CN102369607A - 发光装置及照明装置 - Google Patents
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Abstract
发光装置包括:金属制的光反射面(4d)、具有电极(8、9)并且安装在光反射面(4d)上的发光元件(7)、以及覆盖光反射面(4d)及发光元件(7)的密封部件(15)。密封部件(15)具有透光性,并且氧气透过率为40000cc/m2·天以下。
Description
技术领域
本发明涉及在光反射面上安装发光元件、并且用密封部件覆盖这些光反射面及发光元件的发光装置。并且,本发明涉及将上述发光装置作为光源使用的照明装置。
背景技术
例如专利文献1披露了在金属基板上安装有多个发光二极管的发光装置。
在以往的发光装置中,金属基板的表面由树脂制的绝缘层覆盖。第一及第二导电部设在绝缘层上。第一导电部及第二导电部利用狭缝隔开,互相电绝缘。发光二极管的背面与第一导电部进行电连接。发光二极管的表面经由接合线与第二导电部进行电连接。
并且,发光二极管由透明的密封树脂覆盖。密封树脂将第一导电部、第二导电部及接合线连续覆盖。
根据以往的发光装置,第一及第二导电部的表面由Ni或者Au这样的具有抗氧化性的金属膜覆盖。由于这种金属膜可以将其表面维持为镜面,因此可以将第一及第二导电部用作为反射板。而且,由于金属膜难以氧化,因此即使置于氧化性气氛下也不会使镜面性受损。
所以,可以使得从发光二极管朝向金属基板的光在第一及第二导电部处,向光的射出方向有效反射。
专利文献1:日本专利特开2001-57446号公报
发明内容
本发明要解决的问题
覆盖第一及第二导电部的抗氧化性的金属膜可以维持镜面性,这一点较优。然而,本发明人发现不是由于氧化而是由于其他现象,在第一及第二导电部的表面会产生使光反射性下降的污损。
追究该污损的原因,查明了是层叠在金属基板上的树脂制的绝缘层所发出的气体状的分解物给第一及第二导电部的光反射性带来不利影响。
即,绝缘层存在于金属基板与第一及第二导电部之间,并且通过将第一导电部与第二导电部隔开的狭缝与第一及第二导电部的表面相邻。从狭缝露出的绝缘层与第一及第二导电部的表面一起由密封树脂覆盖。
绝缘层若接受到发光二极管的光或热量,则会逐渐劣化,不可否认会发出包含有机成分的气体状的分解物。绝缘层所发出的分解物透过密封部件到达第一及第二导电部的表面,并且在第一及第二导电部的表面上变色。
此外,若空气中的氧或水分从密封部件的表面透过密封部件到达第一及第二导电部的表面,则气体状的分解物在第一及第二导电部的表面上与氧或水分起化学反应而变色。
其结果是,可知在第一及第二导电部的表面上产生带黑色的污损,由于此原因而有损第一及第二导电部的光反射性能。
本发明的目的在于得到一种发光装置,该发光装置可以良好地维持光反射面的光反射性,可以高效地射出光。
本发明的其他目的在于得到一种照明装置,该照明装置将可以高效地射出光的发光装置作为光源使用。
用于解决问题的方法
为达到上述目的,权利要求1所涉及的发光装置,
包括:金属制的光反射面、具有电极并且安装在所述光反射面上的发光元件、以及覆盖所述光反射面及所述发光元件的密封部件。密封部件具有透光性,并且氧气透过率规定为40000cc/m2·天(day)以下。
在权利要求1的发光装置中,作为发光元件的一个例子,可以使用发光二极管。例如也可以使用半导体激光器、有机EL元件这样的其他发光元件来代替发光二极管。并且,也可以将在副基板上安装有1个发光元件的发光模块、或者在副基板上安装有多个发光元件的发光元件模块配置在光反射面上。
光反射面例如由银、镍这样的光反射性优良的金属材料形成即可,特别优选的是银。作为密封部件,可以使用具有透光性的树脂材料的一个例子即透明硅酮树脂、透明聚氨酯树脂、透明丙烯酸树脂等。密封部件也可以不必完全覆盖发光元件,例如发光元件的一部分露出在密封部件外。
在权利要求1的发光装置中,例如为了使用发出蓝色的光的发光二极管而得到白色的光,将由蓝色的光激发并发射黄色的光的黄色荧光体混入密封部件即可。在使用发出蓝色的光的发光二极管的情况下,为了改善光的显色性,将由蓝色的光激发并发出红色的光的红色荧光体添加至密封部件中即可。此外,为了提高可见度,将绿色荧光体添加至密封部件中即可。
并且,为了使用发出紫外线的发光二极管而得到白色的光,将由紫外线激发并发射红色的光的红色荧光体、由紫外线激发并发射绿色的光的绿色荧光体及由紫外线激发并发射蓝色的光的蓝色荧光体混入密封部件即可。
作为荧光体,可以根据欲得到的光的颜色使用YAG类或硅铝氧氮(sialon)类这样的各种荧光体。总之,即使向密封部件添加荧光体,只要密封部件整体的氧气透过率满足40000cc/m2·天以下即可。
根据权利要求1的发光装置,通过指定密封部件的氧气透过率,可以防止或者抑制例如空气中的氧、湿气及气体状的分解物这样的物质渗透密封部件。因此,可以防止所述物质到达由密封部件覆盖的光反射面上,并且即使所述物质到达光反射面上,也可以将到达的物质的量其本身抑制得较少。因此,在光反射面上难以产生带有黑色的污损。
权利要求2的发光装置还包括:底座、设在该底座上的导电部、以及设在所述底座与所述导电部之间的树脂制的绝缘部。光反射面形成于所述导电部。
在权利要求2的发光装置中,作为底座的材料,可以使用金属、玻璃环氧树脂、陶瓷等。在发光元件工作中伴随发热的情况下,为了提高发光元件的散热性,优选的是底座为金属制。
在例如底座是具有导电性的金属的情况下,绝缘部是为了使底座与导电部之间电绝缘而设。作为形成绝缘部的材料,例如使用在环氧树脂中混合有无机类填充物的填充物类复合树脂。
导电部例如由银、镍这样的光反射性优良的金属材料形成即可。作为在底座上形成导电部的方法,例如可以使用涂布、镀覆、粘贴这样的各种方法。特别是若用非电解镀覆形成导电部,则导电部对于底座的粘接强度增大,并且有利于实现导电部的薄膜化。
并且,导电部可以是使用一种金属材料的单层,或者也可以是将多个不同种类金属层叠的多层构造。要求光反射性的光反射面形成于导电部的表面。因此,在使导电部为多层构造的情况下,光反射面形成于表层即可,对层间的边界部分的光反射性没有要求。
此外,导电部也可以不由密封部件完全覆盖。即,导电部中的对于高效地射出光的方面在实际上不带来不利影响的部分即使露出在密封部件外也没关系。
根据权利要求2的发光装置,即使随着绝缘部的劣化,从绝缘部产生气体状的分解物,分解物也难以透过密封部件。因此,可以防止分解物到达由密封部件覆盖的光反射面,可以抑制分解物所导致的光反射面的变色。
权利要求3的发光装置还包括:底座、设在该底座上的多个导电部、以及设在相邻的导电部之间的树脂制的绝缘部。所述绝缘部由密封部件覆盖,并且光反射面形成于所述各导电部。
在例如底座是非导电性的情况下,绝缘部在相邻的导电部之间由密封部件覆盖。作为形成绝缘部的材料,例如可以使用在环氧树脂中混合有无机类填充物的填充物类复合树脂。
根据权利要求3的发光装置,即使随着绝缘部的劣化,从绝缘部产生气体状的分解物,分解物也难以透过密封部件。因此,分解物难以到达相邻的导电部的光反射面,可以抑制分解物所导致的光反射面的变色。
权利要求4的发光装置还包括:底座、设在该底座上并具有光反射面的光反射部、以及设在所述基板与所述光反射部之间的树脂制的绝缘部。
在权利要求4的发光装置中,对于发光元件的通电可以用引线键合进行,也可以使用一般的引线进行。在光反射部具有导电性的情况下,可以将光反射部用作为向发光元件进行通电的导体。并且,除光反射部之外,也可以设有与发光元件进行电连接的专用的导电部。在光反射部为非导电性的情况下,可以将向发光元件供给电流的专用的导体图案设于光反射部。导体图案对光反射性的有无没有要求。
此外,在多个发光元件安装在光反射面上的情况下,例如也可以使用接合线将各发光元件具有的电极之间直接进行电连接。
光反射部例如由银、镍这样的光反射性优良的金属材料形成即可。作为在底座上形成光反射部的方法,例如可以使用涂布、镀覆、粘贴这样的各种方法。特别是若用非电解镀覆形成光反射部,则光反射部对于底座的粘接强度增大,并且有利于实现光反射部的薄膜化。
并且,光反射部可以是使用一种金属材料的单层,或者也可以是将多个不同的金属材料层叠的多层构造。要求光反射性的光反射面形成于光反射部的表面。因此,在使光反射部为多层构造的情况下,光反射面形成于表层即可,对层间的边界部分的光反射性没有要求。
作为形成绝缘部的材料,例如可以使用在环氧树脂中混合有无机类填充物的填充物类复合树脂,但也可以使用其他树脂材料。在例如底座及光反射部是具有导电性的金属的情况下,绝缘部是为了使底座与光反射部之间电绝缘而设。此外,通过在绝缘部形成向光反射部的周围伸出的伸出部,可以将绝缘部的伸出部分与光反射部相邻而配置。
此外,光反射部及绝缘部也可以不由密封部件完全覆盖。
即,光反射部及绝缘部中的对于高效地射出光的方面在实际上不带来不利影响的部分即使露出在密封部件外也没关系。
根据权利要求4的发光装置,即使随着绝缘部的劣化,从绝缘部产生气体状的分解物,密封部件也能遮挡分解物的渗透。因此,分解物难以到达光反射部的光反射面,可以抑制分解物所导致的光反射面的变色。
权利要求5的发光装置还包括:底座、设在该底座上的多个光反射部、以及设在相邻的所述光反射部之间的树脂制的绝缘部。所述绝缘部由密封部件覆盖,并且光反射面形成于所述各光反射部。
在例如底座是非导电性、光反射部是导电性的情况下,绝缘部不必存在于底座与光反射部之间。换言之,绝缘部可以是为了使光反射部与其他导电部件之间电绝缘而设。并且,绝缘部在相邻的光反射部之间由密封部件覆盖。作为形成绝缘部的材料,例如可以使用在环氧树脂中混合有无机类填充物的填充物类复合树脂。
根据权利要求5的发光装置,即使随着绝缘部的劣化,从绝缘部产生气体状的分解物,密封部件也能遮挡分解物透过。因此,分解物难以到达相邻的光反射部的光反射面,可以抑制分解物所导致的光反射面的变色。
在权利要求6的发光装置中,绝缘部包含:树脂材料、以及添加至所述树脂材料中的填充物,所述填充物的含有率规定为50%以上。作为填充物,可以使用氧化铝(Al2O3)这样的无机类填充物。
根据权利要求6的发光装置,因使用填充物而树脂量相应减少。因此,即使构成绝缘部的树脂材料劣化,但由于树脂量其本身较少,因此绝缘部发出的气体状的分解物的量减少。
其结果是,再加上密封部件妨碍分解物透过,则分解物更难以到达光反射面,并且即使到达,分解物的量也很微少。所以,在光反射面上难以产生带有黑色的污损,可以长期地良好维持光反射面的光反射性能。
权利要求7的发光装置包括:具有光反射面的光反射部;安装于所述光反射面的发光元件;相对于所述光反射部配置于所述发光元件的相反侧,包含树脂制的基体材料及添加至基体材料中的填充物,并且所述填充物的含有率为50%以上的绝缘部;以及覆盖所述光反射部、所述绝缘部及所述发光元件而配置,具有透光性的密封部件。
根据权利要求7的发光装置,通过规定填充物的含有率,成为气体状的分解物的产生源的树脂量减少。因此,即使树脂制的基体材料劣化,基体材料发出的分解物的量其本身也减少,到达光反射面上的分解物的量也减少。因此,在光反射面上难以产生带有黑色的污损。
权利要求8的照明装置具备:主体、以及由该主体支持的权利要求1或7所述的发光装置。
根据权利要求8的照明装置,由于可以良好地维持成为光源的发光装置的光反射面的光反射性能,因此可以长期地将发光元件发出的光高效地射出至主体外。
发明的效果
根据权利要求1的发光装置,由于在光反射面上难以产生带有黑色的污损,因此可以良好地维持光反射面的光反射性能。因此,可以高效地射出发光元件发出的光。
根据权利要求2的发光装置,树脂制的绝缘部发出的气体状的分解物难以到达光反射面,可以防止光反射面的污损。
根据权利要求3的发光装置,树脂制的绝缘部发出的气体状的分解物难以到达光反射面,可以防止光反射面的污损。
根据权利要求4的发光装置,树脂制的绝缘部发出的气体状的分解物难以到达光反射面,可以防止光反射面的污损。
根据权利要求5的发光装置,树脂制的绝缘部发出的气体状的分解物难以到达光反射面,可以防止光反射面的污损。
根据权利要求6的发光装置,绝缘部发出的气体状的分解物的量其本身减少,并且密封部件妨碍分解物透过。因此,光反射面更难以污损,可以长期地良好维持光反射面的光反射性能。
根据权利要求7的发光装置,由于绝缘部发出的气体状的分解物的量其本身减少,因此分解物难以到达光反射面,可以防止光反射面的污损。
根据权利要求8的照明装置,通过将高效地射出发光元件发出的光的发光装置作为光源,作为一般照明用可以得到充分的明亮度。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的发光装置的剖视图。
图2是将本发明的第一实施方式所涉及的发光装置以部分截面所示的俯视图。
图3是表示在本发明的第一实施方式所涉及的发光装置中、氧气透过率与光通量维持率的关系的特性图。
图4是本发明的第二实施方式所涉及的发光装置的剖视图。
图5是本发明的第三实施方式所涉及的发光装置的剖视图。
图6是将本发明的第三实施方式所涉及的发光装置以部分截面所示的俯视图。
图7是本发明的第四实施方式的发光装置具有的绝缘部的剖视图。
图8是表示在本发明的第四实施方式所涉及的发光装置中、绝缘部的填充物含有率与光通量维持率的关系的特性图。
图9是本发明的第五实施方式所涉及的发光装置的剖视图。
图10是表示将本发明的第六实施方式所涉及的发光装置焊接于印制电路布线板上的状态的剖视图。
图11是表示使本发明的第六实施方式所涉及的发光装置与印制电路布线板互相分离的状态的剖视图。
图12是沿着图11的XII-XII线的剖视图。
图13是本发明的第七实施方式所涉及的发光装置的剖视图。
图14是本发明的第八实施方式所涉及的照明装置的立体图。
图15是本发明的第八实施方式所涉及的照明装置的剖视图。
标号说明
1、61、81…发光装置,2、62、104…底座(基板、封装件主体),3、53…绝缘部,7…发光元件(发光二极管),8、9…电极(元件电极),15、21、22、56、74、85、105…密封部件,31…光反射部,4d、31d、52、66a、71a…光反射面,41…基体材料,42…填充物、101a、101b…发光装置,102…主体。
具体实施方式
[第一实施方式]
下面,基于图1至图3,说明本发明的第一实施方式。
图1及图2披露了COB(chip on board,板上芯片)型的发光装置1。发光装置1例如配置于点光源的投影透镜组的焦点,作为点光源的光源使用。
发光装置1包括作为底座的基板2。基板2例如由铝这样的金属材料构成。基板2是具有平的表面2a的矩形。基板2的厚度是约1mm。并且,基板2具有第一端部2b和第二端部2c。第一端部2b及第二端部2c在基板2的长边方向互相离开。
绝缘部3层叠于基板2的表面2a上。绝缘部3全面地覆盖基板2的表面2a。绝缘部3是例如向环氧树脂混合了氧化铝(Al2O3)这样的无机类填充物的填充物类复合树脂,环氧树脂与无机类填充物的混合比例分别是50wt%。绝缘部3的热导率是1.0W/(m·k),绝缘部3的厚度是80μm左右。
绝缘部3若接受到光或热量,则会逐渐劣化,发出包含有机成分的气体状的分解物。本发明人准备了环氧树脂为50wt%和无机类填充物为50wt%的绝缘部、以及环氧树脂为30wt%和无机类填充物为70wt%的绝缘部,进行了试验,测定从各个绝缘部发出的分解物的量。其结果确认了,在环氧树脂为30wt%、无机类填充物为70wt%的绝缘部中,与环氧树脂为50wt%、无机类填充物为50wt%的绝缘部相比,放出的分解物的量较少。
多个导电部4形成于基板2上。各导电部4例如是具有4个边的正方形,各边的长度是1.2mm。导电部4以矩阵状有规则地排列,层叠在绝缘部3上。相邻的导电部4为了电绝缘而互相离开。因此,绝缘部3存在于相邻的导电部4之间,并且从导电部4之间露出。
导电部4由层叠在绝缘部3上的铜箔4a、层叠在铜箔4a上的镍层4b、层叠在镍层4b上的银层4c构成。铜箔4a的厚度是约35μm。镍层4b是通过对铜箔4a实施非电解镀覆而形成的。镍层4b的厚度是3.0μm~5.0μm。银层4c是通过对镍层4b实施非电解镀覆而形成的。银层4c的厚度是0.3μm~0.7μm。银层4c构成导电部4的表层。因此,导电部4的表面成为光反射面4d。
换言之,具有银层4c的导电部4构成光反射部。光反射部具有导电性,并且在绝缘部3上以矩阵状有规则地排列,设在基板2上。
导电部4不限于如上所述的三层构造。例如,导电部4可以是银或者镍的单层,也可以是在铜箔上层叠了银层或者镍层的两层构造。
如图2所示,在绝缘层3上层叠有通电用的一对端子部5a、5b。端子部5a、5b与导电部4是同样的三层构造,其表层由银层构成。一个端子部5a位于基板2的第一端部2b,并且在基板2的宽度方向延伸。另一个端子部5b位于基板2的第二端部2c,并且在基板2的宽度方向延伸。因此,端子部5a、5b将导电部4夹在其间并互相面对。
如图1及图2所示,在导电部4上分别安装发光二极管7。发光二极管7是发光元件的一个例子,在本实施方式中,使用发出蓝色的光的蓝色发光二极管。
发光二极管7在平面地观察时的形状是长方形,例如长边的长度成为0.4mm,短边的长度成为0.25mm左右。发光二极管7具有一对元件电极8、9。元件电极8、9分别由金形成,并且在发光二极管7的长边方向存在间隔而排列。
发光二极管7利用管芯键合材料11与导电部4的光反射面4d的中央部粘接。由于发光二极管7比导电部4要小,因此光反射面4d在发光二极管7的周围伸出。
与发光二极管7的元件电极8、9分别连接有接合线12。作为接合线12,例如使用金的细线。与发光二极管7的一个元件电极8连接的接合线12,与粘接有该发光二极管7的导电部4连接。与发光二极管7的另一个元件电极9连接的接合线12,与相邻的导电部4连接。
位于基板2上的发光二极管7可以对于端子部5a、5b进行串联或者并联电连接,也可以是串联连接有几个发光二极管7的多个发光二极管列对于端子部5a、5b进行并联电连接。
如图1及图2所示,框体13固定在绝缘部3的外周部上。框体13由合成树脂这样的绝缘材料构成,一并包围导电部4及发光二极管7。并且,框体13横穿端子部5a、5b之上。端子部5a、5b的一部分露出在框体13外,以便可以与未图示的电源线连接。
密封部件15填充至由框体13包围的区域。密封部件15由例如透明的二甲基硅酮树脂这样的具有透光性的树脂材料构成。将树脂材料以液态的状态注入至由框体13包围的区域。框体13具有作为挡板的功能,防止液态的树脂材料流出至上述区域外。
注入至框体13的内侧的密封部件15通过使其加热、干燥而固化。如图1及图2所示,密封部件15将导电部4、发光二极管7及接合线12密封在绝缘部3上。
密封部件15填埋相邻的导电部4之间的间隙,并且将从导电部4之间露出的绝缘部3连续覆盖。密封部件15填埋导电部4与端子部5a、5b之间的间隙,并且将从导电部4与端子部5a、5b之间露出的绝缘部3连续覆盖。进一步地,密封部件15填埋导电部4与框体13之间的间隙,并且将从导电部4与框体13之间露出的绝缘部3连续覆盖。
在本实施方式中,将YAG荧光体混入至密封部件15。荧光体均匀分散在密封部件15中。作为荧光体,使用由发光二极管7发出的蓝色的光激发并发射黄色的光的黄色荧光体。
混入至密封部件15的荧光体不限于黄色荧光体。例如,为了改善发光二极管7发出的光的彩色再现性,也可以将由蓝色的光激发并发出红色的光的红色荧光体、或者发出绿色的光的绿色荧光体添加至密封部件15中。
在这样的发光装置1中,通过端子部5a、5b对基板2上的多个导电部4施加电压。其结果是,导电部4上的发光二极管7一起发光。发光二极管7发出的蓝色的光入射至密封部件15。入射至密封部件15的蓝色的光的一部分被黄色荧光体吸收。其余的蓝色的光不碰到黄色荧光体,透过密封部件15发射至发光装置1外。
吸收了蓝色的光的黄色荧光体被激发,主要发出黄色的光。黄色的光透过密封部件15,发射至发光装置1外。其结果是,黄色的光与蓝色的光互相混合,成为白色光,该白色光用于照明用途。
从发光二极管7朝向导电部4的光的大部分入射至导电部4的光反射面4d,并且由光反射面4d反射至光的利用方向。
根据本实施方式,在由框体13包围的区域中,多个导电部4占据的总面积比从导电部4的周围露出的绝缘部3的总面积要大。具体而言,位于框体13的内侧的导电部4的总面积占据了由框体13包围的区域的总面积的约70~90%。
其结果是,可以将从发光二极管7朝向导电部4的光、以及在密封部件15的内部被折射并朝向导电部4的光,由导电部4的光反射面4d高效地反射至光的利用方向。因此,可以将从发光二极管7发射的光高效地射出至发光装置1外。
在本实施方式中,将密封部件15的氧气透过率规定为40000cc/m2·天以下。关于其原因,基于测定发光装置1的光通量维持率的结果来进行说明。
图3表示在具有上述结构的发光装置1中、在使密封部件15的氧气透过率变化时可以得到的发光装置1的光通量维持率的变化。图3所示的光通量维持率是对发光二极管7供给额定电流的2.5倍的电流、将发光二极管7的结温作为100℃并点亮1000小时后得到的值。
密封部件15的氧气透过率是基于JISK7129“塑料—薄膜及片材—水蒸气透过度的求出方法(设备测定法)”、JISK7126-1“塑料—薄膜及片材—气体透过度试验方法—第一部:压差法”来测定的。
从图3可知,为了将发光装置1的光通量维持率保持在可以得到作为一般照明用的理想的明亮度的值即85%以上,需要将密封部件15的氧气透过率抑制在40000cc/m2·天以下。
特别是通过使密封部件15的氧气透过率为20000cc/m2·天以下,可以将发光装置1的光通量维持率维持在87%这一高于理想值的值。并且,若根据表示氧气透过率与光通量维持率的关系的图3的特性曲线,则氧气透过率在5000cc/m2·天时,光通量维持率有转为急剧上升的倾向。此外,在氧气透过率为5000cc/m2·天时,可以确保光通量维持率为高于理想值的约90%。因此,密封部件15的氧气透过率为5000cc/m2·天以下时最佳。
此外,优选的是氧气透过率的下限为零,但氧气透过率若为1000cc/m2·天左右,则可以确保作为一般照明用可以得到充分的明亮度的光通量维持率。
根据本发明人进行的验证,即使在使基板2及密封部件15的材料变化的情况下,光通量维持率的变化程度也与第一实施方式的发光装置1近似相同或者类似。并且,在使构成绝缘部3的树脂材料、及导电部4的总面积相对于由框体13包围的区域的总面积的比例变化的情况下,虽然光通量维持率的绝对值不同,但光通量维持率变化的倾向近似相同或者类似。
根据第一实施方式,通过使密封部件15的氧气透过率为40000cc/m2·天以下,可以使发光装置1的光通量维持率为可以得到作为一般照明用的充分的明亮度的值即85%以上。
考察该原因,是在绝缘部3由于发光二极管7发出的热及光而劣化、从绝缘部3产生包含有机成分的气体状的分解物的情况下,分解物可能从导电部4之间透过密封部件15并到达导电部4的光反射面4d。
在第一实施方式中,通过将密封部件15的氧气透过率规定为40000cc/m2·天以下,分解物难以透过密封部件15。因此,可以防止分解物到达由密封部件15覆盖的光反射面4d上,并且,即使分解物到达光反射面4d上,也可以将到达的分解物的量其本身抑制得较少。因此,在光反射面4d上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面4d的光反射性能。
其结果可知,可以使得从发光二极管7朝向导电部4的光由光反射面4d高效地反射至发光装置1外,没有污损的光反射面4d在有助于提高发光装置1的光通量维持率方面是很有效的。
另一方面,将这种发光装置1在例如腐蚀性气体及水蒸气较多产生的环境下使用的情况下,腐蚀性气体及水蒸气可能透过密封部件15并到达导电部4的光反射面4d及发光二极管7的元件电极8、9。
然而,在本实施方式中,由于将密封部件15的氧气透过率规定为40000cc/m2·天以下,因此腐蚀性气体及水蒸气由密封部件15其本身遮挡,难以到达光反射面4d或元件电极8、9。
其结果是,可以抑制使得从发光二极管7朝向导电部4的光反射的光反射面4d暴露于腐蚀性气体及水蒸气而变色。因此,可以良好地维持光反射面4d的光反射性能,可以使得从发光二极管7朝向导电部4的光高效地反射至光的利用方向。
并且,可以保护发光二极管7的元件电极8、9不受腐蚀性气体及水蒸气的影响。据此,具有元件电极8、9难以腐蚀、发光二极管7的寿命延长的优点。
本发明人为了验证使密封部件15的氧气透过率为40000cc/m2·天以下时的效果,进行了以下这样的试验。
在该试验中,将发光装置1与50g的硫磺粉末一起容纳在100cc的玻璃瓶中,在80℃的温度下放置24小时。发光装置1通过在恒温下放置,暴露于硫磺粉末发出的硫氧化物(Sox)中。
硫氧化物这样的腐蚀性气体透过发光装置1的密封部件15并到达光反射面4d或元件电极8、9。通过使密封部件15的氧气透过率为40000cc/m2·天以下,腐蚀性气体难以透过密封部件15。若腐蚀性气体被密封部件15遮挡,则腐蚀性气体难以附着于光反射面4d或元件电极8、9,可以防止光反射面4d的变色或元件电极8、9的腐蚀。
根据本次的试验,确认了在使用氧气透过率为40000cc/m2·天以下的密封部件15的发光装置1中,即使在恒温下放置24小时的时候,目视下看不到光反射面4d的变色或元件电极8、9的腐蚀,遮挡了腐蚀性气体透过。
本发明不限于上述第一实施方式,可以在不脱离发明的内容的范围内进行各种变形来实施。
例如,发光装置不限于点光源用的光源,例如也可以适用作为道路用照明器具的光源。
并且,也可以在基板上安装构成发光二极管用的点灯电路的电路元器件,使发光二极管的点灯状态稳定。
[第二实施方式]
图4披露了本发明的第二实施方式所涉及的发光装置。
第二实施方式的用于防止导电部的光反射面的污损的结构不同于上述第一实施方式。除此以外的发光装置的基本的结构与上述第一实施方式相同。因此,在第二实施方式中,在与第一实施方式同一构成部分标注同一参照标号,省略其说明。
如图4所示,在由框体13包围的区域填充第一密封部件21。第一密封部件21例如由硅酮树脂、氟树脂或者丙烯酸树脂这样的树脂材料构成。树脂材料具有透光性,并且氧气透过率为5000cc/m2·天以下。
将树脂材料以液态的状态涂布在导电部4及发光二极管7上,全面地覆盖由框体13包围的区域。换言之,树脂材料将导电部4、发光二极管7、发光二极管7的元件电极8、9与接合线12的连接部分、从导电部4之间露出的绝缘部3、从导电部4与端子部5a、5b之间露出的绝缘部3、及从导电部4与框体13之间露出的绝缘部3连续覆盖。
构成第一密封部件21的树脂材料通过使其加热、干燥而固化。据此,发光二极管元件7密封在导电部4的光反射面4d上。
并且,第一密封部件21具有仅覆盖导电部4、发光二极管7及元件电极8、9与接合线12的连接部分的厚度即可,位于由框体13包围的区域的底部。因此,接合线12的大部分不由第一密封部件15覆盖。
在由框体13包围的区域填充第二密封部件22。第二密封部件22由例如具有透光性的树脂材料构成。将树脂材料以液态的状态注入至由框体13包围的区域,覆盖接合线12中的露出在第一密封部件21外的部分。
构成第二密封部件22的树脂材料通过使其加热、干燥而固化。据此,第二密封部件22层叠在第一密封部件21上,并且填埋由框体13包围的区域。
根据这样的第二实施方式,对于伸出至发光二极管7的周围的导电部4的光反射面4d,由氧气透过率为5000cc/m2·天以下的第一密封部件21覆盖。因此,即使绝缘部3发出气体状的分解物,第一密封部件21也能妨碍分解物透过。
因此,可以防止分解物到达光反射面4d上,并且,即使分解物到达光反射面4d上,也可以将到达的分解物的量其自身抑制得较少。其结果是,在光反射面4d上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面4d的光反射性能。
并且,由于第一密封部件21对于光反射面4d起到作为气体屏障的作用,因此对于层叠在第一密封部件21上的第二密封部件22,不必考虑氧气透过率。
一般而言,氧气透过率较高的树脂材料比氧气透过率较低的树脂材料要富有柔软性。因此,通过使覆盖接合线12的第二密封部件22为柔软的树脂制,即使第二密封部件22受到发光二极管7的热影响而伸缩的情况下,也可以减轻接合线12受到的应力。
所以,可以防止接合线12的断线,并且可以避免接合线12与发光二极管7的元件电极8、9的接合部的损伤。
另一方面,若将发光装置1在腐蚀性气体及水蒸气产生较多的环境的下使用,则不可否认腐蚀性气体及水蒸气会透过第二密封部件12。
然而,在第二实施方式中,由于在第二密封部件12下存在氧气透过率为5000cc/m2·天以下的第一密封部件21,因此可以用第一密封部件21断开腐蚀性气体及水蒸气流向发光二极管7或导电部4。
因而,可以保护导电部4的光反射面4d及发光二极管7的元件电极8、9不受腐蚀性气体或水蒸气的影响。因此,可以防止光反射面4d的变色及元件电极8、9的腐蚀。
[第三实施方式]
图5及图6披露了本发明的第三实施方式所涉及的发光装置。
第三实施方式的将发光二极管安装在基板上的构造不同于上述第一实施方式。除此以外的发光装置的结构与上述第一实施方式相同。因此,在第三实施方式中,在与第一实施方式同一构成部分标注同一参照标号,省略其说明。
如图5及图6所示,在基板2上形成单一的光反射部31。光反射部31是具有可以一并配置多个发光二极管7的大小的长方形,占有由框体13包围的区域的大部分。
光反射部31由层叠在绝缘部3上的铜箔31a、层叠在铜箔31a上的镍层31b、层叠在镍层31b上的银层31c构成,具有导电性。铜箔31a、镍层31b及银层31c的各个厚度与上述第一实施方式相同。银层31c构成露出在光反射部31的表面的光反射面31d。
多个发光二极管7在光反射面31d上排列为矩阵状。由于相邻的发光二极管7互相离开,因此光反射面31d在发光二极管7之间没有中断而连续。
接合线12将在光反射面31d上排列为直线状的发光二极管7之间进行串联电连接。具体而言,接合线12跨过相邻的发光二极管7之间,以将相邻的发光二极管7的互不相同的极性的元件电极8、9之间进行连接。
如图6所示,串联连接有几个发光二极管7的多个发光二极管列经由各个接合线12与端子部5a、5b之间进行电连接。所以,多个发光二极管列对于端子部5a、5b进行并联电连接。
填充在由框体13包围的区域的密封部件15具有与上述第一实施方式相同的氧气透过率。密封部件15将光反射部31的光反射面31d、多个发光二极管7、多个接合线12连续覆盖。并且,密封部件15填埋端子部5a、5b与光反射部31之间的间隙及框体13与光反射部31之间的间隙,并且覆盖从间隙露出的绝缘部3。由密封部件15填埋的间隙位于光反射部31的周围。
根据这样的第三实施方式,固定有发光二极管7的光反射部31的光反射面31d由氧气透过率为40000cc/m2·天以下的密封部件15覆盖。因此,即使绝缘部3发出气体状的分解物,密封部件15也能妨碍分解物透过。
因此,可以防止分解物到达光反射面31d上,并且,即使分解物到达光反射面31d上,也可以将到达的分解物的量其本身抑制得较少。其结果是,在光反射面31d上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面31d的光反射性能。所以,可以防止发光装置1的光通量维持率的下降。
根据第三实施方式,由于光反射部31具有占有由框体13包围的区域的大部分的大小,因此在相邻的发光二极管7之间不存在使绝缘部3露出的间隙。换言之,在由框体13包围的区域中使绝缘部3露出的间隙限于位于光反射部31的周围,绝缘部3的大部分由光反射部31遮盖。
因此,即使绝缘部3发出分解物,分解物也由光反射部31遮挡,难以到达光反射面31d。因此,在防止光反射面31d的污损方面是有利的结构,从提高发光装置1的光通量维持率的观点而言也是有效的。
此外,光反射面31d占有由框体13包围的区域的大部分。因此,使得从发光二极管7发射的光由光反射面31d反射至光的利用方向,可以高效地射出至发光装置1外。
并且,在第三实施方式中,光反射部31的光反射面31d在相邻的发光二极管7之间没有中断而连续。换言之,在相邻的发光二极管7之间,不存在使绝缘部3露出的间隙。因此,可以在光反射面31d上以高密度配置多个发光二极管7,可以得到作为一般照明用的充分的明亮度。此外,还具有可以从相邻的发光二极管7之间去掉无用的空间、可以追求发光装置1的小型化的优点。
[第四实施方式]
图7及图8披露了本发明的第四实施方式。
第四实施方式在降低从绝缘部发出的分解物的量其本身的这一点上不同于上述第一实施方式。由于发光装置1的基本的结构与上述第一实施方式相同,因此在第四实施方式中,引用上述第一实施方式所使用的图1及图2来进行说明。
如图7所示,发光装置1的绝缘部3由例如在环氧树脂制的基体材料41中混合有氧化铝(Al2O3)这样的无机类填充物42的填充物类复合树脂构成。本发明人着眼于若无机类填充物相对于环氧树脂的含有率增加、则从绝缘部3发出的分解物的量会减少这样的现象,查明了绝缘部3中所包含的无机类填充物的含有率给发光装置1的光通量维持率带来何种影响。
图8表示在使绝缘部3所包含的无机类填充物42的含有率变化时测定发光装置1的光通量维持率的结果。在成为测定的对象的发光装置1中,将由框体13包围的区域内的导电部4的总面积与绝缘部3的总面积之比设定为4∶1。此外,图8所示的光通量维持率表示对发光二极管7供给额定电流的2.5倍的电流、将发光二极管7的结温作为100℃并点亮1000小时后得到的值。
在图8中,特性曲线A表示将密封部件15的氧气透过率设定为130cc/m2·天的发光装置1的光通量维持率。特性曲线B表示将密封部件15的氧气透过率设定为5500cc/m2·天的发光装置1的光通量维持率。特性曲线C表示将密封部件15的氧气透过率设定为40000cc/m2·天的发光装置1的光通量维持率。
从图8可知,通过使绝缘部3所包含的无机类填充物42的含有率为50%以上,即使是密封部件15的氧气透过率为5500cc/m2·天~40000cc/m2·天这样相对设定得较大的发光装置1,也可以将光通量维持率维持在90%以上的较大值。若光通量维持率高于90%,则可以得到作为一般照明用的理想的明亮度。
与之相反,在绝缘部3所包含的无机类填充物42的含有率为50%不到的情况下,密封部件15的氧气透过率为5500cc/m2·天~40000cc/m2·天这样的相对设定得较大的发光装置1中,光通量维持率低于90%。
如图8所示,绝缘部3所包含的无机类填充物42的含有率越接近100%,光通量维持率越进一步高价。然而,若将无机类填充物42的含有率提高至接近100%,则会有损绝缘部3的粘接性,绝缘部3难以实现薄膜化,不现实。所以,得到的结论是,为了确保绝缘部3的功能并使发光装置1的光通量维持率为85%以上的值,优选的是无机类填充物42的含有率为50%~80%。
根据本发明人的验证,即使在使基板2的材质变化的情况下,光通量维持率的测定结果也与第四实施方式的发光装置1相同。并且,在使构成绝缘部3的树脂材料、构成密封部件15的材料及由框体13包围的区域内的导电部4的总面积与绝缘部3的总面积之比变化的情况下,虽然光通量维持率的绝对值不同,但光通量维持率变化的倾向近似相同或者类似。
由以上可知,通过将绝缘部3所包含的无机类填充物42的含有率规定在50%以上、优选的是50%~80%的范围,可以将发光装置1的光通量维持率保持为作为一般照明用可以得到充分的明亮度的值。
即,将从绝缘部3发出的气体状的分解物的量抑制得较少,可以防止分解物到达光反射面4d上,并且,即使分解物到达光反射面4d上,也可以将到达的分解物的量其本身抑制得较少。
所以,再加上密封部件15的氧气透过率为40000cc/m2·天以下,则在光反射面4d上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面4d的光反射性能。
因此可知,可以使得从发光二极管7朝向导电部4的光由光反射面4d高效地反射至发光装置1外,没有污损的光反射面4d在有助于提高发光装置1的光通量维持率方面是很有效的。
[第五实施方式]
图9披露了本发明的第五实施方式所涉及的发光装置。
第五实施方式的用于提高发光二极管的散热性的结构不同于上述第一实施方式。除此以外的发光装置的基本的结构与第一实施方式相同。
在第五实施方式中,发光装置1的基板2由铜形成。镀银层51层叠在基板2的表面2a上。镀银层51通过全面地覆盖基板2的表面2a,在基板2上形成光反射面52。
绝缘部53层叠于基板2的光反射面52的外周部。绝缘部53在光反射面52的周向连续。绝缘部53由例如在环氧树脂中混合有氧化铝这样的无机类填充物的填充物类复合树脂构成。这种绝缘部53若接受到光或热量,则会逐渐劣化,放出包含有机成分的气体状的分解物。
基板2的光反射面52具有由绝缘部53包围的四方安装区域54。在光反射面52的安装区域54中安装有多个发光二极管7。发光二极管7使用管芯键合材料11固定于光反射面52上,并且与基板2进行热连接。并且,发光二极管7在光反射面52上互相存在间隔而排列为矩阵状。
在绝缘部53上配置一对端子部55a、55b。端子部55a、55b由铜或者铝形成,并且将安装区域54夹在其间互相面对。
在光反射面52上排列为直线状的多个发光二极管7由接合线12进行串联电连接。具体而言,接合线12跨过相邻的发光二极管7之间,以将相邻的发光二极管7的互不相同的极性的元件电极8、9之间进行连接。串联连接有几个发光二极管7的多个发光二极管列经由各个接合线12与端子部55a、55b之间进行电连接。
光反射面52上的发光二极管7、接合线12、绝缘部53及端子部55a、55b由密封部件56覆盖而形成为一体。密封部件56与上述第一实施方式相同,氧气透过率设定为40000cc/m2·天以下。密封部件56全面地覆盖光反射面52,并且覆盖绝缘部53的一部分。
根据这样的第五实施方式,发光二极管7在发光时伴随发热。发光二极管7发出的热量经由管芯键合材料11直接传递至基板2,并且从基板2向发光装置1外放出。
由于基板2由热传导性优良的铜形成,因此高效地吸收发光二极管7的热量并使其扩散。因此,发光二极管7的散热性提高,可以良好地维持发光二极管7的发光效率。
并且,将连续覆盖从光反射面52到达绝缘部53的区域的密封部件56的氧气透过率规定为40000cc/m2·天以下。因此,即使绝缘部53发出气体状的分解物,密封部件56也能妨碍分解物透过。
其结果是,可以防止分解物到达由密封部件56覆盖的光反射面52上,并且,即使分解物到达光反射面52上,也可以将到达的分解物的量其本身抑制得较少。因此,在光反射面52上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面52的光反射性能,进而可以良好地维持发光装置1的光通量维持率。
另一方面,即使将这种发光装置1在例如腐蚀性气体及水蒸气较多产生的环境下使用的情况下,但腐蚀性气体及水蒸气由密封部件56其本身遮挡,也难以到达光反射面52及发光二极管7的元件电极8、9。
其结果是,可以抑制使发光二极管7的光反射的光反射面52暴露于腐蚀性气体及水蒸气而变色。因此,可以良好地维持光反射面52的光反射性能,可以使得从发光二极管7朝向基板2的光高效地反射至光的利用方向。
此外,可以保护发光二极管7的元件电极8、9不受腐蚀性气体及水蒸气的影响。据此,元件电极8、9难以腐蚀,发光二极管7的寿命延长。
[第六实施方式]
图10至图12披露了本发明的第六实施方式。
第六实施方式是将本发明适用于SMD(surface mount device,表面安装器件)型的发光装置61。如图10及图11所示,发光装置61包括作为底座的封装件主体62。封装件主体62例如由环氧树脂这样的树脂材料构成,具有电绝缘性。封装件主体62是具有平的下表面62a、上表面62b和4个周面62c~62f的四方的箱形。
封装件主体62包括凹部63。凹部63在封装件主体62的上表面62b开口,并且具有与凹部63的开口端互相面对的底面63a。
如图10至图12所示,第一及第二引线框64、65设于封装件主体62。第一及第二引线框64、65例如由对铜实施镀银而构成,具有导电性。
第一引线框64包括安装部66和导线片67。安装部66是四方的板状,层叠在凹部63的底面63a上,覆盖底面63a的大部分区域。安装部66的表面成为镀银的光反射面66a。并且,安装部66具有向下突出的凸部68。凸部68埋入至封装件主体62的底部而形成一体。在凸部68的前端形成平的传热面69。传热面69与封装件主体62的下表面62a位于同一面上,露出在封装件主体62外。
第一引线框64的导线片67与安装部66的一端相连续。导线片67贯穿封装件主体62,从封装件主体62的周面62c向封装件主体62外突出。
第二引线框65包括端子部71和导线部72。端子部71是细长的板状,层叠在凹部63的底面63a上。端子部71的表面成为镀银的光反射面71a。
端子部71及安装部66在凹部63的底面63a上互相存在间隔而排列。因此,端子部71及安装部66互相电绝缘,底面63a从这些端子部71与安装部66之间露出。
第二引线框65的导线片72与端子部71的一端相连续。导线片72贯穿封装件主体62,从封装件主体62的周面62e向封装件主体62外突出。
如图12所示,在安装部66的光反射面66a上安装有多个发光二极管7。各发光二极管7经由管芯键合材料11固定在光反射面66a上。发光二极管7互相存在间隔排列为一列。
各发光二极管7的一个元件电极8经由接合线12与第一引线框64的安装部66相连接。各发光二极管7的另一个元件电极9经由接合线12与第二引线框65的端子部71相连接。因此,多个发光二极管7对于导线片67、72进行并联电连接。
如图10及图11所示,密封部件74填充在封装件主体62的凹部63。密封部件74例如由透明的二甲基硅酮树脂、或者苯基硅酮树脂这样的具有透光性的树脂材料构成,包含荧光体。将树脂材料以液态的状态注入至凹部63,并且通过使其加热、干燥而固化。密封部件74与上述第一实施方式相同,其氧气透过率设定为40000cc/m2·天以下。
密封部件74将凹部63的底面63a、第一引线框64的光反射面66a、第二引线框65的光反射面71a、发光二极管7及接合线12连续覆盖。
SMD型的发光装置61安装在印制电路布线板75上。一对铜焊盘76a、76b形成于印制电路布线板75的表面。向发光装置61外突出的一个导线片67焊接于一个铜焊盘76a上。向发光装置61外突出的另一个导线片72焊接于另一个铜焊盘76b上。
铜焊盘76a具有进入发光装置61的封装件主体62与印制电路布线板75之间的延长部77。延长部77与从安装部66突出的凸部68的传热面69进行热连接。因此,发光二极管7发出的热量的一部分通过第一引线框64的凸部68及铜焊盘76a,传递至印制电路布线板75。
根据这样的第六实施方式,树脂制的封装件主体62若接受到发光二极管7的光或热量,则会逐渐劣化,放出包含有机成分的气体状的分解物。然而,将封装件主体62的凹部63的底面63a、镀银的光反射面66a、71a及发光二极管7连续覆盖的密封部件74的氧气透过率规定为40000cc/m2·天以下。因此,即使封装件主体62发出气体状的分解物,密封部件74也能妨碍分解物透过。
其结果是,可以防止分解物到达由密封部件74覆盖的光反射面66a、71a上,并且,即使分解物到达光反射面66a、71a上,也可以将到达的分解物的量其本身抑制得较少。
因此,在光反射面66a、71a上难以产生带有黑色的污损,可以良好地维持光反射面66a、71a的光反射性能,进而可以良好地维持发光装置61的光通量维持率。
并且,在将导线片67、72焊接在铜焊盘76a、76b上时,焊剂可能通过导线片67、72与封装件主体62之间,到达光反射面66a、71a。
然而,在本实施方式中,通过指定密封部件74的氧气透过率,可以由密封部件74遮挡焊剂流向封装件主体62的凹部63内。因此,可以防止焊剂所导致的光反射面66a、71a的变色。
此外,即使将发光装置61在例如腐蚀性气体及水蒸气较多产生的环境下使用的情况下,但腐蚀性气体及水蒸气由密封部件74其本身遮挡,也难以到达光反射面66a、71a及发光二极管7的元件电极8、9。
其结果是,可以抑制使发光二极管7的光反射的光反射面66a、71a暴露于腐蚀性气体及水蒸气而变色。因此,可以良好地维持光反射面66a、71a的光反射性能,可以使得从发光二极管7朝向第一及第二引线框64、65的光高效地反射至光的利用方向。
此外,可以保护发光二极管7的元件电极8、9不受腐蚀性气体及水蒸气的影响。据此,元件电极8、9难以腐蚀,发光二极管7的寿命延长。
[第七实施方式]
图13披露了本发明的第七实施方式。
第七实施方式所涉及的SMD型的发光装置81包括陶瓷制的基板82。基板82是底座的一个例子,具有平的安装面82a。一对导体图案83、84形成于安装面82a上。导体图案83、84例如由银构成,并且互相电切断。
导体图案84具有到达安装面82a的中央部的支持部85。在支持部85上经由管芯键合材料11固定有发光二极管7。发光二极管7的一个元件电极8经由接合线12与一个导体图案83进行电连接。发光二极管7的另一个元件电极9经由接合线12与导体图案84进行电连接。
基板82的安装面82a、导体图案83、84、发光二极管7及接合线12由密封部件85连续覆盖。密封部件85由硅酮树脂这样的具有透光性的树脂材料构成,包含荧光体。密封部件85与上述第一实施方式相同,其氧气透过率设定为40000cc/m2·天以下。
根据这样的第七实施方式,通过使基板82为陶瓷制,可以提高发光装置81的绝缘性及耐热性。
并且,即使将发光装置81在例如腐蚀性气体及水蒸气较多产生的环境下使用的情况下,但腐蚀性气体及水蒸气由氧气透过率为40000cc/m2·天以下的密封部件85遮挡,也难以到达发光二极管7的元件电极8、9或导体图案83、84。因此,可以保护发光二极管7的元件电极8、9及导体图案83、84不受腐蚀性气体或水蒸气的影响。据此,发光装置81的寿命延长。
[第八实施方式]
图14及图15披露了本发明的第八实施方式。
第八实施方式披露了照明装置的一个例子即点光源100的具体的结构。点光源100包括:一对发光装置101a、101b、主体102、以及反射体103。
发光装置101a、101b例如是与上述第一实施方式的发光装置1同样的构成,分别具有作为底座的基板104。在基板104上层叠密封部件105。密封部件105具有透光性,并且将多个发光二极管、接合线、导体部及绝缘部(都未图示)连续覆盖。密封部件105其氧气透过率设定为40000cc/m2·天以下。
如图15所示,点光源100的主体102包括散热器107和受热部108。散热器107例如由铝这样的热传导性优良的轻量的金属材料构成。散热器107包括:圆盘状的底座部109、以及从底座部109的背面突出的多个散热翅片110。散热翅片110构成为平坦的板状,并且互相存在间隔而平行排列。
受热部108例如是铝或者铜这样的热传导性优良的金属制,构成为具有预定的厚度的四方的板状。受热部108经由螺钉111固定于底座部109的表面的中央部。因此,受热部108从底座部109的表面向散热翅片110的相反侧突出,并且与底座部109进行热连接。
如图15所示,受热部108具有第一侧面113a及第二侧面113b。第一及第二侧面113a、113b互相平行,并且沿着铅垂方向延伸。
发光装置101a、101b的基板104经由未图示的螺钉固定于各个受热部108的第一及第二侧面113a、113b。在发光装置101a、101b的基板104与第一及第二侧面113a、113b之间存在各个传热片材114。传热片材114将基板104与受热部108之间进行热连接。
作为反射体103,使用凹面镜。反射体103具有一对反射板115a、115b。反射板115a、115b分别由螺钉116固定于散热器107的底座部109的表面。反射板115a、115b将受热部108夹在其间,互相对称配置。因此,固定于受热部108的第一侧面113a的发光装置101a与反射板115a的光反射面117a互相面对,固定于受热部108的第二侧面113b的发光装置101b与反射板115b的光反射面117b互相面对。
在本实施方式中,为了使得从一对发光装置101a、101b发射的光与点光源100的光轴L平行反射,将发光装置101a、101b的发光区域的中心位于反射板115a、115b的焦点。
如图14及图15所示,反射体103由盖板120包围。盖板120包括圆筒状的主体部121。主体部121的一端以同轴状与散热器107的底座部109的表面的外周部抵碰。在主体部121的另一端以同轴状形成有喇叭部122。喇叭部122随着远离主体部121而沿着主体部121的径向朝向外侧扩展。喇叭部122在与反射体103的开口端相邻的反射体103的外周部从外侧相接。
在这样的结构的点光源100中,若使发光装置101a、101b发光,则透过密封部件105的白色的光入射至反射板115a、115b的光反射面117a、117b。入射至光反射面117a、117b的光与点光源100的光轴L平行而由光反射面117a、117b反射,从反射体103的开口端向照射对象发射。
成为点光源100的光源的发光装置101a、101b具有与上述第一实施方式的发光装置1同样的结构。因此,可以将光通量维持率为85%以上的发光装置101a、101b用作为点光源100的光源。因此,可以提供能够得到作为一般照明用的理想的明亮度的点光源100。
并且,在发光装置101a、101b发光时发光二极管发出的热量从基板104向主体102的受热部108传递。向受热部108传递的发光二极管的热量从受热部108向散热器107的底座部109传递,并且从散热器107的散热翅片110向大气中放出。
因此,可以利用点光源100的主体102积极地放出发光装置101a、101b的热量。因此,可以防止发光装置101a、101b具有的发光二极管产生过度的温度上升,良好地维持发光装置101a、101b的发光效率。
在上述第八实施方式所涉及的照明装置中,将上述第一实施方式的发光装置用作为光源,但本发明不限于此。例如,也可以将上述第二实施方式至第七实施方式中任一项披露的发光装置用作为光源,以代替上述第一实施方式的发光装置。
并且,本发明所涉及的照明装置不限于点光源,例如对于嵌顶灯、防犯灯、壁灯、吊灯这样的其他照明装置也可以同样实施。
Claims (8)
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
金属制的光反射面;
具有电极并且安装在所述光反射面上的发光元件;以及
覆盖所述光反射面及所述发光元件、并且氧气透过率为40000cc/m2·天以下的具有透光性的密封部件。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
底座;
设在所述底座上的导电部;以及
设在所述底座与所述导电部之间的树脂制的绝缘部,
所述光反射面形成于所述导电部。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
底座;
设在所述底座上的多个导电部;以及
设在相邻的所述导电部之间的树脂制的绝缘部,
所述绝缘部由所述密封部件覆盖,并且所述光反射面形成于所述各导电部。
4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
底座;
设在所述底座上、具有所述光反射面的光反射部;以及
设在所述底座与所述光反射部之间的树脂制的绝缘部。
5.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
底座;
设在所述底座上的多个光反射部;以及
设在相邻的所述光反射部之间的树脂制的绝缘部,
所述绝缘部由所述密封部件覆盖,并且所述光反射面形成于所述各光反射部。
6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述绝缘部包含:树脂材料、以及添加至所述树脂材料中的填充物,
所述填充物的含有率为50%以上。
7.一种发光装置,其特征在于,包括:
具有光反射面的光反射部;
安装于所述光反射面的发光元件;
相对于所述光反射部配置于所述发光元件的相反侧,包含树脂制的基体材料及添加至所述基体材料中的填充物,并且所述填充物的含有率为50%以上的绝缘部;以及
覆盖所述光反射部、所述绝缘部及所述发光元件而配置,具有透光性的密封部件。
8.一种照明装置,其特征在于,
具备:主体;以及由所述主体支持的权利要求1或7所述的发光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111837245A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-10-27 | 亮锐有限责任公司 | 发光器件封装 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
WO2010098457A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
US20120061698A1 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Toscano Lenora M | Method for Treating Metal Surfaces |
KR101826946B1 (ko) * | 2011-05-06 | 2018-02-07 | 서울반도체 주식회사 | 엘이디 캔들 램프 |
JP5983603B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2016-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5817297B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-11-18 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
KR20140038553A (ko) | 2011-07-21 | 2014-03-28 | 크리,인코포레이티드 | 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들 |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
JP5456209B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2014-03-26 | 株式会社Steq | 半導体装置及びその製造方法 |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
US8876334B2 (en) * | 2012-01-16 | 2014-11-04 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd. | Light-mixing multichip package structure |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
AT14124U1 (de) * | 2012-02-13 | 2015-04-15 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit Flächenverguß |
JP2013183089A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Idec Corp | 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法 |
KR102098831B1 (ko) * | 2012-06-07 | 2020-04-08 | 시코쿠 케이소쿠 코교 가부시키가이샤 | Led 조명 모듈 및 led 조명 장치 |
JP6147977B2 (ja) | 2012-09-26 | 2017-06-14 | ローム株式会社 | Led照明器具およびledユニット |
JP6251081B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-12-20 | 株式会社アイ・ライティング・システム | 反射ユニット、及びledモジュール |
JP5859050B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2016-02-10 | 株式会社ソディック | 発光ダイオードモジュール |
DE102017115798A1 (de) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Alanod Gmbh & Co. Kg | Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174347A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
JP2001057446A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JP2007214245A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5082427B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-11-28 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置 |
JP2007273498A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 波長変換器および発光装置 |
JP2008112867A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
EP1928026A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Illumination device with semiconductor light-emitting elements |
JP2008251664A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP5233170B2 (ja) | 2007-05-31 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
US7967476B2 (en) | 2007-07-04 | 2011-06-28 | Nichia Corporation | Light emitting device including protective glass film |
JP2009065137A (ja) | 2007-08-09 | 2009-03-26 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP4894688B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-03-14 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
-
2010
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174347A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
JP2001057446A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JP2007214245A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111837245A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-10-27 | 亮锐有限责任公司 | 发光器件封装 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010113852A1 (ja) | 2012-10-11 |
WO2010113852A1 (ja) | 2010-10-07 |
EP2416389A1 (en) | 2012-02-08 |
EP2416389A4 (en) | 2012-08-01 |
KR101293649B1 (ko) | 2013-08-13 |
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JP5684700B2 (ja) | 2015-03-18 |
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