CN101345076B - 一种电子硬盘及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于存储设备领域,提供了一种电子硬盘,所述电子硬盘包括:主控芯片,用于接收数据自毁命令,根据所述数据自毁命令输出脉冲使能信号;信号转换装置,用于将所述脉冲使能信号转换成数据自毁触发信号,并输出所述数据自毁触发信号;闪存阵列,用于存储数据;以及高电压控制器,分别与所述闪存阵列及所述信号转换装置相连,用于检测到所述数据自毁触发信号时,将高电压作用于所述闪存阵列,使所述闪存阵列烧毁。在本发明的实施例中,通过使用一高电压控制器,并利用主控芯片控制该高电压控制器,从而可利用高电压作用于Flash,使Flash烧毁,从而可以迅速销毁存储在Flash中的数据。

Description

一种电子硬盘及电子设备
技术领域
本发明属于存储设备领域,尤其涉及一种电子硬盘及电子设备。
背景技术
随着信息技术的发展,硬盘等存储设备也越来越被广泛使用,而传统的硬盘采用磁盘作为存储介质,通过磁盘的旋转动作,实现数据存储。这种传统的硬盘容易受外界环境的影响,震动、温度等因素都会影响这种硬盘的正常运转。为了避免震动、温度等环境因素对硬盘的影响,人们在一些需要的场合已经开始使用了电子硬盘。这种硬盘采用闪存阵列(Flash)作为存储介质,用无机械运动的存储方式来存储数据,从而具有抗震动和抗高低温等特性。目前,用户需要删除电子硬盘里的数据时,一般通过使用外部软件,对该硬盘中的数据进行部分或全部删除。但使用这种方式进行删除数据时,删除数据的速度不够迅速,达不到某些用户的需求。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种电子硬盘,旨在解决现有电子硬盘删除数据不够迅速的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种电子硬盘,所述电子硬盘包括:
主控芯片,用于接收数据自毁命令,根据所述数据自毁命令输出脉冲使能信号;
信号转换装置,用于将所述脉冲使能信号转换成数据自毁触发信号,并输出所述数据自毁触发信号;
闪存阵列,用于存储数据;以及
高电压控制器,分别与所述闪存阵列及所述信号转换装置相连,用于检测到所述数据自毁触发信号时,将高电压作用于所述闪存阵列,使所述闪存阵列烧毁。
本发明实施例的另一目的在于提供一种电子设备,所述电子设备包括至少一个电子硬盘,其特征在于,所述电子硬盘包括:
主控芯片,用于接收数据自毁命令,根据所述数据自毁命令输出脉冲使能信号;
信号转换装置,用于将所述脉冲使能信号转换成数据自毁触发信号,并输出所述数据自毁触发信号;
闪存阵列,用于存储数据;以及
高电压控制器,分别与所述闪存阵列及所述信号转换装置相连,用于检测到所述数据自毁触发信号时,将高电压作用于所述闪存阵列,使所述闪存阵列烧毁。
在本发明的实施例中,通过使用一高电压控制器,并利用主控芯片控制该高电压控制器,从而可利用高电压作用于Flash,使Flash烧毁,从而可以迅速销毁存储在Flash中的数据。
附图说明
图1是本发明实施例提供的电子硬盘的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在本发明的实施例中,通过使用一高电压控制器,并利用主控芯片控制该高电压控制器,从而可利用高电压作用于Flash,使Flash烧毁,从而可以迅速销毁存储在Flash中的数据。
图1示出了本发明实施例提供的电子硬盘的结构,该电子硬盘可以为电子设备的存储设备。当然,电子设备可以为计算机、录像机、电视机或机顶盒等。
当主控芯片11接收到用户发出的数据自毁命令时,产生一个脉冲使能信号,并将该脉冲使能信号输出给信号转换装置12。信号转换装置12将该脉冲使能信号进行转换,输出一个数据自毁触发信号给高电压控制器13。高电压控制器13检测到该数据自毁触发信号时,将高电压作用于Flash14,使Flash14烧毁,从而存储在Flash14中的数据也就销毁了。
当电子硬盘正常工作时,即主控芯片11未接收到用户发出的数据自毁命令时,由主板电源对Flash14进行供电,以使Flash14正常工作。
作为本发明的实施例,该数据自毁触发信号为一个电平信号,而高电压控制器13为一继电器,其一触点与主板电源的一个高电压输出线相连,其另一触点与主板电源的Flash正常工作电压输出线相连。当接收到数据自毁触发信号时,继电器与高电压连通,高电压通过继电器,作用于Flash14,将Flash14烧毁。当电子硬盘正常工作时,继电器与Flash正常工作电压连通,该电压通过继电器,作用于Flash14,使Flash14能正常工作。作为本发明的实施例,Flash正常工作电压的值为+3.3V,高电压的值为+12V。
为了更好地发送数据自毁命令,在电子硬盘里还可以包括数据自毁命令触发器,该数据自毁命令触发器与主控芯片连接,向主控芯片输入数据自毁命令。该数据自毁命令触发器可以为设置于电子硬盘上的按键,或者无线信号接收器。
在本发明的实施例中,通过使用一高电压控制器,并利用主控芯片控制该高电压控制器,从而可利用高电压作用于Flash,使Flash烧毁,从而可以迅速销毁存储在Flash中的数据。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子硬盘,其特征在于,所述电子硬盘包括:
主控芯片,用于接收数据自毁命令,根据所述数据自毁命令输出脉冲使能信号;
信号转换装置,用于将所述脉冲使能信号转换成数据自毁触发信号,并输出所述数据自毁触发信号;
闪存阵列,用于存储数据;以及
高电压控制器,分别与所述闪存阵列及所述信号转换装置相连,用于检测到所述数据自毁触发信号时,将高电压作用于所述闪存阵列,使所述闪存阵列烧毁。
2.如权利要求1所述的电子硬盘,其特征在于,所述高电压控制器为继电器,其一触点与主板电源的一个高电压输出线相连,其另一触点与主板电源的闪存阵列正常工作电压输出线相连。
3.如权利要求1所述的电子硬盘,其特征在于,所述电子硬盘进一步包括:
数据自毁命令触发器,与所述主控芯片连接,用于向所述主控芯片输入数据自毁命令。
4.如权利要求3所述的电子硬盘,其特征在于,所述数据自毁命令触发器为设置于电子硬盘上的按键,或者无线信号接收器。
5.如权利要求1所述的电子硬盘,其特征在于,所述数据自毁触发信号为电平信号。
6.一种电子设备,所述电子设备包括至少一个电子硬盘,其特征在于,所述电子硬盘包括:
主控芯片,用于接收数据自毁命令,根据所述数据自毁命令输出脉冲使能信号;
信号转换装置,用于将所述脉冲使能信号转换成数据自毁触发信号,并输出所述数据自毁触发信号;
闪存阵列,用于存储数据;以及
高电压控制器,分别与所述闪存阵列及所述信号转换装置相连,用于检测到所述数据自毁触发信号时,将高电压作用于所述闪存阵列,使所述闪存阵列烧毁。
7.如权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述高电压控制器为继电器,其一触点与主板电源的一个高电压输出线相连,其另一触点与主板电源的闪存阵列正常工作电压输出线相连。
8.如权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述电子硬盘进一步包括:
数据自毁命令触发器,与所述主控芯片连接,用于向所述主控芯片输入数据自毁命令。
9.如权利要求8所述的电子设备,其特征在于,所述数据自毁命令触发器为设置于电子硬盘上的按键,或者无线信号接收器。
10.如权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备为计算机或录像机或电视机或机顶盒。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101706853B (zh) * 2009-11-10 2011-05-18 徐欣 基于固态硬盘的防失密自毁***
CN102568559A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 西安奇维测控科技有限公司 一种电子盘双重数据销毁的方法
CN102553896B (zh) * 2012-02-10 2014-12-31 国家计算机网络与信息安全管理中心 固态硬盘销毁器
CN102662804A (zh) * 2012-03-21 2012-09-12 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘防掉电不可逆自毁的方法
CN102615084A (zh) * 2012-04-16 2012-08-01 天津市英贝特航天科技有限公司 一种固体硬盘硬件销毁电路
CN104785503B (zh) * 2015-04-20 2016-09-14 刘鹏 用于非易失性存储芯片自毁的自毁微***及其自毁方法
CN105095797A (zh) * 2015-09-21 2015-11-25 中国船舶重工集团公司第七一七研究所 电子数据存储单元的物理自毁控制电路
CN106227116A (zh) * 2016-09-08 2016-12-14 福建工程学院 一种无人机信息保护方法
CN107563227B (zh) * 2017-08-31 2020-07-14 中国人民解放军海军医学研究所 防数据窃密的终端设备
CN108009448A (zh) * 2018-01-02 2018-05-08 湖南国科微电子股份有限公司 一种固态硬盘数据销毁方法、装置及***
CN111128284B (zh) * 2019-11-26 2022-03-11 中国人民解放军93216部队 一种存储电路瞬态销密控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6166961A (en) * 1999-08-19 2000-12-26 Aplus Flash Technology, Inc. Approach to provide high external voltage for flash memory erase
CN2632743Y (zh) * 2003-06-27 2004-08-11 北京金盛怡科技有限公司 Ide电子硬盘

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6166961A (en) * 1999-08-19 2000-12-26 Aplus Flash Technology, Inc. Approach to provide high external voltage for flash memory erase
CN2632743Y (zh) * 2003-06-27 2004-08-11 北京金盛怡科技有限公司 Ide电子硬盘

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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