JP2019220289A - 有機ｅｌパネル、および有機ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子輸送層および電子注入層を介して補助電極から陰極に電子を効率良く供給する技術を提供する。【解決手段】陽極２１と発光層２６と電子輸送層２７と電子注入層２８と陰極２２とをこの順で有する有機ＥＬ素子１３をマトリックス状に複数有し、電子輸送層２７と電子注入層２８と陰極２２とが複数の有機ＥＬ素子１３に亘って連続的に形成される、有機ＥＬパネル２であって、複数の有機ＥＬ素子１３の間において、電子輸送層２７および電子注入層２８を介して陰極２２に電子を供給する補助電極３０と、発光層２６が内部に形成される第１開口部４１と、補助電極３０から陰極２２への電子の供給路が形成される第２開口部４２とが形成される絶縁層４０とを有し、補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面の仕事関数が、陽極２１の発光層２６に対向する表面の仕事関数よりも小さい、有機ＥＬパネル２。【選択図】図２
Description
本開示は、有機ＥＬパネル、および有機ＥＬパネルの製造方法に関する。
特許文献１に記載の有機ＥＬ表示パネルは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、陽極と、透明導電膜（電極被覆層）と、ホール注入層と、ホール輸送層と、有機発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極と、封止層とを有する。陽極、透明導電膜、ホール注入層、ホール輸送層、および有機発光層は、有機ＥＬ素子毎に個別に形成される。電子輸送層、電子注入層、陰極、および封止層はＴＦＴ基板の平面全体にわたり一様に形成される。また、バスバー領域には補助電極および透明導電膜（電極被覆層）がこの順で形成される。陽極と補助電極とは同じ材料（例えば銀）で同時に形成され、陽極上の透明導電膜と補助電極上の透明導電膜とは同じ材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide））で同時に形成される。
本開示の一態様は、電子輸送層および電子注入層を介して補助電極から陰極に電子を効率良く供給できる技術を提供する。
本開示の一態様に係る有機ＥＬパネルは、
陽極と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とをこの順で有する有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数有し、前記電子輸送層と前記電子注入層と前記陰極とが複数の前記有機ＥＬ素子に亘って連続的に形成される、有機ＥＬパネルであって、
複数の前記有機ＥＬ素子の間において、前記電子輸送層および前記電子注入層を介して前記陰極に電子を供給する補助電極と、
前記発光層が内部に形成される第１開口部と、前記補助電極から前記陰極への電子の供給路が形成される第２開口部とが形成される絶縁層とを有し、
前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面の仕事関数が、前記陽極の前記発光層に対向する表面の仕事関数よりも小さい。
陽極と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とをこの順で有する有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数有し、前記電子輸送層と前記電子注入層と前記陰極とが複数の前記有機ＥＬ素子に亘って連続的に形成される、有機ＥＬパネルであって、
複数の前記有機ＥＬ素子の間において、前記電子輸送層および前記電子注入層を介して前記陰極に電子を供給する補助電極と、
前記発光層が内部に形成される第１開口部と、前記補助電極から前記陰極への電子の供給路が形成される第２開口部とが形成される絶縁層とを有し、
前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面の仕事関数が、前記陽極の前記発光層に対向する表面の仕事関数よりも小さい。
本開示の一態様によれば、電子輸送層および電子注入層を介して補助電極から陰極に電子を効率良く供給できる。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。尚、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。
図１は、一実施形態に係る有機ＥＬパネルを示す平面図である。図１において、一の単位回路１１の回路を拡大して示す。
有機ＥＬパネル２は、基板１０と、基板１０上に配列される複数の単位回路１１と、基板１０上に設けられる走査線駆動回路１４と、基板１０上に設けられるデータ線駆動回路１５とを有する。走査線駆動回路１４に接続される複数の走査線１６と、データ線駆動回路１５に接続される複数のデータ線１７とで囲まれる領域に、単位回路１１が設けられる。単位回路１１は、マトリックス状に複数配置され、それぞれ、ＴＦＴ層１２と、有機ＥＬ素子１３とを含む。
ＴＦＴ層１２は、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する。一のＴＦＴはスイッチング素子としての機能を有し、他の一のＴＦＴは有機ＥＬ素子１３に流す電流量を制御する電流制御用素子としての機能を有する。ＴＦＴ層１２は、走査線駆動回路１４およびデータ線駆動回路１５によって作動され、有機ＥＬ素子１３に電流を供給する。ＴＦＴ層１２は単位回路１１毎に設けられており、複数の単位回路１１は独立に制御される。尚、ＴＦＴ層１２は、一般的な構成であればよく、図１に示す構成には限定されない。
尚、有機ＥＬパネルの駆動方式は、本実施形態ではアクティブマトリックス方式であるが、パッシブマトリックス方式であってもよい。
図２は、一実施形態に係る有機ＥＬパネルの部分断面図である。基板１０としては、例えばガラス基板または樹脂基板が用いられる。基板１０上には、ＴＦＴ層１２が形成される。ＴＦＴ層１２上には、ＴＦＴ層１２によって形成される段差を平坦化する平坦化層１８が形成される。
平坦化層１８は、絶縁性を有する。平坦化層１８を貫通するコンタクトホールには、コンタクトプラグ１９が形成される。コンタクトプラグ１９は、平坦化層１８の平坦面に形成される陽極２１とＴＦＴ層１２とを電気的に接続する。コンタクトプラグ１９は、陽極２１と同じ材料で、陽極２１と同時に形成されてよい。
有機ＥＬ素子１３は、平坦化層１８の平坦面上にマトリックス状に複数形成される。複数の有機ＥＬ素子１３のそれぞれは、陽極２１と、陰極２２と、陽極２１と陰極２２との間に形成される有機層２３とを有する。ＴＦＴ層１２を作動させ、陽極２１と陰極２２との間に電圧を印加すると、有機層２３において光が発生する。
有機層２３において発生した光は、陰極２２を通過し、基板１０とは反対側に取り出される。つまり、本実施形態の有機ＥＬパネル２は、トップエミッション型である。そのため、基板１０は不透明基板であってもよい。
陽極２１は、単層構造でもよいが、本実施形態では複数層構造であって、有機層２３からの光を有機層２３に向けて反射する反射電極２１１と、反射電極２１１と有機層２３との間に形成される透明電極２１２とを有する。有機層２３において発生した光は、透明電極２１２を通り、反射電極２１１で反射され、再び透明電極２１２を通過する。陽極２１は、有機ＥＬ素子１３毎に個別に形成される。
反射電極２１１は、金属膜であって、例えば銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）で形成される。一方、透明電極２１２は、酸化物膜であって、例えば酸化インジウムを含む透明導電材料で形成される。透明導電材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が挙げられる。
透明電極２１２は、陽極２１から、有機層２３の正孔注入層２４への正孔の注入を促進するために設けられる。正孔は、透明電極２１２から正孔注入層２４のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）に注入される。
透明電極２１２の仕事関数は、反射電極２１１の仕事関数に比べて大きい。そのため、反射電極２１１のフェルミ準位と正孔注入層２４のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差に比べて、透明電極２１２のフェルミ準位と正孔注入層２４のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差が小さい。従って、陽極２１から、有機層２３の正孔注入層２４への正孔の注入を促進することができる。
一般的に、仕事関数は、真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差であり、正の値である。本明細書において、仕事関数は、例えばＵＰＳ（Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy）法により測定する。
尚、陽極２１を構成する層の数は、１つ又は２つには限定されず、３つ以上でもよい。例えば、陽極２１は、反射電極２１１と平坦化層１８との間に透明電極をさらに有してもよく、透明電極と反射電極２１１と透明電極２１２との３層構造であってもよい。
陰極２２は、例えばマグネシウムと銀との混合材（Ｍｇ／Ａｌ）で形成され、有機層２３において発生した光を基板１０とは反対側に透過させる。陰極２２は、複数の有機ＥＬ素子１３に亘って連続的に形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に亘って連続的に形成される。
有機層２３は、例えば、陽極２１側から陰極２２側に向けて、正孔注入層２４と、正孔輸送層２５と、発光層２６と、電子輸送層２７と、電子注入層２８とをこの順で有する。陽極２１と陰極２２との間に電圧がかかると、陽極２１から正孔注入層２４に正孔が注入されると共に、陰極２２から電子注入層２８に電子が注入される。正孔注入層２４に注入された正孔は、正孔輸送層２５によって発光層２６へ輸送される。また、電子注入層２８に注入された電子は、電子輸送層２７によって発光層２６へ輸送される。そうして、発光層２６内で正孔と電子が再結合して、発光層２６の発光材料が励起され、発光層２６が発光する。
正孔注入層２４、正孔輸送層２５、および発光層２６は、陽極２１と同様に、有機ＥＬ素子１３毎に個別に形成される。尚、陽極２１から発光層２６に正孔を供給できればよく、正孔注入層２４は無くてもよい。
発光層２６として、例えば、赤色に発光する赤色発光層２６Ｒと、緑色に発光する緑色発光層２６Ｇと、青色に発光する青色発光層２６Ｂとが形成される。１つの赤色発光層２６Ｒと、１つの緑色発光層２６Ｇと、１つの青色発光層２６Ｂとで、１つの画素が構成される。
１つの画素を構成する赤色発光層２６Ｒと緑色発光層２６Ｇと青色発光層２６Ｂとの配置は、図２に示す配置には限定されない。また、１つの画素は、赤色、緑色および青色以外の色（例えば黄色）に発光する発光層をさらに有してもよい。
電子輸送層２７および電子注入層２８は、陰極２２と同様に、マトリックス状に配置される複数の有機ＥＬ素子１３に亘って連続的に形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に亘って連続的に供給される。
ところで、陰極２２は、発光層２６において発生した光を透過させるため、薄く形成される。そのため、有機ＥＬパネル２の表示領域の外周部と、有機ＥＬパネル２の表示領域の中央部との間での、陰極２２の電気抵抗が大きい。この傾向は、有機ＥＬパネル２の表示領域が大きいほど、顕著である。
そこで、有機ＥＬパネル２は、複数の有機ＥＬ素子１３の間において、電子輸送層２７および電子注入層２８を介して陰極２２に電子を供給する補助電極３０を有する。補助電極３０と陽極２１とは、同じ面（例えば平坦化層１８の平坦面）に、離間して形成される。
補助電極３０は、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に亘って形成され、陰極２２を全体的に等電位に維持する。陰極２２の電圧降下を抑制でき、有機ＥＬパネル２の表示領域の中央部における発光量の低下を抑制できる。
補助電極３０は、例えば隣り合う複数の画素の境界に配置され、格子状または縞状に形成される。尚、補助電極３０は、隣り合う複数の副画素の境界に配置され、格子状または縞状に形成されてもよい。１つの副画素は、１つの赤色発光層２６Ｒ、１つの緑色発光層２６Ｇ、または１つの青色発光層２６Ｂを含む。
補助電極３０は、複数層構造でもよいが、本実施形態では単層構造である。補助電極３０と電子輸送層２７との間に別の機能層が形成されてもよいが、本実施形態では補助電極３０の表面に接するように電子輸送層２７が形成される。
補助電極３０は、補助電極３０から電子輸送層２７への電子の注入を促進するため、従来とは異なり、陽極２１の透明電極２１２とは異なる材料で形成される。電子は、補助電極３０から電子輸送層２７のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）に注入され、電子注入層２８のＬＵＭＯに移動し、陰極２２に至る。
図３は、一実施形態に係る陽極の透明電極と、補助電極と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極とのエネルギー準位を示す図である。図３において、Ｅ０は陽極２１の透明電極２１２のフェルミ準位であり、Ｅ１は補助電極３０のフェルミ準位である。Ｅ０の絶対値（｜Ｅ０｜）は陽極２１の透明電極２１２の仕事関数であり、Ｅ１の絶対値（｜Ｅ１｜）は補助電極３０の仕事関数である。また、図３において、Ｅ２は電子輸送層２７のＬＵＭＯ準位であり、Ｅ３は電子注入層２８のＬＵＭＯ準位であり、Ｅ４は陰極２２のフェルミ準位である。
図３に示すように、補助電極３０の仕事関数｜Ｅ１｜は、陽極２１の透明電極２１２の仕事関数｜Ｅ０｜に比べて小さい。そのため、陽極２１の透明電極２１２のフェルミ準位Ｅ０と電子輸送層２７のＬＯＵＭＯ準位Ｅ２とのエネルギー差に比べて、補助電極３０のフェルミ準位Ｅ１と電子輸送層２７のＬＵＭＯ準位Ｅ２とのエネルギー差が小さい。従って、補助電極３０から電子輸送層２７への電子の注入を促進することができ、補助電極３０から陰極２２に電子を効率良く供給できる。
補助電極３０は、本実施形態では単層構造であるが、複数層構造でもよい。また、陽極２１は、本実施形態では複数層構造であるが、単層構造でもよい。いずれにしろ、補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１の仕事関数｜Ｅ１｜が、陽極２１の発光層２６に対向する表面２１３の仕事関数｜Ｅ０｜よりも小さければよい。陽極２１の発光層２６に対向する表面２１３のフェルミ準位Ｅ０と電子輸送層２７のＬＯＵＭＯ準位Ｅ２とのエネルギー差に比べて、補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１のフェルミ準位Ｅ１と電子輸送層２７のＬＵＭＯ準位Ｅ２とのエネルギー差が小さければよい。補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１から、電子輸送層２７のＬＵＭＯに、電子が注入されるためである。
有機ＥＬパネル２は、図２に示すように、発光層２６が内部に形成される第１開口部４１と、補助電極３０から陰極２２への電子の供給路４５が形成される第２開口部４２とが形成される絶縁層４０を有する。絶縁層４０と、陽極２１および補助電極３０とは、同じ表面（例えば平坦化層１８の平坦面）に形成される。
第１開口部４１は、例えばマトリックス状に複数配置される。複数の第１開口部４１のそれぞれに、発光層２６が形成される。赤色発光層２６Ｒが内部に形成される第１開口部４１Ｒと、緑色発光層２６Ｇが内部に形成される第１開口部４１Ｇと、青色発光層２６Ｂが内部に形成される第１開口部４１Ｂとは、同じ大きさでもよいし、異なる大きさでもよい。
第２開口部４２は、補助電極３０と同様に、例えば隣り合う複数の画素の境界に配置され、格子状または縞状に形成される。尚、第２開口部４２は、隣り合う複数の副画素の境界に配置され、格子状または縞状に形成されてもよい。第２開口部４２には、発光層２６は形成されず、電子輸送層２７、電子注入層２８および陰極２２が形成される。
ところで、第１開口部４１と、第２開口部４２とでは、電子の流れる方向が逆向きである。第１開口部４１では、電子は、陰極２２から発光層２６に向けて、電子注入層２８および電子輸送層２７をこの順で通過する。一方、第２開口部４２では、電子は、補助電極３０から陰極２２に向けて、電子輸送層２７および電子注入層２８をこの順で通過する。
そこで、補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１は、従来とは異なり、陽極２１の発光層２６に対向する表面２１３とは異なる材料で形成される。補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１の仕事関数｜Ｅ１｜は、陽極２１の発光層２６に対向する表面２１３の仕事関数｜Ｅ２｜よりも小さい。そのため、補助電極３０から電子輸送層２７のＬＵＭＯに電子を効率良く注入でき、補助電極３０から陰極２２に電子を効率良く供給できる。
第２開口部４２は、補助電極３０に向うほど先細り状に形成される。第２開口部４２の側壁面４３に電子輸送層２７、電子注入層２８および陰極２２を安定して形成するため、第２開口部４２の側壁面４３のテーパ角度θは、８５°以下とされる。
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
図４は、一実施形態による有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャートである。尚、各工程の順序は特に限定されない。例えば、陽極２１を形成する工程Ｓ１０１と、補助電極３０を形成する工程Ｓ１０２とは、順序が逆でもよい。これらの工程Ｓ１０１、Ｓ１０２は、絶縁層４０を形成する工程Ｓ１０３の前に行われればよく、同時に行われてもよい。また、一部の工程は無くてもよく、例えば正孔注入層２４を形成する工程Ｓ１０４、正孔輸送層２５を形成する工程Ｓ１０５は無くてもよい。
図４は、一実施形態による有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャートである。尚、各工程の順序は特に限定されない。例えば、陽極２１を形成する工程Ｓ１０１と、補助電極３０を形成する工程Ｓ１０２とは、順序が逆でもよい。これらの工程Ｓ１０１、Ｓ１０２は、絶縁層４０を形成する工程Ｓ１０３の前に行われればよく、同時に行われてもよい。また、一部の工程は無くてもよく、例えば正孔注入層２４を形成する工程Ｓ１０４、正孔輸送層２５を形成する工程Ｓ１０５は無くてもよい。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、陽極２１を形成する工程Ｓ１０１を有する。陽極２１は、例えばスパッタリング法または真空蒸着法で成膜され、フォトリソグラフィ法およびエッチング法で予め定められたパターンに形成される。陽極２１は、平坦化層１８の平坦面に、有機ＥＬ素子１３毎に個別に形成される。陽極２１と同時にコンタクトプラグ１９が形成されてよい。
陽極２１は、単層構造でもよいが、本実施形態では複数層構造であって、有機層２３からの光を有機層２３に向けて反射する反射電極２１１と、反射電極２１１と有機層２３との間に形成される透明電極２１２とを有する。発光層２６において発生した光は、透明電極２１２を通り、反射電極２１１で反射され、再び透明電極２１２を通過する。
反射電極２１１は、金属膜であって、例えば銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）で形成される。一方、透明電極２１２は、酸化物膜であって、例えば酸化インジウムを含む透明導電材料で形成される。透明導電材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が挙げられる。ＩＴＯの仕事関数は例えば４．５ｅＶであり、ＩＺＯの仕事関数は例えば４．４ｅＶである。
透明電極２１２は、陽極２１から、有機層２３の正孔注入層２４への正孔の注入を促進するために設けられる。正孔は、透明電極２１２から正孔注入層２４のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）に注入される。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、補助電極３０を形成する工程Ｓ１０２を有する。補助電極は、例えば真空蒸着法によって成膜され、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によって予め定められたパターンに形成される。補助電極３０は、平坦化層１８の平坦面に、例えば格子状または縞状に形成される。
補助電極３０は、単層構造である場合、陽極２１の透明電極２１２よりも仕事関数の小さい材料で形成される。透明電極２１２の材料としては、上述の如く、ＩＴＯおよびＩＺＯが挙げられる。ＩＴＯの仕事関数は例えば４．５ｅＶであり、ＩＺＯの仕事関数は例えば４．４ｅＶである。
補助電極３０の材料は、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）から選ばれる少なくとも１種を含む金属であり、好ましくはＡｇ、Ａｌ及びＭｏから選ばれる１種のみからなる金属である。Ａｇの仕事関数は例えば４．３ｅＶであり、Ａｌの仕事関数は例えば４．１ｅＶであり、Ｍｏの仕事関数は例えば４．２ｅＶである。これらの中でも、Ａｇ、Ａｌは酸化されやすい為、安定性の観点から、Ｍｏが特に好ましい。
補助電極３０は、本実施形態では単層構造であるが、複数層構造でもよい。また、陽極２１は、本実施形態では複数層構造であるが、単層構造でもよい。いずれにしろ、補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１の仕事関数｜Ｅ１｜が、陽極２１の発光層２６に対向する表面２１３の仕事関数｜Ｅ０｜よりも小さければよい。補助電極３０の電子輸送層２７に対向する表面３１から、電子輸送層２７のＬＵＭＯに、電子が注入されるためである。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、絶縁層４０を形成する工程Ｓ１０３を有する。絶縁層４０は、例えば感光性樹脂を用いて形成され、フォトリソグラフィ法によって予め定められたパターンに形成される。絶縁層４０の第１開口部４１において陽極２１が露出し、絶縁層４０の第２開口部４２において補助電極３０が露出する。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、正孔注入層２４を形成する工程Ｓ１０４を有する。正孔注入層２４は、例えばインクジェット法によって正孔注入層２４の材料を含む液滴を第１開口部４１に滴下して液膜を形成し、その液膜を乾燥、焼成することで形成される。正孔注入層２４は、陽極２１の表面に接するように形成される。正孔注入層２４の材料は、特に限定されないが、例えばＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）である。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、正孔輸送層２５を形成する工程Ｓ１０５を有する。正孔輸送層２５は、正孔注入層２４と同様に、例えばインクジェット法によって正孔輸送層２５の材料を含む液滴を第１開口部４１に滴下して液膜を形成し、その液膜を乾燥、焼成することで形成される。正孔輸送層２５は、正孔注入層２４に接するように形成される。正孔輸送層２５の材料は、一般的なものであってよい。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、発光層２６を形成する工程Ｓ１０６を有する。発光層２６は、正孔注入層２４および正孔輸送層２５と同様に、例えばインクジェット法によって発光層２６の材料を含む液滴を第１開口部４１に滴下して液膜を形成し、その液膜を乾燥、焼成することで形成される。
発光層２６の材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質を挙げることができる。
発光層２６として、例えば赤色発光層２６Ｒ、緑色発光層２６Ｇ、および青色発光層２６Ｂが形成される。絶縁層４０は、赤色発光層２６Ｒの材料と、緑色発光層２６Ｇの材料と、青色発光層２６Ｂの材料とを隔てることで、これらの材料の混合を防止する。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、電子輸送層２７を形成する工程Ｓ１０７を有する。電子輸送層２７は、例えば真空蒸着法によって形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に形成される。電子輸送層２７は、発光層２６の表面のみならず、補助電極３０の表面および絶縁層４０の表面に接するように形成される。電子輸送層２７の材料としては、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせが挙げられる。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、電子注入層２８を形成する工程Ｓ１０８を有する。電子注入層２８は、電子輸送層２７と同様に、例えば真空蒸着法によって形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に形成される。電子注入層２８は、電子輸送層２７の表面に接するように形成される。電子注入層２８の材料としては、例えば、フッ化リチウムが挙げられる。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、陰極２２を形成する工程Ｓ１０９を有する。陰極２２は、電子輸送層２７および電子注入層２８と同様に、例えば真空蒸着法によって形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に形成される。陰極２２は、例えばアルミニウムと銀の混合膜（Ａｌ／Ｍｇ膜）である。陰極２２は、電子注入層２８の表面に接するように形成される。
有機ＥＬパネル２の製造方法は、封止層５０を形成する工程Ｓ１１０を有する。封止層５０は、有機層２３が水分や空気に曝されるのを抑制し、有機層２３の劣化を抑制する。封止層５０は、発光層２６において発生した光を透過させる。封止層５０は、例えばＣＶＤ法によって形成され、有機ＥＬパネル２の表示領域の全体に形成される。封止層５０の材料としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）、および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）が挙げられる。このようにして、有機ＥＬパネル２が製造される。
以上、本開示に係る有機ＥＬパネルおよび有機ＥＬパネルの製造方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
１０ 基板
１３ 有機ＥＬ素子
２１ 陽極
２１１ 反射電極
２１２ 透明電極
２１３ 表面
２２ 陰極
２３ 有機層
２６ 発光層
２７ 電子輸送層
２８ 電子注入層
３０ 補助電極
３１ 表面
４０ 絶縁層
４１ 第１開口部
４２ 第２開口部
１３ 有機ＥＬ素子
２１ 陽極
２１１ 反射電極
２１２ 透明電極
２１３ 表面
２２ 陰極
２３ 有機層
２６ 発光層
２７ 電子輸送層
２８ 電子注入層
３０ 補助電極
３１ 表面
４０ 絶縁層
４１ 第１開口部
４２ 第２開口部
Claims (6)
- 陽極と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とをこの順で有する有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数有し、前記電子輸送層と前記電子注入層と前記陰極とが複数の前記有機ＥＬ素子に亘って連続的に形成される、有機ＥＬパネルであって、
複数の前記有機ＥＬ素子の間において、前記電子輸送層および前記電子注入層を介して前記陰極に電子を供給する補助電極と、
前記発光層が内部に形成される第１開口部と、前記補助電極から前記陰極への電子の供給路が形成される第２開口部とが形成される絶縁層とを有し、
前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面の仕事関数が、前記陽極の前記発光層に対向する表面の仕事関数よりも小さい、有機ＥＬパネル。 - 前記陽極の前記発光層に対向する表面は、酸化インジウムを含む透明導電材料で形成される、請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
- 前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面は、モリブデンで形成される、請求項１または２に記載の有機ＥＬパネル。
- 陽極と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とをこの順で有する有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数有し、前記電子輸送層と前記電子注入層と前記陰極とが複数の前記有機ＥＬ素子に亘って連続的に形成される、有機ＥＬパネルの製造方法であって、
複数の前記有機ＥＬ素子の間において、前記電子輸送層および前記電子注入層を介して前記陰極に電子を供給する補助電極を形成する工程と、
前記発光層が内部に形成される第１開口部と、前記補助電極から前記陰極への電子の供給路が形成される第２開口部とが形成される絶縁層を形成する工程とを有し、
前記補助電極を形成する工程は、前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面を、前記陽極の前記発光層に対向する表面に比べて、仕事関数の小さい材料で形成する工程を有する、有機ＥＬパネルの製造方法。 - 前記陽極を形成する工程を有し、
前記陽極を形成する工程は、前記陽極の前記発光層に対向する表面を、酸化インジウムを含む透明導電材料で形成する工程を有する、請求項４に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。 - 前記補助電極を形成する工程は、前記補助電極の前記電子輸送層に対向する表面を、モリブデンで形成する工程を有する、請求項４または５に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| CN113748516A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、电子设备 |
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009110186A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及びディスプレイデバイス |
| WO2010070798A1 (ja) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2011040167A (ja) * | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2012114648A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置 |
| US20150144906A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus |
| WO2015198605A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6040441B2 (ja) | 2012-02-22 | 2016-12-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 機能膜の塗布装置とこれを用いる製造方法 |
| JP5969843B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-08-17 | 日本放送協会 | 有機光電変換素子、及び、これを含む受光素子 |
| WO2014038094A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | パイオニア株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| CN104218156A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| US9806279B2 (en) * | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
-
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009110186A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及びディスプレイデバイス |
| JP2011040167A (ja) * | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2010070798A1 (ja) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| WO2012114648A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置 |
| CN103314462A (zh) * | 2011-02-23 | 2013-09-18 | 松下电器产业株式会社 | 有机el显示面板和有机el显示装置 |
| US20150144906A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus |
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