CN103765625A - 具有多个多周期性纳米结构区的有机发光二极管光提取膜 - Google Patents
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- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 34
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 32
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 16
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-Me3C6H3 Natural products CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N Diphenylphosphine oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1[P+](=O)C1=CC=CC=C1 YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 2
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000969106 Megalaima haemacephala Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- -1 and in this case Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
- G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
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Abstract
本发明提供一种具有多个多周期性工程化的纳米结构区的光提取膜。所述光提取膜包括柔性基底、施加到所述基底的一层低折射率工程化的纳米结构、和施加到所述纳米结构之上的高折射率回填层。所述多个多周期性区包括具有多个多周期性特性的纳米结构的重复区。所述重复区包括具有不同周期性节距的第一组纳米结构和第二组纳米结构。所述多个多周期性区可用于提高光输出及调谐有机发光二极管器件的角光度。
Description
背景技术
有机发光二极管(OLED)器件包括电致发光有机材料薄膜,所述薄膜夹在阴极和阳极之间,其中这些电极中的一个或两个是透明导体。在横跨所述器件施加电压时,从各自的电极射出电子和空穴,并且所述电子和空穴通过中间形成放射性激子而在电致发光有机材料中复合。
在OLED器件中,超过70%的生成光通常由于在器件结构内的工艺而损失。光在较高折射率的有机和氧化铟锡(ITO)层与较低折射率的基底层之间的界面处的捕集是提取效率不足的主要原因。仅相对少量的所发射光作为“可用光”穿过透明电极出现。大部分光经受内部反射,导致光从器件的边缘发射,或在器件内被捕集,并且最终在重复数次之后因在器件内被吸收而丧失。
光提取膜使用内部纳米结构来避免器件内的波导损失。在提供强的光提取时,包括规则排列的结构(例如,光子晶体或线性光栅)的内部纳米结构往往使所发射光的角度分布和光谱分布产生与衍射相关的变化,这在最终应用中并非所期望的。因此,需要一种光提取膜,其经由所述纳米结构增强光提取效率并且同时降低光输出中的不期望亮度和色彩角不一致性。
发明内容
一种符合本发明的光提取膜包括:柔性基底;一层低折射率工程化的纳米结构,其施加到所述基底;以及高折射率回填层,其施加到所述纳米结构上,并且在所述回填层的与纳米结构相背对的表面上形成大致平坦的表面。所述工程化的纳米结构具有多个多周期性区,包括纳米结构的重复区。所述重复区包括具有不同周期性节距的第一组纳米结构和第二组纳米结构。
附图说明
附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分,并且它们结合具体实施方式阐明本发明的优点和原理。在附图中,
图1是示出光提取膜的各层的示意图;
图2A是示出具有不同节距的纳米结构的第一多周期性区的示意图;
图2B是示出具有不同节距的纳米结构的第二多周期性区的示意图;
图2C是示出具有不同节距的纳米结构的第三多周期性区的示意图;
图2D是示出具有不同节距的纳米结构的第四多周期性区的示意图;
图2E是示出具有不同节距的纳米结构的第五多周期性区的示意图;
图2F是示出具有不同纵横比的纳米结构的多周期性区的示意图;
图2G是示出具有不同形状的纳米结构的多周期性区的示意图;
图3是所述实例中具有多个多周期性纳米结构的膜的图像;并且
图4A和图4B是针对所述实例的锥光镜测量的曲线图。
具体实施方式
本发明的实施例涉及光提取膜和所述光提取膜针对OLED器件的使用。光提取膜的实例描述于美国专利申请公开号2009/0015757和2009/0015142中。
图1是具有工程化的纳米结构的多个多周期性区的光提取膜10的构造的示意图。光提取膜10包括大致透明的基底12(柔性、刚性或在窗口层中)、低折射率多个多周期性工程化的纳米结构14和高折射率回填层16,所述高折射率回填层在多个多周期性纳米结构14上形成大致平坦的表面。术语“大致平坦的表面”意指回填层使下面层平整,但在所述大致平坦的表面中也可存在轻微的表面变化。在紧贴OLED器件的光输出表面放置所述回填层的平坦的表面时,所述纳米结构至少部分地提高来自OLED器件的光输出。所述回填平坦的表面可直接紧贴OLED光输出表面放置,或可通过所述平坦的表面与光输出表面之间的另一层来放置。
所述光提取膜通常被制作为将施加到OLED器件的剥离膜。例如,光学耦合层18可用于将光提取膜10光学耦合到OLED器件20的光输出表面。光学耦合层18可被施加到所述光提取膜、所述OLED器件或两者,并且所述光学耦合层可用粘合剂来实施以有利于将光提取膜施加到OLED器件。替代单独的光学耦合层,高折射率回填层本身可由高折射率粘合剂构成,以使得由同一个层执行回填层的光学功能和平整化的功能、以及粘合剂光学耦合层的粘结功能。在名称为“OLED Light Extraction Films HavingNanoparticles and Periodic Structures(具有纳米粒子和周期性结构的有机发光二极管光提取膜)”、并且在2011年3月17日提交的美国专利申请案号13/050324中描述光学耦合层的例子以及用于使用光学耦合层以将光提取膜层合到OLED器件的工艺。
用于光提取膜10的工程化的纳米结构可与基底一体地形成,或形成于施加到所述基底的层中。例如,通过将低折射率材料施加到所述基底并且随后图案化所述材料,可在所述基底上形成所述纳米结构。工程化的纳米结构是至少一个维度(例如,宽度)小于1微米的结构。工程化的纳米结构并非单独的粒子,而是可由形成工程化的纳米结构的纳米粒子组成,其中所述纳米粒子显著小于工程结构的总尺寸。
用于光提取膜10的工程化的纳米结构可以是一维(1D)的,意指其仅在一个维度上具有周期性,也就是说,最近的相邻结构沿着表面在一个方向上等同地间隔开,但沿着正交方向并非如此。就1D周期性纳米结构而言,毗邻的周期性结构之间的间距小于1微米。例如,一维结构包括连续的或细长的棱柱或脊,或者线性光栅。
用于光提取膜10的工程化的纳米结构还可以是二维(2D)的,意指其在两个维度上具有周期性,也就是说,最近的相邻结构沿着表面在两个不同方向上等同地间隔开。就2D纳米结构而言,在两个方向上的间距小于1微米。注意,在所述两个不同方向上的间距可以是不同的。例如,二维结构包括小透镜、棱锥、梯形柱、圆形柱或方形柱、或光子晶体结构。二维结构的其他例子包括弯曲侧面的锥结构,如美国专利申请公开号2010/0128351中所描述。
在上文指出的所公布专利申请中提供用于光提取膜10的基底、低折射率多个多周期性结构及高折射率回填层的材料。例如,可用玻璃、PET、聚酰亚胺、TAC、PC、聚氨酯、PVC或柔性玻璃来实施所述基底。在上文指出的所公布专利申请中还提供了用于制作光提取膜10的工艺。任选地,可用阻隔膜实施所述基底,以保护采用所述光提取膜的器件免受湿气或氧气影响。在美国专利申请公开号2007/0020451和美国专利号7,468,211中公开阻隔膜的例子。
图2A到图2E示出了至少具有不同节距的多个多周期性纳米结构区的各种示例性构形。区是彼此邻近并且不重叠的多组工程化的纳米结构。所述组可直接彼此毗邻,或彼此毗邻并以间隙间隔开。每一组是彼此毗邻的、具有周期性特性的多个纳米结构,并且一个区中的每一组与所述区中的其他组具有不同的周期性特性。因此,每一组中的工程化的纳米结构并非不规则的,并且并非无周期性的。所述区贯穿光提取膜的纳米结构化表面进行重复。具体地讲,区中的相同多个组重复,导致工程化的纳米结构的重复变化的周期性特性。组中的多个纳米结构可包括仅两个纳米结构,在这种情况下,节距(在用作多个多周期性特性时)仅为所述组中的两个纳米结构之间的单个距离。
周期性特性的例子包括节距、高度、纵横比和形状。节距是指毗邻纳米结构之间的、通常从其最顶部部分进行测量的距离。高度是指从所述纳米结构的底部(与下面层接触)测量到最顶部部分的纳米结构的高度。纵横比是指纳米结构的横截面宽度(最宽部分)与高度的比率。形状是指纳米结构的横截面形状。
已发现,在与使用单个节距时相比时,通过多节距区控制节距会为OLED光提取提供更好的角分布。而且,使用多节距区会提供更一致的OLED光提取,并且允许针对特定色彩来调谐光提取。因此,所述光提取膜使用节距的多个多周期性区,并且可将多节距区与其他多个多周期性特性(例如上文所述的多个多周期性特性)组合在一起。
图2A示出了具有包括组24、26和28的区的工程化的纳米结构22。与所述区中的其他组的节距和结构高度相比,所述组24、26和28中的每一者具有不同的节距和结构高度。组24具有周期性节距30,组26具有周期性节距32,并且组28具有周期性节距34。节距30、32和34并不彼此等同。在一个具体实施例中,节距30=0.420微米,节距32=0.520微米,并且节距34=0.630微米。则构成所述区的组24、26和28将重复以形成光提取膜的纳米结构化表面。
图2B示出了具有包括多组纳米结构38、40和42的重复区的工程化的纳米结构36,其中每一组纳米结构具有不同于其他组的周期性节距和结构高度。在纳米结构化表面36中,重复显示所述区两次。与图2A中的组相比,此例子在每一组中的结构较少。
图2C示出了具有包括多组纳米结构46、48和50的重复区的工程化的纳米结构44,其中每一组纳米结构具有不同于其他组的周期性节距和结构高度。在纳米结构化表面44中,重复显示所述区八次。与图2A和图2B中的组相比,此例子在每一组中的结构较少。
图2D示出了具有包括多组纳米结构54和56的重复区的工程化的纳米结构52,其中每一组纳米结构具有不同于其他组的周期性节距和结构高度。在纳米结构化表面52中,重复显示所述区三次。与图2A到图2C中的具有三个组的区相比,此例子示出了具有两个组的区。
图2E示出了具有包括多个组60、62和64的区的工程化的纳米结构58。与所述区中其他组的节距和结构高度相比,所述组60、62和64中的每一者具有不同的节距和结构高度。组60具有周期性节距66,组62具有周期性节距68,并且组64具有周期性节距70。节距66、68和70并不彼此等同。在一个具体实施例中,节距66=0.750微米,节距68=0.562微米,并且节距70=0.375微米。则构成所述区的组60、62和64将重复以形成光提取膜的纳米结构化表面。与图2A的各组中的不同节距相比,此例子示出了区中的在不同方向上增加的不同节距。
除了节距和结构高度外,多个多周期性区还可以具有多组其他多个多周期性特性。图2F示出了包括具有多个多周期性纵横比的多个组的工程化的纳米结构72。纳米结构72的重复区包括组74和76,其中组74中的纳米结构与组76中的纳米结构具有不同的纵横比。又如,图2G示出了包括具有多个多周期性形状的多个组的工程化的纳米结构78。纳米结构78的重复区包括组80和82,其中组80中的纳米结构与组82中的纳米结构具有不同的形状。在此例子中,组80中的纳米结构可实施为1D方形脊或2D方形柱,而组82中的纳米结构可实施为1D细长棱柱或2D棱锥。
图2A到图2G中的纳米结构是周期性特性和区的示例。区可具有两个、三个或更多个组的纳米结构,其中每一组都具有周期性特性,并且此周期性特性不同于其他组中的具有相同周期性特性的值。在图2A到图2E中,使用高度不同的纳米结构实现区中的多个组之间的不同节距。然而,纳米结构的高度可以是相同的,而各组之间的节距是不同的。因此,区中的多个组可在其之间具有一个或多个不同周期性特性。而且,图2A到图2E出于示例性目的而将棱柱(或棱锥)显示为工程化的纳米结构;工程化的纳米结构可包括其他类型的1D和2D结构,例如上文指出的那些。
实例
除非另外指出,否则所述实例中的所有份数、百分比、比率等均为按重量计。除非指明为不同,否则所使用的溶剂和其他试剂可购自威斯康星州密尔沃基的西格玛奥尔德里奇化学公司(Sigma-Aldrich ChemicalCompany;Milwaukee,WI)。
制备实例
D510稳定化50nm TiO
2
纳米粒子分散体的制备
使用铣削工艺在存在SOLPLUS D510和1-甲氧基-2-丙醇的情况下制备具有大约52%wt的TiO2的TiO2纳米粒子分散体。根据TiO2的重量,以25%wt的量添加SOLPLUS D510。使用DISPERMAT混合器(佛罗里达州波姆庞帕诺滩保罗。N.加德纳有限公司(Paul N.Gardner Company,Inc.,Pompano Beach,FL))来预混合所述混合物达10分钟,然后在4300rpm、0.2mm YTZ研磨介质和250ml/min流速的条件下使用NETZSCH MiniCer研磨机(宾夕法尼亚州埃克斯顿的NETZSCH Premier Technologies有限责任公司(NETZSCH Premier Technologies,LLC.,Exton,PA))。在1小时的研磨之后,获得1-甲氧基-2-丙醇中的TiO2分散体,呈白色糊状。使用Malvern Instruments ZETASIZER Nano ZS(马萨诸塞州威斯特伯鲁的马尔文仪器有限公司(Malvern Instruments Inc,Westborough,MA))将粒子尺寸确定为50nm(Z-平均大小)。
高折射率回填溶液(HI-BF)的制备
将20g的D510稳定化50nm TiO2溶液、2.6g的SR833S、0.06g的IRGACURE127、25.6g的1-甲氧基-2-丙醇、38.4g的2-丁酮混合在一起,以形成同质高折射率回填溶液。
具有500nm节距的纳米结构化膜的制造
通过以下方法来制造500nm“锯齿”光栅膜:首先制作如美国专利号7,140,812(使用合成单晶金刚石(Sumitomo Diamond,Japan))中所述的多头金刚石工具。
然后使用所述金刚石工具以制作微复制铜辊,然后使用所述微复制铜辊以利用可聚合树脂以连续浇铸并固化工艺在PET膜上制作500mm1D结构,其中通过将0.5%的(2,4,6三甲基苯甲酰)二苯基氧化膦混合到PHOTOMER6210和SR238的75:25共混物中来制作所述可聚合树脂。
使用卷到卷涂布工艺将HI-BF溶液涂布在所述500nm节距1D结构化膜上,其中卷绕速度为4.5m/min(15ft/min)并且分散递送率为5.1cc/min。在空气中以室温干燥所述涂层,随后在82℃(180℉)下将所述涂层进一步干燥,然后使用装有高压汞灯的Fusion UV-Systems Inc.Light-Hammer6UV(Gaithersburg,MD)处理器进行固化,在氮气气氛下以75%的灯功率以4.5m/min(15ft/min)的线速度进行操作。
具有多个多周期性区的纳米结构化膜的制造
通过以下方法来制造具有节距域的纳米结构化膜:首先制作如美国专利号7,140,812(使用合成单晶金刚石(Sumitomo Diamond,Japan))中所述的多头金刚石。使用五种不同工具(下文所述的工具A到E)来制作五种不同的纳米结构化膜。
对于工具A而言,将1:1三角形节距(等同的高度对宽度)的周期选择为420nm、520nm和630nm。每一组中的重复周期的数目选择为八。具有所述周期的组的布置方式为:首先是具有420nm周期的组,然后是具有520nm周期的组,并且然后是具有630nm周期的组。在所述三角形节距的布置之后测量为约25μm的金刚石切割工具内重复此布置方式两次(两个区),将所述金刚石切割工具研磨成切割端。
对于工具B而言,将1:1三角形节距(等同的高度对宽度)的周期选择为420nm、520nm和630nm。每一组中的重复周期的数目选择为十六。具有所述周期的组的布置方式为:首先是具有420nm周期的组,然后是具有520nm周期的组,并且然后是具有630nm周期的组。在所述三角形节距的布置之后测量为约25μm的金刚石切割工具被研磨成切割端。
对于工具C而言,将1:1三角形节距(等同的高度对宽度)的周期选择为420nm、520nm和630nm。每一组中的重复周期的数目选择为二。具有所述周期的组的布置方式为:首先是具有420nm周期的组,然后是具有520nm周期的组,并且然后是具有630nm周期的组。在所述三角形节距的布置之后测量为24.5μm的金刚石切割工具内重复此布置方式八次,将所述金刚石切割工具研磨成切割端。
对于工具D而言,将1:1三角形节距(等同的高度对宽度)的周期选择为520nm和630nm。每一组中的重复周期的数目选择为八。具有所述周期的组的布置方式为:首先是具有520nm周期的组,并且然后是具有630nm周期的组。在所述三角形节距的布置之后测量为约27μm的金刚石切割工具内重复此布置方式三次,将所述金刚石切割工具研磨成切割端。
对于工具E而言,将1:1三角形节距(等同的高度对宽度)的周期选择为375nm、562nm和750nm。每一组中的重复周期的数目选择为十六。具有所述周期的组的布置方式为:首先是具有750nm周期的组,然后是具有562nm周期的组,并且然后是具有375nm周期的组。在所述三角形节距的布置之后测量为约26μm的金刚石切割工具被研磨成切割端。
然后使用每一金刚石工具以在铜工具中切割有意设计的布置,以便跨越工具的宽度重复,然后使用所述工具、以连续浇铸并固化工艺、利用可聚合树脂在PET膜上制作具有多个多周期性区的1D工程化的纳米结构,其中通过将0.5%的(2,4,6三甲基苯甲酰)二苯基氧化膦混合到PHOTOMER6210和SR238的75:25共混物中来制作所述可聚合树脂。
使用卷到卷涂布工艺将HI-BF溶液涂布在具有节距域的所述纳米结构化膜上,其中卷绕速度为3.0m/min(10ft/min)并且分散递送率为2.28cc/min。在空气中以室温干燥所述涂层,并且随后在82℃(180℉)下进一步干燥所述涂层,然后使用装有高压汞灯的Fusion UV-Systems Inc.Light-Hammer6UV(Gaithersburg,MD)处理器固化所述涂层,在氮气气氛下以75%的灯功率以3.0m/min(10ft/min)的线速度进行操作。
图3是显示用工具B制作的纳米结构化膜的图像。
比较例C-1:根据500nm节距的纳米结构化膜和参考玻璃基底构建的
红色、绿色和蓝色OLED
在5-7毫托的操作压力下将大约80nm厚的氧化铟锡(ITO)层以直流条件(400W正向功率)真空溅射到经过回填的500nm节距1D纳米结构化膜上,以如所采用的荫罩所界定产生5mm宽的ITO阳极。参考ITO样本的表面电阻在40-70Ohm/sq的范围内。
随后,沉积OLED和阴极层以及阴极以完成所述OLED。在针对每一主导色器件组的单独实验中,在真空***中以约10-6托的基础压力通过标准热沉积来制作红色、绿色和蓝色OLED。在这些实验中,阴极层涂布有5mm宽的荫罩,从而界定5×5mm活性区域的红色、绿色和蓝色器件。
针对每一主导色沉积下列OLED构造:HIL(300nm)/HTL(40nm)/红色、绿色或蓝色EML(30nm)/ETL(20nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)。在完成之后,用封装阻隔膜(3M Company)对所述OLED进行包封,其中在封装膜与OLED器件之间采用SAES吸气剂作为干燥剂和氧气清除剂。
类似地,在根据上述程序预先溅射有ITO阳极层的对照物抛光碱石灰玻璃样本(科罗拉多州拉夫兰的Delta Technologies有限公司(DeltaTechnologies,Limited,Loveland,CO))上,使用相同堆叠制作对照物红色、绿色和蓝色OLED。
使用各种电光技术来特征化所构造的红色、绿色和蓝色OLED器件,所述电光技术包括使用AUTRONIC锥光镜(德国卡尔斯鲁厄的AUTRONIC-MELCHERS有限公司(AUTRONIC-MELCHERS GmbH,Karlsruhe,Germany))的角亮度测量。在这些测量中,针对每一所操作器件在对应于10mA/cm2的电流密度的恒定电流下操作所有器件。
锥光镜测量显示出,用单节距(500nm)1D结构化膜制作的红色、绿色和蓝色OLED样本对器件颜色显示出强的依赖性,从而产生具有相对高强度的小区域、和环绕有相对低强度的区域的具有更低强度的稍微较大区域。
根据通常用于评估显示器应用中的白色点色移的CIE1976(L,u’,v’)色彩空间度量来计算Δu’v’白色点角移。为了计算白色点位移的Δu’v’特性,选择个别红色、绿色和蓝色OLED器件的红色、绿色和蓝色发射的一定混合物,此使得沿对应于极性角和方位角(两者都是0°)的角方向(轴向观看角方向)在CIE1936x,y色彩空间中产生色彩坐标0.3031,0.3121。在对应于1D光栅矢量方向和正交方向的角空间中沿着两个方位角方向计算Δu’v’。在光栅矢量的方向(其通常显示亮度随着极性角的最强变化)上,针对在0到60°极性角内的变化获得大约0.035的Δu’v’。此Δu’v’值显著超出0.02的值,其中0.02通常视为对于显示器应用而言可接受的具有随着角度的最小可观察色移的最大Δu’v’值。
因此,期望单节距1D纳米结构化光提取膜,以在显示器应用中产生随角度可注意到的色彩变化。
实例1:根据具有多个多周期性区的纳米结构化膜构建的红色、绿色
和蓝色OLED
在5-7毫托的操作压力下将大约80nm厚的氧化铟锡(ITO)层以直流条件(400W正向功率)真空溅射到具有使用工具A制作的节距域的回填纳米结构化膜上,以如所采用的荫罩界定来产生5mm宽的ITO阳极。参考ITO样本的表面电阻在40-70Ohm/sq的范围内。
随后,沉积OLED和阴极层以及阴极以完成所述OLED。在针对每一主导色器件组的单独实验中,在真空***中以约10-6托的基础压力通过标准热沉积来制作红色、绿色和蓝色OLED。在这些实验中,所述阴极层涂布有5mm宽的荫罩,从而界定5×5mm活性区域的红色、绿色和蓝色器件。
针对每一主导色沉积下列OLED构造:HIL(300nm)/HTL(40nm)/红色、绿色或蓝色EML(30nm)/ETL(20nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)。在完成之后,用封装阻隔膜(3M Company)对所述OLED进行包封,其中在封装膜与OLED器件之间采用SAES吸气剂作为干燥剂和氧气清除剂。
类似地,在根据上述程序预先溅射有ITO阳极层的对照物抛光碱石灰玻璃样本(科罗拉多州拉夫兰的Delta Technologies有限公司(DeltaTechnologies,Limited,Loveland,CO))上,使用相同堆叠制作对照物红色、绿色和蓝色OLED。
使用各种电光技术来特征化所构造的红色、绿色和蓝色OLED器件,所述电光技术包括使用AUTRONIC锥光镜(德国卡尔斯鲁厄的AUTRONIC-MELCHERS有限公司(AUTRONIC-MELCHERS GmbH,Karlsruhe,Germany))的角亮度测量。在这些测量中,针对每一所操作器件在对应于10mA/cm2的电流密度的恒定电流下操作所有器件。
锥光镜测量显示出,使用具有多个多周期性区的工程化的纳米结构的膜制作的红色、绿色和蓝色OLED样本对器件颜色显示出显著更小的依赖性,从而与比较例C-1相比产生更一致的角亮度分布。
根据通常用于评估显示器应用中的白色点色移的CIE1976(L,u’,v’)色彩空间度量来计算Δu’v’白色点角移。为了计算白色点位移的Δu’v’特性,选择个别红色、绿色和蓝色OLED器件的红色、绿色和蓝色发射的一定混合物,此使得沿对应于极性角和方位角(两者都是0°)的角方向(轴向观看角方向)在CIE1936x,y色彩空间中产生色彩坐标0.3031,0.3121。在对应于1D光栅矢量方向和正交方向的角空间中,沿着两个方位角方向计算Δu’v’。在光栅矢量的方向(其通常显示亮度随极性角的最强变化)上,针对在0到60°极性角内的变化获得大约<0.010的Δu’v’。此Δu’v’值显著低于0.02的值,其中0.02通常视为对于显示器应用而言可接受的具有随角度的最小可观察色移的最大Δu’v’值。
因此,期望一种具有多个多周期性区的纳米结构化光提取膜,以在显示器应用中产生随角度的极小色彩变化。由于Δu’v’显著地小于0.02,因此观察者的肉眼不能注意到随角度的小色彩变化。
此外,在用包括具有多个多周期性区的工程化的纳米结构的膜构建的OLED器件中观察到大约2倍的强烈轴向和一体化光学增益。将所述增益计算为针对图案化器件在给定电流密度值处的亮度和/或效率值与针对具有给定颜色的对照物器件的相同特性值的比率。
实例2到5:根据具有多个多周期性区的纳米结构化膜构建的绿色
OLED
如实例1中所述来构建绿色OLED,但分别使用工具B到工具E而非工具A来制作用于实例2到5的纳米结构化膜。分别针对0°(轴向观看角度方向)和90°方位角进行锥光镜测量,并在图4A和图4B中显示。在表1中显示针对实例2到5和针对来自实例1的绿色OLED以及来自比较例C-1的绿色OLED的一体化增益和轴向增益。将所述增益归一化,以使得玻璃对照物的平均增益为1。
Claims (19)
1.一种用于提高来自有机发光二极管(OLED)器件的光输出的光提取膜,包括:
柔性基底,其对所述OLED器件发射的光大致透明;
一层工程化的纳米结构,其施加到所述基底并且具有多个多周期性区;和
回填层,其施加于所述纳米结构之上并且在所述回填层的与所述纳米结构相背对的表面上形成大致平坦的表面,
其中所述回填层的折射率大于所述纳米结构的折射率,
其中所述多个多周期性区包括所述纳米结构的重复区,所述纳米结构的重复区包括具有第一周期性节距的第一组纳米结构和具有不同于所述第一周期性节距的第二周期性节距的第二组纳米结构。
2.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述周期性结构是一维的。
3.根据权利要求2所述的光提取膜,其中所述周期性结构包括线性棱柱、细长脊和线性光栅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述周期性结构是二维的。
5.根据权利要求4所述的光提取膜,其中所述周期性结构包括棱锥、小透镜、梯形柱、圆形柱和方形柱中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述周期性结构与所述基底一体地形成。
7.根据权利要求1所述的光提取膜,还包括施加到所述回填层的所述大致平坦的表面的粘合剂光学耦合层。
8.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述平整化的回填层包括用于将所述光提取膜粘合到所述OLED器件的光输出表面的粘合剂。
9.一种用于提高来自有机发光二极管(OLED)器件的光输出的光提取膜,包括:
柔性基底,其对所述OLED器件发射的光大致透明;
一层工程化的纳米结构,其施加到所述基底并且具有多个多周期性区;和
回填层,其施加于所述纳米结构之上并且在所述回填层的与所述纳米结构相背对的表面上形成大致平坦的表面,
其中所述回填层的折射率大于所述纳米结构的折射率,
其中所述多个多周期性区包括所述纳米结构的重复区,所述纳米结构的重复区包括具有多个第一周期性特性的第一组纳米结构和具有不同于所述多个第一周期性特性的多个第二周期性特性的第二组纳米结构,
其中所述第一和第二周期性特性中的一者是所述纳米结构的节距。
10.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述第一和第二周期性特性中的另一者是所述纳米结构的高度。
11.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述第一和第二周期性特性中的另一者是所述纳米结构的纵横比。
12.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述第一和第二周期性特性中的另一者是所述纳米结构的形状。
13.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述周期性结构是一维的。
14.根据权利要求13所述的光提取膜,其中所述周期性结构包括线性棱柱、细长脊和线性光栅中的至少一种。
15.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述周期性结构是二维的。
16.根据权利要求15所述的光提取膜,其中所述周期性结构包括棱锥、小透镜、梯形柱、圆形柱和方形柱中的至少一种。
17.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述周期性结构与所述基底一体地形成。
18.根据权利要求9所述的光提取膜,还包括施加到所述回填层的所述大致平坦的表面的粘合剂光学耦合层。
19.根据权利要求9所述的光提取膜,其中所述平整化的回填层包括用于将所述光提取膜粘合到所述OLED器件的光输出表面的粘合剂。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/218,610 | 2011-08-26 | ||
US13/218,610 US8659221B2 (en) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | OLED light extraction film with multi-periodic zones of nanostructures |
PCT/US2012/051548 WO2013032759A1 (en) | 2011-08-26 | 2012-08-20 | Oled light extraction film with multi-periodic zones of nanostructures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103765625A true CN103765625A (zh) | 2014-04-30 |
CN103765625B CN103765625B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=47743504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280040576.XA Active CN103765625B (zh) | 2011-08-26 | 2012-08-20 | 具有多个多周期性纳米结构区的有机发光二极管光提取膜 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8659221B2 (zh) |
EP (1) | EP2748879A4 (zh) |
JP (1) | JP6100783B2 (zh) |
KR (1) | KR102046367B1 (zh) |
CN (1) | CN103765625B (zh) |
SG (1) | SG11201400175UA (zh) |
TW (1) | TWI581476B (zh) |
WO (1) | WO2013032759A1 (zh) |
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- 2012-08-20 EP EP12828447.8A patent/EP2748879A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-20 JP JP2014528440A patent/JP6100783B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-20 CN CN201280040576.XA patent/CN103765625B/zh active Active
- 2012-08-20 KR KR1020147007466A patent/KR102046367B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-20 WO PCT/US2012/051548 patent/WO2013032759A1/en unknown
- 2012-08-20 SG SG11201400175UA patent/SG11201400175UA/en unknown
- 2012-08-24 TW TW101130879A patent/TWI581476B/zh not_active IP Right Cessation
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KR102046367B1 (ko) | 2019-11-19 |
TWI581476B (zh) | 2017-05-01 |
CN103765625B (zh) | 2016-08-17 |
KR20140054317A (ko) | 2014-05-08 |
EP2748879A1 (en) | 2014-07-02 |
EP2748879A4 (en) | 2015-06-10 |
US20130051032A1 (en) | 2013-02-28 |
WO2013032759A1 (en) | 2013-03-07 |
US8659221B2 (en) | 2014-02-25 |
SG11201400175UA (en) | 2014-03-28 |
JP2014529169A (ja) | 2014-10-30 |
TW201314988A (zh) | 2013-04-01 |
JP6100783B2 (ja) | 2017-03-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |