CN102157535B - 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备 - Google Patents

半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102157535B
CN102157535B CN201110023602.5A CN201110023602A CN102157535B CN 102157535 B CN102157535 B CN 102157535B CN 201110023602 A CN201110023602 A CN 201110023602A CN 102157535 B CN102157535 B CN 102157535B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gate electrode
substrate
area
insulating barrier
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110023602.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102157535A (zh
Inventor
田谷圭司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to CN201510397013.1A priority Critical patent/CN105070731B/zh
Publication of CN102157535A publication Critical patent/CN102157535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102157535B publication Critical patent/CN102157535B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明的实施例提供一种半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备。该半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。

Description

半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备
技术领域
本发明涉及半导体装置、制造半导体装置的方法以及固态成像设备。更具体地，本发明涉及包括形成有硅化物层的晶体管的半导体装置、制造该半导体装置的方法以及固态成像设备。
背景技术
将作为图像信号的图像光转换成电信号的典型固态成像装置包括CCD图像传感器和MOS图像传感器。
在MOS图像传感器中，在公用基板上提供成像区域和周边电路区域，成像区域包括光接收单元(光敏二极管)，其通过光辐射而产生电荷，周边电路区域读取成像区域中产生的电荷作为电信号(在大多数情况下为电压信号)。这里，像素晶体管(MOS晶体管)形成在成像区域中，并且周边晶体管(MOS晶体管)形成在周边电路区域中。
近年来随着固态成像装置驱动速度的进一步提高，希望周边晶体管也以高速度驱动。为了改善周边晶体管的操作速度以满足这样的要求，诸如国际公开No.03/096421的专利文件公开了在周边晶体管的栅极电极、源极区域和漏极区域的每个表面上形成硅化物层的技术，该硅化物层为诸如Ti或Co和Si的难熔金属的化合物。
硅化物层通过在源极区域或漏极区域的表面上形成难熔金属层且使硅与难熔金属反应而形成。然而，硅与难熔金属的不完全反应以及以一定概率发生的未反应难熔金属的扩散可能导致诸如白斑的金属污染。
因此，优选硅化物层不形成在成像区域中的构造。就是说，优选这样的构造，其中硅化物层形成在周边电路区域中提供的晶体管中，而硅化物层不形成在成像区域中提供的晶体管中。
作为仅在周边电路区域中的晶体管中形成硅化物层方法的一个示例，可能想到除了侧壁外仅在成像区域中形成阻挡层以防止难熔金属接触硅基板。
具体地讲，如图17A所示，栅极电极101形成在硅基板100上，其间具有栅极绝缘层(未示出)，氧化物层102形成在栅极电极101之上，并且氮化物层103进一步形成在氧化物层102之上。应当注意的是，通过对氧化物层102和氮化物层103进行回蚀刻工艺形成侧壁。通过为以这样的方式构造的晶体管仅在成像区域104中形成用作阻挡层的氮化物层105，硅化物层可以仅形成在周边电路区域106中的晶体管中。
作为仅在周边电路区域中的晶体管中形成硅化物层方法的另一个示例，可想到在成像区域中形成防止难熔金属接触硅基板的阻挡层作为形成侧壁层的一部分。
具体地讲，如图17B所示，栅极电极101形成在硅基板100上，其间具有栅极绝缘层(未示出)，并且用作阻挡层的氮化物层105形成在栅极电极101之上。此外，氮化物层103形成在氮化物层105之上。应当注意的是，通过对氮化物层105和氮化物层103进行回蚀刻工艺形成侧壁，并且氮化物层105和氮化物层103从周边电路区域106中的晶体管的源极区域和漏极区域去除。
因为仅暴露硅基板100的周边电路区域106中晶体管的源极区域和漏极区域的表面，所以硅化物层可以仅形成在周边电路区域106中的晶体管中。
发明内容
然而，上述除了侧壁外仅在成像区域中形成阻挡层的方法导致步骤数的增加。再者，形成阻挡层的布局受到限制。
另一方面，在成像区域中形成阻挡层作为形成侧壁的层的一部分的上述方法中，通过阻挡层执行离子注入，以便在成像区域中形成晶体管的源极区域或漏极区域。通过阻挡层执行离子注入极难控制，并且可能导致特性劣化。
再者，当氮化物层用作阻挡层时，发生碰撞效应(knock-on effect)，其中氮化物层中的氮原子在通过阻挡层的离子注入时通过离子轰击射入硅基板，造成诸如白斑的缺陷，从而特性劣化。
所希望的是，提供能够提供具有稳定质量的产品而不增加步骤数的半导体装置、制造半导体装置的方法以及固态成像设备。
根据本发明实施例的半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在基板的第一区域中以覆盖栅极电极；侧壁，在栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成绝缘层前，在基板的第一区域中形成的栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成侧壁后，在基板的第二区域中形成的栅极电极的侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在基板的第二杂质区域的表面上。
因为第一杂质区域在用作阻挡层的绝缘层形成前通过在基板的第一区域中形成的栅极电极的周边区域中注入第一杂质而形成，并且不通过阻挡层执行离子注入，所以可以防止半导体装置的特性劣化。
再者，由于侧壁形成为至少部分地包括用作阻挡层的诸如氮化物层的绝缘层，可以减少制造步骤的数量。就是说，因为在制造半导体装置时，阻挡层可以形成为侧壁的一部分，而不是除侧壁外还形成阻挡层，所以，可以减少制造步骤的数量。
应当注意的是，还在第二区域中提供的栅极电极的表面上形成硅化物层，可以进一步改善晶体管的运行速度。
根据本发明另一个实施例的制造半导体装置的方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极，该基板包括不形成硅化物层的第一区域和形成硅化物层的第二区域，在该基板和该栅极电极之间具有栅极绝缘层；在第一区域中形成的栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质形成第一杂质区域；在形成有第一杂质区域的基板中，形成具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度的绝缘层以覆盖栅极电极；在栅极电极的侧面形成至少部分地包括该绝缘层的侧壁；在绝缘层对应于该第二区域中形成的栅极电极的侧壁的周边区域的区域中形成开口部分，以暴露基板的表面；在包括形成有开口部分的绝缘层的基板的第二区域中通过注入第二杂质形成第二杂质区域；以及在形成有开口部分的绝缘层之上形成能够硅化反应的金属层并进行硅化反应而形成硅化物层。
通过在用作阻挡层的诸如氮化物层的绝缘层形成在基板中前注入第一杂质形成第一杂质区域，可以不通过阻挡层执行离子注入，从而防止半导体装置的特性劣化。
再者，由于侧壁在栅极电极的侧面形成为至少部分地包括用作阻挡层的诸如氮化物层的绝缘层，可以减少制造步骤的数量。就是说，通过形成阻挡层作为侧壁的一部分而不是除侧壁之外另外形成阻挡层，可以减少制造步骤的数量。
应当注意的是，通过在第一区域中形成的栅极电极的周边区域中注入第一杂质形成第一杂质区域，晶体管的源极区域和漏极区域可以形成在基板的第一区域中。同样，通过在包括形成有开口部分的绝缘层的基板的第二区域中注入第二杂质形成第二杂质区域，晶体管的源极区域和漏极区域可以形成在基板的第二区域中。
再者，在形成绝缘层的开口部分时，通过对绝缘层对应于第二区域中形成的栅极电极的区域进行开口以暴露栅极电极的表面，硅化物层还可以形成在栅极电极的表面上，以进一步改善晶体管的运行速度。
根据本发明再一实施例的固态成像设备包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在基板的成像区域中以覆盖栅极电极；侧壁，在栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成绝缘层前，在基板的成像区域中形成的栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成侧壁后，在基板的周边电路区域中形成的栅极电极的侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；硅化物层，形成在基板的第二杂质区域的表面上；以及光学***，将入射光引导到成像区域。
因为第一杂质区域在形成用作阻挡层的绝缘层前通过在基板的成像区域中形成的栅极电极的周边区域中注入第一杂质而形成，而不是通过阻挡层执行离子注入，所以可以防止固态成像设备的特性劣化。
再者，由于侧壁形成为至少部分地包括用作阻挡层的诸如氮化物层的绝缘层，可以减少制造步骤的数量。就是说，因为在制造固态成像设备时，阻挡层可以形成为侧壁的一部分，而不是除了侧壁外另外形成阻挡层，所以可以减少制造步骤的数量。
应当注意的是，还在周边电路区域中提供的栅极电极的表面上形成硅化物层，可以进一步改善晶体管的运行速度。
对于根据本发明实施例的半导体装置、制造半导体装置的方法和固态成像设备，可以提供高质量的产品而不增加步骤数量，同时进一步防止特性劣化。
附图说明
图1是图解作为根据本发明实施例的半导体装置示例的MOS图像传感器的示意图。
图2A是图解像素的电路构造的示意图。
图2B是图解像素的另一个电路构造的示意图。
图3是图解沿着图1中的A-A线剖取的CMOS逻辑电路单元的示意性截面图。
图4是图解沿着图1中的A-A线剖取的像素的示意性截面图。
图5A和5B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图6A和6B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图7A和7B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图8A和8B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图9A和9B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图10A和10B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图11A和11B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图12A和12B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图13A和13B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图14A和14B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图15A和15B是图解根据本发明实施例的制造半导体装置的方法示例的示意图。
图16是图解作为根据本发明另一个实施例的固态成像设备示例的照相机的示意图。
图17A和17B是图解仅在周边电路区域中的晶体管中形成硅化物层的方法的示意图。
具体实施方式
下面，将以以下顺序描述实施本发明的方式(在下文，称为实施例)。
1.实施例(MOS图像传感器的描述)
2.另一个实施例(照相机***的描述)
3.修改示例
<1.实施例>
[MOS图像传感器的构造]
图1是图解作为根据本发明实施例的半导体装置示例的MOS图像传感器的示意图。这里示出的MOS图像传感器1包括成像区域3，其中由作为传感器单元的光敏二极管和多个MOS晶体管构造的多个像素2排列成矩阵。MOS图像传感器1还包括CMOS逻辑电路单元4和5以及模拟电路6和7作为成像区域3的周边中形成的周边电路区域。
MOS图像传感器1由成像区域3和周边CMOS逻辑电路单元4和5以及模拟电路6和7构造，设置在公用的半导体基板上成为一个芯片。
应当注意的是，成像区域3是其中没有形成硅化物层的第一区域的示例，并且CMOS逻辑电路单元4和5以及模拟电路6和7的周边电路区域是其中形成有硅化物层的第二区域的示例。
尽管形成像素2的MOS晶体管的数量根据像素构造而不同，但是至少提供驱动光敏二极管的MOS晶体管和输出光敏二极管信号的信号输出MOS晶体管。
应当注意的是，用于驱动光敏二极管的MOS晶体管称为读取MOS晶体管，用于读取光敏二极管的信号电荷。
图2A是图解像素2的电路构造示例的示意图。这里所示的像素2除了光敏二极管111外具有包括三个像素晶体管的像素电路，该三个像素晶体管为转移晶体管112、复位晶体管113和放大晶体管114。
这里应当注意的是，n沟道MOS晶体管用作像素晶体管112至114的情况作为示例。
转移晶体管112连接在光敏二极管111的阴极和浮置扩散(FD)单元116之间。转移晶体管112通过给栅极施加转移脉冲φTRG而将从光电转换获得且存储在光敏二极管111中的信号电荷(电子)转移到FD单元116。
复位晶体管113的漏极和源极分别连接到选择电源SELVDD和FD单元116。复位晶体管113在从光敏二极管111到FD单元116转移信号电荷前通过给栅极施加复位脉冲φRST而复位FD单元116的电位。
应当注意的是，选择电源SELVDD是选择地采用VDD位和GND位作为电源电压的电源。
放大晶体管114具有源跟随器构造(source follower configuration)，其中栅极、漏极和源极分别连接到FD单元116、选择电源SELVDD和垂直信号线121。当选择电源SELVDD转换到VDD位时，放大晶体管114转换到操作状态，以选择像素2，并且在由复位晶体管113复位为复位电位后，输出FD单元116的电位到垂直信号线121。此外，在由转移晶体管112转移信号电荷作为信号电位后，放大晶体管114输出FD单元116的电位到垂直信号线121。
图3是图解沿着图1中的A-A线剖取的CMOS逻辑电路单元4的示意性截面图，而图4是图解沿着图1中的A-A线剖取的像素2的示意性截面图。
在这里所示的MOS图像传感器1中，隔离区域12形成在n型半导体基板11中，形成成像区域3的像素2形成在n型半导体基板11的适当区域中，并且CMOS逻辑电路单元4形成在n型半导体基板11的另一个适当区域中。
首先，在CMOS逻辑电路单元4中，引入p型杂质的p型半导体阱区域20形成在n型半导体基板11中的深层位置，如图3所示。在附图中的参考标号13所示的第一MOS晶体管形成区域中，p型半导体阱区域21从n型半导体基板11的表面向下形成到p型半导体阱区域20。以类似的方式，在附图中的参考标号15所示的第三MOS晶体管形成区域中，p型半导体阱区域23从n型半导体基板11的表面向下形成到p型半导体阱区域20。此外，在附图中的参考标号14所示的第二MOS晶体管形成区域中，n型半导体阱区域22从n型半导体基板11的表面向下形成到p型半导体阱区域20。以类似的方式，在附图中的参考标号16所示的第四MOS晶体管形成区域中，n型半导体阱区域24从n型半导体基板11的表面向下形成到p型半导体阱区域20。
由多晶硅层形成的栅极电极301和302形成在p型半导体阱区域21上和n型半导体阱区域22上且其间有栅极绝缘层281。在p型半导体阱区域21中，具有由n-区域311和n+区域421形成的LDD结构的源极区域和漏极区域形成为跨越栅极电极301，以形成n沟道MOS晶体管Tr1。此外，在n型半导体阱区域22中，具有由p-区域312和p+区域422形成的LDD结构的源极区域和漏极区域形成为跨越栅极电极302，以形成p沟道MOS晶体管Tr2。
应当注意的是，n沟道MOS晶体管Tr1和p沟道MOS晶体管Tr2形成了CMOS晶体管。
再者，由多晶硅层形成的栅极电极303和304形成在p型半导体阱区域23上和n型半导体阱区域24上且其间有栅极绝缘层282。此外，在p型半导体阱区域23中，具有由n-区域313和n+区域423形成的LDD结构的源极区域和漏极区域形成为跨越栅极电极303，以形成n沟道MOS晶体管Tr3。在n型半导体阱区域24中，具有由p-区域314和p+区域424形成的LDD结构的源极区域和漏极区域形成为跨越栅极电极304，以形成p沟道MOS晶体管Tr4。
应当注意的是，n沟道MOS晶体管Tr3和p沟道MOS晶体管Tr4形成了CMOS晶体管。
在各MOS晶体管Tr1至Tr4的栅极电极301至304的侧面，形成具有三层结构的侧壁39，其中依次堆叠第一绝缘层35、第二绝缘层36和第三绝缘层38。具体地讲，氧化硅层用作第一绝缘层35和第三绝缘层38且氮化硅层用作第二绝缘层36的情况可以作为示例。
此外，在各MOS晶体管Tr1至Tr4的栅极电极301至304的表面和源极区域和漏极区域的表面上，形成难熔金属硅化物层44。
应当注意的是，钨硅化物层、钛硅化物层、钴硅化物层或镍硅化物层等可以作为难熔金属硅化物层的示例。
接下来，在像素2中，引入p型杂质的p型半导体阱区域25形成在n型半导体基板11中的深层位置，如图4所示。在附图中的参考标号17所示的传感器单元形成区域中，杂质浓度高于n型半导体区域11A的n型半导体区域315形成在n型半导体区域11A的表面侧。
应当注意的是，n型半导体区域11A是n型半导体基板11由p型半导体阱区域25隔离的一部分，且通过离子注入形成在n型半导体基板11的深层位置。
此外，在n型半导体基板11的表面上，具有高杂质浓度的p+半导体区域425形成为接触n型半导体区域11A，目的是减少结泄漏电流。
应当注意的是，p型半导体阱区域25、n型半导体区域11A和p+半导体区域425形成了光敏二极管的传感器单元，即HAD传感器。
再者，在附图中的参考标号18所示的MOS晶体管形成区域中，p型半导体阱区域26和27从n型半导体基板11的表面向下形成到p型半导体阱区域25。
此外，形成由多晶硅层形成的栅极电极305、306和307且下面有栅极绝缘层283，并且n+区域426和n+区域427形成为源极区域和漏极区域。
以这样的方式，形成多个n沟道MOS晶体管，例如，用于读取传感器单元的信号电荷的读取MOS晶体管Tr5和用于输出信号的信号输出MOS晶体管Tr6和Tr7。
应当注意的是，MOS晶体管Tr5至Tr7中没有采用LDD结构。
再者，在像素2的区域中，第一绝缘层35和第二绝缘层36形成为覆盖形成传感器单元的区域17，并且覆盖形成MOS晶体管Tr5至Tr7的区域18。此外，在各栅极电极305至307的侧面，侧壁40形成有第三绝缘层。
应当注意的是，难熔金属硅化物层没有形成在MOS晶体管Tr5至Tr7中栅极电极305至307的表面以及源极区域和漏极区域的表面上。
在以如上所述方式构造的MOS图像传感器中，源极区域和漏极区域还形成在像素2中MOS晶体管Tr5至Tr7的侧壁40下方。因此，例如，在从光接收单元到浮置扩散单元转移信号电荷的转移晶体管的情况下，有利于读取信号电荷。
再者，在像素2中形成的第一绝缘层35(例如，氧化硅层)和第二绝缘层36(例如，氮化硅层)的叠层用作抗反射层，由此改善了相对于传感器单元的入射效率。
[制造方法]
下面，将描述以上述方式构造的MOS图像传感器的制造方法。就是说，将描述制造根据本发明实施例的半导体装置的方法的示例。
应当注意的是，图5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A、14A和15A示出了CMOS逻辑电路单元4，而图5B、6B、7B、8B、9B、10B、11B、12B、13B、14B和15B示出了像素2。
在制造根据本发明实施例的半导体装置的方法示例中，隔离区域12以通常的方法首先形成在n型半导体基板11中，如图5A和5B所示。
对于CMOS逻辑电路单元4，形成隔离区域12，以便形成第一MOS晶体管形成区域13、第二MOS晶体管形成区域14、第三MOS晶体管形成区域15和第四MOS晶体管形成区域16。
对于像素2，形成隔离区域12，以便形成传感器单元形成区域17和MOS晶体管形成区域18。
接下来，如图6A和6B所示，绝缘层19形成在n型半导体基板11上，并且通过离子注入法引入适当的杂质，以形成适当导电类型的半导体阱区域。
对于CMOS逻辑电路单元4，形成p型半导体阱区域20、p型半导体阱区域21和23以及n型半导体阱区域22和24。对于像素2，形成p型半导体阱区域25、26和27。
接下来，如图7A和7B所示，栅极绝缘层28(即栅极绝缘层281至283)形成在CMOS逻辑电路单元4和像素2中的各区域13至18上，并且诸如多晶硅层的栅极电极材料层29形成在栅极绝缘层28之上。
应当注意的是，在该实施例中，附图示出了这样的情况，第一和第二MOS晶体管形成区域13和14中形成的栅极绝缘层281以及第三和第四MOS晶体管形成区域15和16中形成的栅极绝缘层282具有不同的厚度。
接下来，如图8A和8B所示，例如，采用光致抗蚀剂法和干蚀刻法图案化栅极电极材料层29，以形成栅极电极301至307。
对于CMOS逻辑电路单元4，栅极电极301形成在对应于第一MOS晶体管形成区域13的位置，并且栅极电极302形成在对应于第二MOS晶体管形成区域14的位置。再者，栅极电极303形成在对应于第三MOS晶体管形成区域15的位置，并且栅极电极304形成在对应于第四MOS晶体管形成区域16的位置。
应当注意的是，在该实施例中，附图示出了这样的情况，栅极电极301和302的栅极长度大于栅极电极303和304的栅极长度。
对于像素2，栅极电极305、306和307形成在对应于MOS晶体管形成区域18的位置。
接下来，光致抗蚀剂掩模(未示出)选择性地形成在像素2中的MOS晶体管形成区域18上，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的杂质区域(见图9A和9B)。就是说，利用光致抗蚀剂掩模(未示出)、隔离区域12和栅极电极301至304作为掩模，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的适当杂质区域。然后，去除光致抗蚀剂掩模。
对于CMOS逻辑电路单元4，具有低杂质浓度且形成LDD结构的n-区域311和313形成在第一和第三p型半导体阱区域21和23中。同样，具有低杂质浓度且形成LDD结构的p-区域312和314形成在第二和第四n型半导体阱区域22和24中。
对于像素2，形成光敏二极管的n型半导体区域315形成在传感器单元形成区域17中的n区域(对应于n型半导体基板11的一部分的区域)11A中。
接下来，光致抗蚀剂掩模(未示出)选择性地形成在CMOS逻辑电路单元4上，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的杂质区域(见图10A和10B)。就是说，利用光致抗蚀剂掩模(未示出)、隔离区域12和栅极电极305至307作为掩模，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的适当杂质区域。
然后，去除光致抗蚀剂掩模。
对于像素2，在传感器单元形成区域17的表面上形成p+半导体区域425，p+半导体区域425是引入高浓度杂质的区域，以形成掩埋光敏二极管，即所谓的HAD传感器，目的是进一步减少结泄漏电流。同样，具有高杂质浓度的n+区域426和427形成在MOS晶体管形成区域18中。
应当注意的是，在离子注入时，对于涉及因电场而造成像素特性劣化的部分(例如，FD单元)，离子注入区域的调整等是可行的。就是说，因为离子注入造成的电场引起的像素特性劣化预计比通过侧壁进行离子注入的典型情况更加显著，所以应当适当地注意如上所述的离子注入区域。具体地讲，对于担心因电场引起像素特性劣化的部分，应当适当地减小离子注入区域。
接下来，如图11A和11B所示，第一绝缘层(例如，氧化硅层)35和第二绝缘层(例如，氮化硅层)36顺序形成在n型半导体基板11包括栅极电极301至307的整个表面上。
随后，光致抗蚀剂掩模(未示出)选择性地形成在像素2中的第二绝缘层36上，并且采用回蚀刻法以这种状态对在CMOS逻辑电路单元4中的第一绝缘层35和第二绝缘层36执行蚀刻(见图12A和12B)。
从而，侧壁部分仅在栅极电极301至304的侧面以第一绝缘层35和第二绝缘层36形成。应当注意的是，去除在侧壁部分外面的第一绝缘层35和第二绝缘层36，由此暴露n型半导体基板11。
同样，在像素2的区域中，第一绝缘层35和第二绝缘层36由光致抗蚀剂掩模保护，因此保留下来而没有通过蚀刻去除。
然后，去除光致抗蚀剂掩模。
接下来，如图13A和13B所示，第三绝缘层(例如，氧化硅层)38形成在n型半导体基板11上，采用回蚀刻法在第三绝缘层上执行蚀刻，并且侧壁形成在栅极电极301至307的侧面。
从而，具有第一绝缘层35、第二绝缘层36和第三绝缘层38三层结构的侧壁39形成在CMOS逻辑电路单元4中的栅极电极301至304的侧面。
同样，具有第一绝缘层35、第二绝缘层36和第三绝缘层38三层结构的侧壁40形成在像素2中的栅极电极305至307的侧面。
接下来，光致抗蚀剂掩模(未示出)选择性地形成在像素2上，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的杂质区域(见图14A和14B)。就是说，利用光致抗蚀剂掩模(未示出)、隔离区域12、栅极电极301至304和侧壁39作为掩模，通过离子注入法引入适当的杂质，并且形成适当导电类型的适当杂质区域。
然后，去除光致抗蚀剂掩模。
对于CMOS逻辑电路单元4，具有高杂质浓度的n+区域421和423形成在p型半导体阱区域21和23中，并且具有高杂质浓度的p+区域422和424形成在n型半导体阱区域22和24中。
接下来，如图15A和15B所示，难熔金属硅化物层44通过自对准多晶硅化法(salicide method)形成在CMOS逻辑电路单元4中的栅极电极301至304、n+区域421和423以及p+区域422和424的表面上。具体地讲，难熔金属硅化物层44这样形成，在CMOS逻辑电路单元4和像素2的整个表面上形成难熔金属层，执行合金化工艺，并且去除没有反应的难熔金属层。
应当注意的是，在像素2中，形成第一绝缘层35和第二绝缘层36，而没有形成难熔金属硅化物层44。
通过上述步骤，可以获得图1至4所示的MOS图像传感器。
在如上所述的制造半导体装置的方法中，像素2中的源极区域和漏极区域在形成第一绝缘层35和第二绝缘层36之前形成，而不通过第一绝缘层35和第二绝缘层36执行离子注入。因此，可以防止MOS晶体管装置的特性劣化。
特别是，当氮化物层用作阻挡层时，涉及到因通过阻挡层进行离子注入引起的碰撞效应(knock-on effect)。然而，在上述的该实施例中，即使氮化物层用作阻挡层，也可防止碰撞效应。
应当注意的是，因为当氧化物层替代氮化物层用作阻挡层时不发生碰撞效应，所以可以想到不采用根据本发明实施例的技术可以防止碰撞效应。然而，因为氧化物层作为阻挡层的功能没有氮化物层作为阻挡层的功能好，所以当氧化物层用作阻挡层时增加了厚度。因此，这几乎不适于减小半导体装置的厚度。另一方面，采用甚至厚度较小时也具有足够的功能作为阻挡层的氮化物层的同时，采用根据本发明实施例的技术能够防止碰撞效应。
再者，在上述的制造半导体装置的方法中，用作阻挡层的第一绝缘层35和第二绝缘层36是形成侧壁的层的一部分。因此，除了侧壁外，没有形成阻挡层，因此在制造半导体装置中可以减少步骤数。
<2.另一个实施例>
图16是用于图解作为根据本发明另一个实施例的固态成像设备示例的照相机97的示意图。在这里所示的照相机97中，根据前述实施例的半导体装置(固态成像装置)用作成像装置。
在这里所示的照相机97中，来自目标(未示出)的光通过诸如透镜91的光学***和机械快门92进入固态成像装置93的成像区域。
应当注意的是，机械快门92阻挡光入射在固态成像装置93的成像区域上，并且决定曝光时间。
固态成像装置93采用根据前述实施例的MOS图像传感器1，并且由定时发生器或者包括驱动***等的驱动电路94驱动。
固态成像装置93的输出信号在后续阶段通过信号处理电路95进行各种信号处理，并且向外发送以作为成像信号。所发送的成像信号存储在诸如存储器的存储介质中或者输出到监视器。
应当注意的是，开启/关闭机械快门92的控制、驱动电路92的控制和信号处理电路95的控制等由***控制器96执行。
因为根据本发明前述实施例的MOS图像传感器用于根据该实施例的照相机97中，所以可以防止MOS晶体管装置的特性劣化，并且可以获得高质量的图像。
<3.修改示例>
[像素的电路构造]
尽管图2A中的电路构造在首先描述的实施例中描述为像素2的电路构造的示例，但是像素2的电路构造不限于图2A中的电路构造，而可以是例如图2B中的电路构造。
图2B所示的像素2除了光敏二极管111外具有包括四个像素晶体管的像素电路，四个像素晶体管即为转移晶体管112、复位晶体管113、放大晶体管114和选择晶体管115。
应当注意的是，这里，n沟道MOS晶体管用作像素晶体管112至115的情况给出为示例。
转移晶体管112连接在光敏二极管111的阴极和FD单元116之间。通过给栅极施加转移脉冲φTRG，转移晶体管112将由光电转换获得且存储在光敏二极管111中的信号电荷(电子)转移到FD单元116。
复位晶体管113的漏极和源极分别连接到电源VDD和FD单元116。复位晶体管113在将信号电荷从光敏二极管111转移到FD单元116前通过给栅极施加复位脉冲φRST而复位FD单元116的电位。
选择晶体管115的漏极和源极分别连接到电源VDD和放大晶体管114的漏极。选择晶体管115通过给栅极施加选择脉冲φSEL而改变到导通状态，并且通过给放大晶体管114提供电源VDD而选择像素2。
应当注意的是，也可以采用这样的构造，其中选择晶体管115连接在放大晶体管114的源极和垂直信号线121之间。
放大晶体管114具有源跟随器构造，其中栅极、漏极和源极分别连接到FD单元116、选择晶体管115的源极和垂直信号线121。放大晶体管114在由复位晶体管113复位为复位电位后将FD单元116的电位输出到垂直信号线121。此外，放大晶体管114在由转移晶体管112将信号电荷转移为信号电位后将FD单元116的电位输出到垂直信号线121。
[像素的另一个电路构造]
尽管在如图2A和2B所示的电路构造中已经描述为每个光敏二极管提供像素晶体管的情况作为示例，但是可以不为每个光敏二极管提供像素晶体管。因此，电路构造可以是多个光敏二极管共享像素晶体管。
[极性]
尽管在首先描述的实施例中已经描述n型半导体基板用作公用半导体基板11的情况作为示例，但是p型半导体基板可以用于替代n型半导体基板。同样，各半导体区域可以形成为与首先描述的实施例中的导电类型相反的导电类型。
[LDD结构]
尽管在首先描述的实施例中已经描述CMOS逻辑电路单元4中的各MOS晶体管Tr1至Tr4具有LDD结构的情况作为示例，但是可以不采用LDD结构。
[应用]
本发明的首先描述的实施例应用于作为固态成像装置的MOS图像传感器的情况描述为半导体装置的示例。然而，本发明的应用不限于固态成像装置。在通常的半导体装置中的应用也是可能的。
本申请包含2010年1月28日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2010-016284中公开的相关主题，其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

Claims (5)

1.一种半导体装置，包括：
栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；
绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；
侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；
第一高浓度杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入高浓度的杂质而形成；
第二高浓度杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入高浓度的杂质而形成；以及
硅化物层，形成在该基板的该第二高浓度杂质区域的表面上,
其中在不形成所述硅化物层的所述第一区域中，源极区域和漏极区域仅包括所述第一高浓度杂质区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硅化物层还形成在于该第二区域中提供的该栅极电极的表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第二高浓度杂质区域的形成区域根据因形成该第二高浓度杂质区域而引起的像素特征的劣化程度而决定。
4.一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：
在基板上形成栅极电极，该基板包括不形成硅化物层的第一区域和形成硅化物层的第二区域，在该基板和该栅极电极之间具有栅极绝缘层；
在该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入高浓度杂质而形成第一高浓度杂质区域；
在形成有该第一高浓度杂质区域的该基板上，形成具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度的绝缘层以覆盖该栅极电极；
在该栅极电极的侧面形成至少部分地包括该绝缘层的侧壁；
在该绝缘层的对应于该第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域的区域中形成开口部分，以暴露该基板的表面；
在该基板包括形成有该开口部分的该绝缘层的该第二区域中通过注入高浓度杂质形成第二高浓度杂质区域；以及
通过在形成有该开口部分的该绝缘层之上形成能够硅化反应的金属层并进行硅化反应而形成硅化物层。
5.一种固态成像设备，包括：
栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；
绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的成像区域中以覆盖该栅极电极；
侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；
第一高浓度杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该成像区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入高浓度杂质而形成；
第二高浓度杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的周边电路区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入高浓度杂质而形成；
硅化物层，形成在该基板的该第二高浓度杂质区域的表面上；以及
光学***，将入射光引导到该成像区域，
其中在不形成所述硅化物层的所述成像区域中，源极区域和漏极区域仅包括所述第一高浓度杂质区域。
CN201110023602.5A 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备 Active CN102157535B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510397013.1A CN105070731B (zh) 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP016284/10 2010-01-28
JP2010016284A JP2011155168A (ja) 2010-01-28 2010-01-28 半導体素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510397013.1A Division CN105070731B (zh) 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102157535A CN102157535A (zh) 2011-08-17
CN102157535B true CN102157535B (zh) 2015-08-05

Family

ID=44308313

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510397013.1A Active CN105070731B (zh) 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备
CN201110023602.5A Active CN102157535B (zh) 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510397013.1A Active CN105070731B (zh) 2010-01-28 2011-01-21 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9331110B2 (zh)
JP (1) JP2011155168A (zh)
CN (2) CN105070731B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155168A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Sony Corp 半導体素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置
JP6246664B2 (ja) * 2014-06-04 2017-12-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR102366416B1 (ko) 2014-08-11 2022-02-23 삼성전자주식회사 Cmos 이미지 센서
JP2016042557A (ja) 2014-08-19 2016-03-31 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
CN105514130B (zh) * 2014-10-14 2019-04-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器的制造方法
CN107845649A (zh) * 2016-09-20 2018-03-27 松下知识产权经营株式会社 摄像装置及其制造方法
JP2020182112A (ja) * 2019-04-25 2020-11-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1552100A (zh) * 2002-05-14 2004-12-01 ������������ʽ���� 半导体装置、半导体装置的制造方法及其电子设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291179B1 (ko) * 1998-06-29 2001-07-12 박종섭 자기정렬된실리사이드층을갖는씨모스이미지센서및그제조방법
KR100396692B1 (ko) * 1999-06-16 2003-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
JP3782297B2 (ja) * 2000-03-28 2006-06-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
JP3792628B2 (ja) * 2002-09-02 2006-07-05 富士通株式会社 固体撮像装置及び画像読み出し方法
JP4627964B2 (ja) * 2002-10-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2004335588A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Renesas Technology Corp 固体撮像装置及びその製造方法
EP1678523B1 (de) * 2003-10-29 2007-07-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Abstandssensor und verfahren zur abstandserfassung
US7453109B2 (en) * 2004-09-03 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensor and imaging system
US8120077B2 (en) * 2004-12-16 2012-02-21 Panasonic Corporation Solid-state imaging device comprising doped channel stop at isolation regions to suppress noise
US7115925B2 (en) * 2005-01-14 2006-10-03 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor and pixel having an optimized floating diffusion
JP5110820B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム
JP5110831B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
KR100832721B1 (ko) * 2006-12-27 2008-05-28 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
JP5244520B2 (ja) * 2008-09-25 2013-07-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
US8440540B2 (en) * 2009-10-02 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for doping a selected portion of a device
JP2011155168A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Sony Corp 半導体素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1552100A (zh) * 2002-05-14 2004-12-01 ������������ʽ���� 半导体装置、半导体装置的制造方法及其电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US10008523B2 (en) 2018-06-26
US9331110B2 (en) 2016-05-03
JP2011155168A (ja) 2011-08-11
CN102157535A (zh) 2011-08-17
CN105070731A (zh) 2015-11-18
US20110180859A1 (en) 2011-07-28
US20160225806A1 (en) 2016-08-04
CN105070731B (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102157535B (zh) 半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备
JP5564874B2 (ja) 固体撮像装置、及び電子機器
US9419045B2 (en) Solid-state imaging device and electronic instrument
US7476560B2 (en) Photoelectric conversion device, and process for its fabrication
US7285482B2 (en) Method for producing solid-state imaging device
US9006852B2 (en) Solid-state imaging device with a light shielding layer formed around a transfer gate
KR101752494B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
JP5358064B2 (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP2008060356A (ja) 光電変換装置及び撮像システム
CN1819277A (zh) 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
CN100547804C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
JP6123866B2 (ja) 固体撮像装置、及び電子機器
JP2007088305A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ
US20080124915A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20130288422A1 (en) Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and image pickup apparatus
JP4552240B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
US9431456B2 (en) Image sensor with doped transfer gate
JP2008227357A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP5842903B2 (ja) 固体撮像装置、及び電子機器
JP2008108916A (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP2009123865A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2008060581A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant