CN103280196B - 一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器，所述移位寄存器包括多级由九个晶体管和一个电容组成的移位寄存电路，所述移位寄存电路包括信号输出模块的上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体，第三下拉晶体管、开关晶体管，第一电容，复位晶体管，和辅助下拉模块的第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管和并联连接的第三辅助下拉晶体管和第二电容。第二电容作为缓冲器件，能够过滤输出信号中多余的毛刺信号，减少了信号串扰，同时由于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块，能够使第二节点的输出波形更加稳定。

Description

一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器

技术领域

本发明涉及液晶平板显示技术，尤其涉及一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器。

背景技术

以TFT-LCD(Thinfilmtransistor-Liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)为代表的FPD(平板显示器件)技术自20世纪90年代开始迅速发展并逐步走向成熟。由于TFT-LCD具有高清晰、低功耗、轻薄、便于携带等优点，已被广泛应用于上述信息显示产品中，使LCD进入高画质、高彩色显示的新阶段，具有广阔的市场前景。目前几乎所有高档的LCD中都毫无例外地使用了TFT有源矩阵。TFT(Thinfilmtransistor)有源矩阵主要包括A-Si(amorphoussilicon)TFT有源矩阵和P-Si(poly-silicon)TFT有源矩阵两种。与P-SiTFT技术相比，A-SiTFT技术发展比较成熟，均匀性好且成本较低，但其迁移率较低，一般在0.1～1.0cm²/V·s，P-SiTFT的迁移率则可达50～200cm²/V·s。由于A-SiTFT迁移率比较低，致使其驱动电路速度较慢。

中小尺寸LCD主要应用于便携式产品，因此在技术性能要求上与大尺寸LCD有所不同。中小尺寸产品更加强调显示器的轻、薄、器件的集成能力、更好的可靠性以及低成本。目前，市场对LCD的分辨率也提出了更高要求，为了使小型化LCD具有高分辨率，减少TFT-LCD驱动IC的数目是非常必要的。通常，当LCD的分辨率高于QVGA(240×RGB×320)时，TFT面板需要超过1000条外部引线。当产品分辨率进一步增加时，在有限的空间内制作更多的外引线就变得非常困难。

以上技术问题可以通过将驱动电路(gatedrivercircuits或sourcedrivercircuits)集成在有源矩阵LCD基板上来解决。这种技术可以使显示器成本更低、结构更紧凑、机械可靠性更高从而使其具有更大的市场竞争力。

并且随着技术的发展，扫描电路趋向于电路集成化，越来越多的公司采用移位寄存器代替了扫描驱动IC，从而减小了LCD的显示边框大小，同时由于电路集成在显示面板上，也降低了IC的使用数量，从而大大降低了显示面板的制作成本。

随着高端产品越来越追求窄边框和轻型化，因此移位寄存电路的尺寸要求不断减小，同时移位寄存电路为作为驱动电路控制有源矩阵LCD基板的显示，故要求移位寄存电路能够提供稳定的电流。

因此，提供一种晶体管数量少使整体尺寸小且工作提供的信号波形稳定的移位寄存器和由该种移位寄存器级联形成的薄膜晶体管液晶显示器成为业界广泛关注的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶体管数量少、工作波形稳定的移位寄存器和由该种移位寄存器级联形成的薄膜晶体管液晶显示器。

为解决上述问题，本发明提供一种移位寄存器，包括多级级联的移位寄存电路，每一移位寄存电路，包括：

主输入端和主输出端；

信号输出模块，包括分别耦接于所述主输出端的上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管，所述上拉晶体管的输入端接第一节点，所述上拉晶体管用以在开启时产生高电平的输出信号至所述主输出端，所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管用以在开启时交替产生低电平的输出信号至所述主输出端，所述第二下拉晶体管的输入端接第二节点；

开关晶体管，耦接于所述主输入端和所述第一节点之间，用以根据主时钟信号和主输入端的输入信号控制所述上拉晶体管的开启；

第一电容，耦接于所述第一节点和所述主输出端之间，用以利用电容自举效应为所述上拉晶体管提供稳定电压；

复位晶体管，耦接于所述第一节点，用以控制所述上拉晶体管的关闭和所述主输出端输出的输出信号的重置；以及

下拉辅助模块，耦接于所述主输出端和所述第二节点，用以实现所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管交替产生低电平的输出信号，所述下拉辅助模块包括：第一辅助下拉晶体管，用以根据主时钟信号快速释放所述第二节点的高电平；第二辅助下拉晶体管，用以根据所述主输出端的输出信号为反馈控制所述第二节点的电平，进而稳定所述主输出端的电平；以及第三辅助下拉晶体管，用以根据所述从时钟信号拉高所述第二节点的电平，所述从时钟信号与所述主时钟信号反相；所述信号输出模块还包括第三下拉晶体管，所述第三下拉晶体管的输入端接第一节点，用于根据所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点下拉第一节点的电平。

进一步的，在所述移位寄存器中，第一级移位寄存电路的开关晶体管接收初始信号，其后每级移位寄存电路的开关晶体管耦接于其前级移位寄存电路的主输出端；最后一级移位寄存电路的开关晶体管接收最终复位信号，其他每级移位寄存电路的复位晶体管耦接于其后级移位寄存电路的主输出端。

进一步的，所述上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第三下拉晶体管、开关晶体管、复位晶体管、第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管以及第三辅助下拉晶体管均为薄膜场效应晶体管。

进一步的，在每一移位寄存电路中：在所述信号输出模块中：所述上拉晶体管的栅极接第一节点、源极接所述从时钟信号、漏极接所述主输出端；所述第一下拉晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述主输出端、漏接接低电平端；所述第二下拉晶体管的栅极接第二节点、源极接所述主输出端、漏极接低电平端；所述第三下拉晶体管的源极接第一节点、栅极接其所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点下拉第二节点、漏极接低电平端；所述开关晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述主输入端、漏极接所述第一节点；所述复位晶体管的栅极接后一移位寄存电路的主输出端、源极接所述第一节点、漏极接低电平端；以及在所述下拉辅助模块中：所述第一辅助下拉晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述第二节点、漏极接所述低电平端；所述第二辅助下拉晶体管的栅极接所述主输出端、源极接所述第二节点、漏极接所述低电平端；所述第三辅助下拉晶体管的栅极和漏极接所述从时钟信号、源极接所述第二节点。

进一步的，所述第三辅助下拉晶体管的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管的宽长比。

进一步的，所述第三辅助下拉晶体管的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管的宽长比的十倍。

进一步的，所述第一电容接所述第一节点和主输出端之间。

进一步的，所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的工作时间分别为下拉周期的一半。

进一步的，所述移位寄存器中移位寄存电路分为奇数级移位寄存电路和偶数级移位寄存电路，所述奇数级移位寄存电路接收的主时钟信号与所述偶数级移位寄存电路接收的主时钟信号反相。

本发明还提供一种薄膜晶体管液晶显示器，包括显示阵列和栅极驱动电路，所述用以产生多个栅极信号来控制所述显示阵列，所述栅极驱动电路包括前述的移位寄存器。

综上所述，本发明所述的移位寄存器的移位寄存电路利用输出信号作为反馈进一步控制信号稳定输出，从而达到电流稳定控制下拉电压的目的，同时采用双下拉晶体管对输出端进行下拉，且能够利用100％的下拉周期进行充分下拉，避免了浮空状态，进而时电路稳定。

进一步的，本发明所述移位寄存器增加设置所述第三下拉晶体管，所述第三下拉晶体管能够根据所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点的电压控制当前移位寄存电路的第一节点的电平的下拉，从而保持第一节点的下拉电位，进而优化移位寄存器的整体驱动能力。

本发明还提供一种由前述的移位寄存器组成的薄膜晶体管液晶显示器，所述薄膜晶体管液晶显示器包括显示阵列和栅极驱动电路，所述移位寄存器用以产生多个栅极信号来控制所述显示阵列，所述栅极驱动电路包括采用前述的移位寄存器。采用本发明所述的移位寄存器组成的薄膜晶体管液晶显示器的显示更加稳定，反应速度更快，且减小了面板尺寸，实现高端轻薄产品的顺利量产，进一步降低生产成本。

附图说明

图1为本发明一实施例中移位寄存器的结构示意图。

图2为本发明一实施例中移位寄存电路的结构示意图。

图3为本发明一实施例中移位寄存器工作过程中的信号时序图。

图4为本发明一实施例中移位寄存器与现有技术一移位寄存电路的工作过程的信号时序图。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。

图1为本发明一实施例中移位寄存器的结构示意图，如图1所示，所述移位寄存器的移位寄存电路依次产生栅极信号控制显示阵列进行图像显示。其中，在本实施例中，所述移位寄存器中移位寄存电路分为奇数级移位寄存电路和偶数级移位寄存电路，所述奇数级移位寄存电路接收的主时钟信号与所述偶数级移位寄存电路接收的主时钟信号反相，即奇数级移位寄存电路接收的主时钟信号CK1对应接收第一时钟信号CLK，相应所述偶数级移位寄存电路接收的主时钟信号CK2对应接收第二时钟信号CLKB，第一时钟信号CLK与第二时钟信号CLKB反相。并且第一级移位寄存电路的开关晶体管M1接收初始信号STP，其后每级移位寄存电路的开关晶体管M1耦接于其前级移位寄存电路的主输出端OUT，即第N+1级移位寄存电路的开关晶体管M1耦接于第N级移位寄存电路的主输出端OUT，其中N为小于移位寄存电路总数的正整数；最后一级移位寄存电路的复位晶体管M2接收最终复位信号，其他每级移位寄存电路的复位晶体管M2耦接于其后级移位寄存电路的主输出端OUT，从而实现每一移位寄存电路的输出信号控制其后一移位寄存电路的开启，每一移位寄存电路的输出信号控制其前一移位寄存电路的复位，使移位寄存器中的移位寄存电路依次输出输出信号。

图2为本发明一实施例中移位寄存电路的结构示意图。结合图1和图2，本发明提供一种移位寄存器，包括多级级联的移位寄存电路，每一移位寄存电路，包括：主输入端IN和主输出端OUT、信号输出模块100、开关晶体管M1、第一电容C1、复位晶体管M2和辅助下拉模块200。

所述信号输出模块100包括分别耦接于所述主输出端OUT的上拉晶体管M3、第一下拉晶体管M6和第二下拉晶体管M8，所述上拉晶体管M3的输入端接第一节点，所述上拉晶体管M3用以在开启时产生高电平的输出信号至所述主输出端Out，所述第一下拉晶体管M6和第二下拉晶体管M8用以在开启时交替产生低电平的输出信号至所述主输出端Out，所述第二下拉晶体管M8的输入端接第二节点Q；

所述开关晶体管M1耦接于所述主输入端和所述第一节点P之间，用以根据主时钟信号CK1和主输入端IN的输入信号控制所述上拉晶体管M3的开启；

所述第一电容C1耦接于所述第一节点P和所述主输出端OUT之间，用以利用电容自举效应为所述上拉晶体管M3提供稳定电压；

所述复位晶体管M2耦接于所述第一节点P，用以控制所述上拉晶体管M3的关闭和所述主输出端IN输出的输出信号的重置；以及

所述辅助下拉模块200耦接于所述主输出端IN和所述第二节点Q，用以实现所述第一下拉晶体管M6和第二下拉晶体管M8交替产生低电平的输出信号，所述辅助下拉模块包括：第一辅助下拉晶体管M5，用以根据主时钟信号快速释放所述第二节点Q的高电平；第二辅助下拉晶体管M7，用以根据所述主输出端OUT的输出信号为反馈控制所述第二节点Q的电平，进而稳定所述主输出端OUT的电平；以及第三辅助下拉晶体管M4，用以根据所述从时钟信号拉高所述第二节点的电平，其中所述从时钟信号与所述主时钟信号反相。此外，所述信号输出模块还包括第三下拉晶体管M9，所述第三下拉晶体管M9的输入端接第一节点P，用于根据所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点下拉第一节点P的电平。通过前一级移位寄存电路的第二节点Q的信号下拉本级移位寄存电路的第一节点P的电平，从而使移位寄存电路更加稳定。

同时，所述移位寄存电路中辅助下拉模块200均为并联电阻的结构，因此第二节点Q的输出波形能够更快达到高电平，进而使信号反应速度更快，使最终输出波形更加稳定。

本发明所述移位寄存器有多个级联的移位寄存电路，每一级移位寄存电路包括九个晶体管和一个电容，即9T1C的电路结构。其中，M1是开关晶体管，M2是复位晶体管，M3是上拉晶体管，M6是第一下拉晶体管，M8是第二下拉晶体管，M5、M7和M4分别为第一至第三辅助下拉晶体管，M9是第三下拉晶体管。本发明所述的移位寄存电路所使用晶体管数目少，可以有效降低边框大小，减小面板的尺寸，并有效降低了面板的成本；同时，保证了移位寄存电路正常工作，电路稳定，并提高反应速度。在本实施例中，所述上拉晶体管M3、第一下拉晶体管M6、第二下拉晶体管M8、第三下拉晶体管M9、开关晶体管M1、复位晶体管M2、第一辅助下拉晶体管M5、第二辅助下拉晶体管M6以及第三辅助下拉晶体管M4均为薄膜场效应晶体管。

在每一移位寄存电路中：在所述信号输出模块中：所述上拉晶体管M3的栅极接第一节点P、源极接所述时钟信号CK2、漏极接所述主输出端OUT；所述第一下拉晶体管M6的栅极接所述主时钟信号CK1、源极接所述主输出端、漏接接低电平端；所述第二下拉晶体管M8的栅极接第二节点Q、源极接所述主输出端OUT、漏极接低电平端VGL；所述开关晶体管M1的栅极接所述主时钟信号CK1、源极接所述主输入端IN、漏极接所述第一节点P；所述复位晶体管M2的栅极接后一移位寄存电路的主输出端OUT、源极接所述第一节点P、漏极接低电平端VGL；以及在所述辅助下拉模块中：所述第一辅助下拉晶体管M5的栅极接所述主时钟信号CK1、源极接所述第二节点Q、漏极接所述低电平端VGL；所述第二辅助下拉晶体管M7的栅极接所述主输出端OUT、源极接所述第二节点Q、漏极接所述低电平端VGL；所述第三辅助下拉晶体管M4的栅极和漏极接所述从时钟信号CK2、源极接所述第二节点Q。所述移位寄存电路中辅助下拉模块均为并联电阻的结构，因此Q点的输出波形能够更快达到高电平，进而使信号反应速度更快，提高反应速度并使最终输出波形更加稳定。

图3为本发明一实施例中移位寄存器工作过程中的信号时序图。结合图2和图3，第一辅助下拉晶体管M5的作用主要是释放掉第二节点Q的高电压，使得第二下拉晶体管M8能够工作在50％的周期中，加上第一下拉晶体管M6在主时钟脉冲信号CK1输出高脉冲时主输出端OUT的电平下拉，从而使所述移位寄存电路达到100％的下拉周期，从而没有浮空周期，避免了浮空状态，进而使电路稳定。

在较佳的实施例中，所述第三辅助下拉晶体管M4的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管M7的宽长比。在较佳的实施例中，所述第三辅助下拉晶体管M4的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管M7的宽长比的十倍。所述移位寄存电路通过主输出端OUT提供输出信号，该输出信号反馈第二辅助下拉晶体管M7，由于第二辅助下拉晶体管M7的宽长比远大于第三辅助下拉管M4的宽长比，所以第二辅助下拉晶体管M7的电流比第三辅助下拉管M4的电流更大，使得第二节点Q的电流更接近第二辅助下拉晶体管M7导通的低电平VGL的电压，形成如图3所示的波形，从而使得过滤掉了从时钟信号CK2的一个高脉冲信号。

进一步的，所述第一电容C1接所述第一节点P和主输出端OUT之间。

进一步的，所述第一下拉晶体管M6和第二下拉晶体管M8的工作时间分别为下拉周期的一半。由于第一下拉晶体管M6和第二下拉晶体管M8各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块200，能够使第二节点的输出波形更加稳定。

图4为本发明一实施例中移位寄存器与现有技术一移位寄存电路的工作过程中P点信号时序图。图4中曲折线200表示采用图2所示的移位寄存电路的工作过程中第一节点P的信号时序图，而曲折线100表示一种现有技术的未设置第三下拉晶体管的移位寄存电路的在工作过程中第一节点的信号时序图，由图4可知，在第一节点P充电进入高电位前，由A点可以看到，本发明所述移位寄存电路的第一节点P维持在-10V的低电压，由B点可以看到，而现有技术的移位寄存电路的第一节点P的电压为-8.264V，由C点可以看到，增加第三下拉晶体管后，第一节点P点在进入高电位之前的电位能进一步下拉2.1107V，从而优化下拉电压及保持能力得到很大提升。由此可知，增加第三下拉晶体管能够保持第一节点P的下拉能力，从而优化移位寄存电路的驱动能力，进而优化移位寄存器的整体驱动能力。

综上所述，本发明所述的移位寄存器的移位寄存电路利用输出信号作为反馈进一步控制信号稳定输出，从而达到电流稳定控制下拉电压的目的，同时采用双下拉晶体管对输出端进行下拉，且能够利用100％的下拉周期进行充分下拉，避免了浮空状态，进而时电路稳定。

进一步的，本发明所述移位寄存器增加设置所述第三下拉晶体管，所述第三下拉晶体管能够根据所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点的电压控制当前移位寄存电路的第一节点的电平的下拉，从而保持第一节点的下拉电位，进而优化移位寄存器的整体驱动能力。

本发明还提供一种由前述的移位寄存器组成的薄膜晶体管液晶显示器，所述薄膜晶体管液晶显示器包括显示阵列和栅极驱动电路，所述移位寄存器用以产生多个栅极信号来控制所述显示阵列，所述栅极驱动电路包括采用前述的移位寄存器。采用本发明所述的移位寄存器组成的薄膜晶体管液晶显示器的显示更加稳定，反应速度更快，且减小了面板尺寸，实现高端轻薄产品的顺利量产，进一步降低生产成本。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种移位寄存器，包括多级级联的移位寄存电路，每一移位寄存电路，包括：

主输入端和主输出端；

信号输出模块，包括分别耦接于所述主输出端的上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管，所述上拉晶体管的栅极接第一节点，所述上拉晶体管用以在开启时产生高电平的输出信号至所述主输出端，所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管用以在开启时交替产生低电平的输出信号至所述主输出端，所述第二下拉晶体管的栅极接第二节点；

开关晶体管，耦接于所述主输入端和所述第一节点之间，用以根据主时钟信号和主输入端的输入信号控制所述上拉晶体管的开启；

第一电容，耦接于所述第一节点和所述主输出端之间，用以利用电容自举效应为所述上拉晶体管提供稳定电压；

复位晶体管，耦接于所述第一节点，用以控制所述上拉晶体管的关闭和所述主输出端输出的输出信号的重置；以及

下拉辅助模块，耦接于所述主输出端和所述第二节点，用以实现所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管交替产生低电平的输出信号，所述下拉辅助模块包括：

第一辅助下拉晶体管，用以根据主时钟信号快速释放所述第二节点的高电平；

第二辅助下拉晶体管，用以根据所述主输出端的输出信号为反馈控制所述第二节点的电平，进而稳定所述主输出端的电平；以及

第三辅助下拉晶体管，用以根据从时钟信号拉高所述第二节点的电平，所述从时钟信号与所述主时钟信号反相；

所述信号输出模块还包括第三下拉晶体管，所述第三下拉晶体管的源极接第一节点，用于根据所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点下拉第一节点的电平。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，在所述移位寄存器中，第一级移位寄存电路的开关晶体管接收初始信号，其后每级移位寄存电路的开关晶体管耦接于其前级移位寄存电路的主输出端；最后一级移位寄存电路的复位晶体管接收最终复位信号，其他每级移位寄存电路的复位晶体管耦接于其后级移位寄存电路的主输出端。

3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第三下拉晶体管、开关晶体管、复位晶体管、第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管以及第三辅助下拉晶体管均为薄膜场效应晶体管。

4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，在每一移位寄存电路中：

在所述信号输出模块中：所述上拉晶体管的源极接所述从时钟信号、漏极接所述主输出端；所述第一下拉晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述主输出端、漏接接低电平端；所述第二下拉晶体管的源极接所述主输出端、漏极接低电平端；所述第三下拉晶体管的栅极接其所在移位寄存电路的前一移位寄存电路的第二节点下拉第二节点、漏极接低电平端；

所述开关晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述主输入端、漏极接所述第一节点；

所述复位晶体管的栅极接后一移位寄存电路的主输出端、源极接所述第一节点、漏极接低电平端；以及在所述下拉辅助模块中：

所述第一辅助下拉晶体管的栅极接所述主时钟信号、源极接所述第二节点、漏极接所述低电平端；

所述第二辅助下拉晶体管的栅极接所述主输出端、源极接所述第二节点、漏极接所述低电平端；

所述第三辅助下拉晶体管的栅极和漏极接所述从时钟信号、源极接所述第二节点。

5.如权利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，所述第三辅助下拉晶体管的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管的宽长比。

6.如权利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第三辅助下拉晶体管的宽长比大于所述第二辅助下拉晶体管的宽长比的十倍。

7.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一电容接所述第一节点和主输出端之间。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的工作时间分别为下拉周期的一半。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器中移位寄存电路分为奇数级移位寄存电路和偶数级移位寄存电路，所述奇数级移位寄存电路接收的主时钟信号与所述偶数级移位寄存电路接收的主时钟信号反相。

10.一种薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，包括显示阵列和栅极驱动电路，所述栅极驱动电路用以产生多个栅极信号来控制所述显示阵列，所述栅极驱动电路包括如权利要求1至9中任意一项所述的移位寄存器。