CN102043100B - 老化测试*** - Google Patents

老化测试*** Download PDF

Info

Publication number
CN102043100B
CN102043100B CN2009101969312A CN200910196931A CN102043100B CN 102043100 B CN102043100 B CN 102043100B CN 2009101969312 A CN2009101969312 A CN 2009101969312A CN 200910196931 A CN200910196931 A CN 200910196931A CN 102043100 B CN102043100 B CN 102043100B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pin
burn
interface
board
matching unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009101969312A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102043100A (zh
Inventor
张荣哲
简维廷
江顺旺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp, Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2009101969312A priority Critical patent/CN102043100B/zh
Priority to US12/882,051 priority patent/US7944223B2/en
Publication of CN102043100A publication Critical patent/CN102043100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102043100B publication Critical patent/CN102043100B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

一种老化测试***，包括老化板和老化测试装置，所述老化板包括：第一接口件，适于与所述老化测试装置相连接，实现与所述老化测试装置之间信号的输入和/或输出；第二接口件，适于与待测器件相连接，实现与所述待测器件之间信号的输入和/或输出；其中，所述老化测试***还包括：引脚匹配单元，与所述老化板活动连接，适于根据所述待测器件的引脚定义，调整所述第一接口件与第二接口件中信号的对应连接关系。本发明能够实现采用同一块老化板对具有相同引脚数量、但不同引脚定义的不同待测器件进行老化测试，与现有老化板相兼容，提高了生产效率，并节约了成本。

Description

老化测试***
技术领域
本发明涉及老化技术，特别是老化测试***。
背景技术
为了确保器件的可靠性，在器件被制造出来之后，往往需要在老化测试***中完成老化测试工艺。老化测试(Burn-in Test)，就是在高温下，一般来说为85℃及以上，长时间用高于操作电源电压的高电压加到存储器晶体管的控制极上，使器件中每个单元承受过度的负荷，尽早地暴露出器件中的缺陷，从而检测出有缺陷的器件。
常用的老化测试***，包括老化测试装置以及老化板(BIB，Burn-inBoard)。为提高产量，常将多个待测器件装在一个大的印刷电路板上，也就是老化板。老化板上的多个待测器件相互并联，同时进行老化测试。老化测试装置以及应用于老化测试的老化板的结构，也可参考申请号为200610163541.1的中国专利申请“老化试验装置及老化试验板”。
在测试过程中，首先将待测器件与老化板相连接，接着将老化板放入老化测试装置的环境试验箱中，并与其中的驱动单元相连接，接着根据待测器件所需测试的功能，通过环境试验箱调节温度等条件，以实现测试所需要的测试环境，并通过驱动单元对老化板上的待测器件进行功能性测试，以检测出有缺陷的器件。
目前，老化测试装置制造厂商在进行测试之前，通常根据待测器件的引脚定义制作与之对应的老化板，而每当制造出一种新的半导体器件并需要对其进行老化测试，或者当对某待测器件的引脚定义进行了调整时，将不得不根据新的引脚定义制作与之相对应的新的老化板。因此，现有老化测试***中，老化板的利用率非常低。而制作一块老化板往往需要花费数周的时间以及数千美元，如此低的使用率不仅极大地增加了生产成本，还拖长了生产周期，影响了生产效率的提高。
基于上述问题，对于半导体器件的老化技术而言，需要一种可适用于多种不同类型的半导体器件的老化板。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种老化测试***，以实现应用同一块老化板能够对多种具有不同引脚定义的半导体器件进行测试。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种老化测试***，包括老化板和老化测试装置，所述老化板包括：第一接口件，适于与所述老化测试装置相连接，实现与所述老化测试装置之间信号的输入和/或输出；第二接口件，适于与待测器件相连接，实现与所述待测器件之间信号的输入和/或输出；其中，所述老化测试***还包括：引脚匹配单元，与所述老化板活动连接，适于根据所述待测器件的引脚定义，调整所述第一接口件与第二接口件中信号的对应连接关系。
可选的，所述老化板还包括多个与所述引脚匹配单元相对应的引脚接口。
可选的，所述引脚接口包括与所述第一接口件对应连接的第一接口部，以及与所述第二接口件对应连接的第二接口部。
可选的，所述引脚匹配单元包括多个引脚，插接于所述引脚接口，连接所述引脚接口的第一接口部和第二接口部。
可选的，所述引脚匹配单元相对于所述第二接口件，安装于所述老化板的另一侧。
可选的，所述引脚匹配单元包括：匹配芯片，适于建立所述第二接口件与所述第一接口件之间的信号匹配；封装电路及引脚，所述封装电路用于封装所述匹配芯片并通过所述引脚实现所述匹配芯片与外界的信号传输。
可选的，所述引脚匹配单元还包括：辅助匹配单元，适于对所述匹配芯片的匹配结果进行辅助调整。
可选的，所述第二接口件固接于所述老化板。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
所述引脚匹配单元可根据待测器件的引脚定义，动态地实现所传输的信号在老化测试装置和待测器件引脚之间的重新匹配，以实现采用同一块老化板对具有相同引脚数量、但不同引脚定义的不同待测器件进行老化测试，提高了现有老化板的利用率，提高了生产效率，并节约了成本。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明老化测试***实施方式的结构示意图；
图2是本发明老化测试***一种具体实施方式的结构示意图；
图3是本发明老化测试***一种实施方式中引脚不匹配的结构示意图；
图4是通过本发明老化测试***实施例进行引脚匹配的结构示意图；
图5是图1所示引脚匹配单元一种实施方式的结构示意图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
在现有的老化测试***中，器件在制作完成之后以及测试之前，需要先参考该器件的各个引脚，并按照器件引脚的定义制作出老化板，然后应用该老化板对该器件进行老化测试。也就是说，现有老化测试***中，一块老化板只能适用于特定引脚定义的待测器件或者与该特定待测器件具有同样数目的引脚及引脚定义的器件，受到待测器件引脚定义的限制。
发明人通过反复试验和研究，根据所述待测器件定制与其相应的引脚匹配单元，所述引脚匹配单元具有可拆卸性，与所述老化板活动连接，从而使得在老化测试***的实际应用中，能够借助于对不同的引脚匹配单元实现对多种具有不同引脚定义的待测器件的老化测试，进而提高老化板的使用率。由于所述可拆卸的引脚匹配单元相对于老化板具有低廉的制作成本以及较短的制作周期，因而，采用本发明各实施方式，能够明显地提高生产效率，并大大节约生产成本。
下面结合附图和具体实施例，对本发明实施方式进行进一步说明。
参考图1，本发明实施方式提供了一种老化测试***，包括老化板100，老化测试装置200和待测器件300，其中，老化板100包括：第一接口件101，适于与老化测试装置相连接，实现与老化测试装置200之间信号的输入/输出；第二接口件102，适于与待测器件300相连接，实现与待测器件300之间信号的输入/输出；其中，该老化测试***还包括：引脚匹配单元103，与老化板100活动连接，适于根据待测器件300的引脚定义，调整第一接口件101与第二接口件102中信号的对应连接关系。
在一种具体实施方式中，参考图2，引脚匹配单元103可具有多个引脚，且老化板100上可设置有与引脚匹配单元103各个引脚相对应的引脚接口104；第一接口件101中包括多根引线，且第一接口件101中的引线分别通过老化板100中的电路与引脚接口104中的第一接口部105对应连接，从而通过第一接口件101，建立引脚匹配单元103与老化测试装置200之间的信号通路。
第二接口件102包括多个引脚接口，这些引脚接口与引脚接口104之间具有对应的电连接，具体来说，对应连接于引脚接口104的第二接口部106；由于第二接口件102与待测器件300相连接，因此引脚匹配单元103可通过第二接口件102，建立其与待测器件200之间的信号通路。
一般来说，第二接口件102固接于老化板100上，例如可将第二接口件102焊接于老化板100上；而引脚匹配单元103与老化板100活动连接，具有可拆卸性。在进行老化测试之前，将制作好的、与当前待测器件相对应的引脚匹配单元安装至所述老化板上；例如，可采用插接的方式，建立所述引脚匹配单元与所述老化板的连接，从而使得当老化测试完毕之后，能够方便地将当前引脚匹配单元拆除。当需要对新的待测器件进行老化测试时，可重新制作与所述新的待测器件相对应的新的引脚匹配单元，并拆除前一次所采用的引脚匹配单元，以及将所述新的引脚匹配单元安装至所述老化板上，对新的待测器件进行老化测试。
在一种具体实施例中，可将所述引脚匹配单元相对于所述第二接口件，安装在所述老化板的另一侧，从而将所述引脚匹配单元与所述第二接口件区别设置，以避免在对所述待测器件进行老化测试的过程中，有可能造成所述引脚匹配单元的机械损伤以及由于待测器件自身发热而对所述引脚匹配单元所产生的损耗。
在进行老化测试之前，根据所述待测器件的引脚定义制作形成所述引脚匹配单元，使其与所述待测器件相适应。具体来说，可采用手动跳线的方式，将所述待测器件的引脚定义加载至引脚匹配单元103，也可通过软件将所述待测器件的引脚定义自动地加载引脚匹配单元103。
在一种具体实施例中，引脚匹配单元103可为具有匹配芯片的电路板，在制作过程中，可根据所述待测器件的引脚定义制作出对应的匹配芯片(IC)，再进一步制作相应的电路板以形成引脚匹配单元103。
其中，引脚匹配单元103的制作过程通常只需花费几天的时间，并且成本很低。例如，对0.13微米工艺的SRAM进行老化测试之前，尽管待测器件尺寸较大使得引脚匹配单元的制作过程较为复杂，但制作这样一个引脚匹配单元以及进行前期测试，只需要2周时间以及7-8美元。相较于动辄花费数千美元以及耗时数周的老化板的制作而言，通过制作并更换引脚匹配单元来实现对不同类型的待测器件进行老化测试，可极大地提高生产效率并节约生产成本。
在应用本发明老化板一种具体实施例的过程中，首先，在老化测试之前，根据待测器件的引脚定义制作出所述引脚匹配单元，并将所述引脚匹配单元安装至所述老化板的对应位置上；接着，将所述待测器件与所述老化板相连接，具体来说，将所述待测器件的引脚与所述第二接口件对应的引脚接口分别连接；最后，将老化板通过所述第一接口件与老化测试装置相连接，执行所述待测器件的老化测试。
其中，当所述引脚匹配单元经由所述第二接口件接收到来自所述待测器件的信号后，通过引脚匹配，将其经由老化板所述第一接口件传输至老化测试装置；当所述引脚匹配单元经由所述第一接口件接收到来自老化测试装置的信号后，通过引脚匹配，将信号经由所述第二接口件对应地传输至所述待测器件。
下面结合该具体实施例及附图，对所述引脚匹配单元的引脚匹配过程进行进一步说明。
其中，参考图3，老化板上与所述引脚匹配单元对应的引脚接口包括引脚1、引脚9和引脚16，经由老化板第一接口件传输至引脚1、引脚9和引脚16的信号分别对应于地址信号ADD1、电源电压VDD信号和时钟信号CLK，也就是说，从所述引脚匹配单元与引脚1、引脚9和引脚16对应的引脚输入和/或输出的信号，分别应当是地址信号ADD1、电源电压VDD信号和时钟信号CLK。而待测器件的引脚9、引脚16和引脚3分别对应于待测器件的地址信号ADD1、电源电压VDD信号和时钟信号CLK。因此，当将待测器件安装至老化板上时，与老化测试装置进行连接的第一接口件的各引线定义与待测器件的引脚定义产生了差别。直接按照第一接口件的引线定义对待测器件进行信号传输，将会导致待测器件引脚接收到错误的信号，从而无法进行测试，严重的情况下，甚至会损坏器件。
参考图4，应用所述引脚匹配单元对引脚的对应关系进行调整，即按照待测器件引脚定义，建立第一接口件各引线与第二接口件各引脚接口之间的对应关系，从而将由第一接口件所接收到的地址信号ADD1、电源电压VDD信号和时钟信号CLK分别对应传输至第二接口件的引脚9、引脚16和引脚3，以实现引脚匹配。
所述引脚匹配单元为包括匹配芯片的电路板时，在其它实施方式中，参考图5，所述引脚匹配单元可包括：匹配芯片401，适于建立所述第二接口件与所述第一接口件之间的信号匹配；封装电路402及引脚403，其中，封装电路402用于封装匹配芯片401并通过引脚403实现匹配芯片401与外界的信号传输；此外，所述引脚匹配单元还可包括：辅助匹配单元404，适于对匹配芯片401的匹配结果进行辅助调整。具体地来说，辅助匹配单元404可由手动跳线机械结构组成，作为对可编程IC所未能实现的对应关系的进一步调整，或者双重保证。
相较于现有技术，本发明上述各实施方式具有下列优势：
首先，当对具有不同引脚定义的待测器件进行老化测试时，所述引脚匹配单元可根据待测器件的引脚定义，动态地实现所传输的信号在老化测试装置和待测器件引脚之间的重新匹配，并不局限于老化板中用于连接所述待测器件的第二接口件自身引脚的固有定义。
其次，所述引脚匹配单元与所述老化板活动连接，具有可拆卸性，使得采用同一块老化板可实现对具有相同引脚数量、但不同引脚定义的不同待测器件进行老化测试，而无须每制造一类器件的新型号，就制造一种与之相匹配的老化板，从而大大提高了现有老化板的利用率。
再次，由于所述引脚匹配单元相较于现有老化板，具有较低的制作成本以及较短的制作周期，从而提高了生产效率，并节约了成本。
虽然本发明已通过较佳实施例说明如上，但这些较佳实施例并非用以限定本发明。本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应有能力对该较佳实施例做出各种改正和补充，因此，本发明的保护范围以权利要求书的范围为准。

Claims (7)

1.一种老化测试***，包括老化板和老化测试装置，所述老化板包括：第一接口件，适于与所述老化测试装置相连接，实现与所述老化测试装置之间信号的输入和/或输出；第二接口件，适于与待测器件相连接，实现与所述待测器件之间信号的输入和/或输出；其特征在于，所述老化测试***还包括：
引脚匹配单元，与所述老化板活动连接，适于根据所述待测器件的引脚定义，调整所述第一接口件与第二接口件中信号的对应连接关系；
所述引脚匹配单元包括：匹配芯片，适于建立所述第二接口件与所述第一接口件之间的信号匹配；封装电路及引脚，所述封装电路用于封装所述匹配芯片并通过所述引脚实现所述匹配芯片与外界的信号传输。
2.如权利要求1所述的老化测试***，其特征在于，所述老化板还包括多个与所述引脚匹配单元相对应的引脚接口。
3.如权利要求2所述的老化测试***，其特征在于，所述引脚接口包括与所述第一接口件对应连接的第一接口部，以及与所述第二接口件对应连接的第二接口部。
4.如权利要求3所述的老化测试***，其特征在于，所述引脚匹配单元包括多个引脚，插接于所述引脚接口，连接所述引脚接口的第一接口部和第二接口部。
5.如权利要求2所述的老化测试***，其特征在于，所述引脚匹配单元相对于所述第二接口件，安装于所述老化板的另一侧。
6.如权利要求1所述的老化测试***，其特征在于，所述引脚匹配单元还包括：辅助匹配单元，适于对所述匹配芯片的匹配结果进行辅助调整。
7.如权利要求1所述的老化测试***，其特征在于，所述第二接口件固接于所述老化板。
CN2009101969312A 2009-10-09 2009-10-09 老化测试*** Expired - Fee Related CN102043100B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101969312A CN102043100B (zh) 2009-10-09 2009-10-09 老化测试***
US12/882,051 US7944223B2 (en) 2009-10-09 2010-09-14 Burn-in testing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101969312A CN102043100B (zh) 2009-10-09 2009-10-09 老化测试***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102043100A CN102043100A (zh) 2011-05-04
CN102043100B true CN102043100B (zh) 2013-03-06

Family

ID=43854355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101969312A Expired - Fee Related CN102043100B (zh) 2009-10-09 2009-10-09 老化测试***

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7944223B2 (zh)
CN (1) CN102043100B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104655401B (zh) * 2013-11-25 2018-12-25 上海航空电器有限公司 一种发光块测光设备
EP3117227B1 (en) 2014-03-13 2021-06-16 Micro Motion, Inc. A method and apparatus for reconfiguring pin assignments on a connector
CN105242077B (zh) * 2014-07-11 2018-09-25 北大方正集团有限公司 一种老化板
CN104459507A (zh) * 2014-11-27 2015-03-25 深圳市华测检测技术股份有限公司 一种检测led芯片光学性能的多路检测***
CN104459506A (zh) * 2014-11-27 2015-03-25 深圳市华测检测技术股份有限公司 一种led芯片的多路检测***
US10199927B2 (en) * 2015-09-18 2019-02-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. PWM scheme based on space vector modulation for three-phase rectifier converters
CN108874599A (zh) * 2018-05-31 2018-11-23 杭州嘉楠耘智信息科技有限公司 一种对加密货币运算设备进行老化测试的方法和设备
CN113589132B (zh) * 2021-08-30 2024-05-14 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置
CN114325345B (zh) * 2022-01-04 2023-12-15 上海季丰电子股份有限公司 老化机和老化机的接口板
CN115856567A (zh) * 2022-10-11 2023-03-28 杭州中安电子有限公司 一种车规级mcu器件tdbi测试方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5353254A (en) * 1992-05-21 1994-10-04 Texas Instruments Incorporated Semiconductor memory device having burn-in test circuit
TW368712B (en) * 1995-11-09 1999-09-01 Samsung Electronics Co Ltd General burn-in device
CN1299137A (zh) * 1999-11-29 2001-06-13 松下电器产业株式会社 集成电路测试装置
CN101109785A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化多产品复用测试板
CN101109784A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化测试方法及测试装置
CN101359020A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化测试基板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6267474A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH0658987A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Hitachi Ltd バーンイン基板
US5387861A (en) * 1993-06-16 1995-02-07 Incal Technology, Inc. Programmable low profile universally selectable burn-in board assembly
JP2001349925A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の検査装置および検査方法
TWI326425B (en) * 2003-12-26 2010-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Apparatus for burning mac address
JP2007155658A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Nippon Eng Kk バーンイン装置及びバーンインボード

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5353254A (en) * 1992-05-21 1994-10-04 Texas Instruments Incorporated Semiconductor memory device having burn-in test circuit
TW368712B (en) * 1995-11-09 1999-09-01 Samsung Electronics Co Ltd General burn-in device
CN1299137A (zh) * 1999-11-29 2001-06-13 松下电器产业株式会社 集成电路测试装置
CN101359020A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化测试基板
CN101109785A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化多产品复用测试板
CN101109784A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化测试方法及测试装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110084718A1 (en) 2011-04-14
CN102043100A (zh) 2011-05-04
US7944223B2 (en) 2011-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102043100B (zh) 老化测试***
CN102968946B (zh) 显示面板的检测电路
CN106771987A (zh) 一种基于子母板的集成电路芯片老化测试装置及测试方法
US7906982B1 (en) Interface apparatus and methods of testing integrated circuits using the same
CN103472347A (zh) 辅助测试电路及具有该辅助测试电路的芯片及电路板
CN103236242A (zh) 一种显示面板测试用信号产生装置
CN103308850B (zh) 触控ic模拟前端自测的内建架构及测试方法
CN104751875B (zh) 应用于nvm芯片的失效位图分析方法
CN101738503A (zh) 接口装置与其控制方法、老化测试***
TWI705260B (zh) 電路檢測系統與電路檢測方法
CN105575436A (zh) 可编程控制多晶熔丝电路及包含该电路的集成电路
CN115267481A (zh) 一种芯片测试电路和芯片测试装置
CN102176441B (zh) 用于物理失效分析的改进型可寻址测试芯片及制作方法
CN103366827A (zh) 存储器、通过测试机台对存储器进行测试的方法
CN101498948A (zh) 调整电路与其相关调整方法
KR20140078170A (ko) 제이택 인터페이스 보드
CN211352196U (zh) 一种光路由器的故障模拟装置
CN102820854A (zh) 放大器及提高放大器精度的方法
CN109087684B (zh) 数据通道老化电路、存储器及其老化方法
CN109753394B (zh) 一种实时调试固件配置信息的电路及方法
CN111983421A (zh) 电路检测***与电路检测方法
CN201163296Y (zh) 多路可任意拓展电子校准件
JP2010165755A (ja) 半導体装置
CN210575025U (zh) 一种显示面板的供电电路
CN112564730B (zh) 一种柔性设计的高可靠多输出功率tr组件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING (BEIJING) INTERNATIONA

Effective date: 20121031

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121031

Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Applicant before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130306

Termination date: 20191009