化合物的层注入离子。
4.根据权利要求1所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述基材包含非晶性高分子。
5.根据权利要求1所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述基材包含玻璃化转变温度为100℃以上的非晶性高分子。
6.根据权利要求1所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述硅系高分子化合物是选自聚硅氮烷化合物、聚碳硅烷化合物、聚硅烷化合物以及聚有机硅氧烷化合物中的至少一种。
7.一种电子构件或光学构件，其具备利用权利要求1～6中任一项所述的制造方法而得的阻气性膜。
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