CN102915944A - 基板交接方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板交接方法，能够将基板平坦地载置在载置台上，且解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。该基板交接方法包括：基板载置工序，在基板载置面（4c）的上方，使由第一升降销（8a）和位于比第一升降销（8a）低的位置的第二升降销（8b）支承的基板（G）下降，使基板（G）从基板（G）的中央部载置到基板载置面（4c）；利用静电吸盘（41）吸附载置在基板载置面（4c）的基板（G），对基板（G）进行等离子体处理的工序；和基板脱离工序，在等离子体处理结束后，解除静电吸盘（41）的吸附，使第一升降销（8a）和第二升降销（8b）为相同高度支承基板（G），使基板（G）从基板载置面（4c）脱离。

Description

基板交接方法

技术领域

本发明涉及对载置台交接基板的基板交接方法。

背景技术

FPD（Flat Panel Display：平板显示器）制造装置和太阳能电池制造装置等中在处理室内对大型的玻璃基板施加蚀刻和成膜等的等离子体处理，为此，具备用于将玻璃基板搬入处理室内以及从处理室内搬出的搬送装置。该搬送装置，通常由能够进退的臂支承玻璃基板，能够在处理室内与处理室外之间搬入搬出。处理室内具备载置玻璃基板的载置台，通过能够从载置台的基板载置面升降的升降销，进行进入带处理室内的臂与载置台之间的基板的交接。

当将用升降销从臂接受的玻璃基板载置到载置台时，若在周边部和中央部使升降销为相同高度地支承，则因为玻璃基板具有可挠性，被中央部的升降销支承的部分凹陷，当将玻璃基板载置到载置台时，在载置台的基板载置面与玻璃基板之间形成有空间。

为了抑制形成这样的空间，并使基板均匀地接触且载置到载置台，因此在专利文献1记载有以周边部的升降销的高度比中央部的升降销更高的方式支承玻璃基板，将玻璃基板在朝向基板载置面突出地弯曲的状态下，载置到载置台的基板载置面上的技术。

另外，在专利文献1中，即使当相反从载置台升起时，也使周边部的升降销先突出，玻璃基板在以朝向基板载置面突出的方式弯曲的状态下被举起。这是为了抑制玻璃基板的摇晃。

专利文献1：日本特开2008-60285号公报

发明内容

但是，在将玻璃基板载置到载置台上进行等离子体处理期间，玻璃基板被载置台所具备的静电吸盘吸附，在等离子体处理后，在解除了静电吸附后也不能充分除电的情况下存在玻璃基板带电的状况。因此，当解除吸附并将玻璃基板从载置台举起时，若将玻璃基板在朝向基板载置面突出地弯曲的状态下举起时，则存在如下情况：玻璃基板整体带电的电荷向仍然接触的部分移动，电荷集中在最终接触面积减小的玻璃基板的中央部，在玻璃基板与基板载置面之间形成较大的电场，发生异常放电。

本发明提供了一种基板交接方法，其能够将具有可挠性的基板均匀地接触并载置到载置台上，并且，接触静电吸盘的吸附而将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。

本发明的一个方式的基板交接方法，是对于对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内设置的、具备通过静电吸附而吸附上述基板的静电吸盘的载置台，交接上述基板的基板交接方法，上述载置台包括载置上述基板的基板载置面、能够对于该基板载置面升降并且支承上述基板的周边边缘部的第一升降销、能够对于上述基板载置面升降并且支承上述基板的中央部的第二升降销，上述方法包括对于上述基板在上述基板载置面的上方，使被上述第一升降销和比上述第一升降销更低的位置的第二升降销支承的上述基板下降，将上述基板从该基板的中央部载置到上述基板载置面的基板载置工序，使上述基板载置面上载置的上述基板被上述静电吸盘吸附，对上述基板进行等离子体处理的工序，上述等离子体处理结束后，解除上述静电吸盘的吸附，使上述第一升降销与上述第二升降销为相同高度支承上述基板，使上述基板从上述基板载置面脱离的基板脱离工序。

根据本发明，能够提供一种基板交接方法，其能够使具有可挠性的基板均匀地接触并载置到载置台上，并且，解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。

附图说明

图1是表示具备本发明的一个实施方式的基板载置机构的基板处理装置的一个例子的概要截面图。

图2是图1所示的基板处理装置的平面方向的概要截面图。

图3是概要地表示基板载置机构的截面图。

图4是表示一个实施方式的基板交接方法的一个例子的概要截面图。

图5是示意地表示参考例的基板G的弯曲的示意图。

图6是示意地表示一个实施方式的基板G的弯曲的示意图。

附图标记说明

G……基板

2……处理腔室

4……基座

4c……基板载置面

8a……支承周边边缘部的升降销

8b……支承中央部的升降销

41……静电吸盘。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。在所有参照的附图中，对于相同的部分附加相同的参照附图标记。

图1是表示能够实施本发明的一个实施方式的基板交接方法的基板处理装置的一个例子的概要截面图，图2是其平面方向的概要截面图。在本例中，作为基板处理装置的一个例子表示等离子体蚀刻装置。

如图1所示，等离子体蚀刻装置1构成对作为具有可挠性的基板例如用于FPD的制造的玻璃基板（以下简称为基板）G进行蚀刻的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD，能够举例表示有液晶显示器（LCD：Liquid Crystal Display）、电致发光（ElectroLuminescence：EL）显示器、等离子体显示面板（PDP：Plasma DisplayPanel）等。

等离子体蚀刻装置1具备作为收纳基板G的处理容器的处理腔室（以下称为腔室）2。腔室2例如由表面进行了氧化铝膜处理（阳极氧化处理）的铝构成，与基板G的形状对应地形成为长方筒形。

在腔室2内的底壁设置有作为载置基板G的载置台的基座4。基座4与基板G的形状对应地形成为长方板状或柱状，具有由金属等的导电性材料构成的基材4a和设置在基材4a的底部与腔室2的底面之间的绝缘部件4b。基材4a与用于供给高频电力的供电线23连接，该供电线23上连接有匹配器24和高频电源25。从高频电源25对基座4施加例如13.56MHz的高频电力，由此，基座4以起到下部电极的作用的方式构成。

另外，在基座4设置有通过静电吸附而吸附载置的基板G的静电吸盘41。静电吸盘41由设置在基材4a的上部的、电介体和电介体的内部所具备的内部电极42构成。内部电极42经由使电压的施加接通/断开的开关44，与对内部电极42施加电压的电源43连接。

在腔室2的上部或者上壁，与基座4相对地设置有喷淋头11，其对腔室2内供给处理气体同时起到上部电极的作用。喷淋头11在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空间12，并且在下表面或该喷淋头11与基座4的相对面上形成喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷淋头11接地，与基座4一同构成一对平行平板电极。

在喷淋头11的上表面设置有气体导入口14，该气体导入口14与处理气体供给管15连接，该处理气体供给管15经过阀16和质量流量控制器17，与处理气体供给源18连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体能够使用卤素类的气体、O₂气体、Ar气体等通常在该领域中所使用的气体。

腔室2的底壁与排气管19连接，该排气管19与排气装置20连接。排气装置20具备涡轮分子泵等真空泵，由此构成为能够对腔室2内够抽真空至规定的减压气氛。在腔室2的侧壁形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口21（参照图2），并且设置开闭该搬入搬出口21的闸阀22，搬入搬出口21开放时，基板G在由作为搬送部件的搬送臂40（参照图2、图4）从下方支承的状态下，在搬入搬出口21与通过闸阀22邻接的未图示的装载锁定室之间被搬送。

在腔室2的底壁和基座4上，在基座4的周边边缘部位置和中央部位置（比周边边缘部位置靠内侧或靠中央侧的位置）分别形成贯通该腔室2的底壁和该基座4的插通孔7a、7b。插通孔7a例如在各边部隔开规定的间隔各2个部位共计8个部位形成，插通孔7b例如以与基座4的相对的一对边平行地排列的方式隔开规定的间隔在2个部位形成。对基板G从下方支承并使其升降的升降销8a（第一升降销）、8b（第二升降销），分别以相对基座4的基板载置面4c能够突出和缩回（没入）的方式***到插通孔7a、7b。升降销8a、8b分别设置为突出时与基板G的周边边缘部和中央部抵接，通过未图示的定位用衬套在直径方向或宽度方向上定位并***插通孔7a、7b内。

图3是概要地表示基板载置机构的截面图。

升降销8a、8b分别如图3所示，构成为：下部向腔室2的外侧突出，下端部与驱动部9a、9b连接，通过该驱动部9a、9b的驱动而升降，从而对于基座4的基板载置面4c突出和缩回。驱动部9a、9b分别例如使用步进电机构成。

在升降销8a、8b的下部分别形成有凸缘26，各凸缘26与围绕升降销8a、8b设置的能够伸缩的波纹管27的一端部（下端部）连接，该波纹管27的另一端部（上端部）与腔室2的底壁连接。由此，波纹管27随着升降销8a、8b的升降而伸缩，并且将插通孔7a、7b与升降销8a、8b的间隙密封。

驱动部9a、9b的驱动为通过具备微处理器（计算机）的控制器31个别地控制的结构，由此，构成为升降销8a和升降销8b能够独立升降。控制器31连接有：由工序管理者为了管理驱动部9a、9b的驱动而进行命令的输入操作等的键盘；由将驱动部9a、9b的驱动状况可视化显示的显示器等构成的用户界面32，和存储部33，其保存有记录了用于通过控制器31的控制实现驱动部9a、9b的驱动的控制程序和驱动条件数据等的工艺方案。而且，根据需要，通过来自用户界面32的指示从存储部33调出任意的工艺方案并使其由控制器31执行，在控制器31的控制下进行驱动部9a、9b的驱动和停止。上述工艺方案能够使用保存在例如CD-ROM、硬盘、闪存等计算机可读取的存储介质中的状态的工艺方案，或者，也能够从其他装置通过例如专用线路随时传输使用。

控制器31、用户界面32和存储部33构成控制通过驱动部9a、9b进行的升降销8a、8b的升降的控制部，基座4、升降销8a、8b、驱动部9a、9b和控制部构成基板载置机构。

接着，说明一个实施方式的基板交接方法。

图4A～图4F是表示一个实施方式的基板交接方法的一个例子的概要截面图。

首先，通过图2所示的闸阀22开放搬入搬出口21，通过搬送臂40将基板G从搬入搬出口21搬入，搬送至基座4的上方。接着，使各升降销8a、8b上升并比搬送臂40更高地突出。由此，使基板G从搬送臂40上转移到升降销8a、8b上。其中，各升降销8a、8b以不与搬送臂40接触的方式配置。

此时，支承基板G的中央部的升降销8b的前端的位置，比支承基板G的周边边缘部的升降销8a的前端的位置低。例如，在图4A所示的例子中，升降销8b的前端距基板载置面4c的高度H_C，比升降销8a的前端距基板载置面4c的高度H_E低。这样，在基板载置面4c的上方，使基板G在向下弯曲为凸状的状态下，被各升降销8a、8b支承。

接着，不改变升降销8a、8b的前端的位置关系，使升降销8a、8b下降，按照升降销8b、升降销8a的顺序，缩回至基座4的基板载置面4c。由此，如图4B到图4C所示，基板G从该基板G的中央部向基板G的周边边缘部载置到基板载置面4c上。此时，由于基板G的负重均匀地分散到各升降销8a、8b，所以基板G因升降销8a、8b的支承反作用力导致的变形、特别是升降销8b导致的中央部的变形被抑制，能够在整个面或大致遍及整个面与基座4的基板载置面4c接触。

接着，通过闸阀22堵塞搬入搬出口21，在基座4上载置基板G后，打开静电吸盘41的开关44，从电源43对内部电极42施加直流电压，将基板G吸附在基座4上。与此同时，用排气装置20将腔室2内抽真空至规定的真空度。接着，通过质量流量控制器17对来自处理气体供给源18的处理气体用进行流量调整，并将该处理气体经由处理气体供给管15、气体导入口14和喷淋头11供给至腔室2内。接着，从高频电源25通过匹配器24对基座4施加高频电力，使作为下部电极的基座4与作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场而使腔室2内的处理气体等离子体化。对基板G，通过处理气体的等离子体，例如施加蚀刻处理（参照图4D）。

接着，在基板G的蚀刻处理结束后，关闭开关44，停止对内部电极42施加直流电压，解除静电吸盘41的吸附（参照图4E）。

接着，使升降销8a的前端距基板载置面4c的高度H_E与升降销8b的前端距基板载置面4c的高度H_C相同地分别从插通孔7a、7b突出，支承基板G使其从基板载置面4c脱离。之后，没有特别图示，将搬送臂40***基板G的下方，使升降销8a、8b下降。由此，通过将基板G从升降销8a、8b转移至搬送臂40上，完成基板G的交接。

若为这样的一个实施方式的基板交接方法，则当将基板G从升降销8a、8b对基板载置面4c交接时，使支承基板G的中央部的升降销8b的前端的高度H_C比支承基板G的周边边缘部的升降销8a的前端的高度H_E低。这样，基板G在因重力弯曲为朝向基板载置面4c突出的状态下被升降销8a、8b支承。由于基板G从基板载置面4c的中央部向周边边缘部载置，能够防止因支承基板中央部的升降销8b形成的基板中央部的凹陷残留而在基板G与基板载置面4c之间产生空间而产生基板G与基板载置面4c未接触的部分，能够使基板G在其整个面或遍及大致整个面与基板载置面4c均匀接触的状态下对基板载置面4c交接。

进而，当通过静电吸盘41解除吸附，将基板G从基板载置面4c对升降销8a、8b交接时，使支承基板G的中央部的升降销8b的前端的高度H_C和支承基板G的周边边缘部的升降销8a的前端的高度H_E相同。这样，基板G能够使基板G的整个面或大致整个面均等地从基板载置面4c脱离。因此，与通过升降销8a从基板G的周边边缘部分向中央部分从基板载置面4c脱离的情况相比，能够抑制与基板载置面4c的最终的接触面积局部变小。能够抑制最终的接触面积局部变小的结果，能够抑制基板G带电的电荷集中在接触部在基板G发生异常放电，特别是在最后与基板载置面4c接触而带电的电荷移动集中的基板G的中央部分发生异常放电。

因此，根据一个实施方式的基板交接方法，能够获得能够对具有可挠性的基板G以其与基座4的静电吸盘41均匀接触的方式载置，并且，解除静电吸盘41的吸附将基板G从基座4的静电吸盘41举起时，不容易在基板G发生异常放电的基板交接方法。

另外，当举起解除静电吸附后的基板G时发生异常放电的可能性，随着基板G的尺寸增大而提高。这是因为，基板G的尺寸越大，没有完全除去的电荷在基板G的背面存在的绝对量越多，电荷集中到最终接触部位时产生的电场越大。

例如，如示意地表示参考例的基板G的弯曲的示意图的图5所示，将基板G从周边边缘部分举起的情况下，基板G凹陷最深的中央部分的一个部位成为最终接触部位C。因此，如果存在没有完全除去而残留在基板G的正反面的残留电荷e、h的情况下，该残留电荷e、h移动并累积到最终接触部位C。可以预测如果最终接触部位C累积的残留电荷的绝对量多，成为足够放电的量，则大致会发生放电。

这一点，根据一个实施方式，如图6的示意图所示，使升降销8a、8b前端的高度相同地举起基板G。所以，基板G因升降销8a、8b的支承反作用力而在升降销8a与8b之间分别弯曲。即，在一个实施方式中，不是使基板G的一个部位弯曲，而是使基板G的多个部位弯曲。使基板G的多个部位弯曲的结果，最终接触部位C能够分散为多个部位。因此，假设即使在存在没有完全除去而残留的残留电荷的情况下，残留电荷也分散累积到多个最终接触部位C。能够将残留电荷累积的部位分散为多个的结果，最终接触部位C累积的残留电荷的绝对量与最终接触部位C是一个部位的情况相比能够减少。因此，根据一个实施方式，能够减少最终接触部位C累积的残留电荷的绝对量，将残留电荷的量达到足够放电的量的概率抑制得较低。

这样，即使存在有残留电荷的情况下，也能够使残留电荷分散到多个最终接触部位C的一个实施方式，可以认为基板G的尺寸越大，抑制异常放电的效果越高。基板G的尺寸只要是1320mm×1500mm以上就能够期待充分的效果。鉴于本发明的本质不特别存在尺寸的上限，而作为实施上的上限，根据该时代的基板G的制造技术以及等离子体处理技术等其他因素决定。

另外，如上所述，在现有技术中举起基板G时也通过使基板弯曲为向下突出地支承来防止基板的摇晃，因此，对基板G使升降销8a、8b的前端的高度相同地举起基板G时，与以使升降销8a的前端高度比升降销8b高的方式举起基板G的情况相比，将基板G从基板载置面4c举起时，存在基板G的摇晃增大的可能性。

这样的基板G的摇晃增大的可能性，能够通过将升降销8a、8b的上升速度抑制得较慢而消除。

以上，根据一个实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限于上述这一个实施方式，在不脱离发明要点的范围内能够进行各种变更。另外，关于本发明的实施方式，上述的一个实施方式并不是唯一的实施方式。

例如，在上述一个实施方式中，支承基板G的中央部的升降销8b设置有多根，例如图2所示的2根，但该升降销8b也可以为1根。

另外，在上述一个实施方式中，对应用于对下部电极施加高频电力的RIE型的电容耦合性平行平板等离子体蚀刻装置的例子进行了说明，但是不限于此，能够应用于灰化、CVD成膜等另外的等离子体处理装置，还能够应用于将基板载置到载置台进行处理的、等离子体处理装置以外的所有基板处理装置。

进而，在上述实施方式中对应用于FPD使用的玻璃基板的例子进行了说明，但还能够应用于FPD用的玻璃基板以外的具有可挠性的所有基板。

另外，能够进行各种变形。

Claims (2)

1.一种基板交接方法，其对于设置在对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内的、具备通过静电吸附来吸附所述基板的静电吸盘的载置台，交接所述基板，所述基板交接方法的特征在于：

所述载置台包括：

载置所述基板的基板载置面；

第一升降销，其能够相对于该基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的周缘部；和

第二升降销，其能够相对于所述基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的中央部，

所述基板交接方法包括：

基板载置工序，在所述基板载置面的上方，使由所述第一升降销和位于比所述第一升降销低的位置的第二升降销支承的所述基板下降，从所述基板的中央部将该基板载置到所述基板载置面；

利用所述静电吸盘吸附载置在所述基板载置面的所述基板，对所述基板进行等离子体处理的工序；和

基板脱离工序，在所述等离子体处理结束后，解除所述静电吸盘的吸附，使所述第一升降销与所述第二升降销为相同高度支承所述基板，使所述基板从所述基板载置面脱离。

2.如权利要求1所述的基板交接方法，其特征在于：

所述基板脱离工序，使所述第一升降销和所述第二升降销为相同高度，使具有所述可挠性的所述基板在多个部位向下突出地弯曲，使所述基板从所述基板载置面脱离。

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