CN102736475A - 发光设备、打印头及图像形成设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了发光设备、打印头和图像形成设备。发光设备包括多个发光芯片、第一导线、第二导线、第三导线、和第四导线。该多个发光芯片各自具有多个发光器件，并且这些发光芯片被分成多个芯片组，每个发光芯片中的发光器件都被分成多个器件组。第一导线将发送信号共同发送至各发光芯片。第二导线将第一选择信号共同发送至发光芯片的给定芯片组。第三导线将第二选择信号共同发送至器件组集合。第四导线向每个芯片组发送点亮控制信号。

Description

发光设备、打印头及图像形成设备
技术领域
本发明涉及发光设备、打印头及图像形成设备。
背景技术
在诸如打印机、复印机或传真机之类的电子照相图像形成设备中，以如下方式形成图像：通过利用光记录单元将图像信息照射到均匀带电的感光体上以获得静电潜像、向静电潜像添加调色剂使其可视、将静电潜像转印并定影在记录纸上。作为这样的光记录单元，除了利用激光器在主扫描方向上扫描激光来执行曝光的光学扫描***以外，近来为了满足设备小型化的要求而采用了利用LED打印头(LPH)的记录设备，其中LED打印头是通过在主扫描方向上布置多个发光二极管(LED)作为发光器件来提供的。
JP-A-2010-111085公开了一种相对于自扫描发光器件芯片减少了布线数量的结构，其中自扫描发光器件芯片使同一芯片内的各发光器件的点亮周期不重叠。
发明内容
本发明的一个目的是通过使用多个自扫描发光器件(SLED)芯片的LPH使得在同时点亮多个发光器件的同时，减少记录设备中的布线数量。
[1]根据本发明的一个方面，一种发光设备包括多个发光芯片、第一导线、第二导线、第三导线、和第四导线。该多个发光芯片各自具有多个发光器件，并且这些发光芯片被分成多个芯片组，每个发光芯片中的发光器件都被分成多个器件组。第一导线将发送信号共同发送至各发光芯片，以将每个发光芯片中的发光器件依次设置为点亮或不点亮控制对象。第二导线将第一选择信号共同发送至发光芯片的给定芯片组，以选择该给定芯片组作为每个发光芯片中的各发光器件都被基于发送信号设置为点亮或不点亮控制对象的周期内的点亮控制对象。第三导线将第二选择信号共同发送至一个器件组集合，以选择该器件组集合作为每个发光芯片中的各发光器件都被基于发送信号设置为点亮或不点亮控制对象的周期内的点亮控制对象。所述器件组集合包括属于芯片组之一的发光芯片中的发光器件的第一器件组、和属于其他芯片组的发光芯片中的发光器件的第二器件组。第四导线向每个芯片组发送点亮控制信号，以控制在基于发送信号将每个发光芯片中的各发光器件设置为点亮或不点亮控制对象的周期中使发光器件点亮的电力供给。
[2]在[1]的发光设备中，多个发光芯片中的每个发光芯片都包括多个发送器件和多个设置器件。该多个发送器件基于发送信号将各发光器件设置为控制对象。多个设置器件基于第一选择信号选择各发光芯片作为点亮对象。多个发光器件的每个发光器件被提供为对应于多个设置器件的每个设置器件。设置器件与对应于这些设置器件的发光器件的多个组合被提供为对应于多个发送器件中的各发送器件。针对发送器件选择并配置设置在多个发送器件中的各发送器件上的设置器件和对应于各设置器件的发光器件的多个组合中的每个器件组。
[3]在[2]的发光设备中，每个发光芯片还包括使能器件，其与用于每个器件组的设置器件并联连接。
[4]根据本发明的另一方面，一种打印头包括曝光单元，该曝光单元包括[1]的发光设备和光学单元，而该光学单元将由曝光单元辐射的光提供到图像载体上，以在该图像载体上形成静电潜像。
[5]根据本发明的另一方面，一种图像形成设备包括：图像载体；充电单元，其对图像载体进行充电；曝光单元，其包括[1]的发光设备；光学单元，其将由曝光单元辐射的光提供到图像载体上；显影单元，其对形成在图像载体上的静电潜像进行显影；以及转印单元，其将显影在图像载体上的图像转印到转印体上。
相比于未将发光芯片分成组和集合的情况，利用[1]的构造，可以同时点亮同一发光芯片内的多个发光器件，同时减少导线数量。
相比于未提供[2]的构造的情况，利用[2]的构造，可以降低将各发光器件设置为各发光器件的点亮或不点亮控制对象的驱动传送器件的电力。
相比于未提供[3]的构造的情况，利用[3]的构造，可以进行未选中发光芯片的点亮控制。
相比于未提供[4]的构造的情况，利用[4]的构造，可以缩小打印头的尺寸。
相比于未提供[5]的构造的情况，利用[5]的构造，可以进一步缩小图像形成设备的尺寸。
附图说明
下面将基于附图详细描述本发明的实施例，附图中：
图1是示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备的整体构造的实例的示意图；
图2是示出打印头的构造的截面视图；
图3是根据第一示例性实施例的发光设备的平面视图；
图4A和图4B是示出根据第一示例性实施例的发光芯片的构造、信号产生电路的构造、和电路板上的导线构造的示意图；
图5是示出根据第一示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片的电路构造的等效电路图；
图6A和图6B是根据第一示例性实施例的发光芯片的平面布局图和截面视图；
图7是示出根据第一示例性实施例的发光设备的发光芯片的操作的时序图；
图8A和图8B是示出根据第二示例性实施例的发光芯片的构造、信号产生电路的构造、和电路板上的导线构造的示意图；
图9是示出根据第二示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片的电路构造的等效电路图；
图10是示出根据第二示例性实施例的发光设备的发光芯片的操作的时序图；
图11是示出根据第三示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片的电路构造的等效电路图；
图12是示出根据第三示例性实施例的发光设备的发光芯片的操作的时序图；
图13A和图13B是示出根据第四示例性实施例的发光芯片的构造、信号产生电路的构造、和电路板上的导线构造的示意图；
图14是示出根据第四示例性实施例的发光芯片的电路构造的等效电路图；
图15是示出根据第四示例性实施例的发光设备的发光芯片的操作的时序图；
图16A和图16B是示出根据第五示例性实施例的发光芯片的构造、信号产生电路的构造、和电路板上的导线构造的示意图；
图17是示出根据第五示例性实施例的发光芯片的电路构造的等效电路图；以及
图18是示出根据第五示例性实施例的发光设备的发光芯片的操作的时序图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
[第一示例性实施例]
(图像形成设备1)
图1是示出应用了第一示例性实施例的图像形成设备1的整体构造的实例的示意图。图1所示的图像形成设备1是常称作串联式(tandem type)的图像形成设备。图像形成设备1包括：图像形成处理单元10，其根据各颜色的图像数据执行图像形成；图像输出控制单元30，其控制图像形成处理单元10；和图像处理单元40，其连接至例如个人计算机(PC)2以及图像读取设备3以对它们接收到的图像数据执行预定的图像处理。
图像形成处理单元10包括图像形成单元11，该图像形成单元11包括以预定的间隔平行排列的多个引擎。图像形成单元11包括四个图像形成单元11Y、11M、11C和11K。图像形成单元11Y、11M、11C和11K中的每一个都包括感光鼓12、充电器13、打印头14和显影器15，其中，感光鼓12作为通过形成静电潜像而保持调色剂图像的图像载体的一个实例，充电器13作为以预定电位对感光鼓12的表面进行充电的充电单元的一个实例，打印头14对由充电器13进行了充电的感光鼓12进行曝光，显影器15作为对通过打印头14获得的静电潜像进行显影的显影单元的一个实例。此处，除了放置在显影器15中的调色剂颜色不同以外，图像形成单元11Y、11M、11C和11K具有相同的构造。图像形成单元11Y、11M、11C和11K分别形成黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)和黑色(K)调色剂图像。
此外，为了将各图像形成单元11Y、11M、11C和11K的感光鼓12形成的各颜色的调色剂图像多重转印(multi-transfer)到记录纸(其为转印体的一个实例)上，图像形成处理单元10还包括传送记录纸的纸张传输带21、作为驱动纸张传输带21的辊的驱动辊22、作为将感光鼓12的调色剂图像转印到记录纸上的转印单元的一个实例的转印辊23、和将调色剂图像定影到记录纸上的定影器24。
在该图像形成设备1中，图像形成处理单元10基于由图像输出控制单元30提供的各种控制信号来执行图像形成操作。在图像输出控制单元30的控制下，由图像处理单元40对从个人计算机(PC)2或图像读取设备3接收到的图像数据进行处理，然后将得到的数据提供给图像形成单元11。然后，例如在黑色(K)图像形成单元11K中，在感光鼓12沿箭头A指示的方向转动的同时，由充电器13以预定电位对感光鼓12进行充电，然后由基于由图像处理单元40提供的图像数据而发光的打印头14对感光鼓12进行曝光。因此，在感光鼓12上形成了黑色(K)图像的静电潜像。之后，由显影器15对形成在感光鼓12上的静电潜像进行显影，从而在感光鼓12上形成了黑色(K)的调色剂图像。类似地，分别在图像形成单元11Y、11M和11C中形成黄色(Y)、品红色(M)和青色(C)的调色剂图像。
通过各图像形成单元11形成的感光鼓12上的各种颜色的调色剂图像通过施加至转印辊23的转印电场按照次序被静电转印到在沿箭头B所示方向运动的纸张传输带21的运动方向上提供的记录纸上，从而，在记录纸上形成了各种颜色的调色剂叠加的合成调色剂图像。
此后，静电转印了合成调色剂图像的记录纸被传输至定影器24。传输至定影器24的记录纸上的合成调色剂图像由定影器24通过进行利用加热和加压的定影处理而定影在记录纸上，然后记录纸从图像形成设备1排出。
(打印头14)
图2是示出打印头14的结构的截面视图。该打印头14包括外壳61、发光设备65、和棒状透镜阵列64，其中，发光设备65(作为曝光单元的一个实例)具有包括对感光鼓12进行曝光的多个发光器件(在该示例性实施例中为发光晶闸管)的光源单元63，而棒状透镜阵列64(作为光学单元的一个实例)将由光源单元63发出的光提供到感光鼓12的表面上。
发光设备65包括电路板62，其上安装有光源单元63、驱动光源单元63的信号产生电路110(见后面描述的图3)。在此情况下，发光设备65可不提供有信号产生电路110，但是发光设备65的外部图像输出控制单元30可以提供有信号产生电路110。在此情况下，由信号产生电路110提供给光源单元63的信号被通过线束等从图像输出控制单元30提供至发光设备65。下文中，将在假设发光设备65具有信号产生电路110的情况下进行说明。
外壳61例如由金属制成并且支撑电路板62和棒状透镜阵列64，并且外壳61被设置为使得光源单元63的发光器件的发光点与棒状透镜阵列64的焦平面重合。此外，棒状透镜阵列64沿感光鼓12的轴向(稍后描述的图3和图4B中的主扫描方向以及X轴方向)布置。
(发光设备65)
图3是根据第一示例性实施例的发光设备65的平面视图。
如图3所示，在根据该示例性实施例的发光设备65中，光源单元63通过在电路板62上沿主扫描方向在两行中以Z字形的方式布置20个发光芯片Ca1至Ca20(发光芯片组#a)和20个发光芯片Cb1至Cb20(发光芯片组#b)来构造。就是说，在该示例性实施例中，提供了两个发光组(发光芯片组#a和发光芯片组#b)。此处，发光芯片组可以简称为组。在此情况下，下面将描述发光芯片组#a和发光芯片组#b的相对(opposition)详情。
在说明书中，″～″表示以数字区分的多个组成元件，并包括″～″之前和之后出现的数字以及介于出现的数字之间的数字。例如，″Ca1～Ca20″包括按数字顺序的发光芯片Ca1至发光芯片Ca20。
发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20的构造可以相同。因此，在不对发光芯片Cb1至Cb20和发光芯片Ca1至发光芯片Ca20进行彼此区分时，将它们以发光芯片C表示。
在该示例性实施例中，发光芯片C的数量总共为40个，但是不限于此。
发光设备65具有安装于其上的用于驱动光源单元63的信号产生电路110。如上所述，发光设备65可以不具有安装于其上的信号产生电路110。
图4A和图4B是示出根据第一示例性实施例的发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造的示意图。具体的，图4A示出了发光芯片C的构造，而图4B示出了发光设备65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的导线构造。在该示例性实施例中，发光芯片C被分成两个发光芯片组(#a和#b)。
首先，将描述图4A所示的发光芯片C的构造。
发光芯片C具有发光单元102，其包括多个发光器件(在该实施例中为发光晶闸管L1，L2，L3…)，这些发光器件沿具有矩形表面形状的衬底80的长边而成行地安装在靠近该长边的一侧。此外，发光芯片C具有输入端子(端子Vga、端子φ1、端子φ2、端子φE、端子φWo、端子φWe、和端子φR)，这些端子是沿长边方向设置在衬底80的两个端部上的用于输入各种控制信号的多个接合焊盘。这些输入端子从衬底80的一个端部按照端子Vga、端子φ2、端子φWo、和端子φE的顺序、而从衬底80的另一个端部按照端子φR、端子φWe、和端子φ1的顺序进行安装。此外，发光单元102安装在端子φE和端子φ1之间。在衬底80的背面上，安装了背部电极85(见稍后描述的图6)作为端子Vsub。
在此情况下，如图4A所示，用语“成行”不限于多个发光器件以对齐方式布置的情形，而是可以为该多个发光器件的各发光器件相对于与行方向正交的方向具有不同的偏移量而进行布置的情况。例如，如果假设发光平面312(见稍后描述的图6)对应于一个像素，则各发光器件可以沿与行方向正交的方向具有大到几个像素或几十个像素的偏移量而进行布置。此外，发光器件可以与相邻的发光器件交错布置，或可以以Z字形布置。
接下来，参照图4B描述发光设备65的信号产生电路110的构造和电路板62上的导线构造。
如上所述，在发光设备65的电路板62上，安装有信号产生电路110和发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20)，并安装有用于连接信号产生电路110和发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20)的导线(线路)。
首先描述信号产生电路110的构造。
尽管未示出，但是处理后的图像数据和各种控制信号被从图像输出控制单元30和图像处理单元40(见图1)输入到信号产生电路110。信号产生电路110基于图像数据和各种控制信号替换图像数据或校正发光量。
此外，信号产生电路110包括：发送信号产生单元120a，其基于各种控制信号向发光芯片组#a(发光芯片Ca1至Ca20)发送第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a；以及发送信号产生单元120b，其向发光芯片组#b(发光芯片Cb1至Cb20)发送第一发送信号φ1b和第二发送信号φ2b。
此外，信号产生电路110包括：使能信号产生单元130a，其基于各种控制信号向发光芯片组#a(发光芯片Ca1至Ca20)发送使能信号φEa；以及使能信号产生单元130b，其向发光芯片组#b(发光芯片Cb1至Cb20)发送使能信号φEb。
此外，信号产生电路110包括：熄灭信号产生单元140a，其基于各种控制信号向发光芯片组#a(发光芯片Ca1至Ca20)发送熄灭信号φRa；以及熄灭信号产生单元140b，其向发光芯片组#b(发光芯片Cb1至Cb20)发送熄灭信号φRb。
此外，信号产生电路110包括设置信号产生单元150o，其基于各种控制信号向由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成的每个发光芯片集合发送设置信号φWo1至φWo20。以相同方式，信号产生电路110包括设置信号产生单元150e，其向由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成的每个发光芯片集合发送设置信号φWe1至φWe20。此处，发光芯片集合可以简称为集合。
例如，设置信号产生单元150o向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca1和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb1组成的发光芯片集合#1发送设置信号φWo1。此外，设置信号产生单元150o向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca2和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb2组成的发光芯片集合#2发送设置信号φWo2。以相同的方式，设置信号产生单元150o向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca20和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb20组成的发光芯片集合#20发送设置信号φWo20。
另一方面，设置信号产生单元150e向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca1和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb1组成的发光芯片集合#1发送设置信号φWe1。此外，设置信号产生单元150e向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca2和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb2组成的发光芯片集合#2发送设置信号φWe2。以相同的方式，设置信号产生单元150e向由属于发光芯片组#a的发光芯片Ca20和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb20组成的发光芯片集合#20发送设置信号φWe20。
此外，信号产生电路110包括：基准电位提供单元160，其提供成为发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20)中的电位基准的基准电位Vsub；以及电源电位提供单元170，其提供用于驱动发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20)的电源电位Vga。
如上所述，在图4中，单独示出了发送信号产生单元120a和发送信号产生单元120b。然而，它们可以统称为发送信号产生单元120。
以相同的方式，尽管单独示出了使能信号产生单元130a和使能信号产生单元130b，然而，它们可以统称为使能信号产生单元130。
以相同的方式，尽管单独示出了熄灭信号产生单元140a和熄灭信号产生单元140b，然而，它们可以统称为熄灭信号产生单元140。
此外，尽管单独示出了设置信号产生单元150o和设置信号产生单元150e，然而，它们可以统称为设置信号产生单元150。
此外，在不对第一发送信号φ1a和第一发送信号φ1b彼此进行区分的情况下，它们可以以第一发送信号φ1来表示，而在不对第二发送信号φ2a和第二发送信号φ2b彼此进行区分的情况下，它们可以以第二发送信号φ2来表示。此外，在不对第一发送信号φ1和第二发送信号φ2彼此进行区分的情况下，它们可以以发送信号来表示。以相同的方式，在不对使能信号φEa和使能信号φEb彼此进行区分的情况下，它们可以以使能信号φE来表示。在不对熄灭信号φRa和熄灭信号φRb彼此进行区分的情况下，它们可以以熄灭信号φR来表示。设置信号φWo1至φWo20以设置信号φWo表示，设置信号φWe1至φWe20以设置信号φWe表示。此外，在不对设置信号φWo和设置信号φWe彼此进行区分时，它们以设置信号φW表示。
使能信号φE是第一选择信号的一个实例，设置信号φW是第二选择信号的一个实例。
接下来，将描述发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20的布置。
属于发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20沿长边方向以预定间隔布置成一行。以相同的方式，属于发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20沿长边方向以预定间隔布置成一行。此外，属于发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20以旋转180°使得长边彼此面对的状态布置为Z字形，其中所述长边靠近安装在各发光芯片组中的发光单元102。此外，发光芯片C的位置被设置为使得发光器件沿主扫描方向以预定间隔布置在发光芯片C之间。在此情况下，图4A所示的发光单元102的各发光器件的排列方向(在该示例性实施例中，按发光晶闸管L1，L2，L3…的数字顺序)由图4B中的发光芯片Ca1，Ca2，Ca3，…和发光芯片Cb1，Cb2，Cb3，…中的箭头表示。
下面描述用于连接信号产生电路110和发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20和发光芯片Cb1至Cb20)的导线(线路)。
在电路板62上，安装了电源线200a，其连接至安装在发光芯片C的衬底80背面上的端子Vsub(见稍后描述的图6)，以从信号产生电路110的基准电位提供单元160接收基准电位Vsub。
此外，安装有电源线200b，其连接至安装在发光芯片C上的端子Vga，以从信号产生电路110的电源电位提供单元170接收用于电力供给的电源电位Vga。
此外，在电路板62上，安装有第一发送信号线201a和第二发送信号线202a，第一发送信号线201a用于将第一发送信号φ1a从信号产生电路110的发送信号产生单元120a发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20的端子φ1，第二发送信号线202a用于将第二发送信号φ2a发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20的端子φ2。第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a被共同(并行)发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20。
以相同的方式，安装有第一发送信号线201b和第二发送信号线202b，第一发送信号线201b用于将第一发送信号φ1b从信号产生电路110的发送信号产生单元120b发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20的端子φ1，第二发送信号线202b用于将第二发送信号φ2b发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20的端子φ2。第一发送信号φ1b和第二发送信号φ2b被共同(并行)发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20。
发送信号线201a、201b、202a、和202b是第一导线的实例。
此外，在电路板62上，安装有使能信号线203a，用于将使能信号φEa从信号产生电路110的使能信号产生单元130a发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20的端子φE。使能信号φEa被共同(并行)发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20。
以相同的方式，安装有使能信号线203b，用于将使能信号φEb从信号产生电路110的使能信号产生单元130b发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20的端子φE。使能信号φEb被共同(并行)发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20。
使能信号线203a和203b是第二导线的实例。
此外，在电路板62上，安装有熄灭信号线204a，用于将熄灭信号φRa从信号产生电路110的熄灭信号产生单元140a发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20的端子φR。熄灭信号φRa被共同(并行)发送至发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20。
以相同的方式，安装有熄灭信号线204b，用于将熄灭信号φRb从信号产生电路110的熄灭信号产生单元140b发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20的端子φR。熄灭信号φRb被共同(并行)发送至发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20。
熄灭信号线204a和204b是第四导线的实例。
此外，在电路板62上，安装有设置信号线205o1至205o20，用于将设置信号φWo1至φWo20从信号产生电路110的设置信号产生单元150o发送至每个发光芯片集合的发光芯片C的端子φWo，其中该发光芯片集合由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成。
此外，在电路板62上，安装有设置信号线205e1至205e20，用于将设置信号φWe1至φWe20从信号产生电路110的设置信号产生单元150e发送至每个发光芯片集合的发光芯片C的端子φWe，其中该发光芯片集合由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成。
在图4中，描述了设置信号线205o1至205o20和设置信号线205e1至205e20。
设置信号线205o1至205o20和设置信号线205e1至205e20是第三导线的实例。
例如，设置信号线205o1连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca1的端子φWo和发光芯片组#b的发光芯片Cb1的端子φWo，并将设置信号φWo1发送至由发光芯片Ca1和发光芯片Cb1组成的发光芯片集合#1。设置信号线205o2连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca2的端子φWo和发光芯片组#b的发光芯片Cb2的端子φWo，并将设置信号φWo2发送至由发光芯片Ca2和发光芯片Cb2组成的发光芯片集合#2。以相同的方式，设置信号线205o20连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca20的端子φWo和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb20的端子φWo，并将设置信号φWo20发送至由发光芯片Ca20和发光芯片Cb20组成的发光芯片集合#20。
以相同的方式，设置信号线205e1连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca1的端子φWe和发光芯片组#b的发光芯片Cb1的端子φWe，并将设置信号φWe1发送至由发光芯片Ca1和发光芯片Cb1组成的发光芯片集合#1。设置信号线205e2连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca2的端子φWe和发光芯片组#b的发光芯片Cb2的端子φWe，并将设置信号φWe2发送至由发光芯片Ca2和发光芯片Cb2组成的发光芯片集合#2。以相同的方式，设置信号线205e20连接至发光芯片组#a的发光芯片Ca20的端子φWe和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb20的端子φWe，并将设置信号φWe20发送至由发光芯片Ca20和发光芯片Cb20组成的发光芯片集合#20。
如上所述，基准电位Vsub和电源电位Vga被共同发送至电路板62上的全部发光芯片C。
此外，第一发送信号φ1a、第二发送信号φ2a、使能信号φEa、和熄灭信号φRa被共同发送至发光芯片组#a。此外，第一发送信号φ1b、第二发送信号φ2b、使能信号φEb、和熄灭信号φRb被共同发送至发光芯片组#b。
另一方面，设置信号φWo1至φWo20以及设置信号φWe1至φWe20被共同发送至各发光芯片集合#1至#20，每个发光芯片集合都由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成。
此处，将描述导线(线路)的数量。
在未应用本示例性实施例、且未将发光设备65的发光芯片C分成发光芯片组和发光芯片集合的情况下，为每个发光芯片C发送两个点亮信号φ1(在该示例性实施例中，对应于熄灭信号φR)，并且如果发光芯片C的数量被设置为40，则需要用于使发光晶闸管L点亮的80条点亮信号线(对应于图4中的熄灭信号线204a和204b)，以同时点亮每个发光芯片C的两个发光晶闸管L(稍后描述)。此外，需要第一发送信号线(对应于图4中的第一发送信号线201a和201b)、第二发送信号线(对应于图4中的第二发送信号线202a和202b)、和电源线200a和200b。因此，在发光设备65中，导线(线路)的数量变为84条。
此外，由于点亮信号线用于发送使发光晶闸管L点亮的电流，因此它们需要具有低电阻。因此，作为点亮信号线，需要具有大宽度的导线。由此，在未应用该示例性实施例的情况中，应该在发光设备65的电路板62上安装具有大宽度的多条导线，从而增大了电路板62的面积。
在该示例性实施例中，如图4A和图4B所示，如果发光芯片组的数量被设置为2，则需要10条信号线，包括第一发送信号线201a和201b、第二发送信号线202a和202b、使能信号线203a和203b、点亮信号线204a和204b、和电源线200a和200b。此外，需要40条设置信号线205o1至205o20和205e1至205e20。因此，根据该示例性实施例的发光设备65中的导线(线路)的数量变为50条。
因此，根据该示例性实施例的导线的数量变为未应用该示例性实施例情形中的导线数量的60％。
此外，在该示例性实施例中，由于通过电源线200a和200b向晶闸管L提供电流，以及通过使清除晶闸管TR1和TR2导通来设置熄灭信号线204a和204b，因此不需要低电阻和大宽度的导线。在该示例性实施例中，无需在电路板62上安装多条具有大宽度的导线，从而可以减小电路板62的面积。
图5是示出根据第一示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片C的电路构造的等效电路图。在图5中，除输入端子(端子Vga、端子φ1、端子φ2、端子φE、端子φWo、端子φWe、和端子φR)外，基于稍后描述的图6所示的发光芯片C上的布局布置稍后描述的各器件。
在此情况下，与图4A不同，为了便于进行说明，在附图的左侧示出了输入端子(端子Vga、端子φ1、端子φE、和端子φWo)，而在附图右侧示出了输入端子(端子φ2、端子φWe、和端子φR)。
如上所述，发光芯片C包括发光晶闸管列(发光单元102(见图4A))，其由作为在衬底80上成行布置的发光器件实例的发光晶闸管L1，L2，L3…组成。
此外，发光芯片C包括由发送晶闸管T1，T2，T3…(其为与发光晶闸管列以相同方式成行布置的发送器件的实例)组成的发送晶闸管列、和由设置晶闸管S1，S2，S3…(其为以相同方式成行布置的设置器件的实例)组成的设置晶闸管列。
此处，在不对发光晶闸管L1，L2，L3…进行彼此区分时，将其表示为发光晶闸管L。在不对发送晶闸管T1，T2，T3…进行彼此区分时，将其表示为发送晶闸管T。在不对设置晶闸管S1，S2，S3…进行彼此区分时，将其表示为设置晶闸管S。
此外，发光芯片C包括设置使能晶闸管TE1和TE2(其作为使能器件的实例)，并且还提供有熄灭晶闸管TR1和TR2。
在此情况中，上述晶闸管(发光晶闸管L、发送晶闸管T、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2)是具有阳极、阴极和栅极这三个端子的半导体器件。
此外，发光芯片C包括耦合二极管D1，D2，D3…，其中的每一个设置在发送晶闸管T1，T2，T3…中的每一对发送晶闸管之间。此外，分别在发送晶闸管T1，T2，T3…和设置晶闸管S1，S2，S3…之间设置连接电阻器Rx。此外，在设置晶闸管S1，S2，S3…和发光晶闸管L1，L2，L3…之间设置连接电阻器Ry。
此外，发光芯片C包括位于发光晶闸管L1，L2，L3…和稍后描述的电源线71之间的连接电阻器Rz。
此处，以与发光晶闸管L相同的方式，在不对耦合二极管D1，D2，D3…彼此进行区分时，将其表示为耦合二极管D。
此处，发光晶闸管列中的发光晶闸管L的数量可以预先确定。在第一示例性实施例中，发光晶闸管L的数量例如是512个，并且设置晶闸管S的数量也是512个。然而，发送晶闸管T的数量是发光晶闸管L或设置晶闸管S的数量的一半，即为256个。也就是说，在由一个发光晶闸管L和一个设置晶闸管S组成一对的情况中，一个发送晶闸管T提供有两对发光晶闸管L和设置晶闸管S。
在此情况中，耦合二极管D的数量是256个，该数量与发送晶闸管T的数量相同。连接电阻器Rx、Ry、或Rz的数量也是512个。
此外，发光芯片C包括一个启动二极管Ds。此外，发光芯片C包括限流电阻器R1和R2，用于防止过电流流入用于发送第一发送信号φ1的第一发送信号线72和用于发送第二发送信号φ2的第二发送信号线73。此外，发光芯片C包括限流电阻器RE、Rw1、Rw2、RR1、RR2、和Rt。
此外，发光芯片C包括限流电阻器R11、R12、R13、和R14，用于防止过电流流入用于向发光晶闸管L提供点亮电流的点亮信号线75-1和75-2.
在此情况中，发光晶闸管列的发光晶闸管L1，L2，L3…、发送晶闸管列的发送晶闸管T1，T2，T3…、设置晶闸管列的设置晶闸管S1，S2，S3…从图5的左侧开始按照数字顺序进行布置。此外，设置使能晶闸管TE1和TE2在设置晶闸管列外侧与设置晶闸管S1并联安装。此外，耦合二极管D1，D2，D3…从附图的左侧开始按其数字顺序进行布置。
此外，发光晶闸管列、发送晶闸管列、设置晶闸管列从图5的上侧开始按照发送晶闸管列、设置晶闸管列、和发光晶闸管列的顺序进行布置。
接下来，描述发光芯片C中的各器件的电气连接。发光晶闸管L、发送晶闸管T、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2的阳极端子连接至衬底80(共阳极)。
此外，这些阳极端子通过作为安装在衬底80背面上的背面电极85(见稍后描述的图6)的端子Vsub连接至电源线200a(见图4)。基准电位Vsub被从基准电位提供单元160提供给电源线200a。
奇数编号的发送晶闸管T1，T3…的阴极端子顺着发送晶闸管列连接至第一发送信号线72。此外，在发光芯片Ca1中，第一发送信号线72通过限流电阻器R1连接至作为第一发送信号φ1a的输入端子的端子φ1。该端子φ1连接至第一发送信号线201a(见图4)，且第一发送信号φ1a发送至端子φ1。
另一方面，偶数编号的发送晶闸管T2，T4…的阴极端子顺着发送晶闸管列连接至第二发送信号线73。此外，在发光芯片Ca1中，第二发送信号线73通过限流电阻器R2连接至作为第二发送信号φ2a的输入端子的端子φ2。该端子φ2连接至第二发送信号线202a(见图4)，且第二发送信号φ2a发送至端子φ2。
奇数编号的设置晶闸管S1，S3…和设置使能晶闸管TE1的阴极端子顺着设置晶闸管列连接至设置信号线74-1。此外，设置信号线74-1通过限流电阻器RW1连接至端子φWo。在发光芯片Ca1中，端子φWo连接至设置信号线205e1(见图4)，且设置信号φWo1发送至端子φWo。
偶数编号的设置晶闸管S2，S4…和设置使能晶闸管TE2的阴极端子顺着设置晶闸管列连接至设置信号线74-2。此外，设置信号线74-2通过限流电阻器RW2连接至端子φWe。在发光芯片Ca1中，端子φWe连接至设置信号线205e1(见图4)，且设置信号φWe1发送至端子φWe。
此外，设置使能晶闸管TE1的栅极端子Gte1和设置使能晶闸管TE2的栅极端子Gte2连接至使能信号线76。使能信号线76通过限流电阻器RE连接至端子φE。在发光芯片Ca1中，端子φE连接至使能信号线203a(见图4)，并且使能信号φEa发送至端子φE。
奇数编号的发光晶闸管L1，L3…和熄灭晶闸管TR1的栅极端子Gtr1顺着发光晶闸管列连接至点亮信号线75-1。此外，点亮信号线75-1的一端通过限流电阻器R11连接至电源线71，点亮信号线75-1的另一端通过限流电阻器R13连接至电源线71。
偶数编号的发光晶闸管L2，L4…和熄灭晶闸管TR2的栅极端子Gtr2顺着发光晶闸管列连接至点亮信号线75-2。此外，点亮信号线75-2的一端通过限流电阻器R12连接至电源线71，点亮信号线75-2的另一端通过限流电阻器R14连接至电源线71。
此外，熄灭晶闸管TR1的阴极端子通过限流电阻器RR1连接至熄灭信号线77，而熄灭晶闸管TR2的阴极端子通过限流电阻器RR2连接至熄灭信号线77。此外，熄灭信号线77连接至端子φR。在发光芯片Ca1中，端子φR连接至熄灭信号线204a(见图4)，并且熄灭信号φRa发送至端子φR。
发送晶闸管T的栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…通过连接电阻器Rx分别连接至具有编号n(n为大于等于1的整数)的发送晶闸管Tn的栅极端子Gtn、具有编号(2n-1)的设置晶闸管S2n-1的栅极端子Gs2n-1、以及具有编号2n的设置晶闸管S2n的栅极端子Gs2n。
另一方面，设置晶闸管S1，S2，S3…的各栅极端子Gs1，Gs2，Gs3，…分别通过连接电阻器Ry连接至具有相同编号的发光晶闸管L1，L2，L3…的栅极端子Gl1，Gl2，Gl3，…。
发光晶闸管L的栅极端子Gl通过对应于各发光晶闸管L安装的连接电阻器Rz连接至电源线71.
此处，在不对栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…、栅极端子Gs1，Gs2，Gs3，…、和栅极端子Gl1，Gl2，Gl3，…彼此进行区分时，可以将它们分别表示为栅极端子Gt、栅极端子Gs、和栅极端子Gl。
耦合二极管D1，D2，D3…按编号顺序连接在发送晶闸管T1，T2，T3…的各栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…的两对栅极端子之间。即，耦合二极管D1，D2，D3…串联连接为使得它们按顺序夹置在栅极端子Gt1，Gt2，Gt3，…之间。此外，耦合二极管D1连接在电流从栅极端子Gt1流向栅极端子Gt2的方向中。其他的耦合二极管D2，D3，D4，…以相同的方式连接。
在此情况中，耦合二极管D256的阳极端子连接至栅极端子Gt256，而耦合二极管D256的阴极端子通过限流电阻器Rt连接至电源线71.
此外，启动二极管Ds的阴极端子在发送晶闸管列的一侧连接至发送晶闸管T1的栅极端子Gt1，而启动二极管Ds的阳极端子连接至第二发送信号线73。
电源线71连接至端子Vga。端子Vga连接至电源线200b，并且电源电位Vga从电源电位提供单元170提供至端子Vga。
图6A和图6B是根据第一示例性实施例的发光芯片C的平面布局图和截面视图。图6A和图6B示出了图5所示的发光芯片C的左侧部分，即，发光晶闸管L1至L4、设置晶闸管S1至S4、以及发送晶闸管T1和T2周围的部分。因此，图6A和图6B未示出图5所示的发光芯片C的右侧部分，即，端子φ2、端子φWe、和端子φR周围的部分。
图6A是发光芯片C的平面布局示意图，图6B是沿图6A所示的线VIB-VIB取的截面图。因此，在图6B中，如从该图下部可以看到的，指示了发光晶闸管L1、连接电阻器Ry、设置晶闸管S1、连接电阻器Rx、耦合二极管D1、和发送晶闸管T1的截面。在图6A和图6B中，给出了重要器件或端子的名称。
在此情况下，在图6A中，以实线示出了连接各器件的导线。并且以黑圆点(·)示出了安装在各器件上的夹层绝缘膜上的开放通孔。此外，在图6B中，省略了夹层绝缘膜和导线的名称。
如图6B所示，发光芯片C通过在化合物半导体(例如，GaAs或GaAlAs)形式的p型衬底80上依次层叠p型第一半导体层81、n型第二半导体层82、p型第三半导体层83、和n型第四半导体层84来构造。此外，通过依次蚀刻p型第一半导体层81、n型第二半导体层82、p型第三半导体层83、和n型第四半导体层84，将上述器件安装在彼此分离的多个岛上(第一岛301至第十岛310以及未标记的各个岛)。
如图6A所示，第一岛301在平面中呈W形。发光晶闸管L1安装在构成W字符的左半个V形的中央部分中，而发光晶闸管L2安装在构成W字符的右半个V形的中央部分中。
除了设置晶闸管S1和设置晶闸管S2的位置彼此不同以外，上述左半个V形部分和右半个V形部分是两侧对称的。因此，将只描述左半个V形部分。
连接电阻器Rz安装在从左半个V形部分分支出来的一个部分中，而设置晶闸管S1和连接电阻器Rx和Ry安装在从左半个V形部分分支出来的另一部分中。
第二岛302在平面中呈矩形形状，并设置有发送晶闸管T1和耦合二极管D1。
第三岛303在平面中呈矩形形状，并设置有设置使能晶闸管TE1。第四岛304在平面中呈矩形形状，并设置有设置使能晶闸管TE2。第五岛305在平面中呈矩形形状，并设置有启动二极管Ds。
限流电阻器R1安装在第六岛306上，限流电阻器RW1安装在第七岛307上，限流电阻器RE安装在第八岛308上。限流电阻器R11安装在第九岛309上，并且限流电阻器R12安装在第十岛310上。这些岛都为矩形形状。
此外，在发光芯片C中，与第一岛301和第二岛302并行地安装与其等同的多个岛(未标记)。在这些岛上，以与第一岛301和第二岛302相同的方式安装了发光晶闸管L2，L3，L4，…、设置晶闸管S2，S3，S4，…、和发送晶闸管T2，T3，T4，…。将省略对其的描述。
此外，安装有和第三岛303和第四岛304相同的多个岛，并且安装有熄灭晶闸管TR1和TR2。此外，安装有和第六岛306、第七岛307、第九岛309、和第十岛310相同的多个岛，并且安装有限流电阻器R2、RW2、RR1、RR2、R13、R14。
此外，如图6B所示，在衬底80的背面上安装有作为端子Vsub的背部电极85。
此外，将参照图6A和图6B详细描述第一岛301至第十岛310。
安装在W形第一岛301的左侧的V形的中央部分中的发光晶闸管L1的阳极端子为p型衬底80上的p型第一半导体层81，其阴极为形成在n型第四半导体层84的区域111上的n型欧姆电极121，而其栅极端子Gl1为形成在通过移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极131。此外，光从n型第四半导体层84的区域111的除被n型欧姆电极121和点亮信号线75-1和75-2覆盖的部分以外的表面(发光表面312)发射。该情况下，P型欧姆电极131与区域111相邻安装，并且延伸到第一岛301的V形部分。
安装在第一岛301的右侧V形部分中的设置晶闸管S1的阳极端子为p型衬底80上的p型第一半导体层81，其阴极端子是形成在n型第四半导体层84的区域112上的n型欧姆电极122，以及其栅极端子Gs1是p型第三半导体层83。在此情况中，栅极端子Gs1未构造为独立的电极，而是延续至稍后描述的连接电阻器Rx和连接电阻器Ry的p型第三半导体层83(用作电阻器的层)。
以相同的方式，安装在第一岛301上的连接电阻器Rx具有对应于安装在p型第三半导体层83上的p型欧姆电极132和设置晶闸管S1之间的p型第三半导体层83的电阻。P型欧姆电极132安装在第一岛301的W形的中央部分中。连接电阻器Ry具有对应于设置晶闸管S1和p型欧姆电极131(栅极端子Gl1)之间的p型第三半导体层83的电阻。
此外，安装在第一岛301上的连接电阻器Rz具有对应于安装在p型第三半导体层83上的p型欧姆电极131(栅极端子Gl1)和p型欧姆电极133之间的p型第三半导体层83的电阻。P型欧姆电极133安装在从第一岛301的左半个V形部分分支出来的左部的前端。
安装在第二岛302上的耦合二极管D1的阴极端子为安装在n型第四半导体层84的区域113上的n型欧姆电极123，其阳极端子为安装在通过移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极134(栅极端子Gt1)。
以相同的方式，安装在第二岛302上的发光晶闸管T1的阳极端子为p型衬底80上的n型第四半导体层84，其阴极端子为形成在n型第四半导体层84的区域114上的n型欧姆电极124，以及其栅极端子Gt1为p型欧姆电极134。
在这种情况下，与第一岛301和第二岛302并行安装的其他各岛也是一样的。
安装在第三岛303上的设置使能晶闸管TE1的阳极端子为p型衬底80上的n型第四半导体层84，其阴极端子是形成在n型第四半导体层84的区域115上的n型欧姆电极125，以及其栅极端子Gte1为形成在通过移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极135。
安装在第四岛304上的设置使能晶闸管TE2的阳极端子为p型衬底80上的n型第四半导体层84，其阴极端子是形成在n型第四半导体层84的区域116上的n型欧姆电极126，以及其栅极端子Gte2为形成在通过移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极136。
安装在第五岛305上的启动二极管Ds的阴极端子是安装在n型第四半导体层84的区域117上的n型欧姆电极127，其阳极端子是形成在通过移除n型第四半导体层84而露出的p型第三半导体层83上的p型欧姆电极137。
安装在第六岛306上的限流电阻器R1、安装在第七岛307上的限流电阻器RW1、安装在第八岛308上的限流电阻器RE、安装在第九岛309上的限流电阻器R11、以及安装在第十岛310上的限流电阻器R12具有对应于形成在p型第三半导体层83上的一组p型欧姆电极(未标记)之间的p型第三半导体层83的电阻。
下面参照图6A来描述各器件之间的连接关系。
作为第一岛301的发光晶闸管L1的阴极端子的n型欧姆电极121连接至点亮信号线75-1。点亮信号线75-1通过安装在第九岛309上的限流电阻器R11连接至电源线71。其它奇数编号的发光晶闸管L3，…与此相同。
另一方面，作为安装在邻近第一岛301的岛上的偶数编号的发光晶闸管L2的阴极端子的n型欧姆电极(未标记)连接至点亮信号线75-2。点亮信号线75-2通过安装在第十岛310上的限流电阻器R12连接至电源线71。其它偶数编号的发光晶闸管L4，…与此相同。
作为第一岛301的设置晶闸管S1的阴极端子的n型欧姆电极122连接至设置信号线74-1。其它奇数编号的设置晶闸管S3，S5，…与此相同。此外，作为第三岛303的设置使能晶闸管TE1的阴极端子的n型欧姆电极125也连接至设置信号线74-1。设置信号线74-1通过安装在第七岛307上的限流电阻器RW1连接至端子φWo。
作为以与设置晶闸管S1相同的方式安装在第一岛301上的设置晶闸管S2的阴极端子的n型欧姆电极(未标记)连接至设置信号线74-2。其它偶数编号的设置晶闸管S4，S6，…与此相同。此外，作为第四岛304的设置使能晶闸管TE2的阴极端子的n型欧姆电极126也连接至设置信号线74-2。设置信号线74-2通过安装在岛(未示出)上的限流电阻器RW2连接至端子φWe(未示出)。
作为安装在第三岛303上的设置使能晶闸管TE1的栅极端子Gte1的p型欧姆电极135和作为安装在第四岛304上的设置使能晶闸管TE2的栅极端子Gte2的p型欧姆电极136连接至使能信号线76。使能信号线76通过安装在第八岛308上的限流电阻器RE连接至端子φE。
第一岛301的p型欧姆电极132连接至第二岛302的p型欧姆电极134(栅极端子Gt1)。第一岛301的P型欧姆电极133连接至电源线71。
等同于第一岛301和第二岛302且与第一岛301和第二岛302并行安装的各岛相同。电源线71连接至端子Vga。
第二岛302的p型欧姆电极134(栅极端子Gt1)连接至作为安装在第五岛305上的启动二极管Ds的阴极端子的n型欧姆电极127。
作为安装在第二岛302上的发送晶闸管T1的阴极端子的n型欧姆电极124连接至第一发送信号线72。第一发送信号线72通过安装在第六岛306上的限流电阻器R1连接至端子φ1。
与第二岛302并列安装的并且安装在与第二岛302相同的岛上的奇数编号的发送晶闸管T3，…与此相同。
与第二岛302并列安装的并且安装在与第二岛302相同的岛上的偶数编号的发送晶闸管T2，…的阴极端子连接至第二发送信号线73。作为安装在第五岛305上的启动二极管Ds的阳极端子的p型欧姆电极137也连接至第二发送信号线73。此外，第二发送信号线73通过安装在岛(未示出)上的限流电阻器R1连接至端子φ1(未示出)。
安装在第二岛302上的耦合二极管D1的阴极端子连接至作为安装在与相邻的第二岛302相同的岛上的发送晶闸管T2的栅极端子Gt2的p型欧姆电极138。甚至安装在与第二岛302并列的并与第二岛302相同的岛上的耦合二极管D2，…与此相同。
此外，尽管省略了描述，但是安装在与第三岛303和第四岛304相同的岛上的熄灭晶闸管TR1和TR2、甚至安装在与第六岛306、第七岛307、第九岛309、和第十岛310相同的岛上的限流电阻器R2、RW2、RR1、RR2、R13、和R14以相同的方式构造。
这样，构造了图5所示的发光芯片C。
接下来，将描述各晶闸管(发光晶闸管L、发送晶闸管T、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2)的基本操作。
<晶闸管的基本操作>
晶闸管是具有阳极端子、阴极端子和栅极端子这三个端子的半导体器件。
下文中，作为图5和图6A和图6B所示的实例，假设提供给发光芯片C的端子Vsub(晶闸管的阳极端子)的基准电位Vsub为高电平电位(下文中描述为″H″)的0V，而提供给端子Vga的电源电位Vga为低电平电位(下文中描述为″L″)的-3.3V。此外，如图6B所示，假设晶闸管通过层叠诸如GaAs、GaAlAs等的p型半导体层(第一半导体层81和第三半导体层83)、以及n型半导体层(第二半导体层82和第四半导体层84)构造，并且pn结的扩散电位(正向电位)Vd为1.5V。
在关断状态的晶闸管中，流过阳极端子和阴极端子之间的电流低于导通状态晶闸管的电流。如果向阴极端子施加小于阈值电压(绝对值较大的负电位)的电位，则关断状态的晶闸管改变为导通状态(导通)。如果晶闸管导通，则相比于晶闸管的关断状态，其处于有大电流流过阳极端子和阴极端子之间的状态。此处，晶闸管的阈值电压是通过从栅极端子的电位减去pn结的正向电位Vd得到的值。因此，如果晶闸管的栅极端子的电位为-1.5V，则阈值电压变为-3.0V。即，如果向阴极端子施加低于-3.0V的电位，则晶闸管导通。在此情况中，如果晶闸管的栅极端子的电位为0V，则阈值电压变为-1.5V。
导通状态的晶闸管的栅极端子具有接近晶闸管的阳极端子的电位的电位。此处，由于阳极端子被设置为″H″(0V)，因此将在假设栅极端子的电位变为″H″(0V)的情况下进行说明。此外，导通状态的晶闸管的阴极端子具有通过从阳极端子的电位减去pn结的正向电位Vd得到的电位。即，阴极端子的电位变为-1.5V。
一旦晶闸管导通，其就保持导通状态，直到阴极端子的电位变为高于保持导通状态所需的电位(保持电位)的电压(具有小绝对值的负电压、0电位或正电位)。导通状态的晶闸管的阴极端子的电位为-1.5V，并且如果向阴极端子持续施加低于-1.5V的电位，并提供可以保持导通状态的电流，则晶闸管保持导通状态。保持电位为-Vd(-1.5V)。
在这种情况中，如果向阴极端子施加高于-1.5V的电位，则晶闸管改变为关断状态(关断)。例如，如果阴极端子变为″H″(0V)，则阴极端子与阳极端子具有相同的电位，从而晶闸管关断。
此外，在导通状态中，晶闸管保持电流流通状态，并且根据栅极端子的电位，其不改变为关断状态。也就是说，晶闸管具有保持(存储或保留)导通状态的功能。
如上所述，施加至阴极端子以保持晶闸管的导通状态的电位可以低于施加至阴极端子用于使晶闸管导通的电位。
当发光晶闸管L导通时点亮(发光)，而在其关断时不点亮(不发光)。导通状态的发光晶闸管L的发光输出(发光量)由流经阴极端子和阳极端子之间的电流确定。在此情况中，发送晶闸管T、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、以及熄灭晶闸管TR1和TR2可以导通从而发光。由于在发光量大的情况下这些晶闸管对图像形成施加了影响，因此通过光屏蔽抑制了发光量。
(发光设备65的操作)
如上所述，第一发送信号φ1a、第二发送信号φ2a、使能信号φEa、和熄灭信号φRa被共同发送至发光芯片组#a。因此，发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20并行操作(同时操作)。此外，第一发送信号φ1b、第二发送信号φ2b、使能信号φEb、和熄灭信号φRb被共同发送至发光芯片组#b。因此，发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20并行操作(同时操作)。
另一方面，设置信号φWo1至φWo20和设置信号φWe1至φWe20被共同发送至发光芯片集合#1至#20，每个发光芯片集合都由属于发光芯片组#a的一个发光芯片C和属于发光芯片组#b的一个发光芯片C组成。相应地，发光芯片集合#1至#20并行操作(同时操作)。
如从上述内容看到的，如果说明了发光芯片集合#1(发光芯片Ca1和发光芯片Cb1)的操作就已足够了。
图7是示出根据第一示例性实施例的发光设备65的发光芯片C的操作的时序图。
在图7中，示出了用于说明发光设备65中的发光芯片集合#1(发光芯片Ca1和发光芯片Cb1)的操作的时序图。具体的，在图7中，示出了控制各发光芯片C中的发光晶闸管L1至L8的8个发光晶闸管L的点亮或不点亮的部分的时序图。下文中，将发光晶闸管L的点亮或不点亮控制称作“点亮控制”。
在发光芯片Ca1中，假设所有的发光晶闸管L1至L8都点亮。在发光芯片Cb1中，假设发光晶闸管L1至L3以及L5至L8点亮而发光晶闸管L4不点亮。
在图7中，发光芯片Ca1分为表示奇数编号的发光晶闸管L1，L3，L5，…的发光芯片Ca1(奇数)，和表示偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…的发光芯片Ca1(偶数)。发光芯片Cb1与此相同。
如后面所述，在第一示例性实施例中，偶数编号的发光晶闸管L和奇数编号的发光晶闸管L组成了个发光器件组，而各发光器件组的发光晶闸管L，即，一个奇数编号的发光晶闸管L和一个偶数编号的发光晶闸管L，形成一对，以对其执行点亮控制。
在图7中，假设时间按照字母顺序从时刻a经历到时刻y。在从时刻c到时刻p的周期Ta(1)内执行发光芯片组#a的发光芯片Ca1的发光晶闸管L1和L2的点亮控制。在从时刻p到时刻u的周期Ta(2)内执行发光芯片组#a的发光芯片Ca1的发光晶闸管L3和L4的点亮控制。在从时刻u到时刻w的周期Ta(3)内执行发光芯片组#a的发光芯片Ca1的发光晶闸管L5和L6的点亮控制。在从时刻w到时刻y的周期Ta(4)内执行发光芯片组#a的发光芯片Ca1的发光晶闸管L7和L8的点亮控制。下文中，与上述方式相同，对编号为大于等于9的发光晶闸管L执行点亮控制。
另一方面，在从时刻i到时刻r的周期Tb(1)内执行发光芯片组#b的发光芯片Cb1的发光晶闸管L1和L2的点亮控制。在从时刻r到时刻v的周期Tb(2)内执行发光芯片组#b的发光芯片Cb1的发光晶闸管L3和L4的点亮控制。在从时刻v到时刻x的周期Tb(3)内执行发光芯片组#b的发光芯片Cb1的发光晶闸管L5和L6的点亮控制。在时刻x以后的周期Ta(4)内执行发光芯片组#b的发光芯片Cb1的发光晶闸管L7和L8的点亮控制。
下文中，与上述方式相同，对编号为大于等于9的发光晶闸管L执行点亮控制。
在该示例性实施例中，周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…和周期Tb(1)，Tb(2)，Tb(3)，…具有相同的长度，并且在不进行区分时，可以将它们称作周期T。
在该示例性实施例中，对发光芯片组#a的发光芯片Ca1至Ca20进行控制的周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…、以及对发光芯片组#b的发光芯片Cb1至Cb20进行控制的周期Tb(1)，Tb(2)，Tb(3)，…彼此偏移半个周期T(180°相位)。即，周期Tb(1)在周期Ta(1)开始之后经过了半个周期T之后开始。
相应地，下面将描述对发光芯片组#a的发光芯片Ca1进行控制的周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…。
如果各信号间的相互关系如后所述得以保持，则可以改变周期T。
除了根据图像数据改变的设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20)，周期Ta(1)，Ta(2)，Ta(3)，…中的信号波形进行重复。
因此在下文中，仅描述从时刻a到时刻c的周期Ta(1)。在此情况中，从时刻a到时刻c的周期是其中发光芯片Ca1和发光芯片Cb1开始其操作的周期。该周期中的信号将在其操作的说明中描述。
下面描述周期Ta(1)中的第一发送信号φ1a、第二发送信号φ2a、使能信号φEa、和熄灭信号φRa的信号波形。
在时刻c处为″L″的第一发送信号φ1a在时刻n处从″L″改变为″H″，并在时刻p保持″H″。
在时刻c处为″H″的第二发送信号φ2a在时刻m处从″H″改变为″L″，并在时刻p保持″L″。
此处，比较第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a，周期Ta(1)中的第一发送信号φ1a的波形变为周期Ta(2)中的第二发送信号φ2a的波形。此外，周期Ta(1)中的第二发送信号φ2a的波形变为周期Ta(2)中的第一发送信号φ1a的波形。
也就是说，第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a是以周期T的两倍的周期(2T)为单位重复的信号波形。此外，这两个信号在诸如从时刻m到时刻n的周期(这两个信号都变为“L”的周期)期间交替地重复″H″和″L″。此外，除了从时刻a到时刻b的周期以外，第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a不具有它们同时变为″H″的周期。
通过一组第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a的发送信号，如图5所示的发送晶闸管T按如后所述的顺序变为导通状态，从而设置了作为点亮或不点亮的对象(其点亮受控)的发光晶闸管L。
在时刻c为″H″的使能信号φEa在时刻d从″H″改变为″L″，并且在时刻h从″L″改变为″H″。使能信号φEa在时刻p保持″H″。
如后所述，使能信号φEa将作为点亮或不点亮的对象(其点亮受控)的发光晶闸管L设置为点亮状态。
在时刻c为″H″的熄灭信号φRa在时刻o从″H″改变为″L″，并在时刻p从″L″改变为″H″。
如后所述，熄灭信号φRa是使处于点亮(发光)状态的发光晶闸管L熄灭的信号。
在时刻c处为″H″的设置信号φWo1在时刻e处从″H″改变为″L″，并在时刻f处从″L″改变为″H″。此外，设置信号φWo1在时刻k处从″H″改变为″L″，并在时刻l处从″L″改变为″H″。即，设置信号φWo1在周期Ta(1)中具有两个″L″周期。
此处，周期Ta(1)中的设置信号φWe1的波形等于设置信号φWo1的波形。
此外，考虑设置信号φWe1和φWo1与使能信号φEa之间的关系，设置信号φWe1和φWo1在从时刻e到时刻f的周期中为″L″，从时刻e到时刻f的周期包括在使能信号φEa为″L″的从时刻d到时刻h的周期内。
另一方面，考虑使能信号φEb与设置信号We1和φWo1之间的关系，设置信号We1和φWo1在从时刻k到时刻l的周期中为″L″，从时刻k到时刻l的周期包括在使能信号φEb为″L″的从时刻j到时刻o的周期内，其中使能信号φEb具有相对于使能信号φEa偏移了180°的相位。
就是说，在周期Ta(1)中，其中设置信号φWe1和Wo1最初为″L″的周期(从时刻e到时刻f)对应于使发光芯片Ca1的发光晶闸管L1和L2点亮(发光)的信号，设置信号φWo1后来变为″L″的周期(从时刻k到时刻l)对应于使发光芯片Cb1的发光晶闸管L1和L2点亮(发光)的信号。
由于此，使能信号φEa为″L″的周期(从时刻d到时刻h)被设置为不与设置信号φWe1和φWo1变为″L″的周期(从时刻k到时刻l)重叠，以使发光芯片Cb1的发光晶闸管L1点亮(发光)。以相同的方式，使能信号φEb为″L″的周期(从时刻j到时刻o)被设置为不与设置信号φWe1和φWo1变为″L″的周期(从时刻e到时刻f)重叠，以使发光芯片Ca1的发光晶闸管L1点亮(发光)。
如后所述，当使能信号φE(使能信号φEa和使能信号φEb)为″L″且设置信号φW(φWe和φWo)为″L″时，发光晶闸管L点亮(发光)。
现在，参照图4A、图4B和图5来根据图7所示的时序图描述发光设备65中的发光芯片C的操作。
(1)时刻a
下面将描述在时刻a开始向发光设备65提供基准电位Vsub和电源电位Vga时的状态(初始状态)。
<发光设备65>
在图7所示的时序图中时刻a处，电源线200a被设置为″H″(0V)的基准电位Vsub，而电源线200b被设置为″L″(-3.3V)的电源电位Vga(见图4)。相应的，所有发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20以及发光芯片Cb1至Cb20)的各端子Vsub均被设置为″H″，而各端子Vga均被设置为″L″(-3.3V)。在此情况中，连接至端子Vga的电源线71变为″L″。此外，通过限流电阻器R11和R13连接至电源线71的点亮信号线75-1变为″L″，并且通过限流电阻器R12和R14连接至电源线71的点亮信号线75-2变为″L″(见图5)。
此外，信号产生电路110的发送信号产生单元120a分别将第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a设置为″H″，并且发送信号产生单元120b分别将第一发送信号φ1b和第二发送信号φ2b设置为″H″。于是，第一发送信号线201a和201b和第二发送信号线202a和202b变为″H″(见图4)。相应的，发光芯片C(发光芯片Ca1至Ca20以及发光芯片Cb1至Cb20)的端子φ1和φ2变为″H″。通过限流电阻器R1连接至端子φ1第一发送信号线72变为″H″，并且通过限流电阻器R2连接至端子φ1第二发送信号线73也变为″H″(见图5)。
此外，信号产生电路110的使能信号产生单元130a将使能信号φEa设置为″H″，并且使能信号产生单元130b将使能信号φEb设置为″H″。于是，使能信号线203a和203b变为″H″(见图4)。相应的，发光芯片C的端子φE变为″H″(见图5)。
此外，信号产生电路110的熄灭信号产生单元140a将熄灭信号φRa设置为″H″，并且熄灭信号产生单元140b将熄灭信号φRb设置为″H″。于是，熄灭信号线204a和204b变为″H″(见图4)。相应的，发光芯片C的端子φR变为″H″。在此情况中，连接至端子φR的熄灭信号线77也变为″H″(见图5)。
信号产生电路110的设置信号产生单元150a分别将设置信号φWo1至φWo20设置为″H″，并且设置信号线205o1至205o20分别被设置为″H″。设置信号产生单元150b分别将设置信号φWe1至φWe20设置为″H″。于是，设置信号线205e1至205e20变为″H″(见图4)。相应的，发光芯片C的端子φWo和φWe变为″H″(见图5)。
发光芯片C的端子φWo通过限流电阻器RW1连接至设置信号线74-1。发光芯片C的端子φWe通过限流电阻器RW2连接至设置信号线74-2。相应的，设置信号线74-1和74-2也变为″H″(见图5)。
接下来，参照图5，将根据图7所示的时序图利用属于发光芯片集合#1的发光芯片Ca1和Cb1描述发光芯片C的操作。
在图7中以及在下面的说明中，假设各端子的电位以步进的方式改变。然而，各端子的电位是逐渐改变的。因此，如果在电位改变时满足下列的条件，则晶闸管改变其导通和关断状态。
<发光芯片Ca1>
由于发光晶闸管L、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2的阳极端子都连接至端子Vsub，因此它们分别被设置为″H″。
另一方面，奇数编号的发送晶闸管T1，T3，T5，…的各阴极端子连接至第一发送信号线72，从而被分别设置为″H″。偶数编号的发送晶闸管T2，T4，T6，…的各阴极端子连接至第二发送信号线73，从而被分别设置为″H″。因此，发送晶闸管T的所有阳极端子和阴极端子都变为″H″，从而发送晶闸管T处于关断状态。
以相同的方式，奇数编号的设置晶闸管S1，S3，S5，…和设置使能晶闸管TE1的各阴极端子连接至设置信号线74-1，从而被分别设置为″H″。偶数编号的设置晶闸管S2，S4，S6，…和设置使能晶闸管TE2的各阴极端子连接至设置信号线74-2，从而被分别设置为″H″。由于设置信号线74-1和74-2均为″H″，因此，设置晶闸管S和设置使能晶闸管TE1和TE2的阳极端子和阴极端子都为″H″，从而它们处于关断状态。
此外，奇数编号的发光晶闸管L1，L3，L5，…和熄灭晶闸管TR2的栅极端子Gtr2均连接至点亮信号线75-1，从而分别被设置为″L″(-3.3V)。偶数编号的发光晶闸管L2，L4，L6，…和熄灭晶闸管TR1的栅极端子Gtr1均连接至点亮信号线75-2，从而分别被设置为″L″(-3.3V).
因此，发光晶闸管L的所有阳极端子和阴极端子都变为″L″(-3.3V)。所有的熄灭晶闸管TR1和TR2都具有-4.8V的阈值电压。
设置使能晶闸管TE1的栅极端子Gte1和设置使能晶闸管TE2的栅极端子Gte2连接至使能信号线76，并被设置为″H″(0V)。因此，所有的设置使能晶闸管TE1和设置使能晶闸管TE2具有-1.5V的阈值电压。
熄灭晶闸管TR1的阴极端子通过限流电阻器RR1连接至熄灭信号线77，而熄灭晶闸管TR2的阴极端子通过限流电阻器RR2连接至熄灭信号线77。熄灭信号线77被设置为″H″。因此，熄灭晶闸管TR1和熄灭晶闸管TR2的阳极端子和阴极端子都为″H″，从而处于关断状态。
发送晶闸管T的栅极端子Gt通过连接电阻器Rx连接至设置晶闸管S的栅极端子Gs。设置晶闸管S的栅极端子Gs通过连接电阻器Ry连接至发光晶闸管L的栅极端子Gl。此外，发光晶闸管L的栅极端子Gl通过连接电阻器Rz连接至″L″(-3.3V)的电源线71。
也就是说，栅极端子Gt的电位和电源线71上的″L″(-3.3V)的电位被连接电阻器Rx、Ry、和Rz进行分压，从而将栅极端子Gs和栅极端子Gl设置为分压得到的电位。
在此情况中，相对于一个发送晶闸管T，连接了两对的设置晶闸管S和发光晶闸管L。
此处，假设连接电阻器Rx的电阻值Rx为2kΩ，连接电阻器Ry的电阻值Ry为16kΩ，而且连接电阻器Rz的电阻值Rz为6kΩ。在此情况中，如后所述，如果设置晶闸管S处于导通状态，则通过调制将连接电阻器Ry的电阻值Ry降低为约0.8kΩ。如果利用这些电阻值可以实现稍后描述的操作，则这就足够了，并且电阻值可以不同于上述的电阻值。
启动二极管Ds的阳极端子连接至为″H″(0V)的第二发送信号线73。启动二极管Ds的阴极端子通过连接电阻器Rx、Ry、和Rz连接至为″L″(-3.3V)的电源线71。因此，启动二极管Ds正向偏置(正偏)。相应的，启动二极管Ds的阴极端子(栅极端子Gt1)的电位变为通过从阳极端子的″H″(0V)减去pn结的正向电位Vd(1.5V)得到的-1.5V，并且发送晶闸管T1的阈值电压变为-3V。
因此，栅极端子Gs1和Gs2的电位变为-1.65V。因此，设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-3.15V。
此时，栅极端子Gl1和Gl2的电位变为-2.85V。相应的，发光晶闸管L1和L2的阈值电压变为-4.35V。此时，如上所述，点亮信号线75-1和75-2为低于发光晶闸管L1和L2的阈值电压的″L″(-3.3V)，从而发光晶闸管L1和L2不导通。
以相同的方式，耦合二极管D1正偏，从而耦合二极管D1的阴极端子(栅极端子Gt2)的电位变为-3V。
因此，栅极端子Gs3和Gs4的电位变为-3.02V，从而设置晶闸管S3和S4的阈值电压变为-4.52V。
另一方面，栅极端子Gl3和Gl4的电位变为-3.23V。相应的，发光晶闸管L3和L4的阈值电压变为-4.73V。
由于启动二极管Ds的阴极端子不受″H″(0V)的影响，因此发送晶闸管T(其编号大于等于3)的栅极端子Gt的电位变为″L″(-3.3V)。因此，发送晶闸管T(其编号大于等于3)的阈值电压变为-4.8V。
因此，发送晶闸管T(其编号大于等于5)的阈值电压、以及发光晶闸管L的栅极端子Gl的电位变为-3.3V。因此，设置晶闸管T(其编号大于等于5)以及发光晶闸管L的阈值电压变为-4.8V。
<发光芯片Cb1>
即使在发光芯片Cb1中，初始状态也与发光芯片Ca1的相同，因此省略其描述。
(2)时刻b
在图7所示的时刻b，被发送至发光芯片组#a的第一发送信号φ1a从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。因此，发光设备65进入操作状态。
<发光芯片Ca1>
具有-3V阈值电压的发送晶闸管T1导通。然而，由于具有发送晶闸管T3之后的较大编号的奇数编号的发送晶闸管T具有-4.8V的阈值电压，因此其不导通。
如果发送晶闸管T1导通，则栅极端子Gt1的电位变为阳极端子的″H″(0V)。于是，栅极端子Gt2的电位由于正偏的耦合二极管D1而变为-1.5V。因此，发送晶闸管T2的阈值电压变为-3V。通过耦合二极管D2连接至发送晶闸管T2的栅极端子Gt2的栅极端子Gt3的电位变为-3V。相应的，发送晶闸管T3的阈值电压变为-4.5V。发送晶闸管T(其编号大于等于4)保持-4.8V的阈值电压。
此外，发送晶闸管T1的阴极端子(图5中的第一发送信号线72)的电位变为通过从发送晶闸管T1的阳极端子的″H″(0V)减去pn结的正向电位Vd(1.5V)得到的-1.5V。
另一方面，如果发送晶闸管T1导通且栅极端子Gt1的电位变为″H″(0V)，则栅极端子Gs1和Gs2的电位变为-0.27V，从而设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-1.77V。此外，栅极端子Gl1和Gl2的电位变为-2.48V，从而发光晶闸管L1和L2的阈值电压变为-3.98V。在此情况中，尽管点亮信号线75-1和75-2变为″L″(-3.3V)，但是该电位低于阈值电压，从而发光晶闸管L1和L2不导通。
此外，如果栅极端子Gt2的电位变为-1.5V，则栅极端子Gs3和Gs4的电位变为-1.65V，从而设置晶闸管S3和S4的阈值电压变为-3.15V。此外，栅极端子Gl3和Gl4的电位变为-2.85V，从而发光晶闸管L3和L4的阈值电压变为-4.35V。
此外，如果栅极端子Gt3的电位变为-3V，则栅极端子Gs5和Gs6的电位变为-3.02V，从而设置晶闸管S5和S6的阈值电压变为-4.52V。此外，栅极端子Gl5和Gl6的电位变为-3.23V，从而发光晶闸管L3和L4的阈值电压变为-4.73V。
如上所述，如果栅极端子Gt的电位改变，则栅极端子Gs和Gl的电位改变，从而设置晶闸管S和发光晶闸管L的阈值电压改变。
下文中，只描述与导通或关断有关的晶闸管。
也就是说，在时刻b，只有发送晶闸管T1导通。恰在时刻b(此处，晶闸管在由于信号电位在时刻b的改变导致晶闸管改变之后而返回正常状态时)之后，晶闸管T1处于导通状态。其他的发送晶闸管T、设置晶闸管S、发光晶闸管L、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2处于关断状态。
下文中，只描述处于导通状态的晶闸管(发送晶闸管T、设置晶闸管S、发光晶闸管L、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至属于发光芯片Cb1的发光芯片组#b的信号未改变，因此发光芯片Cb1保持其初始状态。
(3)时刻c
时刻c是周期Ta(1)的开始时刻。因此发生了信号改变。
(4)时刻d
在时刻d，发送至发光芯片组#a的使能信号φEa从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
使能信号线76通过限流电阻器RE变为″L″(-3.3V)。于是，连接至使能信号线76的栅极端子Gte1和Gte2的电位变为″L″(-3.3V)。于是，设置使能晶闸管TE1和TE2的阈值电压从-1.5V改变为-4.8V。
恰在时刻d后，发送晶闸管T1处于导通状态。
<发光芯片Cb1>
由于发送至属于发光芯片Cb1的发光芯片组#b的信号未改变，因此发光芯片Cb1保持其初始状态。
(5)时刻e
在时刻e，发送至发光芯片组#a和发光芯片集合#1(发光芯片组#b的发光芯片Cb1属于的发光芯片集合)的发光芯片Ca1的设置信号φWo1和φWe1从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
设置信号线74-1的电位通过限流电阻器RW1变为″L″(-3.3V)。在此时刻，由于设置晶闸管S1和S2(其阴极端子连接至设置信号线74-1)的阈值电压被设置-1.77V，因此设置晶闸管S1和S2导通。
于是，栅极端子Gs1和Gs2的电位变为0V。相应的，栅极端子Gl1和Gl2的电位变为一个值，该值是利用通过连接电阻器Ry和连接电阻器Rz对栅极端子Gs1和Gs2的电位(0V)和电源线71的电位(Vga(″L″(-3.3V)))之间的差电位进行分压而得到的。在此时刻，由于设置晶闸管S处于导通状态，因此连接电阻器Ry的电阻变为约0.8kΩ。因此，栅极端子Gl1和Gl2的电位变为-0.39V。因此，发光晶闸管L1和L2的阈值电压变为-1.89V。
由于连接至发光晶闸管L1的阴极端子的点亮信号线75-1和连接至发光晶闸管L2的阴极端子的点亮信号线75-2分别具有电源电位Vga(″L″(-3.3V))，因此发光晶闸管L1和L2导通(在图7中，Ca1(奇数)和Ca1(偶数))。因此，点亮信号线75-1和75-2的电位变为通过从发光晶闸管L1和L2的阳极端子的电位减去pn结的正向电位Vd得到的-1.5V。
因此，熄灭晶闸管TR1和TR2的栅极端子Gtr1和Gtr2的电位变为-1.5V，从而熄灭晶闸管TR1和TR2的阈值电压变为-3V。
此时，设置信号φWo1和设置信号φWe1在时刻e同时从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。设置信号φWo1和设置信号φWe1从″H″到″L″的改变可以不同时执行。即使设置信号φWo1先于设置信号φWe1从″H″改变为″L″，从而点亮信号线75-1的电位变为-1.5V，但是点亮信号线75-1通过限流电阻器R11和R12连接至电源线71，从而点亮信号线75-1的电位通过限流电阻器R11和R12连接至电源线71，并且因此点亮信号线75-2的电位保持电源电位Vga(″L″(-3.3V))。相应的，即使设置信号φWe1在设置信号φWo1之后从″H″改变为″L″，但是发光晶闸管L2也导通。从而，点亮信号线75-2的电位变为-1.5V。
因此，恰在时刻e后，发光晶闸管L1和L2在发送晶闸管T1和设置晶闸管S1和S2导通的状态下而导通。即，在发光芯片Ca1中，两个发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于设置使能晶闸管TE1和TE2的阈值电压为-1.5V，因此设置信号φWo1从″H″改变为″L″，并且如果设置信号线74-1和74-2的电位从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，则设置使能晶闸管TE1和TE2导通。此外，设置信号线74-1和74-2的电位变为-1.5V。
(6)时刻f
在时刻f，发送至发光芯片组#a和发光芯片集合#1(发光芯片组#b的发光芯片Cb1属于发光芯片集合#1)的发光芯片Ca1的设置信号φWo1和设置信号φWe1从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
设置信号线74-1和74-2的电位变为″H″，而设置晶闸管S1和S2的全部阴极端子和阳极端子都变为″H″，从而使设置晶闸管S1和S2关断。
然而，导通状态的发光晶闸管L1和L2保持导通状态，从而栅极端子Gl1和Gl2的电位变为0V。此外，由于发送晶闸管T1处于导通状态，因此栅极端子Gt1的电位变为0V。因此，分别通过连接电阻器Rx和连接电阻器Ry连接至栅极端子Gt1和栅极端子Gl1和Gl2的栅极端子Gs1和Gs2的电位也变为0V，从而设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-1.5V。
恰在时刻f后，发送晶闸管T1处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
设置信号线74-1和74-2的电位变为″H″，从而设置使能晶闸管TE1和TE2的阴极端子和阳极端子全部变为″H″，从而使设置使能晶闸管TE1和TE2关断。
(7)时刻g
在时刻g，发送至发光芯片组#b的第一发送信号φ1b从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
由于发送至发光芯片Ca1所属的发光芯片组#a的信号未改变，因此保持时刻f之后的状态。
<发光芯片Cb1>
发光芯片Cb1的操作与发光芯片Ca1在时刻b的操作相同。即，发送晶闸管T1导通。因此，设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-1.77V。此外，第一发送信号线72的电位变为-1.5V。
即，发光芯片Cb1在改变时刻(相位改变180°的状态)以与发光芯片Ca1相同的方式操作。
(8)时刻h
在时刻h，发送至发光芯片组#a的使能信号φEa从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
使能信号线76的电位变为0V，从而设置使能晶闸管TE1和TE2的栅极端子Gte1和Gte2的电位变为0V。因此，设置使能晶闸管TE1和TE2的阈值电压变为-1.5V。
恰在时刻h后，发送晶闸管T1处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此保持了时刻g之后的状态。
(9)时刻i
在时刻i，开始周期Tb(1)。没有发生信号改变。
(10)时刻j
在时刻j，发送至发光芯片组#b的使能信号φEb从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
由于发送至发光芯片Ca1所属的发光芯片组#a的信号未改变，因此保持了时刻h之后的状态。
<发光芯片Cb1>
由于发光芯片Cb1的操作与发光芯片Ca1在时刻d的操作相同，因此将省略其详细描述。
恰在时刻j后，发送晶闸管T1处于导通状态。
(11)时刻k
在时刻k，发送至发光芯片组#a和发光芯片集合#1(发光芯片组#b的发光芯片Cb1属于发光芯片集合#1)的发光芯片Ca1的设置信号φWo1和φWe1从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
设置信号线74-1和74-2的电位通过限流电阻器RW1和RW2从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。于是，由于阈值电压在时刻h变为-1.5V，因此其阴极端子连接至设置信号线74-1和74-2的设置使能晶闸管TE1和TE2导通。
在此情况中，如上所述，由于发光晶闸管L1和L2处于导通状态，因此设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-1.5V。相应的，设置晶闸管S1可以代替设置使能晶闸管TE1导通。以相同的方式，设置晶闸管S2可以代替使能晶闸管TE2导通。由于发光晶闸管L1处于导通状态，因此设置晶闸管S1导通也没有关系。以相同的方式，由于发光晶闸管L2处于导通状态，因此设置晶闸管S2导通也没有关系。
恰在时刻k后，发送晶闸管T1、设置使能晶闸管TE1(和/或设置晶闸管S1)、和设置使能晶闸管TE2(和/或设置晶闸管S2)处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
以与时刻e的发光芯片Ca1相同的方式，设置晶闸管S1和S2导通，于是发光晶闸管L1和L2点亮(发光)(图7中的Cb1(奇数)、Cb1(偶数))。
恰在时刻k后，发送晶闸管T1、设置晶闸管S1和S2处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2点亮(发光)。即，在发光芯片Cb1中，两个发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
(12)时刻l
在时刻l，发送至发光芯片组#a和发光芯片集合#1(发光芯片组#b的发光芯片Cb1属于发光芯片集合#1)的发光芯片Ca1的设置信号φWe1从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
由于设置信号线74-1和74-2的电位变为″H″，从而导通状态的设置使能晶闸管TE1(和/或设置晶闸管S1)、和设置使能晶闸管TE2(和/或设置晶闸管S2)都变为″H″，使得它们关断。
然而，导通状态的发光晶闸管L1和L2保持导通状态。此外，设置晶闸管S1和S2的阈值电压变为-1.5V。
恰在时刻l之后，发送晶闸管T1处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
以与发光芯片Ca1在时刻f的操作相同的方式，设置信号线74-1和74-2的电位从″L″改变为″H″，从而设置晶闸管S1和S2关断。
恰在时刻l后，发送晶闸管T1处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
(13)时刻m
在时刻m，发送至发光芯片组#a的第二发送信号φ2a从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
阈值电压为-3V的发送晶闸管T2导通。然而，编号大于等于4的偶数编号的发送晶闸管T由于阈值电压为-4.8V而不能导通。
如果发送晶闸管T2导通，则栅极端子Gt2变为″H″(0V)。于是，通过耦合二极管D2连接至发送晶闸管T2的栅极端子Gt2的栅极端子Gt3的电位变为-1.5V。相应的，发送晶闸管T3的阈值电压变为-3V。
于是，第二发送信号线73变为-1.5V。
另一方面，如果发送晶闸管T2导通，从而栅极端子Gt2变为″H″(0V)，则栅极端子Gs3和Gs4的电位变为-0.27V，从而设置晶闸管S3和S4的阈值电压变为-1.77V。于是，栅极端子Gl3和Gl4的电位变为-2.48V，从而发光晶闸管L3和L4的阈值电压变为-3.98V。
恰在时刻m之后，发送晶闸管T1和发送晶闸管T2处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此保持了时刻l之后的状态。
(14)时刻n
在时刻n，发送至发光芯片组#a的第一发送信号φ1a从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
由于阴极端子和阳极端子都变为″H″，因此导通状态的发送晶闸管T1关断。此时，发光晶闸管L1和L2处于导通状态，从而栅极端子Gl1的电位保持0V。相应的，发送晶闸管T1的阈值电压保持-1.5V。
恰在时刻n后，发送晶闸管T2处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2同时点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此保持了时刻l之后的状态。
(15)时刻o
在时刻o，发送至发光芯片组#a的熄灭信号φRa从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。此外，发送至发光芯片组#b的使能信号φEb从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
如果熄灭信号φRa从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，则熄灭信号线77变为″L″(-3.3V)。于是，其阈值在时刻e变为-3V的熄灭晶闸管TR1和TR2都导通。此时，即使熄灭晶闸管TR1和TR2中的任意一个首先导通，并且阴极端子变为-1.5V，则端子φR的电位通过限流电阻器RR1和RR2而保持″L″(-3.3V)。因此，熄灭晶闸管TR1和TR2都导通。
于是，熄灭晶闸管TR1和TR2的栅极端子Gtr1和Gtr2的电位变为0V，从而点亮信号线75-1和75-2的电位变为″H″(0V)。
因此，发光晶闸管L1和L2的阳极端子和阴极端子的电位全部变为″H″(0V)，从而发光晶闸管L1和L2关断。
因此，发光晶闸管L1的栅极端子Gt1和发光晶闸管L2的栅极端子Gt2不能保持″H″(0V)。由于发送晶闸管T1、设置晶闸管S1、和设置晶闸管S2处于关断状态，因此栅极端子Gl1、Gl2、Gs1、Gs2、和Gt1变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))。相应的，发光晶闸管L1和L2、设置晶闸管S1和S2、以及发送晶闸管T1各自的阈值电压变为-4.8V。
即，发光芯片Ca1的发光晶闸管L1在设置信号φWo1于时刻e从″H″改变为″L″时点亮(发光)，并且在熄灭信号φRa于时刻o从″L″改变为″H″时熄灭(不发光)。从时刻e到时刻o的期间对应于发光芯片Ca1的发光晶闸管L1的点亮(发光)周期。
此外，发光芯片Ca1的发光晶闸管L2在设置信号φWe1于时刻e从″H″改变为″L″时点亮(发光)，并且在熄灭信号φRa于时刻o从″L″改变为″H″时熄灭(不发光)。从时刻e到时刻o的期间对应于发光芯片Ca1的发光晶闸管L1的点亮(发光)周期。
恰在时刻o之后，发送晶闸管T2和熄灭晶闸管TR1和TR2处于导通状态。
<发光芯片Cb1>
如果发送至发光芯片组#b的使能信号φEb从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)，则以与发光芯片Ca1中的时刻h相同的方式，使能信号线76的电位变为0V，从而设置使能晶闸管TE1和TE2的栅极端子Gte1和Gte2的电位变为0V。此外，设置使能晶闸管TE1和TE2的阈值电压变为-1.5V。
恰在时刻o之后，发送晶闸管T1处于导通状态，从而发光晶闸管L1和L2点亮(发光)。
在此情况中，在该示例性实施例中，在时刻o，发送至发光芯片组#a的熄灭信号φRa从″L″改变为″H″，并且发送至发光芯片组#b的使能信号φEb从″L″改变为″H″。然而，无需同时执行上述改变，而是可以首先执行其中任意一个。
(16)时刻p
在时刻p，发送至发光芯片组#a的熄灭信号φRa从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
由于熄灭晶闸管TR1和TR2的阳极端子和阴极端子的电位全都变为″H″(0V)，因此熄灭晶闸管TR1和TR2关断。于是，栅极端子Gtr1和Gtr2的电位不变为0V，并且点亮信号线75-1和75-2的电位变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))。
从时刻p起，进入了发光晶闸管L2的点亮控制周期Ta(2)。
由于第一发送信号φ1a和第二发送信号φ2a在包括周期Ta(1)和Ta(2)的周期内改变，因此它们的信号波形彼此不同，但是发光芯片Ca1的操作变为对从时刻c到时刻p的周期Ta(1)的重复。因此，在周期Ta(2)中，除了第一发送信号φ1a、第二发送信号φ2a、和与这些信号相关的发送晶闸管T的说明以外，将省略发光芯片Ca1的操作的说明。
在时刻p，发送晶闸管T2处于导通状态。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此保持了时刻o之后的状态。
(17)时刻q
在时刻q，发送至发光芯片组#a的使能信号φEa从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。此外，发送至发光芯片组#b的熄灭信号φRb从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
由于操作与时刻h的操作相同，因此省略其描述。
恰在时刻q之后，发送晶闸管T2处于导通状态，从而发光晶闸管L3和L4点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
以与发光芯片Ca1在时刻o的操作相同的方式，如果熄灭信号φRb从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，则导通状态的发光晶闸管L1和L2的阴极端子和阳极端子全都变为″H″，从而发光晶闸管L1和L2关断。
即，发光芯片Cb1的发光晶闸管L1在设置信号φWo1在时刻k从″H″改变为″L″时点亮(发光)，并且在熄灭信号φRb于时刻q从″L″改变为″H″时熄灭(不发光)。从时刻k至时刻q的期间对应于发光芯片Cb1的发光晶闸管L1的点亮(发光)周期。
发光芯片Cb1的发光晶闸管L2在设置信号φWe1在时刻k从″H″改变为″L″时点亮(发光)，并且在熄灭信号φRb于时刻q从″L″改变为″H″时熄灭(不发光)。从时刻k至时刻q的期间对应于发光芯片Cb1的发光晶闸管L2的点亮(发光)周期。
恰在时刻q之后，发送晶闸管T2和熄灭晶闸管TR1和TR2处于导通状态。
(18)时刻r
在时刻r，发送至发光芯片组#b的熄灭信号φRb从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
由于发送至发光芯片Ca1所属的发光芯片组#a的信号未改变，因此保持了时刻q之后的状态。
<发光芯片Cb1>
以与发光芯片Ca1在时刻p的操作相同的方式，导通状态的熄灭晶闸管TR1和TR2关断。此外，点亮信号线75-1和75-2的电位变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))。由于任意发光晶闸管L的阈值电压都低于-3.3V，因此发光晶闸管L不导通。
恰在时刻r之后，发送晶闸管T2处于导通状态。
在时刻r，用于控制发光芯片组#b的发光晶闸管L1的周期Tb(1)结束。
(19)时刻s
在时刻s，发送至发光芯片Ca1所属的发光芯片组#a的第一发送信号φ1a从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。
<发光芯片Ca1>
阈值电压为-3V的发光晶闸管T3导通。因此，栅极端子Gt3变为″H″(0V)。此外，栅极端子Gt4的电位变为-1.5V，并且发送晶闸管T4的阈值电压变为-3V。
恰在时刻s之后，发送晶闸管T2和T3处于导通状态，从而发光晶闸管L3和L4点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此未发生状态改变。
恰在时刻s之后，发送晶闸管T2处于导通状态，从而发光晶闸管L3点亮(发光)。在此情况中，发光晶闸管L4保持关断状态。这将在稍后描述。
(20)时刻t
在时刻t，发送至发光芯片Ca1所属的发光芯片组#a的第二发送信号φ2a从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
<发光芯片Ca1>
由于阳极端子和阴极端子都变为″H″，因此导通状态的发送晶闸管T2关断。
恰在时刻t之后，发送晶闸管T3处于导通状态，从而发光晶闸管L3和L4点亮(发光)。
<发光芯片Cb1>
由于发送至发光芯片Cb1所属的发光芯片组#b的信号未改变，因此未发生状态改变。
恰在时刻t之后，发送晶闸管T2处于导通状态，从而发光晶闸管L3点亮(发光)。
(21)其他
在时刻u，用于控制发光芯片Ca1的发光晶闸管L3和L4的周期Ta(2)结束。在时刻v，用于控制发光芯片Cb1的发光晶闸管L3和L4的周期Tb(2)结束。在时刻w，用于控制发光芯片Ca1的发光晶闸管L5和L6的周期Ta(3)结束。在时刻x，用于控制发光芯片Cb1的发光晶闸管L5和L6的周期Tb(3)结束。此外，在时刻y，用于控制发光芯片Ca1的发光晶闸管L7和L8的周期Ta(4)结束。下文中，以相同的方式，执行发光芯片C的所有发光晶闸管L的点亮控制。
下面集中描述上述发光芯片C的操作。
首先，将描述发送晶闸管T的操作。
在第一示例性实施例中，在发光芯片C中，发送晶闸管T的导通状态通过两相发送信号(第一发送信号φ1和第二发送信号φ2)顺序改变。
即，如果两相发送信号之一该变为″L″(-3.3V)，则通过阴极端子向其发送了一个发送信号的编号为n的发送晶闸管Tn处于导通状态，且其栅极端子Gtn变为″H″(0V)。连接至通过正偏的耦合二极管Dn变为″H″(0V)的栅极端子Gtn的相邻发送晶闸管Tn+1的栅极端子Gtn+1的电位变为-1.5V。因此，发送晶闸管Tn+1在阈值电压升高(在该示例性实施例中，从-4.5V升高至-3V)、且另一发送信号变为″L″(-3.3V)时导通。
即，通过发送其相位改变为使得它们的“L”(-3.3V)周期彼此重叠(图7中从时刻m到时刻n的周期)的两相发送信号(第一发送信号φ1和第二发送信号φ2)，发送晶闸管T被顺序设置为导通状态。
此外，如果发送晶闸管Tn处于导通状态，且栅极端子Gtn变为″H″(0V)，则通过连接电阻器Rx连接至栅极端子Gtn的设置晶闸管S2n-1的栅极端子Gs2n-1、以及设置晶闸管S2n的栅极端子Gs2n的电位变为-0.27V，从而设置晶闸管S2n-1和设置晶闸管S2n的阈值电压变为-1.77V。
此外，如果设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)和设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号φWe20)在使能信号φE为″L″(-3.3V)期间为″L″，则设置信号线74-1和74-2的电位变为″L″(-3.3V)，从而设置晶闸管S2n-1和S2n导通。
如果设置晶闸管S2n-1和S2n导通且栅极端子Gl2n-1和Gl2n的电位变为0V，则通过连接电阻器Ry进行连接的栅极端子Gs2n-1和Gs2n的电位变为-0.39V，从而发光晶闸管L2n-1和L2n的阈值电压变为-1.89V。
在此情况中，由于点亮信号线75-1和75-2变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))，因此阈值电压为-1.89V的发光晶闸管L2n-1和L2n点亮(发光)。
即，在第一示例性实施例中，对于每个发光芯片C来说，可以同时使两个发光晶闸管L点亮。这是通过在发光芯片C中将两对的设置晶闸管S和发光晶闸管L连接至一个发送晶闸管T、并发送使奇数编号的发光晶闸管L2n-1点亮的设置信号φWo和使偶数编号的发光晶闸管L2n点亮的设置信号φWe来执行的。
如果熄灭信号φRa和φRb在发光晶闸管L2n-1和L2n处于导通状态时从″H″改变为″L″，则熄灭晶闸管TR1和TR2导通。
于是，熄灭晶闸管TR1和TR2的栅极端子Gtr1和Gtr2的电位变为″H″(0V)，从而点亮信号线75-1和75-2的电位变为″H″(0V)。因此，导通状态的发光晶闸管L2n-1和L2n关断。
即，其中发光晶闸管L点亮(发光)的点亮周期是从设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)和设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号φWe20)变为″L″时(时刻)到熄灭信号φRa和φRb从″H″改变为″L″时的周期(例如，图7中的从时刻e到时刻o)。
接下来，将描述发光晶闸管L不点亮的情况。
在发光晶闸管L2n-1或L2n不点亮的情况中，设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)或设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号We20)在执行从″H″改变为″L″时(时刻)(例如，在时刻e)保持″H″(0V)。因此，设置晶闸管S2n-1或S2n不导通，从而栅极端子Gl2n-1或Gl2n保持-2.48V的电压。因此，发光晶闸管L2n-1或L2n由于阈值电压为-3.98V而不导通。
此时，通过使设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)和设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号φWe20)在上述时刻保持为″H″(0V)，使得发光晶闸管L2n-1和L2n都关断。
如上所述，可以分别执行发光芯片C的发光晶闸管L的点亮控制。
在发光晶闸管L2n-1或L2n不点亮的情况中，点亮信号线75-1或点亮信号线75-2不改变为-1.5V，而是保持为电源电位Vga(″L″(-3.3V))。由此，熄灭晶闸管TR1或熄灭晶闸管TR2的阈值电压变为-4.8V。
因此，即使熄灭信号φR从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，熄灭晶闸管TR1或熄灭晶闸管TR2也不导通(例如，在图7中的时刻o)。然而，由于发光晶闸管L2n-1或L2n不导通，因此不需要使熄灭晶闸管TR1或熄灭晶闸管TR2导通。
上述操作是以与发光晶闸管L2n-1和L2n均不点亮时相同的方式执行的。
此外，将描述设置使能晶闸管TE1和TE2的操作。
使能信号φE被通过使能信号线76提供给设置使能晶闸管TE1和TE2的栅极端子Gte1和Gte2，并且如果使能信号φE为″L″(-3.3V)，则全部设置使能晶闸管TE1和TE2的阈值电压均为-4.8V。由此，即使设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)和/或设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号φWe20)变为″L″(-3.3V)，设置使能晶闸管TE1和TE2也不导通，但是设置晶闸管S2n-1和/或S2n导通。
另一方面，如果使能信号φE为″H″(0V)，则设置使能晶闸管TE1和TE2的栅极端子Gte1和Gte2的电位变为0V，从而所有的阈值电压都变为-1.5V。由此，如果设置信号φWo(设置信号φWo1至设置信号φWo20)和/或设置信号φWe(设置信号φWe1至设置信号φWe20)变为″L″(-3.3V)，则设置使能晶闸管TE1和TE2导通。因此，设置晶闸管S2n-1和/或S2n导通。因此，阈值电压为小于-1.5V的-1.77V的设置晶闸管S2n-1和/或S2n不能导通。
即，如果使能信号φE(使能信号φEa和使能信号φEb)为″L″，则设置使能晶闸管TE1和TE2关断以使得发光芯片C能够点亮，而如果使能信号φE(使能信号φEa和使能信号φEb)为″H″，则设置使能晶闸管TE1和TE2导通以阻止发光芯片C点亮。因此，使能信号φE(使能信号φEa和使能信号φEb)用作控制发光芯片C的点亮的使能信号。
此外，将描述发光芯片组#a的发光芯片Ca和发光芯片组#b的发光芯片Cb的点亮控制。
在第一示例性实施例中，在相对于发光芯片集合(其由属于发光芯片组#a的发光芯片C和属于发光芯片组#b的发光芯片C组成)使各发光芯片C的所有发光晶闸管L点亮(发光)的情况中，设置了共同发送的设置信号φW(设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20))变为″L″的两个周期(图7中从时刻e到时刻f的周期以及从时刻k到时刻l的周期)。前一″L″周期设置发光芯片组#a的发光芯片C的点亮开始点，后一″L″周期设置发光芯片组#b的发光芯片C的点亮开始点。
在该示例性实施例中，从发光芯片组#a和发光芯片组#b发送的发送信号(第一发送信号φ1a和φ1b以及第二发送信号φ2a和φ2b)、使能信号φE(使能信号φEa和φEb)、以及熄灭信号φR(熄灭信号φRa和φRb)的相位改变了180°。因此，用于设置分别在设置信号φW(设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20))中设置的两个″L″周期的周期宽度(裕度)被最大化。
即，由于相位改变180°，设置在设置信号φW(设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20))中的两个″L″周期可以设置在周期T的前一半和后一半中。
在此情况中，如果设置信号φW(设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20))在使能信号φE(使能信号φEa和φEb)为″L″时变为″L″，则发光晶闸管L点亮。
因此，发送至发光芯片组#a的发光芯片C的使能信号φEa的″L″周期与发送至该发光芯片C的设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20)的″L″周期重叠，但是不与发送至发光芯片组#b的发光芯片C的设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20)的″L″周期重叠就足够了。对于使能信号φEb与此相同。
另一方面，由发光晶闸管L执行的发光量在发光芯片C之间以及在发光晶闸管之间由于制造条件等的不同而不同。由此，对发光晶闸管的发光量进行校正(光量校正)。光量校正方法可以是调节流向发光晶闸管L的电流的方法或调节发光晶闸管L的点亮周期的方法。
如上所述，发光晶闸管L的点亮周期是从设置信号φW改变为″L″从而使发光晶闸管L点亮的时刻到熄灭信号φR从″L″改变为″H″从而使发光晶闸管L熄灭的时刻的周期。在该示例性实施例中，使用了通过调节点亮开始时刻来校正光量的方法。
在图7中，举例说明了设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20)为″L″时的时刻(定时)被设置为相等(例如，图7中的时刻d或时刻k)。然而，在各周期T中，可以通过调节设置信号φWo(φWo1至φWo20)和设置信号φWe(φWe1至φWe20)从″H″改变为″L″的时刻(定时)来校正光量。
在第一示例性实施例中，用语“同时点亮”不仅包括在同一时刻开始点亮的状态而且还包括点亮周期彼此部分重叠的情况。
相比于根据后面描述的第二示例性实施例的发光芯片C，在根据第一示例性实施例的发光芯片C中，如果发送晶闸管T的数量是发光晶闸管L的数量的1/2就足够了。因此，可以降低驱动发送晶闸管T的功率。
此外，在根据第一示例性实施例的发光芯片C中，设置使能晶闸管TE1和TE2和熄灭晶闸管TR1和TR2可以布置在发光芯片C的衬底80上的左侧和右侧中的任一侧上。
在根据第一示例性实施例的发光芯片C中，可以同时执行相邻发光晶闸管L(例如发光晶闸管L1和发光晶闸管L2)的点亮控制。由于发光晶闸管L1和发光晶闸管L2在衬底80上的位置彼此靠近，因此发光晶闸管L具有近似的特性。因此，发光晶闸管L1和发光晶闸管L2可以使用相同的光亮校正数据，从而可以减小保持光亮校正数据的存储器的大小。
在第一示例性实施例中，对于每个发光芯片C最多可以同时使两个发光晶闸管L点亮。然而，通过对每个发送晶闸管T形成三对或更多对设置晶闸管S和发光晶闸管L，可以同时使三个或更多发光晶闸管L点亮(发光)。
如上所述，在该示例性实施例中，由于在同一发光芯片C内可以同时使多个发光晶闸管L点亮，例如，可以通过增加分配给各发光晶闸管L的发光时间来抑制发光电流，而不是减少主扫描方向(图3和图4中的X轴方向)中一条线路所需的时间，或减少一条主扫描线所需的时间。
[第二示例性实施例]
在第二示例性实施例中，发光芯片C的构造不同于根据第一示例性实施例中的构造。因此，发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造与第一示例性实施例的这些构造不同。
图8A和图8B是示出根据第二示例性实施例的发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造的示意图。图8A示出了发光芯片C的构造，而图8B示出了发光设备65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的导线构造。在该示例性实施例中，发光芯片C被分成两个发光芯片组#a和#b。
在根据图8A的第二示例性实施例的发光芯片C中，图4A中的端子φWo被端子φWl代替，端子φWe被端子φWr代替。
此外，在根据图8B的第二示例性实施例的电路板62中，图4B中的设置信号产生单元150o被设置信号产生单元150l代替，设置信号φWo1至φWo20被设置信号φWl1至φWl20代替，以及设置信号线205o1至205o20被设置信号线205l1至205l20代替。
以相同的方式，在根据图8B的第二示例性实施例的电路板62中，图4B中的设置信号产生单元150e被设置信号产生单元150r代替，设置信号φWe1至φWe20被设置信号φWr1至φWr20代替，以及设置信号线205e1至205e20被设置信号线205r1至205r20代替。
由于其他的构造与第一示例性实施例相同，因此将只描述不同的构造，而省略相同构造的描述。
图9是示出根据第二示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片C的电路构造的等效电路图。
根据第二示例性实施例的发光芯片C包括发送晶闸管T1至T256、设置晶闸管S1至S256、包含发光晶闸管L1至L256的SLED-l、发送晶闸管T257至T512、设置晶闸管S257至S512、和包含发光晶闸管L257至L512的SLED-r。即，总共512个发光晶闸管L被分在了左右两侧。
此外，不同于根据第一示例性实施例的256个发送晶闸管T，发光晶闸管T的数量是512个。因此，耦合二极管D的数量是511个。此外，启动二极管Ds被启动二极管Dsl代替，并添加了新的启动二极管Dsr。此外，发光芯片C包括两个限流电阻器R1和两个限流电阻器R2。
接下来，描述各器件之间的连接关系。
奇数编号的发送晶闸管T1，T3，…，T255的阴极端子连接至第一发送信号线72l，而偶数编号的发送晶闸管T2，T4，…，T256的阴极端子连接至第二发送信号线73l。
以相同的方式，奇数编号的发送晶闸管T257，T259，…，T511的阴极端子连接至第一发送信号线72r，而偶数编号的发送晶闸管T258，T260，…，T512的阴极端子连接至第二发送信号线73r。
第一发送信号线72l和第一发送信号线72r通过各限流电阻器R1连接至端子φ1。此外，第二发送信号线73l和第二发送信号线73r通过各限流电阻器R1连接至端子φ2。
耦合二极管D1至D255安装为嵌在发送晶闸管T1至T256的各栅极端子Gt之间。此外，耦合二极管D1连接在电流从发送晶闸管T1的栅极端子Gt1流向发送晶闸管T2的栅极端子Gt2的方向中。其他的耦合二极管D2至D255与此相同。
此外，启动二极管Dsl的阴极端子连接至栅极端子Gtl，其阳极端子连接至第二发送信号线73l。
另一方面，耦合二极管D257至D511安装为嵌在发送晶闸管T257至T512的各栅极端子Gt之间。此外，耦合二极管D257连接在电流从发送晶闸管T258的栅极端子Gt258流向发送晶闸管T257的栅极端子Gt257的方向中。其他的耦合二极管D258至D511与此相同。
此外，启动二极管Dsr的阴极端子连接至栅极端子Gt512，其阳极端子连接至第二发送信号线73r。
设置晶闸管S1至S256的阴极端子和设置使能晶闸管TE1的阴极端子连接至设置信号线74l。设置信号线74l通过限流电阻器RW1连接至端子φWl。
设置晶闸管S257至S512的阴极端子和设置使能晶闸管TE2的阴极端子连接至设置信号线74r。设置信号线74r通过限流电阻器RW2连接至端子φWr。
发光晶闸管L1至L256的阴极端子和熄灭晶闸管TR1的栅极端子Gtr1连接至熄灭信号线75l。点亮信号线75l构造为“U”形，从而其按从发光晶闸管L1的阴极端子到发光晶闸管L256的阴极端子的顺序进行连接，然后返回至发光晶闸管L1(返回线)。因此，降低了点亮信号线75l的电阻值。此外，“U”形点亮信号线75l的两个端部通过各限流电阻器R11和R12连接至电源线71。
以相同的方式，发光晶闸管L257至L512的阴极端子和熄灭晶闸管TR2的栅极端子Gtr2连接至点亮信号线75r。点亮信号线75r构造为“U”形，从而其按从发光晶闸管L512的阴极端子到发光晶闸管L257的阴极端子的反向顺序进行连接，然后返回至发光晶闸管L512(返回线)。因此，降低了点亮信号线75r的电阻值。此外，“U”形点亮信号线75r的两个端部通过各限流电阻器R13和R14连接至电源线71。
此外，发送晶闸管T的栅极端子Gt通过连接电阻器Rx连接至设置晶闸管S的栅极端子Gs，并且设置晶闸管S的栅极端子Gs连接至发光晶闸管L的栅极端子Gl。此外，栅极端子Gl通过连接电阻器Rz连接至电源线71.
即，在不使用该示例性实施例的发光芯片C中，对于一个发送晶闸管T连接一个设置晶闸管S和一个发光晶闸管L。
该发光芯片C以与根据第一示例性实施例描述的方式相同的方式来构造。
图10是示出根据第二示例性实施例的发光设备65的发光芯片C的操作的时序图。图7的时序图中的Ca1(奇数)被Ca1(SLED-l)代替，而Ca1(偶数)被Ca1(SLED-r)代替。此外，发光芯片Cb1与此相同。
在第二示例性实施例中，SLED-l的发光晶闸管L和SLED-r的发光晶闸管L构成了发光器件组，而发光器件组的一个发光晶闸管L(即，SLED-l的一个发光晶闸管L)和SLED-r的一个发光晶闸管L构成一对，以执行其点亮控制。
在根据第二示例性实施例的发光芯片C中，如从图9可以看出的，按照从发光晶闸管L两端到内侧的顺序执行两个发光晶闸管L的点亮控制。即，在周期Ta(1)中，执行发光芯片Ca1的发光晶闸管L1和发光晶闸管L512的点亮控制，而在周期Ta(2)中，执行发光芯片Ca1的发光晶闸管L2和发光晶闸管L511的点亮控制。在其他的周期T中在另一发光芯片Cb1中执行同样的操作。此外，属于发光芯片组#a的发光芯片Ca2至Ca20和属于发光芯片组#b的发光芯片Cb2至Cb20与此相同。
如上所述，即使在根据第二示例性实施例的发光芯片C中，对于每个发光芯片C，可以同时使最多两个发光晶闸管L点亮(发光)。
由于发光设备65以及发光芯片Ca和Cb的操作与第一示例性实施例中所述相同，因此省略其描述。
在该示例性实施例中，从发光晶闸管列的两个端部开始执行发光晶闸管L的点亮控制。通过改变耦合二极管D的连接方向以及将启动二极管Dsl和Dsr布置到发光晶闸管列的中部，可以从中部开始执行点亮控制。
此处，对第一示例性实施例和第二示例性实施例进行比较。
在根据第二示例性实施例的发光芯片C中，如图9所示，连接至SLED-r的发送晶闸管T的第一发送信号线72r被连接为穿过SLED-l部分，而连接至SLED-l的发送晶闸管T的第二发送信号线73l被连接为穿过SLED-r部分。
以相同的方式，连接至SLED-r的设置晶闸管S的设置信号线74r被连接为穿过SLED-l部分。
此外，连接至熄灭晶闸管TR1的栅极端子Gtr1的点亮信号线75l被连接为穿过SLED-r部分。
即，在根据第二示例性实施例的发光芯片C中，在SLED-l部分或SLED-r部分中安装了非连接导线。
相比之下，在根据第一示例性实施例的发光芯片C中，如图5所示，未提供非连接导线。
因此，在根据第一示例性实施例的发光芯片C中，穿过衬底80的导线数量减少了两条，从而与根据第二示例性实施例的发光芯片C相比可以缩窄衬底80的宽度。
即使在第二示例性实施例中，对于每个发光芯片C最多也可以同时使两个发光晶闸管L点亮。然而，通过使SLED(SLED-l和SLED-r)的数量超过两个，则可以同时使三个或更多的发光晶闸管L点亮(发光)。
[第三示例性实施例]
在第三示例性实施例中，作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片C的电路构造不同于第一示例性实施例中的构造。因此，时序图是不同的。由于其他的构造与第一示例性实施例中的相同，因此将只描述不同的部分，而省略相同部分的描述。
图11是示出根据第三示例性实施例的作为自扫描发光器件(SLED)芯片的发光芯片的电路构造的等效电路图。
在根据第三示例性实施例的发光芯片C中，代替根据第一示例性实施例的发光芯片C中的设置晶闸管S1，S2，S3，…，安装了作为设置器件的实例的设置肖特基二极管SDw1，SDw2，SDw3，…。此外，代替设置使能晶闸管TE1和TE2，安装了作为使能器件的实例的使能肖特基二极管SDe1，SDe2，SDe3，…。此处，在不对设置肖特基二极管SDw1，SDw2，SDw3，…进行彼此区分时，将它们表示为设置肖特基二极管SDw。此外，在不对使能肖特基二极管SDe1，SDe2，SDe3，…进行彼此区分时，将它们表示为使能肖特基二极管SDe。
此外，在根据第三示例性实施例的发光芯片C中，未安装根据第一示例性实施例的发光芯片C中的连接电阻器Ry和Rz。
此外，在根据第三示例性实施例的发光芯片C中，未安装根据第一示例性实施例的发光芯片C中的设置使能晶闸管TE1和TE2以及电流电阻器RE、RW1、和RW2。
接下来，将描述各器件之间的连接关系。
发送晶闸管T1的栅极端子Gt1通过连接电阻器Rx连接至使能肖特基二极管SDe1的阳极端子、设置肖特基二极管SDw1的阳极端子、和发光晶闸管L1的栅极端子Gl1。此外，发送晶闸管T1的栅极端子Gt1通过另一连接电阻器Rx连接至使能肖特基二极管SDe2的阳极端子、设置肖特基二极管SDw2的阳极端子、和发光晶闸管L2的栅极端子Gl2。其他的发送晶闸管T与此相同。
即，如果假设通过一个连接电阻器Rx连接的一个使能肖特基二极管SDe、一个设置肖特基二极管SDw、和一个发光晶闸管L组成一对，则一个发送晶闸管T的栅极端子Gt连接至组成两对的使能肖特基二极管SDe、设置肖特基二极管SDw、和发光晶闸管L。
奇数编号的设置肖特基二极管SDw1，SDw3，…的阴极端子连接至设置信号线74-1。设置信号线74-1连接至端子φWe。偶数编号的设置肖特基二极管SDw2，SDw4，…的阴极端子连接至设置信号线74-2。设置信号线74-2连接至端子φWo。
使能肖特基二极管SDe1，SDe2，SDe3，…的阴极端子连接至使能信号线76。使能信号线76连接至端子φE。
使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw是利用肖特基结(势垒)的二极管，并且其正向电位Vs的值比pn结的正向电位Vd的值小。此处，将在假设肖特基结的正向电位Vs的值为0.5V的情况下进行说明。
在此情况中，图6A和图6B中的使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw是通过在区域111存在的部分上相对于p型第三半导体层83安装两个用于肖特基结的肖特基电极来取代n型第四半导体层84以及区域112中的n形欧姆电极122而形成的。将省略其详述。
发光芯片C以与根据第一示例性实施例所述相同的方式构造。
此处，将描述使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw的操作。
如上根据第一示例性实施例所述，如果发送晶闸管T导通，则栅极端子Gt的电位变为0V。下文中，将描述发送晶闸管T的栅极端子Gt的电位变为0V的情形。
如果设置信号φWe和φWo为″H″(0V)，则连接至设置肖特基二极管SDw的阴极端子的设置信号线74-1和74-2的电位变为″H″(0V)。于是，即使发送晶闸管T的栅极端子Gt为0V，设置肖特基二极管SDw也不正偏。因此，设置肖特基二极管SDw的阳极端子的电位不受为″H″(0V)的设置信号φWe和φWo的影响。
在此状态中，如果使能信号φE为″L″(-3.3V)，则连接至被发送有使能信号φE的端子φE的使能信号线76变为″L″(-3.3V)。如果发送晶闸管T的栅极端子Gt的电位为0V，则使能肖特基二极管SDe正偏。此外，使能肖特基二极管SDe的阳极端子(发光晶闸管L的栅极端子Gl)的电位变为通过从″L″(-3.3V)减去肖特基结的正向电位Vs(0.5V)得到的-2.8V。因此，发光晶闸管L的阈值电压变为-4.3V。因此，即使点亮信号线75-1和75-2的电位变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))，发光晶闸管L也不导通。
另一方面，如果使能信号φE为″H″(0V)，则在发送晶闸管T的栅极端子Gt的电位为0V时，使能肖特基二极管SDe不正偏。因此，发光晶闸管L的栅极端子Gl的电位不受为″H″(0V)的使能信号φE的影响，并且变为发送晶闸管T的栅极端子Gt的电位。
即，如果发送晶闸管T的栅极端子Gt的电位为0V，则在栅极端子Gl的电位为0V的情况中，发光晶闸管L的阈值电压变为-1.5V。因此，如果点亮信号线75-1和75-2的电位变为电源电位Vga(″L″(-3.3V))，则发光晶闸管L导通。
此外，如果设置信号φW(设置信号φWe和φWo)为″L″(-3.3V)，则连接至设置肖特基二极管SDw的阴极端子的设置信号线74-1和74-2的电位变为″L″(-3.3V)。于是，当发送晶闸管T的栅极端子Gt为0V时，设置肖特基二极管SDw正偏。因此，设置肖特基二极管SDw的阳极端子(发光晶闸管L的栅极端子Gl)的电位变为-2.8V。因此，发光晶闸管L的阈值电压变为-4.3V。
即使使能信号φE为″H″(0V)或″L″(-3.3V)时也是这种情况。
此时，如图11所示，由于使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw关于栅极端子Gt对称安装，因此它们的角色可以互换。即，使能信号φE和设置信号φW(设置信号φWe和φWo)可以相互替换。
如上所述，当使能信号φE和设置信号φW(设置信号φWe和φWo)都为″H″(0V)时，发光晶闸管L点亮(发光)。此时，如果使能信号φE和设置信号φW(设置信号φWe和φWo)中的至少一个为″L″(-3.3V)，则发光晶闸管L不导通。
如上所述，使能肖特基二极管SDe以与根据第一示例性实施例的发光芯片C中的设置使能晶闸管TE1和TE2相同的方式进行操作。此时，设置肖特基二极管SDw以与根据第一示例性实施例的发光芯片C中的设置晶闸管S相同的方式进行操作。
然而，根据第三示例性实施例的使能信号φE和设置信号φW(设置信号φWe和φWo)具有″H″(0V)和″L″(-3.3V)之间的关系，该关系与第一示例性实施例中的相反。
图12是示出根据第三示例性实施例的发光设备65的发光芯片C的操作的时序图。
如上所述，使能信号φEa和φEb和设置信号φWe1和φWo1具有″H″(0V)和″L″(-3.3V)之间的反向关系。
因此，尽管省略了详述，根据第三示例性实施例的发光芯片C以与根据第一示例性实施例的发光芯片C相同的方式进行操作。
即，在第三示例性实施例中，偶数编号的发光晶闸管L和奇数编号的发光晶闸管L组成发光器件组，而发光器件组的每个发光晶闸管L，即，一个奇数编号的发光晶闸管L和一个偶数编号的发光晶闸管L被作为一对来控制点亮。
在根据第三示例性实施例的发光芯片C中，未安装在根据第一示例性实施例的发光芯片C中安装的设置使能晶闸管TE1和TE2以及连接电阻器Ry和Rz，从而减小了发光芯片C的衬底80的尺寸。
虽然在第三示例性实施例中，对于每个发光芯片C也最多可以同时使两个发光晶闸管L点亮。然而，通过提供三个或更多个由针对各发送晶闸管T连接的设置肖特基二极管SDw、使能肖特基二极管SDe、和发光晶闸管L组成的对，可以同时使三个或更多的发光晶闸管L点亮(发光)。
[第四示例性实施例]
在第四示例性实施例中，发光芯片C的电路构造不同于第三示例性实施例中的构造。
因此，发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造与第三示例性实施例的这些构造不同。
图13A和图13B是示出根据第四示例性实施例的发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造的示意图。图13A示出了发光芯片C的构造，而图13B示出了发光设备65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的导线构造。在该示例性实施例中，发光芯片C被分成两个发光芯片组#a和#b。
在根据图13A的第四示例性实施例的发光芯片C中，根据图4A所示的第一示例性实施例的发光芯片C的端子φWo被端子φWl代替，端子φWe被端子φWr代替，以及端子φR被端子φ1代替。
此外，在图13B的第四示例性实施例中，根据图4B所示的第一示例性实施例的设置信号产生单元150o被设置信号产生单元150l代替，设置信号φWo1至φWo20被设置信号φWl1至φWl20代替，以及设置信号线205o1至205o20被设置信号线205l1至205l20代替。此外，熄灭信号产生单元140a被点亮信号产生单元180a代替，以及熄灭信号φRa被点亮信号φ1a代替。
以相同的方式，在根据图13B的第四示例性实施例的电路板62中，根据图4B所示的第一示例性实施例的设置信号产生单元150e被设置信号产生单元150r代替，设置信号φWe1至φWe20被设置信号φWr1至φWr20代替，以及设置信号线205e1至205e20被设置信号线205r1至205r20代替。此外，熄灭信号产生单元140b被点亮信号产生单元180b代替，以及熄灭信号φRb被点亮信号φ1b代替。
此处，在不对点亮信号φ1a和φ1b彼此进行区分时，将它们表示为点亮信号φ1。
由于其他的构造与第一示例性实施例相同，因此将只描述不同的构造，而省略相同构造的描述。
点亮信号φ1是与根据第一和第二示例性实施例的熄灭信号φR相同方式的点亮控制信号的一个实例。
图14是示出根据第四示例性实施例的发光芯片C的电路构造的等效电路图。
根据第四示例性实施例的发光芯片C包括发送晶闸管T1至T256、使能肖特基二极管SDe1至SDe256、设置肖特基二极管SDw1至SDw256、包含发光晶闸管L1至L256的SLED-l、发送晶闸管T257至T512、使能肖特基二极管SDe257至SDe512、设置肖特基二极管SDw257至SDw512、和包含发光晶闸管L257至L512的SLED-r。即，总共512个发光晶闸管L被分在了左右两侧。
在根据第三示例性实施例的发光芯片C中，如果假设一个使能肖特基二极管SDe、一个设置肖特基二极管SDw、和一个发光晶闸管L组成一对，则一个发送晶闸管T连接至组成两对的使能肖特基二极管SDe、设置肖特基二极管SDw、和发光晶闸管L。
相比之下，在根据第四示例性实施例的发光芯片C中，一个发送晶闸管T连接至组成一对的使能肖特基二极管SDe、设置肖特基二极管SDw、和发光晶闸管L。该构造与根据第二示例性实施例的构造相同。
因此，在第四示例性实施例中，以与第二示例性实施例相同的方式，按照从发光晶闸管L的两端向内侧的顺序执行两个发光晶闸管L的点亮控制。
此外，在根据第四示例性实施例的发光芯片C中，如图14所示，发送晶闸管T的栅极端子Gt通过连接电阻器Rz连接至电源线71。
此外，SLED-l的发光晶闸管L1至L256的阴极端子连接至点亮信号线75-1，点亮信号线75-1通过限流电阻器R11连接至端子φ1。以相同的方式，SLED-r的发光晶闸管L257至L512的阴极端子连接至点亮信号线75-2，点亮信号线75-2通过限流电阻器R12连接至端子φ1。
此时，根据第四示例性实施例的发光芯片C未提供有如图11所示的根据第三示例性实施例的发光芯片C中的熄灭晶闸管TR1和TR2和限流电阻器RR1、RR2、R13、和R14。
该发光芯片C以与根据第一示例性实施例所述的方式相同的方式构造。
在根据第四示例性实施例的发光芯片C中，栅极端子Gt通过连接电阻器Rz连接至电源线71。因此，当编号为n的发送晶闸管Tn处于导通状态时，除了栅极端子Gtn、发送晶闸管Tn+1的栅极端子Gtn+1、以及发送晶闸管Tn+2的栅极端子Gtn+2以外的栅极端子Gt的电位被设置为电源电位Vga(″L″(-3.3V))，从发光芯片C操作更稳定。
图15是示出根据第四示例性实施例的发光设备65的发光芯片C的操作的时序图。
相比于图12所示根据第三示例性实施例的发光芯片C的操作的时序图，在图15的时序图中，熄灭信号φRa被点亮信号φ1a代替、熄灭信号φRb被点亮信号φ1b代替、以及发光芯片Ca1(奇数)被发光芯片Ca1(SLED-l)代替。此外，发光芯片Cb1(奇数)被发光芯片Cb1(SLED-l)代替，发光芯片Ca1(偶数)被发光芯片Ca1(SLED-r)代替，以及发光芯片Cb1(偶数)被发光芯片Cb1(SLED-r)代替。
在第四示例性实施例中，SLED-l的发光晶闸管L和SLED-r的发光晶闸管L构成发光器件组，并且发光器件组的一个发光晶闸管L(即，SLED-l的一个发光晶闸管L)和SLED-r的一个发光晶闸管L组成一对，从而对其进行点亮控制。
图15的时序图中的设置信号φWl1和φWr1等同于根据图12的第三示例性实施例的时序图中的设置信号φWo1和φWe1。
另一方面，图15的时序图中的点亮信号φ1a和φ1b具有″H″(0V)和″L″(-3.3V)之间的关系，该关系与根据图12的第三示例性实施例的时序图中的熄灭信号φRa和φRb的关系相反。在第四示例性实施例和第三示例性实施例中，点亮信号线75-1和75-2的电位彼此相等。
即，如果点亮信号φ1a在时刻c从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，则点亮信号线75-1的电位从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)。这对应于根据第三示例性实施例的图12中的点亮信号线75-1在时刻c变为″L″(-3.3V)的相同状态。在此情况中，点亮信号线75-1在时刻a和时刻c之间的电位彼此不同，但是这不影响发光芯片C的操作。
此外，如果点亮信号φ1a在时刻o从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)，并且点亮信号线75-1从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)，则导通状态的发光晶闸管L1的阴极端子和阳极端子变为″H″(0V)，从而发光晶闸管L1关断。
这对应于根据第三示例性实施例的图12中的时刻o的情形，熄灭信号φRa从″H″(0V)改变为″L″(-3.3V)，而点亮信号线75-1从″L″(-3.3V)改变为″H″(0V)。
因此，根据第四示例性实施例的发光设备65和发光芯片C以与根据第三示例性实施例的发光设备65和发光芯片C相同的方式操作。
即，在一个发光芯片C中，可以同时使两个发光晶闸管L点亮(发光)。
虽然在第四示例性实施例中，对于每个发光芯片C最多可以同时使两个发光晶闸管L点亮。然而，通过使SLED的数量超过两个，可以同时使三个或更多的发光晶闸管L点亮(发光)。
[第五示例性实施例]
在第五示例性实施例中，发光芯片C的电路构造不同于第四示例性实施例中的构造。
因此，发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造与第四示例性实施例的这些构造不同。
图16A和图16B是示出根据第五示例性实施例的发光芯片C的构造、信号产生电路110的构造、和电路板62上的导线构造的示意图。图16A示出了发光芯片C的构造，而图16B示出了发光设备65的信号产生电路110的构造以及电路板62上的导线构造。在该示例性实施例中，发光芯片C被分成两个发光芯片组#a和#b。
在根据图16A的第五示例性实施例的发光芯片C中，根据图13A所示的第四示例性实施例的发光芯片C的端子φW1被端子φEl代替，端子φWr被端子φEr代替，以及端子φW被端子φE代替。
此外，在图16B的第五示例性实施例中，根据图13B所示的第四示例性实施例的设置信号产生单元150o被使能信号产生单元130l代替，设置信号φWo1至φWo20被使能信号φEl1至φEl20代替，以及设置信号线205o1至205o20被使能信号线203l1至203l20代替。此外，使能信号产生单元130a被设置信号产生单元150a代替，以及使能信号φEa被设置信号φWa代替。
以相同的方式，在图16B的第五示例性实施例中，根据图13B所示的第四示例性实施例的设置信号产生单元150e被使能信号产生单元130r代替，设置信号φWe1至φWe20被使能信号φEr1至φEr20代替，以及设置信号线205e1至205e20被使能信号线203r1至203r20代替。此外，使能信号产生单元130b被设置信号产生单元150b代替，以及使能信号φEb被设置信号φWb代替。
图17是示出根据第五示例性实施例的发光芯片C的电路构造的等效电路图。
在根据第五示例性实施例的发光芯片C中，设置肖特基二极管SDw的阴极端子连接至设置信号线74。设置信号线74连接至端子φW。另一方面，SLED-l的使能肖特基二极管SDe1至SDe128的阴极端子连接至使能信号线76l。使能信号线76l连接至端子φEl。以相同的方式，SLED-r的使能肖特基二极管SDe129至SDe512的阴极端子连接至使能信号线76r。使能信号线76r连接至端子φEr。
该发光芯片C以与第一示例性实施例中所述的方式相同的方式来构造。
图18是示出根据第五示例性实施例的发光芯片C的操作的时序图。
相比于根据图15所示的第四示例性实施例的时序图，在图18的时序图中，使能信号φEa被设置信号φWa代替，使能信号φEb被设置信号φWb代替，设置信号φWl1被使能信号φEl1代替，以及设置信号φWr1被使能信号φEr1代替。
即，在第五示例性实施例中，以相反的顺序执行根据第四示例性实施例的使能信号φE和设置信号φW的功能。这是因为，如上在第三示例性实施例中所述，在使用使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw的情况下，使能信号φE和设置信号φW可以彼此替换。此外，在图17中，使能肖特基二极管SDe和设置肖特基二极管SDw关于栅极端子Gt布置在对称位置上，从而以相同的方式操作。因此，在第五示例性实施例中，省略了详细操作的描述。
虽然在第五示例性实施例中，对于每个发光芯片C最多可以同时使两个发光晶闸管L点亮(发光)。然而，通过使SLED的数量超过两个，可以同时使三个或更多的发光晶闸管L点亮(发光)。
如上根据第一示例性实施例所述，在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，用语“同时点亮”不仅包括在同一时刻开始点亮的状态而且还包括点亮周期彼此部分重叠的情况。例如，通过根据各发光晶闸管L的发光量的差异改变点亮开始时刻，可以控制发光时间来抑制各发光晶闸管L的发光量的差异。
在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，电源电位Vga可以设置为不同于第一发送信号φ1、第二发送信号φ2、使能信号φE(使能信号φEa和φEb)、或设置信号φW(设置信号φWo和φWe)的″L″的值。
在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，发送晶闸管T以第一发送信号φ1和第二发送信号φ2的两个相位操作。然而，发送晶闸管T可以通过为每三个发送晶闸管发送三相发送信号来操作。以相同的方式，发送晶闸管T可以通过发送四相或更多相的发送信号来操作。
此外，在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，第一发送信号φ1和第二发送信号φ2针对每组而划分。然而，它们可以通过各组公用的导线共同提供给各组，而无需针对每组而划分第一发送信号φ1和第二发送信号φ2。
此外，在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，使用了电阻器或耦合二极管D。然而，如果电气单元是一个端子侧的电位改变导致另一端子侧的电位改变的单元就足够了。
此外，在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，构成发光芯片组的发光芯片C的数量被设置为等于构成发光芯片集合的发光芯片C的数量。然而，它们可以彼此不同。此外，尽管构成发光芯片集合的发光芯片C分别属于不同的发光芯片组，但是它们可以包括属于同一发光芯片组的发光芯片C。
此外，在第一示例性实施例至第五示例性实施例中，描述了晶闸管(发光晶闸管L、发送晶闸管T、设置晶闸管S、设置使能晶闸管TE1和TE2、和熄灭晶闸管TR1和TR2)的阳极端子都在衬底80上(共阳极)。然而，即使是阴极端子都在衬底80上的共阴极，通过改变电路的极性也可以被使用。
为了说明和描述的目的已经提供了本发明的各示例性实施例的前述描述。但并不旨在穷尽或将本发明限制于所公开的精确形式。显然，对于本领域技术人员来说，多种改进和变化将是显而易见的。为了最好地说明本发明的原理及其实际应用而选择和描述了这些示例性实施例，从而使得本领域技术人员能够针对各种实施例以及利用适于所构想的特定用途的各种改进来理解本发明。旨在通过权利要求书及其等同物来限定本发明的范围。
[参考标号及标记的说明]
1：图像形成设备
10：图像形成处理单元
11：图像形成单元
12：感光鼓
14：打印头
30：图像输出控制单元
40：图像处理单元
62：电路板
63：光源单元
64：棒状透镜阵列
65：发光设备
110：信号产生电路
120(120a，120b)：发送信号产生单元
130(130a，130b)：使能信号产生单元
140(140a，140b)：熄灭信号产生单元
150(150o，150e，150a，150b)：设置信号产生单元
160：基准电位提供单元
170：电源电位提供单元
180(180a，180b)：点亮信号产生单元
φ1(φ1a，φ1b)：第一发送信号
φ2(φ2a，φ2b)：第二发送信号
φE(φEa，φEb，φEl，φEr)：使能信号
φW(φWo1至φWo20，φWe1至φWe20，φWl1至φWl20，φWr1至φWr20，φWa，φWb)：设置信号
φR(φRa，φRb)：熄灭信号
φ1(φ1a，φ1b)：点亮信号
C(Ca1至Ca20，Cb1至Cb20)：发光芯片
L：发光晶闸管
T：发送晶闸管
S：设置晶闸管
TE1、TE2：设置使能晶闸管
TR1、TR2：熄灭晶闸管
D：耦合二极管
Rx、Ry、Rz：连接电阻器
SDw：设置肖特基二极管
SDe：使能肖特基二极管
Vga：电源电位
Vsub：基准电位

Claims (5)

1.一种发光设备，包括：
多个发光芯片，每个发光芯片具有多个发光器件，并且这些发光芯片被分成多个芯片组，每个发光芯片中的发光器件被分成多个器件组；
第一导线，其将发送信号共同发送至各发光芯片，以将每个发光芯片中的发光器件依次设置为点亮或不点亮控制对象；
第二导线，其将第一选择信号共同发送至发光芯片的给定芯片组，以选择所述给定芯片组作为在每个发光芯片中的各发光器件被基于发送信号设置为点亮或不点亮控制对象的周期内的点亮控制对象；
第三导线，其将第二选择信号共同发送至器件组集合，以选择所述器件组集合作为在每个发光芯片中的各发光器件被基于发送信号设置为点亮或不点亮控制对象的周期内的点亮控制对象，所述器件组集合包括属于芯片组之一的发光芯片中的发光器件的第一器件组、和属于其他芯片组的发光芯片中的发光器件的第二器件组；以及
第四导线，其向每个芯片组发送点亮控制信号，以控制在基于发送信号将每个发光芯片中的各发光器件设置为点亮或不点亮控制对象的周期中使发光器件点亮的电力供给。
2.根据权利要求1所述的发光设备，其中多个发光芯片中的每个发光芯片包括：
多个发送器件，其基于发送信号将各发光器件设置为控制对象；和
多个设置器件，其基于第一选择信号选择各发光芯片作为点亮对象，
其中，所述多个发光器件中的每个发光器件被提供为对应于所述多个设置器件中的每个设置器件，
各设置器件与对应于这些设置器件的各发光器件的多个组合被提供为对应于所述多个发送器件中的各发送器件，以及
针对来自提供在多个发送器件中的各发送器件上的各设置器件和对应于各设置器件的发光器件的多个组合中的发送器件，选择并配置每个器件组。
3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，每个发光芯片还包括使能器件，其与用于每个器件组的设置器件并联连接。
4.一种打印头，包括：
曝光单元，其包括根据权利要求1所述的发光设备；和
光学单元，其将由曝光单元辐射的光提供到图像载体上，以在所述图像载体上形成静电潜像。
5.一种图像形成设备，包括：
图像载体；
充电单元，其对图像载体进行充电；
曝光单元，其包括根据权利要求1所述的发光设备；
光学单元，其将由曝光单元辐射的光提供到图像载体上；
显影单元，其对形成在图像载体上的静电潜像进行显影；和
转印单元，其将显影在图像载体上的图像转印到转印体上。
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