CN102263116A - 具有光传感器的摄像装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光传感器(1)，具有：位于半导体基板(2)的下表面的光电转换器件区域(3)以及连接焊盘(4)，并且具有：在半导体基板2之下经由绝缘膜(5、7)而连接到连接焊盘(3)的配线(9)，以及与该配线(9)相连的作为外部连接用电极的柱状电极(12)。结果，与在半导体基板(2)的上表面形成光电转换器件区域(3)以及与该光电转换器件区域(3)连接的连接焊盘(4)的情况相比，在半导体基板(2)不需要形成用于使连接焊盘(4)与配线(9)连接的贯通电极，从而能够减少工序数，并且能够在加工过程中不易受到制约。

Description

具有光传感器的摄像装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及具有光传感器的摄像装置及其制造方法。

背景技术

在日本特开2010-56292号公报上公开了如下技术：隔着框状的间隔件将下表面具有透镜的玻璃板安装到光传感器。该情况下，光传感器具有半导体基板。在半导体基板的上表面中央部设有受光部。在半导体基板的上表面周边部设有与受光部连接的连接焊盘。

在半导体基板的下表面设有配线。例如在CMOS的情况下，为了将信号作为电压取出，配线是必须的。配线的一端部经由设置在位于半导体基板的周边部的贯通孔内的贯通电极而与连接焊盘相连接。在除配线的焊接区(land)以外的半导体基板的下表面设有绝缘膜，配线的焊接区经由设置于绝缘膜的开口部而露出。在经由绝缘膜的开口部而露出的配线的焊接区的下表面设有焊料球。

在日本特开2010-56292号公报中，首先，准备比作为完成品的摄像装置的半导体基板的厚度厚的半导体晶片。在该情况下，在半导体晶片的摄像装置形成区域的上表面的中央部设置受光部，在其周围设置与受光部连接的连接焊盘。

接着，将在与半导体晶片尺寸相同的玻璃板的下表面处设有多个透镜的部件隔着格子状的间隔件而安装在半导体晶片上。接着，对半导体晶片的下表面侧进行研磨，使半导体晶片的厚度变薄。接着，在半导体晶片的摄像装置的形成区域内的周边部形成贯通孔。接着，在包含贯通孔内的半导体晶片的下表面处，通过电解镀，形成配线以及贯通电极。

接着，在半导体晶片的下表面侧，形成具有开口部的绝缘膜。接着，在经由绝缘膜的开口部而露出的配线的焊接区的下表面处形成焊料球。接着，切断半导体晶片、格子状的间隔件以及与半导体晶片尺寸相同的玻璃板，从而得到多个摄像装置。

但是，在上述以往的摄像装置的制造方法中，存在在半导体晶片的摄像装置形成区域内的周边部形成贯通孔的工序较多的问题，如对半导体晶片的下表面形成抗蚀剂膜、对抗蚀剂膜形成开口部、基于以抗蚀剂膜作为掩模的刻蚀而形成半导体晶片的贯通孔、剥离抗蚀剂膜等。并且，还存在以下问题，即：在对半导体晶片的下表面侧进行研磨而使得半导体晶片的厚度变薄的工序之前，为了进行强化而必须在半导体晶片上配置与该半导体晶片尺寸相同的玻璃板，从而在加工过程中受到制约。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种摄像装置及其制造方法，能够减少工序数，并且在加工过程中不易受到制约。

根据本发明的一实施方式，提供了一种摄像装置，其特征在于，具有：透镜单元，光从该透镜单元的一个面入射；和光传感器，该光传感器具有：半导体基板，设置在所述透镜单元的另一面侧，从所述透镜单元出射的光从该半导体基板的一个面入射；和设置在所述半导体基板的另一面侧的光电转换器件区域及连接焊盘。

根据本发明的另一实施方式，技术方案9所述发明的摄像装置的制造方法，在将光电转换器件区域及连接焊盘设在半导体晶片的一个面而得到的光传感器的所述半导体晶片的另一个面配置透镜单元。

附图说明

图1为作为本发明的第1实施方式的摄像装置的剖视图。

图2为在图1所示的摄像装置的制造方法的一例中，最初准备的部件的一部分的剖视图。

图3为图2的后续工序的剖视图。

图4为图3的后续工序的剖视图。

图5为图4的后续工序的剖视图。

图6为图5的后续工序的剖视图。

图7为图6的后续工序的剖视图。

图8为图7的后续工序的剖视图。

图9为图8的后续工序的剖视图。

图10为作为本发明的第1实施方式的另一例的摄像装置的剖视图。

图11为作为本发明的第2实施方式的摄像装置的剖视图。

图12为作为本发明的第2实施方式的另一例的摄像装置的剖视图。

具体实施方式

(第1实施方式)

图1表示作为本发明的第1实施方式的摄像装置的剖视图。该摄像装置具有光传感器1。光传感器1具备由硅、或砷化镓等组成的平面方形的半导体基板2，该砷化镓是化合物半导体，由Ga(镓)和As(砷)的化合物组成。在半导体基板2的下表面中央部设有包含CCD(电荷耦合元件)、光电二极管、光电晶体管等元件的光电转换器件区域3。在半导体基板2的下表面周边部设有多个由铝类金属等构成的、与光电转换器件区域3连接的连接焊盘4。

在除半导体基板2的周边部以及连接焊盘2的中央部以外的半导体基板2的下表面，设有由氧化硅、氮化硅等构成的钝化膜(绝缘膜)5，并经由设于钝化膜5的开口部6而使连接焊盘4的中央部露出。在钝化膜5的下表面设有由聚酰亚胺类树脂等构成的保护膜(绝缘膜)7。在与钝化膜5的开口部6对应的部分的保护膜7处设有开口部8。

在保护膜7的下表面设有多个配线9。配线9采用由设在保护膜7的下表面的、由铜等构成的基底金属层10，和设在基底金属层10的下表面的、由铜构成的上部金属层11构成的2层构造。配线9的一端部经由钝化膜5及保护膜7的开口部6、8而与连接焊盘4相连接。

在配线9的焊接区下表面设有由铜构成的柱状电极(外部连接用电极)12。在半导体基板2的周边部下表面以及含有配线9的保护膜7的下表面、在柱状电极12的周围设有由包含石英粉(silica filler)的环氧类树脂构成的密封膜13。这里，柱状电极12设置为，下表面与密封膜13的下表面为同一面或比密封膜13的下表面凹陷1～2μm。

如上所述地，光传感器1构成为，包含：半导体基板2、光电转换器件区域3、连接焊盘4、钝化膜5、保护膜7、由基底金属层10及上部金属层11构成的2层构造的配线9、柱状电极12以及密封膜13。并且，在光传感器1的柱状电极12的下表面设有焊料球14。

在光传感器1的半导体基板2的上表面，经由方形框状的粘结剂层22而贴附有平面方形状的可视光透射板(可视光透射材料)21。可视光透射板21具有红外线截止滤波器(infrared cut filter)的作用，可以是红外线反射型或红外线吸收型，其平面尺寸为比光传感器1的半导体基板2的平面尺寸稍小。

作为可视光透射板21，可采用玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷等，只要是透射可视光的材料即可。

在可视光透射板21的上表面设有透镜单元23。透镜单元23通过在框状的透镜支架24的内部设置透镜25而构成，该透镜25配置在光传感器1的光电转换器件区域3的上方。并且，透镜单元23的透镜支架24的下表面经由框状的粘结剂层26而贴附到可视光透射板21的上表面的周边部。如图1中箭头所示，光从设置在半导体基板2的另一面的透镜单元23侧入射。透过透镜25的光聚光在光电转换器件区域3，并传送到配线9。

这里，由于透镜25较好地透射红外线，且光电转换器件区域3具有高红外线灵敏度，因此光传感器1的灵敏度主要受用于阻断位于光电转换器件区域3前的红外线的可视光透射板21所影响。可视光透射板21的红外线反射率以及红外线吸收率都为90％以上。因此，可视光透射板21的红外线透射率为10％以下。并且，可视光透射板21具有保护光电转换器件区域3的作用。由反射或吸收而阻断的红外线的波长为包含约0.7μm～1000μm的范围的频率的电磁波。并且，透射可视光透射板21的可视光的波长为包含380～780nm的范围的频率的电磁波。

接着，对该摄像装置的制造方法的一例进行说明。首先，如图2所示，准备在晶片状态的半导体基板(下面称为半导体晶片31)的下表面形成了光电转换器件区域3、连接焊盘4、钝化膜5、保护膜7、由基底金属层10及上部金属层11构成的2层构造的配线9、柱状电极12以及密封膜13的部件。

对该准备好的部件的制造方法的一例进行简单说明，首先，在半导体晶片31下形成光电转换器件区域3，连接焊盘4，钝化膜5以及保护膜7等。接着，在其下表面整体，通过无电解镀形成基底金属层(10)。接着，通过将基底金属层(10)作为镀电流通路的电解镀，形成上部金属层11以及柱状电极12。接着，通过将上部金属层11作为掩模的刻蚀，去除上部金属层11以外的区域中的基底金属层(10)，形成由基底金属层10及上部金属层11构成的2层构造的配线9。接着，在保护膜7的周围的半导体晶片31的下表面以及包含配线9的保护膜7的下表面，在柱状电极12的周围形成密封膜13。如此，得到图2所示准备好的部件。

该情况下，不需要在半导体晶片31中形成贯通电极，因此与在半导体晶片31中形成贯通电极的情况相比，能够减少工序数。这里，图2所示的半导体晶片31的厚度为，比图1所示的半导体基板2的厚度厚。并且，在图2中，符号32所示的区域为切割道。

接着，如图3所示，在柱状电极12的下表面形成焊料球14。作为焊料球14的形成方法，首先，在柱状电极12的下表面涂覆焊料膏，或者搭载焊料球。接着，通过进行回流，在柱状电极12的下表面形成焊料球14。

接着，如图4所示，准备保护带33。该保护带33通过在基材膜34的上表面设置紫外线硬化型的未硬化状态的粘着剂层35而构成。并且，在包含焊料球14的密封膜13的下表面，贴附保护带33的未硬化状态的粘着剂层35。该情况下，粘着剂层35的厚度为比焊料球14的高度厚。因此，在该状态下，焊料球14由粘着剂层35完全覆盖。

接着，如图5所示，准备吸盘(chuck)36。吸盘36与未图示的真空泵等真空源连接，用于吸引装载在吸盘36上的部件并将其吸附保持。接着，将保护带33的下表面装载在吸盘36上从而进行吸附保持。接着，使用研磨砥石(未图示)对半导体晶片31的下表面侧进行适当地研磨，使半导体晶片31的厚度变薄。在该状态下，由于在半导体晶片31的下表面侧形成密封膜13并在其下表面侧贴附保护带33，并进一步通过吸盘36对保护带33的下表面进行吸附保持，因此即使半导体晶片31的厚度变薄，也能够使半导体晶片31不易弯曲。在该情况下，由于不使用强化用的玻璃板，因此，这样在加工过程中能够不易受到制约。

接着，如图6所示，在半导体晶片31的上表面，经由方形框状的粘结剂层22将平面方形的可视光透射板21贴附到由切割道32所包围的平面方形的区域内的中央部。但是，在密封膜13的下表面侧不贴附保护带33、并且在半导体晶片31及密封膜13的合计厚度为350～300μm以下的情况下，半导体晶片31的弯曲量变大，难以进行可视光透射板21的贴附。对此，本实施方式由于在密封膜13的下表面侧贴附保护带33，并且进一步通过吸盘36对保护带33的下表面进行吸附保持，从而即使半导体晶片31及密封膜13的合计厚度为350～300μm以下，半导体晶片31的弯曲量也不会变大，可视光透射板21的贴附也不会变难。

接着，解除由吸盘36产生的对保护带33的下表面的吸附保持，将保护带33从吸盘36上去除。接着，如图7所示，准备透镜单元23。透镜单元23通过在框状的透镜支架24的内部设置透镜25而构成。并且，经由框状的粘着剂层26将透镜单元23的透镜支架24的下表面贴附到可视光透射板21的上表面周边部。

接着，从保护带33的下表面侧照射紫外线，使未硬化状态的粘着剂层35硬化，使保护带33成为能够剥离的状态。接着，若将保护带33从包含焊料球14的密封膜13的下表面剥离，则如图8所示，包含焊料球14的密封膜13的下表面露出。接着，如图9所示，若沿着切割道32对半导体晶片31及密封膜13进行切割，则得到如图1所示的多个摄像装置。

在如上所述得到的摄像装置中，入射光的方向以箭头表示，具有光从设有透镜单元23的半导体基板2的另一面侧入射的背面照射型的结构。因此，入射光透过透镜25，接着透过可视光透射板21以及半导体基板2，到达光电转换器件区域3。这样，由于在透镜与光传感器之间没有配线，透镜与光传感器相接近，因此成为使得倾斜的光也容易到达的结构。此时，设置在半导体基板2的一面的配线9及柱状电极12位于比光电转换器件区域3更靠近下方的位置，因此不会因配线9及柱状电极12而遮住光，能够提高效率。根据以上的原因，即使俯视时光电转换器件区域3与配线9及柱状电极12重叠形成，也不会有丝毫问题。并且，虽然由于半导体基板2的厚度较薄而容易发生弯曲，但是在具有柱状电极12的结构中，由于密封膜13的厚度较厚而能够抑制弯曲。

另外，在图2所示的状态下，进行各光传感器形成区域的电气测试，在存在被判断为不良的光传感器形成区域的情况下，对于该被判断为不良的光传感器形成区域，在图6以及图7所示的工序中，可以不安装可视光透射板21以及透镜单元23。这样，能够提高成品率。

并且，本实施方式中，对半导体晶片31的另一面进行了可视光透射板21的贴附及透镜单元23的安装，但是，也可以在切割后的半导体基板2上安装并形成单片化的可视光透射板21及透镜单元23。并且，在本实施方式中，在光传感器1的半导体基板2与透镜单元23之间设置了可视光透射板21，但是例如也可以通过使用具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器的透镜25，如图10所示地形成未设置可视光透射板21的薄型的结构。

(第2实施方式)

图11表示作为本发明的第2实施方式的摄像装置的剖视图。该摄像装置也具有光从箭头方向入射的背面照射型的结构，与图1所示的摄像装置的不同点在于，在光传感器1中，省略了柱状电极12。该情况下，在与配线9的焊接区(外部连接用电极)对应的部分的密封膜13，形成有用于将焊料球14连接到配线9的焊接区的开口部13a。

另外，密封膜13可以由聚酰亚胺类树脂、阻焊剂等形成。并且，与第1实施方式相同地，在本实施方式中也在光传感器1的半导体基板2与透镜单元23之间设置了可视光透射板21，但是例如也可以通过使用具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器的透镜25，如图12所示地形成未设置可视光透射板21的薄型的结构。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于此，还包含与记载在权利要求书的发明等同的范围。下面，付记为本申请最初的权利要求书中所记载的发明。

(附记)

技术方案1所述的摄像装置，其特征在于，具备：

透镜单元，光从该透镜单元的一个面入射；以及

光传感器，该光传感器具有：

半导体基板，设置在所述透镜单元的另一面侧，从所述透镜单元出射的光从该半导体基板的一个面入射；以及

光电转换器件区域及连接焊盘，设置在所述半导体基板的另一面侧。

技术方案2所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案1所述的摄像装置中，在上述半导体基板与上述透镜单元之间，具备可视光透射率为90％以上、红外线透射率为10％以下的可视光透射材料。

技术方案3所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案2所述的摄像装置中，上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。

技术方案4所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案1所述的摄像装置中，上述光传感器具有：

绝缘膜，设置在上述半导体基板的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面；

柱状电极，设置在上述配线的焊接区下；以及

密封膜，在上述配线下及上述绝缘膜下，并设置在上述柱状电极的周围。

技术方案5所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案4所述的摄像装置中，在上述光传感器的上述柱状电极下设有焊料球。

技术方案6所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案1所述的摄像装置中，上述光传感器具有：

绝缘膜，设置在上述半导体基板的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面，且具有作为外部连接用电极的焊接区；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，且设置在除上述配线的上述焊接区以外的区域。

技术方案7所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案6所述的摄像装置中，在上述光传感器的上述配线的上述焊接区下设有焊料球。

技术方案8所述的摄像装置，其特征在于，

在技术方案1所述的摄像装置中，构成上述透镜单元的透镜具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器。

技术方案9所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在将光电转换器件区域以及连接焊盘设在半导体晶片的一个面而得到的光传感器的上述半导体晶片的另一个面配置透镜单元。

技术方案10所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案9所述的摄像装置的制造方法中，在上述半导体基板与上述透镜单元之间，具备可视光透射率为90％以上、红外线透射率为10％以下的可视光透射材料。

技术方案11所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案10所述的摄像装置的制造方法中，上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。

技术方案12所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案9所述的摄像装置的制造方法中，形成与上述连接焊盘相连接的外部连接用电极，并对上述半导体晶片进行切割而得到多个摄像装置。

技术方案13所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案10所述的摄像装置的制造方法中，具有在配置上述可视光透射材料的工序之前、在上述外部连接用电极下形成焊料球的工序。

技术方案14所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案13所述的摄像装置的制造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之后、对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序。

技术方案15所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案14所述的摄像装置的制造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之后且在对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序之前、将保护带贴附到上述半导体晶片的上述焊料球侧的工序，并且具有在配置上述透镜单元的工序之后、将上述保护带剥离的工序。

技术方案16所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案12所述的摄像装置的制造方法中，使该摄像装置具有：

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面；

柱状电极，设置在上述配线的焊接区下，作为上述外部连接用电极；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，并设置在上述柱状电极的周围。

技术方案17所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案12所述的摄像装置的制造方法中，使该摄像装置具有：

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面，且具有作为上述外部连接用电极的焊接区；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，并设置在除上述配线的上述焊接区之外的区域。

技术方案18所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案9所述的摄像装置的制造方法中，构成上述透镜单元的透镜具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器。

技术方案19所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在技术方案10所述的摄像装置的制造方法中，进行各光传感器形成区域的电气测试，在存在被判断为不良的光传感器形成区域的情况下，对于该被判断为不良的光传感器形成区域，不配置上述可视光透射材料以及上述透镜单元。

Claims (19)

1.一种摄像装置，其特征在于，具有：

透镜单元，光从该透镜单元的一个面入射；以及

光传感器，该光传感器具有：

半导体基板，设置在所述透镜单元的另一面侧，从所述透镜单元出射的光从该半导体基板的一个面入射；以及

光电转换器件区域及连接焊盘，设置在所述半导体基板的另一面侧。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

在上述半导体基板与上述透镜单元之间，具备可视光透射率为90％以上、红外线透射率为10％以下的可视光透射材料。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其特征在于，

上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

上述光传感器具有：

绝缘膜，设置在上述半导体基板的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面；

柱状电极，设置在上述配线的焊接区下；以及

密封膜，在上述配线下及上述绝缘膜下，并设置在上述柱状电极的周围。

5.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，

在上述光传感器的上述柱状电极下设有焊料球。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

上述光传感器具有：

绝缘膜，设置在上述半导体基板的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面，且具有作为外部连接用电极的焊接区；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，并设置在除上述配线的上述焊接区以外的区域。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，

在上述光传感器的上述配线的上述焊接区下设有焊料球。

8.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

构成上述透镜单元的透镜具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器。

9.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，

在将光电转换器件区域以及连接焊盘设在半导体晶片的一个面而得到的光传感器的上述半导体晶片的另一个面配置透镜单元。

10.根据权利要求9所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

在上述半导体基板与上述透镜单元之间，具备可视光透射率为90％以上、红外线透射率为10％以下的可视光透射材料。

11.根据权利要求10所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。

12.根据权利要求9所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

形成与上述连接焊盘相连接的外部连接用电极，并对上述半导体晶片进行切割而得到多个摄像装置。

13.根据权利要求10所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

具有在配置上述可视光透射材料的工序之前、在上述外部连接用电极下形成焊料球的工序。

14.根据权利要求13所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

具有在形成上述焊料球的工序之后、对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序。

15.根据权利要求14所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

具有在形成上述焊料球的工序之后且在对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序之前、将保护带贴附到上述半导体晶片的上述焊料球侧的工序，并且具有在配置上述透镜单元的工序之后、将上述保护带剥离的工序。

16.根据权利要求12所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

使该摄像装置具有：

绝缘膜，设置在上述半导体晶片的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面；

柱状电极，设置在上述配线的焊接区下，作为上述外部连接用电极；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，并设置在上述柱状电极的周围。

17.根据权利要求12所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

使该摄像装置具有：

绝缘膜，设置在上述半导体晶片的另一面侧；

配线，与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面，且具有作为上述外部连接用电极的焊接区；以及

密封膜，在包含上述配线的上述绝缘膜下，且设置在除上述配线的焊接区之外的区域。

18.根据权利要求9所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

构成上述透镜单元的透镜具有只透射10％以下红外线的红外线截止滤波器。

19.根据权利要求10所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

进行各光传感器形成区域的电气测试，在存在被判断为不良的光传感器形成区域的情况下，对于该被判断为不良的光传感器形成区域，不配置上述可视光透射材料以及上述透镜单元。

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