CN102262999A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102262999A
CN102262999A CN201110146665XA CN201110146665A CN102262999A CN 102262999 A CN102262999 A CN 102262999A CN 201110146665X A CN201110146665X A CN 201110146665XA CN 201110146665 A CN201110146665 A CN 201110146665A CN 102262999 A CN102262999 A CN 102262999A
Authority
CN
China
Prior art keywords
upper electrode
electrode
process chamber
space
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201110146665XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102262999B (zh
Inventor
堀口将人
辻本宏
北泽贵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102262999A publication Critical patent/CN102262999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102262999B publication Critical patent/CN102262999B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种具备在处理室内升降自如的上部电极的等离子体处理装置。
背景技术
作为制造半导体元件的等离子体处理装置，多数情况下使用如下所谓的平行平板型的装置，即，在其处理室内具备例如载置半导体晶片或液晶基板等的基板的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极。在这种等离子体处理装置中，在下部电极上载置基板，从形成于上部电极上的多个吹出孔向下部电极导入规定的处理气体，并在电极间施加高频电力，由此产生处理气体的等离子体。这样，对基板实施蚀刻或成膜等的等离子体处理。
在这种平行平板型等离子体处理装置中，上部电极与下部电极的电极间距离影响基板的等离子体处理特性，因此，优选根据各个等离子体处理的种类和处理条件进行正确的调整。特别是在相同的处理室内连续地实施处理条件和种类不同的等离子体处理的情况下，优选调整成最适合各个等离子体处理的电极间距离。因此，目前已经开发出了如下的等离子体处理装置，即，上部电极采用自由升降的方式构成，从而能够将电极间距离调整至最佳(例如，参照下述专利文献1)。
专利文献1中所述的等离子体处理装置构成为：在处理室的顶壁上通过波纹管以升降自如的方式安装上部电极，使上部电极在顶壁和下部电极之间升降。这样，通过使上部电极升降就能够调整上部电极和下部电极的距离(电极间距离)。
专利文献1日本特开2005-93843号公报
发明内容
但是，在上述现有的等离子体处理装置中，由于在上部电极的上侧设有波纹管，因此，即使该波纹管收缩也会保留一定的高度，因此，在处理室内最终形成被顶壁和上部电极所夹持的空间(上部电极的上部空间)。因此，在该上部空间中，供给处理室内的处理气体有可能从上部电极的侧面和处理室的内壁的间缝进入并残留在其中。
如果处理气体最终进入该空间中，那么，即使驱动真空泵也难以排出。这样，例如当实施下一个等离子体处理时，在进行处理室内的压力调整时和使上部电极升降时，残留在上部空间中的处理气体向下进入上部电极下方的处理空间，所以，有可能影响等离子体处理特性。另外，如果处理气体进入上部电极的上部空间，那么，压力也会增高，当在电极间施加高频电力时，有可能在该上部空间中发生异常放电。
因此，本发明就是鉴于上述这些问题而产生的，其目的在于提供一种等离子体处理装置，即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间，也能很容易地将其排出，并且能够防止在上部空间发生异常放电。
为了解决上述课题，根据本发明的某个观点，提供一种等离子体处理装置，其对处理室内的基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：设置于所述处理室的底壁，且载置所述基板的下部电极；与所述下部电极相对设置，且设置有向所载置的所述基板导入处理气体的多个吹出孔的上部电极；在所述电极间施加形成所述处理气体的等离子体的高频电力的电极供给部；设置于所述处理室的顶壁，使所述上部电极在所述顶壁和所述下部电极之间升降的升降机构；围绕各所述个电极和各所述电极之间的处理空间的周围的筒状壁；设置于所述筒状壁的内侧，排出所述处理空间的气体的内侧排气通道；以及设置于所述筒状壁的外侧，排出流入所述上部电极和所述顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道。
根据本发明，即使向筒状壁内的处理空间所供给的处理气体从上部电极和筒状壁的间隙进入顶壁和上部电极之间的空间(上部电极的上部空间)，该处理气体也能够很容易地通过外侧排气通道从排气口排出。另外，能够将上部电极的上部空间的压力保持在低压，所以，即使在电极间施加高频电力，也能防止在该上部空间发生异常放电。
在此情况下，所述筒状壁是例如设置于所述处理室的侧壁的内侧的保护侧壁，所述外侧排气通道是例如形成于所述处理室的侧壁和所述保护侧壁之间的排气空间。这样，通过设置这种保护侧壁形成外侧排气通道这样简单的结构，就能有效地排出进入上部电极的上部空间的处理气体。
在所述保护侧壁的上部设有突出的凸缘部以盖住所述外侧排气通道，在所述凸缘部上形成将所述外侧排气通道与所述上部电极和所述顶壁之间的空间连通的多个连通孔，可以通过改变该连通孔的数量或者形状来调整所述外侧排气通道的流导。这样就能扩大外侧排气通道的电导与上部电极和筒状壁的间隙的流导之差。这样就能进一步提高进入顶壁和上部电极之间的空间的处理气体的排出效率。
所述凸缘部可以在其上侧沿着所述保护侧壁的外周设置槽部，在所述槽部的底部设置所述连通孔，并且在所述槽部的侧部形成与所述上部电极和所述保护侧壁的间隙连通的连通孔。这样就能将从上部电极和保护侧壁的间隙迂回进入的处理气体通过连通孔从外侧排气通道向排出口引导。这样就能防止处理气体进入上部电极的上部空间。
所述筒状壁可以作为所述处理室的侧壁，所述外侧排气通道可以包括将所述上部电极和所述顶壁之间的空间和与所述处理室的侧排气口连接的排气管连通的旁路配管。这样，也能在未设置保护壁的等离子体处理装置中应用本发明。
根据本发明，即使处理气体流入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间，通过外侧排气通道也能容易地将其排出，并且能够防止在上部空间发生异常放电。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。
图2是表示图1所示的保护部件的结构例子的剖面立体图。
图3是用来说明处理室内的排气气流的说明图，是表示本实施方式的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。
图4是用来说明处理室内的排气气流的说明图，是表示比较例的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。
图5是表示该实施方式中的保护部件的变形例的剖面立体图。
图6是用来说明配备图5所示的保护中部件的等离子体处理装置的处理室内的排气气流的剖面图。
图7是表示该实施方式的等离子体处理装置的变形例的剖面图。
图8是表示该实施方式的等离子体处理装置的其他变形例的剖面图。
符号说明
100、100’、100” 等离子体处理装置
102 处理室
102a 孔
103 侧壁
104 底壁
105 顶壁
106 筒状保持部
107 处理空间
108 上部空间
109 残留的处理气体
110 载置台
111 下部电极
112 静电卡盘
114 静电卡盘电极
115 直流电源
116 制冷剂室
118 传热气体供给管线
119 聚焦环
120 上部电极
122 波纹管
122a、122b 凸缘
123 喷出孔
124 电极板
125 电极支承体
126 气体导入口
127 气体供给管
128 阀
129 流量控制器
130 处理气体供给部
132 排气口
134 排气管
136 排气部
138 外侧排气通道
140 供电装置
142 第一高频供电机构
144 第一滤波器
146 第一匹配器
148 第一电源
152 第二高频供电机构
154 第二滤波器
156 第二匹配器
158 第二电源
160 控制部
162 操作部
164 存储部
200 上部电极升降机构
300、300’ 保护部件
310、310’ 保护侧壁
312、326 连通孔
320 凸缘
322 槽部
324 底部
330 内侧排气通道
340 缓冲板
342 贯通孔
350 旁路配管
W 晶片
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的最佳实施方式进行详细的说明。另外，在本说明书和附图中，对于实际上具有相同功能结构的构件标注相同的符号，省略重复的说明。
图1表示作为本发明的实施方式的等离子体处理装置的一个例子的平行平板型的等离子体处理装置100的大致结构。等离子体处理装置100具有处理室(腔)102，该处理室102由例如其表面被阳极氧化处理(氧化铝膜处理)的铝构成，并成形为圆筒形状，该处理室102接地。处理室102构成为例如由筒状的侧壁103和底壁104以及顶壁105围成的处理容器。顶壁105以自由拆装的方式安装于侧壁103的上部。
在处理室102内设有：构成用于载置晶片W的载置台110的下部电极(基座)111；和与该下部电极111相对附设且构成导入处理气体和清洗气体等的喷淋头的上部电极120。
下部电极111例如采用铝构成，隔着绝缘性的筒状保持部106设置于处理室102的底壁104上。下部电极111根据晶片W的外径形成圆柱状。
在下部电极111的上表面设有用于利用静电吸附力保持晶片W的静电卡盘112。静电卡盘112例如通过将采用导电膜构成的静电卡盘电极114夹入绝缘膜内而构成。直流电源115与静电卡盘电极114电连接。根据该静电卡盘112，通过来自直流电源115的直流电压，能够利用库伦力将晶片W吸附保持在静电卡盘112上。
在下部电极111的内部设有冷却机构。该冷却机构构成为，通过配管向例如在下部电极111的内圆周方向上延伸的制冷剂室116循环供给来自未图示的冷却装置的规定温度的制冷剂(例如冷却水)。通过制冷剂的温度能够控制静电卡盘112上的晶片W的处理温度。
在下部电极111和静电卡盘112上，朝着晶片W的背面设置传热气体供给管线118。例如氦气等传热气体(back gas)被导入传热气体供给管线118，并供给静电卡盘112的上表面和晶片W的背面之间。由此，促进下部电极111与晶片W之间的热传递。以包围载置于静电卡盘112上的晶片W的周围的方式配置聚焦环119。聚焦环119例如采用石英和硅构成，且设置于下部电极111的上表面。
上部电极120通过上部电极升降机构200自由升降地被支承在处理室102的顶壁105上。这样就能调节下部电极111与上部电极120的间隔。另外，在后面对上部电极升降机构200进行详细的阐述。
上部电极120借助波纹管122被支承在处理室102的顶壁105上。波纹管122借助凸缘122a，利用螺栓等固定工具安装在形成于处理室102的顶壁105上的孔102a的边缘部的下表面，并且借助凸缘122b利用螺栓等固定工具安装在上部电极120的上表面。
上部电极120包括：构成与下部电极111的相对面且具有多个喷出孔123的电极板124；和支承该电极板124的电极支承体125。电极板124例如由石英构成，电极支承体125例如采用表面被氧化铝膜处理的铝等导电性材料构成。
在上部电极120中的电极支承体125上设有气体导入口126。气体导入口126与气体供给管127连接。而且，该气体供给管127经由阀128和流量控制器129与处理气体供给部130连接。
从该气体处理供给部130例如供给用于等离子体蚀刻的蚀刻气体。另外，在图1中，仅表示一个由气体供给管127、阀128、流量控制器129、以及处理气体供给部130等组成的处理气体供给***，但是，等离子体处理装置100具有多个处理气体供给***。例如，CHF3、Ar、He等处理气体被分别独立地控制流量，并被供给到处理室102内。
下面，参照图1，对上部电极升降机构200的构成例进行说明。另外，上部电极升降机构200的结构并非局限于图1所示的结构。图1所示的上部电极升降机构200具有略呈圆筒状的滑动支承部件204，该滑动支承部件204按照相对于处理室102滑动自由的方式支承上部电极120。滑动支承部件204通过螺栓等安装在上部电极120的上部大致中央。
滑动支承部件204以在形成于处理室102的上壁的大致中央的孔102a中自由出入的方式设置。具体而言，滑动支承部件204的外周面通过滑动机构210以自如滑动的方式被支承在处理室102的孔102a的边缘部。
滑动机构210具有：例如在处理室102的上部通过剖面呈L字状的固定部件214而固定于固定部件214的铅直部上的引导部件216、和以自由滑动的方式支承在该引导部件216上，并在滑动支承部件204的外周面上沿着一个方向(在本实施方式中是上下方向)形成的轨道部212。
固定滑动机构210的引导部件216的固定部件214的水平部通过环状的水平调整板218固定于处理室102的上部。该水平调整板218用于调整上部电极120的水平位置。水平调整板218构成为，例如可以通过沿着圆周方向等间隔地配置的多个螺栓等将水平调整板218固定于处理室102，并通过这些螺栓的突出量来改变水平调整板218相对于水平方向的倾斜量。通过调整该水平调整板218相对于水平方向的倾斜，调整上述滑动机构210的引导部件216相对于铅直方向的倾斜，所以，能够调整通过引导部件216被支承的上部电极120的水平方向的倾斜。由此，通过简单的操作就能将上部电极120始终保持在水平位置。
在处理室102的上侧，借助筒体201安装有用于驱动上部电极120的气压缸220。即，筒体201的下端以盖住处理室102的孔102a的方式利用螺栓等被气密地安装，筒体201的上端气密地安装在气压缸220的下端。
上述气压缸220具有能够沿着一个方向驱动的活塞杆202，该活塞杆202的下端用螺栓等与滑动支承部件204的上部大致中央相连。由此，通过驱动气压缸220的活塞杆202，上部电极120由滑动支承部件204沿着滑动机构向一个方向驱动。活塞杆202构成为圆筒状，活塞杆202的内部空间与形成于滑动支承部件204的大致中央的中央孔连通并向大气开放。由此，例如接地配线等各个配线(在图1中省略)能够从活塞杆202的内部空间通过滑动支承部件204的中央孔与上部电极120连接。
在气压缸220的侧部，作为检测出上部电极120的位置的位置检出单元，例如设有线性编码器205。另一方面，在气压缸220的活塞杆202的上端设有具有从活塞杆202向侧方延伸的延伸部207a的上端部件207，线性编码器205的检出部205a抵接在该上端部件207的延伸部207a上。上端部件207与上部电极120的运动连动，因此，通过线性编码器205能够检测出上部电极120的位置。
气压缸220通过上部支承板224和下部支承板226夹着筒状的气缸主体222而构成。在活塞杆202的外周面上设有环状的划分部件208，用于将气压缸220内划分成气缸第一空间232和气缸第二空间234。
压缩空气从未图示的上部端口被导入气压缸220的气缸第一空间232中。另外，压缩空气从未图示的下部端口被导入气压缸220的气缸第二空间234中。通过控制分别导入气缸第一空间232和气缸第二空间234的空气量，能够向一个方向(此处是上下方向)驱动控制活塞杆202。导入该气压缸220的空气量由设置于气压缸220附近的气压回路240控制。另外，此处，对使用气压缸220作为使上部电极120升降的调节器的情况进行了说明，但是，并非局限于此。
上述的下部电极111与供给双频重叠电力的供电装置140连接。供电装置140包括：供给第一频率的第一高频电力(等离子体激励用高频电力)的第一高频供电机构142；和供给比第一频率低的第二频率的第二高频电力(偏压发生用高频电力)的第二高频供电机构152。
第一高频供电机构142具有从下部电极111侧依次连接的第一滤波器144、第一匹配器146、第一电源148。第一滤波器144防止第二频率的电力成分侵入第一匹配器146侧。第一匹配器146使第一高频电力成分匹配。
第二高频供电机构152具有从下部电极111侧依次连接的第二滤波器154、第二匹配器156、第二电源158。第二滤波器154防止第一频率的电力成分侵入第二匹配器156侧。第二匹配器156使第二高频电力成分匹配。
等离子体处理装置100与控制部(整体控制装置)160连接，通过该控制部160控制等离子体处理装置100的各个部分。另外，控制部160与操作部162连接，该操作部162包括：操作员为了管理等离子体处理装置100进行指令输入操作等的键盘；和可视化显示等离子体处理装置100的运转情况的显示器。
控制部160还与存储部164连接，在该存储部164中存储有：用于通过控制部160的控制实现在等离子体处理装置100中所实施的各种处理(蚀刻、灰化、成膜等)的程序；和运行程序所需的处理条件(菜单)等。
在存储部164中例如存储有多个处理条件(菜单)。各个处理条件归纳有控制等离子体处理装置100的各个部分的控制参数和设定参数等多个参数值。各个处理条件例如具有处理气体的流量比、处理室内压力、高频电力等参数值。
这些程序和处理条件既可以存储在硬盘或半导体存储器中，也可以在收纳在计算机能够读取的CD-ROM、DVD等移动性存储介质中的状态下设置在存储部164的规定位置。
控制部160根据来自操作部162的指示等，从存储部164中读出所需的程序、处理条件，并对各个部分进行控制，从而来实施在等离子体处理装置100中的期望的处理。根据来自操作部162的操作能够编辑处理条件。
在处理室102的底壁104上设有排气口132。排气口132通过排气管134与排气部136连接。排气部136例如具有真空泵，能够将处理室102内减压至规定的真空度。另外，虽未图示，但在处理室102的侧壁103上安装有晶片W的搬入搬出口和对其进行开闭的闸阀。
在这种等离子体处理装置100中，通过使上部电极120升降调整电极间距离。将来自处理气体供给部130的处理气体通过上部电极120向下部电极上的处理空间107导入，在下部电极111上施加第一、第二高频电力，形成处理气体的等离子体，这样对载置台110上的晶片W进行蚀刻或成膜的等离子体处理。
但是，在具备这样可自如升降的上部电极120的等离子体处理装置100中，由于在上部电极120的上侧(电极支承体125的上侧)设置波纹管122，因此，即使该波纹管122收缩也会保留一定的高度，所以，在该波纹管122的外侧形成被顶壁105和上部电极120夹持的上部空间(被顶壁105和电极支承体125所夹持的上部空间)108。因此，从形成于上部电极120的侧面的外侧的缝隙迂回进入的处理气体有可能残留在该上部空间108中。在此情况下，如果上部电极120的外侧的缝隙较窄，那么，即使驱动真空泵，也难以从排气口132排出残留的处理气体。
因此，在本实施方式中，设置围绕各个电极111、120和处理空间107的周围的筒状壁，在该筒状壁的外侧形成直接排出迂回进入上部电极120与顶壁105之间的上部空间108的处理气体的外侧排气通道138。图1是采用保护部件300的保护侧壁310构成上述的围绕各个电极111、120和处理空间107的周围的筒状壁的具体例子。此情况下的外侧排气通道138形成于保护侧壁310与处理室102的侧壁103之间，且由与排气口132连通的排气空间构成。
这样，通过驱动排气部136的真空泵，迂回进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过外侧排气通道138从排气口132直接排出。采用设置保护侧壁310形成外侧排气通道138这样简单的结构，能够有效地排出迂回进入上部电极120的上部空间108的处理气体。
保护部件300例如采用图2所示的结构。保护部件300由保护侧壁310、和设置于其上部的凸缘320构成。保护侧壁310和凸缘320既可以形成一体，也可以单独形成。
保护部件300通过凸缘320支承在处理室102的侧壁103的上部。具体而言，凸缘320按照从保护侧壁310的外周面向外侧突出的方式形成。如图1所示，该凸缘320夹在侧壁103和顶壁105之间并且用螺栓等安装。为了保持与处理室102的侧壁103之间及与顶壁105之间的气密，在凸缘320上设有未图示的O形环等密封部件。
如图2所示，在凸缘320上，沿着保护侧壁310的外周设有槽部322。在槽部322的底部324上设有将上部电极120的上部空间108与排气通道138连通的多个连通孔326。通过改变该连通孔326的数量和形状，能够调整外侧排气通道138的流导。为了提高通过外侧排气通道138的排气效率，优选外侧排气通道138的流导至少比上部电极120和保护侧壁310的间隙的流导大。
在图2中，列举了将连通孔326的形状形成圆孔的例子，但是并非局限于此，例如，也可以是狭缝、椭圆等。另外，在采用狭缝构成连通孔326的情况下，既可以是呈放射状延伸的狭缝，也可以是沿着圆周方向延伸的狭缝。这样，只要调整连通孔326的数量和形状，就能扩大外侧排气通道138的流导和上部电极120和保护侧壁310的缝隙的流导之差。这样就能够进一步提高迂回进入上部电极120的上部空间108的处理气体的排出效率。
在保护侧壁310的内侧，即在保护侧壁310和筒状保持部106之间形成与排气口132连通的内侧排气通道330。在内侧排气通道330和排气口132之间设有缓冲板340。具体而言，如图1所示，缓冲板340在保护侧壁310的下端，以围绕筒状保持部106的方式设置。在缓冲板340上形成有多个贯通孔342。这样，通过驱动排气部136的真空泵，保护侧壁310内的气体通过内侧排气通道330，借助缓冲板340的贯通孔342从排气口132排出。
保护侧壁310的内面被实施阳极氧化处理(例如，氧化铝膜处理)，使颗粒难以附着在上面。通过用这种保护侧壁310围绕处理空间107，能够保护处理室102的侧壁103不受颗粒等的影响。
下面，参照附图，对这种等离子体处理装置100的排气气流进行说明。图3是表示设置有形成外侧排气通道138的保护部件300的本实施方式中的等离子体处理装置100的大致结构的剖面图，图4是表示设置有未形成外侧排气通道138的保护部件300’的比较例中的等离子体处理装置100’的大致结构的剖面图。在图3、图4中，简化了上部电极升降机构200的结构和下部电极111附近的结构等。
在图3、图4的任意一种情况下，一边驱动图1所示的排气部136的真空泵，一边从上部电极120向处理空间107导入处理气体。如果在下部电极111上施加第一和第二高频，那么，就会在处理空间107中形成处理气体的等离子体，对晶片W进行等离子体处理。
此时，保护侧壁310、310’的内侧气体的绝大部分通过内侧排气通道330并借助缓冲板340的贯通孔342从排气口132排出。但是，保护侧壁310、310’的内侧的气体的一部分从形成于上部电极120的侧面的外侧的间隙进入上部电极120的上部空间108中。这样，处理气体109迂回进入上部电极120的上部空间108。
在此情况下，如图4所示，在不具有外侧排气通道138的情况下，如上所述，进入上部电极120的上部空间108的处理气体的排气极其困难，容易残留在其中，相反，如图3所示，在具有外侧排气通道138的情况下，进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过外侧排气通道138，能够很容易从排气口132直接排出。这样就能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108。另外，能够将上部电极120的上部空间108保持在低压，所以，能够防止上部空间108中的异常放电。
通过调整保护侧壁310的连通孔326的数量和形状，使外侧排气通道138的流导比上部电极120的外侧的间隙(处理气体所进入的间隙)大，这样就能更容易地将进入上部电极120的上部空间108的处理气体从排出口132排出。
保护部件300的结构并非局限于图2所示。例如，如图5所示，可以在保护侧壁310上设置将凸缘320的槽部322的空间与上部电极120和保护侧壁310的间隙连通的连通孔312。这样，如图6所示，进入上部电极120的外侧的间隙的处理气体也能借助连通孔312、326导入外侧排气通道138。这样，能够防止保护侧壁310内的处理气体迂回进入上部电极120的上部空间108。
该连通孔312的数量和形状并非局限于图5所示。在图5中，列举了将连通孔326的形状形成圆孔的例子，但是，也可以是狭缝、椭圆等。另外，在采用狭缝构成连通孔312的情况下，既可以是呈放射状延伸的狭缝，也可以是沿着圆周方向延伸的狭缝。
在上述实施方式中，以保护侧壁310采用围绕各个电极120、111和处理空间107的筒状壁，在该保护侧壁310和处理室102的侧壁103之间设置外侧排气通道138的情况为例进行了说明，但是，并非局限于此。例如，如图7所示，也可以采用将上部电极120的上部空间108与处理室102的排气管134连通的旁路配管来构成外侧排气通道138。
图7是在图4所示的等离子体处理装置100’中设置有构成外侧排气通道138的旁路配管350的具体例。这样，就能很容易地将进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过作为外侧排气通道138的旁路配管350从排气口132直接排出。这样也能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108中。
如图8所示，构成外侧排气通道138的旁路配管350也能应用于未设置保护侧壁310的等离子体处理装置100’。在此情况下，处理室102的侧壁103相当于围绕各个电极120、111和处理空间107的周围的筒状壁。这样也能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108中。
以上，参照附图，对本发明的最佳实施方式进行了说明，但是，本发明并非局限于此。不言而喻，对于本领域技术人员而言，在权利要求书所述的范畴内就能够想到各种变更例或者修正例，它们也应包含在本发明的技术范畴中。
例如，在上述实施方式中，以在仅在下部电极上重叠地施加两种高频电力然后产生等离子体的等离子体处理装置中应用本发明的情况为例进行了说明，但是，并非局限于此，也可以应用于其他类型的等离子体处理装置中，例如仅在下部电极上施加一种高频电力、以及在上部电极和下部电极上分别施加两种高频电力。
本发明能够应用于具备在处理室内自如升降的上部电极的等离子体处理装置。

Claims (5)

1.一种等离子体处理装置，其对处理室内的基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：
设置于所述处理室的底壁，且载置所述基板的下部电极；
与所述下部电极相对设置，且设置有向被载置的所述基板导入处理气体的多个吹出孔的上部电极；
在所述电极间施加用于形成所述处理气体的等离子体的高频电力的电极供给部；
设置于所述处理室的顶壁，使所述上部电极在所述顶壁与所述下部电极之间升降的升降机构；
围绕各所述电极和各电极之间的处理空间的周围的筒状壁；
设置于所述筒状壁的内侧，对所述处理空间的气氛进行排气的内侧排气通道；和
设置于所述筒状壁的外侧，对迂回流入所述上部电极与所述顶壁之间的空间的处理气体进行排气的外侧排气通道。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述筒状壁是设置于所述处理室的侧壁的内侧的保护侧壁，
所述外侧排气通道是形成于所述处理室的侧壁与所述保护侧壁之间的排气空间。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述保护侧壁的上部设有外伸的凸缘部，以盖住所述外侧排气通道，
在所述凸缘部上形成有将所述外侧排气通道与所述上部电极和所述顶壁之间的空间连通的多个连通孔，通过改变该连通孔的数量或者形状来调整所述外侧排气通道的流导。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述凸缘部在其上侧沿着所述保护侧壁的外周设置有槽部，
在所述槽部的底部设置有所述连通孔，并且在所述槽部的侧部形成有连通所述上部电极与所述保护侧壁的间隙的连通孔。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述筒状壁是所述处理室的侧壁，
所述外侧排气通道是将所述上部电极和所述顶壁之间的空间与连接所述处理室的排气口的排气管连通的旁路配管。
CN201110146665.XA 2010-05-25 2011-05-25 等离子体处理装置 Active CN102262999B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-119547 2010-05-25
JP2010119547A JP5567392B2 (ja) 2010-05-25 2010-05-25 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102262999A true CN102262999A (zh) 2011-11-30
CN102262999B CN102262999B (zh) 2014-01-01

Family

ID=44117156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110146665.XA Active CN102262999B (zh) 2010-05-25 2011-05-25 等离子体处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8858754B2 (zh)
EP (1) EP2390897B1 (zh)
JP (1) JP5567392B2 (zh)
KR (1) KR101737014B1 (zh)
CN (1) CN102262999B (zh)
TW (1) TWI522014B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103646841A (zh) * 2013-11-22 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种等离子体刻蚀设备
CN105849864A (zh) * 2014-01-03 2016-08-10 株式会社Eugene科技 基板处理装置及基板处理方法
CN106373868A (zh) * 2016-10-10 2017-02-01 昆山龙腾光电有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN107452588A (zh) * 2016-04-25 2017-12-08 丰田自动车株式会社 等离子体装置
CN108588818A (zh) * 2018-04-17 2018-09-28 陕西飞米企业管理合伙企业（有限合伙） 一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环
CN108987235A (zh) * 2018-07-12 2018-12-11 昆山龙腾光电有限公司 一种等离子体处理装置
WO2020082551A1 (zh) * 2018-10-23 2020-04-30 山东大学 一种可精密调节的介质阻挡放电装置及方法
CN112447474A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有可移动环的等离子体处理器
TWI788073B (zh) * 2020-11-18 2022-12-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 等離子體處理裝置

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5445252B2 (ja) * 2010-03-16 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8906160B2 (en) * 2010-12-23 2014-12-09 Intermolecular, Inc. Vapor based processing system with purge mode
JP5902896B2 (ja) * 2011-07-08 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI661746B (zh) * 2011-10-05 2019-06-01 應用材料股份有限公司 電漿處理設備及其蓋組件（一）
US9928987B2 (en) 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9896769B2 (en) 2012-07-20 2018-02-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure
US10249470B2 (en) 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
JP2014082354A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US10163606B2 (en) 2013-03-15 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection
JP2015090916A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9852905B2 (en) * 2014-01-16 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber
JP2015142016A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6438320B2 (ja) * 2014-06-19 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
JP6423706B2 (ja) * 2014-12-16 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10157755B2 (en) * 2015-10-01 2018-12-18 Lam Research Corporation Purge and pumping structures arranged beneath substrate plane to reduce defects
US10763082B2 (en) * 2016-03-04 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber of plasma system, liner for plasma system and method for installing liner to plasma system
US10600621B2 (en) * 2016-03-30 2020-03-24 Tokyo Electron Limited Plasma electrode and plasma processing device
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
USD842259S1 (en) * 2017-04-28 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
USD838681S1 (en) * 2017-04-28 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
USD837754S1 (en) * 2017-04-28 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Plasma chamber liner
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
JP6896565B2 (ja) * 2017-08-25 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 インナーウォール及び基板処理装置
US11670490B2 (en) 2017-09-29 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US11923220B2 (en) * 2018-01-26 2024-03-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
KR102516885B1 (ko) * 2018-05-10 2023-03-30 삼성전자주식회사 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
CN208835019U (zh) * 2018-11-12 2019-05-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔内衬
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
KR20210102337A (ko) * 2019-01-08 2021-08-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버들을 위한 펌핑 장치 및 방법
JP2020147795A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN112309807B (zh) * 2019-08-02 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
JP7378276B2 (ja) * 2019-11-12 2023-11-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7422531B2 (ja) * 2019-12-17 2024-01-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20220051912A1 (en) * 2020-08-12 2022-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Gas flow control during semiconductor fabrication
US20220084845A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-17 Applied Materials, Inc. High conductance process kit
US11427910B2 (en) * 2020-10-20 2022-08-30 Sky Tech Inc. Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same
JP2022155065A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN101552183A (zh) * 2008-04-03 2009-10-07 Tes股份有限公司 等离子体处理设备
US20090314432A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-24 Tokyo Electron Limited Baffle plate and substrate processing apparatus
CN101620972A (zh) * 2008-07-01 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE628052A (zh) * 1962-03-15
JPS6289330A (ja) * 1985-10-16 1987-04-23 Hitachi Ltd 処理装置
KR970003885B1 (ko) * 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치
JPH0246723A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Fujitsu Ltd 薄膜形成装置
DE3914065A1 (de) * 1989-04-28 1990-10-31 Leybold Ag Vorrichtung zur durchfuehrung von plasma-aetzverfahren
US5084125A (en) * 1989-09-12 1992-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for producing semiconductor substrate
JPH03145124A (ja) 1989-10-31 1991-06-20 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置
DE4025396A1 (de) * 1990-08-10 1992-02-13 Leybold Ag Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas
JP2939355B2 (ja) * 1991-04-22 1999-08-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
FR2682047B1 (fr) * 1991-10-07 1993-11-12 Commissariat A Energie Atomique Reacteur de traitement chimique en phase gazeuse.
US5376224A (en) * 1992-02-27 1994-12-27 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for non-contact plasma polishing and smoothing of uniformly thinned substrates
US5238532A (en) * 1992-02-27 1993-08-24 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching
US5292400A (en) * 1992-03-23 1994-03-08 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for producing variable spatial frequency control in plasma assisted chemical etching
US5372674A (en) * 1993-05-14 1994-12-13 Hughes Aircraft Company Electrode for use in a plasma assisted chemical etching process
JP3452617B2 (ja) * 1993-12-10 2003-09-29 真空冶金株式会社 ガスデポジション装置
TW295677B (zh) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08199364A (ja) 1995-01-27 1996-08-06 Kokusai Electric Co Ltd Ｃｖｄ装置及び処理方法
TW323387B (zh) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP3536585B2 (ja) 1997-04-25 2004-06-14 松下電器産業株式会社 ワークのプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000349078A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
JP3662779B2 (ja) * 1999-06-22 2005-06-22 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
JP2001057359A (ja) * 1999-08-17 2001-02-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN1327493C (zh) * 2000-05-17 2007-07-18 东京毅力科创株式会社 处理装置部件的装配机构及其装配方法
JP3667202B2 (ja) * 2000-07-13 2005-07-06 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4602532B2 (ja) * 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN1328766C (zh) * 2001-01-22 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
JP4672169B2 (ja) * 2001-04-05 2011-04-20 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US20030024900A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Tokyo Electron Limited Variable aspect ratio plasma source
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
US20030042227A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for tailoring an etch profile
JP4137419B2 (ja) 2001-09-28 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
JP4186536B2 (ja) * 2002-07-18 2008-11-26 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
KR100426816B1 (ko) * 2002-07-31 2004-04-14 삼성전자주식회사 진공압조절장치가 개선된 플라즈마 처리장치
TW200423195A (en) * 2002-11-28 2004-11-01 Tokyo Electron Ltd Internal member of a plasma processing vessel
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
JP4173389B2 (ja) * 2003-03-19 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4286576B2 (ja) 2003-04-25 2009-07-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4399219B2 (ja) 2003-09-19 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び上部電極ユニット
JP4399206B2 (ja) * 2003-08-06 2010-01-13 株式会社アルバック 薄膜製造装置
JP4607517B2 (ja) * 2003-09-03 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN100449708C (zh) * 2004-05-27 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
US20060000552A1 (en) * 2004-07-05 2006-01-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
US7708834B2 (en) * 2004-11-02 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Bolt and plasma processing apparatus provided with same
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US7820557B2 (en) * 2005-03-31 2010-10-26 Tokyo Electron Limited Method for nitriding substrate and method for forming insulating film
JP4509864B2 (ja) * 2005-05-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US7850778B2 (en) * 2005-09-06 2010-12-14 Lemaire Charles A Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom
KR101163816B1 (ko) * 2005-09-22 2012-07-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 장치
WO2007099922A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Tokyo Electron Limited プラズマ酸化処理方法および半導体装置の製造方法
KR100980529B1 (ko) * 2006-03-27 2010-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP5425361B2 (ja) * 2006-07-28 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ表面処理方法、プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US20080202689A1 (en) * 2006-12-08 2008-08-28 Tes Co., Ltd. Plasma processing apparatus
KR100823302B1 (ko) * 2006-12-08 2008-04-17 주식회사 테스 플라즈마 처리 장치
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
JP2008270595A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Texas Instr Japan Ltd 反応生成物剥離防止構造及びその製作方法、並びに当該構造を用いる半導体装置の製造方法
US7807222B2 (en) * 2007-09-17 2010-10-05 Asm International N.V. Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same
JP5249547B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス排気方法
JP5032269B2 (ja) * 2007-11-02 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
CN101919041B (zh) * 2008-01-16 2013-03-27 索绍股份有限公司 衬底固持器，衬底支撑设备，衬底处理设备以及使用所述衬底处理设备的衬底处理方法
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
JP5264231B2 (ja) * 2008-03-21 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5222598B2 (ja) * 2008-03-25 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び給電棒
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
JP5357487B2 (ja) * 2008-09-30 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体およびプラズマ酸化処理装置
JP5075793B2 (ja) * 2008-11-06 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 可動ガス導入構造物及び基板処理装置
JP5643528B2 (ja) * 2009-03-30 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5292160B2 (ja) * 2009-03-31 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 ガス流路構造体及び基板処理装置
JP5551420B2 (ja) * 2009-12-04 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその電極間距離の測定方法並びにプログラムを記憶する記憶媒体
JP2011171450A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2011192664A (ja) * 2010-03-11 2011-09-29 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP5782226B2 (ja) * 2010-03-24 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN101552183A (zh) * 2008-04-03 2009-10-07 Tes股份有限公司 等离子体处理设备
US20090314432A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-24 Tokyo Electron Limited Baffle plate and substrate processing apparatus
CN101620972A (zh) * 2008-07-01 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103646841A (zh) * 2013-11-22 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种等离子体刻蚀设备
CN103646841B (zh) * 2013-11-22 2016-01-27 上海华力微电子有限公司 一种等离子体刻蚀设备
CN105849864A (zh) * 2014-01-03 2016-08-10 株式会社Eugene科技 基板处理装置及基板处理方法
CN107452588A (zh) * 2016-04-25 2017-12-08 丰田自动车株式会社 等离子体装置
CN106373868A (zh) * 2016-10-10 2017-02-01 昆山龙腾光电有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN108588818A (zh) * 2018-04-17 2018-09-28 陕西飞米企业管理合伙企业（有限合伙） 一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环
CN108987235A (zh) * 2018-07-12 2018-12-11 昆山龙腾光电有限公司 一种等离子体处理装置
CN108987235B (zh) * 2018-07-12 2020-06-05 昆山龙腾光电股份有限公司 一种等离子体处理装置
WO2020082551A1 (zh) * 2018-10-23 2020-04-30 山东大学 一种可精密调节的介质阻挡放电装置及方法
CN112447474A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有可移动环的等离子体处理器
CN112447474B (zh) * 2019-09-04 2022-11-04 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有可移动环的等离子体处理器
TWI788073B (zh) * 2020-11-18 2022-12-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 等離子體處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2390897A3 (en) 2014-04-30
US8858754B2 (en) 2014-10-14
JP5567392B2 (ja) 2014-08-06
CN102262999B (zh) 2014-01-01
KR101737014B1 (ko) 2017-05-17
KR20110129356A (ko) 2011-12-01
TWI522014B (zh) 2016-02-11
US20110290419A1 (en) 2011-12-01
EP2390897B1 (en) 2019-08-21
JP2011249470A (ja) 2011-12-08
TW201216788A (en) 2012-04-16
EP2390897A2 (en) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102262999B (zh) 等离子体处理装置
US11574831B2 (en) Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement
KR101826376B1 (ko) 플라즈마 처리 챔버에서 갭 높이 및 평탄화 조정을 제공하는 기판 서포트
KR101456894B1 (ko) 챔버로 가스를 방사상으로 전달하기 위한 장치 및 그 이용 방법들
US7976632B2 (en) Vacuum processing apparatus
US7585383B2 (en) Vacuum processing apparatus
US9460893B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20220143738A (ko) 반도체 디바이스 중의 가열 장치 및 반도체 디바이스
US7674351B2 (en) Plasma processing apparatus
JP5215332B2 (ja) 真空処理装置
KR102061373B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법
US11333246B2 (en) Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology
JP4522795B2 (ja) 真空処理装置
JP5596265B2 (ja) 真空処理装置
US7416633B2 (en) Plasma processing apparatus
CN102856241B (zh) 一种静电卡盘及等离子体加工设备
WO2024038832A1 (ja) 治具及び位置合わせ方法
KR100683255B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치
JP2009200328A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant