CN102541141B - 电流限制电路以及电源电路 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够得到希望的フ字特性的电流限制电路以及电源电路。该电流限制电路具有：检测与输出电压对应的检测电压的检测电路；生成与所述检测电压对应的控制电流的控制电流生成电路；用于检测所述检测电压的第一晶体管；与所述第一晶体管连接，用于控制所述输出电流的限制的开/关的第二晶体管；以及连接在所述第二晶体管的基极和发射极之间，用于使所述第二晶体管的基极的电位大于预定值的电阻。

Description

电流限制电路以及电源电路
技术领域
本发明涉及电流限制电路以及具有该电流限制电路的电源电路，所述电流限制电路具有检测与输出电压对应的检测电压的检测电路、生成与所述检测电压对应的控制电流的控制电流生成电路，并根据所述控制电流限制输出电流。
背景技术
图3表示现有的电源电路的一例。电源电路10包含基准电压生成电路11、偏置电路12、检测电路13、控制电路14、电流限制电路15、电流控制晶体管Q1。
基准电压生成电路11和偏置电路12连接在输入端子Tin和接地端子Tgnd之间。检测电路13由电阻R5、R6构成，连接在输出端子Tout和接地端子Tgnd之间，对输出端子Tout和接地端子Tgnd之间的输出电压Vout进行分压。通过电阻R5、R6分压而得的电压是与输出电压Vout对应的电压。该电压作为检测电压Vs被提供给控制电路14。
控制电路14由差动放大电路21、晶体管Q2构成。在差动放大电路21的同相输入端子上从基准电压生成电路11施加基准电压Vref，在反相输入端子上从检测电路13施加检测电压Vs。
差动放大电路21输出对应于基准电压Vref和检测电压Vs的差的电流。差动放大电路21的输出电流被提供给晶体管Q2的基极。晶体管Q2由NPN晶体管构成。
对晶体管Q2的基极提供差动放大电路21以及电流限制电路15的输出。另外，晶体管Q2的集电极与电流控制晶体管Q1以及构成电流限制电路15的晶体管Q3的基极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，将晶体管Q2的集电极电流变换为电压(I-V变换)。
晶体管Q2根据差动放大电路21以及电流限制电路15的输出，控制电流控制晶体管Q1以及构成电流限制电路14的晶体管Q3的基极电位。电流控制晶体管Q1由PNP晶体管构成。电流控制晶体管Q1发射极与输入端子Tin连接，集电极与输出端子Tout连接，基极与晶体管Q2的集电极连接。电流控制晶体管Q1将与晶体管Q2的集电极电位对应的电流从输入端子Tin提供给输出端子Tout。
电流限制电路15包含晶体管Q3～Q6、电阻R1～R4。电阻R3、R4串联连接在输出端子Tout和接地端子Tgnd之间，对输出电压Vout进行分压。将分压后的电压提供给晶体管Q4的基极。
晶体管Q4由PNP晶体管构成。晶体管Q4的基极与电阻R3和电阻R4的连接点连接，发射极经由电阻R2与晶体管Q3的集电极连接，集电极与晶体管Q5的集电极以及基极连接。
晶体管Q5由NPN晶体管构成。晶体管Q5的集电极与晶体管Q4的集电极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，基极与晶体管Q4的集电极以及晶体管Q6的基极连接。
晶体管Q6由NPN晶体管构成。晶体管Q6的集电极与晶体管Q2的基极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，基极与晶体管Q5的基极以及集电极连接。晶体管Q5、Q6构成了电流镜电路，从晶体管Q2的基极引入与晶体管Q4的集电极电流对应的电流。
电阻R1连接在晶体管Q3的集电极与接地端子Tgnd之间。晶体管Q3由PNP晶体管构成。晶体管Q3的发射极与输入端子Tin连接，集电极与电阻R1、R2连接，基极与晶体管Q2的集电极连接。晶体管Q3将与晶体管Q2的集电极电位对应的电流提供给电阻R1以及电阻R2。此外，晶体管Q1、Q3设定了元件的面积，以便当将晶体管Q1的集电极电流设为Io时，晶体管Q3的集电极电流成为(Io/n)。
在电源电路10中，当对晶体管Q3的集电极电流进行I-V变换所得的电压上升到电流限制电路15的阈值电压Vt＝(R4/(R3+R4))×Vout+Vbe4时，晶体管Q4导通，实施电流限制。此外，Vbe4是晶体管Q4的基极-发射极电压。
当实施电流限制时，输出电压Vout降低，对晶体管Q4的基极施加的电阻R3和电阻R4的连接点的电压(R4×(R3+R4))×Vout降低，因此，期待得到图4所示的电流-电压特性。图4是表示现有的电源电路的电流-电压特性的图。
例如在专利文献1中记载了具有期待这种图4所示的电流-电压特性的电流限制电路的电源电路。
在上述现有的电源电路中，当输出电压Vout降低到GND电位时，晶体管Q4的基极电位大致成为GND电位，晶体管Q4进入饱和区域。当晶体管Q4进入饱和区域时，图5所示那样的寄生元件Q7导通。图5表示包含寄生元件的现有的电源电路的一例。
通过导通该寄生元件Q7，电源电路10的电流-电压特性成为图6所示那样，无法得到图4所示那样的希望的特性。图6表示包含寄生元件的现有的电源电路的电流-电压特性。
专利文献1：日本特开2002-304225号公报
发明内容
鉴于上述情况，为了解决该问题而提出本发明，其目的在于提供能够得到希望的电流-电压特性的电源电路以及电流限制电路。
为了达成上述目的，本发明采用了如下结构。
本发明提供一种电流限制电路(150、150A)，其根据控制电流来限制输出电流，其具有：检测电路(R30、R40)，其检测与输出电压对应的检测电压，包含在输出端子和接地端子之间串联连接的第一电阻(R30)和第二电阻(R40)；生成与所述检测电压对应的控制电流的控制电流生成电路(Q30、Q40、Q50、Q60)，其中，所述控制电流生成电路具有：使所述控制电流流过的第一晶体管(Q30)；与所述第一晶体管(Q30)连接，用于控制所述输出电流的限制的开/关的第二晶体管(Q40)；以及连接在所述第二晶体管(Q40)的基极和发射极之间的电阻(R70)，所述第二晶体管(Q40)的基极连接在所述第一电阻(R30)和所述第二电阻(R40)的连接点上。
另外，本发明的电流限制电路中，将所述控制电流变换为电压的电压变换用电阻(R10)、以及与所述电压变换用电阻(R10)串联连接的二极管(D1)连接在所述第一晶体管(Q30)的集电极和接地端子(Tgnd)之间。
本发明提供一种电源电路(100、100A)，其具有检测与输出电压对应的第一检测电压的第一检测电路(R50、R60)、根据所述第一检测电压将输出电压控制为恒定的控制电路(140)、以及限制输出电流的电流限制电路(150、150A)，其中，所述电流限制电路(150、150A)具有：第二检测电路(R30、R40)，其根据所述输出电压检测第二检测电压，包含在输出端子和接地端子之间串联连接的第一电阻(R30)和第二电阻(R40)，；根据所述第二检测电路(R30、R40)生成控制电流的控制电流生成电路(Q30、Q40、Q50、Q60)，所述控制电流生成电路具有：使所述控制电流流过的第一晶体管(Q30)；与所述第一晶体管(Q30)连接，用于控制所述输出电流的限制的开/关的第二晶体管(Q40)；以及连接在所述第二晶体管(Q40)的基极与发射极之间的电阻(R70)，所述第二晶体管(Q40)的基极连接在所述第一电阻(R30)和所述第二电阻(R40)的连接点上。
此外，上述括号内的参照符号是为了容易理解而附加的，只不过是一例，不限定于图示的形态。
根据本发明，可以得到希望的フ字特性。
附图说明
图1是说明第一实施方式的电源电路的图。
图2是说明第二实施方式的电源电路的图。
图3是表示现有的电源电路的一例的图。
图4是表示现有的电源电路的电流-电压特性的图。
图5是表示包含寄生元件的现有的电源电路的一例的图。
图6是表示包含寄生元件的现有的电源电路的电流-电压特性的图。
符号说明
100、100A 电源电路
130 检测电路
140 控制电路
150、150A 电流限制电路
具体实施方式
在本发明中使电流限制电路的寄生元件不导通。
(第一实施方式)
以下，参照附图说明本发明的第一实施方式。图1是说明第一实施方式的电源电路的图。
本实施方式的电源电路100包含基准电压生成电路110、偏置电路120、检测电路130、控制电路140、电流限制电路150、电流控制晶体管Q10。
基准电压生成电路110和偏置电路120连接在输入端子Tin和接地端子Tgnd之间、检测电路130由电阻R50、R60构成，连接在输出端子Tout和接地端子Tgnd之间，对输出端子Tout和接地端子Tgnd之间的输出电压Vout进行分压。通过电阻R50、R60分压而得的电压是与输出电压Vout对应的电压。该电压作为检测电压Vs被提供给控制电路140。
控制电路140由差动放大电路141和晶体管Q20构成。在差动放大电路141的同相输入端子上从基准电压生成电路110施加基准电压Vref，在反相输入端子上从检测电路130施加检测电压Vs。
差动放大电路141输出对应于基准电压Vref和检测电压Vs的差的电流。差动放大电路141的输出电流被提供给晶体管Q20的基极。晶体管Q20由NPN晶体管构成。
对晶体管Q20的基极供给差动放大电路141以及电流限制电路150的输出。另外，晶体管Q20的集电极与电流控制晶体管Q10以及构成电流限制电路150的晶体管Q30的基极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，将晶体管Q20的集电极电流变换为电压(I-V变换)。
晶体管Q20根据差动放大电路141以及电流限制电路150的输出，控制电流控制晶体管Q10以及构成电流限制电路150的晶体管Q30的基极电位。电流控制晶体管Q10由PNP晶体管构成。电流控制晶体管Q10发射极与输入端子Tin连接，集电极与输出端子Tout连接，基极与晶体管Q20的集电极连接。电流控制晶体管Q10从输入端子Tin向输出端子Tout供给与晶体管Q20的集电极电位对应的电流。
电流限制电路150包含晶体管Q30～Q60、电阻R10、R20、R30、R40、R70。电阻R30、R40串联连接在输出端子Tout和接地端子Tgnd之间，对输出电压Vout进行分压。分压所得的电压被提供给晶体管Q40的基极。
晶体管Q40由PNP晶体管构成。晶体管Q40的基极与电阻R30和电阻R40的连接点以及电阻R70连接。晶体管Q40的发射极经由电阻R20与晶体管Q30的集电极连接，集电极与晶体管Q50的集电极以及基极连接。电阻R70连接在晶体管Q40的基极和发射极之间。
晶体管Q50由NPN晶体管构成。晶体管Q50的集电极与晶体管Q40的集电极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，基极与晶体管Q40的集电极以及晶体管Q60的基极连接。
晶体管Q60由NPN晶体管构成。晶体管Q60的集电极与晶体管Q20的基极连接，发射极与接地端子Tgnd连接，基极与晶体管Q50的基极以及集电极连接。晶体管Q50、Q60构成了电流镜电路，从晶体管Q20的基极引入与晶体管Q40的集电极电流对应的电流。
电阻R10串联连接在晶体管Q30的集电极和接地端子Tgnd之间。晶体管Q30由NPN晶体管构成。晶体管Q30的发射极与输入端子Tin连接，集电极与电阻R10、R20连接，基极与晶体管Q20的集电极连接。晶体管Q30向电阻R10以及电阻R20供给与晶体管Q20的集电极电位对应的电流。此外，电流控制晶体管Q10、晶体管Q30设定了元件的面积，以便当把电流控制晶体管Q10的集电极电流设为Io时，晶体管Q30的集电极电流成为(Io/n)。
在电源电路100中，当将晶体管Q30的集电极电流进行I-V变换而得的电压Vt上升到Vt＝(R40/(R30+R40))×Vout+Vbe40的电位时，晶体管Q40导通来实施电流限制。此外，Vbe40是晶体管Q40的基极-发射极电压。
当实施电流限制时，输出电压Vout降低，在晶体管Q40的基极上施加的电阻R30和电阻R40的连接点的电压Vb降低。
在本实施方式中，电压Vb为Vb＝(R40/(R30+R40))×(Vout+(R30/R70)×Vbe40)。因此，输出电压Vout＝0V时(将输出短路时)的电压Vb成为Vb＝((R30×R40)/(R30+R40))×(Vbe40/R70)。在本实施方式中，通过晶体管Q40的基极和发射极之间的电阻R70，生成Vbe40/R70的恒定电流并使该恒定电流流过电阻R30和电阻R40的连接点，由此提高电压Vb的电位。若电压Vb的电位提高，则寄生元件Q7的基极的电位变为阈值以下，不被导通。
这样，在本实施方式中可以通过简单的结构防止寄生元件Q7被导通，得到图4所示的希望的电流-电压特性。
在本实施方式中，通过使用横向(Lateral)PNP晶体管可以简化晶体管的构造，并且可以使横向PNP晶体管中产生的寄生元件Q70截止。
(第二实施方式)
以下，参照附图说明本发明的第二实施方式。本发明的第二实施方式在电流限制电路中设置了目的在于改善晶体管的温度特性的二极管，仅此一点与第一实施方式不同。因此，在以下的本发明的第二实施方式中仅说明与第一实施方式的不同点，对于具有与第一实施方式相同的功能结构的部分，赋予与在第一实施方式的说明中所使用的符号相同的符号并省略其说明。
图2是说明第二实施方式的电源电路的图。
本实施方式的电源电路100A具有电流限制电路150A。本实施方式的电流限制电路150A，在电阻R10和接地端子Tgnd之间连接了二极管D1。二极管D1用于进行晶体管Q40的集电极电流Ic40的温度补偿。
将电流限制电路150A的电流限制开启的阈值电压Vt通过
Vt＝(R40/(R40+R30))×Vout+Vbe40来决定。
另外，通过电流控制晶体管Q10、晶体管Q30检测的电压Vt1为
Vt1＝VD1+R10×Ic30。
此外，VD1是二极管D1的正向电压，Ic30是晶体管Q30的集电极电流。
二极管D1的正向电压VD1和晶体管Q40的基极-发射极电压Vbe40分别消除各自的温度特性。因此，在本实施方式中可以使电流限制电路150A的温度特性提高。
以上，基于各实施方式说明了本发明，但是本发明不限定于上述实施方式所示的要件。关于这些方面，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行变更，可以根据其应用形态来适当决定。

Claims (3)

1.一种电流限制电路，其根据控制电流来限制输出电流，其特征在于，
具有：检测电路，其检测与输出电压对应的检测电压，包含在输出端子和接地端子之间串联连接的第一电阻和第二电阻；和生成与所述检测电压对应的控制电流的控制电流生成电路，
所述控制电流生成电路具有：
使所述控制电流流过的第一晶体管；
与所述第一晶体管连接，用于控制所述输出电流的限制的开/关的第二晶体管；以及
连接在所述第二晶体管的基极和发射极之间的产生恒定电流的电阻，
所述第二晶体管的基极连接在所述第一电阻和所述第二电阻的连接点上。
2.根据权利要求1所述的电流限制电路，其特征在于，
将所述控制电流变换为电压的电压变换用电阻、以及与所述电压变换用电阻串联连接的二极管连接在所述第一晶体管的集电极和接地端子之间。
3.一种电源电路，具有检测与输出电压对应的第一检测电压的第一检测电路、根据所述第一检测电压将输出电压控制为恒定的控制电路、以及限制输出电流的电流限制电路，该电源电路特征在于，
所述电流限制电路具有：
第二检测电路，其根据所述输出电压检测第二检测电压，包含在输出端子和接地端子之间串联连接的第一电阻和第二电阻；
根据所述第二检测电路生成控制电流的控制电流生成电路；
所述控制电流生成电路具有：
使所述控制电流流过的第一晶体管；
与所述第一晶体管连接，用于控制所述输出电流的限制的开/关的第二晶体管；以及
连接在所述第二晶体管的基极与发射极之间的产生恒定电流的电阻，
所述第二晶体管的基极连接在所述第一电阻和所述第二电阻的连接点上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105763055A (zh) * 2015-01-07 2016-07-13 三美电机株式会社 电源电路

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6006913B2 (ja) * 2010-11-19 2016-10-12 ミツミ電機株式会社 電流制限回路及び電源回路
JP2013190932A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
JP5856513B2 (ja) * 2012-03-21 2016-02-09 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
US20130271102A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Roger Lin Power supply control structure
JP6500588B2 (ja) * 2015-05-15 2019-04-17 ミツミ電機株式会社 レギュレータ用半導体集積回路
US10078055B2 (en) 2015-05-19 2018-09-18 AVID Labs, LLC LED strobe
JP6663103B2 (ja) * 2015-08-24 2020-03-11 ミツミ電機株式会社 レギュレータ用半導体集積回路
CN105468074B (zh) * 2015-12-17 2017-03-29 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种无缝接入电压电流换挡控制***
TWI729870B (zh) * 2020-06-29 2021-06-01 新唐科技股份有限公司 恆定功率控制電路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002304225A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Mitsumi Electric Co Ltd 電流制限回路及び電源回路
JP2007140650A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Fujitsu Ten Ltd シリーズレギュレータ用の集積回路

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6178313U (zh) * 1984-10-29 1986-05-26
US4851953A (en) * 1987-10-28 1989-07-25 Linear Technology Corporation Low voltage current limit loop
US4835649A (en) * 1987-12-14 1989-05-30 United Technologies Corporation Self-latching current limiter
US5289109A (en) * 1990-03-05 1994-02-22 Delco Electronics Corporation Current limit circuit
US5272399A (en) * 1992-02-25 1993-12-21 Siemens Aktiengesellschaft Circuit limiting the load current of a power MOSFET
DE19707708C2 (de) * 1997-02-26 2002-01-10 Infineon Technologies Ag Strombegrenzungsschaltung
JP2001034350A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Funai Electric Co Ltd 直流電源
FR2819904B1 (fr) * 2001-01-19 2003-07-25 St Microelectronics Sa Regulateur de tension protege contre les courts-circuits
GB2384632B (en) * 2002-01-25 2005-11-16 Zetex Plc Current limiting protection circuit
JP2005071263A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 過電流保護回路
JP4614750B2 (ja) * 2004-12-01 2011-01-19 富士通テン株式会社 レギュレータ
JP2008276611A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Nec Electronics Corp 過電流保護回路
US8169202B2 (en) * 2009-02-25 2012-05-01 Mediatek Inc. Low dropout regulators
JP5444869B2 (ja) * 2009-06-19 2014-03-19 ミツミ電機株式会社 出力装置
JP5581921B2 (ja) * 2010-09-09 2014-09-03 ミツミ電機株式会社 レギュレータ及びｄｃ／ｄｃコンバータ
JP5516320B2 (ja) * 2010-10-21 2014-06-11 ミツミ電機株式会社 レギュレータ用半導体集積回路
JP6006913B2 (ja) * 2010-11-19 2016-10-12 ミツミ電機株式会社 電流制限回路及び電源回路
US8841897B2 (en) * 2011-01-25 2014-09-23 Microchip Technology Incorporated Voltage regulator having current and voltage foldback based upon load impedance
EP2527946B1 (en) * 2011-04-13 2013-12-18 Dialog Semiconductor GmbH Current limitation for low dropout (LDO) voltage regulator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002304225A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Mitsumi Electric Co Ltd 電流制限回路及び電源回路
JP2007140650A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Fujitsu Ten Ltd シリーズレギュレータ用の集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105763055A (zh) * 2015-01-07 2016-07-13 三美电机株式会社 电源电路
CN105763055B (zh) * 2015-01-07 2019-02-01 三美电机株式会社 电源电路

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