CN104849921B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶显示装置，具体是一种横向电场式的液晶显示装置，包括：基板；液晶层；在一个基板上交叉的多条扫描线和多条数据线；由扫描线和数据线形成的多个像素；设置在各像素中并沿数据线或扫描线延伸的至少一个条状像素电极；公共电极，其以覆盖扫描线和数据线的方式设置在比条状像素电极更靠近液晶层的层中；第一矩形像素电极，其与至少一个条状像素电极中的各条状像素电极的一端连接而形成T状。第一矩形像素电极与公共电极的开口部的拐角部重叠，其中，该拐角部比开口部的其它拐角部更靠近第一矩形像素电极。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置。具体地，本发明涉及具有大开口并且能够实现高分辨率的横向电场式的有源矩阵液晶显示装置。
背景技术
近年来，在市场上提供有以平面转换(In-plane Switching，IPS)液晶显示装置为代表的横向电场式的液晶显示装置。这种液晶显示装置具有优良的视角，并广泛应用于从电视机和监视器等较大尺寸的装置到平板电脑和智能手机等便携式装置的众多信息终端。IPS液晶显示装置包括从基板上方垂直于基板的位置观察时间隔开地平行设置的两种条状(长方形)电极(条状像素电极和公共电极的条状部分)，并通过使用施加于每组条状像素电极和公共电极的条状部分之间的电场来驱动液晶分子。这种IPS液晶显示装置的特征在于，即使当已改变观察者观察的方向时，在视图中也没有重大变化。这是因为即使在已改变视角之后，观察者也不会感知这种显示装置中的液晶分子的配向的大幅变化。
因此，IPS液晶显示装置的特征在于广阔的视角。另外，一些IPS液晶显示装置为了提高它们的视角特性，采用如下多畴结构。即，这种IPS液晶显示装置可以采用通过以下面的方式设置两种条状电极的一部分和另一部分并将两个部分接合在一起来使每个像素内的电极弯曲的结构。即，两种条状电极的一部分被设置成产生施加于液晶的电场并在电场的方向与液晶分子的初始方向之间形成+θ°角。两种条状电极的另一部分被设置成产生施加于液晶的电场并在电场的方向与液晶分子的初始方向之间形成－θ°角。应当注意，条状电极(条状像素电极和公共电极的条状部分)不需要具有独立的本体。只要一对相对的电极的边缘部分平行，则每个电极的端部可具有条状以外的任何形状，使得端部可连接在一起，或者除该对电极位于相对位置的部分以外的部分可具有不同的形状。
然而，在这种多畴结构中，每个像素在+θ°角的电极部与－θ°角的另一电极部的接合处具有弯曲部。该弯曲部形成具有顺时针变形的液晶畴与具有逆时针变形的液晶畴之间的畴边界，这引起液晶分子的向错并导致透射率的下降。
液晶显示装置包括均设置在一对基板中的一个基板上的多条扫描线和多条数据线、以及多个像素。每个像素由分割区域形成，分割区域的边界由扫描线和数据线中的两条扫描线和两条数据线限定。每个像素的尺寸越小，每个像素中扫描线和数据线的面积之比就越大，因此，开口率降低。图20是示出将扫描线宽和数据线宽分别设定在10μm的恒定值并且将除配线区以外的像素区域假定为开口部时的开口率与像素尺寸之间的关系的曲线图。从该关系可知，特别是当像素尺寸减小到100μm以下时，开口率显著降低。因此，在采用上述多畴结构的液晶显示装置中，产生由于每个像素中的电极的弯曲部引起的相对透射率的下降变得太显著以至于不能忽略的问题。
为了避免这种问题，液晶显示装置采用每个像素中的电极不弯曲的单畴结构是有利的。然而，单畴结构的使用导致利用多畴结构所获得的优良的视角特性丧失。为了解决这种问题，在日本未审查的专利申请公开(JP-A)No.H09-105908(图32和图36)、以及JP-ANo.2004-271971(图45、图46和图48)中描述了在不使用弯曲电极的情况下，在每个像素内使液晶分子沿着两个方向旋转的结构。
作为现有技术的代表示例，图21A和图21B分别示出JP-A No.JP H09-105908(图32和图36)中所公开的像素结构，其中，为了简化下面的说明，与原图相比，将每个图的上侧和下侧颠倒。图21A和图21B分别示出公共电极101、像素电极102、电场103和电场104、公共电极线105、数据线106、源电极107、漏电极108、非晶硅(薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)沟道区域)109、扫描线(栅极线)110、以及黑色矩阵的边界111。在以上结构中，公共电极101和像素电极102中的每一个、或者公共电极101和像素电极102中的一个还具有边缘倾斜的边缘部，使得随着接近像素端部，一个电极逐渐接近另一个电极。在接近的区域中，电极在两个不同的方向上产生电场103、电场104。该文件描述了这种结构在像素内产生液晶分子的两个旋转方向，这能够在各像素中实现不使用弯曲电极的多畴结构。然而，由于公共电极101和像素电极102中的每一个、或者公共电极101和像素电极102中的一个还具有边缘倾斜的边缘部，因此与在原始结构中可用作开口部的区域相比，开口部减小，并导致透射率的降低。
JP-A No.2004-271971还在图44和图47中公开了在不使用弯曲电极的情况下使液晶分子在各像素内沿着两个不同的方向旋转的上述像素结构。作为传统技术的代表示例，图22示出JP-A No.2004-271971(图44)中所公开的像素结构，其中，在下面的说明中省略没有使用的一些组件，例如蓄积的电容线等。图20示出了公共电极101、像素电极102、电场103和电场104、数据线106、扫描线(栅极线)110、黑色矩阵的边界111、半导体层112、以及通孔113。而且，在所公开的结构中，一个电极逐渐接近另一个电极，并且所接近的区域在两个不同的方向上产生电场103、电场104。该文件描述了这种结构在像素内产生液晶分子的两个旋转方向，这能够在各像素内实现不使用弯曲电极的多畴结构。然而，由于与上述原因相同的原因，这种结构也会导致透射率的降低。
另外，这些结构可能由于其它原因而导致透射率的降低，将参照图23和图24描述该原因。图23是图22中用虚线包围的区域的放大图。在该结构中，公共电极101和像素电极102形成在不同的层中，并且在像素内具有公共电极101和像素电极102局部相互重叠的一些区域。在重叠的区域中和在特定的附近区域中，将在非期望的方向上产生电场114和电场115，这些非期望的方向与预期的电场103和电场104的方向不同。这些电场114和电场115称作所谓的边缘电场。这种结构导致存在于受电场114和电场115影响的区域中的液晶分子沿着与预期方向相反的方向旋转，这产生反向旋转畴117。在反向旋转畴117与正向旋转畴118的边界上，产生向错116，从而导致透射率降低。
图24示出向错116、反向旋转畴117和正向旋转畴118的情况。在正向旋转畴的附近存在反向旋转畴的情况下，在显示屏的驱动过程中对显示屏暂时施加的外力(例如指压)使液晶分子的配向在力施加期间变乱。当显示屏不受外力时，液晶分子试图再次返回到原始配向。然而，更可能引起以下现象：与施加外力之前的状态相比，正向旋转畴减小，相对地，反向旋转畴变大且变大量对应于减小量，并在该状态下变得稳定。这导致在施加外力前的显示状态与施加指压的外力后的显示状态之间的显示情况的差异。因此，产生被看作指压印记的显示问题。这种现象导致液晶显示装置的显示质量显著下降。
本发明致力于解决该问题。
发明内容
鉴于上述问题，提供一种示例型的IPS液晶显示装置，其即使像素尺寸小也具有大开口且呈现优良的视角，并且能够避免其上出现指压印记。
根据本发明的第一方面的横向电场式的液晶显示装置包括：一对基板；置于所述基板之间的液晶层；多条扫描线和多条数据线，均沿直线延伸并在一个所述基板上相互交叉；以及由所述扫描线和所述数据线形成的并以矩阵排列的多个像素。该液晶显示装置还包括：至少一个条状像素电极，其设置在各像素中并沿一条所述数据线或一条所述扫描线延伸；以及公共电极，其具有格子状，并以覆盖所述扫描线和所述数据线的方式设置在比所述条状像素电极更靠近所述液晶层的层中，并包括位于各像素中的开口部。在各所述至少一个条状像素电极和平行于所述至少一个条状像素电极的延伸方向而延伸的所述公共电极的部分之间形成将施加于所述液晶层的电场，所述电场与所述基板的表面方向基本平行。所述液晶显示装置还包括第一矩形像素电极，所述第一矩形像素电极设置在各像素中，所述第一矩形像素电极的宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽，并与各所述至少一个条状像素电极的一端连接而形成T状。所述第一矩形像素电极与所述公共电极的开口部的拐角部重叠，其中，所述拐角部比所述开口部的其它拐角部更靠近所述第一矩形像素电极。
当在本发明的第一方面中，在各像素中设置多个所述条状像素电极时，与对应的所述条状像素电极连接的所述第一矩形像素电极可连接在一起，并且可在各像素中的相邻的条状像素电极之间进一步设置条状公共电极，其中，所述条状公共电极的两端与格子状的公共电极连接。
根据本发明的第二方面的横向电场式的液晶显示装置包括：一对基板；置于所述基板之间的液晶层；多条扫描线和多条数据线，均沿直线延伸并在一个所述基板上相互交叉；以及由所述扫描线和所述数据线形成的并以矩阵排列的多个像素。该液晶显示装置还包括：至少一个条状像素电极，其设置在各像素中并沿一条所述数据线或一条所述扫描线延伸；以及公共电极，其具有格子状，并以覆盖所述扫描线和所述数据线的方式设置在比所述条状像素电极更靠近所述液晶层的层中，并包括位于各像素中的开口部。在各所述至少一个条状像素电极和平行于所述至少一个条状像素电极的延伸方向而延伸的所述公共电极的部分之间形成将施加于所述液晶层的电场，其中，所述电场与所述基板的表面方向基本平行。所述液晶显示装置还包括突起状像素电极，所述突起状像素电极设置在各像素中，并包括至少一个突出部和宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽的主部，其中，所述突起状像素电极与各所述至少一个条状像素电极的一端在开口部外的位置处连接。所述至少一个突出部与所述公共电极的所述开口部的至少一个拐角部重叠，其中，所述至少一个拐角部比所述开口部的其它拐角部更靠近所述突起状像素电极。
当在本发明的第二方面中，在各像素中设置多个条状像素电极时，与对应的所述条状像素电极连接的所述突起状像素电极可连接在一起，可在各像素中的相邻的所述条状像素电极之间进一步设置条状公共电极，其中，所述条状公共电极的两端与格子状的公共电极连接。
在本发明的第一方面和第二方面中，所述公共电极可包括在各像素内分别从所述公共电极突出到所述开口部内的突出部。另外，所述液晶显示装置还包括设置在各像素中的第二矩形像素电极，所述第二矩形像素电极的宽度比至少一个条状像素电极的宽度宽，所述第二矩形像素电极与各所述至少一个条状像素电极的另一端连接而形成T状，其中，在各像素中，所述第二矩形像素电极与所述公共电极的一个突出部重叠。
这里，被条状像素电极、第一矩形像素电极或突起状像素电极、第二矩形像素电极、以及公共电极包围的区域称作“列”。在各像素内具有多个列。在列内液晶分子大部分经历扭曲变形。此时，多个列分别对应于不同的扭曲变形方向的两个区域中的任一个区域。即，通过使用如上所述的像素结构，能够获得具有优良的视角特性和大开口并且能够避免在其上出现指压印记的横向电场式的液晶显示装置。这是因为在各像素中具有液晶的扭曲变形方向不同的多个列。
在本发明的第一方面或第二方面中，通过将公共电极设置得更靠近液晶层，使得像素电极与公共电极之间的绝缘膜和公共电极与数据线之间的层间绝缘膜共用。作为结果，由于能够减少绝缘膜的形成次数，因此能够以低成本制造液晶显示装置。
根据本发明的第三方面的横向电场式的液晶显示装置包括：一对基板；置于所述基板之间的液晶层；多条扫描线和多条数据线，均沿直线延伸并在一个所述基板上相互交叉；以及由所述扫描线和所述数据线形成并以矩阵排列的多个像素。该液晶显示装置还包括：格子状的公共电极，其覆盖所述扫描线和所述数据线并包括设置在各像素中的开口部；以及条状像素电极，其设置在各像素中，位于比所述公共电极更靠近所述液晶层的层中，并沿一条所述数据线或一条所述扫描线延伸。在所述条状像素电极和平行于所述条状像素电极的延伸方向而延伸的所述公共电极的部分之间形成将施加于所述液晶层的电场，其中，所述电场与所述基板的表面方向基本平行。所述液晶显示装置还包括矩形像素电极，所述矩形像素电极设置在各像素中，其宽度比所述条状像素电极的宽度宽，并与所述条状像素电极的一端连接而形成T状。所述矩形像素电极与所述公共电极重叠但不延伸到所述开口部内。
在本发明的第三方面中，通过将像素电极设置得更靠近液晶层，可在像素电极与数据线之间设置绝缘膜，由此能够避免由像素电极或数据线的图案损坏引起的、像素电极与数据线之间的短路。
在本发明的第一方面至第三方面中，所述液晶层中的液晶分子的初始配向可与所述条状像素电极的延伸方向基本相同。
在这种情况下，需要使用具有正的介电各向异性的液晶分子(以下称作“正液晶”，类似地，具有负的介电各向异性的液晶分子称作“负液晶”)。由于正液晶与负液晶相比通常具有大的介电各向异性和低粘度，因此可以实现低电压驱动和高速响应。
可替选地，在本发明的第一方面至第三方面中，所述液晶层中的液晶分子的初始配向可与垂直于所述条状像素电极的延伸方向的方向基本相同。
在这种情况下，需要使用负液晶。均匀配向的负液晶几乎不会引起在具有与基板表面垂直的方向上的分量的电场中的变形。因此，均匀配向相对于具有与基板表面平行的方向上的分量的电场而引起扭曲变形，而不引起在具有与基板表面垂直的方向上的分量的电场中的变形，因此，能够获得关于视角的优良的显示特性。
在本发明的第一方面至第三方面中，所述像素电极和所述公共电极都可以是透明的。
通过使用用于电极的透明的导电膜，光能够透过电极的一部分，由此实现透射率的增大。
发明效果
因此，如本发明的实施方式所述，提供示例性IPS液晶显示装置，其即使像素尺寸小也具有大开口且呈现优良的视角特性，并且能够避免其上出现指压印记。
下面将描述示例性实施方式的其它特征。
附图说明
现在将参照附图仅以示例的方式描述实施方式，附图是示例性的而非限制性的，其中，在多个图中，相同元件的附图标记相同，在附图中：
图1是示出根据实施例1的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图2是根据实施例1的液晶显示装置的沿图1中的线II－II所截取的剖视图；
图3是示出根据实施例1的液晶显示装置中的图1中所示的列(columns)及其周边的放大图；
图4是根据实施例1的液晶显示装置的图3中所示的像素的上侧部分和下侧部分的进一步的放大图；
图5是示出根据实施例2的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图6是根据实施例2的液晶显示装置的沿图5中的线VI-VI所截取的剖视图；
图7是根据实施例2的液晶显示装置中的图5中所示的列及其周边的放大图；
图8是示出根据实施例3的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图9是根据实施例3的液晶显示装置的图8中的数据线周边的区域的放大图；
图10是示出根据实施例3的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，设置成覆盖数据线的公共电极的部分未被挖空；
图11是示出根据实施例4的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图12是示出根据实施例4的液晶显示装置的一个像素的另一结构的平面图；
图13是示出根据实施例5的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图14是根据实施例5的液晶显示装置中的图13中所示的列及其周边的放大图；
图15是示出根据实施例5的液晶显示装置的一个像素的另一结构的平面图；
图16是示出根据实施例5的液晶显示装置的一个像素的另一结构的平面图；
图17是示出根据实施例6的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图；
图18是根据实施例6的液晶显示装置的沿图17中的线XVIII-XVIII所截取的剖视图；
图19是根据实施例6的液晶显示装置中的图17中所示的列及其周边的放大图；
图20是示出液晶显示装置的开口率和像素尺寸之间的关系的曲线图；
图21A和图21B是分别示出作为现有技术的代表示例的JP-A No.H09-105908(图32和图36)中所公开的像素结构的平面图；
图22是示出作为现有技术的代表示例的JP-A No.2004-271971(图44)中所公开的像素结构的平面图；
图23是图22中用虚线包围的区域的放大图；以及
图24是示出图23中的向错、反向旋转畴、正向旋转畴的情况的平面图。
具体实施方式
下面将参照附图描述液晶显示装置的说明性实施方式。本领域的普通技术人员将理解，本文中相对于附图所给出的描述仅出于示例性目的，而绝不意图限制潜在实施方式的范围，参照所附的权利要求得到潜在实施方式的范围。
如说明书的背景技术中所描述的，在IPS液晶显示装置中，开口率随着像素尺寸的减小而变小。为了解决该问题，已经提出了通过使用不弯曲的电极在像素内使液晶分子沿着两个方向旋转的像素结构。然而，传统结构仍然具有因在上述对策之前可用作开口部的区域被电极占用而导致的透射率降低的显示问题，或者因液晶分子沿着与预期方向相反的方向旋转而导致的透射率降低和指压印记的显示问题。
鉴于此，作为本发明的一个实施方式的示例性液晶显示装置包括：设置在各像素中且沿一条数据线或者一条扫描线延伸的条状像素电极；以及格子状的公共电极，该公共电极位于比条状像素电极更靠近液晶层的层中，以便至少覆盖扫描线和数据线。如果在各像素中设置多个条状像素电极，则可在各像素中相邻的条状像素电极之间进一步设置条状公共电极，其中，条状公共电极的两端与格子状的公共电极连接。在各像素中，设置第一矩形像素电极或突起状像素电极。在第一矩形像素电极的情况下，第一矩形像素电极的宽度比条状像素电极的宽度宽，并与条状像素电极的一端连接而形成T状。第一矩形像素电极与形成在公共电极中的开口部的拐角部重叠，其中，涉及的拐角部比开口部的其它拐角部更靠近第一矩形像素电极。在突起状像素电极的情况下，突起状像素电极的主部的宽度比条状像素电极的宽度宽，并且突起状像素电极在开口部之外的位置上与条状像素电极的一端连接。突起状像素电极的一个或两个突起部分别与公共电极的开口部的一个或两个拐角部重叠，其中，至少一个拐角部比开口部的其它拐角部更靠近突起状像素电极。
作为另一实施方式，示例性液晶显示装置包括：至少覆盖扫描线和数据线的格子状的公共电极。在各像素中，条状像素电极设置在比公共电极更靠近液晶层的层中，并沿一条扫描线或一条数据线延伸。如果在各像素中设置多个条状像素电极，则可在各像素中相邻的条状像素电极之间进一步设置条状公共电极，其中，条状公共电极的两端与格子状的公共电极连接。在各像素中，设置矩形像素电极，其中，矩形像素电极的宽度比条状像素电极的宽度宽，并与条状像素电极的一端连接而形成T状。矩形像素电极在不在开口部内延伸时与公共电极重叠。
实施例1
现在将参照图1至图4描述根据实施例1的示例性的液晶显示装置。图1是示出根据实施例1的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。图2是液晶显示装置的沿图1中所示的线II－II所截取的剖视图，且还示出了液晶层和对置基板。图3是图1中所示的列及其周边的放大图。图4是图3中的像素的上侧部分和下侧部分的进一步的放大图。
现在将详细地描述图1至图4中所示的根据实施例1的示例性液晶显示装置。该液晶显示装置包括第一透明绝缘基板11、第二透明绝缘基板19、以及置于该对基板之间的一层液晶9。在第一透明绝缘基板11上，设置多条扫描线6和多条数据线5以形成多个像素，其中，彼此相交的两条相邻的扫描线6和两条相邻的数据线5形成各像素的边界。还设置有格子状的公共电极1。公共电极1形成在比条状像素电极2更靠近该层液晶9的层中，以便覆盖扫描线6和数据线5。在各像素中，具有一个条状像素电极2和覆盖数据线5的公共电极1的部分，该公共电极1的部分与条状像素电极2交替设置。条状像素电极2设置在各像素的中间，并沿数据线5的延伸方向延伸。条状像素电极2在纵向方向上的长度比覆盖数据线5的公共电极1的部分短。在各像素中，具有与条状像素电极2的一端连接而形成T状的矩形像素电极(第一矩形像素电极2b)。即，宽度比条状像素电极的条状部的宽度宽的第一矩形像素电极2b基本上垂直(成直角)地与条状像素电极2的一端连接而形成T状。另外，在各像素中，第一矩形像素电极2b与由公共电极1形成(包围)的开口部28的两个拐角部重叠。在各像素的区域中，在条状像素电极2在其纵向方向上的另一端侧，设置有从覆盖扫描线6的公共电极1的部分突出到开口部28的内部的公共电极部分(凸状公共电极1a)；以及与条状像素电极的另一端连接的矩形像素电极(第二矩形像素电极2a)。矩形像素电极(第二矩形像素电极2a)的尺寸比公共电极的突出部(凸状公共电极1a)大，并设置为覆盖突出部。换言之，第二矩形像素电极2a的宽度比条状像素电极2的条状部的宽度宽，与条状像素电极2的另一端连接而形成T状，并覆盖凸状公共电极1a。在这种结构中，液晶在这种结构中的分子配向7处于条状像素电极2的延伸方向上。
在此，使用图3和图4详细地描述覆盖扫描线6和数据线5的公共电极1、凸状公共电极1a、条状像素电极2、第二矩形像素电极2a、以及第一矩形像素电极2b之间的位置关系。图3是图1中所示的像素内的列及其周边的放大图。图4是图3中所示的像素的上侧部分和下侧部分的进一步的放大图。
首先，现在将描述图3。在具有这种结构的横向电场式的液晶显示装置中，公共电极1与条状像素电极2之间形成的电势差产生横向电场8。除该电场以外，还具有在像素中产生的各种电场，例如，在公共电极1靠近第二矩形像素电极2a和第一矩形像素电极2b中的一者的区域中的横向电场21a和横向电场21b、由公共电极1和凸状公共电极1a中的一者以及第二矩形像素电极2a和第一矩形像素电极2b中的一者所产生的边缘电场22a和边缘电场22b。特别地，边缘电场22a和边缘电场22b在本实施例中由于以下原因而起到重要的作用。在该结构中，液晶的分子配向7与横向电场8的方向垂直(呈90度)。该结构中所产生的横向电场8作用于处于初始配向状态的液晶，以引起扭曲变形。然而，由于因边缘电场22a引起的变形开始较早，因此如图3所示的位于右列的液晶受边缘电场22a影响，并在方向ii(从9a到9b)上发生变形。类似地，位于左列的液晶受边缘电场22b影响，并在方向i(从9a到9b)上发生变形。即，虽然横向电场8的方向与液晶的分子配向7垂直(呈90度)，但是液晶的扭曲变形取向在由条状像素电极2和公共电极1构成的两个列之间是不同的。
提供补充说明，位于条状像素电极2的右侧列中的液晶在方向ii上发生变形，然后在该列内产生与该方向相反的方向上的横向电场21a。然而，由于横向电场21a与在其附近的边缘电场22a相比较弱，因此位于横向电场21a起作用的区域中的液晶不会引起在横向电场21a的方向上的变形，由此液晶在方向ii上发生变形。类似地，位于条状像素电极2的左侧列中的液晶在方向i上发生变形，并在该列内产生与该方向相反的方向上的横向电场21b。然而，由于横向电场21b与位于横向电场21b附近的边缘电场22b相比也较弱，因此位于横向电场21b起作用的区域中的液晶不会引起在横向电场21b的方向上的变形，并在方向i上发生变形。确切而言，除倾斜方向上的边缘电场22a和边缘电场22b以外，还具有在该像素内产生的其它边缘电场，这些边缘电场是在数据线5的延伸方向和扫描线6的延伸方向上的边缘电场。然而，由于这些边缘电场不影响液晶的扭曲变形方向，因此此处省略这些边缘电场。
接着将描述图4。图4示出凸状公共电极1a、第二矩形像素电极2a、以及第一矩形像素电极2b。第二矩形像素电极2a从凸状公共电极1a延伸出的距离d1和第一矩形像素电极2b从公共电极1延伸出的距离d2应当至少为0或者大于0。在此，这些距离被设为2μm。另外，凸状公共电极1a的突出距离d3为2μm至3μm足以。然而，在此，该距离被设为5μm，宽度d4被设为3μm。
通过实施上述像素结构，能够获得与电极弯曲的多畴结构相似的优良的视角特性。这是因为在像素内存在具有液晶的不同扭曲变形方向的多个列。另外，如关于图21和图22的描述中所说明的，由于在倾斜方向上未形成各电极的边缘部，因此开口区域不会减小。另外，由于液晶扭曲方向由边缘电场22a和边缘电场22b控制，因此可以获得对抗指压印记且能够实现快速响应的IPS液晶显示装置。
另外，在本实施例中，公共电极1比像素电极2更靠近液晶层。通过将公共电极1设置在更靠近液晶层的位置，使得像素电极与公共电极1之间的绝缘膜可以与公共电极1与数据线5之间的层间绝缘膜共用。作为结果，由于能够减少绝缘膜的形成次数，因此能够以较低成本形成像素结构。
以上是实施例1的结构的详细说明。现在将描述制造方法的示例。
首先，制备作为第一透明绝缘基板11的玻璃基板。在该基板上，通过喷溅技术将由钼合金形成的第一金属层形成为300nm的厚度，并图案化成扫描线6。
接下来，在形成的结构上，将100nm厚的氧化硅沉积成栅极绝缘膜12，然后利用等离子体化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition，PCVD)技术依次沉积300nm厚的氮化硅、170nm厚的本征非晶硅(intrinsic amorphousSilicon，i-a-Si)、以及30nm厚的n型非晶硅(n-type amorphous Silicon，n-a-Si)。通过蚀刻将i-a-Si和n-a-Si的层叠膜局部去除，剩下用作薄膜半导体层4的部分。
接下来，在形成的结构上，形成由例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)的透明材料制成的透明导电膜，将其形成为40nm厚的像素电极，每个像素电极具有在与扫描线6的延伸方向垂直(呈90度)的方向上延伸的条状。在该过程中，与此同时还形成第二矩形像素电极2a和第一矩形像素电极2b。
接下来，钼合金的膜被形成为300nm厚的第二金属层，并图案化成数据线5和源电极3。各数据线5被设置成不与条状像素电极2、第二矩形像素电极2a、以及第一矩形像素电极2b重叠，并且被设置成与条状像素电极2平行。各源电极3被设置成具有与第一矩形像素电极2b部分重叠的区域，并将电流传递到第一矩形像素电极2b。应当注意，TFT(薄膜晶体管)由扫描线6的一部分、栅极绝缘膜12、薄膜半导体层4、数据线5的一部分、以及源电极3构成。
接下来，使用第二金属层作为掩膜，通过蚀刻，去除TFT的薄膜半导体层4中的n-a-Si层的不需要的部分。
接下来，在形成的结构上，沉积500nm厚的氮化硅，以形成钝化膜13。
接下来，为了在数据线5和扫描线6的围绕显示屏而引出的端部中露出金属层，通过蚀刻去除栅极绝缘膜12和钝化膜13的对应部分。
接下来，由例如ITO(铟锡氧化物)的透明材料制成的透明导电膜形成80nm厚的公共电极1，以便覆盖扫描线6和数据线5。在该过程中，与此同时还形成凸状公共电极1a。另外，公共电极1通过接触孔与公共电极线电导通，其中，公共电极线由在显示屏周围的第一金属层和第二金属层、或者任一金属层形成。可以将公共电极1图案化成覆盖扫描线6的一部分，除了各TFT的沟道部的正上方的区域。
在如上所述的形成的TFT侧的基板上，通过涂覆和烘烤加工形成配向膜14。同时，在用作对置基板的第二透明绝缘基板19上，形成有黑色矩阵18、用作彩色滤光片的彩色层17、涂层16、以及用于确保TFT侧基板和对置基板之间的空间的柱状间隔物(图中未示出)。在形成的结构上，进一步通过涂覆和烘烤加工形成配向膜15。然后，在两个基板的配向膜14和配向膜15上，在与扫描线6的延伸方向垂直(呈90度)的方向上进行研磨处理，以限定液晶的分子配向7。将两个基板贴合在一起，并将密封材料固化在接合的基板的周围。然后，将液晶9注入基板之间，并进行密封加工。在本文中，液晶盒厚被设为3.5μm，使用折射率各向异性Δn＝0.09和介电常数各向异性Δε＝10的液晶9(正液晶)。耗费充足的注入时间来进行注入液晶9的过程，使得液晶9充分进入单元内。在加压的同时进行密封处理，使得在液晶单元中具有预定的压力。当然，通过使用液晶滴下法，也能够在两个基板的研磨处理后执行下述步骤：用液晶9填充单元；将两个基板贴合在一起；以及将周边密封。
在如上所述的制造的液晶显示面板的TFT侧基板上，粘附偏光板10，偏光板10的偏光轴与作为液晶的研磨方向的液晶的分子配向7一致。在对置基板上，粘附偏光板20以形成正交尼科耳(Nicols)式布置。
另外，在液晶显示面板的周边上安装必要的驱动器，以适当的形式将液晶显示面板与背光源和信号处理板组装，以制造有源矩阵液晶显示装置。
液晶显示装置运行在IPS模式下，在IPS模式中，每对沿着数据线5的方向延伸的公共电极1的部分和条状像素电极2在它们之间形成与基板的表面方向基本平行的横向电场8，横向电场8使已在研磨方向上均匀配向的液晶发生面内扭曲变形，从而适当地控制针对每个像素所透过的光的量。
在本实施例1中，应用的分辨率是1024×3(RGB)个像素的横向分辨率和768条线的纵向分辨率，其对应于XGA尺寸。像素尺寸被设为69μm，数据线宽度被设为3μm，数据线上的公共电极宽度被设为9μm，像素电极宽度被设为3μm。在这种情况下，条状像素电极2与沿着数据线5延伸的公共电极1的部分之间的间隔被设为5.5μm。
上述设定值是仅在本实施例1中使用的值。这些值不被特别限定，且应当被适当设定。例如，在本实施例1中，金属层由钼合金制成。然而，金属层不限于此，也可以由铝合金等制成。另外，在本实施例1中，制造过程在形成薄膜半导体层4之后按照以下顺序进行以下步骤：由透明导电膜形成像素电极2、源电极3和数据线5；以及蚀刻薄膜半导体层4的n-a-Si层的不需要的部分。然而，该过程不限于此。例如，该过程可在形成薄膜半导体层4之后按照以下顺序进行以下步骤：形成源电极3和数据线5；蚀刻薄膜半导体层4的n-a-Si层的不需要的部分；以及由透明导电膜形成像素电极。
实施例2
现在将使用图5、图6和图7描述实施例2。图5是示出根据实施例2的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。图6是沿图5中所示的线VI－VI所截取的剖视图，并进一步示出了液晶层和对置基板。图7是示出图6中的像素内的列及其周边的放大图。现在将详细地描述图5、图6和图7中所示的实施例2。
在实施例1中，如例如图1所示，像素电极由透明导电膜形成。同时，在实施例2中，如图5、图6和图7所示，像素电极由第二金属层形成。即，在形成第二金属层的过程中，同时形成数据线5、源电极3、条状像素电极2c、第二矩形像素电极2d、以及第一矩形像素电极2e。由此，可以省略实施例1中所需的为了形成像素电极而形成且图案化透明导电膜的步骤。因此，能够实现诸如流片时间(tact time)减少、由于制造步骤减少使成本降低、以及由于外来物质进入机会减少使次品率降低等有利效果。
实施例3
现在将使用图8、图9和图10描述实施例3。图8是示出根据实施例3的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。图9是示出图8中的数据线5周围的区域的放大图。图10是示出覆盖数据线的公共电极的部分未被挖空时的一个像素的变型结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。现在将详细地描述图8、图9和图10中所示的实施例3。
在实施例1中，在各像素中，条状像素电极2被设置成其延伸方向与数据线5的延伸方向平行。同时，在实施例3中，如图8所示，在各像素中，条状像素电极2被设置成其延伸方向与扫描线6的延伸方向平行。在各像素中，设置多个条状像素电极2，并在相邻的条状像素电极2的近乎中间处进一步设置条状公共电极1b。在这种结构中，相邻的第一矩形像素电极2b连接在一起，条状公共电极1b的两端与格子状的公共电极1连接。图8示出在一个像素中设置有两个条状像素电极2和一个条状公共电极1b的情况。然而，也可以在一个像素中设置三个或更多个条状像素电极2，并且可以在每对相邻的条状像素电极2之间设置条状公共电极1b。
另外，如果液晶的分子配向7被设为与条状公共电极1b和条状像素电极2的延伸方向相同，则在上面的实施例中制备成覆盖数据线5的公共电极1的部分可以包括中空区域23。现在将使用图9描述原因。图9是图8中的数据线5周围的区域的放大图。液晶的分子配向7与数据线5的延伸方向垂直(呈90度)，液晶的初始配向状态9a如图9所示。当在该结构中将驱动信号输入到数据线5时，电场24作用在数据线5与公共电极1之间。然而，由于电场24的方向与液晶的分子配向7相同，因此液晶变为不发生扭曲变形的状态9c。因此，由于即使当驱动信号被输入到数据线5中时，位于公共电极的中空区域23中的液晶也不会引起扭曲变形，因此光不透过该区域，这不会引起图像质量的恶化。
因此，在实施例3中，数据线上设置公共电极1的区域减小，数据线5与公共电极1之间将要提供的电容也减小，因此具有减小非预期的电容耦合的有利效果。作为结果，抑制在数据信号的影响下由公共电极电位的波动而引起的图像质量降级，并且由于负载电容的降低而能够实现低电力消耗。当然，如果如图10所示的设置成覆盖数据线5的公共电极1的部分未被挖空，则不存在关于显示元件的问题。在实施例3中，在各像素中，条状像素电极2和条状公共电极1b形成在与扫描线6的延伸方向平行的方向上。然而，条状像素电极2和条状公共电极1b也可以形成为在与数据线5的延伸方向平行的方向上延伸。
实施例4
现在将使用图11和图12描述实施例4。图11和图12是示出根据实施例4的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。现在将详细地描述图11和图12中所示的实施例4。
在实施例1至3中，由于液晶的分子配向7和横向电场8相互垂直(呈90度)，因此需要使用正液晶。同时，在实施例4中，如图11和图12所示，液晶的分子配向7和横向电场8相互平行，因此需要使用负液晶。图11和图12中所示的电极结构产生具有与基板表面垂直的方向上的分量的非常少量的电场。均匀配向的负液晶在这种垂直方向的电场上几乎不会发生变形。因此，由于均匀配向的负液晶相对于与基板表面平行的方向的电场发生扭曲变形，因此能够获得视角特性优良的IPS液晶显示装置。
实施例5
现在将使用图13至图16描述实施例5。图13是示出根据实施例5的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。图14是图13中的像素内的列及其周边的放大图。图15和图16是示出根据实施例5的液晶显示装置的一个像素的另一结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。现在将详细地描述图13至图16中所示的实施例5。
公共电极1被设置成覆盖数据线5和扫描线6，条状像素电极2被设置在各像素的中央部中，以便沿数据线5的延伸方向延伸。公共电极1包括设置在各像素的上部的凸状区域(部分)，如图13所示。条状像素电极2与第二矩形像素电极2a相连接，第二矩形像素电极2a被设置在像素的上部中，以便从凸状公共电极1a伸出或突出。在各像素中，在图13中的像素的下部中，形成有包括分别从公共电极1的开口部28的拐角部突出的突起区域(突出部2g)的突起状像素电极2f。突起状像素电极2f与条状像素电极2连接。如图13和图14所示，突起状像素电极2f和条状像素电极2在公共电极1的开口部28之外的位置处连接。通过具有这种结构，在图13中的像素的下侧区域，条状像素电极2和覆盖扫描线6的公共电极1的部分以大致直角相交。在本实施例中，用于将条状像素电极2和突起状像素电极2f连接在一起的电极形成为矩形。然而，其形状不必须为矩形。
在具有这种结构的横向电场式的液晶显示装置中，列的上部中的液晶的变形的情况类似于实施例1的描述。然而，在列的下部中，在公共电极1和突起状像素电极2f彼此靠近的区域中具有横向电场21a和横向电场21b、以及具有从公共电极1和突起状像素电极2f所产生的边缘电场22a和边缘电场22b。位于左列中的液晶受边缘电场22b的影响，从而在方向i(从9a到9b)上变形。在边缘电场22b的附近产生横向电场21b。然而，由于横向电场21b与边缘电场22b相比较弱，因此位于横向电场21b起作用的区域中的液晶不会在横向电场21b的方向上发生变形，而在方向i上发生变形。另外，在左列的下部中，在公共电极1和条状像素电极2彼此靠近的区域中产生横向电场21a。这种电场具有增强左列内的液晶在方向i上的变形的有利效果。类似地，位于右列中的液晶受边缘电场22a的影响而在方向ii(从9a到9b)上发生变形。在边缘电场22a的附近产生横向电场21a。然而，由于横向电场21a与边缘电场22a相比较弱，因此位于横向电场21a起作用的区域中的液晶不会在横向电场21a的方向上发生变形，而在方向ii上发生变形。另外，在右列的下部中，在公共电极1和条状像素电极2彼此靠近的区域中产生横向电场21b。这种电场具有进一步增强右列内的液晶在方向ii上的变形的有利效果。
本实施例在各像素中使用分别从公共电极1的开口部28的拐角部突出到开口部28内的突出部2g(即使它们的突出量很小)，突出部2g的形状也不特别地限于矩形。本实施例已经描述了突起状像素电极2f在T形的交叉部的两侧包括凹部的情况。然而，突起状像素电极2f可以在交叉部的一侧仅包括一个凹部。另外，如在实施例2中，本实施例可以应用于在形成第二金属层(在该层中，数据线5被图案化)的过程中形成条状像素电极2、突起状像素电极2f、以及第二矩形像素电极2d的情形(图5的情形)。另外，如在实施例3中，本实施例可以应用于条状像素电极2形成为在与扫描线6的延伸方向平行的方向上延伸的情形，或者可以应用于如图15和图16所示的情形：在各像素中，在多个(图15和16中两个)条状像素电极2的中间设置条状公共电极1b，相邻的突起状像素电极2f彼此连接，条状公共电极1b的两个端部与公共电极1连接(该情形可包括覆盖数据线5的公共电极1的部分被挖空的情形或者未被挖空的情形)。另外，如在实施例4中，本发明还可应用于液晶的分子配取7和横向电场8彼此平行的情形(图11或图12的情形)。
实施例6
现在将使用图17、图18和图19描述实施例6。图17是示出根据实施例6的液晶显示装置的一个像素的结构的平面图，其中，单位像素27由用虚线包围的区域表示。图18是沿图17中所示的线XVIII－XVIII所截取的剖视图，并还示出了液晶层和对置基板。图19是图17中的像素内的列及其周边的放大图。现在将详细地描述图17、图18和图19中所示的实施例6。
在实施例1中，由于像素电极和数据线5形成在同一层中，因此可能由于图案损坏而发生短路。在实施例6中，为了抑制像素电极与数据线5之间的短路，像素电极设置在公共电极1上方的层中，并在公共电极1上形成透明绝缘膜26。另外，在各像素中，在钝化膜13和透明绝缘膜26中设置接触孔25，以提供条状像素电极2与源电极3之间的电导通。由此，能够抑制因像素电极和数据线5之间的短路而引起的显示图像质量的降低。另外，在图17中，与条状像素电极2连接的矩形像素电极2h以不伸出公共电极1(朝向开口部28的内部)的方式，设置在公共电极1上方的层中和像素的下部中。矩形像素电极2h和源电极3可通过接触孔25电连接。在图17的像素的上部中，条状像素电极2以与公共电极1重叠的方式设置在公共电极1上。
在具有这种结构的横向电场式的液晶显示装置中，列的上部中的液晶的变形的情况如下：在左列中产生横向电场21b以促进列内的液晶在方向ii(从9a到9b)上的变形，在右列中产生横向电场21a以促进列内的液晶在方向i(从9a到9b)上的变形。另一方面，列的下部中的液晶的变形的情况如下：在左列中产生边缘电场22a以促进列内的液晶在方向ii上的变形，在右列中产生边缘电场22b以促进列内的液晶在方向i上的变形。由于在边缘电场22a附近产生的横向电场21a与边缘电场22a相比较弱，因此位于横向电场21a起作用的区域中的液晶不会在横向电场21a的方向上发生变形，而在方向ii上发生变形。类似地，由于在边缘电场22b附近产生的横向电场21b与边缘电场22b相比较弱，因此位于横向电场21b起作用的区域中的液晶不会在横向电场21b的方向上发生变形，而在方向i上发生变形。
本实施例的液晶显示装置的制造方法直至实施例1中所示的形成薄膜半导体层4的步骤是相同的。此后，源电极3和数据线5由300nm厚的钼合金层形成。在蚀刻薄膜半导体层4的n-a-Si层的不需要的部分之后，沉积300nm厚的氮化硅作为钝化膜13。
接下来，在形成的结构上形成公共电极1。将例如ITO膜的透明导电膜形成为80nm的厚度，并图案化成覆盖扫描线6和数据线5的形状。
接下来，用300nm厚的氮化硅膜形成透明绝缘膜26。之后，在钝化膜13和透明绝缘膜26中，在源电极3上形成接触孔25。同时，通过蚀刻去除为了在显示屏周围引出的扫描线6和数据线5的端部上露出金属层所需的栅极绝缘膜12、钝化膜13以及透明绝缘膜26的部分。
接下来，形成诸如ITO膜的透明导电膜，并且将该透明导电膜图案化成厚度为30nm并在垂直于扫描线6的延伸方向的方向上延伸的条状结构，而形成条状像素电极2。在该过程中，同时形成矩形像素电极2h。另外，公共电极1通过接触孔和作为上层的透明导电膜，在显示屏的周边与由第一金属层和第二金属层形成的公共电极线电连接。然而，在图中省略了详细的图示。
在本实施例中，如上所述，像素电极比公共电极1更靠近液晶层。为了像素电极更靠近液晶层，在像素电极与数据线5之间形成绝缘膜。由此，可以防止因像素电极2或数据线5的图案损坏而引起的像素电极与数据线5之间的短路。在本实施例中，在各像素中，条状像素电极2形成为与数据线5的延伸方向平行。然而，也可以将条状像素电极2形成为在与扫描线6的延伸方向平行的方向上延伸，如实施例3中所述。可替选地，如实施例4中所述，本实施例也可以应用于液晶的分子配向7和横向电场8彼此平行的情形(图11或图12的情形)。
尽管已参照上述各个实施例描述了本发明，但本发明不限于此。本领域的技术人员应当理解，可以按照各种方式修改本发明的结构和细节。如上所述，当像素尺寸小时(特别地，当像素尺寸(像素的长边的长度)为100μm或更小时)，本发明是有利的。然而，本发明不一定限于此。当然，即使像素尺寸较大，该技术也可以用作对抗指压印记的对策。另外，通过将上述的一个实施方式和实施例的部分或整个结构与上述的另一个实施方式和实施例的部分或整个结构适当组合所获得的实施方式落在本发明的范围内。
本发明可应用于横向电场式的有源矩阵液晶显示装置和利用这种液晶显示装置作为显示装置的任何设备。

Claims (21)

1.一种横向电场式的液晶显示装置，包括：
一对基板；
置于所述基板之间的液晶层；
多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线均沿直线延伸并在一个所述基板上相互交叉；
多个像素，所述多个像素由所述扫描线和所述数据线形成并以矩阵排列；
至少一个条状像素电极，所述至少一个条状像素电极设置在各所述像素中并沿一条所述数据线或一条所述扫描线延伸；
公共电极，所述公共电极具有格子状，并以覆盖所述扫描线和所述数据线的方式设置在比所述条状像素电极更靠近所述液晶层的层中，并包括位于各所述像素中的开口部，其中，在各所述至少一个条状像素电极和平行于所述至少一个条状像素电极的延伸方向而延伸的所述公共电极的部分之间形成将施加于所述液晶层的电场，所述电场与所述基板的表面方向基本平行；以及
第一矩形像素电极，所述第一矩形像素电极设置在各所述像素中，所述第一矩形像素电极的宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽，并与各所述至少一个条状像素电极的一端连接而形成T状，所述第一矩形像素电极与所述公共电极的开口部的拐角部重叠，所述拐角部比所述开口部的其它拐角部更靠近所述第一矩形像素电极，
其中，所述条状像素电极设置在由所述公共电极形成的开口部中，从而当所述条状像素电极沿所述数据线延伸时，所述条状像素电极在所述扫描线延伸的方向上不与所述公共电极重叠，当所述条状像素电极沿所述扫描线延伸时，所述条状像素电极在所述数据线延伸的方向上不与所述公共电极重叠。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，包括：
设置在各所述像素中的多个所述条状像素电极，其中，
与对应的所述条状像素电极连接的所述第一矩形像素电极连接在一起，并且
所述液晶显示装置还包括设置在各所述像素中的相邻的所述条状像素电极之间的条状公共电极，所述条状公共电极的两端与格子状的所述公共电极连接。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
所述公共电极包括多个突出部，各所述突出部在各所述像素中分别从所述公共电极突出到所述开口部内，并且
所述液晶显示装置还包括设置在各所述像素中的第二矩形像素电极，所述第二矩形像素电极的宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽，所述第二矩形像素电极与各所述至少一个条状像素电极的另一端连接而形成T状，在各所述像素中，所述第二矩形像素电极与所述公共电极的一个所述突出部重叠。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，
在各所述像素中，所述第二矩形像素电极与所述一个突出部重叠，同时延伸到所述一个突出部外。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与所述至少一个条状像素电极的延伸方向基本相同，并且
所述液晶分子具有正的介电各向异性。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与垂直于所述至少一个条状像素电极的延伸方向的方向基本相同，并且
所述液晶分子具有负的介电各向异性。
7.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与所述扫描线的延伸方向基本相同，并且
所述公共电极包括与一条所述数据线重叠并在各所述像素中被挖空的区域。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
所述至少一个条状像素电极、所述第一矩形像素电极以及所述公共电极是透明的。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
所述公共电极是透明的，并且
所述至少一个条状像素电极和所述第一矩形像素电极由相同材料形成并位于与所述数据线相同的层中。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，
各所述像素的长边的长度小于或等于100μm。
11.一种横向电场式的液晶显示装置，包括：
一对基板；
置于所述基板之间的液晶层；
多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线均沿直线延伸并在一个所述基板上相互交叉；
多个像素，所述多个像素由所述扫描线和所述数据线形成并以矩阵排列；
至少一个条状像素电极，所述至少一个条状像素电极设置在各所述像素中并沿一条所述数据线或一条所述扫描线延伸；
公共电极，所述公共电极具有格子状，并以覆盖所述扫描线和所述数据线的方式设置在比所述条状像素电极更靠近所述液晶层的层中，并包括位于各所述像素中的开口部，其中，在各所述至少一个条状像素电极和平行于所述至少一个条状像素电极的延伸方向而延伸的所述公共电极的部分之间形成将施加于所述液晶层的电场，所述电场与所述基板的表面方向基本平行；以及
突起状像素电极，所述突起状像素电极设置在各所述像素中，并包括至少一个突出部和宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽的主部，所述突起状像素电极与各所述至少一个条状像素电极的一端在所述开口部外的位置处连接，所述至少一个突出部与所述公共电极的所述开口部的至少一个拐角部重叠，所述至少一个拐角部比所述开口部的其它拐角部更靠近所述突起状像素电极，
其中，所述条状像素电极设置在由所述公共电极形成的开口部中，从而当所述条状像素电极沿所述数据线延伸时，所述条状像素电极在所述扫描线延伸的方向上不与所述公共电极重叠，当所述条状像素电极沿所述扫描线延伸时，所述条状像素电极在所述数据线延伸的方向上不与所述公共电极重叠。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，包括：
设置在各所述像素中的多个所述条状像素电极，其中，
与对应的所述条状像素电极连接的所述突起状像素电极连接在一起，并且
所述液晶显示装置还包括设置在各所述像素中的相邻的所述条状像素电极之间的条状公共电极，所述条状公共电极的两端与格子状的所述公共电极连接。
13.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
各所述至少一个条状像素电极和所述开口部的多条边中的一条边基本上相互垂直地交叉，所述一条边比所述开口部的其它边更靠近所述突起状像素电极。
14.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
所述公共电极包括多个突出部，各所述突出部在各所述像素中分别从所述公共电极突出到所述开口部内，并且
所述液晶显示装置还包括设置在各所述像素中的第二矩形像素电极，所述第二矩形像素电极的宽度比所述至少一个条状像素电极的宽度宽，所述第二矩形像素电极与各所述至少一个条状像素电极的另一端连接而形成T状，在各所述像素中，所述第二矩形像素电极与所述公共电极的一个所述突出部重叠。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其中，
在各所述像素中，所述第二矩形像素电极与所述一个突出部重叠，同时延伸到所述一个突出部外。
16.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与所述至少一个条状像素电极的延伸方向基本相同，并且
所述液晶分子具有正的介电各向异性。
17.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与垂直于所述至少一个条状像素电极的延伸方向的方向基本相同，并且
所述液晶分子具有负的介电各向异性。
18.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中，
所述液晶层中的液晶分子的初始配向与所述扫描线的延伸方向基本相同，并且
所述公共电极包括与一条所述数据线重叠并在各所述像素中被挖空的区域。
19.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
所述至少一个条状像素电极、所述突起状像素电极以及所述公共电极是透明的。
20.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
所述公共电极是透明的，并且
所述至少一个条状像素电极和所述突起状像素电极由相同材料形成并位于与所述数据线相同的层中。
21.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，
各所述像素的长边的长度小于或等于100μm。
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