CN203708208U - 掉电记忆电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种掉电记忆电路，包括：IC芯片、与IC芯片连接的电阻、与电阻串接并接地的电压检测电容、并联在电阻两端的截止二极管以及与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容。由于本实用新型掉电记忆电路在掉电时，供电电容向IC芯片供电，IC芯片向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式，从而可以在掉电记忆电路掉电时延长IC芯片保存工作参数的时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路技术领域，具体涉及一种掉电记忆电路。
背景技术
家电产品分为带电池和不带电池两种，带电池的作用主要是为了家电产品在掉电时给芯片提供能量以记忆工作参数，而不带电池的家电产品则无法长时间保存工作参数，只能依靠电容的残存电量来维持芯片的运行，然而其维持时间非常短，而且还存在数据随机丢失的风险。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种掉电记忆电路，旨在延长掉电记忆电路在掉电时保存工作参数的时间。
为了实现本实用新型的目的，本实用新型提供一种掉电记忆电路，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
并联在电阻两端的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
优选地，所述电阻连接IC芯片的AN引脚，所述供电电容连接IC芯片的VDD引脚和GND引脚。
优选地，所述电压检测电容为瓷片电容，所述供电电容为电解电容。
本实用新型还提供一种掉电记忆电路，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
连接在电压检测电容和电压源VDD之间的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
由于本实用新型掉电记忆电路在掉电时，通过供电电容向IC芯片供电，通过电压检测电容检测IC芯片电压以使在低功耗模式和正常模式之间切换来延长供电电容的放电时间，从而可以在掉电记忆电路掉电时延长IC芯片保存工作参数的时间。
附图说明
图1为应用本实用新型方法的掉电记忆电路的第一实施例的电路图；
图2为图1所示掉电记忆电路工作原理图；
图3为应用本实用新型方法的掉电记忆电路的第二实施例的电路图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供一种掉电记忆电路，请参阅图1，其揭示了本实用新型掉电记忆电路的第一实施例，在本实施例中，掉电记忆电路包括IC芯片110、与IC芯片110连接的电阻120、与电阻120串接并接地的电压检测电容130、并联在电阻120两端的截止二极管140以及与IC芯片110连接的供电电容150。所述电阻120连接IC芯片110的AN引脚。所述电压检测电容130是瓷片电容，其容量在pF级、放电快。所述供电电容150连接IC芯片110的VDD引脚和GND引脚，所述供电电容150是电解电容EC1，其容量大在uF级、放电慢。
请参阅图2，本实施例掉电记忆电路的工作原理如下：
在掉电记忆电路接通电压源VDD工作时，电压源VDD向供电电容150供电；在掉电记忆电路掉电时，供电电容150向IC芯片110供电，以使IC芯片110保存工作参数；IC芯片110给电压检测电容130供电，且IC芯片110检测电压检测电容130的电压并将其与设定的低功耗电压进行比较，IC芯片110在检测到电压检测电容130的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式；进入低功耗模式后，IC芯片110消耗的电流迅速降低，供电电容150的放电时间延长；然后，IC芯片110检测电压检测电容130的电压并将其与设定的激活电压进行比较，IC芯片110在检测到电压检测电容130的电压大于激活电压时重新切换为正常模式，此时IC芯片110判定为等同于与电压源VDD连接的模式，IC芯片110对电压检测电容130和供电电容进行充电，如此反复；若在IC芯片110从低功耗模式切换为正常模式时，IC芯片110检测到电压检测电容130的电压不高于激活电压时，则IC芯片110仍处于低功耗模式直至电压检测电容130的供电电压低于复位电压时，IC芯片110因供电电压过低而进行复位。
由于本实施例掉电记忆电路在掉电时，通过IC芯片110检测电压检测电容130的电压，并通过IC芯片110在低功耗模式和正常模式之间切换以延长供电电容150的放电时间，从而可以延长掉电记忆电路保存工作参数的时间。
请参阅图3，其揭示了实现本实用新型方法的掉电记忆电路的第二实施例，在本实施例中，掉电记忆电路包括IC芯片210、与IC芯片210连接的电阻220、与电阻220串接并接地的电压检测电容230、连接在电压检测电容230和电压源VDD之间的截止二极管240以及与IC芯片210连接的供电电容250。所述电阻220连接IC芯片210的AN引脚。所述供电电容250连接IC芯片210的VDD引脚和GND引脚。
本实施例掉电记忆电路的工作原理与第一实施例掉电记忆电路的工作原理相似，不同之处在于：在掉电记忆电路接通电压源VDD工作时，由电压源VDD通过截止二极管240给电压检测电容230充电，在掉电记忆电路掉电时，IC芯片210通过电阻220给电压检测电容230供电，且IC芯片210检测电压检测电容230的电压并将其与设定的低功耗电压进行比较，此时截止二极管240截止以防止电压检测电容230给电压源VDD供电。
由于本实施例掉电记忆电路在掉电时，通过IC芯片210检测电压检测电容230的电压，并通过IC芯片210在低功耗模式和正常模式之间切换以延长供电电容250的放电时间，从而可以延长掉电记忆电路保存工作参数的时间。
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种掉电记忆电路，其特征在于，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
并联在电阻两端的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
2.如权利要求1所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电阻连接IC芯片的AN引脚，所述供电电容连接IC芯片的VDD引脚和GND引脚。
3.如权利要求1所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电压检测电容为瓷片电容，所述供电电容为电解电容。
4.一种掉电记忆电路，其特征在于，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
连接在电压检测电容和电压源VDD之间的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
5.如权利要求4所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电阻连接IC芯片的AN引脚，所述供电电容连接IC芯片的VDD引脚和GND引脚。
6.如权利要求4所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电压检测电容为瓷片电容，所述供电电容为电解电容。
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| CN203708208U true CN203708208U (zh) | 2014-07-09 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN203708208U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109375112A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-02-22 | 江苏玖宇实业有限公司 | 一种蓄电池容量检测掉电记忆方法 |
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2013
- 2013-12-30 CN CN201320885148.9U patent/CN203708208U/zh not_active Expired - Lifetime
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