CN111506216A - 触控面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了触控面板和显示装置，该触控面板和显示装置包括第一电极层和介电层，介电层设于第一电极层上，介电层包括第一介电层和第二介电层，第二介电层设于第一介电层与第一电极层之间，第二介电层的组成材料为无机绝缘材料；该方案可以在后期通过高温形成第二介电层时，避免第一电极层中的电极在高温环境中被氧化，提高了第一电极层中的电极上的信号传输的可靠性。

Description

触控面板以及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及触控面板以及显示装置。

背景技术

触摸屏作为一种可接收触摸输入信号的感应式装置，可以使用户在观察屏幕显示的信息时，通过触碰触摸屏给予反馈，从而进行人机交互过程。

目前，触摸屏包括多个位于不同层的触控电极，相邻层的触控电极之间采用全氟烷氧基树脂材料进行绝缘，然而，制备全氟烷氧基树脂的膜层需要较高的温度，会导致先制备于全氟烷氧基树脂的膜层下方的触控电极被氧化，影响该触控电极上信号的传输。

因此，有必要提供触控面板以及显示装置，以提高触控电极上的信号传输的可靠性。

发明内容

本申请的目的在于提供触控面板以及显示装置，通过第一电极层和第一介电层之间设置第二介电层，且第二介电层的组成材料为无机绝缘材料，解决了现有的在第一电极层上直接高温制备第一介电层，导致第一电极层中的电极在高温环境中被氧化，从而影响第一电极层中的电极上信号的传输的问题。

本申请实施例提供触控面板，所述触控面板包括：

第一电极层；

介电层，所述介电层设于所述第一电极层上，所述介电层包括：

第一介电层；

第二介电层，所述第二介电层设于所述第一介电层与所述第一电极层之间，所述第二介电层的组成材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

在一实施例中，所述第二介电层的制备温度不高于200℃。

在一实施例中，所述第一介电层的组成材料为有机绝缘材料。

在一实施例中，所述第一介电层的组成材料包括全氟烷氧基树脂。

在一实施例中，所述第一介电层的厚度不小于3微米。

在一实施例中，所述第一电极层包括多条第一电极，所述多条第一电极相互平行且间隔设置，所述第二介电层包括多个第二介电部，所述第二介电部与所述第一电极相对设置，所述第二介电部设于对应的第一电极的表面。

在一实施例中，所述触控面板还包括第二电极层，所述第二电极层设于所述介电层远离所述第一电极层的一侧。

在一实施例中，所述触控面板还包括绝缘层，所述绝缘层设于所述第二电极层远离所述第一电极层的一侧。

在一实施例中，所述绝缘层的组成材料和所述第二介电层的组成材料相同。

本申请实施例还提供显示装置，所述显示装置包括彩膜基板、偏光片、盖板和如上任一所述的触控面板，所述偏光片设于所述彩膜基板和所述盖板之间；

所述触控面板设于所述偏光片靠近所述盖板的一侧，或者所述触控面板设于所述偏光片和所述彩膜基板之间，或者所述触控面板设于所述彩膜基板远离所述偏光片的一侧。

本申请提供了触控面板和显示装置，该触控面板和显示装置包括第一电极层和介电层，介电层设于第一电极层上，介电层包括第一介电层和第二介电层，第二介电层设于第一介电层与第一电极层之间，第二介电层的组成材料为无机绝缘材料；可以理解的，在第一电极层和第一介电层之间设置由无机绝缘材料组成的第二介电层，可以在后期通过高温形成第二介电层时，借助第二介电层保护第一电极层，避免第一电极层中的电极在高温环境中被氧化，提高了第一电极层中的电极上的信号传输的可靠性。

附图说明

下面通过附图来对本申请进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的铜表面第一种氧化测试实物图。

图2为本申请实施例提供的铜表面第二种氧化测试实物图。

图3为本申请实施例提供的铜表面第三种氧化测试实物图。

图4为本申请实施例提供的铜表面第四种氧化测试实物图。

图5为本申请实施例提供的第一种触控面板的剖面示意图。

图6为本申请实施例提供的第二种触控面板的剖面示意图。

图7为本申请实施例提供的第三种触控面板的剖面示意图。

图8为本申请实施例提供的第四种触控面板的剖面示意图。

图9为本申请实施例提供的第五种触控面板的剖面示意图。

图10为本申请实施例提供的第六种触控面板的剖面示意图。

图11为本申请实施例提供的第一种显示装置的剖面示意图。

图12为本申请实施例提供的第二种显示装置的剖面示意图。

图13为本申请实施例提供的第三种显示装置的剖面示意图。

图14为本申请实施例提供的第四种显示装置的剖面示意图。

图15为本申请实施例提供的第五种显示装置的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“远离”、“靠近”、“垂直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“远离”只是表面远离某物体的一侧，具体远离多少都可以，或者和该物体之间间隔多少膜层不做限制；“相对”或者“对应”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接/间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本申请关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与申请关系不大的细节，目的在于简化附图，使申请点一目了然，而不是表明实际中装置就是和附图一模一样，不作为实际中装置的限制。

本申请提供触控面板，所述触控面板包括但不限于以下实施例。

如表1所示，为在一镀有铜的基板上形成全氟烷氧基树脂膜层时，所述铜膜层中不同区域的电阻值的测量值，此处以所述全氟烷氧基树脂膜层的厚度为5000A为例，其中电阻值可以理解为对应区域的单位电阻值。如图1、2所示，分别为镀有铜的基板常温下的未覆盖全氟烷氧基树脂区域100、覆盖全氟烷氧基树脂区域200的实物图，由于覆盖全氟烷氧基树脂区域200是在镀有铜的基板上涂布了全氟烷氧基树脂材料，图1未覆盖全氟烷氧基树脂区域100、与图2覆盖全氟烷氧基树脂区域200两者实物图的颜色稍有差异，但两者各自的颜色分布都较均匀，结合表1，常温下的所述未覆盖全氟烷氧基树脂区域100、所述覆盖全氟烷氧基树脂区域200的单位电阻值均为0.4Ω。在所述铜膜层上涂布全氟烷氧基树脂材料后，如图3、4所示，分别为在230℃温度下烘烤30min后的未覆盖全氟烷氧基树脂区域300、覆盖全氟烷氧基树脂区域400的实物图，未覆盖全氟烷氧基树脂区域300的铜由于裸露在空气中，高温氧化后，颜色明显变化，阻值也上升，覆盖全氟烷氧基树脂区域400的铜由于未接触空气，颜色无明显变化，阻值也无明显上升，结合表1，在230℃温度下烘烤30min后，虽然覆盖全氟烷氧基树脂区域400的单位电阻值变化不大，但是其他未覆盖全氟烷氧基树脂区域300而裸露在空气中，单位电阻值增加至大于500Ω，严重影响其后期与其他导电材料的接触电阻。

表1

在一实施例中，如图5-7所示，所述触控面板00包括：第一电极层10和介电层20，所述介电层20设于所述第一电极层10上；所述介电层20包括第一介电层201和第二介电层202，所述第二介电层202设于所述第一介电层201与所述第一电极层10之间，所述第二介电层202的组成材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

具体的，所述第二介电层202可以为由氮化硅、氧化硅制备而成的复合膜层，其中所述氮化硅、氧化硅膜层的上下顺序不做限制。

在一实施例中，所述第二介电层202的制备温度不高于200℃。具体的，在本发明的实施例中，所述氮化硅膜层可以采用等离子体化学气相沉积法制备，沉积温度低于300℃；所述氧化硅膜层可以采用等离子体增强化学气相沉积法制备，沉积温度低于300℃，所述氧化硅膜层还可以采用液相沉积法法制备，成膜温度大约40℃，且成膜过程不需要热处理；所述氮氧化硅膜层可以采用化学气相沉积法。可以理解的，为了防止所述第一电极层10被高温氧化，可以适当降低所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的成膜温度低至200℃，相应的，可以适当延长所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的成膜时间，以确保已完全固化形成所述第二介电层202。

可以理解的，由于第二介电层202覆盖于第一电极层10上，可以保护所述第一电极层10被高温氧化。进一步的，所述第二介电层202采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种制备，由上述分析可知，可以控制所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅在烘烤温度为100℃至150℃期间固化形成所述第二介电层202；而所述第一电极层10的组成材料一般为金属材料，在高温下才容易被氧化，故此处在100℃至150℃的温度下形成所述第二介电层202期间，所述第一电极层10不会发生氧化，具体的，所述第一电极层10的颜色无明显变化，所述第一电极层10的电极的阻值不会上升，不会影响该电极后续与其他电极的接触电阻，从而不会导致相关的电路发生断路。

在一实施例中，如图6所示，所述第一电极层10包括多条第一电极101，所述多条第一电极101相互平行且间隔设置，所述第二介电层202包括多个第二介电部2021，所述第二介电部2021与所述第一电极101相对设置，所述第二介电部2021设于对应的第一电极101的表面。具体的，所述第二介电部2021可以设置在对应的第一电极101的上表面01和侧表面02，以避免对应的第一电极101被高温氧化；进一步的，所述第二介电部2021还可以设置在相邻的两所述第一电极101之间，进一步避免对应的第一电极101被高温氧化。当然，如图7所示，所述第二介电层202可以完全填充于相邻的两所述第一电极101之间，以及覆盖于所述第一电极层10上，可以理解的，这样相比较于如图10的实施例而言，所述第二介电层202在与所述第一电极层10相对应的区域，可以无需进行图案化处理，并且可以更进一步避免对应的第一电极101被高温氧化。

在一实施例中，所述第一电极层10可以采用金属、透明电极材料、银纳米线或石墨烯中的至少一种制备，进一步的，为了增加光线穿过所述触控面板00量，所述第一电极层10可以采用透明电极材料制备。

在一实施例中，所述第一介电层201的组成材料为有机绝缘材料。可以理解的，所述第一介电层201和所述第二介电层202的组成材料均为绝缘材料，因此所述介电层20可以防止所述第一电极层10和位于所述第一介电层201上的电极之间导通。

在一实施例中，所述第一介电层201的组成材料包括全氟烷氧基树脂、全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物、或者聚四氟乙烯中的至少一种。

在一实施例中，所述第一介电层201的厚度不小于3微米。可以理解的，由于所述第一介电层201采用全氟烷氧基树脂等有机物制备，在工艺上可以实现成膜厚度不小于3微米，而所述第二介电层202采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机物制备，在工艺上的成膜厚度一般小于1微米。故在所述第二介电层202上制备所述第一介电层201，可以增大所述介电层20的厚度，使得所述第一电极层10和位于所述介电层20上的电极之间的距离不小于3微米，使得所述第一电极层10与位于所述介电层20上的电极两者构成的电容达到需求。

在一实施例中，如图8所示，所述触控面板00还包括第二电极层30，所述第二电极层30设于所述介电层20远离所述第一电极层10的一侧。具体的，所述第二电极层30也可以包括多条第二电极，所述多条第二电极相互平行且间隔设置，所述多条第二电极与所述多条第一电极交叉设置，进一步的，所述多条第二电极可以与所述多条第一电极垂直设置。可以理解的，所述第二电极层30的材料可以参考所述第一电极层10的材料的相关描述。

在一实施例中，如图9所示，所述触控面板00还包括绝缘层40，所述绝缘层40设于所述第二电极层30远离所述第一电极层10的一侧。具体的，所述绝缘层40包括多个绝缘部，所述绝缘部与所述第二电极相对设置，所述绝缘部设于对应的第二电极的表面。可以理解的，关于所述绝缘层40与所述第二电极层30的具***置关系可以参考上文关于所述第二介电层202与所述第一电极层10的具***置关系，所述绝缘层40可以防止所述第二电极层30和所述触控面板00的其它导电结构之间导通。

在一实施例中，所述绝缘层40的制备温度不高于200°，进一步的，所述绝缘层40的具体材料可以参考上文关于所述第二介电层202的具体材料的相关描述，同理，在100℃至150℃的温度下形成所述绝缘层40时，在该温度期间，所述第二电极层30不会发生氧化，即能够降低发生电路断路的风险。

在一实施例中，如图10所示，所述触控面板00还包括信号传输层，所述信号传输层设于所述绝缘层40远离所述第一电极层10的一侧，所述信号传输层包括多个信号传输部501，所述介电层20、所述第二电极层30和绝缘层40上设置有第一过孔03，所述绝缘层40上设置有第二过孔04。具体的，所述第一过孔03和所述第二过孔04中填充有导电材料，所述第一过孔03设于所述第一电极部101和对应的信号传输部501之间，用于电性连接所述第一电极部101和对应的信号传输部501，所述第二过孔04设于所述第二电极部201和对应的信号传输部501之间，用于电性连接所述第二电极部201和对应的信号传输部501。可以理解的，所述信号传输部501可以包括多个接触点，所述信号传输部501与外界柔性电路板电性连接，不同的接触点可以接收对应的电信号，所述电信号通过所述信号传输部501、所述第一过孔03和所述第二过孔04分别传输至所述第一电极层10、所述第二电极层30。可以理解的，所述信号传输层的材料可以参考所述第一电极层10的材料的相关描述。

本申请还提供显示装置，所述显示装置包括上文任一所述的触控面板。

在一实施例中，所述显示装置000可以为包括液晶层的液晶显示装置，如图11-13所示，所述显示装置000包括彩膜基板60、偏光片70、盖板80和所述触控面板00，所述偏光片70设于所述彩膜基板60和所述盖板80之间。具体的，如图11所示，所述触控面板00设于所述偏光片70靠近所述盖板80的一侧，以形成外挂式的显示装置000；如图12所示，或者所述触控面板00设于所述偏光片70和所述彩膜基板60之间，以形成On-cell(将触摸屏嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间)的显示装置000；如图13所示，或者所述触控面板00设于所述彩膜基板60远离所述偏光片70的一侧，以形成In-cell(将触摸面板功能嵌入两版之间)。

进一步的，此处以On-cell为例，当所述显示装置000包括液晶层90时，如图14所示，所述显示装置000还包括阵列基板100，所述液晶层90设于所述彩膜基板60远离所述触控面板00的一侧，所述阵列基板100设于所述液晶层90远离所述彩膜基板60的一侧。

在一实施例中，所述显示装置000也可以为包括发光器件层的有机发光显示装置，如图15所示，所述显示装置000包括基板200、发光器件层300、封装玻璃层400、所述触控面板00、偏光片500、透明光学胶层600以及盖板玻璃层700。具体的，可以在所述封装玻璃层400上制作封装玻璃层400，然后将所述封装玻璃层400的另一面通过透明光学胶与包含所述发光器件层300的显示面板贴合到一起。

本申请提供了触控面板和显示装置，该触控面板和显示装置包括第一电极层和介电层，介电层设于第一电极层上，介电层包括第一介电层和第二介电层，第二介电层设于第一介电层与第一电极层之间，第二介电层的组成材料为无机绝缘材料；可以理解的，在第一电极层和第一介电层之间设置由无机绝缘材料组成的第二介电层，可以在后期通过高温形成第二介电层时，借助第二介电层保护第一电极层，避免第一电极层中的电极在高温环境中被氧化，提高了第一电极层中的电极上的信号传输的可靠性。

以上对本申请实施例所提供的触控面板和显示装置的结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板包括：

第一电极层；

介电层，所述介电层设于所述第一电极层上，所述介电层包括：

第一介电层；

第二介电层，所述第二介电层设于所述第一介电层与所述第一电极层之间，所述第二介电层的组成材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第二介电层的制备温度不高于200℃。

3.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一介电层的组成材料为有机绝缘材料。

4.如权利要求1或3任一所述的触控面板，其特征在于，所述第一介电层的组成材料包括全氟烷氧基树脂。

5.如权利要求1或3任一所述的触控面板，其特征在于，所述第一介电层的厚度不小于3微米。

6.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层包括多条第一电极，所述多条第一电极相互平行且间隔设置，所述第二介电层包括多个第二介电部，所述第二介电部与所述第一电极相对设置，所述第二介电部设于对应的第一电极的表面。

7.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括第二电极层，所述第二电极层设于所述介电层远离所述第一电极层的一侧。

8.如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括绝缘层，所述绝缘层设于所述第二电极层远离所述第一电极层的一侧。

9.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘层的组成材料和所述第二介电层的组成材料相同。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括彩膜基板、偏光片、盖板和如权利要求1-9任一所述的触控面板，所述偏光片设于所述彩膜基板和所述盖板之间；

所述触控面板设于所述偏光片靠近所述盖板的一侧，或者所述触控面板设于所述偏光片和所述彩膜基板之间，或者所述触控面板设于所述彩膜基板远离所述偏光片的一侧。

Images