CN103904186A - 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法 - Google Patents

基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103904186A
CN103904186A CN201410121150.8A CN201410121150A CN103904186A CN 103904186 A CN103904186 A CN 103904186A CN 201410121150 A CN201410121150 A CN 201410121150A CN 103904186 A CN103904186 A CN 103904186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
graphene
semiconductor layer
electrode
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410121150.8A
Other languages
English (en)
Inventor
杨连乔
冯伟
王浪
张建华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201410121150.8A priority Critical patent/CN103904186A/zh
Publication of CN103904186A publication Critical patent/CN103904186A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Abstract

本发明公开了一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和石墨烯电极层结合形成，采用加强电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层固定结合在第二半导体层上，使加强电极的材料和石墨烯电极层的石墨烯材料相互结合形成复合电极。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，采用石墨烯薄膜与协同导电材料构成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明使石墨烯电极形成钉扎固定连接的复合结构，提高了石墨烯和衬底间的粘附性，并可通过对石墨烯电极层的图案化的控制，改善器件中的电流分布。

Description

基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件及其制备工艺，还涉及一种具有石墨烯电极及其制备方法，应用于半导体器件结构和制备技术领域。
背景技术
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积成的单原子层的晶体，具有很多独特的性质，如高的比表面积、良好的热稳定性、优良的导热特性等。这些优异的性能使石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、超级电容器和能量存储等领域有很好的应用前景。特别的，石墨烯在可见光波段极高的透过率及良好的电学与热传输性能，550nm时单层石墨烯理论透过率可达97.7%，使得其有潜力成为一种理想的透明导电材料。
近年来，采用石墨烯及其复合材料作为电极材料的研究很多，也取得了一定的效果，然而，需要指出的是，目前在绝缘衬底上制备高质量的石墨烯还存在一定的技术障碍。目前采用的方法大都是先制备出石墨烯或氧化石墨烯，再采用一定方法转移至目标衬底，石墨烯与衬底之间依靠范德华力结合，容易在后续的工艺中出现分离或脱落的现象，从而影响器件的性能。
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法，使石墨烯电极形成钉扎固定连接的复合结构，提高了石墨烯和衬底间的粘附性，并可通过对石墨烯电极层的图案化的控制，改善器件中的电流分布。
为达到上述发明创造目的，本发明采用下述技术方案：
一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和石墨烯电极层结合形成，采用加强电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层固定结合在第二半导体层上，即利用加强电极穿透石墨烯电极层，并使加强电极的一个端部与第二半导体层直接接触固定连接，使加强电极的另一个端部将石墨烯电极层压紧固定在第二半导体层上，并且使加强电极表面和石墨烯电极层孔道表面之间通过范德华力进行固定结合，当第一半导体层为P型半导体层时，第二半导体层为N型半导体层；或者当第一半导体层为N型半导体层时，第二半导体层为P型半导体层，加强电极采用金属、导电金属氧化物或者导电复合材料制成，使加强电极的材料和石墨烯电极层的石墨烯材料相互复合形成结合电极。
作为本发明优选的技术方案，穿过石墨烯电极层的加强电极部分的截面与石墨烯电极层孔道的截面皆为设定形状的图形。
上述石墨烯电极层优选采用石墨烯薄膜，最好具有1-10层单原子石墨层。
上述加强电极的材料优选采用Au、Ag、Cr、Pt、Ni、Ti、Rh和Zn中的任意一种金属材料或者任意几种金属的合金材料；或者优选采用氧化铟锡、氧化锌、添加有镓的氧化锌和添加有铝的氧化锌中的任意一种金属氧化物材料或者任意几种金属氧化物的复合材料；上述加强电极的材料尤其优选Au。
本发明基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，包括以下步骤： 
a. 制备所需石墨烯薄膜；石墨烯薄膜最好具有1-10层单原子石墨层，优选采用化学气相沉积法、氧化还原法或机械剥离法制备石墨烯薄膜，将石墨烯薄膜设置在依次由衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层形成的一种半导体器件体系的P型半导体层之上，或者将石墨烯薄膜设置在依次由衬底、P型半导体层、有源层、N型半导体层形成的另一种半导体器件体系的N型半导体层之上，使石墨烯薄膜与P型半导体层直接接触并固定结合，或者使石墨烯薄膜与N型半导体层直接接触并固定结合；上述衬底为透明衬底或非透明衬底，透明衬底优选采用玻璃、石英或PET，非透明衬底优选采用蓝宝石或硅片；
b. 将在上述步骤a中设置于P型半导体层上或N型半导体层上的石墨烯薄膜进行图形化，为石墨烯薄膜制作图案化孔洞；石墨烯薄膜的图形化孔洞优选采用光刻、等离子体刻蚀、激光刻蚀中的任意一种制作方法或者任意几种制作方法的组合制作方法；
c．将在上述步骤b中制作的石墨烯薄膜的图案化孔洞中沉积协同导电材料，形成完整的器件结构，使石墨烯薄膜与协同导电材料制备构成复合电极层，协同导电材料为金属、导电金属氧化物或者导电复合材料，协同导电材料与P型半导体层紧密固定结合，或者协同导电材料与N型半导体层层紧密固定结合，协同导电材料和石墨烯薄膜的孔道的石墨烯材料之间通过范德华力进行固定结合， 即协同导电材料通过钉扎固定结合方式将石墨烯薄膜固定结合在P型半导体层上或N型半导体层上；优选采用真空热蒸发、电子束沉积、磁控溅射中的任意一种制作方法或任意几种制作方法的组合制作方法，将协同导电材料沉积到石墨烯薄膜的图形化孔洞中，使协同导电材料与石墨烯薄膜结合固定；协同导电材料优选采用Au、Ag、Cr、Pt、Ni、Ti、Rh和Zn中的任意一种金属材料或者任意几种金属的合金材料；或者优选采用氧化铟锡、氧化锌、添加有镓的氧化锌和添加有铝的氧化锌中的任意一种金属氧化物材料或者任意几种金属氧化物的复合材料；上述协同导电材料尤其优选Au。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：
1. 本发明利用电极材料与半导体间的良好接触，在石墨烯图形化的基础上实现了对石墨烯薄膜的钉扎，有效的改善了石墨烯与衬底粘附不良，易分离脱落的问题；
2. 本发明通过对石墨烯薄膜图形的优化，可以实现对电流分布的改善，以此来提高整体器件的电器性能。
附图说明
图1是本发明实施例一基于石墨烯电极的半导体器件的层次结构示意图。
图2是沿图1中A-A线的剖视图。
图3是本发明实施例二基于石墨烯电极的半导体器件的结构示意图。
具体实施方式
本发明的优选实施例详述如下：
实施例一：
在本实施例中，参见图1和图2，一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层6、第一半导体层5、有源层4、第二半导体层3和石墨烯电极层2结合形成，加强电极1采用金制成金电极，衬底层6为蓝宝石，第一半导体层5为N型氮化镓，第二半导体层3为P型氮化镓，使金电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层2，固定结合在P型氮化镓上，即利用金电极穿透石墨烯电极层2，并使金电极的一个端部与P型氮化镓直接接触固定连接，使金电极的另一个端部将石墨烯电极层2压紧固定在P型氮化镓上，并使金电极和石墨烯电极层2孔道表面之间通过范德华力进行固定结合，使金电极和石墨烯电极层2的石墨烯材料相互复合形成结合电极。在本实施例中，参见图1和图2，穿过石墨烯电极层2的金电极部分的截面与石墨烯电极层2孔道的截面皆为设定形状的图形，石墨烯电极层2设有一个孔道。
在本实施例中，参见图1和图2，基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，包括以下步骤： 
a. 石墨烯薄膜的制备：将厚度为25微米，纯度99.8wt%的面积为1cmＸ1cm的铜箔，依次在丙酮、异丙醇、去离子水中超声清洗20分钟，氮气吹干；然后置于CVD反应室中，抽真空至反应室中压强降至1Pa以下，采用氢气体积含量为10%的氢气和氩气混合气体，将混合气体通入CVD反应室中，并维持CVD反应室内气体压力至常压，重复此步骤3次后，控制混合气体流量为100sccm，升温至1000度，通入碳源前驱体CH4/C2H4/C2H2，流量为20sccm，压强650Pa下保温30分钟，切断碳源前驱体，保持混合气体流速不变，降温至室温；
b. 石墨烯薄膜转移：将在上述步骤a中所得铜衬底上石墨烯薄膜旋涂一层光刻胶，180度1min烘干，置于1mol/L硝酸铁水溶液中刻蚀去除铜衬底，去离子水中漂洗3次，选用具有蓝宝石/N型氮化镓/P型氮化镓结构体系的衬底捞取，真空干燥箱中70℃ 3小时烘干，使石墨烯薄膜与P型氮化镓直接接触并固定结合，形成蓝宝石/N型氮化镓/P型氮化镓/石墨烯结构；
c. 光刻阴极图形，采用感应耦合等离子体刻蚀至露出N型氮化镓，其中，采用O2和N2H2气源刻蚀石墨烯薄膜，Cl2和BCH3气源刻蚀氮化镓外延层，将石墨烯薄膜图形化，根据所需阳极金属图形，采用特定的掩膜版进行光刻，等离子体刻蚀去除暴露的石墨烯薄膜部分，随后采用氧气等离子体刻蚀除去光刻胶，在石墨烯薄膜形成图案化孔洞，如图2中的图形化金属钉扎图案；
d．金属沉积：将在上述步骤c中制作的石墨烯薄膜的图案化孔洞中采用电子束沉积法沉积100nm金作为电极，形成完整的器件结构，使石墨烯薄膜与金电极构成复合电极层，金电极与P型氮化镓半导体层紧密固定结合，金电极和石墨烯薄膜的孔道的石墨烯材料之间通过范德华力进行固定结合， 即金电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯薄膜固定结合在P型氮化镓半导体层上。
在本实施例中，参见图1和图2，金电极的图形化由石墨烯薄膜图形化和金沉积制备金电极两步组成，金电极穿透石墨烯薄膜与半导体层直接接触，本实施例利用金电极材料与半导体的良好接触对石墨烯实现钉扎，解决了石墨烯与基底的粘附性差的问题，并通过对电极图案的优化，改善了电流分布，提高了器件的出光与散热性能。
实施例二：
本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，参见图3，一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层6、第一半导体层5、有源层4、第二半导体层3和石墨烯电极层2结合形成，加强电极1采用ITO/ZnO制成ITO/ZnO电极，衬底层6为SiC，第一半导体层5为N型氮化镓，第二半导体层3为P型氮化镓，使ITO/ZnO电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层2，固定结合在P型氮化镓上，即利用ITO/ZnO电极穿透石墨烯电极层2，并使ITO/ZnO电极的一个端部与P型氮化镓直接接触固定连接，使ITO/ZnO电极的另一个端部将石墨烯电极层2压紧固定在P型氮化镓上，并且使ITO/ZnO电极和石墨烯电极层2孔道表面之间通过范德华力进行固定结合，使ITO/ZnO电极和石墨烯电极层2的石墨烯材料相互复合形成结合电极。在本实施例中，参见图3，穿过石墨烯电极层2的ITO/ZnO电极部分的截面与石墨烯电极层2孔道的截面皆为设定形状的图形，石墨烯电极层2设有两个孔道，本实施例采用多通道ITO/ZnO电极，使ITO/ZnO电极材料与半导体更好地进行接触，对石墨烯进行更牢固的钉扎，同时通过对电极图案的优化，更有效改善了电流分布，提高了器件的出光与散热性能。
在本实施例中，参见图3，基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，包括以下步骤： 
① 石墨烯薄膜的制备：将具有依次由SiC/N型氮化镓/P型氮化镓形成的结构的外延片在丙酮、异丙醇、去离子水中超声清洗20分钟，氮气吹干，依次沉积厚度为25nm的镍和厚度为10nm的Au，置于CVD反应室中，采用氢气体积含量为10%的氢气和氩气混合气体，将混合气体通入CVD反应室中，控制混合气体流量为80sccm，通入碳源前驱体CH4/C2H4/C2H2，流量10sccm，升温至500摄氏度，压强650Pa下保温10分钟，切断碳源前驱体，保持气体流速不变，降温至室温；
② 光刻阴极图形，采用感应耦合等离子体刻蚀至露出N型氮化镓，其中，采用O2和N2H2气源刻蚀石墨烯薄膜，Cl2和BCH3气源刻蚀氮化镓外延层，将石墨烯薄膜图形化，根据所需阳极金属图形，采用特定的掩膜版进行光刻，等离子体刻蚀去除暴露的石墨烯薄膜部分，随后采用氧气等离子体刻蚀除去光刻胶，在石墨烯薄膜形成图案化孔洞；
③ 金属沉积：将在上述步骤②中制作的石墨烯薄膜的图案化孔洞中采用电子束沉积法沉积厚度为100nm的ITO/ZnO作为协同导电电极材料，形成完整的器件结构，使石墨烯薄膜与ITO/ZnO电极构成复合电极层，ITO/ZnO电极与P型氮化镓半导体层紧密固定结合，ITO/ZnO电极和石墨烯薄膜的孔道的石墨烯材料之间通过范德华力进行固定结合， 即ITO/ZnO电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯薄膜固定结合在P型氮化镓半导体层上。
在本实施例中，采用将SiC/N型氮化镓/P型氮化镓形成的结构的外延片直接在CVD反应室中直接沉积制备石墨烯薄膜，不需要进行石墨烯薄膜的转移，使基于石墨烯电极的半导体器件的制备工艺更加简捷和易于控制，有效防止器件制备过程中导致石墨烯薄膜破损，也有效地防止了杂质的引入，可以制备高质量的理想器件。
上面结合附图对本发明实施例进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。 

Claims (10)

1.一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层（6）、第一半导体层（5）、有源层（4）、第二半导体层（3）和石墨烯电极层（2）结合形成，其特征在于：采用加强电极（1）通过钉扎固定结合方式将所述石墨烯电极层（2）固定结合在所述第二半导体层（3）上，即利用加强电极（1）穿透所述石墨烯电极层（2），并使所述加强电极（1）的一个端部与所述第二半导体层（3）直接接触固定连接，使所述加强电极（1）的另一个端部将所述石墨烯电极层（2）压紧固定在所述第二半导体层（3）上，并且使所述加强电极（1）表面和所述石墨烯电极层（2）孔道表面之间通过范德华力进行固定结合，当所述第一半导体层（5）为P型半导体层时，所述第二半导体层（3）为N型半导体层；或者当所述第一半导体层（5）为N型半导体层时，所述第二半导体层（3）为P型半导体层，所述加强电极（1）采用金属、导电金属氧化物或者导电复合材料制成，使所述加强电极（1）的材料和所述石墨烯电极层（2）的石墨烯材料相互结合形成复合电极。
2.根据权利要求1所述基于石墨烯电极的半导体器件，其特征在于：穿过所述石墨烯电极层（2）的所述加强电极（1）部分的截面与所述石墨烯电极层（2）孔道的截面皆为设定形状的图形。
3.根据权利要求2所述基于石墨烯电极的半导体器件，其特征在于：所述石墨烯电极层（2）为石墨烯薄膜，具有1-10层单原子石墨层。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述基于石墨烯电极的半导体器件，其特征在于：所述连加强电极（1）的材料为Au、Ag、Cr、Pt、Ni、Ti、Rh和Zn中的任意一种金属材料或者任意几种金属的合金材料；或者为氧化铟锡、氧化锌、添加有镓的氧化锌和添加有铝的氧化锌中的任意一种金属氧化物材料或者任意几种金属氧化物的复合材料。
5.一种权利要求1所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 
a. 制备所需石墨烯薄膜，使石墨烯薄膜设置在依次由衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层形成的一种半导体器件体系的P型半导体层之上，或者使石墨烯薄膜设置在依次由衬底、P型半导体层、有源层、N型半导体层形成的另一种半导体器件体系的N型半导体层之上，使石墨烯薄膜与P型半导体层直接接触并固定结合，或者使石墨烯薄膜与N型半导体层直接接触并固定结合；
b. 将在上述步骤a中设置于P型半导体层上或N型半导体层上的石墨烯薄膜进行图形化，为石墨烯薄膜制作图案化孔洞；
c．将在上述步骤b中制作的石墨烯薄膜的图案化孔洞中沉积协同导电材料，形成完整的器件结构，使石墨烯薄膜与协同导电材料制备构成复合电极层，所述协同导电材料为金属、导电金属氧化物或者导电复合材料，所述协同导电材料与P型半导体层紧密固定结合，或者所述协同导电材料与N型半导体层层紧密固定结合，所述协同导电材料和所述石墨烯薄膜的孔道的石墨烯材料之间通过范德华力进行固定结合， 即所述协同导电材料通过钉扎固定结合方式将石墨烯薄膜固定结合在P型半导体层上或N型半导体层上。
6.根据权利要求5所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于：在上述步骤b中，所述石墨烯薄膜的图形化孔洞选择光刻、等离子体刻蚀、激光刻蚀中的任意一种制作方法或者任意几种制作方法的组合制作方法。
7.根据权利要求5所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于：在上述步骤c中，选择真空热蒸发、电子束沉积、磁控溅射中的任意一种制作方法或任意几种制作方法的组合制作方法，将协同导电材料沉积到所述石墨烯薄膜的图形化孔洞中，使协同导电材料与石墨烯薄膜结合固定。
8.根据权利要求5～7中任意一项所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于：在上述步骤c中，所述协同导电材料为Au、Ag、Cr、Pt、Ni、Ti、Rh和Zn中的任意一种金属材料或者任意几种金属的合金材料；或者为氧化铟锡、氧化锌、添加有镓的氧化锌和添加有铝的氧化锌中的任意一种金属氧化物材料或者任意几种金属氧化物的复合材料。
9.根据权利要求5～7中任意一项所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于：在上述步骤a中，石墨烯薄膜具有1-10层单原子石墨层，采用化学气相沉积法、氧化还原法或机械剥离法制备石墨烯薄膜。
10.根据权利要求5～7中任意一项所述基于石墨烯电极的半导体器件的制备方法，其特征在于：在上述步骤a中，所述衬底为透明衬底或非透明衬底，透明衬底采用玻璃、石英或PET，非透明衬底采用蓝宝石或硅片。
CN201410121150.8A 2014-03-28 2014-03-28 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法 Pending CN103904186A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410121150.8A CN103904186A (zh) 2014-03-28 2014-03-28 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410121150.8A CN103904186A (zh) 2014-03-28 2014-03-28 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103904186A true CN103904186A (zh) 2014-07-02

Family

ID=50995422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410121150.8A Pending CN103904186A (zh) 2014-03-28 2014-03-28 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103904186A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104319320A (zh) * 2014-10-31 2015-01-28 广东德力光电有限公司 一种新型复合透明电极的led芯片及其制作方法
CN104465915A (zh) * 2014-12-17 2015-03-25 聚灿光电科技(苏州)有限公司 Led芯片及其制作方法
CN104659178A (zh) * 2015-03-09 2015-05-27 武汉大学 一种功率型三维led发光器件及其制造方法
CN104810455A (zh) * 2015-04-30 2015-07-29 南京大学 紫外半导体发光器件及其制造方法
CN106848005A (zh) * 2015-12-03 2017-06-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 提升亮度的倒装led芯片及其制备方法
CN107785466A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 中国科学院金属研究所 一种基于石墨烯电极的透明led及其制备方法
CN110137336A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 上海工程技术大学 紫外光led芯片制造方法以及紫外光led芯片
CN112489848A (zh) * 2020-12-07 2021-03-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种半导体辐射电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368273A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
CN101859858A (zh) * 2010-05-07 2010-10-13 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
KR20130035617A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 삼성전자주식회사 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368273A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
CN101859858A (zh) * 2010-05-07 2010-10-13 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
KR20130035617A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 삼성전자주식회사 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104319320A (zh) * 2014-10-31 2015-01-28 广东德力光电有限公司 一种新型复合透明电极的led芯片及其制作方法
CN104319320B (zh) * 2014-10-31 2018-06-22 广东德力光电有限公司 一种具有复合透明电极的led芯片及其制作方法
CN104465915A (zh) * 2014-12-17 2015-03-25 聚灿光电科技(苏州)有限公司 Led芯片及其制作方法
CN104659178A (zh) * 2015-03-09 2015-05-27 武汉大学 一种功率型三维led发光器件及其制造方法
CN104810455A (zh) * 2015-04-30 2015-07-29 南京大学 紫外半导体发光器件及其制造方法
CN104810455B (zh) * 2015-04-30 2017-07-07 南京大学 紫外半导体发光器件及其制造方法
CN106848005A (zh) * 2015-12-03 2017-06-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 提升亮度的倒装led芯片及其制备方法
CN107785466A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 中国科学院金属研究所 一种基于石墨烯电极的透明led及其制备方法
CN110137336A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 上海工程技术大学 紫外光led芯片制造方法以及紫外光led芯片
CN112489848A (zh) * 2020-12-07 2021-03-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种半导体辐射电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103904186A (zh) 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法
CN101859858B (zh) 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
CN103050346B (zh) 场致发射电子源及其碳纳米管石墨烯复合结构的制备方法
CN101086940B (zh) 场发射阴极装置的制造方法
CN104299988B (zh) 一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法
CN101638781B (zh) 一种在阵列式排列的微腔结构中直接加热金属膜生长氧化物纳米线的方法及应用
CN108122749B (zh) 一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺
KR101685791B1 (ko) 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물 및 이의 제조 방법
US8748208B2 (en) Method for fabricating thermo-electric generator
CN109994563A (zh) 用于制造薄层太阳能模块的方法以及按照该方法可获得的薄层太阳能模块
CN107818899A (zh) 可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法
CN104241480B (zh) 一种大功率红外发光二极管制作方法
CN106206982B (zh) 一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法
CN108622879A (zh) 一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法
CN108766630A (zh) 一种基于金属纳米线的柔性传感器、及其制备方法
CN103022163A (zh) 一种晶硅太阳能电池及其制备方法
CN101101839A (zh) 场发射阴极及其制造方法
JP6237231B2 (ja) シート状構造体とその製造方法、電子部品及びその組立方法
WO2012150805A2 (ko) 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ｔｉ-Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ 투명전극 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도도 투명전극과 이의 제조방법
CN103904108B (zh) 具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法
JP2012084460A (ja) プロトン伝導体薄膜の作製方法
CN104992891A (zh) 一种场效应管沟道型场致发射阴极及其制备方法
CN103996777B (zh) 自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法
TWI823045B (zh) 場效應電晶體及其製備方法
JP2004186245A (ja) カーボンナノチューブの製造方法とカーボンナノチューブ・デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140702