CN104022095A - 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法 - Google Patents

镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104022095A
CN104022095A CN201410235083.2A CN201410235083A CN104022095A CN 104022095 A CN104022095 A CN 104022095A CN 201410235083 A CN201410235083 A CN 201410235083A CN 104022095 A CN104022095 A CN 104022095A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
gold
calcium alloy
bonding wire
lanthanum calcium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410235083.2A
Other languages
English (en)
Inventor
徐云管
李湘平
彭庶瑶
梁建华
涂海情
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410235083.2A priority Critical patent/CN104022095A/zh
Publication of CN104022095A publication Critical patent/CN104022095A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明提供了一种镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法，该键合丝是以高纯银为主体材料，包括镧、钙、金金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：银含量为：94%-96%、镧含量为2%-3%、钙含量为0.5%-1%、金含量为1.5%-2%；其制造方法包括：提取纯度大于99.9999%的高纯银，制备成银合金铸锭，再制成铸态银镧钙合金母线，将母线拉制成1mm左右，经热处理后在其表面电镀纯金保护层，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的镀金银镧钙合金键合丝。

Description

镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及微电子后道封装工序用金属键合丝及其制造方法，尤其涉及一种镀金银镧钙等合金材料制作的镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法。
背景技术
    目前用于集成电路、半导体分立器件等领域的引线封装键合丝最为广泛采用的是黄金类键合丝。由于黄金属贵重金属，价格昂贵且日益上涨，给用量最大的中低端LED、IC封装用户带来沉重的成本压力。因而业界急需成本相对低廉、性能稳定可靠的新型键合丝材料用以取代黄金键合丝。以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。
发明内容
本发明的目的是提供一种以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法，它克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高等不足。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种镀金银镧钙合金键合丝，组成键合丝的材料各成分重量百分比为：金（Au）占1.5%-2%、钙（Ca）占0.5%-1%、镧（La）占2%-3%，银（Ag）占94%-96%。
其中要求金的纯度大于99.99%、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
所述镀金银镧钙合金键合丝的制造方法步骤如下：
① 提取高纯银：将1号银（IC-Ag99.99）作为阳极浸入电解液中，以高纯银箔作为阴极浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入（7-9）V、（2.5-3.5）A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃，待阴极积聚一定重量的纯度大于99.9999%的高纯银时及时更换高纯银箔，再经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：提取纯度大于99.9999%的高纯银，然后加入金、钙、镧，成分含量按照重量百分比分别为金（Au）占0.7%-1%、钙（Ca）占0.5%-1%、镧（La）占2%-3%，银（Ag）占94%-96%，因为留有后续工艺中电镀金的余量，所以这里各项材料质量百分比之和不等于100%。这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热至（1100-1150）℃，待完全熔化、精炼和除气后，将熔液注入连铸室中间的储液池保温，在维持（2-5）L/min净化氮气流量的连铸室中，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 表面镀金：采用常规电镀设备和工艺，将退火后的1mm左右的银镧钙合金丝电镀纯金防氧化保护层，电镀用金的纯度大于99.99%；电流密度（4-4.5）A/dm2，镀层厚度控制在0.9μm-1.4μm，收线速度为（4-5）m/min；经镀金后的镀金银镧钙合金丝中金占总重量的百分比控制在1.5%-2%。
⑦ 精拔：将直径为1mm左右的镀金银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）镀金银镧钙合金键合丝。
⑧ 热处理：将精拔后的镀金银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑨ 表面清洗：将退火处理后的镀金银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
⑩ 分卷：将成品镀金银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
本发明的技术效果是：以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。它它克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高等不足。
具体实施方式
为了便于理解，下面结合具体实施例对本发明予以进一步说明。
实施例1
一种以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占1.5%、钙（Ca)占0.5%、镧（La）占2%，银（Ag）占96%；要求金的纯度大于99.99%、、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
其制作工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：以国家标准GB/T4135中1号银（IC-Ag99.99）为基材，提取纯度大于99.9999%的高纯银，经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按前述的键合丝组成成分重量百分比准备原材料（这里的重量百分比是指各原材料占键合丝总质量的百分比而不是各原材料占制备银合金铸锭的原材料总质量的百分比），其中金（Au)所占重量百分比为0.7%而不是1.5%（金占1.5%指的是包括了后续工序中表面镀金的重量百分比），在高纯银内加入高纯金、钙、镧，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 表面镀金：采用常规电镀设备和工艺，对经过热处理的1mm左右的银镧钙合金丝电镀纯金防氧化保护层，要求金的纯度大于99.99%，电镀时电流密度4A/dm2，收线速度为4m/min，表面镀金层的厚度控制在0.9μm，经镀金后的镀金银镧钙合金丝中金占总重量的百分比为1.5%。
⑦ 精拔：将经退火处理的镀金银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）镀金银镧钙合金键合丝。
⑧ 热处理：将精拔后的镀金银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑨ 表面清洗：将退火处理后的镀金银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
实施例2
本发明是这样实现的，一种以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占2%、钙（Ca)占1%、镧（La）占3%，银（Ag）占94%；要求金的纯度大于99.99%、、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
其制作工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：以国家标准GB/T4135中1号银（IC-Ag99.99）为基材，提取纯度大于99.9999%的高纯银，经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按前述的键合丝组成成分重量百分比准备原材料，其中金（Au)所占重量百分比为1%，在高纯银内加入高纯金、钯、铕、镧，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 表面镀金：采用常规电镀设备和工艺，对经过热处理的1mm左右的银镧钙合金丝电镀纯金防氧化保护层，要求金的纯度大于99.99%，电镀时电流密度4.5A/dm2，收线速度为5m/min，表面镀金层的厚度控制在1.4μm，经镀金后的镀金银镧钙合金丝中金占总重量的百分比为2%。
⑦ 精拔：将经退火处理的镀金银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）银镧钙合金键合丝。
⑧ 热处理：将精拔后的镀金银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑨ 表面清洗：将退火处理后的镀金银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
实施例3
本发明是这样实现的，一种以高纯银为主体材料的镀金银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占1.8%、钙（Ca)占0.8%、镧（La）占2.5%，银（Ag）占94.9%；要求金的纯度大于99.99%、、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
其制作工艺步骤和方法如下：                
① 提取高纯银：以国家标准GB/T4135中1号银（IC-Ag99.99）为基材，提取纯度大于99.9999%的高纯银，经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按前述的键合丝组成成分重量百分比准备原材料，其中金（Au)所占重量百分比为0.9%，在高纯银内加入高纯金、钯、铕、镧，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右、纵向和横向晶粒数均为1个的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 表面镀金：采用常规电镀设备和工艺，对经过热处理的1mm左右的银镧钙合金丝电镀纯金防氧化保护层，要求金的纯度大于99.99%，电镀时电流密度4A/dm2，收线速度为5m/min，表面镀金层的厚度控制在1.2μm，经镀金后的镀金银镧钙合金丝中金占总重量的百分比为1.8%。
⑦ 精拔：将经退火处理的镀金银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）镀金银镧钙合金键合丝。
⑧ 热处理：将精拔后的镀金银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑨ 表面清洗：将退火处理后的镀金银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。

Claims (5)

1.一种镀金银镧钙合金键合丝，其特征是组成键合丝的材料各成分重量百分比为：金（Au）占1.5%-2%、钙（Ca）占0.5%-1%、镧（La）占2%-3%、银（Ag）占94%-96%。
2.如权利要求1所述的镀金银镧钙合金键合丝，其特征是所使用的材料中，银的纯度大于99.9999%、镧的纯度大于99.5%、钙的纯度大于99.999%、金的纯度大于99.99%。
3.一种权利要求1所述的镀金银镧钙合金键合丝的制造方法，其特征是其制作的工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：提取纯度大于99.9999%的高纯银，再经清洗、烘干备用；
② 制备成银合金铸锭：按下述成分含量按照重量百分比准备材料：金占0.7%-1%、镧占2%-3%、钙占0.5%-1%，银占94%-96%，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭；
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线；
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝；
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火；
⑥ 表面镀金：对经热处理后的银镧钙合金丝电镀纯金保护层，电镀用金的纯度要求不低于99.99%，表面镀金层的厚度控制在0.9μm-1.4μm，经镀金后的镀金银镧钙合金丝中金占总重量的百分比为1.5%-2%；
⑦ 精拔：将直径为1 mm左右的经镀金后的镀金银镧钙合金丝精密拉拔成直径分别为13μm-50μm的镀金银镧钙合金键合丝；
⑧ 热处理：将精拔后的镀金银镧钙合金键合丝进行退火；
⑨ 表面清洗：先用稀释后的酸液对键合丝进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干；
 ⑩分卷：将成品镀金银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
4.如权利要求3所述的一种镀金银镧钙合金键合丝的制造方法，其特征是：提取高纯银时以国家标准GB/T4135中1号银为基材，经电镀后提取纯度大于99.9999%的高纯银。
5.如权利要求3所述的一种镀金银镧钙合金键合丝的制造方法，其特征是：表面镀金时电流密度（4-4.5）A/dm2，收线速度为（4-5）m/min。
CN201410235083.2A 2014-05-30 2014-05-30 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法 Pending CN104022095A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410235083.2A CN104022095A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410235083.2A CN104022095A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104022095A true CN104022095A (zh) 2014-09-03

Family

ID=51438777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410235083.2A Pending CN104022095A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104022095A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109182827A (zh) * 2018-09-19 2019-01-11 河南大仑电子科技有限公司 晶片led封装用合金键合线及其制造方法
WO2023160730A1 (zh) * 2022-02-22 2023-08-31 深圳中宝新材科技有限公司 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109182827A (zh) * 2018-09-19 2019-01-11 河南大仑电子科技有限公司 晶片led封装用合金键合线及其制造方法
WO2023160730A1 (zh) * 2022-02-22 2023-08-31 深圳中宝新材科技有限公司 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103779308A (zh) 金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN101707194B (zh) 一种镀钯键合铜丝的制造方法
CN103779309A (zh) 镀金金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103199073B (zh) 银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103194637B (zh) 一种键合合金银丝及制备方法
CN102226991B (zh) 铜钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN106992164B (zh) 一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法
CN103474408B (zh) 一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法
CN104377185A (zh) 镀金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN100421246C (zh) 键合铜丝及其制备方法
CN104388861B (zh) 一种多晶串联led用微细银金合金键合线的制造方法
CN101667566A (zh) 一种银基覆金的键合丝线及其制造方法
CN102121077B (zh) 一种键合金丝的制备方法
CN104835797B (zh) 一种铜钯银合金键合引线及其制备方法
CN109767991B (zh) 一种高金合金键合丝的制备方法
CN107799496A (zh) 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法
CN104372197A (zh) 半导体封装用银合金线及其制备方法
CN109449133A (zh) 一种铜镀纯镍键合丝及其制备方法
CN103996668A (zh) 银镧钙合金键合丝及其制造方法
CN103219246A (zh) 一种镀钯镀银的双镀层键合铜丝的制造方法
CN104022095A (zh) 镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法
CN101630664B (zh) 一种银基键合丝及其制备方法
CN103199072A (zh) 镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN104835798B (zh) 一种抗氧化键合铜丝的制备方法
CN103996669A (zh) 镀金银铕合金键合丝及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140903

RJ01 Rejection of invention patent application after publication