CN103843457A - 发光元件和发光元件的制造方法 - Google Patents

发光元件和发光元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103843457A
CN103843457A CN201180074002.XA CN201180074002A CN103843457A CN 103843457 A CN103843457 A CN 103843457A CN 201180074002 A CN201180074002 A CN 201180074002A CN 103843457 A CN103843457 A CN 103843457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
light
sealing
foreign matter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201180074002.XA
Other languages
English (en)
Inventor
金全健
汤浅宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Joled Inc
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN103843457A publication Critical patent/CN103843457A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光元件和发光元件的制造方法。发光元件具备：第一电极；发光功能层，其形成在所述第一电极上，且在最上层具有导电层；第二电极，其在与所述导电层的一部分区域对应的部分具有不希望的开口的状态下，形成在所述导电层上面；以及封止层，其形成在所述第二电极上，但所述第二电极的构成所述开口的周面除外。并且，所述导电层的所述一部分区域被氧化。所述发光功能层包括有机发光层，在所述有机发光层上具有所述导电层。

Description

发光元件和发光元件的制造方法
技术领域
本发明涉及具备第一电极、发光功能层、第二电极以及封止层的发光元件和该发光元件的制造方法。
背景技术
在发光元件中有的具有如下构造的元件：具有发光层、导电层的发光功能层夹在相当于第一电极的阳极和相当于第二电极的阴极之间。
发光层和阴极会受到水分、氧等气体（以下也简称为“水分等气体”或“气体”）的影响。具体来说，发光层会由于例如水分等而导致其发光特性下降，作为元件的寿命会变短。阴极会由于例如氧等而导致电特性变化。在电特性变化较大的情况下，会无法向发光层提供电子，而变为不发光（所谓的显示缺陷）。
因此，为了保护发光层和阴极免受水分等气体的影响，也即是为了阻挡气体的侵入，例如在阴极的上面形成有封止层。
另一方面，从发光层发出光，该光例如透过阴极、封止层而被取出到外部（顶部发射的情况）。因此，对于封止层，不仅有较高的气体阻绝性的要求，还有优异的光透射性的要求，例如利用氮化硅膜（SiN膜）等。
另外，为了进一步提高发光元件的气体阻绝性，还提出了通过原子层生长（Atomic Layer Epitaxy）法形成封止层的技术方案（例如专利文献1、2）。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2001－284042号公报
专利文献2：日本特开2003－332042号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，即使采用上述封止层，也有时会产生发光不匀（斑块）和/或颜色不匀。
例如，在发光元件的制造过程中发生了某种不良状况的情况下，例如具有导电性的异物附着在发光功能层内的导电层上的情况下，该导电层的电特性就会变化，会引起发光不匀、颜色不匀等。
本发明鉴于上述问题而完成的发明，目的在于提供一种即使是发生了不良状况、也能减少发光不匀等的发光元件和发光元件的制造方法。
用于解决问题的技术方案
为了解决上述问题，本发明的一方案涉及的发光元件具备：第一电极；发光功能层，其形成在所述第一电极上，且在最上层具有导电层；第二电极，其在与所述导电层的一部分区域对应的部分具有不希望的开口的状态下，形成在所述导电层上面；以及封止层，其形成在所述第二电极上，但所述第二电极的构成所述开口的周面除外，所述导电层的所述一部分区域被氧化。
为了解决上述问题，在本发明的一方案涉及的发光元件的制造方法中，所述发光元件在基板上依次具备第一电极、包括发光层和导电层的发光功能层、第二电极以及封止层，所述制造方法包括以下工序：第一工序，在基板上形成第一电极；第二工序，在经所述第一工序形成的第一电极上形成发光功能层；第三工序，在经所述第二工序形成的发光功能层上形成第二电极；第四工序，在经所述第三工序形成的第二电极上形成封止层；以及第五工序，在所述第四工序之后，将基板曝露在氧环境下，促进曝露于氧环境中的导电层部分的氧化。
发明效果
在本发明的一方案涉及的发光元件和本发明的一方案涉及的发光元件的制造方法中，即使在发光元件的制造过程中发生某种不良状况、例如具有导电性的异物附着于导电层，由于该导电层的异物附着部分被氧化，所以导电层与异物之间也能够被绝缘化，能够抑制该导电层的电特性变化，能够减少发光不匀等。
附图说明
图1是示意表示显示装置的整体结构的框图。
图2是示意表示显示面板的主要部分的局部剖视图。
图3是表示显示面板的制造工序的一例的图。
图4是表示显示面板的制造工序的一例的图。
图5是表示显示面板的制造工序的一例的图。
图6是表示异物附着在电子输送层上面的情况的图。
图7是说明制造工序中的异物附着部分的状态的图。
标号说明
10：显示面板
101：基板
107：阳极
113：发光层
117：阴极
121：第一封止层
123：第二封止层
具体实施方式
〈实施方式〉
作为本发明的一方案的发光元件具备：第一电极；发光功能层，其形成在所述第一电极上，且在最上层具有导电层；第二电极，其在与所述导电层的一部分区域对应的部分具有不希望的开口的状态下，形成在所述导电层上面；以及封止层，其形成在所述第二电极上，但所述第二电极的构成所述开口的周面除外，所述导电层的所述一部分区域被氧化。由此，即使发生了不良状况，也能够减少发光不匀等。
另外，所述第二电极的所述周面和所述封止层被以原子层为单位而形成的第二封止层所覆盖。由此，能够提高气体阻绝性。
另外，在所述导电层的一部分区域附着有异物，所述异物通过所述一部分区域的氧化而被固定。由此，能够防止异物因飞散等而附着到其他部位。
另外，所述导电层的一部分区域被所述第二封止层覆盖，但所述异物的附着部分除外。由此，能够提高导电层的气体阻绝性。
另外，所述异物，在与第二电极相同材料的层和与封止层相同材料的层形成于该异物上的状态下，被所述第二封止层所覆盖。由此，能够减少异物脱落的状况。
另外，所述发光功能层包括有机发光层，所述导电层是向所述发光层输送电子的电子输送层。
在作为本发明的一方案的发光元件的制作方法中，所述发光元件在基板上依次具备第一电极、包括发光层和导电层的发光功能层、第二电极以及封止层，在所述制造方法中包括以下工序：第一工序，在基板上形成第一电极；第二工序，在经所述第一工序形成的第一电极上形成发光功能层；第三工序，在经所述第二工序形成的发光功能层上形成第二电极；第四工序，在经所述第三工序形成的第二电极上形成封止层；以及第五工序，在所述第四工序之后，将基板曝露在氧环境下，促进曝露于氧环境中的导电层部分的氧化。由此，能够制造即使是发生了不良状况也能够减少发光不匀等的发光元件。
另外，在所述第五工序中，通几百毫秒到几秒钟的氧气。由此，能够在导电层部分容易地形成氧化。
另外，在所述第五工序之后，通过原子层生长法或原子层沉积法来形成第二封止层。由此，能够提高封止性。
作为上述本发明的一方案的发光元件中，作为发光功能层，在最上层包括导电层，但当着眼于该导电层时，则为如下所述。
发光元件具备：第一功能层，所述第一功能层含有具有导电性的第一区域和具有绝缘性的第二区域，所述第二区域由所述第一区域的一部分氧化而形成；第二功能层，所述第二功能层包括一层或多层具有第一部分和开口部的层，所述第一部分与所述第一功能层的所述第一区域对应，且具有导电性，所述开口部与所述第一功能层的所述第二区域对应；具有绝缘性的第一封止层，所述第一封止层具备第一封止部、第二封止部以及龟裂部，所述第一封止部将所述第二功能层的表面覆盖，所述第二封止部与所述第一功能层的所述第二区域对应，所述龟裂部形成在所述第一封止部与所述第二封止部之间，且一端侧向所述第一功能层的所述第二区域延伸；以及包含绝缘性材料的第二封止层，所述第二封止层将所述第一封止膜的所述第一封止部和第二封止部的表面覆盖，并且，其一部分存在于所述第一功能层的第二区域且与所述龟裂部对向的部分，阻塞了所述龟裂部的向所述第一功能层的第二区域延伸的路径。
在此，第一功能层相当于上述导电层。第一功能层的第二区域相当于上述导电层的一部分区域。第二功能层的具有第一部分和开口部的层相当于上述第二电极，开口部相当于上述开口。第一封止层相当于上述封止层，第二封止层相当于上述第二封止层。
另外，在所述第一功能层的所述第二区域的表面部附着有异物，所述第二功能层的所述开口部与所述异物对应地形成，所述第一封止膜的第二封止部直接或间接地覆盖所述异物。
另外，所述第一功能层是包含碱金属或碱土金属的层，所述第二功能层是阴极。
进而，换句话说，发光元件具有功能层和覆盖所述功能层的封止构件，所述功能层具有局部形成有缺损部的第一层、和所述第一层的所述缺损部的周边部分被氧化而形成了氧化部的第二层。
在此，第一层相当于上述第一功能层，第二层相当于上述第二功能层，第一层和第二层既可以相同，也可以不同。
另一方面，在作为上述本发明的一方案的制造方法中，作为发光功能层，在最上层包括导电层，但当着眼于该导电层时，则为如下所述。
发光元件的制造方法包括：第一工序，形成具备导电性的第一功能层；第二工序，在所述第一功能层上形成包括一层或多层具备导电性的层的第二功能层；第三工序，在所述第二功能层上形成具备绝缘性的第一封止层；以及第四工序，在所述第一封止膜上形成具备绝缘性的第二封止层，所述第二工序是在所述第一层的表面附着有异物的区域中对所述表面且与所述异物相隔着空间的周边部形成所述第二功能层的工序，所述第三工序是除了所述异物与形成于其周边部的所述第二层之间的空间所对应的部分以外、覆盖所述第二层的表面和所述异物的表面来形成所述第一封止层的工序，所述第四工序是如下的工序：使所述第二封止层在氧环境下成膜而覆盖所述第一封止层的表面，并且使所述第二封止层形成为进入未被所述第一封止膜覆盖的所述空间，并且，在形成所述第二封止膜时，使所述环境中的氧通过所述空间部，使其作用于所述第一功能层的未形成第一封止层的露出部分，使包括所述露出部分的与所述异物接触的表面部分氧化。
另外，在所述第四工序中，在氧环境下，使用使所述第二封止层的构成材料在原子的状态下蒸镀的原子层生长法来形成所述第二封止层。
另外，所述第四工序包括：氧通气工序，将经所述第三工序形成了所述第一封止层的有机发光元件的中间体曝露在氧环境中；和成膜工序，在所述氧通气工序之后，使用原子层生长方法对所述中间体形成所述第二封止层，在所述氧通气工序中，对所述中间体通100毫秒到20秒的氧气。
另外，在所述第二工序中，在所述第一功能层的表面未附着异物的区域，针对未附着异物的整个表面形成所述第二功能层。
〈实施方式〉
在此，作为发光面板，以显示面板为例进行说明。
1.显示装置
图1是示意表示显示装置的整体结构的框图。
如图1所示，显示装置1，结构上具有显示面板10和与其连接的驱动控制单元20。
显示面板10是例如利用了有机材料的电致发光现象的顶部发射型的有机EL显示面板。驱动控制单元20由4个驱动电路21～24和控制各驱动电路21～24的控制电路25构成。
此外，显示面板不限于利用了有机材料的有机EL型面板，既可以是利用了无机材料的无机EL型面板，也可以是底部发射型的有机EL型面板，还可以是底部发射型的无机EL型面板。
关于驱动控制单元20的配置，不限于此，驱动电路的个数也不限于4个，例如也可以是控制电路和驱动电路成为一体的电路。
2.显示面板
图2是示意表示显示面板10的主要部分的局部剖视图。
如图2所示，显示面板10在基板101上呈矩阵状形成有多个像素。
在此，1个像素由多个（具体来说是3个）子像素构成，由在X方向上配置的3个子像素构成。子像素相当于本发明的发光元件，在此，3个子像素例如是发光颜色为红（R）、绿（G）、蓝（B）的子像素。
基板101中，在TFT基板103上形成有层间绝缘膜105。在基板101上以子像素为单位形成有阳极（相当于本发明的“第一电极”）107。此外，在本说明书中，以基板101为基准，将在基板101上层叠各种功能层的方向作为上方向。该上方向是图2中的Z方向，将上侧也称作表侧。
在基板101中的不形成阳极107的区域上以及阳极107上形成有空穴注入层109。此外，在存在与子像素对应的阳极107的状态下，空穴注入层109形成在基板101上的大致整个面，因此，当以阳极107的上面的空穴注入层109为基准时，相邻的阳极107之间凹入（凹下）。
在空穴注入层109上且与相邻的阳极107之间相当的区域分别形成有堤（隔壁）111。
如图2所示，堤111将相邻的阳极107之间填埋，呈从存在于阳极107端部的上面的空穴注入层109向上方（为厚度方向且离开基板101的方向，为图中的Z方向）突出的形状。在此，突出形状例如为台形状。此外，堤111在俯视观察时形成为井字状。
在由堤111规定的各区域内（在图2中为与相邻的堤111之间相当的区域）的空穴注入层109上，配置有预定光色（在此为上述的红、绿、蓝）用的发光层113。
在堤111的比发光层113更靠上方的表面区域以及发光层113上，按顺序依次形成有电子输送层115、阴极117以及封止部119。电子输送层115、阴极117以及封止部119形成为超过由堤111规定的区域而与相邻的其他子像素的相应部分连续。
此外，电子输送层115相当于本发明的“导电层”，空穴注入层109、发光层113、电子输送层115这三层相当于本发明的“发光功能层”，阴极相当于本发明的“第二电极”。
封止部119具有第一封止层121和形成在第一封止层表面的第二封止层123的双层构造。此外，第一封止层121相当于本发明的“封止层”。
3.显示面板的实施例
（1）基板
（1－1）TFT基板
TFT基板103例如是在无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃、石英、丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅类树脂或氧化铝等绝缘性材料的基板主体上形成有TFT、布线构件以及覆盖该TFT的钝化膜等（未图示）的结构。基板主体也可以是有机树脂膜。
（1－2）层间绝缘膜
层间绝缘膜105是为了将TFT基板103的表面高低差调整为平坦而设置的，由聚酰亚胺类树脂或丙烯酸类树脂等绝缘材料构成。
（2）阳极
阳极107由铝（Al）或者铝合金形成。此外，阳极107也可以由例如银（Ag）、银和钯（Pd）和铜（Cu）的合金、银和铷（Rb）和金（Au）的合金、钼（Mo）和铬（Cr）的合金、镍（Nr）和铬的合金等形成。
（3）空穴注入层
空穴注入层109具有向发光层113注入空穴的功能。空穴注入层109例如由包含氧化钨（WOx）、氧化钼（MoOx）、氧化钼钨（MoxWyOz）等的过渡金属的氧化物的金属氧化物形成。
（4）堤
堤111具有对相邻的子像素进行区划的功能。堤111例如由树脂等有机材料形成，具有绝缘性。作为有机材料的例子，有丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛型苯酚树脂等。堤111优选具有有机溶剂耐性。进而，堤111有时被进行蚀刻处理、烘焙处理等，因此优选由在这些处理中不会过度变形、变质等的耐性高的材料形成。
（5）发光层
发光层113在例如是有机发光层的情况下，优选由例如聚芴、聚对苯撑乙烯撑（polyphenylene vinylene）、聚乙炔、聚苯撑（polyphenylene）、聚对苯撑乙撑（polypara-phenylene/ethylene）、聚3-己基噻吩和/或它们的衍生物等的高分子材料、和/或者日本特开平5－163488号公报所记载的类喔星（oxinoid）化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、
Figure BDA0000487202660000092
二唑化合物、紫环酮（perinone）化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、（chrysene）化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃
Figure BDA0000487202660000094
化合物、噻喃
Figure BDA0000487202660000093
化合物、硒杂环己二烯
Figure BDA0000487202660000095
化合物、碲杂环己二烯
Figure BDA0000487202660000096
化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚苯化合物、噻吨化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族化合物的配合物、8-羟基喹啉（喔星）金属配合物、稀土类配合物等荧光物质形成。
（6）电子输送层
电子输送层115例如由日本特开平5-163488号记载的硝基取代芴酮衍生物、噻喃二氧化物（thiopyran dioxide）衍生物、联苯醌衍生物、苝四羧酸（perylenetetracarboxylic）衍生物、蒽醌二甲烷（anthraquinodimethane）衍生物、亚芴基甲烷（fluorenylidenemethane）衍生物、蒽酮衍生物、
Figure BDA0000487202660000101
二唑衍生物、紫环酮（perinone）衍生物、喹啉络合物衍生物形成。
此外，从使电子注入性进一步提高这点来看，也可以在上述电子输送层115的构成材料中掺杂钠（Na）、钡（Ba）、钾（K）等碱金属或碱土金属，在本实施方式中掺杂了钡（在该情况下，电子输送层还具有电子注入功能）。
（7）阴极
阴极117是用于向发光层113注入电子的电极。在本实施方式中，由于是顶部发射型，所以阴极117需要能够使从发光层113发出的光透射，例如由ITO和/或IZO等透明电极形成。
（8）封止部
封止部119具有抑制发光层113等被暴露于水分中、或者被暴露于空气中的功能。
第一封止层121例如由氧化硅（SiO）、氮化硅（SiN）、氮氧化硅（SiON）、碳化硅（SiC）、含碳的氧化硅（SiOC）、氮化铝（AlN）、氧化铝（Al2O3）等材料形成。
第二封止层123例如由氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氮化铝（AlN）、氮氧化铝（AlXOYNZ）等材料形成。
4.制造方法
例示显示面板10的制造工序。
图3至图5是表示显示面板10的制造工序的一例的图。此外，在图3至图5中，抽出显示面板10的一部分来示意地示出。
显示面板10经过以下工序而制造：（1）形成阳极的工序（阳极形成工序）、（2）形成空穴注入层的工序（空穴注入层形成工序）、（3）形成堤的工序（堤形成工序）、（4）形成发光层的工序（发光层形成工序）、（5）形成电子输送层的工序（电子输送层形成工序）、（6）形成阴极的工序（阴极形成工序）、（7）形成第一封止层的工序（第一封止层形成工序）、（8）氧曝露工序、（9）形成第二封止层的工序（第二封止层形成工序）。此外，在上述的（1）阳极形成工序之前，有准备要形成阳极的基板101的工序。
在此，由于通过从空穴注入层形成工序到电子输送层形成工序的工序来形成发光功能层，所以将从空穴注入层形成工序到电子输送层形成工序的工序也称作“发光功能层形成工序”。
另外，阳极形成工序相当于本发明的“第一工序”，空穴注入层形成工序～电子输送层形成工序（发光功能层形成工序）相当于本发明的“第二工序”，阴极形成工序相当于本发明的“第三工序”，第一封止层形成工序相当于本发明的“第四工序”，氧曝露工序相当于本发明的“第五工序”。
对各工序进行说明。
（1）阳极形成工序
在TFT基板103上形成有层间绝缘膜105的基板101上，形成作为阳极107的材料的金属膜例如铝（Al）膜。对于铝膜的成膜，可以使用例如溅射法和/或真空蒸镀法等的真空成膜法。
在形成铝膜以后，例如通过光刻法进行图案形成，得到呈矩阵状形成的阳极107（参照图3的（a））。阳极107的膜厚例如是100nm～200nm。
（2）空穴注入层形成工序
在呈矩阵状形成有阳极107的TFT基板101的上面，使用包含例如氧化钨（WOx）的组合物来形成作为金属氧化物膜的氧化钨膜（参照图3的（b））。
空穴注入层109的膜厚例如是1nm～10nm，对于空穴注入层109的成膜，可以使用溅射法和/或真空蒸镀法等的真空成膜法。
（3）堤形成工序
首先，在形成于基板101的空穴注入层109上形成由绝缘性有机材料构成的堤材料层。对于堤材料层的形成，可以通过例如涂覆等来进行。然后，在堤材料层上重叠具有预定形状的开口部的掩模，从掩模上方使其感光之后，用显影液洗掉多余的堤材料层。由此，完成堤材料层的图案形成，完成堤111（参照图3的（c））。
堤111距离空穴注入层109的上表面的高度例如是1μm～2μm。
（4）发光层形成工序
在由堤111区划的各区域内，通过例如喷墨法，滴下包含发光材料的组合物墨，使该组合物墨干燥而形成发光层113（参照图4的（a））。发光层113的膜厚例如是10nm～100nm。
（5）电子输送层形成工序
在形成发光层113以后，在形成有发光层113的基板101上形成例如由硝基取代芴酮衍生物构成的衍生物层。对于成膜，可以使用溅射法和/或真空蒸镀法等的真空成膜法（参照图4的（b））。
然后，为了提高电子注入性，掺杂2wt％～30wt％左右的钡（Ba）。电子输送层的膜厚例如是0.5nm～50nm。
（6）阴极形成工序
在形成电子输送层115以后，形成透明的金属膜例如ITO膜而形成阴极117。对于ITO膜的成膜，可以使用溅射法和/或真空蒸镀法等的真空成膜法（参照图4的（c））。阴极117的膜厚例如是10nm～200nm。
（7）第一封止层形成工序
在阴极117成形后，形成金属氧化膜例如氧化硅（SiO）膜而形成第一封止层121。对于氧化硅膜的成膜，可以使用溅射法、真空蒸镀膜法等的真空成膜法（参照图5的（a））。第一封止层121的膜厚例如是5nm～200nm。
（8）氧曝露工序
使形成有第一封止层121的TFT基板103曝露在氧环境下。此时，将在后面进行叙述，但在电子输送层115曝露于氧环境中的情况下，在被曝露的部分（相当于本发明的“导电层的一部分区域”和“曝露在氧环境中的导电层部分”）形成氧化膜。曝露时间是几秒到几十秒。
（9）第二封止层形成工序
在氧曝露工序以后，形成氧化铝（Al2O3）膜而形成第二封止层123。氧化铝膜利用了使构成膜的构成材料以原子的状态进行沉积的原子层沉积法（ALD：Atomic Layer Deposition）。
在本例中，使用氧化铝膜作为第二封止层123，使用三甲基铝（TMA，以下简称为“TMA”）作为构成材料，使用O2等离子体作为氧化剂。
成膜通过如下这样进行：将TMA的引入、通过净化（purge）进行的剩余分子的去除（以下简称为“净化”）、O2等离子体照射、净化的处理作为1个循环（周期），重复进行数百次循环。TMA的引入、O2等离子体照射以及净化进行几百毫秒～两百秒。
第二封止层123的膜厚例如是5nm～200nm。
5.在电子输送层109上附着了异物的情况
显示面板10在干净的环境中进行制造。但是，很难实现在制造工序中使在显示面板10混入的异物为零。
图6是表示在电子输送层形成后附着了异物的状态的图。
当异物130如图6所示那样附着，封止层（这里的封止层是第一封止层121）只是通过CVD法形成的层时，形成异物130的影子，阴极117、封止层（第一封止层121）不沉积在异物130的周边，导致形成了槽132。也即是，电子输送层115、阴极117成为不被封止层（第一封止层121）所封止而露出来，成为在阴极117设有不希望的开口的状态。
当比封止层（第一封止层121）更靠下方的层露出时，如上所述，会成为沿着槽132形成水分等气体的侵入路径的状况，例如在涂覆了用于与玻璃基板接合的树脂材料时，气体会从槽132侵入到电子输送层115、阴极117的内部，有可能导致面板的显示缺陷。
进而，在异物130具有导电性的情况下，电子输送层115的电特性会显著变化，例如会产生发光不匀等。
但是，在本实施方式中说明过的制造方法中，能够抑制上述不良状况的发生。以下，示出通过上述制造工序制造了显示面板10的情况下的异物附着部分的状态来说明其理由。
对于显示面板10，即使是在图6所示的异物130附着于电子输送层115的状态下，电子输送层形成工序以后的工序也还是依次照样进行。
图7是说明制造工序中的异物附着部分的状态的图。
（1）至第一封止层形成工序为止
显示面板10在附着了异物130的状态下进行各形成工序。图7的（a）示出了第一封止层形成工序结束后的状态。
如图7的（a）所示，当在电子输送层115附着异物130时，原本应形成在电子输送层115上的阴极117、第一封止层121形成在异物130的上面而不形成在电子输送层115上。
此外，形成在异物上的各层、也即是由与电子输送层115、阴极117及第一封止层121相同的材料形成的各层不具有与发光相关的功能和保护发光的部分的功能，因此，这些层称为电子输送层用膜115b、阴极用膜117b以及第一封止层用膜121b。
这样，在异物130的周边，在异物130（包含形成在异物130上的阴极用膜117b和第一封止层用膜121b）与形成于异物周边的阴极117、第一封止层121之间存在槽132。
（2）氧曝露工序
在第一封止层形成工序后，如上所述进行氧曝露工序。由此，在氧环境下露出的电子输送层115被氧化（图示为氧化膜134）。特别是，在电子输送层115掺杂了Ba的情况下，电子输送层115容易被氧化，与异物130的附着面也被氧化。此外，当附着面也被氧化时，异物130被固定在电子输送层115上。该状态是图7的（b）。
由此，在异物130具有导电性的情况下，电子输送层115中的包含异物130的附着部分的周边部分被氧化，因此，相对于导电性的异物130，能确保绝缘性。
（3）第二封止层形成工序
第二封止层形成工序中，如上所述，在氧曝露工序以后，通过ALD法形成氧化铝膜（123）。该状态是图7的（c）。
ALD法能够一层原子一层原子地进行沉积（堆积）。因此，即使如图7的（a）所示那样在异物130的周边存在槽132，原子也能进入到该槽132的内部而进行沉积。
由此，在电子输送层115的上面且附着有异物130的部分（与异物接触的部分）的周边，在未形成阴极117、第一封止层121的露出部分也形成第二封止层123，露出部分被第二封止层123封止。
这样，在本实施方式涉及的制造方法中，即使在电子输送层115的上面附着了异物130，第二封止层123也会沉积到由异物附着而产生的槽132内，能够防止在之后的工序中水分等气体侵入电子输送层115、阴极117、第一封止层121。
特别是，虽然第二封止层123的膜厚形成为比第一封止层121的膜厚薄，但是由于以原子为单位进行沉积，所以能得到致密的膜（所谓的无针孔），其结果能够得到高封止性能。
进而，即使是在异物130具有导电性的情况下，由于在电子输送层115中表面露出的部分形成氧化膜134，所以其结果能对于这些部分确保绝缘性，能抑制电特性的变化。
进而，由于在氧化膜134上、第一封止层121上、进而在异物130、沉积于异物130的阴极用膜117b、第一封止层用膜121b上形成第二封止层123，因此能够进行对槽部132的第二封止层123的填充和异物130的完全绝缘化。由此，能够防止水分等气体侵入氧化膜134。
另外，在异物130具有导电性的情况下，通过电子输送层115的氧化，异物130被固定在电子输送层115，能够预防在其他工序中异物130飞散而附着到其他部位而导致显示缺陷等。
〈变形例〉
以上，对本发明涉及的发光元件及其制造方法进行了说明，当然，本发明不限于上述实施方式。例如可以考虑如下所述的变形例。
1.显示面板
（1）像素
在实施方式中，1个像素由发光色不同的3个（3种）子像素构成，但不需要限定为3个（3种），例如既可以由一种颜色（单色）的子像素构成1个像素，例如也可以由发光色不同的4个以上的子像素构成1个像素。此外，当发光色不同时，虽然构成发光层的材料等不同，但发光层夹在阳极和阴极之间的基本结构是相同的。
（2）阳极
在实施方式中，在阳极107的表面形成有空穴注入层109，但也可以为例如在阳极107的表面形成导电层、并在该导电层上面以及不形成导电层的基板101的上面形成空穴注入层109。这里的导电层作为防止在制造过程中阳极107自然氧化的保护层来发挥作用。
（3）发光层
在空穴注入层109的上面形成有发光层113，但也可以例如在发光层113与空穴注入层109之间设置空穴输送层。空穴输送层具有将从空穴注入层109注入的空穴输送到发光层113的功能。
空穴输送层例如是日本特开平5-163488号中所记载的***衍生物、
Figure BDA0000487202660000161
二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃（poly arylalkane）衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代苯基苯乙烯酮衍生物、
Figure BDA0000487202660000162
唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、卟啉化合物、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物、丁二烯化合物、聚苯乙烯衍生物、腙衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基联苯胺衍生物等。特别优选由卟啉化合物、芳香族叔胺化合物以及苯乙烯基胺化合物形成。
（4）封止部
在实施方式中，在第一封止层121的上面形成有第二封止层123，但也可以例如在第二封止层123的上面形成第三封止层。在该情况下，第三封止层既可以通过与第一封止层121相同的材料、成形方法来成膜，也可以通过其他方法例如化学气相沉积法（CVD）来成膜。
另外，在实施方式中，将利用了ALD法的第二封止层形成在第一封止层上，但在该情况下，氧曝露工序也可以在发光功能层形成工序之后进行。
2.制造方法
（1）第二封止层
在实施方式中，第二封止层123通过原子层沉积法（ALD法）来形成。在第二封止层123由氧化铝构成的情况下，使用三甲基铝（TMA，以下简称为“TMA”）作为构成材料，但也可以利用其他构成材料。
作为其他材料，例如可以使用TEA（三乙基铝）、DMAH（氢化二甲基铝）等的烷基类金属。
另外，也可以使用其他材料构成第二封止层。作为其他材料，有氧化硅（SiO2）、氮化铝（AIN）、氮氧化物（AlXOYNZ）等。例如，在由氮氧化物（AlXOYNZ）构成的情况下，作为构成材料，例如可以通过使TMA、TEA、DMAH与氮化合物发生反应来进行实施。
进而，也可以通过其他方法以原子层为单位来形成。作为其他方法，有原子层生长法（ALE法）。
（2）氧曝露工序
在氧曝露工序中，将形成有第一封止层121的基板101曝露于氧环境中，但只要能够使在第一封止层121形成后在表面露出的电子输送层115、阴极117等氧化，则也可以是其他方法。
另外，对于氧环境，只要是能够使其氧化即可，也可以包含其他气体（氮、氩等）。
另外，对于氧曝露工序，只要能够使在形成发光功能层后在表面露出来的由导电材料构成的层氧化即可，例如只要在发光功能层形成工序后进行即可。具体来说，也可以在形成第一封止层121之前实施。
此外，在利用作为透明导电膜的ITO来作为阴极的情况下，难以在氧曝露工序中在阴极形成氧化膜，但在由金属等能氧化的材料构成阴极的情况下，在氧曝露工序中能形成氧化膜。
3.开口
在实施方式中，第二电极的不希望的开口是由于异物附着到发光功能层的导电层而产生的，但该开口也会由其他原因产生。作为其他原因，有变形的堤的形状等。
产业上的可利用性
本发明能够用于显示装置。

Claims (9)

1.一种发光元件，具备：
第一电极；
发光功能层，其形成在所述第一电极上，且在最上层具有导电层；
第二电极，其在与所述导电层的一部分区域对应的部分具有不希望的开口的状态下，形成在所述导电层上面；以及
封止层，其形成在所述第二电极上，但所述第二电极的构成所述开口的周面除外，
所述导电层的所述一部分区域被氧化。
2.根据权利要求1所述的发光元件，
所述第二电极的所述周面和所述封止层被以原子层为单位而形成的第二封止层覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，
在所述导电层的一部分区域附着有异物，
所述异物通过所述一部分区域的氧化而被固定。
4.根据权利要求3所述的发光元件，
所述导电层的一部分区域被所述第二封止层覆盖，但所述异物的附着部分除外。
5.根据权利要求4所述的发光元件，
所述异物在与第二电极相同材料的层和与封止层相同材料的层形成于该异物上的状态下，被所述第二封止层覆盖。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，
所述发光功能层包括有机发光层，所述导电层是向所述发光层输送电子的电子输送层。
7.一种发光元件的制造方法，所述发光元件在基板上依次具备第一电极、包括发光层和导电层的发光功能层、第二电极以及封止层，所述制造方法包括以下工序：
第一工序，在基板上形成第一电极；
第二工序，在经所述第一工序形成的第一电极上形成发光功能层；
第三工序，在经所述第二工序形成的发光功能层上形成第二电极；
第四工序，在经所述第三工序形成的第二电极上形成封止层；以及
第五工序，在所述第四工序之后，将基板曝露在氧环境下，促进曝露于氧环境中的导电层部分的氧化。
8.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，
所述第五工序中，通几百毫秒到几秒钟的氧气。
9.根据权利要求7或8所述的发光元件的制造方法，
在所述第五工序之后，通过原子层生长法或原子层沉积法来形成第二封止层。
CN201180074002.XA 2011-10-07 2011-10-07 发光元件和发光元件的制造方法 Pending CN103843457A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/005657 WO2013051071A1 (ja) 2011-10-07 2011-10-07 発光素子及び発光素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103843457A true CN103843457A (zh) 2014-06-04

Family

ID=48043264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180074002.XA Pending CN103843457A (zh) 2011-10-07 2011-10-07 发光元件和发光元件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9490451B2 (zh)
KR (1) KR101717333B1 (zh)
CN (1) CN103843457A (zh)
WO (1) WO2013051071A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6054763B2 (ja) * 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6374188B2 (ja) * 2014-03-14 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 封止構造の形成方法、封止構造の製造装置、並びに有機ｅｌ素子構造の製造方法、及びその製造装置
KR102460407B1 (ko) * 2015-10-30 2022-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010031379A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-18 Ryonosuke Tera Organic EL device with protective layer
JP2003173873A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2009081093A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sony Corp 発光装置の製造方法
CN101431147A (zh) * 2007-11-06 2009-05-13 株式会社日立显示器 有机el显示装置及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP3650073B2 (ja) * 2002-03-05 2005-05-18 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4048830B2 (ja) 2002-05-16 2008-02-20 株式会社デンソー 有機電子デバイス素子
JP2004362912A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2005056587A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置及びその製造方法
KR100565636B1 (ko) * 2003-12-02 2006-03-30 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그의 제조방법
GB2460646B (en) 2008-06-02 2012-03-14 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescence element
JP2010238509A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8354667B2 (en) * 2009-05-14 2013-01-15 Chimei Innolux Corporation Organic electroluminescence manufacturing method and image display system having the same
JP2011071032A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子並びにそのリペア方法及び製造方法
JP2011170980A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ並びにそのリペア方法及び製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010031379A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-18 Ryonosuke Tera Organic EL device with protective layer
JP2003173873A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2009081093A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sony Corp 発光装置の製造方法
CN101431147A (zh) * 2007-11-06 2009-05-13 株式会社日立显示器 有机el显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013051071A1 (ja) 2013-04-11
KR101717333B1 (ko) 2017-03-16
US9490451B2 (en) 2016-11-08
KR20140082957A (ko) 2014-07-03
US20140217394A1 (en) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8957412B2 (en) Organic electroluminescence panel, method of manufacturing organic electroluminescence panel, organic light emitting apparatus using organic electroluminescence panel, and organic display apparatus using organic electroluminescence panel
CN102272970B (zh) 发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法
JP5543441B2 (ja) 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置
US20110198598A1 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
CN102405539B (zh) 有机电致发光显示面板及其制造方法
JP6232655B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
US9620560B2 (en) EL display device and method for manufacturing same
JP6340616B2 (ja) 有機ｅｌ素子、および有機ｅｌ表示パネル
JPWO2013093974A1 (ja) 有機ｅｌ表示パネル
US9246138B2 (en) Light-emitting panel, manufacturing method of light-emitting panel, and film forming system
CN103843457A (zh) 发光元件和发光元件的制造方法
JP6040443B2 (ja) 表示パネルの製造方法および表示パネル
WO2013051070A1 (ja) 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2019220289A (ja) 有機ｅｌパネル、および有機ｅｌパネルの製造方法
JP2011222146A (ja) 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2019016496A (ja) 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN103109387A (zh) 发光装置及其制造方法
US10026795B2 (en) Organic EL element and method for manufacturing organic EL element
JPWO2013051071A1 (ja) 発光素子及び発光素子の製造方法
WO2015129212A1 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
JP2018129264A (ja) 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP2017188345A (ja) 発光パネルの製造方法、および、発光パネル
JP2016100280A (ja) 有機ｅｌパネル
JP2013206585A (ja) 有機膜の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20150428

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150428

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Applicant after: The special display of the organic thunder of Japan of Co., Ltd.

Address before: Osaka Japan

Applicant before: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140604