CN102585704B - 化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余的为溶剂。所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。
Description
技术领域
本发明涉及用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物，更具体地，本发明涉及用于化学机械抛光的浆料组合物，其对于阻挡金属膜(barriermetalfilm)和氧化硅膜具有高抛光速率，能够控制对氮化硅膜的抛光速率，且从而具有高抛光选择比。
背景技术
在化学机械抛光工序(其为半导体器件制造工序中的一个)中，抛光工序如下进行：将待进行平坦化工序的晶片安置在台板上，使晶片表面与抛光机的垫接触，然后在提供浆料的同时使旋转板和抛光机的垫转动。也就是说，浆料在晶片表面和垫之间流动，通过浆料中的抛光颗粒和垫表面的突出物导致的机械摩擦实现晶片表面的抛光，同时通过浆料中的化学组分与晶片表面之间的化学反应而实现化学去除。
大致上，用于铜的二次CMP工序的浆料包含胶态硅石抛光材料，且具有能够去除碱性区域中的阻挡金属膜和氧化物膜的特征。然而，在碱性区域中，用作阻挡金属的钽的去除速率不高，因此需要很长时间。此外，为了提高对氧化物膜的抛光速率而使用大量的抛光材料，因此存在以下缺点：如颗料污染和高划痕出现率。
另一方面，在酸性区域中，抛光后的颗粒污染的程度倾向于低于碱性区域；然而，其缺点是到达胶态硅石(用作抛光材料)的等电点，且浆料的分散稳定性变差。
此外，近年来，半导体的集成度正接近物理极限，且三维集成电路(3DIC)工艺正成为人们关注的焦点。在3DIC工艺过程中，在配线制造工序中使用硅通孔(TSV)工艺。然而，由于用于形成硅通孔的阻挡膜、绝缘膜和抛光抑制膜的厚度趋向增加，需要在短时间内有效地对阻挡膜进行抛光。
发明内容
本发明的目的是提供用于化学机械抛光的浆料组合物，其对氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，能够提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，归因于添加剂的优化组合物而产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属和氧化物的抛光表面。
根据本发明一个方面的用于化学机械抛光的浆料组合物包括0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷-表面处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自如下组成的组中的任一种：氨基酸、氨基酸衍生物、其盐及它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂；其余为溶剂。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比可以为大于或等于5。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH值可以为2至5。
所述氨基硅烷可选自如下组成的组：氨基丙基三烷氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N，N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)-丙基三烷氧基硅烷、(2-N-苄基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、三烷氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三甲基氯化铵、N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)苄基-N，N，N-三甲基氯化铵、双(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、双(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)-乙二胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺，和它们的组合。
所述氨基酸可选自如下组成的组中的任一种：缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、甘氨酸、丙氨酸、蛋氨酸、谷氨酸、天门冬氨酸、谷酰胺、天冬酰胺酸、赖氨酸、精氨酸、苯基丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、组氨酸、脯氨酸、其衍生物、其盐，和它们的组合。
所述缓蚀剂可选自如下组成的组中的任一种：1，2，4-***、苯并***、5-甲基苯并***、5-氨基四唑、1-烷基-5-氨基四唑、5-羟基四唑、1-烷基-5-羟基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑，和它们的组合。
所述氧化剂可选自如下组成的组中的任一种：过氧化氢、过硫酸盐如单过硫酸盐和二过硫酸盐，和它们的组合。
所述表面经氨基硅烷-表面处理的抛光剂可包含平均粒径为5至120nm的胶态硅石，和相对于抛光剂总量为0.001wt％至1wt％的氨基硅烷。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含pH调节剂，其选自如下组成的组中的任一种：氢氧化钾、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、硝酸、盐酸、硫酸、高氯酸、磷酸，和它们的组合。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含具有乙二醇基团的抛光轮廓改善剂，其量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物总量为0.001wt％至5wt％。
所述轮廓改善剂可选自如下组成的组中的任一种：乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇，和它们的组合。
根据本发明另一方面的制造半导体器件的方法包括以下步骤：使用前述用于化学机械抛光的浆料组合物对阻挡金属膜、氧化硅膜和氮化硅膜进行同时抛光。
可通过前述抛光步骤形成硅通孔。
附图说明
图1为示出本发明用于化学机械抛光的浆料组合物的抛光机理的示意图；和
图2为示出通过监测本发明实验实施例4中制备的用于化学机械抛光的浆料组合物的抛光轮廓的变化所获得的结果的示意图。
具体实施方式
以下将更详细地描述本发明。
上述用于化学机械抛光的浆料组合物包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自如下组成的组中的任一种：氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余为溶剂。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比可以为大于或等于5，优选为7至50。所述对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比是指对氧化硅膜的抛光速率除以对氮化硅膜的抛光速率所获得的值。所述用于化学机械抛光的浆料组合物具有对氧化硅膜与对氮化硅膜的高抛光选择比，由此使浆料组合物能够有效地对氮化硅膜和氧化硅膜进行选择性抛光，且对于氧化硅膜具有优异的抛光速率。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH值可以为2至5，且优选为3至3.9。当所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH在上述范围时，能够提高对氧化硅膜的抛光速率以及对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比。此外，如果所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH低于2，抛光速率降低，且不能获得所需的抛光选择比。如果pH大于5，归因于浆料的聚集，会对长期贮存期间的稳定性造成影响。
为了调节pH，所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含pH调节剂，其选自如下组成的组中的任一种：氢氧化钾、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、硝酸、盐酸、硫酸、高氯酸、磷酸，和它们的组合。
所述抛光剂可以是酸性胶态硅石抛光剂，且对于酸性胶态硅石，可以使用通过使碱金属硅酸盐溶液与无机酸反应并使该反应产物流经强酸性阳离子交换树脂所生成的酸性胶态硅石，或者通过水解高纯度烷氧基硅烷所生成的酸性胶态硅石。
所述胶态硅石的平均粒径可以为5至120nm，且优选为20至100nm。如果胶态硅石的平均粒径小于5nm，则不能获得所需的抛光速率，而如果平均粒径大于120nm，则可能难以维持抛光剂的稳定性。
抛光剂的加入量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量可以为0.1wt％至20wt％，且优选为3wt％至10wt％。如果抛光剂的含量小于0.1wt％，则不太可能获得高抛光速率，且如果含量大于20wt％，则经济效益会下降。
通过氨基硅烷处理，使抛光剂带有电荷，且其表面电位为正值。可以用相对于抛光剂总量为0.001wt％至1wt％，优选为0.05wt％至1wt％的氨基硅烷对抛光剂进行表面处理。如果氨基硅烷的含量小于0.001wt％，则不容易改变表面电位的值，如果含量大于1wt％，则表面电位会增加过高，使抛光速率降低。
通过使用具有线性结构的氨基硅烷进行表面处理时能够获得性能提高的优异效果，且这种氨基硅烷可选自如下组成的组中的任一种：氨基丙基三烷氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N，N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)-丙基三烷氧基硅烷、(2-N-苄基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、三烷氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三甲基氯化铵，N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)苄基-N，N，N-三甲基氯化铵、双(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、双(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)-乙二胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺，和它们的组合。
特别是，在用γ-氨基丙基三乙氧基硅烷对抛光剂进行表面处理的情况下，当将氨基硅烷缓慢地加入到抛光材料中并猛烈地搅拌混合物时，可获得均匀的涂层。此外，将硅烷分散在水溶液中，且由于烷氧基被分离，会生成醇形式的副产物，同时硅烷醇基团与抛光剂的羟基通过Si-O-Si键形成强化学键合。因此，该键合不会被制备抛光浆料时加入的添加剂化合物破坏。
所述添加剂选自如下组成的组中的任一种：氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合。图1为示出本发明用于化学机械抛光的浆料组合物的抛光机理的示意图。根据图1，添加剂的阴离子官能团在本发明的酸性pH环境下被离子化。当阴离子官能团曝露于氧化硅膜和氮化硅膜时，阴离子官能团与氮化硅膜键合，且阳离子官能团朝外。因此，与氮化硅膜键合的添加剂表现出防止抛光材料与氮化硅膜直接接触的抑制作用。因此，由于抛光剂由氨基硅烷处理而生成的表面电荷与添加剂之间的相互作用，能够大大地提高对氧化硅膜的抛光速率，而对氮化硅膜的抛光速率则降低。如此，能够显著地提高对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比。
所述氨基酸可选自如下组成的组中的任一种：缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、甘氨酸、丙氨酸、蛋氨酸、谷氨酸、天门冬氨酸、谷酰胺、天冬酰胺酸、赖氨酸、精氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、组氨酸、脯氨酸、其衍生物及其混合物。其中，优选使用丙氨酸、苯丙氨酸、甘氨酸及其衍生物。
添加剂的加入量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量可以为0.001wt％至5wt％，且优选为0.005wt％至0.5wt％。如果添加剂的含量小于0.001wt％，则添加剂不能充分地发挥其作用，如果含量大于5wt％，则对氧化硅膜的抛光速率会趋于下降。
抛光剂中氨基硅烷与添加剂的重量比可以是1∶2至1∶50，且优选为1∶4至1∶15。当抛光剂中氨基硅烷与添加剂的重量比在上述范围内时，能够提高对氧化硅膜的抛光速率以及对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比。此外，如果抛光剂中氨基硅烷与添加剂的重量比超过上述范围，即使增加添加剂的含量，对氧化硅膜的抛光速率的下降程度也会是可忽略不计的，且对氮化硅膜的抛光速率不会有显著的变化。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含轮廓改善剂。所述轮廓改善剂可以是低分子量化合物或聚合物化合物，两者都含有乙二醇基团。可使用的优选实例包括乙二醇、丙二醇、聚乙二醇和聚丙二醇。
所述轮廓改善剂的加入量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量为可以为0.01wt％至5wt％。如果轮廓改善剂的含量小于0.01wt％，则难以获得轮廓改善效果，而如果含量大于5wt％，则可导致抛光速率下降。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含缓蚀剂。作为缓蚀剂，可使用选自如下组成的组中的任一种：1，2，4-***、苯并***、5-甲基苯并***、5-氨基四唑、1-烷基-5-氨基四唑、5-羟基四唑、1-烷基-5-羟基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑，和它们的组合。
所述缓蚀剂的加入量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量可以为0.0001wt％至0.5wt％。如果缓蚀剂的含量小于0.0001wt％，则难以获得缓蚀效果，如果含量大于0.5wt％，则对金属膜的抛光速率会下降，且会对溶解度造成影响，缓蚀剂会因此而被析出。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物可进一步包含氧化剂。所述氧化剂可选自如下组成的组中的任一种：具有一个或多个过氧基团的化合物、含有在其最高氧化态下的元素的化合物，和它们的组合。
可使用的具有一个或多个过氧基的化合物的实例包括过氧化氢加合物，如过氧化氢、过氧化氢脲和过碳酸盐；有机过氧化物，如过氧化苯甲酰、过乙酸和二叔丁基过氧化物；过硫酸盐(单过硫酸盐或二过硫酸盐)；过氧化钠；及其混合物。
含有在其最高氧化态下的元素的化合物的实例包括高碘酸盐、过硼酸盐和高锰酸盐。
此外，作为氧化剂，还可以使用非过氧化化合物(non-percompounds)，可使用的非过氧化化合物的实例包括溴酸盐、铬酸盐、碘酸盐、碘酸、铈(IV)化合物(如硝酸铈铵)；和硝酸铁。
作为氧化剂，优选使用过氧化氢，且所述氧化剂的加入量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量可以为0.01wt％至5wt％，且优选为0.05wt％至3wt％。如果氧化剂的含量小于0.01wt％，则作为阻挡金属膜的钽表面会生成严重的划痕，而如果含量大于3wt％，则对氧化硅膜的抛光速率会降低。
对于包含在所述用于化学机械抛光的浆料组合物中的溶剂，可以使用用于化学机械抛光的浆料组合物中的任何溶剂，例如，可以使用去离子水，但本发明不限于此。另外，溶剂的含量为用于化学机械抛光的浆料组合物的总量减去表面经氨基硅烷处理的抛光剂、诸如氨基酸的添加剂，和附加的添加剂的含量所获得的余数。
根据本发明另一实施方式的制造半导体器件的方法包括以下步骤：使用所述用于化学机械抛光的浆料组合物对阻挡金属膜、氧化硅膜和氮化硅膜进行同时抛光。能够通过所述抛光步骤形成硅通孔。对于使用所述用于化学机械抛光的浆料组合物对阻挡金属膜、氧化硅膜和氮化硅膜进行同时抛光的方法，可以使用常规使用的任何传统的抛光方法和条件，且在本发明中对其没有特别限制。因此，在本说明书中将不对抛光方法和条件作具体的描述。
所述用于化学机械抛光的浆料组合物能够对氧化硅膜和氮化硅膜进行抛光，由此获得对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比为大于或等于5，且优选为7至50。
本发明的实施方式的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，因此，能够在短时间内完成去除绝缘膜的工序。由于能够选择性地防止作为抛光抑制膜的氮化硅膜的去除，所以能够在器件的制造过程中获得优异的特性。此外，本发明的浆料组合物能够维持对阻挡金属膜和绝缘膜均一的抛光速率，不产生由于抛光速率的差异而导致的抛光不均衡，且对于钽膜和氧化硅膜具有合适的抛光速率，因此能够获得优异的平坦化度。浆料组合物的优点还在于能够在短时间内有效地消除由一次CMP工艺导致的凹凸和腐蚀。另外，本发明的浆料组合物的优点还在于浆料组合物具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。
另外，所述用于化学机械抛光的浆料组合物能够以高速率对阻挡金属膜、氧化物膜和抛光抑制膜进行抛光，且具有与现有技术的浆料相比缩短了抛光时间，因此，所述浆料组合物在提高生产率方面高度有利。
以下，将通过实施例详细说明本发明，从而使本领域普通技术人员能够容易地实施本发明。然而，本发明能够以多种不同的形式实施，且并不意图将其限制为本文所述的实施例。
实验实施例
使用其上沉积有厚度为的薄膜的钽样品晶片进行抛光。对于氧化硅膜，使用其上具有厚度为的PETEOS薄膜的样品晶片，而对于氮化硅膜，使用其上具有厚度为的薄膜的样品晶片。
对于抛光装置，使用Poli400(G&PTechnology，Inc.制造)，且使用抛光垫IC1000(DowCorningCorp.)进行抛光测试。抛光条件如下：台/头(table/head)速率为93/87rpm，抛光压力为140g/cm2，浆料供应流速为200ml/min，且抛光时间为30秒至60秒。
如下测定钽薄膜的厚度：使用四点探针表面电阻分析仪(AITSemiconductor，Inc.)测量表面电阻，然后由其计算厚度。PETEOS和氮化硅膜的薄膜厚度用SpectraThick4000(K-MACCorp.)来测量。
(实施例1)
如下表1示出的组成制备实施例和比较例的抛光浆料组合物。另外，对所制备的抛光浆料组合物进行抛光评价，其结果也在表1中示出。
下表1中使用的胶态硅石为平均粒径分别为35nm、55nm和75nm的胶态硅石，且在用相对于抛光剂总量为0.25wt％的γ-氨基丙基三乙氧基硅烷对各胶态硅石进行表面处理后使用各胶态硅石。
另外，制备具有如下组成的抛光浆料：5wt％的抛光剂、0.1wt％的作为缓蚀剂的5-氨基四唑和1.0wt％的作为氧化剂的过氧化氢。在制备浆料期间，如果需要，使用硝酸和氢氧化钾将浆料调节至所需的pH值。
[表1]
根据表1，胶态硅石颗粒越小，对PETEOS的抛光速率增加，且使用硅烷-涂布的抛光材料时具有对PETEOS薄膜的抛光速率迅速增加的效果。具有对氮化硅膜的抛光速率降低的效果。
(实施例2)
通过改变实施例1-2的组合物的pH值对抛光进行评价。结果在下表2示出。
[表2]
如表2示出的，对PETEOS的抛光速率在pH3.4时达到最大限度，且对氮化硅膜的抛光速率随pH的增加而增加。pH为5时，抛光剂发生聚集。
(实施例3)
制备如下表3示出的组成的抛光浆料组合物。另外，对所制备的抛光浆料组合物的抛光进行评价。其结果在下表3示出。
下表3示出的抛光浆料组合物各包含5wt％的抛光剂，所述抛光剂通过用相对于抛光剂总量为0.25wt％的γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、0.1wt％的5-氨基四唑(作为缓蚀剂)、1.0wt％的过氧化氢(作为氧化剂)和0.05wt％的各种添加剂对平均粒径为55nm的胶态硅石进行均一的表面处理而制得。
[表3]
如表3示出的，当加入本发明的添加剂时，对PETEOS的抛光速率增加，对氮化硅膜的抛光速率减少，且保持对钽的抛光速率。然而，比较例的添加剂降低了对氧化硅膜的抛光速率，并提高了对氮化物膜的抛光速率。
(实施例4)
通过向实施例3-4的组合物进一步加入轮廓改善剂而制备抛光浆料组合物，然后对300-mm晶片进行抛光评价。结果在以下的表4和图2中示出。
使用Poli762(G&PTechnology，Inc.)作为抛光装置，且使用抛光垫IC1070(DowCorningCorp.)进行抛光测试。抛光条件如下：台/头速率为67/53rpm，抛光压力为1.5psi，浆料供应流速为250ml/min，且抛光时间为60秒。
对于用于抛光的晶片，使用其上沉积有厚度为的PETEOS薄膜的300-mm晶片，且用51点线测量抛光速率，观察晶片轮廓中的任何变化。
[表4]
根据表4和图2，当含有乙二醇基团的化合物被加入到含有表面经氨基硅烷处理的抛光剂和添加剂(如氨基酸)的抛光浆料组合物中时，抛光轮廓特性得到改善。此外，可以看到，当轮廓改善剂的含量增加时，抛光轮廓特性得到改善，且能够获得均匀的抛光表面。
尽管上文描述和例示了本发明的优选实施方式，理应明白，其为对本发明的举例说明，而不应被理解为对本发明的限制。此外，可以对其作出添加、删减、替代和其它修饰，而不偏离本发明的精神或范围。因此，本发明不应理解为受上文的描述所限制，且仅受限于所附权利要求的范围。
Claims (9)
1.一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含：
0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；
0.001wt％至5wt％的丙氨酸；
0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和
0.01wt％至5wt％的氧化剂；
其余为溶剂，
其中所述用于化学机械抛光的浆料组合物的pH值为3至3.9，对氧化硅膜与对氮化硅膜的抛光选择比为14.95至50，
其中通过使用所述用于化学机械抛光的浆料组合物形成硅通孔。
2.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其中所述氨基硅烷选自如下组成的组中的任一种：氨基丙基三烷氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)-丙基三烷氧基硅烷、(2-N-苄基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、三烷氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化铵、N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基氯化铵、双(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲胺、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、双(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺及它们的组合。
3.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其中所述缓蚀剂选自如下组成的组中的任一种：1,2,4-***、苯并***、5-甲基苯并***、5-氨基四唑、1-烷基-5-氨基四唑、5-羟基四唑、1-烷基-5-羟基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑，和它们的组合。
4.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其中所述氧化剂选自如下组成的组中的任一种：过氧化氢、过硫酸盐，和它们的组合。
5.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其中所述表面经氨基硅烷处理的抛光剂是平均粒径为5至120nm的胶态硅石，且包含相对于抛光剂总量为0.001wt％至1wt％的氨基硅烷。
6.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其进一步包含pH调节剂，所述pH调节剂选自如下组成的组中的任一种：氢氧化钾、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、硝酸、盐酸、硫酸、高氯酸、磷酸，和它们的组合。
7.如权利要求1所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其进一步包含具有乙二醇基团的抛光轮廓改善剂，所述抛光轮廓改善剂的量相对于所述用于化学机械抛光的浆料组合物的总量为0.001wt％至5wt％。
8.如权利要求7所述的用于化学机械抛光的浆料组合物，其中所述抛光轮廓改善剂选自如下组成的组中的任一种：乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇，和它们的组合。
9.制造半导体器件的方法，其包括使用权利要求1至8中任一项所述的用于化学机械抛光的浆料组合物对阻挡金属膜、氧化硅膜和氮化硅膜进行同时抛光，其中通过所述同时抛光形成硅通孔。
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