CN103857187A - 一种电路板及电路板的余胶处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明适用于电路板的制作，提供了一种电路板的余胶处理方法，旨在解决现有技术中存在的采用铲平刷板无法去除余胶并保证电路板外观的问题。所述电路板的余胶处理方法包括以下步骤：准备混压电路板的子板；准备混压电路板的母板；准备混压电路板的芯板；以及外层处理为依次进行层压工艺处理、单面微蚀减铜工艺处理、铲平刷板工艺处理、钻孔工艺处理、电镀工艺处理以及外层图形转移工艺处理。本发明还提供了一种采用上述电路板的余胶处理方法形成的电路板。该方法通过铲平刷板统一批量去除余胶以保证电路板之铜厚达到要求值，而且保证电路板外观完好并获得良好的可靠性，即可以避免手动除胶产生的缺陷，又可以实现除胶的批量加工。

Description

一种电路板及电路板的余胶处理方法

技术领域

本发明属于印刷电路板领域，尤其涉及一种电路板及电路板的余胶处理方法，该电路板为局部混压电路板。

背景技术

局部混压电路板已广泛应用于各种电路板的加工领域，例如，局部采用高频或者高速材料以同时实现高频信号的功能和节约材料成本，局部嵌入高层子板以节省整体电路板的层次。然而，这些电路板的加工工艺均存在一个问题，即压合后子板与母板之间留有一定的余胶需要被去除。由于子板和母板之间通常会存在高度差，这导致余胶往往积存于相对较矮的地方，而且具有高度差的地方余胶积存更多，采用常规的铲平刷板无法去除这些余胶，过度铲刷会导致电路板之面板上的铜箔厚度度不够，而且手工去除余胶难以保证电路板外观且浪费成本和时间。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种电路板的余胶处理方法，特别是针对局部混压电路板，旨在解决现有技术中存在的采用铲平刷板无法去除余胶并保证电路板外观和可靠性问题。

本发明实施例是这样实现的，一种电路板的余胶处理方法，该方法包括以下步骤：准备混压电路板的子板；准备混压电路板的母板；准备混压电路板的芯板；以及，外层处理为依次进行层压工艺处理、单面微蚀减铜工艺处理、铲平刷板工艺处理、钻孔工艺处理、电镀工艺处理以及外层图形转移工艺处理。

优选地，所述子板选择覆铜板，所述覆铜板的铜箔厚度大于要求值。

优选地，所述母板选择普通FR4覆铜板，所述普通FR4覆铜板的铜箔厚度大于要求值。

优选地，所述芯板选择普通FR4覆铜板，所述普通FR4覆铜板的铜箔厚度与要求值相等。

优选地，其特征在于，所述层压工艺处理是将所述子板嵌入至所述母板中，以将所述子板固定于所述母板中。

优选地，所述单面微蚀减铜工艺处理方法，是对经所述层压工艺处理后积存有余胶的电路板进行微蚀处理以减铜，让积存的所述余胶显露出来。

优选地，所述铲平刷板工艺处理方法是对积存于所述子板与所述母板之间的余胶进行统一清除。

本发明还提供了一种电路板，该电路板是采用上述电路板的余胶处理方法形成的。

本发明提供的电路板经层压工艺处理后，采用单面微蚀减铜工艺处理方法，以对所述经层压后的电路板进行微蚀处理并减铜，让积存于所述子板和所述母板之间的余胶显露出来。这样，不论所述余胶积存于子母板之间的任何地方，均可利用铲平刷板工艺处理进行统一清除。

本发明提供的余胶处理方法在准备子板的过程中选择特殊材料覆铜板且该覆铜板的铜箔厚度大于要求值，以及准备所述母板的过程中选择普通FR4覆铜板且该覆铜板的铜箔厚度也大于要求值，采用本发明所述方法去除余胶简便快捷，并能统一批量去除所述余胶，而且能够使电路板的铜箔厚度达到要求值、保证电路板的外观完好并获得良好的可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的电路板的余胶处理方法步骤流程图。

图2是本发明实施例提供的步骤11的流程示意图。

图3是本发明实施例提供的步骤12的流程示意图。

图4是本发明实施例提供的步骤13的流程示意图。

图5是本发明实施例提供的经层压工艺处理后电路板的示意图。

图6是本发明实施例提供的经单面微蚀减铜工艺处理后电路板的示意图。

图7是本发明实施例提供的步骤14中的铲平刷板、钻孔、电镀以及外层图形转移工艺处理的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参照图1，本发明实施例提供的电路板的余胶处理方法，包括以下步骤：

准备混压电路板的子板；

准备混压电路板的母板；

准备混压电路板的芯板；

外层处理为依次进行层压工艺处理、单面微蚀减铜工艺处理、铲平刷板工艺处理、钻孔工艺处理、电镀工艺处理以及外层图形转移工艺处理。

在本实施方式中，所述电路板为局部混压电路板。

请参照图2，在本发明的一个具体实施例中，准备混压电路板的子板10的步骤为依次进行下料工艺处理（如图2（a）所示）、内层图形转移工艺处理（如图2（b）所示）、外层铣槽和棕化工艺处理（如图2（c）所示）。

在本实施方式中，所述子板10为多层板。

铜箔厚度A oz为单位值，即每平方尺面积单面覆盖铜箔重量为A oz的铜层厚度。

具体而言，在下料工艺处理过程中，按照铜基板的要求（要求值为A oz）选择覆铜板作为子板10，该覆铜板为特殊材料覆铜板，于基材12上所覆盖铜箔14的厚度大于要求值，即在该基材12的第一面覆盖铜箔14，该第一面所覆盖铜箔14的厚度为A oz+0.5oz，第二面覆盖铜箔16，该第二面所覆盖铜箔16的厚度为A oz。所述特殊材料覆铜板可以是芳酰胺纤维无纺布基覆铜板或者合成纤维基覆铜板，以实现局部材料结构生产的特殊功能，例如，高频信号，节约高频材料的使用量。

内层图形转移工艺处理是将所述子板10上第二层的电路底版（菲林）上的电路图形转印至子板10之铜箔16表面上，并依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻及退膜。

前处理步骤是清除铜板表面上一切的氧化物、污渍，同时要求表面微观粗糙，以增大干膜与基材表面的接触面积，可以采用机械清洗法，例如，磨料刷辊式刷板机或者浮石粉刷板，或者化学清洗法，例如，除油、微蚀或者酸洗。经前处理后的铜板表面是否清洁利用水膜破裂实验方法进行检验，即将前处理的铜板表面，经流水浸湿和垂直放置，整个板面上的连续水膜应至少保持15秒钟不破裂。

贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜板上。贴膜后的覆铜板须停留15分钟以上，24小时以内。如果停留时间不够，干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作用而黏结不牢，造成菲林松；若停留时间太久，则会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难等问题。

曝光处理，即在紫外光照射下，光引发剂吸收光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结构。对所述覆铜板进行单面图形制作，即对铜箔16（厚度为A oz的一面）进行图形制作，并对铜箔14（厚度为A oz+0.5oz的一面）进行保护处理。采用Ristor17或SST21级曝光尺做曝光显像检查，确定曝光时间，该部分为现有技术，此处不详叙。

显影，即通过药水碳酸钠的作用，将未曝光部分的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。

蚀刻，是将未曝光的露铜部分铜面蚀刻掉。

退膜，是通过较高浓度的氢氧化钠（NaOH）将保护线路铜面的菲林去掉，所述NaOH的浓度为1-4%。

以上所述显影、蚀刻以及退膜属于现有技术，此处不详叙。

外层铣槽工艺处理，通过设定的标靶，在所述覆铜板的外层的统一位置铣管位槽，为下工序的排板管位使用。根据实际需求对所述子板10进行铣处理工艺，所述子板10的长和宽比所述母板的尺寸单边小4-6密耳（mil）。

棕化工艺处理，目的是粗化所述覆铜板表面，增大结合面积以及增加表面结合力。所述综化工艺处理采用一般现有技术实现，此处不详叙。

请参照图3，在本发明的一个具体实施例中，准备混压电路板的母板20的步骤为依次进行下料工艺处理（如图3（a）所示）、内层图形转移工艺处理（如图3（b）所示）、外层铣槽和棕化工艺处理（如图3（c）所示）。该步骤与准备所述子板10的步骤基本相同，两者的区别在于下料工艺处理过程中准备母板20时按照铜基板的要求（要求值为A oz）选择普通FR4覆铜板作为母板20，于基材22所覆盖铜箔24的厚度大于所述要求值，即在该基材22的第一面覆盖铜箔24，该第一面所覆盖铜箔24的厚度为A oz+0.5oz，第二面覆盖铜箔26，该第二面所覆盖铜箔26的厚度为A oz，而且，该步骤的内层图形处理也是对所述覆铜板进行单面图形制作，即对铜箔26（厚度为A oz的一面）进行图形制作，并对铜箔24（厚度为A oz+0.5oz的一面）进行保护处理。

请参照图4，在本发明的一个具体实施例中，准备混压电路板的芯板30的步骤为依次进行下料工艺处理（如图4（a）所示）、内层图形转移工艺处理（如图4（b）所示）、棕化工艺处理（如图4（c）所示）。该步骤与准备所述子板10的步骤基本相同，区别在于，下料工艺处理过程中，准备所述芯板30时选择通铜箔34、36厚度为A oz的普通FR4覆铜板，所述芯板30的铜箔34、36厚度与要求值相等；所述内层图形转移工艺处理是对所述覆铜板进行双面制作图形；该步骤不需要进行外层铣槽工艺处理。

请参照图5，本发明实施例中的外层处理方法，是在常规方法基础上的改进。该方法的层压工艺处理是将所述子板10嵌入至所述母板20中，经压合后将所述子板10固定于所述母板20中。压合后的子板10与母板20间会积存一定的余胶40，通常会出现以下情况：第一，所述子板10高于所述母板20，所述子板10与所述母板20上分别积存有余胶40，所述母板20上的余胶40明显较多，而且，所述子板10与所述母板20之间形成的凹陷处也会积存余胶40，如图5（a）所示；第二，所述子板10与所述母板20齐平，产生的余胶40少，如图5（b）所示；第三，所述子板10低于所述母板20，所述子板10与所述母板20上分别积存有余胶40，所述子板10上的余胶40明显较多，而且，所述子板10与所述母板20之间形成的凹陷处也会积存余胶40，如图5（c）所示。

请参照图6，本发明实施例采用单面微蚀减铜工艺处理方法，对经所述层压工艺处理后的电路板进行微蚀处理以减铜0.5oz，让积存的余胶40显露出来。图6（a）为所述子板10高于所述母板20，经单面微蚀减铜工艺处理后，余胶40显露于所述电路板外部；图6（b）为所述子板10与所述母板20齐平，经单面微蚀减铜工艺处理后，余胶40显露于所述电路板外部；图6（c）为所述子板10低于所述母板20，经单面微蚀减铜工艺处理后，余胶40显露于所述电路板外部。

请参照图7（a），采用铲平刷板工艺处理方法去除子板10和母板20之间的余胶40，对积存于所述子板10、所述母板20或者所述凹陷处的余胶40进行统一清除。本发明由于采用了单面微蚀减铜工艺处理方法，可以对上述三种情况的余胶40一并进行清除，无须针对不同情况单独处理。另外，本发明由于在所述子板10和所述母板20制作时选择铜箔14、24厚度比要求值大的覆铜板，经铲平刷板后能很容易去除余胶40，而且最终覆铜板表面的铜箔14、24厚度也能满足要求。

请参照图7（b），钻孔工艺处理，是对经层压后的电路板进行钻孔处理，以制作所述电路板内外层互联的通道50，以及制作所述子板10与所述母板20的内层互联的通道50。

请参照图7（c），电镀工艺处理，将所述钻孔工艺处理过程中形成的通道50进行金属化，即在所述通道50内壁以及所述电路板外表面涂布一层金属层60，实现内外层、子板10与母板20之间的线路互连。

请参照图7（d），外层图形转移工艺处理，是对经层压后的电路板的外层进行图形转移，将外层的图形制作到电路板的外层上。该处理方法与所述子板10的内层图形转移工艺处理方法相似，依次采用前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻和退膜，该处理方法的曝光是对层压后的电路板进行双面制作图形。

本发明在准备子板10的过程中选择特殊材料覆铜板且该覆铜板的铜箔14厚度大于要求值，以及准备所述母板20的过程中选择普通FR4覆铜板且该覆铜板的铜箔24厚度也大于要求值，经层压工艺处理后，采用单面微蚀减铜工艺处理方法，以对所述经层压后的电路板进行微蚀处理并减铜，让积存于所述子板10和所述母板20之间的余胶40显露出来。这样，不论所述余胶40积存于子板10和母板20之间的任何地方，均可利用铲平刷板工艺处理进行统一清除，采用本发明所述方法去除余胶40简便快捷，并能批量去除所述余胶40。通过预补偿铜厚的设计，然后再微蚀去除已补偿的铜厚，能够使电路板的铜箔14、24厚度达到要求值。而且，本发明的余胶处理方法还能保证电路板的外观完好以及获得良好的可靠性，即可以避免手动除胶产生的缺陷，又可以实现除胶的批量加工。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电路板的余胶处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

准备混压电路板的子板；

准备混压电路板的母板；

准备混压电路板的芯板；以及

外层处理，所述外层处理为依次进行层压工艺处理、单面微蚀减铜工艺处理、铲平刷板工艺处理、钻孔工艺处理、电镀工艺处理以及外层图形转移工艺处理。

2.如权利要求1所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述子板选择覆铜板，所述覆铜板的铜箔厚度大于要求值。

3.如权利要求1所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述母板选择普通FR4覆铜板，所述普通FR4覆铜板的铜箔厚度大于要求值。

4.如权利要求1所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述芯板选择普通FR4覆铜板，所述普通FR4覆铜板的铜箔厚度与要求值相等。

5.如权利要求1至4任意一项所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述层压工艺处理是将所述子板嵌入至所述母板中。

6.如权利要求5所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述单面微蚀减铜工艺处理方法，是对经所述层压工艺处理后积存有余胶的电路板进行微蚀处理以减铜，让积存的所述余胶显露出来。

7.如权利要求6所述的电路板的余胶处理方法，其特征在于，所述铲平刷板工艺处理方法是对积存于所述子板与所述母板之间的余胶进行统一清除。

8.一种采用权利要求1至7中任意一项所述的电路板的余胶处理方法形成的电路板。

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