CN102204040A - 半导体激光元件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体激光元件(1)，具备：活性层(11)；n型载流子阻断层(13)，与活性层(11)邻接地设置，并且具有大于等于阻挡层(11b)的禁带宽度的禁带宽度；n型导波层(14)，相对于n型载流子阻断层(13)，在与活性层(11)相反侧，与n型载流子阻断层(13)邻接地设置；n型金属包层(15)，相对于n型导波层(14)，在与活性层(11)相反侧，与n型导波层(14)邻接地设置，并且具有比n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度；p型金属包层(12)，相对于活性层(11)，在与n型载流子阻断层(13)相反侧，与活性层(11)邻接地设置，并且具有比阻挡层(11b)及n型导波层(14)的禁带宽度大的禁带宽度。

Description

半导体激光元件
技术领域
本发明涉及适合在通信、激光打印机、激光医疗、激光加工等中使用、能够高效率地进行高输出的动作的半导体激光元件。
背景技术
近年来，在各种应用领域中希望半导体激光元件的高输出化。为了实现半导体激光元件的高输出化，第1，需要通过降低活性层的波导模的光强度来抑制在半导体激光元件的出射端面发生的瞬时光学损伤(CatastrophicOptical Damage，分离限制异质结构以下简称作COD)。此外，第2，需要通过将注入载流子高效率地封闭到活性层中来提高半导体激光元件的温度特性。
图3A～图3D是表示以往技术的半导体激光元件的一例的图。图3A～图3D所示的半导体激光元件2是周知的分离封闭构造(SeparateConfinement Heterostructure，以下简称作SCH构造)的半导体激光元件，表示活性层21由1个量子阱层21a和夹着该量子阱层21a的两个阻挡层(バリア)21b构成的例子。图3A是半导体激光元件2的剖视图，图3B是对应于半导体激光元件2的各层的禁带宽度(禁制带幅)的分布图，图3C是对应于半导体激光元件2的各层的折射率的分布图，图3D是表示半导体激光元件2的波导模的曲线图。在图3B～图3D中，横轴表示半导体激光元件2的厚度方向的位置。
SCH构造的半导体激光元件2在由n-GaAs构成的半导体基板(未图示)之上依次层叠n型金属包层(n-AlGaAs)22、由量子阱层21a及阻挡层21b构成的活性层(GaAs/AlGaAs的单一量子阱层)21、p型金属包层(p-AlGaAs)23而形成。另外，在图3B～图3D中，n型金属包层22对应于T10～T11，量子阱层21a对应于T12～T13，阻挡层21b对应于T11～T12及T13～T14，p型金属包层23对应于T14～T15。
在这样的SCH构造的半导体激光元件2中，构成为，使进行载流子封闭的各金属包层22、23自身担负波导模的封闭。这样，用来封闭载流子的构造同时成为决定波导模的构造，所以在SCH构造的半导体激光元件2中，有不能自由地降低活性层21的波导模的光强度的问题。即，具有如下问题：难以设计半导体激光元件2，以抑制在限制了使半导体激光元件2以高输出动作的出射端面处的COD的发生。
以克服这样的SCH构造的半导体激光元件2的问题、自由地设计活性层的波导模的光强度为目的而提出的完全分离封闭构造(DecoupledConfinement Heterostructure，去耦限制异质结构以下简称作DCH构造)的半导体激光元件3例如在日本特许第3658048号公报中公开。
图4A～图4D是表示DCH构造的半导体激光元件3的图。图4A是表示半导体激光元件3的剖视图，图4B是对应于半导体激光元件3的各层的禁带宽度的分布图，图4C是对应于半导体激光元件3的各层的折射率的分布图，图4D是表示半导体激光元件3的波导模的曲线图。在图4B～图4D中，横轴表示半导体激光元件3的厚度方向的位置。
DCH构造的半导体激光元件3在由n-GaAs构成的半导体基板(未图示)之上、依次层叠n型金属包层(n-AlGaAs)36、n型导波层(n-AlGaAs)34、n型载流子阻断层(n-AlGaAs)32、由量子阱层31a及阻挡层31b构成的活性层(GaAs/AlGaAs的单一量子阱层)31、p型载流子阻断层(p-AlGaAs)33、p型导波层(p-AlGaAs)35、p型金属包层(p-AlGaAs)37而形成。另外，在图4B～图4D中，n型金属包层36对应于T20～T21，n型导波层34对应于T21～T22，n型载流子阻断层32对应于T22～T23，活性层31对应于T23～T24，p型载流子阻断层33对应于T24～T25，p型导波层35对应于T25～T26，p型金属包层37对应于T26～T27。
在这样的DCH构造的半导体激光元件3中，如图4B所示，通过伴随着高驱动电流注入的活性层的温度上升，从而超过各载流子阻断层32、33溢出的载流子分布到具有比各载流子阻断层32、33低的禁带宽度的各导波层34、35上。载流子一旦溢出，则由各载流子阻断层32、33形成的较高的势垒阻止向活性层31内的逆扩散。因此，有向活性层31的载流子封闭的效率容易下降的问题。
特别是，在半导体激光元件3由AlGaAs、InGaAs、及InGaAsP等的III-V族化合物半导体形成的情况下，因为电子与空穴的有效质量的差，即由于电子相对于空穴有效质量较小，所以在活性层31内，电子的载流子密度相对于空穴的载流子密度相对地变高。换言之，从活性层31内溢出的载流子的电子相对于空穴更多。因而，有在半导体激光元件3中电子的封闭的效率容易下降的问题。
发明内容
本发明的目的是，提供一种半导体激光元件，通过抑制出射端面处的COD的发生、并且使向活性层的载流子封闭变得可靠从而实现高效率、高输出。
本发明是一种半导体激光元件，具备：
活性层，由量子阱层及阻挡层构成；
n型载流子阻断层，与上述活性层邻接地设置，并且具有大于等于上述阻挡层的禁带宽度的禁带宽度；
n型导波层，相对于上述n型载流子阻断层，在与上述活性层相反侧，与上述n型载流子阻断层邻接地设置；
n型金属包层，相对于上述n型导波层，在与上述活性层相反侧，与上述n型导波层邻接地设置，并且具有比上述n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度；
p型金属包层，相对于上述活性层，在与上述n型载流子阻断层相反侧，与上述活性层邻接地设置，并且具有比上述阻挡层及n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度。
此外，本发明的特征在于，上述n型金属包层的折射率比上述p型金属包层的折射率大。
此外，本发明的特征在于，上述n型载流子阻断层的层厚T是10nm≤T≤30nm。
根据本发明，由于用来将载流子封闭在活性层内的构造由具有足够的厚度的p型金属包层、和很薄的n型载流子阻断层构成，所以能够将通过伴随着高驱动电流注入的活性层的温度上升而溢出的电子可靠地封闭在活性层内，并且能够使在活性层中产生的光容易地通过n型载流子阻断层。
即，通过将向活性层内的载流子封闭效率维持得较高、并且与载流子封闭构造相对独立地构成光封闭构造，能够扩大波导模、降低活性层中的波导模的光强度，所以能够抑制出射端面处的COD的发生。因而，能够实现高效率且高输出的半导体激光元件。
附图说明
本发明的目的、特色及优点通过下述的详细的说明和附图会变得明确。
图1A是有关本发明的实施方式的半导体激光元件1的剖视图。
图1B是对应于半导体激光元件1的各层11～15的禁带宽度的分布图。
图1C是对应于半导体激光元件1的各层11～15的折射率的分布图。
图1D是表示半导体激光元件1的各层11～15的波导模的曲线图。
图2是表示本实施例的半导体激光元件1的输出特性的图。
图3A是半导体激光元件2的剖视图。
图3B是对应于半导体激光元件2的各层的禁带宽度的分布图。
图3C是对应于半导体激光元件2的各层的折射率的分布图。
图3D是表示半导体激光元件2的波导模的曲线图。
图4A是表示半导体激光元件3的剖视图。
图4B是对应于半导体激光元件3的各层的禁带宽度的分布图。
图4C是对应于半导体激光元件3的各层的折射率的分布图。
图4D是表示半导体激光元件3的波导模的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的优选的实施例。
图1A是有关本发明的实施方式的半导体激光元件1的剖视图，图1B是对应于半导体激光元件1的各层11～15的禁带宽度的分布图，图1C是对应于半导体激光元件1的各层11～15的折射率的分布图，图1D是表示半导体激光元件1的各层11～15的波导模的曲线图。在图1B～图1D中，横轴表示半导体激光元件1的厚度方向的位置。本实施方式的半导体激光元件1由III-V族化合物半导体形成。
半导体激光元件1在半导体基板19之上依次层叠n型金属包层15、n型导波层14、n型载流子阻断层13、活性层11、p型金属包层12而形成。活性层11如图1A所示，由1个量子阱层11a、和夹着该量子阱层11a、具有比量子阱层11a的禁带宽度大的禁带宽度的两个阻挡层11b构成。另外，在图1B～图1D中，n型金属包层15对应于T0～T1，n型导波层14对应于T1～T2，n型载流子阻断层13对应于T2～T3，活性层11对应于T3～T4，p型金属包层12对应于T4～T5。
虽然本实施方式的半导体激光元件1如上述那样是单一量子阱(SQW、Single Quantum Well)构造，但也可以是设有多个量子阱层的多重量子阱(MQW、Multi Quantum Well)构造。
在p型金属包层12之上，形成有电流狭窄层16、第1p型接触层17及第2p型接触层18。并且，虽然没有图示，但在半导体基板19下表面侧及第2p型接触层18的上表面侧，分别形成有欧姆电极。第2p型接触层18为了得到与该欧姆电极的欧姆性，通过实施高浓度的掺杂而形成。
以下，对半导体激光元件1详细地说明。
p型金属包层12形成为具有比阻挡层11b的禁带宽度大的禁带宽度。此外，n型载流子阻断层13形成为具有大于等于阻挡层11b的禁带宽度的禁带宽度。半导体激光元件1通过具有这样的结构，能够将注入的载流子高效率地封闭到活性层11内。
此外，p型金属包层12形成为具有足够的层厚。因而，在随着高驱动电流注入而活性层的温度上升、封闭在活性层11内的电子向p型金属包层12溢出的情况下，能够使该溢出的电子以一定的概率逆扩散到活性层11内。
n型载流子阻断层13形成为：在活性层11内产生的光能够容易地通过n型载流子阻断层13的厚度、即给波导模带来的影响很小、并且不发生载流子的隧道现象的厚度。
由于这样的n型载流子阻断层13形成得极薄，所以即使在n型载流子阻断层13的折射率相对于活性层11的折射率较小的情况下，在活性层11内产生的光也能够容易地通过n型载流子阻断层13。通过适当地选择与载流子封闭相对独立的n型导波层及n型金属包层，能够防止波导模在活性层11内集中。这样，通过扩大波导模，能够使活性层11中的波导模的光强度减小，从而能够抑制出射端面的COD的发生。因而，能够使半导体激光元件1以高输出动作。
特别是，在半导体激光元件1由AlGaAs、InGaAs、及InGaAsP等的III-V族化合物半导体形成的情况下，因为电子与空穴的有效质量的差，即电子相对于空穴有效质量较小，所以在活性层11内，电子的载流子密度相对于空穴的载流子密度相对地变高。换言之，在从活性层11内溢出的载流子中，电子相对于空穴更多。
关于III-V族化合物半导体中的电子和空穴的有效质量，例如在以下的文献(1)～(4)中记载。
(1)Sadao Adachi，J.Appl.Phys.，58(3)，R1-29，1985.
(2)Sadao Adachi，J.Appl.Phys.，53(12)，p.8775-8792，1982.
(3)Sadao Adachi，″Properties of Aluminium Gallium Arsenide″，published by INSPEC，1993 p.58-72.
(4)Sadao Adachi，″Physical Properties of III-V SemiconductorCompounds：InP，InAs，GaAs，GaP，InGaAs，and InGaAnP″，published by JohnWiley & Sons Inc.，1992p.277-278.
在由III-V族化合物半导体形成的有关本发明的半导体激光元件1中，通过采用如上述那样的以p型金属包层12和n型载流子阻断层13夹着活性层11的结构，能够使从活性层11溢出的电子逆扩散到活性层11内，所以能够可靠地提高活性层11内的载流子的封闭效率。
此时，例如通过将n型载流子阻断层13形成为具有比p型金属包层12的禁带宽度大的禁带宽度，从而能够将空穴的封闭效率也提高，所以能够更可靠地提高活性层11内的载流子的封闭效率。
n型载流子阻断层13优选的是形成为层厚T为10nm≤T≤30nm。通过将层厚T形成为小于等于30nm，从而能够有效地减轻n型载流子阻断层13给波导模带来的影响、将在活性层11中产生的光有效地向n型导波层14的方向导引。此外，通过将层厚T形成为大于等于10nm，从而能够防止因n型载流子阻断层13的空洞化及隧道效应而损害空穴的封闭功能。
如上所述，能够通过n型载流子阻断层13及p型金属包层12将载流子高效率地封闭到活性层11内，所以n型导波层14及n型金属包层15能够与载流子封闭构造相对独立地设计。
n型导波层14形成为具有比n型金属包层15及p型金属包层12的禁带宽度小的禁带宽度。在III-V族化合物半导体中，禁带宽度越大，折射率越小，所以n型金属包层15及p型金属包层12的折射率变得比n型导波层14的折射率小。因而，当活性层11及n型载流子阻断层13足够薄、能够忽视对波导模的影响时，有效的折射率分布如图1C所示，从活性层11到n型导波层14的各层相对于n型金属包层15及p型金属包层12成为高折射率部。由此，在活性层11产生的光扩散到该高折射率部内地传输。即，由于能够使活性层11内的波导模的光强度减小，所以能够抑制出射端面的COD的发生。因而，能够使半导体激光元件1以高输出动作。
如图1C所示，n型金属包层15优选形成为具有比p型金属包层12的折射率大的折射率。由此，能够使波导模向由n型半导体形成的方向转移。换言之，能够提高由n型半导体形成的层与波导模重叠的比例。
一般而言，在半导体激光元件中，已知因自由载流子吸收而发生内部损失，该自由载流子吸收，n型半导体层比p型半导体层小。因而，通过设计半导体激光元件1、以使波导模与由n型半导体层形成的层重叠的比例变高、例如为90％以上，则能够尽量降低内部损失、提高斜度效率。因而，能够使半导体激光元件1以高效率且高输出动作。
(实施例)
半导体激光元件1在半导体基板(n-GaAs)19之上依次层叠n型金属包层(n-Al0.37Ga0.63As，厚度：3.5μm)15、n型导波层(n-Al0.30Ga0.70As，厚度：0.4μm)14、n型载流子阻断层(n-Al0.60Ga0.40As，厚度：0.013μm)13、活性层(SQW：单一量子阱，In0.11Ga0.89As/Al0.30Ga0.70As，量子阱层厚：0.006μm/阻挡层厚：0.05μm)11、p型金属包层(p-Al0.50Ga0.50As，厚度：1.1μm)12而形成。
此外，在p型金属包层12之上，形成有电流狭窄层(n-GaAs，厚度：0.3μm)16、第1p型接触层(p-GaAs，厚度：1.7μm)17及第2p型接触层(p-GaAs，厚度：0.3μm)18。
具有这样的构造的半导体激光元件1可以通过分子束外延(MBE、Molecular Beam Epitaxy)或有机金属化学汽相淀积(MOCVD、Metal OrganicChemical Vapor Deposition)等的外延生长制作。另外，本实施例的半导体激光元件1通过MOCVD制造。
本实施例的半导体激光元件1如图1D所示，可知波导模的几乎全部都在内部损失相对较小的n型半导体所形成的层中传输。具体而言，波导模与由n型半导体层形成的层重叠的比例达到90％以上。
图2是表示本实施例的半导体激光元件1的输出特性的图。半导体激光元件1制作为，使电流注入条(ストライプ)宽度为100μm、共振器长为4mm、AR/HR反射率为2.5/98％。在15℃、连续注入(CW)的运转条件下，如图2所示，可以确认最大输出为17W以上。此外，在注入电流为1～8A之间，可以确认斜度效率为1.1，由此可以确认是本发明作为目的的能够在高效率下进行高输出的动作的半导体激光元件1。
本发明能够不脱离其主旨或主要的特征而以其他各种形态实施。因而，上述实施方式在所有的方面都不过是单纯的例示，本发明的范围是权利要求书所示的范围，完全不受说明书约束。进而，属于权利要求书的范围的变形及变更都在本发明的范围内。

Claims (3)

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：
活性层，由量子阱层及阻挡层构成；
n型载流子阻断层，与上述活性层邻接地设置，并且具有大于等于上述阻挡层的禁带宽度的禁带宽度；
n型导波层，相对于上述n型载流子阻断层，在与上述活性层相反侧，与上述n型载流子阻断层邻接地设置；
n型金属包层，相对于上述n型导波层，在与上述活性层相反侧，与上述n型导波层邻接地设置，并且具有比上述n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度；和
p型金属包层，相对于上述活性层，在与上述n型载流子阻断层相反侧，与上述活性层邻接地设置，并且具有比上述阻挡层及n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，上述n型金属包层的折射率比上述p型金属包层的折射率大。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，上述n型载流子阻断层的层厚T是10nm≤T≤30nm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417274A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 松下知识产权经营株式会社 半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源***
WO2020042137A1 (zh) * 2018-08-31 2020-03-05 华为技术有限公司 一种光学集成芯片

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5926340B2 (ja) 2014-09-12 2016-05-25 株式会社フジクラ Ｌｄモジュール
JP6333874B2 (ja) 2016-03-03 2018-05-30 株式会社フジクラ 導光装置、導光方法、及びｌｄモジュール
CN109417276B (zh) * 2016-06-30 2021-10-15 新唐科技日本株式会社 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源***
CN110402524B (zh) 2017-03-16 2021-04-16 新唐科技日本株式会社 半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源***
US10554018B2 (en) 2017-12-19 2020-02-04 International Business Machines Corporation Hybrid vertical current injection electro-optical device with refractive-index-matched current blocking layer
TWI786248B (zh) * 2018-12-26 2022-12-11 晶元光電股份有限公司 發光元件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2794743B2 (ja) 1989-01-17 1998-09-10 日本電気株式会社 量子井戸型半導体レーザ素子
JPH02203586A (ja) 1989-02-01 1990-08-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置とその製造方法
US5467364A (en) 1992-02-05 1995-11-14 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Semiconductor laser element and laser device using the same element
JPH06209139A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Fujitsu Ltd 半導体レーザ装置
CA2138912C (en) * 1993-12-24 1999-05-04 Shoji Ishizaka Semiconductor laser device
EP0788203B1 (en) * 1994-10-18 2000-05-17 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor laser device
JP3658048B2 (ja) 1995-07-27 2005-06-08 三井化学株式会社 半導体レーザ素子
WO1996020522A1 (fr) 1994-12-28 1996-07-04 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Element de laser a semi-conducteur
EP0847117B1 (en) * 1996-06-24 2004-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser
TW412889B (en) * 1997-09-24 2000-11-21 Nippon Oxygen Co Ltd Semiconductor laser
US6546032B1 (en) * 1999-08-27 2003-04-08 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor laser apparatus
JP2001102686A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Denso Corp 半導体レーザ
EP1699121B1 (en) * 2003-12-15 2014-04-30 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method
JP4136988B2 (ja) * 2004-03-31 2008-08-20 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
JP5013698B2 (ja) * 2005-10-21 2012-08-29 ローム株式会社 ２波長型半導体レーザ発光装置及びその製造方法
JP5002391B2 (ja) * 2007-09-26 2012-08-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2010278136A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Sony Corp 半導体レーザ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417274A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 松下知识产权经营株式会社 半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源***
WO2020042137A1 (zh) * 2018-08-31 2020-03-05 华为技术有限公司 一种光学集成芯片

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