JP2001345515A - 半導体光デバイス装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体光デバイス装置及びその製造方法Info
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- JP2001345515A JP2001345515A JP2000166010A JP2000166010A JP2001345515A JP 2001345515 A JP2001345515 A JP 2001345515A JP 2000166010 A JP2000166010 A JP 2000166010A JP 2000166010 A JP2000166010 A JP 2000166010A JP 2001345515 A JP2001345515 A JP 2001345515A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光出力の損失が少なく、高出力動作時におけ
る信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供すること。 【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型
クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活
性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド
層、該第2導電第1クラッド層上に形成された開口部を
有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも該
開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2
導電型第2クラッド層からなる半導体光デバイス装置で
あって、該開口部に面している電流ブロック層側面の起
伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とする半
導体光デバイス装置。
る信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供すること。 【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型
クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活
性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド
層、該第2導電第1クラッド層上に形成された開口部を
有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも該
開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2
導電型第2クラッド層からなる半導体光デバイス装置で
あって、該開口部に面している電流ブロック層側面の起
伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とする半
導体光デバイス装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザなど
として有用な半導体光デバイス装置に関し、特に高出力
動作において信頼性が高い半導体光デバイス装置及びそ
の製造方法に関する。
として有用な半導体光デバイス装置に関し、特に高出力
動作において信頼性が高い半導体光デバイス装置及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体光デバイス装置は、その半堅牢、
高効率、広い波長選択範囲、耐久性等の特性から、半導
体レーザなどの発光素子や増幅器などにおいて広く利用
されている。半導体光デバイス装置は、大別してリッジ
埋込型インナーストライプ構造(以下「リッジ埋込型」
という)とセルフアライン導波路型インナーストライプ
構造(以下「セルフアライン型」という)のものが広く
知られている。特にセルフアライン型の半導体光デバイ
ス装置は、その結晶成長の回数やエッチングの少なさか
らリッジ埋込型の半導体光デバイス装置より優れた利点
を有する。
高効率、広い波長選択範囲、耐久性等の特性から、半導
体レーザなどの発光素子や増幅器などにおいて広く利用
されている。半導体光デバイス装置は、大別してリッジ
埋込型インナーストライプ構造(以下「リッジ埋込型」
という)とセルフアライン導波路型インナーストライプ
構造(以下「セルフアライン型」という)のものが広く
知られている。特にセルフアライン型の半導体光デバイ
ス装置は、その結晶成長の回数やエッチングの少なさか
らリッジ埋込型の半導体光デバイス装置より優れた利点
を有する。
【0003】図4に従来から知られている典型的なセル
フアライン型の半導体光デバイス装置の断面図を示す。
図4では、基板41上に第1導電型クラッド層42、活
性層43、及び第2導電型第1クラッド層44が順に形
成されている。第2導電型第1クラッド層44の上には
開口部45を有する電流ブロック層46が図示される形
状で形成され、さらにその上に第2導電型第2クラッド
層47およびコンタクト層48が順に形成されている。
このようなセルフアライン型半導体光デバイス装置の開
口部45は、電流ブロック層46をエピタキシャル成長
により形成した後に、エッチングにより一部を除去する
ことにより形成される。
フアライン型の半導体光デバイス装置の断面図を示す。
図4では、基板41上に第1導電型クラッド層42、活
性層43、及び第2導電型第1クラッド層44が順に形
成されている。第2導電型第1クラッド層44の上には
開口部45を有する電流ブロック層46が図示される形
状で形成され、さらにその上に第2導電型第2クラッド
層47およびコンタクト層48が順に形成されている。
このようなセルフアライン型半導体光デバイス装置の開
口部45は、電流ブロック層46をエピタキシャル成長
により形成した後に、エッチングにより一部を除去する
ことにより形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでの開
口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置
は、装置としての信頼性の面において、いくつかの問題
点が指摘されていた。例えば、開口部をエッチングによ
り形成して半導体光デバイス装置を製造した場合、該開
口部の導波路内において光損失が発生し、装置の高光出
化を図りにくいという問題があった。また、従来のセル
フアライン型の半導体光デバイス装置は、開口部内に成
長させるクラッド層の結晶性が良好でないため、発光素
子としての信頼性や再現性が低く、歩留まりも低かっ
た。また、クラッド層の結晶性が良好でないために、該
開口部における電気抵抗が増大し、熱抵抗を発生させて
いた。この熱抵抗の増加は、高出力動作時において出力
飽和や非可逆的破壊である光損傷(以下「COD」(C
atastrophic Optical Damag
e)という)を引き起こす原因となる。このため、半導
体レーザ内における光導波路内での光損失の低減及び熱
抵抗の回避は、半導体発デバイス装置としての信頼性を
維持するために必要不可欠である。
口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置
は、装置としての信頼性の面において、いくつかの問題
点が指摘されていた。例えば、開口部をエッチングによ
り形成して半導体光デバイス装置を製造した場合、該開
口部の導波路内において光損失が発生し、装置の高光出
化を図りにくいという問題があった。また、従来のセル
フアライン型の半導体光デバイス装置は、開口部内に成
長させるクラッド層の結晶性が良好でないため、発光素
子としての信頼性や再現性が低く、歩留まりも低かっ
た。また、クラッド層の結晶性が良好でないために、該
開口部における電気抵抗が増大し、熱抵抗を発生させて
いた。この熱抵抗の増加は、高出力動作時において出力
飽和や非可逆的破壊である光損傷(以下「COD」(C
atastrophic Optical Damag
e)という)を引き起こす原因となる。このため、半導
体レーザ内における光導波路内での光損失の低減及び熱
抵抗の回避は、半導体発デバイス装置としての信頼性を
維持するために必要不可欠である。
【0005】したがって、開口部を有するセルフアライ
ン型の半導体光デバイス装置であっても、上記問題を解
決した信頼性のある装置、特に光出力の損失が少なく、
高出力動作時における信頼性も高い半導体光デバイス装
置を開発することが従来から望まれていた。かくして本
発明は、上記の従来の問題に鑑みてなされたものであ
り、開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイ
ス装置であっても、高出力時において信頼性の高い半導
体光デバイス装置を提供することを目的とした。
ン型の半導体光デバイス装置であっても、上記問題を解
決した信頼性のある装置、特に光出力の損失が少なく、
高出力動作時における信頼性も高い半導体光デバイス装
置を開発することが従来から望まれていた。かくして本
発明は、上記の従来の問題に鑑みてなされたものであ
り、開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイ
ス装置であっても、高出力時において信頼性の高い半導
体光デバイス装置を提供することを目的とした。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、開口部の側面上
にある起伏が発光波長に対して所定の割合以下であれ
ば、高出力動作時において信頼性の高い半導体光デバイ
ス装置になり得ることを見出し、本発明を提供するに至
った。すなわち本発明は、基板、該基板上に形成された
第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形
成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第
1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成され
た開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少
なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成
された第2導電型第2クラッド層からなる半導体光デバ
イス装置であって、該開口部に面している電流ブロック
層側面の起伏が発光波長の1/10以下であることを特
徴とする半導体光デバイス装置を提供する。
解決するために鋭意検討を重ねた結果、開口部の側面上
にある起伏が発光波長に対して所定の割合以下であれ
ば、高出力動作時において信頼性の高い半導体光デバイ
ス装置になり得ることを見出し、本発明を提供するに至
った。すなわち本発明は、基板、該基板上に形成された
第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形
成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第
1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成され
た開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少
なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成
された第2導電型第2クラッド層からなる半導体光デバ
イス装置であって、該開口部に面している電流ブロック
層側面の起伏が発光波長の1/10以下であることを特
徴とする半導体光デバイス装置を提供する。
【0007】本発明の半導体光デバイス装置は、基板、
該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導
電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形
成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1ク
ラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック
層、該開口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブ
ロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド
層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部長
手方向の開口部側面の表面に現れた起伏の大きさが発光
波長の1/10以下であることを特徴とする。
該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導
電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形
成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1ク
ラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック
層、該開口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブ
ロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド
層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部長
手方向の開口部側面の表面に現れた起伏の大きさが発光
波長の1/10以下であることを特徴とする。
【0008】本発明の半導体光デバイス装置の好ましい
態様として、前記基板の主面が(100)面であり、前
記開口部の長手方向が[011]方向である態様;前記
基板の主面が(100)面であり、前記電流ブロック層
の側面が(111)B面近傍からなる態様;前記活性層
がInGaAs量子井戸からなる態様;前記第2導電型
第1クラッド層の上側に酸化防止層を形成する態様;前
記酸化防止層が前記活性層で発光した発光波長に対して
透明である態様;前記酸化防止層がGaAsからなる態
様;前記電流ブロック層の屈折率が前記第2導電型第2
クラッド層の屈折率よりも小さい態様; 前記電流ブロ
ック層が、少なくとも第1導電型又は高抵抗の半導体層
で構成されている態様;前記第2導電型第2クラッド層
がAlxGa1-xAs(0.30≦x<1)、前記電流ブ
ロック層がAlyGa1-yAs(0.35≦y≦1)から
なる態様;前記電流ブロック層と前記第2導電型第2ク
ラッド層とが、AlGaAsからなる態様;前記開口部
から前記活性層に電流が注入される態様;前記開口部が
両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である態
様;前記開口部が一方の端部まで伸長しているが他方の
端部までは伸長していない開口部である態様;前記半導
体光デバイス装置の光出力が30mW以上である態様;
前記半導体光デバイス装置が、光ファイバー増幅器励起
用光源として用いられる態様;前記半導体光デバイス装
置が光ファイバー増幅器として用いられる態様を挙げる
ことができる。また、本発明の半導体光デバイス装置の
製造方法における好ましい態様として、前記電流ブロッ
ク層を保護膜で覆われていない表面上に選択成長するこ
とにより形成する工程を含む態様;前記保護膜の側面の
起伏が発光波長の1/10以下である態様:前記電流ブ
ロック層形成後のウェハーを大気中に露出しない状態で
前記電流ブロック層形成時に使用した保護膜を除去し、
次いで大気中に露出しない状態で第2導電型第2クラッ
ド層を形成する態様を挙げることができる。
態様として、前記基板の主面が(100)面であり、前
記開口部の長手方向が[011]方向である態様;前記
基板の主面が(100)面であり、前記電流ブロック層
の側面が(111)B面近傍からなる態様;前記活性層
がInGaAs量子井戸からなる態様;前記第2導電型
第1クラッド層の上側に酸化防止層を形成する態様;前
記酸化防止層が前記活性層で発光した発光波長に対して
透明である態様;前記酸化防止層がGaAsからなる態
様;前記電流ブロック層の屈折率が前記第2導電型第2
クラッド層の屈折率よりも小さい態様; 前記電流ブロ
ック層が、少なくとも第1導電型又は高抵抗の半導体層
で構成されている態様;前記第2導電型第2クラッド層
がAlxGa1-xAs(0.30≦x<1)、前記電流ブ
ロック層がAlyGa1-yAs(0.35≦y≦1)から
なる態様;前記電流ブロック層と前記第2導電型第2ク
ラッド層とが、AlGaAsからなる態様;前記開口部
から前記活性層に電流が注入される態様;前記開口部が
両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である態
様;前記開口部が一方の端部まで伸長しているが他方の
端部までは伸長していない開口部である態様;前記半導
体光デバイス装置の光出力が30mW以上である態様;
前記半導体光デバイス装置が、光ファイバー増幅器励起
用光源として用いられる態様;前記半導体光デバイス装
置が光ファイバー増幅器として用いられる態様を挙げる
ことができる。また、本発明の半導体光デバイス装置の
製造方法における好ましい態様として、前記電流ブロッ
ク層を保護膜で覆われていない表面上に選択成長するこ
とにより形成する工程を含む態様;前記保護膜の側面の
起伏が発光波長の1/10以下である態様:前記電流ブ
ロック層形成後のウェハーを大気中に露出しない状態で
前記電流ブロック層形成時に使用した保護膜を除去し、
次いで大気中に露出しない状態で第2導電型第2クラッ
ド層を形成する態様を挙げることができる。
【0009】本発明の光デバイス装置は、電流ブロック
層上に形成された開口部長手方向の側面の表面に現れる
起伏の大きさが発光波長の1/10以下である。このた
め導波路内の起伏の存在による光損失を減少することが
でき、高出力の半導体光デバイス装置となる利点があ
る。また、本発明の半導体光デバイス装置では、該開口
部側面に現れた起伏の大きさが小さいので、開口部での
クラッド層の結晶成長の質が良好となるため、該開口部
での電気抵抗を減少でき、かつ、熱抵抗の発生も抑えら
れるという利点がある。このため本発明の半導体光デバ
イス装置であれば、高出力動作時における出力飽和やC
ODの発生を効果的に防止できる利点がある。さらに、
本発明の製造方法により製造した半導体光デバイス装置
は、電流ブロック層を選択成長させることにより開口部
を形成している。このため本発明の半導体光デバイス装
置であれば、従来のエッチング法により形成した開口部
よりも開口幅の均一性を高めることができる利点があ
る。その結果、製造工程において高歩留まりで製作する
ことができ、特に構造設計マージンの小さい半導体光デ
バイス装置の製作に有利となる。また、本発明では、保
護膜の除去及び第2導電型クラッド層の形成を大気中に
露出しないで行うことにより、良好な特性を示す半導体
光デバイス装置を製造することもできる。この方法によ
れば、再成長表面(開口部底面および電流ブロック層表
面)の酸化を防止でき、半導体光デバイス装置の信頼性
をより高められるという利点を有する。
層上に形成された開口部長手方向の側面の表面に現れる
起伏の大きさが発光波長の1/10以下である。このた
め導波路内の起伏の存在による光損失を減少することが
でき、高出力の半導体光デバイス装置となる利点があ
る。また、本発明の半導体光デバイス装置では、該開口
部側面に現れた起伏の大きさが小さいので、開口部での
クラッド層の結晶成長の質が良好となるため、該開口部
での電気抵抗を減少でき、かつ、熱抵抗の発生も抑えら
れるという利点がある。このため本発明の半導体光デバ
イス装置であれば、高出力動作時における出力飽和やC
ODの発生を効果的に防止できる利点がある。さらに、
本発明の製造方法により製造した半導体光デバイス装置
は、電流ブロック層を選択成長させることにより開口部
を形成している。このため本発明の半導体光デバイス装
置であれば、従来のエッチング法により形成した開口部
よりも開口幅の均一性を高めることができる利点があ
る。その結果、製造工程において高歩留まりで製作する
ことができ、特に構造設計マージンの小さい半導体光デ
バイス装置の製作に有利となる。また、本発明では、保
護膜の除去及び第2導電型クラッド層の形成を大気中に
露出しないで行うことにより、良好な特性を示す半導体
光デバイス装置を製造することもできる。この方法によ
れば、再成長表面(開口部底面および電流ブロック層表
面)の酸化を防止でき、半導体光デバイス装置の信頼性
をより高められるという利点を有する。
【0010】
【発明の実施の態様】以下において、本発明の半導体光
デバイス装置についてその構造と製造方法を詳細に説明
する。本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板
上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型ク
ラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成され
た第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド
層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開
口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層
上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を有す
る半導体光デバイス装置であって、開口部に面している
電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下で
あることを特徴とする。本発明の半導体光デバイス装置
は、これらの層のほかに通常の半導体光デバイス装置で
形成される層を適宜有していてもよい。
デバイス装置についてその構造と製造方法を詳細に説明
する。本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板
上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型ク
ラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成され
た第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド
層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開
口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層
上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を有す
る半導体光デバイス装置であって、開口部に面している
電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下で
あることを特徴とする。本発明の半導体光デバイス装置
は、これらの層のほかに通常の半導体光デバイス装置で
形成される層を適宜有していてもよい。
【0011】本明細書において「A層の上に形成された
B層」という表現は、A層の上面にB層の底面が接する
ようにB層が形成されている場合と、A層の上面に1以
上の層が形成されさらにその層の上にB層が形成されて
いる場合の両方を含むものである。また、A層の上面と
B層の底面が部分的に接していて、その他の部分ではA
層とB層の間に1以上の層が存在している場合も、上記
表現に含まれる。具体的な態様については、以下の各層
の説明と実施例の具体例から明らかである。
B層」という表現は、A層の上面にB層の底面が接する
ようにB層が形成されている場合と、A層の上面に1以
上の層が形成されさらにその層の上にB層が形成されて
いる場合の両方を含むものである。また、A層の上面と
B層の底面が部分的に接していて、その他の部分ではA
層とB層の間に1以上の層が存在している場合も、上記
表現に含まれる。具体的な態様については、以下の各層
の説明と実施例の具体例から明らかである。
【0012】図1は、本発明の半導体光デバイス装置の
一例の斜視図であり、図2は前記一例の電流ブロック層
の状態を示す斜視図である。本発明の半導体光デバイス
装置の一例の構造は概略的に、化合物半導体からなる基
板11上に、第1導電型クラッド層12、活性層13、
及び第2導電型第1クラッド層14を積層し、その上に
酸化防止層15を介してストライプ状に開口された電流
ブロック層16及び表面保護層18が積層されている。
さらに電流ブロック層16の開口した開口部17及び該
開口部17両脇の電流ブロック層上に積層するように第
2導電型第2クラッド層19が形成され、その第2導電
型第2クラッド層19上にコンタクト層20が形成され
ている。
一例の斜視図であり、図2は前記一例の電流ブロック層
の状態を示す斜視図である。本発明の半導体光デバイス
装置の一例の構造は概略的に、化合物半導体からなる基
板11上に、第1導電型クラッド層12、活性層13、
及び第2導電型第1クラッド層14を積層し、その上に
酸化防止層15を介してストライプ状に開口された電流
ブロック層16及び表面保護層18が積層されている。
さらに電流ブロック層16の開口した開口部17及び該
開口部17両脇の電流ブロック層上に積層するように第
2導電型第2クラッド層19が形成され、その第2導電
型第2クラッド層19上にコンタクト層20が形成され
ている。
【0013】図1において、本発明の半導体光デバイス
装置を構成する基板11は、その上にダブルへテロ構造
の結晶を成長することが可能なものであれば、その導電
性や材料については特に限定されない。好ましいもの
は、導電性がある基板である。具体的には、基板上への
結晶薄膜成長に適したGaAs、InP、GaP、Zn
Se、ZnO、Si、Al2O3等の結晶基板、特に閃亜
鉛鉱型構造を有する結晶基板を用いるのが好ましい。そ
の場合、基板結晶成長面は低次な面またはそれと結晶学
的に等価な面が好ましく、(100)面が最も好まし
い。なお、本明細書において(100)面という場合、
必ずしも厳密に(100)ジャストの面である必要はな
く、最大30°程度のオフアングルを有する場合まで包
含する。オフアングルの大きさの上限は30°以下が好
ましく、16°以下がより好ましい。下限は0.5°以
上が好ましく、2°以上がより好ましく、6°以上がさ
らに好ましく、10°以上が最も好ましい。
装置を構成する基板11は、その上にダブルへテロ構造
の結晶を成長することが可能なものであれば、その導電
性や材料については特に限定されない。好ましいもの
は、導電性がある基板である。具体的には、基板上への
結晶薄膜成長に適したGaAs、InP、GaP、Zn
Se、ZnO、Si、Al2O3等の結晶基板、特に閃亜
鉛鉱型構造を有する結晶基板を用いるのが好ましい。そ
の場合、基板結晶成長面は低次な面またはそれと結晶学
的に等価な面が好ましく、(100)面が最も好まし
い。なお、本明細書において(100)面という場合、
必ずしも厳密に(100)ジャストの面である必要はな
く、最大30°程度のオフアングルを有する場合まで包
含する。オフアングルの大きさの上限は30°以下が好
ましく、16°以下がより好ましい。下限は0.5°以
上が好ましく、2°以上がより好ましく、6°以上がさ
らに好ましく、10°以上が最も好ましい。
【0014】また、基板11は六方晶型の基板でもよ
く、例えばAl2O3、6H−SiC等からなる基板を用
いることもできる。
く、例えばAl2O3、6H−SiC等からなる基板を用
いることもできる。
【0015】基板11上には、通常、基板の欠陥をエピ
タキシャル成長層に持ち込まないために厚さ0.2〜2
μm程度のバッファ層を形成しておくことが好ましい。
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載され
る数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を
意味する。
タキシャル成長層に持ち込まないために厚さ0.2〜2
μm程度のバッファ層を形成しておくことが好ましい。
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載され
る数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を
意味する。
【0016】基板11上には、活性層13を含む化合物
半導体層を形成する。化合物半導体層は、活性層の上下
に活性層より屈折率の小さい層を含んでおり、そのうち
基板11側の層は第1導電型クラッド層、他方のエピタ
キシャル側の層は第2導電型クラッド層として機能す
る。これらの屈折率の大小関係は、各層の材料組成を当
業者に公知の方法にしたがって適宜選択することにより
調節することができる。例えば、AlxGa1-xAs、
(AlxGa1-x)0.5In0.5P、AlxGa1-xNなどの
Al組成を変化させることによって屈折率を調節するこ
とができる。
半導体層を形成する。化合物半導体層は、活性層の上下
に活性層より屈折率の小さい層を含んでおり、そのうち
基板11側の層は第1導電型クラッド層、他方のエピタ
キシャル側の層は第2導電型クラッド層として機能す
る。これらの屈折率の大小関係は、各層の材料組成を当
業者に公知の方法にしたがって適宜選択することにより
調節することができる。例えば、AlxGa1-xAs、
(AlxGa1-x)0.5In0.5P、AlxGa1-xNなどの
Al組成を変化させることによって屈折率を調節するこ
とができる。
【0017】第1導電型クラッド層12は、活性層13
よりも屈折率の小さい材料で形成される。また、第1導
電型クラッド層12の屈折率は、第2導電型クラッド層
の屈折率よりも大きいことが好ましい。例えば、第1導
電型のInP、GaInP、AlGaInP、AlIn
P、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaInA
s、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlGaI
nN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZnS
eTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的なIII
−V族、II−VI族半導体を用いることができる。第1導
電型クラッド層12のキャリア濃度は、下限は1×10
17cm-3以上が好ましく、3×1017cm -3以上がより
好ましく、5×1017cm-3以上が最も好ましい。上限
は2×10 20cm-3以下が好ましく、2×1019cm-3
以下がより好ましく、5×1018cm-3以下が最も好ま
しい。
よりも屈折率の小さい材料で形成される。また、第1導
電型クラッド層12の屈折率は、第2導電型クラッド層
の屈折率よりも大きいことが好ましい。例えば、第1導
電型のInP、GaInP、AlGaInP、AlIn
P、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaInA
s、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlGaI
nN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZnS
eTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的なIII
−V族、II−VI族半導体を用いることができる。第1導
電型クラッド層12のキャリア濃度は、下限は1×10
17cm-3以上が好ましく、3×1017cm -3以上がより
好ましく、5×1017cm-3以上が最も好ましい。上限
は2×10 20cm-3以下が好ましく、2×1019cm-3
以下がより好ましく、5×1018cm-3以下が最も好ま
しい。
【0018】第1導電型クラッド層12は、単層からな
るものであっても、2層以上の層からなるものであって
もよい。単層からなるときは、厚みの下限は0.4μm
以上が好ましく、0.6μm以上がより好ましく、0.
7μm以上がさらに好ましい。また厚みの上限は5μm
以下が好ましく、3μm以下がより好ましく、2μm以
下がさらに好ましい。
るものであっても、2層以上の層からなるものであって
もよい。単層からなるときは、厚みの下限は0.4μm
以上が好ましく、0.6μm以上がより好ましく、0.
7μm以上がさらに好ましい。また厚みの上限は5μm
以下が好ましく、3μm以下がより好ましく、2μm以
下がさらに好ましい。
【0019】第1導電型クラッド層12は複数層からな
るものであってもよく、具体的には活性層側にはGaI
nP、AlGaInP又はAlInPからなるクラッド
層と、その層よりも基板側に第1導電型のAlGaAs
又はAlGaAsPからなるクラッド層が形成されてい
る態様を例示することができる。このとき、活性層側の
層の厚さは薄くすることが好ましく、厚さの下限として
は0.01μm以上が好ましく、0.05μm以上がよ
り好ましい。上限としては、0.5μm以下が好まし
く、0.3μm以下がより好ましい。また、基板11側
の層のキャリア濃度は、下限としては2×1017cm-3
以上が好ましく、5×1017cm-3以上がより好まし
い。上限としては、2×1020cm-3以下が好ましく、
5×1019cm-3以下がより好ましい。
るものであってもよく、具体的には活性層側にはGaI
nP、AlGaInP又はAlInPからなるクラッド
層と、その層よりも基板側に第1導電型のAlGaAs
又はAlGaAsPからなるクラッド層が形成されてい
る態様を例示することができる。このとき、活性層側の
層の厚さは薄くすることが好ましく、厚さの下限として
は0.01μm以上が好ましく、0.05μm以上がよ
り好ましい。上限としては、0.5μm以下が好まし
く、0.3μm以下がより好ましい。また、基板11側
の層のキャリア濃度は、下限としては2×1017cm-3
以上が好ましく、5×1017cm-3以上がより好まし
い。上限としては、2×1020cm-3以下が好ましく、
5×1019cm-3以下がより好ましい。
【0020】本実施例の半導体光デバイス装置を構成す
る活性層13の構造は、特に制限されず、図1の一例に
おいては、二重量子井戸(DQW)構造を有している。
この二重量子井戸(DQW)構造は具体的には光閉じ込
め層(ノンドープ)51、量子井戸層(ノンドープ)5
2、バリア層(ノンドープ)53、量子井戸層(ノンド
ープ)54及び閉じ込め層(ノンドープ)55を順次積
層した構造を有する。この二重量子井戸(DQW)構造
以外にも、例えば、量子井戸層及び前記量子井戸層を上
下から挟む光閉じ込め層からなる単一量子井戸構造(S
QW)や、3層以上の量子井戸層及びそれらに挟まれた
バリア層ならびに最上の量子井戸層の上及び最下の量子
井戸層の下に積層された光閉じ込め層を有する多量子井
戸構造であってもよい。活性層13を量子井戸構造とす
ることにより、単層のバルク活性層と比較して、短波長
化(630nm〜660nm)かつ低しきい値化を達成
することができる。
る活性層13の構造は、特に制限されず、図1の一例に
おいては、二重量子井戸(DQW)構造を有している。
この二重量子井戸(DQW)構造は具体的には光閉じ込
め層(ノンドープ)51、量子井戸層(ノンドープ)5
2、バリア層(ノンドープ)53、量子井戸層(ノンド
ープ)54及び閉じ込め層(ノンドープ)55を順次積
層した構造を有する。この二重量子井戸(DQW)構造
以外にも、例えば、量子井戸層及び前記量子井戸層を上
下から挟む光閉じ込め層からなる単一量子井戸構造(S
QW)や、3層以上の量子井戸層及びそれらに挟まれた
バリア層ならびに最上の量子井戸層の上及び最下の量子
井戸層の下に積層された光閉じ込め層を有する多量子井
戸構造であってもよい。活性層13を量子井戸構造とす
ることにより、単層のバルク活性層と比較して、短波長
化(630nm〜660nm)かつ低しきい値化を達成
することができる。
【0021】活性層13の材料としては、GaAs、A
lGaAs、GaInP、AlGaInP、GaInA
s、AlGaInAs、GaInAsP、GaN、Ga
InNなどを例示することができる。特に活性層13が
InGaAsの量子井戸層からなる場合は、自然超格子
が形成されやすいために、オフ基板を用いることによる
自然超格子抑制の効果を大きくすることができる。
lGaAs、GaInP、AlGaInP、GaInA
s、AlGaInAs、GaInAsP、GaN、Ga
InNなどを例示することができる。特に活性層13が
InGaAsの量子井戸層からなる場合は、自然超格子
が形成されやすいために、オフ基板を用いることによる
自然超格子抑制の効果を大きくすることができる。
【0022】活性層13の上には、第2導電型クラッド
層が形成される。本発明の第2導電型クラッド層は2層
以上形成する。以下の説明では、活性層13に近い方か
ら順に第2導電型第1クラッド層14と第2導電型第2
クラッド層19の2層を有する好ましい態様を例にとっ
て説明する。
層が形成される。本発明の第2導電型クラッド層は2層
以上形成する。以下の説明では、活性層13に近い方か
ら順に第2導電型第1クラッド層14と第2導電型第2
クラッド層19の2層を有する好ましい態様を例にとっ
て説明する。
【0023】第2導電型第1クラッド層14は、活性層
13よりも屈折率の小さい材料で形成される。例えば、
第2導電型のInP、GaInP、AlGaInP、A
lInP、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaI
nAs、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlG
aInN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZ
nSeTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的な
III−V族、II−VI族半導体を用いることができる。第
2導電型クラッド層がAlを含むIII−V族化合物半導
体で構成されている場合は、その成長可能な実質的全面
をGaAs、GaAsP、GaInAs、GaInP、
GaInN等のAlを含まないIII−V族化合物半導体
で覆えば表面酸化を防止することができるため好まし
い。
13よりも屈折率の小さい材料で形成される。例えば、
第2導電型のInP、GaInP、AlGaInP、A
lInP、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaI
nAs、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlG
aInN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZ
nSeTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的な
III−V族、II−VI族半導体を用いることができる。第
2導電型クラッド層がAlを含むIII−V族化合物半導
体で構成されている場合は、その成長可能な実質的全面
をGaAs、GaAsP、GaInAs、GaInP、
GaInN等のAlを含まないIII−V族化合物半導体
で覆えば表面酸化を防止することができるため好まし
い。
【0024】第2導電型第1クラッド層14のキャリア
濃度は、下限は1×1017cm-3以上が好ましく、3×
1017cm-3以上がより好ましく、5×1017cm-3以
上が最も好ましい。上限は5×1018cm-3以下が好ま
しく、3×1018cm-3以下がより好ましく、2×10
18cm-3以下が最も好ましい。厚さの下限としては0.
01μm以上が好ましく、0.05μm以上がより好ま
しく、0.07μm以上が最も好ましい。上限として
は、0.5μm以下が好ましく、0.4μm以下がより
好ましく、0.2μm以下が最も好ましい。
濃度は、下限は1×1017cm-3以上が好ましく、3×
1017cm-3以上がより好ましく、5×1017cm-3以
上が最も好ましい。上限は5×1018cm-3以下が好ま
しく、3×1018cm-3以下がより好ましく、2×10
18cm-3以下が最も好ましい。厚さの下限としては0.
01μm以上が好ましく、0.05μm以上がより好ま
しく、0.07μm以上が最も好ましい。上限として
は、0.5μm以下が好ましく、0.4μm以下がより
好ましく、0.2μm以下が最も好ましい。
【0025】第2導電型第1クラッド層14は活性層1
3の上に形成する。本発明の好ましい実施様態では、第
2導電型第1クラッド層14の屈折率は、第1導電型ク
ラッド層12の屈折率よりも小さい。このような態様を
採用することにより、活性層から光ガイド層側へ有効に
光がしみ出すように光分布(近視野像)を制御すること
ができる。また、活性領域(活性層の存在する部分)か
ら不純物拡散領域への光導波損失を低減することもでき
るため、高出力動作におけるレーザ特性や信頼性の向上
を達成することができる。
3の上に形成する。本発明の好ましい実施様態では、第
2導電型第1クラッド層14の屈折率は、第1導電型ク
ラッド層12の屈折率よりも小さい。このような態様を
採用することにより、活性層から光ガイド層側へ有効に
光がしみ出すように光分布(近視野像)を制御すること
ができる。また、活性領域(活性層の存在する部分)か
ら不純物拡散領域への光導波損失を低減することもでき
るため、高出力動作におけるレーザ特性や信頼性の向上
を達成することができる。
【0026】第2導電型第1クラッド層14の上に第2
導電型酸化防止層15を形成することにより、少なくと
も開口部内に第2導電型第2クラッド層19を再成長さ
せる際に、再成長界面で通過抵抗を増大させるような高
抵抗層の発生を容易に防ぐことができるようになる。ま
た、酸化防止層15はエッチング阻止層として機能させ
てもよい。
導電型酸化防止層15を形成することにより、少なくと
も開口部内に第2導電型第2クラッド層19を再成長さ
せる際に、再成長界面で通過抵抗を増大させるような高
抵抗層の発生を容易に防ぐことができるようになる。ま
た、酸化防止層15はエッチング阻止層として機能させ
てもよい。
【0027】酸化防止層15の材料は、酸化されにくい
か或いは酸化されてもクリーニングが容易な材料であれ
ば特に限定されない。また酸化防止層15の材料は、一
般に活性層の材料よりもバンドギャップが大きい材料か
ら選択されるが、バンドギャップが小さい材料であって
も、厚さが50nm以下、より好ましくは30nm以
下、最も好ましくは10nm以下であれば、実質的に光
の吸収が無視できるので使用可能である。具体的には、
Al等の酸化されやすい元素の含有率が低い(0.3以
下程度)III−V族化合物半導体層が挙げられ、GaA
sを選択することもできる。また、酸化防止層15は、
材料と厚みを選択することによって活性層13からの光
を吸収しないようにすることが好ましく、例えば活性層
13で発生した発光波長に対して透明であること態様が
挙げられる。
か或いは酸化されてもクリーニングが容易な材料であれ
ば特に限定されない。また酸化防止層15の材料は、一
般に活性層の材料よりもバンドギャップが大きい材料か
ら選択されるが、バンドギャップが小さい材料であって
も、厚さが50nm以下、より好ましくは30nm以
下、最も好ましくは10nm以下であれば、実質的に光
の吸収が無視できるので使用可能である。具体的には、
Al等の酸化されやすい元素の含有率が低い(0.3以
下程度)III−V族化合物半導体層が挙げられ、GaA
sを選択することもできる。また、酸化防止層15は、
材料と厚みを選択することによって活性層13からの光
を吸収しないようにすることが好ましく、例えば活性層
13で発生した発光波長に対して透明であること態様が
挙げられる。
【0028】本発明の半導体光デバイス装置を構成する
電流ブロック層16は、第2導電型第1クラッド層14
上に形成され、開口部17を有する。基本的には、該開
口部17から活性層13に電流が注入される。
電流ブロック層16は、第2導電型第1クラッド層14
上に形成され、開口部17を有する。基本的には、該開
口部17から活性層13に電流が注入される。
【0029】電流ブロック層16の材料は、電流ブロッ
ク機能を有するものであれば特に限定されない。電流ブ
ロック層16の材料として半導体を用いた場合は、誘電
体膜と比較して熱伝導率が高いために放熱性が良い、劈
開性が良い、平坦化しやすいためにジャンクション・ア
ップで組み立てやすい、コンタクト層を全面に形成しや
すいのでコンタクト抵抗を下げやすいなどの利点があ
る。
ク機能を有するものであれば特に限定されない。電流ブ
ロック層16の材料として半導体を用いた場合は、誘電
体膜と比較して熱伝導率が高いために放熱性が良い、劈
開性が良い、平坦化しやすいためにジャンクション・ア
ップで組み立てやすい、コンタクト層を全面に形成しや
すいのでコンタクト抵抗を下げやすいなどの利点があ
る。
【0030】電流ブロック層16の屈折率は、電流ブロ
ック層16に挟まれたAlGaAs又はAlGaAsP
からなる第2導電型第2クラッド層19の屈折率よりも
低くすることが好ましい(実屈折率ガイド構造)。この
ような屈折率の制御を行うことによって、従来のロスガ
イド構造に比べて動作電流を低減することが可能にな
る。電流ブロック層16と第2導電型第2クラッド層1
9との屈折率差は、電流ブロック層が化合物半導体の場
合、下限は0.001以上が好ましく、0.003以上
がより好ましく、0.007以上が最も好ましい。上限
は、1.0以下が好ましく、0.5以下がより好まし
く、0.1以下が最も好ましい。電流ブロック層が誘電
体の場合、下限は0.1以上が好ましく、0.3以上が
より好ましく、0.7以上が最も好ましい。上限は、
3.0以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、
1.8以下が最も好ましい。
ック層16に挟まれたAlGaAs又はAlGaAsP
からなる第2導電型第2クラッド層19の屈折率よりも
低くすることが好ましい(実屈折率ガイド構造)。この
ような屈折率の制御を行うことによって、従来のロスガ
イド構造に比べて動作電流を低減することが可能にな
る。電流ブロック層16と第2導電型第2クラッド層1
9との屈折率差は、電流ブロック層が化合物半導体の場
合、下限は0.001以上が好ましく、0.003以上
がより好ましく、0.007以上が最も好ましい。上限
は、1.0以下が好ましく、0.5以下がより好まし
く、0.1以下が最も好ましい。電流ブロック層が誘電
体の場合、下限は0.1以上が好ましく、0.3以上が
より好ましく、0.7以上が最も好ましい。上限は、
3.0以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、
1.8以下が最も好ましい。
【0031】電流ブロック層16の材料は、第2導電型
第2クラッド層19よりも低屈折率にすることや、Ga
As基板との格子整合を考慮すると、半導体としてAl
GaAs又はAlyGa1-yAs(0.35≦y≦1)を
用いることもできる。但し、Al組成がAlAsに近く
なりすぎると潮解性を示すため、また第2導電型クラッ
ド層よりも低屈折率にする必要があることから、Al組
成の下限としてのy値は0.35以上であり、好ましく
は0.37以上であり、より好ましくは0.40以上で
ある。また、上限としてのy値は1以下であり、好まし
くは0.9以下であり、さらに好ましくは0.8以下で
ある。
第2クラッド層19よりも低屈折率にすることや、Ga
As基板との格子整合を考慮すると、半導体としてAl
GaAs又はAlyGa1-yAs(0.35≦y≦1)を
用いることもできる。但し、Al組成がAlAsに近く
なりすぎると潮解性を示すため、また第2導電型クラッ
ド層よりも低屈折率にする必要があることから、Al組
成の下限としてのy値は0.35以上であり、好ましく
は0.37以上であり、より好ましくは0.40以上で
ある。また、上限としてのy値は1以下であり、好まし
くは0.9以下であり、さらに好ましくは0.8以下で
ある。
【0032】電流ブロック層16は、光分布(特に横方
向の光分布)を制御したり電流阻止の機能を向上させる
ために、屈折率、キャリア濃度又は導電型が異なる2つ
以上の層から形成してもよい。電流ブロック層の上に表
面保護層18を形成して、表面酸化の抑制あるいはプロ
セス上の表面保護を図ることができる。表面保護層18
の導電型は特に規定されないが、第2導電型とすること
により電流阻止機能の向上を図ることができる。
向の光分布)を制御したり電流阻止の機能を向上させる
ために、屈折率、キャリア濃度又は導電型が異なる2つ
以上の層から形成してもよい。電流ブロック層の上に表
面保護層18を形成して、表面酸化の抑制あるいはプロ
セス上の表面保護を図ることができる。表面保護層18
の導電型は特に規定されないが、第2導電型とすること
により電流阻止機能の向上を図ることができる。
【0033】電流ブロック層16の導電型は、第1導電
型又は高抵抗(アンドープもしくは深い順位を形成する
不純物(O、Cr、Feなど)をドープ)、あるいはこ
れら2つの組み合わせのいずれであってもよく、導電型
或いは組成の異なる複数の層から形成されていてもよ
い。例えば、活性層13に近い側から第2導電型あるい
は高抵抗の半導体層、および第1導電型の半導体層の順
に形成されている電流ブロック層を好ましく用いること
もできる。また、あまり薄いと電流阻止に支障を生じる
可能性があるため、厚さは0.1μm以上であるのが好
ましく、0.3μm以上であるのがより好ましい。一
方、厚すぎると通過抵抗の増大を招くため、上限は2μ
m以下が好ましく、1μm以下がより好ましい。素子と
してのサイズ等を勘案すれば、0.3〜1μm程度の範
囲から選択するのが好ましい。
型又は高抵抗(アンドープもしくは深い順位を形成する
不純物(O、Cr、Feなど)をドープ)、あるいはこ
れら2つの組み合わせのいずれであってもよく、導電型
或いは組成の異なる複数の層から形成されていてもよ
い。例えば、活性層13に近い側から第2導電型あるい
は高抵抗の半導体層、および第1導電型の半導体層の順
に形成されている電流ブロック層を好ましく用いること
もできる。また、あまり薄いと電流阻止に支障を生じる
可能性があるため、厚さは0.1μm以上であるのが好
ましく、0.3μm以上であるのがより好ましい。一
方、厚すぎると通過抵抗の増大を招くため、上限は2μ
m以下が好ましく、1μm以下がより好ましい。素子と
してのサイズ等を勘案すれば、0.3〜1μm程度の範
囲から選択するのが好ましい。
【0034】電流ブロック層16の形成方法は、開口部
17が形成できれば特に限定されない。電流ブロック層
16を選択成長により形成した場合、ソースガス、成長
温度、雰囲気を選べば、自己整合的に薄膜を形成できる
こと、素子の微細化に適応しやすいこと等の利点を有す
るため特に好ましい。
17が形成できれば特に限定されない。電流ブロック層
16を選択成長により形成した場合、ソースガス、成長
温度、雰囲気を選べば、自己整合的に薄膜を形成できる
こと、素子の微細化に適応しやすいこと等の利点を有す
るため特に好ましい。
【0035】電流ブロック層16の上側層として、開口
部17内部及び少なくとも開口部17両脇の電流ブロッ
ク層17上の一部に至るように第2導電型第2クラッド
層19が形成される。第2導電型第2クラッド層19
は、開口部17の上側表面をすべて覆い、かつ、開口部
17両脇の電流ブロック層16上の少なくとも一部に延
在されるように形成される。
部17内部及び少なくとも開口部17両脇の電流ブロッ
ク層17上の一部に至るように第2導電型第2クラッド
層19が形成される。第2導電型第2クラッド層19
は、開口部17の上側表面をすべて覆い、かつ、開口部
17両脇の電流ブロック層16上の少なくとも一部に延
在されるように形成される。
【0036】第2導電型第2クラッド層19のキャリア
濃度は、下限は3×1017cm-3以上が好ましく、5×
1017cm-3以上がより好ましく、7×1017cm-3以
上が最も好ましい。上限は1×1019cm-3以下が好ま
しく、7×1018cm-3以下がより好ましく、3×10
18cm-3以下が最も好ましい。
濃度は、下限は3×1017cm-3以上が好ましく、5×
1017cm-3以上がより好ましく、7×1017cm-3以
上が最も好ましい。上限は1×1019cm-3以下が好ま
しく、7×1018cm-3以下がより好ましく、3×10
18cm-3以下が最も好ましい。
【0037】第2導電型第2クラッド層19の厚さは、
薄くなりすぎると光閉じ込めが不十分となり、厚くなり
すぎると通過抵抗が増加してしまうことを考慮して、下
限は0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより
好ましい。上限は3.0μm以下が好ましく、2.0μ
m以下がより好ましい。
薄くなりすぎると光閉じ込めが不十分となり、厚くなり
すぎると通過抵抗が増加してしまうことを考慮して、下
限は0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより
好ましい。上限は3.0μm以下が好ましく、2.0μ
m以下がより好ましい。
【0038】第2導電型第2クラッド層19の材料は、
活性層13よりも屈折率の小さい材料であれば特に限定
されない。例えば、第2導電型第1クラッド層14と同
様、InP、GaInP、AlGaInP、AlIn
P、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaInA
s、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlGaI
nN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZnS
eTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的なIII
−V族、II−VI族半導体を用いることができる。電流ブ
ロック層16がAlGaAs又はAlyGa1-yAs
(0.35≦y≦1)である場合、第2導電型第2クラ
ッド層19の材料としてAlGaAs又はAlxGa1-x
As(0.30≦x<1)を用いることも可能である。
この場合、活性層がInGaAs、GaAsN、InG
aAsNであることが好ましい。
活性層13よりも屈折率の小さい材料であれば特に限定
されない。例えば、第2導電型第1クラッド層14と同
様、InP、GaInP、AlGaInP、AlIn
P、AlGaAs、AlGaAsP、AlGaInA
s、GaInAsP、GaN、AlGaN、AlGaI
nN、BeMgZnSe、MgZnSSe、CdZnS
eTe、ZnO、MgZnO、MgO等の一般的なIII
−V族、II−VI族半導体を用いることができる。電流ブ
ロック層16がAlGaAs又はAlyGa1-yAs
(0.35≦y≦1)である場合、第2導電型第2クラ
ッド層19の材料としてAlGaAs又はAlxGa1-x
As(0.30≦x<1)を用いることも可能である。
この場合、活性層がInGaAs、GaAsN、InG
aAsNであることが好ましい。
【0039】電流ブロック層16と第2導電型第2クラ
ッド層19を形成した後にさらに電極を形成するに先立
ち、電極材料との接触抵抗を低減するために、低抵抗
(高キャリア濃度)のコンタクト層20を形成すること
が好ましい。特に電極を形成しようとする最上層表面の
全体にコンタクト層20を形成したうえで電極を形成す
ることが好ましい。
ッド層19を形成した後にさらに電極を形成するに先立
ち、電極材料との接触抵抗を低減するために、低抵抗
(高キャリア濃度)のコンタクト層20を形成すること
が好ましい。特に電極を形成しようとする最上層表面の
全体にコンタクト層20を形成したうえで電極を形成す
ることが好ましい。
【0040】このとき、コンタクト層20の材料は、通
常はクラッド層よりバンドギャップが小さい材料の中か
ら選択し、金属電極とのオーミック性を取るため低抵抗
で適当なキャリア密度を有するのが好ましい。キャリア
密度の下限は、1×1018cm-3以上が好ましく、3×
1018cm-3以上がより好ましく、5×1018cm-3以
上が最も好ましい。上限は、2×1020cm-3以下が好
ましく、5×1019cm-3以下がより好ましく、3×1
019cm-3以下が最も好ましい。コンタクト層20の厚
みは、0.1〜10μmが好ましく、1〜8μmがより
好ましく、2〜6μmがもっとも好ましい。
常はクラッド層よりバンドギャップが小さい材料の中か
ら選択し、金属電極とのオーミック性を取るため低抵抗
で適当なキャリア密度を有するのが好ましい。キャリア
密度の下限は、1×1018cm-3以上が好ましく、3×
1018cm-3以上がより好ましく、5×1018cm-3以
上が最も好ましい。上限は、2×1020cm-3以下が好
ましく、5×1019cm-3以下がより好ましく、3×1
019cm-3以下が最も好ましい。コンタクト層20の厚
みは、0.1〜10μmが好ましく、1〜8μmがより
好ましく、2〜6μmがもっとも好ましい。
【0041】次に、電流ブロック層16に形成される開
口部17について説明する。
口部17について説明する。
【0042】本発明の半導体発光装置は、開口部に面し
ている電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10
以下である点に特徴がある。本明細書において、「電流
ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下であ
る」とは、電流ブロック層側面に存在する起伏を構成し
ている凸部とそれに隣接する凹部の高低差が、半導体発
光装置の発光波長の1/10であることを意味する。こ
のような本発明の特徴的な構成を採用することによっ
て、光導波路内での光出力の損失を低減することができ
る。電流ブロック層側面の起伏は、発光波長の1/20
以下であることがより好ましく、1/30であることが
さらにより好ましい。
ている電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10
以下である点に特徴がある。本明細書において、「電流
ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下であ
る」とは、電流ブロック層側面に存在する起伏を構成し
ている凸部とそれに隣接する凹部の高低差が、半導体発
光装置の発光波長の1/10であることを意味する。こ
のような本発明の特徴的な構成を採用することによっ
て、光導波路内での光出力の損失を低減することができ
る。電流ブロック層側面の起伏は、発光波長の1/20
以下であることがより好ましく、1/30であることが
さらにより好ましい。
【0043】電流ブロック層16の開口部17は、上側
(コンタクト層20側)よりも下側(活性層13側)の
方が小さくなるようにする方が、通過抵抗の低減(動作
電圧および発熱の低減)の観点から好ましい。また、電
流ブロック層17を端面近傍に形成することにより、活
性層の端部への電流注入も抑制することができる。これ
により、端部領域での劣化(特に端面劣化)を低減する
ことができる。
(コンタクト層20側)よりも下側(活性層13側)の
方が小さくなるようにする方が、通過抵抗の低減(動作
電圧および発熱の低減)の観点から好ましい。また、電
流ブロック層17を端面近傍に形成することにより、活
性層の端部への電流注入も抑制することができる。これ
により、端部領域での劣化(特に端面劣化)を低減する
ことができる。
【0044】電流ブロック層16の開口部17は、両端
部まで伸長しているストライプ状の開口部であってもよ
いし、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは
伸長していない開口部であってもよい。開口部が両端部
まで伸長しているストライプ状の開口部である場合は、
開口部端面での光の制御がより容易になり、端面におけ
る横方向の光の拡がりを小さくすることができる。一
方、開口部が端面からある程度内側に入った部分に形成
されている場合は、端面付近で電流を非注入にすること
ができるため、端面での電流の再結合を防ぐとともに、
クラッド層などからの電流の回り込みを最小限にとどめ
ることができる。開口部の構造はこのような利点を考慮
しながら、使用目的に応じて適宜決定することが好まし
い。
部まで伸長しているストライプ状の開口部であってもよ
いし、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは
伸長していない開口部であってもよい。開口部が両端部
まで伸長しているストライプ状の開口部である場合は、
開口部端面での光の制御がより容易になり、端面におけ
る横方向の光の拡がりを小さくすることができる。一
方、開口部が端面からある程度内側に入った部分に形成
されている場合は、端面付近で電流を非注入にすること
ができるため、端面での電流の再結合を防ぐとともに、
クラッド層などからの電流の回り込みを最小限にとどめ
ることができる。開口部の構造はこのような利点を考慮
しながら、使用目的に応じて適宜決定することが好まし
い。
【0045】オフアングルの方向は、電流ブロック層1
6に形成される開口部17の伸びる方向(長手方向)に
直交する方向から、±30°以内の方向が好ましく、±
7°以内の方向がより好ましく、±2°以内の方向が最
も好ましい。また、開口部の方向は、基板の面方位が
(100)の場合、[011]方向又はそれと等価な方
向が、オフアングルの方向は[011]方向またはそれ
と等価な方向から±30°以内の方向が好ましく、±7
°以内の方向がより好ましく、±2°以内の方向が最も
好ましい。なお、本明細書において「[011]方向」
という場合は、一般的なIII−V族、II−VI族半導体に
おいて、(100)面と(011)面との間に存在する
面が、それぞれIII族又はII族元素が現れる面であるよ
うに[011]方向を定義する。
6に形成される開口部17の伸びる方向(長手方向)に
直交する方向から、±30°以内の方向が好ましく、±
7°以内の方向がより好ましく、±2°以内の方向が最
も好ましい。また、開口部の方向は、基板の面方位が
(100)の場合、[011]方向又はそれと等価な方
向が、オフアングルの方向は[011]方向またはそれ
と等価な方向から±30°以内の方向が好ましく、±7
°以内の方向がより好ましく、±2°以内の方向が最も
好ましい。なお、本明細書において「[011]方向」
という場合は、一般的なIII−V族、II−VI族半導体に
おいて、(100)面と(011)面との間に存在する
面が、それぞれIII族又はII族元素が現れる面であるよ
うに[011]方向を定義する。
【0046】本発明では、上記の開口部が[011]方
向又はそれと結晶学的に等価な方向に伸びている場合が
好ましい。開口部が[011]方向又はそれと結晶学的
に等価な方向に伸びている場合は、成長条件により成長
速度に異方性をもたせることができ、(100)面では
速く、(111)B面ではほとんど成長しないようにす
ることができる。[011]方向にストライプ状の保護
膜を形成することにより、(111)B面を側面とする
電流ブロック層16が形成される。
向又はそれと結晶学的に等価な方向に伸びている場合が
好ましい。開口部が[011]方向又はそれと結晶学的
に等価な方向に伸びている場合は、成長条件により成長
速度に異方性をもたせることができ、(100)面では
速く、(111)B面ではほとんど成長しないようにす
ることができる。[011]方向にストライプ状の保護
膜を形成することにより、(111)B面を側面とする
電流ブロック層16が形成される。
【0047】同様の理由により、ウルツァイト型の基板
を用いた場合には、開口部の伸びる方向は、例えば(0
001)面上では[11−20]又は[1−100]が
好ましい。HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)
ではどちらの方向でもよいが、MOVPEでは[11−
20]方向がより好ましい。
を用いた場合には、開口部の伸びる方向は、例えば(0
001)面上では[11−20]又は[1−100]が
好ましい。HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)
ではどちらの方向でもよいが、MOVPEでは[11−
20]方向がより好ましい。
【0048】本発明の半導体光デバイス装置を設計する
に際しては、まず、所望の垂直拡がり角を得るために活
性層の厚みとクラッド層の組成を決定する。通常、垂直
拡がり角を狭くすると活性層からクラッド層への光の浸
みだしが促進され、端面での光密度が小さくなり、出射
端面のCODレベルを向上できるので、高出力動作を必
要とする時には比較的に狭めに設定される。但し、垂直
拡がり角は、活性層内の光閉じ込めの低減による発振し
きい値電流の増大及びキャリアのオーバーフローによる
温度特性の低下を抑制することで制限があり、下限は、
15°以上が好ましく、17°以上がより好ましく、1
9°以上が最も好ましい。上限は、33°以下が好まし
く、31°以下がより好ましく、30°以下が最も好ま
しい。
に際しては、まず、所望の垂直拡がり角を得るために活
性層の厚みとクラッド層の組成を決定する。通常、垂直
拡がり角を狭くすると活性層からクラッド層への光の浸
みだしが促進され、端面での光密度が小さくなり、出射
端面のCODレベルを向上できるので、高出力動作を必
要とする時には比較的に狭めに設定される。但し、垂直
拡がり角は、活性層内の光閉じ込めの低減による発振し
きい値電流の増大及びキャリアのオーバーフローによる
温度特性の低下を抑制することで制限があり、下限は、
15°以上が好ましく、17°以上がより好ましく、1
9°以上が最も好ましい。上限は、33°以下が好まし
く、31°以下がより好ましく、30°以下が最も好ま
しい。
【0049】次に、垂直拡がり角を決定すると、高出力
特性を大きく支配する構造パラメータは活性層と電流ブ
ロック層との間の距離dpと開口部底部における幅(以
下「開口幅」という)Wとなる。なお、活性層と電流ブ
ロック層との間に第2導電型第1クラッド層のみが存在
する場合、dpは第2導電型第1クラッド層の厚みとな
る。また、活性層が量子井戸構造の場合、最も電流ブロ
ック層に近い活性層と電流ブロック層との距離がdpに
なる。
特性を大きく支配する構造パラメータは活性層と電流ブ
ロック層との間の距離dpと開口部底部における幅(以
下「開口幅」という)Wとなる。なお、活性層と電流ブ
ロック層との間に第2導電型第1クラッド層のみが存在
する場合、dpは第2導電型第1クラッド層の厚みとな
る。また、活性層が量子井戸構造の場合、最も電流ブロ
ック層に近い活性層と電流ブロック層との距離がdpに
なる。
【0050】dpについては、上限は0.5μm以下が
好ましく、0.4μm以下がより好ましく、0.3μm
以下がもっとも好ましい。下限は0.03μm以上が好
ましく、0.05μm以上がより好ましく、0.07μ
m以上がもっとも好ましい。ただし、使用目的(拡がり
角をどこに設定するかなど)、材料系(屈折率、抵抗率
等)などが異なると、上記の最適範囲も少しシフトす
る。また、この最適範囲は上記の各構造パラメータがお
互いに影響し合うことにも注意を要する。
好ましく、0.4μm以下がより好ましく、0.3μm
以下がもっとも好ましい。下限は0.03μm以上が好
ましく、0.05μm以上がより好ましく、0.07μ
m以上がもっとも好ましい。ただし、使用目的(拡がり
角をどこに設定するかなど)、材料系(屈折率、抵抗率
等)などが異なると、上記の最適範囲も少しシフトす
る。また、この最適範囲は上記の各構造パラメータがお
互いに影響し合うことにも注意を要する。
【0051】開口部底部における開口幅Wは、上限が1
00μm以下であることが好ましく、50μm以下であ
ることがより好ましい。下限が1μm以上であることが
好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、
2μm以上であることがもっとも好ましい。また、横モ
ードをシングルモード(単一ピークの横方向光強度分
布)にするためには、高次モードのカットオフ及び空間
的ホールバーニングの防止の観点からWをあまり大きく
することができず、Wの上限は7μm以下が好ましく、
5μm以下がより好ましく、3μm以下がもっとも好ま
しい。
00μm以下であることが好ましく、50μm以下であ
ることがより好ましい。下限が1μm以上であることが
好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、
2μm以上であることがもっとも好ましい。また、横モ
ードをシングルモード(単一ピークの横方向光強度分
布)にするためには、高次モードのカットオフ及び空間
的ホールバーニングの防止の観点からWをあまり大きく
することができず、Wの上限は7μm以下が好ましく、
5μm以下がより好ましく、3μm以下がもっとも好ま
しい。
【0052】高出力動作を実現するには、開口部底部に
おける開口幅Wを広くすることが端面での光密度低減の
観点から有効であるが、動作電流を低減するためには開
口幅を狭くすることが、導波路ロス低減の観点から好ま
しい。そこで、ゲイン領域となる中央付近の開口幅W2
を比較的狭くし、端部付近の開口幅W1を比較的広くな
るようにすることにより、低動作電流と高出力動作を同
時に実現することができ、高い信頼性も確保することが
できる(図5(a))。すなわち、端部(劈開面)幅W
1については、上限が1000μm以下であることが好
ましく、500μm以下であるがより好ましい。下限が
2μm以上であることが好ましく、3μm以上であるこ
とがより好ましい。中央部幅W2については、上限が1
00μm以下であることが好ましく、50μm以下であ
ることがより好ましい。下限が1μm以上であることが
好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、
2μm以上であることがもっとも好ましい。端部幅W1
と中央部幅W2の差については、上限は1000μm以
下が好ましく、500μm以下がより好ましい。下限に
ついては、0.2μm以上が好ましく、0.5μm以上
がより好ましい。
おける開口幅Wを広くすることが端面での光密度低減の
観点から有効であるが、動作電流を低減するためには開
口幅を狭くすることが、導波路ロス低減の観点から好ま
しい。そこで、ゲイン領域となる中央付近の開口幅W2
を比較的狭くし、端部付近の開口幅W1を比較的広くな
るようにすることにより、低動作電流と高出力動作を同
時に実現することができ、高い信頼性も確保することが
できる(図5(a))。すなわち、端部(劈開面)幅W
1については、上限が1000μm以下であることが好
ましく、500μm以下であるがより好ましい。下限が
2μm以上であることが好ましく、3μm以上であるこ
とがより好ましい。中央部幅W2については、上限が1
00μm以下であることが好ましく、50μm以下であ
ることがより好ましい。下限が1μm以上であることが
好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、
2μm以上であることがもっとも好ましい。端部幅W1
と中央部幅W2の差については、上限は1000μm以
下が好ましく、500μm以下がより好ましい。下限に
ついては、0.2μm以上が好ましく、0.5μm以上
がより好ましい。
【0053】さらに横モードをシングルモードにするた
めには、端部幅W1の上限は、10μm以下が好まし
く、7μm以下がより好ましい。中央部幅W2の上限
は、7μm以下が好ましく、5μm以下がより好まし
い。端部幅W1と中央部幅W2の差については、上限は
5μm以下が好ましく、3μm以下がより好ましく、2
μm以下が最も好ましい。下限については、0.2μm
以上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。
めには、端部幅W1の上限は、10μm以下が好まし
く、7μm以下がより好ましい。中央部幅W2の上限
は、7μm以下が好ましく、5μm以下がより好まし
い。端部幅W1と中央部幅W2の差については、上限は
5μm以下が好ましく、3μm以下がより好ましく、2
μm以下が最も好ましい。下限については、0.2μm
以上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。
【0054】高い信頼性を維持しつつビームが円形に近
いレーザを達成するためには、上記dpとWを適切な範
囲に制御性良く納めることが必要となる。
いレーザを達成するためには、上記dpとWを適切な範
囲に制御性良く納めることが必要となる。
【0055】円形に近いビームを実現するためには、開
口幅を狭くすることが有効であるが、開口幅を狭くしす
ぎると注入電流密度が高くなり、バルク劣化抑制の観点
から好ましくない。そこで、ゲイン領域となる中央部幅
W2を比較的広くし、端部付近を比較的狭くなるように
することにより、ビームスポット低減と低動作電流を同
時に実現することができ、高い信頼性も確保することが
できる(図5(b))。すなわち、端部(劈開面)幅W
1については、上限が10μm以下であることが好まし
く、5μm以下であるがより好ましく、3μm以下であ
るがもっとも好ましい。下限が0.5μm以上であるこ
とが好ましく、1μm以上であることがより好ましい。
中央部幅W2については、上限が100μm以下である
ことが好ましく、50μm以下であることがより好まし
い。下限が1μm以上であることが好ましく、1.5μ
m以上であることがより好ましく、2μm以上であるこ
とがもっとも好ましい。端部幅W1と中央部幅W2の差
については、上限は100μm以下が好ましく、50μ
m以下がより好ましい。下限については、0.2μm以
上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。
口幅を狭くすることが有効であるが、開口幅を狭くしす
ぎると注入電流密度が高くなり、バルク劣化抑制の観点
から好ましくない。そこで、ゲイン領域となる中央部幅
W2を比較的広くし、端部付近を比較的狭くなるように
することにより、ビームスポット低減と低動作電流を同
時に実現することができ、高い信頼性も確保することが
できる(図5(b))。すなわち、端部(劈開面)幅W
1については、上限が10μm以下であることが好まし
く、5μm以下であるがより好ましく、3μm以下であ
るがもっとも好ましい。下限が0.5μm以上であるこ
とが好ましく、1μm以上であることがより好ましい。
中央部幅W2については、上限が100μm以下である
ことが好ましく、50μm以下であることがより好まし
い。下限が1μm以上であることが好ましく、1.5μ
m以上であることがより好ましく、2μm以上であるこ
とがもっとも好ましい。端部幅W1と中央部幅W2の差
については、上限は100μm以下が好ましく、50μ
m以下がより好ましい。下限については、0.2μm以
上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。
【0056】上記の漸増部分あるいは漸減部分、端部の
長さは所望の特性に応じて、設計すればよいが、漸減部
分の長さは、導波路損失低減の観点から、それぞれ5〜
10μmが好ましく、10〜50μmがより好ましい。
端部の長さは、劈開精度の観点から5〜30μmが好ま
しく、10〜20μmがより好ましい。ただし、必要に
応じて、以下のように窓を作製してもよい。 (1)端部、漸増部分あるいは漸減部分の開口幅あるい
は長さがチップ両側で非対称となるもの。 (2)端部の幅一定となる領域を設定せずに、端部まで
漸増あるいは漸減としたもの。 (3)端面の片側(通常、高出力光取り出し(前端面)
側)だけ開口幅が漸増あるいは漸減するようにしたも
の。 (4)端部開口幅が前端面と後端面とで異なるもの。 (5)上記の(1)〜(4)のいくつかを組み合わせた
もの。
長さは所望の特性に応じて、設計すればよいが、漸減部
分の長さは、導波路損失低減の観点から、それぞれ5〜
10μmが好ましく、10〜50μmがより好ましい。
端部の長さは、劈開精度の観点から5〜30μmが好ま
しく、10〜20μmがより好ましい。ただし、必要に
応じて、以下のように窓を作製してもよい。 (1)端部、漸増部分あるいは漸減部分の開口幅あるい
は長さがチップ両側で非対称となるもの。 (2)端部の幅一定となる領域を設定せずに、端部まで
漸増あるいは漸減としたもの。 (3)端面の片側(通常、高出力光取り出し(前端面)
側)だけ開口幅が漸増あるいは漸減するようにしたも
の。 (4)端部開口幅が前端面と後端面とで異なるもの。 (5)上記の(1)〜(4)のいくつかを組み合わせた
もの。
【0057】また、端面付近に電極を設けないようにし
て、端部近傍の開口部への電流注入によるバルク劣化の
抑制や端面での再結合電流を低減することは、高い信頼
性での小スポット径のレーザ作製の観点から有効であ
る。
て、端部近傍の開口部への電流注入によるバルク劣化の
抑制や端面での再結合電流を低減することは、高い信頼
性での小スポット径のレーザ作製の観点から有効であ
る。
【0058】本発明の半導体光デバイス装置の光出力
は、下限が30mW以上であれば本発明の特徴をより効
果的に利用することができる。少なくとも光出力が30
mW以上で長時間の寿命を確認できれば、高出力動作時
における半導体光デバイス装置の信頼性も高いものとな
る。本発明の半導体光デバイス装置の光出力は、100
mW以上、さらには300mW以上でも長期間使用する
ことができる。
は、下限が30mW以上であれば本発明の特徴をより効
果的に利用することができる。少なくとも光出力が30
mW以上で長時間の寿命を確認できれば、高出力動作時
における半導体光デバイス装置の信頼性も高いものとな
る。本発明の半導体光デバイス装置の光出力は、100
mW以上、さらには300mW以上でも長期間使用する
ことができる。
【0059】本発明の半導体光デバイス装置を製造する
方法は、ダブルヘテロ構造等を結晶成長させることがで
きれば特に制限はなく、上記請求項1の要件を満たすも
のであれば本発明の範囲に含まれる。また電流ブロック
層及び表面保護層の成長方法については、選択成長が可
能であれば特に制限はなく、有機金属気相成長法(MO
CVD法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、ハイ
ドライド或いはハライド気相成長法(VPE法)、液相
成長法(LPE法)等の公知の成長方法を適宜選択して
用いることができる。
方法は、ダブルヘテロ構造等を結晶成長させることがで
きれば特に制限はなく、上記請求項1の要件を満たすも
のであれば本発明の範囲に含まれる。また電流ブロック
層及び表面保護層の成長方法については、選択成長が可
能であれば特に制限はなく、有機金属気相成長法(MO
CVD法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、ハイ
ドライド或いはハライド気相成長法(VPE法)、液相
成長法(LPE法)等の公知の成長方法を適宜選択して
用いることができる。
【0060】本発明の半導体光デバイス装置の製造方法
としては、まず基板11上に第1導電型クラッド層12
及び第2導電型第1クラッド層14と活性層13を有す
るダブルヘテロ構造を形成した後、第2導電型第1クラ
ッド層14上に電流ブロック層16を選択形成させて開
口部17をした後、第2導電型第2クラッド層19を形
成する工程を例示することができる。この製造方法の詳
細やその他の製造方法については、以下の実施例や関連
技術文献から理解することができる。
としては、まず基板11上に第1導電型クラッド層12
及び第2導電型第1クラッド層14と活性層13を有す
るダブルヘテロ構造を形成した後、第2導電型第1クラ
ッド層14上に電流ブロック層16を選択形成させて開
口部17をした後、第2導電型第2クラッド層19を形
成する工程を例示することができる。この製造方法の詳
細やその他の製造方法については、以下の実施例や関連
技術文献から理解することができる。
【0061】各層の具体的成長条件等は、層の組成、成
長方法、装置の形状等に応じて異なるが、MOCVD法
を用いてIII−V族化合物半導体層を成長する場合、ダ
ブルへテロ構造は、成長温度600〜750℃程度、V
/III比50〜150程度(GaAs、InGaAsの
場合)、20〜60程度(AlGaAsの場合)或いは
300〜600程度(InGaAsP、AlGaInP
の場合)、電流ブロック層は成長温度600〜700
℃、V/III比40〜60程度(AlGaAsの場合)
或いは350〜550程度(InGaAsP、AlGa
InPの場合)で行うのが好ましい。
長方法、装置の形状等に応じて異なるが、MOCVD法
を用いてIII−V族化合物半導体層を成長する場合、ダ
ブルへテロ構造は、成長温度600〜750℃程度、V
/III比50〜150程度(GaAs、InGaAsの
場合)、20〜60程度(AlGaAsの場合)或いは
300〜600程度(InGaAsP、AlGaInP
の場合)、電流ブロック層は成長温度600〜700
℃、V/III比40〜60程度(AlGaAsの場合)
或いは350〜550程度(InGaAsP、AlGa
InPの場合)で行うのが好ましい。
【0062】特に保護膜を用いて選択成長する部分がA
lGaAs又はAlGaInPのようにAlを含む場
合、成長中に微量のHClガスを導入することにより、
マスク上へのポリの堆積を防止することができるため非
常に好ましい。Alの組成が高いほど、あるいはマスク
幅あるいはマスク面積比が大きいほど、他の成長条件を
一定とした場合、ポリの堆積を防止し、かつ半導体表面
露出部のみに選択成長を行う(セレクティブモード)の
に必要なHCl導入量は増加する。一方、HClガスの
導入量が多すぎるとAlGaAs層の成長が起こらず、
逆に半導体層がエッチングされてしまうが(エッチング
モード)が、Al組成が高くなるほど他の成長条件を一
定とした場合、エッチングモードになるのに必要なHC
l導入量は増加する。このため、最適なHCl導入量は
トリメチルアルミニウム等のAlを含んだIII族原料供
給モル数に大きく依存する。具体的には、HClの供給
モル数とAlを含んだIII族原料供給モル数の比(HC
l/III族)は、下限は0.01以上が好ましく、0.
05以上がより好ましく、0.1以上が最も好ましい。
上限は、50以下が好ましく、10以下がより好まし
く、5以下が最も好ましい。ただし、Inを含む化合物
半導体層を選択成長(特に、HCl導入)させる場合
は、組成制御が困難になりやすい。
lGaAs又はAlGaInPのようにAlを含む場
合、成長中に微量のHClガスを導入することにより、
マスク上へのポリの堆積を防止することができるため非
常に好ましい。Alの組成が高いほど、あるいはマスク
幅あるいはマスク面積比が大きいほど、他の成長条件を
一定とした場合、ポリの堆積を防止し、かつ半導体表面
露出部のみに選択成長を行う(セレクティブモード)の
に必要なHCl導入量は増加する。一方、HClガスの
導入量が多すぎるとAlGaAs層の成長が起こらず、
逆に半導体層がエッチングされてしまうが(エッチング
モード)が、Al組成が高くなるほど他の成長条件を一
定とした場合、エッチングモードになるのに必要なHC
l導入量は増加する。このため、最適なHCl導入量は
トリメチルアルミニウム等のAlを含んだIII族原料供
給モル数に大きく依存する。具体的には、HClの供給
モル数とAlを含んだIII族原料供給モル数の比(HC
l/III族)は、下限は0.01以上が好ましく、0.
05以上がより好ましく、0.1以上が最も好ましい。
上限は、50以下が好ましく、10以下がより好まし
く、5以下が最も好ましい。ただし、Inを含む化合物
半導体層を選択成長(特に、HCl導入)させる場合
は、組成制御が困難になりやすい。
【0063】本発明の半導体光デバイス装置の製造方法
では、ウェハーを大気中に露出しない状態で電流ブロッ
ク層の形成時に使用した保護膜を除去して、第2導電型
第2クラッド層を形成することが可能である。ウェハー
を大気中に露出しない状態で保護膜及び第2導電第2ク
ラッド層を形成すれば、再成長における表面(開口部の
底面および電流ブロック層の表面)の酸化を防止できる
ことから、半導体光デバイス装置の信頼性をより高める
ことが可能となる。
では、ウェハーを大気中に露出しない状態で電流ブロッ
ク層の形成時に使用した保護膜を除去して、第2導電型
第2クラッド層を形成することが可能である。ウェハー
を大気中に露出しない状態で保護膜及び第2導電第2ク
ラッド層を形成すれば、再成長における表面(開口部の
底面および電流ブロック層の表面)の酸化を防止できる
ことから、半導体光デバイス装置の信頼性をより高める
ことが可能となる。
【0064】セルフアライン型の構造形成や選択成長に
使用する保護膜は、誘電体であることが好ましく、具体
的には、SiNx膜、SiO2膜、SiON膜、Al2O
3膜、ZnO膜、SiC膜及びアモルファスSiからな
る群から選択される。保護膜は、マスクとしてMOCV
Dなどを用いてセルフアライン型構造を選択再成長によ
り形成する場合に用いられる。
使用する保護膜は、誘電体であることが好ましく、具体
的には、SiNx膜、SiO2膜、SiON膜、Al2O
3膜、ZnO膜、SiC膜及びアモルファスSiからな
る群から選択される。保護膜は、マスクとしてMOCV
Dなどを用いてセルフアライン型構造を選択再成長によ
り形成する場合に用いられる。
【0065】本発明の半導体光デバイス装置を利用した
半導体レーザ装置として、情報処理用光源(通常AlG
aAs系(波長780nm近傍)、AlGaInP系
(波長600nm帯)、InGaN系(波長400nm
近傍))、通信用信号光源(通常InGaAsPあるい
はInGaAsを活性層とする1.3μm帯、1.5μ
m帯)レーザ、ファイバー励起用光源(InGaAs歪
み量子井戸活性層/GaAs基板を用いる980nm近
傍、InGaAsP歪み量井戸活性層/InP基板を用
いる1480nm近傍など)レーザなどの通信用半導体
レーザ装置など、特に高出力動作が求められる多用な装
置を挙げることができる。また、通信用レーザでも、円
形に近いレーザはファイバーとの結合効率を高める点で
有効である。また、遠視野像が単一ピークであるもの
は、情報処理や光通信などの幅広い用途に好適なレーザ
として供することができる。
半導体レーザ装置として、情報処理用光源(通常AlG
aAs系(波長780nm近傍)、AlGaInP系
(波長600nm帯)、InGaN系(波長400nm
近傍))、通信用信号光源(通常InGaAsPあるい
はInGaAsを活性層とする1.3μm帯、1.5μ
m帯)レーザ、ファイバー励起用光源(InGaAs歪
み量子井戸活性層/GaAs基板を用いる980nm近
傍、InGaAsP歪み量井戸活性層/InP基板を用
いる1480nm近傍など)レーザなどの通信用半導体
レーザ装置など、特に高出力動作が求められる多用な装
置を挙げることができる。また、通信用レーザでも、円
形に近いレーザはファイバーとの結合効率を高める点で
有効である。また、遠視野像が単一ピークであるもの
は、情報処理や光通信などの幅広い用途に好適なレーザ
として供することができる。
【0066】さらに、本発明の半導体光デバイス装置
は、半導体レーザ以外に半導体光増幅器、光検出器、光
変調器、光スイッチなどの光素子及びこれらの集積装置
についても応用が可能である。また、本発明は半導体レ
ーザ以外に端面発光型などの発光ダイオード(LED)
としても応用可能である。
は、半導体レーザ以外に半導体光増幅器、光検出器、光
変調器、光スイッチなどの光素子及びこれらの集積装置
についても応用が可能である。また、本発明は半導体レ
ーザ以外に端面発光型などの発光ダイオード(LED)
としても応用可能である。
【0067】
【実施例】以下に具体例を挙げて、本発明をさらに詳細
に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操
作等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更するこ
とができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具
体例に制限されるものではない。
に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操
作等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更するこ
とができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具
体例に制限されるものではない。
【0068】(実施例)本実施例において、図3に示す
順に各層を形成することにより半導体光デバイス装置の
一つである半導体発光素子を製造した。なお図3(a)〜
図3(d)には、構造を把握しやすくするために敢えて
寸法を変えている部分があるが、実際の寸法は以下の文
中に記載されるとおりである。
順に各層を形成することにより半導体光デバイス装置の
一つである半導体発光素子を製造した。なお図3(a)〜
図3(d)には、構造を把握しやすくするために敢えて
寸法を変えている部分があるが、実際の寸法は以下の文
中に記載されるとおりである。
【0069】厚さ350μmで表面が(100)面であ
るn型GaAs(n=1×1018cm-3)基板301上
に、MOCVD法により、厚さ2.0μmのn型Al
0.4Ga0.6As(Siドープ:n=1×1018cm-3)
からなるn型クラッド層302、厚さ30nmのGaA
s光閉じ込め層(ノンドープ)、厚さ6nmのIn0. 2
Ga0.8As井戸層(ノンドープ)、厚さ8nmのGa
Asバリア層(ノンドープ)、厚さ6nmのIn0.2G
a0.8As井戸層(ノンドープ)及び厚さ30nmのG
aAs光閉じ込め層(ノンドープ)を順次積層してなる
二重量子井戸(DQW)活性層303、厚さ0.1μm
のp型Al0.4Ga0.6As(Znドープ:p=1×10
18cm-3)からなるp型第1クラッド層304、厚さ1
0nmのp型GaAs(Znドープ:p=1×1018c
m-3)酸化防止層305を順次積層することにより、ダ
ブルヘテロ構造を形成した(図3(a))。
るn型GaAs(n=1×1018cm-3)基板301上
に、MOCVD法により、厚さ2.0μmのn型Al
0.4Ga0.6As(Siドープ:n=1×1018cm-3)
からなるn型クラッド層302、厚さ30nmのGaA
s光閉じ込め層(ノンドープ)、厚さ6nmのIn0. 2
Ga0.8As井戸層(ノンドープ)、厚さ8nmのGa
Asバリア層(ノンドープ)、厚さ6nmのIn0.2G
a0.8As井戸層(ノンドープ)及び厚さ30nmのG
aAs光閉じ込め層(ノンドープ)を順次積層してなる
二重量子井戸(DQW)活性層303、厚さ0.1μm
のp型Al0.4Ga0.6As(Znドープ:p=1×10
18cm-3)からなるp型第1クラッド層304、厚さ1
0nmのp型GaAs(Znドープ:p=1×1018c
m-3)酸化防止層305を順次積層することにより、ダ
ブルヘテロ構造を形成した(図3(a))。
【0070】次に、このダブルヘテロ基板の表面に厚さ
0.1μmのSiNx保護膜をプラズマCVDにより堆
積させ、フォトリソグラフィーにより[011]A方向
を長手方向とするストライプ状の保護膜306を形成し
た。ストライプ状のSiNx保護膜306の横幅は2μ
mとし、ストライプ状の保護膜306の横方向スペース
間隔は約350μmとした(図3(b))。
0.1μmのSiNx保護膜をプラズマCVDにより堆
積させ、フォトリソグラフィーにより[011]A方向
を長手方向とするストライプ状の保護膜306を形成し
た。ストライプ状のSiNx保護膜306の横幅は2μ
mとし、ストライプ状の保護膜306の横方向スペース
間隔は約350μmとした(図3(b))。
【0071】上記のストライプ状のSiNx保護膜30
6の両側にMOCVD法を用いた選択成長により、厚さ
0.6μmのn型Al0.45Ga0.55As(Siドープ:
n=1×1018cm-3)からなる電流ブロック層307
及び厚さ10nmのn型GaAs表面保護層(Siドー
プ:n=1×1018cm-3)308を形成した(図3
(c))。このとき、SiNx保護膜306の両脇に
(111)B面(B面はAs面を意味する)からなる開
口部側面が形成された。SiNx保護膜306のストラ
イプ方向を[011]A方向に選択することにより、保
護膜上への横方向成長を抑制できかつ開口部側面のファ
セット面を非常に平坦にすることができた。
6の両側にMOCVD法を用いた選択成長により、厚さ
0.6μmのn型Al0.45Ga0.55As(Siドープ:
n=1×1018cm-3)からなる電流ブロック層307
及び厚さ10nmのn型GaAs表面保護層(Siドー
プ:n=1×1018cm-3)308を形成した(図3
(c))。このとき、SiNx保護膜306の両脇に
(111)B面(B面はAs面を意味する)からなる開
口部側面が形成された。SiNx保護膜306のストラ
イプ方向を[011]A方向に選択することにより、保
護膜上への横方向成長を抑制できかつ開口部側面のファ
セット面を非常に平坦にすることができた。
【0072】次に、矩形状のSiNx保護膜306をエ
ッチングにより除去した。このとき、SiNx膜306
の除去には緩衝フッ酸液などのウェットエッチングもし
くはSF6、CF4などのガスを用いたドライエッチング
を用いた。その後、再びMOCVD法により厚さ2.0
μmのp型Al0.4Ga0.6As(Znドープ:p=1×
1018cm-3)からなるp型第2クラッド層309及び
厚さ3.0μmのp型GaAs(Znドープ:p=2×
1019cm-3)からなるコンタクト層310を成長させ
た。
ッチングにより除去した。このとき、SiNx膜306
の除去には緩衝フッ酸液などのウェットエッチングもし
くはSF6、CF4などのガスを用いたドライエッチング
を用いた。その後、再びMOCVD法により厚さ2.0
μmのp型Al0.4Ga0.6As(Znドープ:p=1×
1018cm-3)からなるp型第2クラッド層309及び
厚さ3.0μmのp型GaAs(Znドープ:p=2×
1019cm-3)からなるコンタクト層310を成長させ
た。
【0073】なお、上記MOCVD法において、III族
原料としてトリメチルガリウム(TMG)、トリメチル
インジウム(TMI)及びトリメチルアルミニウム(T
MA)を、V族原料としてアルシン及びホスフィンを、
キャリアガスとして水素をそれぞれ用いた。また、p型
ドーパントにはジメチル亜鉛(DEZ)を、n型ドーパ
ントにはジシランをそれぞれ用いた。さらにn型Al
0.45Ga0.55As電流ブロック層の成長時には、SiN
x保護膜上へのポリの堆積を抑制するために、HClガ
スを用いた。
原料としてトリメチルガリウム(TMG)、トリメチル
インジウム(TMI)及びトリメチルアルミニウム(T
MA)を、V族原料としてアルシン及びホスフィンを、
キャリアガスとして水素をそれぞれ用いた。また、p型
ドーパントにはジメチル亜鉛(DEZ)を、n型ドーパ
ントにはジシランをそれぞれ用いた。さらにn型Al
0.45Ga0.55As電流ブロック層の成長時には、SiN
x保護膜上へのポリの堆積を抑制するために、HClガ
スを用いた。
【0074】この後、p側の電極311を蒸着し、基板
を100μmまで薄くした後に、n側電極312を蒸着
し、アロイした(図3(d))。こうして作製したウェ
ハーを劈開して、レーザ光出射端面を形成(1次劈開)
するようにチップバーに切り出し、端面窓構造レーザを
作製した。このときの共振器長は740μmとした。前
端面5%−後端面95%の非対称コーティングを施した
後、2次劈開によりチップに分離した。チップをジャン
クションダウンで組み立てした後、25℃で連続通電
(CW)にて電流−光出力、電流−電圧特性を測定し
た。
を100μmまで薄くした後に、n側電極312を蒸着
し、アロイした(図3(d))。こうして作製したウェ
ハーを劈開して、レーザ光出射端面を形成(1次劈開)
するようにチップバーに切り出し、端面窓構造レーザを
作製した。このときの共振器長は740μmとした。前
端面5%−後端面95%の非対称コーティングを施した
後、2次劈開によりチップに分離した。チップをジャン
クションダウンで組み立てした後、25℃で連続通電
(CW)にて電流−光出力、電流−電圧特性を測定し
た。
【0075】このようにして作製した半導体レーザ素子
は、動作電流の増加とともに光出力が増加し、約500
mWまでキンクフリーでかつ約650mWまでCODせ
ずに光出力が得られた。しかし、それ以上に動作電流を
増加させても光出力は増加せず、素子自体の発熱による
熱飽和によって光出力が制限された。発振波長は平均9
79nm、しきい値電流は平均20mA、スロープ効率
は平均0.85mW/mAであり、特性は非常に良好で
あった。また、300mW出力時における垂直広がり角
は平均28°、水平拡がり角は平均8.5°であった。
このとき、非点隔差は2μm以下と非常に小さくするこ
とができ、光ファイバーとの光結合特性に優れた光源と
なることが判明した。さらに、高い信頼性(70℃、3
00mWの高温、高出力における3000時間以上の安
定動作)が得られることが判明した。また、電流注入の
ための開口部を選択成長により形成したので、開口部の
側面の起伏も少なく(20nm以下)、また開口幅の均
一性を高めることができ、上記の半導体レーザ素子を高
歩留まりで作製することができた。なお、側面の起状は
原子間力顕微鏡(AFM)により測定を行った。
は、動作電流の増加とともに光出力が増加し、約500
mWまでキンクフリーでかつ約650mWまでCODせ
ずに光出力が得られた。しかし、それ以上に動作電流を
増加させても光出力は増加せず、素子自体の発熱による
熱飽和によって光出力が制限された。発振波長は平均9
79nm、しきい値電流は平均20mA、スロープ効率
は平均0.85mW/mAであり、特性は非常に良好で
あった。また、300mW出力時における垂直広がり角
は平均28°、水平拡がり角は平均8.5°であった。
このとき、非点隔差は2μm以下と非常に小さくするこ
とができ、光ファイバーとの光結合特性に優れた光源と
なることが判明した。さらに、高い信頼性(70℃、3
00mWの高温、高出力における3000時間以上の安
定動作)が得られることが判明した。また、電流注入の
ための開口部を選択成長により形成したので、開口部の
側面の起伏も少なく(20nm以下)、また開口幅の均
一性を高めることができ、上記の半導体レーザ素子を高
歩留まりで作製することができた。なお、側面の起状は
原子間力顕微鏡(AFM)により測定を行った。
【0076】
【発明の効果】開口部に面している電流ブロック層側面
の起伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とす
る本発明の半導体光デバイス装置は、導波路内における
光損失を効果的に抑制することができる。また、本発明
の半導体光デバイス装置は、該開口部の側面における第
2導電型第2クラッド層の結晶成長の質が良好であるた
め、該開口部での電気抵抗を減少でき、かつ、熱抵抗の
発生も抑えることができる。これにより本発明の半導体
光デバイス装置であれば、出力飽和やCODの発生を防
止できるとともに、高出力動作時における信頼性を高め
ることができる。このため、本発明の半導体光デバイス
装置は、半導体レーザをはじめとする広範な分野に応用
できるものであり、特に光通信システムに用いる光ファ
イバー増幅器励起用光源に適している。
の起伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とす
る本発明の半導体光デバイス装置は、導波路内における
光損失を効果的に抑制することができる。また、本発明
の半導体光デバイス装置は、該開口部の側面における第
2導電型第2クラッド層の結晶成長の質が良好であるた
め、該開口部での電気抵抗を減少でき、かつ、熱抵抗の
発生も抑えることができる。これにより本発明の半導体
光デバイス装置であれば、出力飽和やCODの発生を防
止できるとともに、高出力動作時における信頼性を高め
ることができる。このため、本発明の半導体光デバイス
装置は、半導体レーザをはじめとする広範な分野に応用
できるものであり、特に光通信システムに用いる光ファ
イバー増幅器励起用光源に適している。
【0077】また、本発明の半導体光デバイス装置の製
造方法では、電流ブロック層を選択成長させることによ
り開口部を形成可能であるため、製造工程において高歩
留まりで装置を製作でき、特に構造設計マージンの小さ
い半導体光デバイス装置の製作に有利となる。さらに、
本発明の半導体光デバイス装置の製造方法では、保護膜
の除去及び第2導電型クラッド層の形成を大気中に露出
しないで行うことが可能なため、再成長表面の酸化を防
止でき、半導体光デバイス装置の信頼性をより高められ
る。
造方法では、電流ブロック層を選択成長させることによ
り開口部を形成可能であるため、製造工程において高歩
留まりで装置を製作でき、特に構造設計マージンの小さ
い半導体光デバイス装置の製作に有利となる。さらに、
本発明の半導体光デバイス装置の製造方法では、保護膜
の除去及び第2導電型クラッド層の形成を大気中に露出
しないで行うことが可能なため、再成長表面の酸化を防
止でき、半導体光デバイス装置の信頼性をより高められ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図2】 図1に示した本発明の半導体光デバイス装置
の一実施例の一工程の斜視図及び開口部側面の核大図で
ある。
の一実施例の一工程の斜視図及び開口部側面の核大図で
ある。
【図3】 本発明の半導体光デバイス装置の製造工程の
一例を説明する工程図である。
一例を説明する工程図である。
【図4】 従来の一般的なセルフアライン導波路型スト
ライプ構造を示す断面図である。
ライプ構造を示す断面図である。
【図5】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の
上面図である。
上面図である。
11: 基板 12: 第1導電型クラッド層 13: 活性層 14: 第2導電型第1クラッド層 15: 酸化防止層 16: 電流ブロック層 17: 開口部 18: 表面保護層 19: 第2導電型第2クラッド層 20: コンタクト層 41: 基板 42: 第1導電型クラッド層 43: 活性層 44: 酸化防止層 45: 開口部 46: 電流ブロック層 47: 第2導電型クラッド層 48: コンタクト層 51、55: 光閉じ込め層 52、54: 井戸層 53: バリア層 301: 基板 302: n型クラッド層 303: 活性層 304: p型クラッド層 305: p型酸化防止層 306: SiNx保護膜 307: 電流ブロック層 308: 表面保護層 309: p型第2クラッド層 310: コンタクト層 311: p側電極 312: n側電極 W1: 端部幅 W2: 中央部幅
Claims (20)
- 【請求項1】 基板、該基板上に形成された第1導電型
クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活
性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド
層、該第2導電第1クラッド層上に形成された開口部を
有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも該
開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2
導電型第2クラッド層からなる半導体光デバイス装置で
あって、該開口部に面している電流ブロック層側面の起
伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とする半
導体光デバイス装置。 - 【請求項2】 前記基板の主面が(100)面であり、
前記開口部の長手方向が[011]方向であることを特
徴とする請求項1に記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項3】 前記基板の主面が(100)面であり、
前記電流ブロック層の側面が(111)B面近傍からな
ることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体光デ
バイス装置。 - 【請求項4】 前記活性層がInGaAs量子井戸から
なることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の
半導体光デバイス装置。 - 【請求項5】 前記第2導電型第1クラッド層の上側に
酸化防止層を形成することを特徴とする請求項1〜4の
いずれかに記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項6】 前記酸化防止層が前記活性層で発光した
発光波長に対して透明であることを特徴とする請求項5
に記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項7】 前記酸化防止層がGaAsからなること
を特徴とする請求項5又は6に記載の半導体光デバイス
装置。 - 【請求項8】 前記電流ブロック層の屈折率が前記第2
導電型第2クラッド層の屈折率よりも小さいことを特徴
とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体光デバイ
ス装置。 - 【請求項9】 前記電流ブロック層が、少なくとも第1
導電型又は高抵抗の半導体層で構成されていることを特
徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体光デバ
イス装置。 - 【請求項10】 前記第2導電型第2クラッド層がAl
xGa1-xAs(0.30≦x<1)、前記電流ブロック
層がAlyGa1-yAs(0.35≦y≦1)からなるこ
とを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体
光デバイス装置。 - 【請求項11】 前記電流ブロック層と前記第2導電型
第2クラッド層とが、AlGaAsからなることを特徴
とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体光デバイ
ス装置。 - 【請求項12】 前記開口部から前記活性層に電流が注
入されることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに
記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項13】 前記開口部が両端部まで伸長している
ストライプ状の開口部であることを特徴とする請求項1
〜12のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項14】 前記開口部が一方の端部まで伸長して
いるが他方の端部までは伸長していない開口部であるこ
とを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の半導
体光デバイス装置。 - 【請求項15】 前記半導体光デバイス装置の光出力が
30mW以上であることを特徴とする請求項1〜14の
いずれかに記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項16】 前記半導体光デバイス装置が、光ファ
イバー増幅器励起用光源として用いられることを特徴と
する請求項1〜15のいずれかに記載の半導体光デバイ
ス装置。 - 【請求項17】 前記半導体光デバイス装置が光ファイ
バー増幅器として用いられることを特徴とする請求項1
〜16のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。 - 【請求項18】 前記電流ブロック層を保護膜で覆われ
ていない表面上に選択成長することにより形成する工程
を含むことを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記
載の半導体光デバイス装置の製造方法。 - 【請求項19】 前記保護膜の側面の起伏が発光波長の
1/10以下であることを特徴とする請求項18に記載
の半導体光デバイス装置の製造方法。 - 【請求項20】 前記電流ブロック層形成後のウェハー
を大気中に露出しない状態で前記電流ブロック層形成時
に使用した保護膜を除去し、次いで大気中に露出しない
状態で第2導電型第2クラッド層を形成することを特徴
とする請求項18又は19に記載の半導体光デバイス装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000166010A JP2001345515A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000166010A JP2001345515A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 |
Publications (1)
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