CN102252176A - 发光装置以及照明装置 - Google Patents

发光装置以及照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102252176A
CN102252176A CN2011100745171A CN201110074517A CN102252176A CN 102252176 A CN102252176 A CN 102252176A CN 2011100745171 A CN2011100745171 A CN 2011100745171A CN 201110074517 A CN201110074517 A CN 201110074517A CN 102252176 A CN102252176 A CN 102252176A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
reflector layer
emitting diode
insulating barrier
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100745171A
Other languages
English (en)
Inventor
三瓶友広
竹中绘梨果
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Publication of CN102252176A publication Critical patent/CN102252176A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/001—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electrical wires or cables
    • F21V23/002—Arrangements of cables or conductors inside a lighting device, e.g. means for guiding along parts of the housing or in a pivoting arm
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F21V29/773—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having the direction of the light emitting axis
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/89—Metals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明是有关于一种发光装置以及照明装置，根据其一实施方式，发光装置具备基板(21)、反光层(25)、多个发光元件(37)以及密封材料(47)。基板(21)具有由使用酸酐(acid anhydride)来作为固化剂的环氧树脂构成的绝缘层(23)。反光层(25)层叠于绝缘层(23)上。所述反光层(25)具有反光率较绝缘层(23)高的金属制的反光面(28)。所述发光元件(37)安装于反光面(28)上。所述密封材料(47)是由具有透气性以及透光性的材料构成，并且以密封所述反光层(25)以及所述发光元件(37)的方式而层叠于所述绝缘层(23)上。

Description

发光装置以及照明装置
技术领域
本申请案基于并主张在2010年3月25号提出的日本专利申请案第2010-070542号的优先权的权益，其全文以参考的方式并入本文。
本实施方式涉及一种具有串联连接的多个发光二极管(light-emitting diode)的发光装置(light-emitting device)以及使用所述发光装置来作为光源的照明装置(illumination device)。
背景技术
板上芯片(chip on board，COB)型的发光装置被用作LED灯泡(LEDlamp)之类的照明装置的光源(light source)。日本专利特开2008-277561号公报中揭示的发光装置具备基板(substrate)、多个发光二极管列(light-emitting diode column)、反射体(reflector)以及密封材料(sealing member)。
基板具有配置多个供电端子(power-supply conductor)的安装面(mount surface)。发光二极管列沿着基板的安装面而呈直线状延伸，并且在与发光二极管列所延伸的方向正交的方向上彼此空开间隔而排列着。
各发光二极管列具备发出蓝色光的多个发光二极管芯片(chip)。发光二极管芯片空开间隔而排列成一列。各发光二极管芯片具有正侧电极(positive electrode)以及负侧电极(negative electrode)，并且利用透明的粘接剂而粘接于基板的安装面。
在发光二极管列所延伸的方向上相邻的发光二极管芯片经由第1接合线(bonding wire)而形成电连接。第1接合线的一端连接于相邻的发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片的正侧电极。第1接合线的另一端连接于另一个发光二极管芯片的负侧电极。因此，构成发光二极管列的多个发光二极管芯片串联连接着。进而，位于发光二极管列的两端的发光二极管芯片分别经由第2接合线而电连接于基板的供电端子。
反射体以包围发光二极管列的方式而粘接于基板的安装面。密封材料是由混入有黄色荧光体的透明的硅酮(silicone)树脂构成。密封材料被填充在由反射体所围成的区域内，以将发光二极管列密封于安装面上。
根据此种发光装置，发光二极管芯片借助通电而一齐发光。发光二极管芯片所发出的蓝色光入射至密封材料。由此，黄色荧光体受到激发而发出相对于蓝色存在补色(complementary color)关系的黄色光。黄色光与蓝色光在密封材料的内部混合而成为白色光，该白色光被用于照明用途。
根据所述日本公开公报所揭示的发光装置，基板是由白色的环氧(epoxy)树脂构成，以效率良好地导出发光二极管芯片所发出的光。为了获得白色的基板，通常在环氧树脂中混入氧化钛的粉末。
但是，氧化钛在发光二极管芯片发出的蓝色光入射至密封材料时易因蓝色光而发生分解。因此，基板的安装面会逐渐发生劣化而成为粗糙的状态。因此，难以长期维持对白色的安装面所要求的反光性能。
作为其对策，先前尝试有在基板的安装面上层叠着多个金属制的反光层。反光层是用于将从发光二极管芯片向基板的方向放射的光反射向原本的光应导出的方向。反光层以与各发光二极管芯片的位置对应的方式彼此空开间隔而排列着。换言之，多个发光二极管芯片分别安装在反光层上。
然而，已明确的是，在使用反光层的发光装置中，还存在以下要解决的问题。即，由于反光层是在基板的安装面上彼此空开间隔而排列，因此环氧树脂制的安装面会从相邻的反光层之间露出。因此，无法避免发光二极管芯片发出的光从相邻的反光层之间射入安装面。环氧树脂在受到发光二极管芯片所发出的光时，作为环氧树脂的骨架的树脂成分(有机物)的一部分会因光发生分解而气体化。此现象可认为其原因是，环氧树脂中所含的未键合分子因光而发生分解。
进而，反光层是与发光二极管芯片一同由密封材料所覆盖。构成密封材料的硅酮树脂具有透气性。因此，不可否认的是，从构成基板的环氧树脂放出的气体将透过密封材料而到达反光层。
当受到发光二极管芯片的热的反光层的表面曝露于气体中时，反光层会与气体发生反应而变色，以使反光层的表面发黑。已明确的是，此种现象在反光层的表面由银构成时显著。反光层的表面变成黑色的现象会持续至不再从环氧树脂放出气体为止。
当反光层的表面变成黑色时，反光层的反光性能将下降。因此，尽管在基板的安装面上设有反光层，仍无法效率良好地导出光。其结果，难以长期维持发光装置所欲获得的所期望的光束(luminous flax)。
根据以上所述，在当前的发光装置中，在效率良好地导出发光二极管芯片发出的光，以长期维持所期望的光束的方面存在改善的余地。
由此可见，上述现有的照明装置在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品照明装置又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的照明装置，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的第一技术方案提供一种发光装置，其包括：
基板(substrate)(21)，具有由使用酸酐(acid anhydride)来作为固化剂的环氧树脂构成或者由聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂构成的绝缘层(23)；
反光层(25)，层叠于所述绝缘层(23)上，且具有反光率较所述绝缘层(23)高的金属制的反光面(28)；
多个发光元件(37)，安装于所述反光面(28)上；以及
密封材料(47)，由具有透气性以及透光性的材料构成，且以密封所述反光层(25)以及所述发光元件(37)的方式而层叠于所述绝缘层(23)上。
本发明的第二技术方案提供一种根据第一技术方案所述的发光装置，其特征在于，
所述绝缘层(23)具有远离所述反光层(25)的区域，所述区域由所述密封材料(47)所覆盖。
本发明的第三技术方案提供一种照明装置，其特征在于包括：
根据技术方案一或二所述的发光装置；以及
器具本体，设有所述发光装置。
综上所述，本发明根据其一实施方式，发光装置具备基板(21)、反光层(25)、多个发光元件(37)以及密封材料(47)。基板(21)具有由使用酸酐(acid anhydride)来作为固化剂的环氧树脂构成的绝缘层(23)。反光层(25)层叠于绝缘层(23)上。所述反光层(25)具有反光率较绝缘层(23)高的金属制的反光面(28)。所述发光元件(37)安装于反光面(28)上。所述密封材料(47)是由具有透气性以及透光性的材料构成，并且以密封所述反光层(25)以及所述发光元件(37)的方式而层叠于所述绝缘层(23)上。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明发光装置以及照明装置实施方式的LED灯的立体图。
图2是本发明发光装置以及照明装置实施方式的LED灯的剖面图。
图3是本发明发光装置以及照明装置成为LED灯的光源的发光装置的平面图。
图4是本发明发光装置以及照明装置具备图3的发光装置的基板的平面图。
图5是本发明发光装置以及照明装置成为LED灯的光源的发光装置的剖面图。
1：LED灯            2：灯本体
3：灯罩             3a：顶部
3b：缘部            4：灯头
5：点灯装置         6：发光装置
7：散热片           8：第1凹部
9：第2凹部          9a：支撑面
10：开口部          11：盖构件
12：突出部          13：通孔
14：壳体            15：金属眼端子
16：绝缘基底        17：电路基板
18：电路零件        21：模块基板
22：金属基底        22a：第1面
22b：第2面          23：绝缘层
25：反光层          26：第1供电导体
26a、27a：导体图案  27：第2供电导体
28：反光面          29a：第1间隙
29b：第2间隙        30：第1端子部
31：第2端子部       32：抗蚀剂层
33：连接器          34：引线
36：发光二极管列    37：发光二极管
38：第1接合线       40：蓝宝石基板
41：发光层          42a：阳极用电极
42b：阴极用电极     43：粘接剂
44：第2接合线       46：框体
47：密封材料        A：银层
C：铜层             N：镍层
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的发光装置以及照明装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
以下，参阅附图来说明各种实施方式。一般而言，根据一实施方式、发光装置具备基板、反光层、多个发光元件以及密封材料。所述基板具有由使用酸酐(acid anhydride)来作为固化剂的环氧树脂所构成的绝缘层。所述反光层被层叠在所述绝缘层上。所述反光层具有反光率较所述绝缘层高的金属制的反光面。所述发光元件安装在所述反光面上。所述密封材料由具有透气性以及透光性的材料构成，并且以密封所述反光层以及所述发光元件的方式而层叠于所述绝缘层上。
基板既可由一片绝缘板构成，也可采用层叠有多个绝缘板的结构。进而，基板也可采用在铁或铝之类的金属制基底(base)上层叠有绝缘层的结构。当基板由一片绝缘板构成时，绝缘板的表层部分形成绝缘层。构成绝缘层的环氧树脂例如也可含有氧化钛等的填充物(filler)，其反光率也可为50％以下。
所述绝缘板的所述表层部分是由使用酸酐来作为固化剂的环氧树脂所构成。当在所述表层部位之下层叠有合成树脂制的其他层时，其他层既可为使用酸酐来作为固化剂的环氧树脂，也可为使用其他固化剂的环氧树脂。
成为固化剂的酸酐被分类为脂肪族、脂环族、芳香族以及卤素族。作为脂肪族的固化剂，代表性的是十二碳烯基丁二酸酐(dodecenyl succinicanhydride，DDSA)、聚壬二酸酐(polyazelaic polyanhydride，PAPA)。作为脂环族的固化剂，代表性的是六氢邻苯二甲酸酐(hexahydrophthalicanhydride，HHPA)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(methyltrahydrophthalicanhydride，MTHPA)、甲基纳迪克酸酐(methylnadic anhydride，MMA)。作为芳香族的固化剂，代表性的是偏苯三酸酐(trimellitic anhydride，TMA)、均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride，PMDA)、二苯甲酮四甲酸(benzophenonetetracarboxylic acid，BTDA)。作为卤素族的固化剂，代表性的是四溴邻苯二甲酸酐(tetrabromo phthalic anhydride，TBPA)、氯桥酸酐(chlorendic acid anhydride，HET)。
构成反光层的反光面的金属较为理想的是银(Ag)，但并不特定于银。当反光面是由银(Ag)构成时，反光面可通过无电解镀敷而形成。反光层既可设为能够安装一个发光元件的大小并对应于每个发光元件而设置，也可设为能够安装多个发光元件的大小。
作为发光元件，例如可使用由裸芯片(bare chip)构成的发光二极管或电致发光(electroluminescence)元件之类的半导体发光元件。尤其优选使用在发光层上排列着正侧电极以及负侧电极的、所谓的单面电极类型的发光元件。进而，作为发光元件，较佳为发出蓝色光的发光二极管芯片。
相邻的发光元件之间经由多条接合线而电连接。作为接合线，为了确保对发光元件的正侧电极、负侧电极以及基板上所设的供电导体的接合性，较为理想的是使用例如金(Au)的细线，但也可使用金以外的金属制细线。
当多个反光层对应于每个发光元件而设置时，通过以接合线来连接发光元件和与该发光元件相邻的反光层之间，可将多个发光元件彼此串联连接。进而，即使以接合线来直接连接相邻的发光元件之间，也可将多个发光元件彼此串联连接。
作为构成密封材料的材料，例如可使用透明的硅酮树脂。密封材料为了获得所期望的颜色的光，既可含有荧光体也可不含荧光体。例如，为了使用发出蓝色光的发光元件来获得白色光，可使受到蓝色光所激发而放射出黄色光的黄色荧光体混入密封材料中。
根据一实施方式，层叠于绝缘层上的反光层具有反光面，并且发光元件被安装在反光面上。因此，可使从发光元件朝向基板放射的光由反光面反射后效率良好地导至原本的光应导出的方向。
另一方面，根据一实施方式，绝缘层中的远离反光层的部分由具有透气性以及透光性的密封材料所覆盖。因此，来自发光元件的光将射入至绝缘层中的远离反光层的部分。绝缘层是由使用酸酐来作为固化剂的环氧树脂构成，不包括作为固化剂的一例的苯酚树脂或胺树脂。
但是，单独使用环氧树脂的情况(case)较为稀少。当使用环氧树脂时，一般而言，使环氧树脂与固化剂发生反应而三次元化，从而形成交联构造，由此获得适合于用途的物性。例如，作为用于印刷线路板的环氧树脂，可使用对固化剂使用苯酚类的环氧·苯酚系的环氧树脂、对固化剂使用胺类的环氧·胺系的环氧树脂、对固化剂使用酸酐的环氧·酸酐系的环氧树脂。当前，环氧·苯酚系的环氧树脂多被用作印刷线路板用的环氧树脂。
本发明人对各种环氧树脂因蓝色发光二极管发出的光发生分解的现象以及金属制反光层变成黑色的现象进行查明而发现：特定的固化剂受到来自蓝色发光二极管的光会发生分解，从而气体化。
具体而言，本发明人发现，对于环氧·苯酚系的环氧树脂或环氧·胺系的环氧树脂而言，由于作为其固化剂的苯酚树脂或胺系树脂的分解成分的原因，金属制反光层会产生黑化现象。与此相对，如果是环氧·酸酐系的环氧树脂，则不会产生因作为固化剂的酸酐的分解成分而造成的金属制反光层的黑化现象。
因此，对于环氧·酸酐系的环氧树脂而言，尽管固化剂的树脂成分会因来自发光元件的光发生分解而气体化，但该气体与金属制反光膜不会发生反应，或者即使有反应也只是可以忽略的程度。因而，能够防止反光层的反光面如发黑般变色而反光率下降的情况。因此，发光装置能够长期维持所期望的光输出。
第二实施方式的发光装置具备基板、反光层、多个发光元件、多条接合线以及密封材料。基板具有由聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂所构成的绝缘层。反光层被层叠于所述绝缘层上，并且具有反光率较所述绝缘层高的金属制的反光面。所述发光元件安装于所述反光面。所述接合线电连接所述发光元件之间。所述密封材料是由具有透气性以及透光性的材料所构成，并且以密封所述反光层、所述发光元件以及所述接合线的方式而层叠于所述绝缘层上。
根据第二实施方式，层叠于绝缘层上的反光层具有反光面，并且发光元件安装于反光面上。因此，可使从发光元件朝向基板放射的光被反光面反射，而效率良好地导向原本的光应导出的方向。
另一方面，绝缘层中的远离反光层的部分是由具有透气性以及透光性的密封材料所覆盖。因此，来自发光元件的光将射入至绝缘层中的远离反光层的部分。绝缘层是由聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂所构成，不包括苯酚树脂或胺树脂。
因此，即使绝缘层的树脂成分因来自发光元件的光发生分解而气体化，该气体与金属制反光膜也不会发生反应，或者即使有反应也只是可以忽略的程度。因而，能够防止反光层的反光面如发黑般变色而反光率下降的情况。其结果，发光装置能够长期维持所期望的光输出。
以下，参阅图1至图5来说明实施方式。
图1以及图2揭示了作为照明装置的一例的灯泡型的LED灯1。LED灯1具备灯本体2、灯罩(globe)3、E型的灯头(E-shaped base)4、点灯装置(lighting device)5以及COB(chip on board)型的发光装置6。
灯本体2例如是由铝之类的导热性良好的金属材料构成，兼具作为散热构件的功能。灯本体2为具有一端以及另一端的大致圆柱状。在灯本体2的外周面形成有多个散热片(thermally radiative fins)7。散热片7从灯本体2的外周面呈放射状突出，并且随着从灯本体2的一端向另一端的方向前进，而朝向沿着灯本体2的径向的外侧凸出。
如图2所示，灯本体2具有第1凹部8以及第2凹部9。第1凹部8位于灯本体2的一端，从灯本体2的一端朝向另一端凹陷。第2凹部9位于灯本体2的另一端，从灯本体2的另一端朝向一端凹陷。第2凹部9的底成为平坦(flat)的支撑面9a。
灯罩3例如是由具有光扩散性的玻璃(glass)或合成树脂材料而形成为大致半球形。灯罩3具有球面状的顶部3a和与顶部3a相向的开口部10。规定开口部10的灯罩3的缘部3b嵌入至灯本体2的第2凹部9的内侧。其结果，灯罩3结合于灯本体2，并且支撑面9a由灯罩3所覆盖。
如图2所示，在灯本体2的第1凹部8内安装着具有电绝缘性的盖(cover)构件11。盖构件11覆盖第1凹部8的内周面。盖构件11具有从第1凹部8凸出至灯本体2之外的圆筒状的突出部12。盖构件11的内侧的空间经由贯穿灯本体2的通孔13而穿过灯本体2的支撑面9a。
灯头4是由螺入灯座(socket)的金属制的壳体(metal shell)14、及具有金属眼端子(eyelet terminal)15的绝缘基底(insulator)16构成。壳体14安装于盖构件11的突出部12。绝缘基底16抵碰于突出部12的开口端部而封闭盖构件11的内侧的空间。
点灯装置5被收纳于盖构件11的内侧而电性连接于灯头4。点灯装置5具备电路基板17、及安装于电路基板17的多个电路零件18。
盖构件11的内侧并不限于设为用来收纳点灯装置5的空间。例如，也可以向盖构件11的内侧的空间填充具有电绝缘性的填充材料。作为填充材料，例如可使用硅酮系的树脂材料。
如图2所示，发光装置6被用作LED灯1的光源。发光装置6安装于灯本体2的支撑面9a而由灯罩3所覆盖。
如图3以及图5所示，发光装置5具有四方的模块基板(rectangularmodule substrate)21。模块基板21是具有金属基底22和绝缘层23的双层构造。金属基底22是由散热性优异的铝或其合金构成。金属基底22具有第1面22a和第2面22b。第2面22b位于第1面22a的相反侧，且构成金属基底22的表面。
绝缘层23层叠于金属基底22的第2面22b上，且全面覆盖第2面22b。绝缘层23是由未使用苯酚系树脂或胺系树脂作为固化剂的环氧树脂所构成。本实施方式中，作为与环氧树脂组合的固化剂，例如使用六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、均苯四甲酸二酐之类的酸酐。
进而，将氧化铝之类的填充物添加至环氧树脂中。填充物相对于环氧树脂的添加比例为50wt％。绝缘层23可薄于金属基底22。具体而言，绝缘层23的厚度为100μm以下，例如为0.8mm。绝缘层23的全光线反射率(total light reflectance)为50％以下，例如为35.9％。
模块基板21利用多个螺丝而固定于灯本体2的支撑面9a的中央部。借助该固定，金属基底22的第1面22a接合于支撑面9a，模块基板21热连接于灯本体2。
如图3至图5所示，反光层25、第1供电导体(first power-supplyconductor)26以及第2供电导体27层叠于模块基板21的绝缘层23上。
反光层25为具有四个边的矩形状，且位于绝缘层23的中央部。反光层25例如为将三种金属层组合而成的三层构造。具体而言，反光层25是通过将铜层C、镍层N以及银层A彼此层叠而构成。铜层C是通过对层叠于绝缘层23上的铜箔进行蚀刻(etching)而形成。镍层N层叠于铜层C上。镍层N是通过对铜层C实施无电解镀敷而形成。银层A层叠于镍层N上。银层A是通过对镍层N实施无电解镀敷而形成。银层A成为反光层25的表层。
因此，反光层25的表面成为银制的反光面28。反光面28的反光率高于绝缘层23的反光率。反光面28的全光线反射率例如为90.0％。
通过无电解镀敷来形成银层A对于提高反光层25的制造性较佳。详细而言，例如当利用通常的电镀来形成银层A时，需要使用镀敷引线(lead)，无法避免镀敷图案(pattern)的复杂化。并且，镀敷引线在镀敷作业结束后变得无用，因此需要在镀敷后去除镀敷引线的格外的作业。与此相对，无电解镀敷无须准备镀敷引线，或去除镀敷引线的作业，因此能够容易地制造反光层25。
反光层25并不限于三层构造。例如，反光层25既可为银的单层，也可采用在成为底层的铜层上层叠有银层的双层构造。
第1供电导体26以及第2供电导体27分别为沿着反光层25的一边而延伸的带状，并且具有彼此相同的大小。第1供电导体26以及第2供电导体27是与反光层25同样地，为具有铜层C、镍层N以及银层A的三层构造。因此，第1供电导体26的表层以及第2供电导体27的表层分别由银构成。
如图4所示，第1供电导体26以及第2供电导体27是以将反光层25夹在中间的方式，彼此空开间隔而平行地配置着。第1供电导体26与反光层25通过狭缝(slit)状的第1间隙29a而保持为电性绝缘的状态。第1间隙29a被配置在第1供电导体26与反光层25之间。第2供电导体27与反光层25通过狭缝状的第2间隙29b而保持为电性绝缘的状态。第2间隙29b被配置在第2供电导体27与反光层25之间。
因此，绝缘层23中的与第1间隙29a以及第2间隙29b对应的区域远离反光层23、第1供电导体26以及第2供电导体27，并且从第1间隙29a以及第2间隙29b露出。
反光层25、第1供电导体26以及第2供电导体27中的至少反光层25的反光面28的粗糙度Ra优选为0.2以下。通过规定该反光面28的粗糙度Ra，可抑制因该反光面28上存在的多个微细的凹凸而引起的该反光面28的表面积的增加。
如图4所示，第1供电导体26具有向远离反光层25的方向延伸的导体图案26a。导体图案26a的前端构成第1端子部30。同样地，第2供电导体27具有向远离反光层25的方向延伸的导体图案27a。导体图案27a的前端构成第2端子部31。第1端子部30以及第2端子部31在绝缘层23上彼此空开间隔而排列。
如图3所示，抗蚀剂(resist)层32层叠于绝缘层23上。抗蚀剂层32遮盖绝缘层23中的除了反光层25、第1供电导体26、第2供电导体27、第1端子部30以及第2端子部31以外的区域。
如图3所示，连接器(connector)33焊接于第1端子部30以及第2端子部31。连接器33经由图1所示的引线34而电连接于点灯装置5。引线34穿过灯本体2的通孔13而导至灯头4的内侧。
如图3以及图5所示，多个发光二极管列36安装在反光层25的反光面28上。发光二极管列36以连接第1供电导体26与第2供电导体27之间的方式而呈直线状延伸，并且彼此空开间隔而平行地排列着。
各发光二极管列36具备多个发光二极管37和多条第1接合线38。发光二极管37为发光元件的一例。发光二极管37是由具有蓝宝石(sapphire)基板40和层叠于蓝宝石基板40上的发光层41的裸芯片构成。发光层41例如是由发出蓝色光的氮化物系化合物半导体所形成。发光二极管37例如为长边的长度为0.5mm、短边的长度为0.25mm的长方体。
进而，发光二极管37是在发光层41上具有阳极(anode)用电极42a以及阴极(cathode)用电极42b的单面电极类型。电极42a、42b在发光二极管37的长度方向上空开间隔而排列。
发光二极管37分别通过具有透光性的粘接剂43而粘接于反光面28上。进而，发光二极管37在每个发光二极管列36中彼此空开间隔而呈直线状排列。其结果，多个发光二极管37在反光面28上有规则地排列成矩阵(matrix)状。
换言之，反光面28具有能够排列所有发光二极管37的大小。因此，反光面28在相邻的发光二极管37之间无中断地连续。因而，反光面28之下的绝缘层23不会从相邻的发光二极管37之间露出。
第1接合线38使发光二极管列36所延伸的方向上相邻的发光二极管37之间形成电串联连接。具体而言，第1接合线38跨及相邻的发光二极管37之间，以使相邻的发光二极管37的彼此不同极性的电极42a、42b之间形成电连接。
如图3所示，多个发光二极管列36经由多条第2接合线44而电连接于第1供电导体26以及第2供电导体27。具体而言，位于各发光二极管列36的一端的一个发光二极管37是与成为正极的第1供电导体26相邻。发光二极管37的电极42b经由第2接合线44而电连接于第1供电导体26。
位于各发光二极管列36的另一端的一个发光二极管37是与成为负极的第2供电导体27相邻。发光二极管37的电极42a经由第2接合线44而电连接于第2供电导体27。因此，多个发光二极管列36相对于第1供电导体26以及第2供电导体27而并联地电连接着。
本实施方式中，对于第1接合线38以及第2接合线44使用金的细线。
点灯装置5经由第1供电导体26以及第2供电导体27来对多个发光二极管列36供给电流。由此，发光二极管列36的发光二极管37一齐发光。由于发光二极管列36相对于第1供电导体26以及第2供电导体27为并联连接，因此即使因某些理由而导致一个发光二极管列36的发光停止，其余的发光二极管列36仍会继续发光。
发光二极管37会在点灯过程中发热。发光二极管37的热经由粘接剂43而传导至反光层25。此时，通过使用金的细线来作为第2接合线44，扩散至反光层25的发光二极管37的热将难以传递至第1供电导体26以及第2供电导体27。其结果，可使反光层25的温度分布均等化，从而可将位于反光层25上的多个发光二极管37的温度差抑制为较少。
如图3以及图5所示，四方的框体46粘接于模块基板21的绝缘层23上。框体46例如是由合成树脂之类的绝缘材料构成，且整体地包围反光层25、第1供电导体26以及第2供电导体27。换言之，发光二极管列36以及第2接合线44被收容在由框体46所围成的四方区域内。
进而，框体46稍许远离第1供电端子26的外周缘以及第2供电端子27的外周缘。因此，绝缘层23的一部分区域露出于由框体46所围成的部位。
密封材料47被填充至由框体46所围成的部位。密封材料47是由具有透气性以及透光性的树脂材料所构成，本实施方式中，使用透明的硅酮树脂。硅酮树脂以液状的状态被注入由框体46所围成的部位。所注入的硅酮树脂通过加热·干燥而硬化。因此，密封材料47的面积是由框体46所规定。硬化后的密封材料47层叠于模块基板21的绝缘层23上，以将反光层25、第1供电导体26、第2供电导体27、发光二极管列36以及第2接合线44密封于绝缘层23上。
根据本实施方式，密封材料47含有荧光体。荧光体被均等地分散在密封材料47中。作为荧光体，使用受到发光二极管37发出的蓝色光所激发而放射出黄色光的黄色荧光体。
混入至密封材料47中的荧光体并不限于黄色荧光体。例如，为了改善发光二极管37发出的光的显色性(color rendering properties)，也可以将受到蓝色光所激发而发出红色光的红色荧光体或发出绿色光的绿色荧光体添加至密封材料47中。
在实施方式的LED灯1中，从点灯装置5对发光装置6施加电压。其结果，反光层25上的发光二极管37一齐发光。发光二极管37发出的蓝色光入射至密封材料47。入射至密封材料47的蓝色光的一部分被黄色荧光体吸收。其余的蓝色光不会照射至黄色荧光体而将透过密封材料47。
吸收蓝色光后的黄色荧光体受到激发而发出黄色光。黄色光透过密封材料47。其结果，黄色光与蓝色光在密封材料47的内部彼此混合而成为白色光。白色光从密封材料47朝向灯罩3放射。因而，由框体46所围成的密封材料47作为呈面状发光的发光部而发挥功能。
从发光二极管37朝向模块基板21的光被反光层25的反光面28、第1供电导体26以及第2供电导体27反射后朝向灯罩3。其结果，发光二极管37发出的光的大部分透过灯罩3而用于照明用途。
在本实施方式中，反光层25的占用面积相对于密封材料47的密封面积并不受特别规定，但优选反光层25的占用面积为80％以上，这样可以提高发光装置6的光束维持率(lumen maintenance factor)。所谓光束维持率，是指使发光装置6开始发光的初期发光时获得的光束(luminous flux)、与从初期发光时算起的连续发光时间经过1000小时之时获得的光束的比率。1000小时的连续发光时间相当于实际使用发光装置6来作为LED灯1的光源时的约4万小时的使用时间。
通过使反光层25的占用面积为80％以上，可确保90％以上的相对光束。进而，即使在实际使用发光装置6来作为LED灯1的光源的状态下经过约4万小时以后，也能够相对于初期发光时的光束而维持大致80％的光束。因此，光输出高而可获得高品质的发光装置6。
在发光装置6的发光时多个发光二极管37发出的热传递至模块基板21的反光层25。反光层25作为使从发光二极管37传递的热得以扩散的散热片(heat spreader)而发挥功能。发光二极管37的扩散至反光层25的热从绝缘层23传递至金属基底22，并且从金属基底22经由支撑面9a而传递至灯本体2。传递至灯本体2的热从散热片7散发到LED灯1之外。
其结果，可使发光二极管37的热从模块基板21积极地散逸至灯本体2。因而，可提高发光二极管37的散热性，从而良好地维持发光二极管37的发光效率(luminous efficacy)。
根据实施方式的发光装置6，在层叠于绝缘层23上的一个反光层25上安装着所有发光二极管37。因此，与在绝缘层23上排列有与发光二极管37的数量对应的多个反光层，并在这些反光层上分别安装发光二极管37的结构相比较时，露出至填充有密封材料47的区域的绝缘层23的比例变少。换言之，露出至填充有密封材料47的区域的反光层25的面积远大于露出至填充有密封材料47的区域的绝缘层23的面积。
其结果，从发光二极管37朝向模块基板21放射的光被银制的反光层25效率良好地反射向应导出光的方向。因而，从发光二极管37朝向模块基板21的光难以受到反光性能低的绝缘层23的影响。此优点通过将反光层25的占用面积相对于密封材料47的密封面积设定为80％以上而更为可靠。
另一方面，环氧树脂制的绝缘层23的一部分从第1间隙29a以及第2间隙29b或框体46与第1供电导体26之间、框体46与第2供电导体27之间露出而由密封材料47所覆盖。换言之，环氧树脂制的绝缘层23的一部分远离反光层25并由具有透气性的密封材料47所覆盖。因此，无法避免从发光二极管37放射的蓝色光的一部分射入至绝缘层23。
构成绝缘层23的环氧树脂在受到光时，成为骨架的树脂成分会逐渐发生劣化而产生气体状的分解物。本实施方式中所用的环氧·酸酐系的环氧树脂也不例外，成为骨架的树脂成分因光而发生分解且产生气体状的分解物。
但是，环氧·酸酐系的环氧树脂不包括作为固化剂的苯酚系树脂或胺系树脂。因此，即使环氧·酸酐系的环氧树脂的树脂成分因来自发光二极管37的光而发生分解，气体化的分解物与银制的反光膜25也不会发生反应，或者即使有反应也只是可以忽略的程度。
因此，能够防止：反光层25的反光面28如发黑般变色而反光面28的反光率下降的情况。其结果，发光装置6能够长期维持所期望的光输出。
模块基板21的绝缘层23并不限于由环氧树脂构成。例如，也可以取代环氧树脂制的绝缘层23而使用非环氧树脂制的绝缘层23。所谓非环氧树脂，是指聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂。
聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂不包括作为固化剂的苯酚系树脂或胺系树脂。因此，即使构成绝缘层23的树脂成分因来自发光二极管37的光而发生分解，气体化的分解物与银制的反光膜25也不会发生反应，或者即使有反应也只是可以忽略的轻微程度。
因此，能够防止：反光层25的反光面28如发黑般变色而反光面28的反光率下降的情况。其结果，发光装置6能够长期维持所期望的光输出。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (3)

1.一种发光装置，其特征在于其包括：
基板(substrate)(21)，具有由使用酸酐(acid anhydride)来作为固化剂的环氧树脂构成或者由聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氟树脂中的任一种树脂构成的绝缘层(23)；
反光层(25)，层叠于所述绝缘层(23)上，且具有反光率较所述绝缘层(23)高的金属制的反光面(28)；
多个发光元件(37)，安装于所述反光面(28)上；以及
密封材料(47)，由具有透气性以及透光性的材料构成，且以密封所述反光层(25)以及所述发光元件(37)的方式而层叠于所述绝缘层(23)上。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
其所述绝缘层(23)具有远离所述反光层(25)的区域，所述区域由所述密封材料(47)所覆盖。
3.一种照明装置，其特征在于其包括：
根据权利要求1或2所述的发光装置；以及
器具本体，设有所述发光装置。
CN2011100745171A 2010-03-25 2011-03-23 发光装置以及照明装置 Pending CN102252176A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010070542A JP2011204897A (ja) 2010-03-25 2010-03-25 発光モジュール
JP2010-070542 2010-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102252176A true CN102252176A (zh) 2011-11-23

Family

ID=44310091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100745171A Pending CN102252176A (zh) 2010-03-25 2011-03-23 发光装置以及照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8446082B2 (zh)
EP (1) EP2369223A3 (zh)
JP (1) JP2011204897A (zh)
CN (1) CN102252176A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101923189B1 (ko) 2011-08-11 2018-11-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이
KR101772588B1 (ko) * 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
US9970646B2 (en) * 2015-09-10 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Heatsink with integrated electrical and base contacts

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007138017A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Kyocera Chemical Corp 絶縁性透光基板及び光半導体装置
JP2008251664A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2009026485A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池、並びにそれに用いる非水電解質電池用リード線及び非水電解質電池用封入袋
WO2009028156A1 (ja) * 2007-08-29 2009-03-05 Panasonic Corporation 配線部材、樹脂付金属部品及び樹脂封止半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2009065137A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100425566B1 (ko) * 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US20050099727A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Headway Technologies, Inc. Write-head having recessed magnetic material in gap region
JP5060707B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
WO2007004572A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP4905052B2 (ja) 2005-10-21 2012-03-28 三菱瓦斯化学株式会社 プリプレグおよび銅張積層板
JP5232369B2 (ja) 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP5168152B2 (ja) 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5089212B2 (ja) * 2007-03-23 2012-12-05 シャープ株式会社 発光装置およびそれを用いたｌｅｄランプ、発光装置の製造方法
JP2008277561A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
TW200942569A (en) * 2007-11-29 2009-10-16 Mitsubishi Plastics Inc Metal laminate, led-mounted board, and white film
CN101910239B (zh) * 2008-01-09 2013-11-06 日立化成工业株式会社 热固化性树脂组合物、环氧树脂成形材料及多元羧酸缩合体
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP2011071242A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007138017A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Kyocera Chemical Corp 絶縁性透光基板及び光半導体装置
JP2008251664A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2009026485A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池、並びにそれに用いる非水電解質電池用リード線及び非水電解質電池用封入袋
JP2009065137A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
WO2009028156A1 (ja) * 2007-08-29 2009-03-05 Panasonic Corporation 配線部材、樹脂付金属部品及び樹脂封止半導体装置、並びにこれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011204897A (ja) 2011-10-13
EP2369223A3 (en) 2013-03-20
US8446082B2 (en) 2013-05-21
EP2369223A2 (en) 2011-09-28
US20110234080A1 (en) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102034924B (zh) 发光装置及照明装置
JP6869000B2 (ja) 発光モジュール
US8610141B2 (en) Three-dimensional LED substrate and LED lighting device
KR20140118466A (ko) 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명장치
CN101901800A (zh) 发光模块及照明装置
CN103053038A (zh) 安装用基板、发光装置以及灯
CN102369607A (zh) 发光装置及照明装置
TWI525789B (zh) 發光二極體
JP6107415B2 (ja) 発光装置
US20120001215A1 (en) Light-emitting module and illumination device
JP2011165434A (ja) 光源、バックライトユニット及び液晶表示装置
CN102714264B (zh) 发光二极管封装件及其制造方法
JP2009141370A (ja) 発光ダイオードパッケージ
CN102252176A (zh) 发光装置以及照明装置
KR20110105056A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 라이트 유닛 및 조명 장치
JP2010272687A (ja) 照明装置および照明器具
US20080042157A1 (en) Surface mount light emitting diode package
KR100643583B1 (ko) 메탈 ｐｃｂ를 이용한 다색 발광소자 모듈 및 그 제조방법
JP2005057089A (ja) 白色ｌｅｄランプ
KR101401919B1 (ko) 일체화 고효율 다층식 조명장치
US8791482B2 (en) Light emitting device package
US20110305017A1 (en) Light-emitting module and illumination device
CN103367343A (zh) 发光模块
JP2018032689A (ja) 発光装置、及び照明装置
JP2014112495A (ja) 照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20111123