CN102021532A - 阻气涂层和阻气膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阻气涂层和阻气膜。阻气涂层基于氮化硅，并且具有1至1.4的N/Si组成比和10至30原子％的氢含量。在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处，并且在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近的由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。阻气膜包括沉积在玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜上的阻气涂层。

Description

阻气涂层和阻气膜
技术领域
本发明涉及用于显示器等的阻气涂层和阻气膜，并且具体地，涉及不仅在阻气性质方面优异，而且在耐氧化性，透明性和挠性方面优异的阻气涂层，以及包括这种阻气涂层的阻气膜。
背景技术
阻气涂层(水蒸汽阻挡涂层)形成在用于使得包括下列各项的各种装置具有防潮性的部件或元件上：光学装置，显示器例如液晶显示器或有机EL显示器，半导体装置和薄膜太阳能电池；或形成在用于包装食品，衣服，电子部件等的包装材料中。具有形成(沉积)在载体(support)(基底)例如树脂膜上的阻气涂层的阻气膜也具有这种应用。
已知的阻气涂层包括由氧化硅，氧氮化硅和氧化铝组成的那些阻气涂层。作为已知的阻气涂层的实例，还提及的是基于氮化硅的阻气涂层。
阻气涂层(阻气膜)根据它们的用途要求具有各种性质，即高光透射性(透明性)，高耐氧化性等，以及良好的阻气性质。
因此，对于由氮化硅组成的阻气涂层，也提出了许多对所述涂层给予所需性质的建议。
例如，JP 2004-292877A公开了其组成表示为SiNx(其中x为1.05至1.33)，并且其在633nm波长的折射率为1.8至1.96的阻气涂层(氮化硅涂层)。在该涂层的傅里叶变换红外吸收光谱(以下称为“FTIP光谱”)中，该涂层优选具有在3350cm-1和/或1175cm-1附近出现的与N-H键相关的峰，于是在3350cm-1的峰强度与在840cm-1附近与Si-N键相关的峰强度的比率为0.04以上。
该文献陈述的是，该阻气涂层，由于具有如上这种特性，不仅在阻气性质方面是优异的，而且在透明性和粘合性方面也是优异的，并且甚至在较低温度也可以实现其快速沉积。
JP 2005-342975A公开了一种透明阻挡膜，其包含具有0.8至1.4的N/Si组成比和2.1至3.0g/cm3的密度的氮化硅涂层。
在此文献中陈述的是，该透明阻挡膜同样地可以产生具有良好的氧气/水蒸汽阻挡性质以及同时具有高透明性的阻气膜。
最后，JP 2008-214677A描述了一种由两个以上具有不同Si/N组成比的氮化硅层形成的阻气涂层。阻气涂层优选包括Si/N组成比不大于1.4的层和Si/N组成比大于1.4的厚度为50nm以下的层，并且优选通过下列方法形成：将两个以上在A/B和A/C方面彼此不同的氮化硅层层压，其中A表示在FTIR光谱中归因于N-H伸缩振动的3350cm-1附近的峰强度，B表示归因于Si-N伸缩振动的860cm-1附近的峰强度，而C表示归因于Si-H伸缩振动的2160cm-1附近的峰强度。
该文献陈述的是，如上所述的阻气涂层高度耐氧化，并且表现出高的透明性。
发明内容
如在以上文献中所述，通过指定硅与氮(或反之亦然)的组成比，N-H键合状态，Si-N键合状态，Si-H键合状态等，可以使得基于氮化硅的阻气涂层具有高透明性或耐氧化性以及良好的阻气性质。
然而，近年来，越来越严格地要求阻气涂层提供关于各种性质的良好性能，从而期待不仅具有更好的阻气性质，还具有更高的透明性和耐氧化性，乃至高挠性的阻气涂层。
本发明的一个目的是解决以上现有技术的问题，从而提供一种不仅阻气性质优异，而且透明性和耐氧化性以及挠性也优异的阻气涂层。本发明的另一个目的是提供一种包括这种阻气涂层的阻气膜。
为了实现所述目的，本发明提供一种基于氮化硅的阻气涂层，其具有1至1.4的N/Si组成比，和10至30原子％的氢含量，其中在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处，并且由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(SiN)]为0.03至0.15。
在如上所述的本发明的阻气涂层中，在傅里叶变换红外吸收光谱中在3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与所述峰强度I(Si-N)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]优选为0.03至0.07。涂层的密度优选为2.1至2.7g/cm3。在傅里叶变换红外吸收光谱中在3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与峰强度I(Si-H)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]优选为0.5至1.5。优选的是，在傅里叶变换红外吸收光谱中，在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰出现在820至860cm-1的范围内的波数处。平均Si-N键长优选为1.69至
Figure BSA00000280780100031
优选本发明的阻气涂层具有不大于15原子％的氧含量和10至150nm的厚度。
本发明还提供一种阻气膜，其包括玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜，以及在所述树脂上沉积的本发明的阻气涂层。
在本发明的一个实施方案中，阻气涂层作为单层具有不小于95％的可见光透射率。
在本发明的另一个实施方案中，阻气膜包括基底膜和在所述基底膜上沉积的本发明的阻气涂层，其中所述阻气膜具有允许至多1×10-5[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85％的可见光透射率，并且其中即使在将所述膜在温度为60℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持所述阻气性能和所述可见光透射率，并且即使在将所述膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。在又一个实施方案中，阻气膜包括基底膜和在所述基底膜上沉积的本发明的阻气涂层，其中所述阻气膜具有允许至多3×10-3[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85％的可见光透射率，并且其中即使在将所述膜在温度为85℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持所述阻气性能和所述可见光透射率，并且即使在将所述膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。
根据具有上述构造的本发明，可以得到不仅在阻气性质方面优异，而且在透明性，耐氧化性和挠性方面优异的阻气涂层，以及使用这种阻气涂层的阻气膜。
因此本发明适当地适用于其中需要具有高透明性和耐氧化性以及良好阻气性质的阻气涂层的各种情况，例如利用有机电致发光或液晶的显示器或照明器材的制造，以及太阳能电池的制造。
附图说明
图1是显示使用本发明的阻气涂层的本发明的阻气膜的一个实例的示意图；
图2是显示基于氮化硅的阻气涂层的示例性傅里叶变换红外吸收光谱的图；
图3是显示使用本发明的阻气涂层的本发明的阻气膜的另一个实例的示意图；
图4A是显示实施例1的阻气涂层的示例性傅里叶变换红外吸收光谱的图；
图4B是显示比较例1的阻气涂层的示例性傅里叶变换红外吸收光谱的图；和
图5是显示基于氮化硅的阻气涂层的N/Si组成比与可见光透射率之间的关系的图表。
具体实施方式
参考如在附图中所示的优选实施方案进行下列描述以示例根据本发明的阻气涂层和阻气膜。
图1示意性地显示使用本发明的阻气涂层的本发明的阻气膜的一个实例。
图1中所示的阻气膜10具有在基底Z的表面上的有机层12，以及在有机层12上形成的作为本发明的阻气涂层的无机层14。
本发明的阻气膜10中的基底Z不受特别限制，并且可以使用各种类型的用于沉积阻气涂层的已知基底，包括各种片材样制品和光学元件例如透镜和滤光器。
基底Z的适当实例包括由下列各种树脂材料制成的树脂膜(塑料膜)：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚乙烯，聚丙烯，聚苯乙烯，聚酰胺，聚氯乙烯，聚碳酸酯，聚丙烯腈，聚酰亚胺，聚丙烯酸酯，和聚甲基丙烯酸酯。
其中，将玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜优选作为基底Z。
基于氮化硅的阻气涂层通常通过气相沉积技术例如等离子体CVD沉积。
如众所周知的，在基于氮化硅的常规涂层的气相沉积中，在耐氧化性，阻气性质等方面，较高的沉积温度是有利的。然而，如果使用不太耐热的树脂例如PET的膜作为基底Z，则对基底Z的可能损害妨碍了在高达150℃的基底温度的沉积。
相反，即使在130℃以下的较低基底温度进行沉积，本发明的阻气涂层也不仅在阻气性质方面优异，而且在透明性方面优异，并且具有非常高的耐氧化性。换言之，根据本发明，通过在130℃以下的温度进行低温沉积，可以在不损害用作基底Z的不太耐热的树脂例如PET的膜的情况下，得到具有优异阻气性质，透明性((可见)光透射性)，耐氧化性等的阻气涂层的阻气膜。
如果将玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜用作基底Z，本发明更合适应用并且获得更适宜的结果，其有效性在于，即使基底Z不太耐热，通过低温沉积也得到具有优异性质的阻气涂层。
另外，根据本发明，在甚至75℃以下的较低基底温度，也可以沉积不仅在阻气性质方面优异，而且在透明性和耐氧化性方面也优异的阻气涂层。因此，即使在将具有75℃以下的较低玻璃化转变温度的树脂膜用作基底Z的情况下，如上所述的本发明也更适合应用并且得到更适宜的结果。
基底Z的厚度不受特别限制，但是优选10至150μm的厚度。当将玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜用作基底Z时，尤其优选10至150μm的厚度。
如果基底Z的厚度小于10μm，则取决于基底Z的类型，阻气膜的机械强度可能不合适。另一方面，尽管根据本发明即使使用玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜作为基底进行低温沉积也得到具有高透明性的阻气涂层，但是厚度大于150μm的基底Z的透明性可能对阻气膜的总透明性产生主要的影响，并且在此情况下，尽管阻气涂层的高透明性，阻气膜也可能不充分透明。大于150μm的厚度的基底在挠性等方面也是不利的。另外，不利的是增大基底Z的厚度使其超过必需的厚度，因为要求用于有机EL显示器或液晶显示器的阻气膜具有始终减小的厚度和重量。关于基底的以上厚度范围对于在不削弱基底的适当强度的情况下减少阻气层厚度和重量是适宜的。
总体考虑以上情况，基底Z的适宜厚度为25至100μm。
基底Z还可以是作为载体的树脂膜，透镜等，所述载体具有各种形成于其上的功能层(涂层)，例如保护层，粘合剂层，光反射层，遮光层，缓冲层和应力释放层。
在此情况下，所形成的功能层在数量上可以为一个以上。
在图1中所示的优选实施方案中，阻气膜10具有在基底Z的表面上沉积的有机层12，以及在层12上沉积作为本发明的阻气涂层的无机层14。
根据本发明，作为用于无机层14(本发明的阻气涂层)的底涂层安置的有机层覆盖基底Z的表面凹凸不平(asperities)，以制备用于无机层14沉积的平的表面。结果，无机层14，即本发明的阻气层，完全地表现出其优异的性质，并且使得阻气膜10不仅在阻气性质方面优异，而且在透明性，耐氧化性乃至挠性方面优异。
用于有机层12的组成材料(或主要组分)不受特别限制，并且可以使用各种已知的有机物质(有机化合物)，并且其优选实例包括各种树脂(有机聚合物化合物)等。
示例性树脂包括环氧树脂，丙烯酸类树脂，甲基丙烯酸类树脂，聚酯，甲基丙烯酸-马来酸共聚物，聚苯乙烯，透明氟化树脂，聚酰亚胺，氟化聚酰亚胺，聚酰胺，聚酰胺-酰亚胺，聚醚酰亚胺，酰化纤维素，聚氨酯，聚醚酮，聚碳酸酯，芴环改性的聚碳酸酯，脂环族改性的聚碳酸酯，和芴环改性的聚酯。
优选地，有机层12是由玻璃化转变温度为150℃以上的有机物质组成的层。
如随后所述的，本发明的阻气涂层(无机层14)优选通过等离子体CVD沉积。等离子体CVD可能使沉积用表面***糙，特别是当在其上进行沉积的材料具有较低的玻璃化转变温度时。***糙的沉积用表面是不利的，原因在于通过安置有机层12带来的效果减小。
由玻璃化转变温度为150℃以上的有机物质组成的有机层12将适当地防止沉积用表面在通过等离子体CVD沉积阻气涂层的过程中被粗糙化，从而导致不仅在阻气性质方面优异，而且还在透明性，耐氧化性乃至挠性方面优异的阻气涂层的更稳定沉积。
考虑到以上情况，优选的是有机层12基于丙烯酸类树脂，甲基丙烯酸类树脂等。
沉积(形成)有机层12的方法不受特别限制，并且可以使用沉积有机物质的任何已知方法。
示例性方法包括下列通过涂覆的方法：将有机物质或有机单体，聚合引发剂和另外成分(如果有的话)溶解(分散)在溶剂中以制备涂布制剂，并且使用已知的涂覆装置如辊涂机，凹版印刷涂布机和喷涂机将该涂布制剂涂覆到基底Z上，然后干燥，并且根据需要通过加热，UV照射，电子束照射等固化。通过闪蒸的方法也是适于使用的，其中将有机物质或在以上通过涂覆的方法中所制备的这种涂布制剂蒸发，并且将所产生的蒸气沉积到基底Z上并且冷却/冷凝以形成液体膜，使用紫外线照射或电子束将其固化以完成沉积。另外，可以使用通过转印(transfer)的方法，其中以单独的片材形式形成有机层12，然后将其转印到基底Z上。
有机层12的厚度不受特别限制，但是可以根据基底Z的表面性质或厚度，所需的阻气性质等而适当地规定，但是优选0.3至5μm的厚度。
厚度在以上范围内的有机层12保证了下列适宜的结果：覆盖基底Z的表面凹凸不平而可以合适地制备用于沉积无机层14的平的表面，减少在通过例如等离子体CVD形成无机层14过程中使沉积用表面粗糙化，和获得改进的粘合性。
有机层12在结构上也不受限制，但是可以由有机物质的一个以上的涂层形成。
例如，有机层12可以由两个有机涂层形成，其中通过闪蒸将一个涂层沉积在通过涂覆沉积的另一个涂层上。
在阻气膜10中，无机层14沉积在有机层12上。
无机层14是本发明的阻气涂层，从而其基于氮化硅，并且具有1至1.4的N/Si(氮/硅)组成比和10至30原子％(at.％)的氢含量。在无机层14中，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰在傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)中出现在2170至2200cm-1范围内的波数处，并且由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。
归因于其如上所述的构造，本发明实现了不仅在阻气性质方面优异，而且在透明性(光透射性)，耐氧化性(在高的温度/湿度的耐候性(耐环境性))乃至挠性方面优异的阻气涂层，以及具有这种阻气涂层的阻气膜。
基于氮化硅的涂层被用作各种显示器，半导体装置和包装材料中的阻气涂层。
根据它们的用途，阻气涂层需要具有高透明性，高耐氧化性(高耐环境性)等，以及良好的阻气性质。为了满足这种要求，已经建议的是，通过下列方法提供具有更加优异的性质的阻气涂层：不仅指定硅与氮(或反之亦然)的组成比，而且指定FTIR吸收光谱。
例如，如以上参考的JP 2004-292877A中所述的是，通过下列方式抑制氮化硅涂层的破裂及其着色：将构成涂层的氮化硅的化学式SiNx中的x限定为1.05至1.33，使得在FTIR光谱中与N-H键相关的峰出现在3350cm-1和/或1175cm-1附近，并且进一步将在3350cm-1处的峰强度和在840cm-1附近与Si-N键相关的峰强度的比率限定为0.04以上，这保证了期望的阻气性质。
在也如以上参考的JP 2008-214677A中描述了：当涂层包含两个以上具有不同Si/N组成比的氮化硅层，所述氮化硅层在A/B和A/C方面彼此不同，其中A表示在FTIR光谱中归因于N-H伸缩振动的3350cm-1附近的峰强度，B表示归因于Si-N伸缩振动的860cm-1附近的峰强度，而C表示归因于Si-H伸缩振动的2160cm-1附近的峰强度时，并且尤其是在涂层包含Si/N组成比不大于1.4，A/B值不大于0.08，并且A/C值不大于0.3的层的时候，即使通过低温沉积形成，氮化硅涂层也不仅在阻气性质方面优异，而且具有改善的耐氧化性。
如从以上内容看出的，之前关于不仅提高作为阻气涂层的氮化硅涂层的阻气性质，而且提高其透明性和耐氧化性所进行的研究的注意力集中于下列方面：在FTIR光谱中分别与N-H键和Si-N键相关的峰强度之间的关系，或分别与N-H键和Si-H键相关的峰强度之间的关系，以及硅与氮(或反之亦然)的组成比。
相反，本发明的注意力集中于在FTIR光谱中其峰出现在2170至2200cm-1范围内的波数处的由Si-H伸缩振动引起的吸收，以及在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收，更具体地，这些吸收的峰强度，而非与N-H键相关的吸收，从而更稳定地得到在阻气性质，透明性，耐氧化性以及挠性方面优异的阻气涂层。
特别地，由Si-H伸缩振动引起的吸收的峰对于耐氧化性和透明性是关键的。它对于阻气性质也是关键的，因为被氧化的涂层在阻气性质方面显著劣化。特别地，根据本发明的发明人所进行的研究，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰的位置(表示为波数)主要与透明性和耐氧化性有关，并且它们之间的相关性与N-H伸缩振动的情况相比更敏感得多。在从FTIR光谱得到的数片(pieces of)信息中，在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]与耐氧化性具有最强的相关性。而且，对于基于氮化硅的涂层的氧化的研究揭示，N-H键的***对于氧化而言不是不可缺少的，而Si-H和Si-N键的***对于氧原子的键合而言是必要的。
以上可以表明，为了达到稳定的阻气性质，透明性和耐氧化性，最佳的是将注意力集中在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰和由Si-N伸缩振动引起的吸收峰。通过除峰的特性以外还考虑涂层的组成和氢含量，将更加稳定地得到在阻气性质，透明性，耐氧化性方面，以及在挠性方面优异的阻气涂层。
如上所述，作为本发明的阻气涂层的无机层14是基于氮化硅的涂层(以下，为了方便，也称为“氮化硅涂层”)，并且具有1至1.4的N/Si组成比。
小于1的N/Si组成比是不利的，原因在于它们可能致使无机层14被着色，从而不能具有足够的透明性。
大于1.4的N/Si组成比由于其自身的下列原因也是不利的：没有获得足够的耐氧化性，在长的时间内没有保证足够的阻气性质，并且使得无机层14易于破裂。
考虑到以上情况，更优选的N/Si组成比为1.2至1.35。
在本发明中，关于作为无机层14或本发明的阻气涂层的氮化硅涂层，除氮与硅的组成比和在FTIR光谱中的峰以外，还考虑其氢含量。根据本发明，无机层14的氢含量为10至30原子％。
氢含量高于30原子％的无机层14由于下列原因是不利的：没有获得足够的耐氧化性，在长的时间内没有保证足够的阻气性质，并且使得无机层14易于破裂。
实际上，在氮化硅涂层中的氢原子来自于气态原料等，并且它们的包含是不可避免的。作为阻气涂层的特性，较低的氢含量是更优选的，其中不大于5原子％的含量是特别优选的，并且理想的是0原子％。然而，氢含量的降低要求特别的处理或操作(例如，在沉积过程中基底温度的显著提高，或后退火处理)，以及较高的生产成本。而且，容易想到的是，没有氢的涂层具有差的挠性，原因在于涂层中的键以三维方式非常稳固地连接在一起。通过使无机层14具有不小于10原子％的氢含量，可以保证有利的生产率和成本以及足够的挠性。
优选地，使得无机层14具有15至25原子％的氢含量，原因在于这样的层14更便利地避免了以上不利之处。
在本发明的无机层14中，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰在层14的FTIR光谱中出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处。
图2显示氮化硅涂层的示例性FTIR光谱。如从图2，并且从JP2004-292877A的图11看出的，由Si-H伸缩振动引起的吸收在氮化硅的FTIR光谱中由在2000至2300cm-1区域中的宽峰表示。
只要适当地形成涂层，并且合适地进行光谱测量，测量值(measurements)的修正等，以上吸收的峰就将出现在不大于2200cm-1的波数处，其中较高的波数是更优选的，即在较低波数作为峰位置的情况下涂层更容易氧化。根据本发明的发明人进行的研究，在小于2170cm-1的波数处出现的峰是不利的，原因在于没有得到足够的耐氧化性，并且在长的时间内没有保证足够的阻气性质。
由于由Si-H伸缩振动引起的吸收峰通常出现在不大于2200cm-1的波数处，因此在高于2200cm-1的波数处的峰可能暗示以下不宜之处：例如归因于所使用的仪器的误差，修正误差，和涂层的不适当沉积。
在氮化硅的FTIR光谱中，如上所述由Si-H伸缩振动引起的吸收由在2000至2300cm-1区域内的宽峰表示，而由Si-N伸缩振动引起的吸收由840cm-1附近的宽峰表示，这还从图2看到。
如上所述，本发明的注意力集中于在FTIR光谱中其峰出现在2170至2200cm-1范围内的波数处的由Si-H伸缩振动引起的吸收，以及在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收，而非与N-H相关的吸收，并且根据本发明，在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。
在以上范围以外的峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]，不论小于0.03还是大于0.15，都是不利的，原因在于没有获得足够的耐氧化性，在长的时间内没有保证足够的阻气性质，并且难以获得足够的挠性。
无机层14适宜地具有0.03至0.15的峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]，即合宜地避免以上不利之处的比率。
从图2进一步看出的是，由N-H伸缩振动引起的吸收在氮化硅涂层的FTIR光谱中由3350cm-1附近的宽峰表示。
在本发明的无机层14中，在FTIR光谱中的3350cm-1附近的由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(N-H)/I(Si-N)]优选为0.03至0.07。
不小于0.03的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-N)]是有利的，原因在于更合宜地防止了涂层的着色，从而允许无机层14具有高透明性，并且在于改善了对基底Z或下层(底涂层)的粘合。另一方面，不大于0.07的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-N)]是有利的，原因在于获得了较高的耐氧化性，并且在长的时间内保证了足够的阻气性质，改善了对基底Z或下层的粘合，并且在于更易于获得足够的挠性。
根据以上优点的更便利获得，更优选无机层14具有0.03至0.06的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-N)]。
无机层14的密度不受特别限制，并且优选2.1至2.7g/cm3的密度。
不小于2.1g/cm3的密度是有利的，原因在于获得了较高的耐氧化性，在长的时间内保证了足够的阻气性质，并且在于改善了对基底Z或下层的粘合。尽管具有较高密度的涂层更容易破裂，但是不大于2.7g/cm3的密度是有利地，原因在于合适地防止了归因于较高密度的破裂(挠性的改善)，并且在于改善了对基底Z或下层的粘合。
根据以上优点的更便利获得，更优选无机层14具有2.3至2.6g/cm3的密度。
在本发明的无机层14中，在FTIR光谱中3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与其峰出现在2170至2200cm-1范围内的波数处的由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]优选为0.5至1.5。
小于0.5的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-H)]是有利的，原因在于合宜地防止了涂层的着色，从而允许无机层14具有高透明性。另一方面，不大于1.5的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-H)]是有利的，原因在于获得了较高的耐氧化性，并且在于在长的时间内保证了足够的阻气性质。
根据以上优点的更便利获得，更优选0.7至1.3的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-H)]。
在本发明的无机层14中，在FTIR光谱中840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰优选出现在820至860cm-1范围内的波数处。
在不小于820cm-1的波数处的峰是有利的，原因在于合宜地防止了涂层的着色，从而允许无机层14具有高透明性。另一方面，在不大于860cm-1的波数处的峰是有利的，原因在于获得了较高的耐氧化性，在长的时间内保证了足够的阻气性质，并且在于改善了对基底Z或下层的粘合。
根据以上优点的更便利获得，更优选在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰出现在825至845cm-1范围内的波数处。
在本发明中，无机层14所基于的氮化硅优选具有1.69至
Figure BSA00000280780100121
的Si-N键长。
在以上范围内的平均Si-N键长是有利的，原因在于获得了较高的耐氧化性，在长的时间内保证了足够的阻气性质，改善了对基底Z或下层的粘合，并且在于合宜地防止了涂层的着色，从而允许无机层14具有高的透明性。
优选地，无机层14具有不大于15原子％的氧含量。
无机层14中的氧原子是其包含取决于沉积条件等而不可避免的杂质，并且不大于15原子％的氧含量是有利的，原因在于获得了较高的阻气性质，并且在于合适地防止归因于涂层的内部结构的破裂(挠性的改善)。
根据以上优点的更便利获得，更优选在无机层14中的氧原子的含量为10％以下。
无机层14的厚度不受特别限制，但是可以根据所需的阻气性质等适当地规定，但是优选10至150nm的厚度。
通过使无机层14具有不小于10nm的厚度，稳定地获得足够的阻气性质。尽管无机层14基本上具有随着厚度增大而更好的阻气性质，但是如果无机层14具有超过150nm的厚度，则阻气性质将难以进一步改善。相反，不大于150nm的厚度是有利的，原因在于合适地阻止了无机层14的破裂。
根据以上优点的更便利获得，无机层14的更优选厚度为20至80nm。
如上所述，无机层14(本发明的阻气涂层)在透明性方面优异，具有例如95％以上的可见光透射率(在400至700nm波长范围内的平均透射率)。
本发明的无机层14不仅在阻气性质和透明性方面优异，而且在耐氧化性和挠性方面也优异。
因此，根据本发明，可以得到一种阻气膜作为显示器用的最佳阻气膜，所述阻气膜包括沉积在基底膜上的基于氮化硅的阻气涂层。在此情况下，所述阻气膜具有允许至多1×10-5[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性质和85％以上的可见光透射率(如以上定义的)，并且即使在将该膜在温度为60℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持其阻气性质和可见光透射率，并且即使在将该膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持其阻气性质和可见光透射率。
同样根据本发明，可以得到一种阻气膜作为用于太阳能电池的最佳阻气膜，所述阻气膜包括沉积在基底膜上的基于氮化硅的阻气涂层。此阻气膜具有允许至多3×10-3[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性质和85％以上的可见光透射率(如以上定义的)，并且即使在将该膜在温度为85℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持其阻气性质和可见光透射率，并且即使在将该膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持其阻气性质和可见光透射率。
根据本发明还可以得到一种更高质量的阻气膜，所述阻气膜包括沉积在基底膜上的基于氮化硅的阻气涂层。所述阻气膜应当具有允许至多1×10-5[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性质和85％以上的可见光透射率(如以上定义的)，并且即使在将该膜在温度为85℃且相对湿度为85％的环境中留置1000小时以后，也维持其阻气性质和可见光透射率并且即使在将该膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持其阻气性质和可见光透射率。
不必说，在以上阻气膜中的任何一种中，膜本身的可见光透射率随基底膜或其上的层的可见光透射率而变化。
特别是当如上所述的这种阻气膜包括起用于无机层14的底涂层作用的如图1中所示的有机层12时，便利地得到如上所述的这种阻气膜。
在本发明中，对沉积(形成)无机层14(本发明的阻气涂层)的方法没有特别限制，并且可以使用用于氮化硅涂层沉积的任何已知技术，例如真空蒸发，溅射，或化学气相沉积(CVD)。
其中，适当使用各种等离子体CVD技术，包括电容耦合等离子体增强CVD(capacitively coupled plasma-enhanced CVD)(CCP-CVD)，诱导耦合等离子体增强CVD(inductively coupled plasma-enhanced CVD)(ICP-CVD)，微波CVD(microwave CVD)，电子回旋加速器共振CVD(electron cyclotron resonance CVD)(ECR-CVD)，和大气介电势垒放电CVD(atmospheric dielectric-barrier discharge CVD)。
通过等离子体CVD沉积的无机层14是有利的，原因在于获得了较高的阻气性质，合适地防止了归因于涂层结构的破裂(挠性的改善)，并且在于生产率提高。
用于通过等离子体DVD沉积无机层14，即本发明的阻气涂层的气态原料不受特别限制，但是可以适当地从用于通过常规等离子体CVD技术沉积氮化硅涂层的气态原料中选择，所述气态原料由下列各项示例：硅烷气体，乙硅烷气体，四乙氧基硅烷(TEOS)，六甲基二硅氧烷(HMDSO)，六甲基二硅氮烷(HMDSN)，四甲基硅烷(TMS)，肼气，氨气，氮气，氢气，氩气，氖气和氦气。另外，可以基本上根据要使用的气态原料，要沉积的无机层14的厚度等适当地规定沉积条件。
本发明的阻气涂层和本发明的阻气涂层的优选实施方案可以通过下列方法实现：在通过等离子体CVD沉积的过程中，适当地控制下列条件，例如反应性气体进料的量和比例，沉积压力，等离子体-激发电功率，等离子体-激发频率，用于偏压的电功率，基底温度(如果使用，在作为基底的不太耐热的膜可以接受的范围内)，在沉积前要达到的压力，和在基底和等离子体生成区域之间的距离，以控制N/Si组成比，FTIR光谱中的各个吸收的峰位置和峰强度，氢含量，氧含量，平均Si-N键长等。
FTIR光谱中的各个吸收的峰位置和峰强度受如上所述的所有沉积条件影响，其彼此影响。因此，对用于本发明的阻气涂层的沉积条件的技术要求(specification)的解决方案不限于1个，即，可以讨论各种沉积条件以根据各种设备将它们适当地指定/建立。可以争论的是，在低温沉积的氮化硅涂层用于透明阻气膜的实际应用是本发明的重要目的，因而优选控制反应性气体进料的比例，沉积压力，等离子体-激发电功率等，从而改变作为目标的N/Si组成比，FTIR光谱中的各个吸收的峰位置和峰强度等。
如图1中所示的本发明的阻气膜10在基底Z上具有1个有机层12和1个无机层14，尽管本发明不限于这种结构。在根据本发明的阻气膜中，有机层12和无机层14在数量上可以各自为2个以上，并且在此情况下，层12和层14可以交替层叠。换言之，本发明的阻气膜可以具有包括有机层12和无机层14的两个以上的组合的层压结构，例如，如图3中示意性显示的结构，其包括在基底Z上依次沉积的有机层12a，无机层14a，有机层12b，和无机层14b。
包括2个以上的有机层12和2个以上的无机层14，并且层12和层14交替层叠的结构在阻气性质方面获得了更适宜的结果。
尽管有机层12和无机层14在数量上优选都为2个以上，但是层12或层14在数量上为2个以上也是可以的。如果使得两者在数量上都是2个以上，则有机层12的数量和无机层14的数量可以彼此不同。
考虑到表面保护，可以将有机层12布置在层的层叠体中的最上面，并且特别是当使得有机层12在数量上为2个以上时，这种布置是优选的。
包括2个以上的有机层12和2个以上的无机层14的多层结构使得可以得到在下列方面更优异的阻气膜：阻气性质，机械强度，耐氧化性，在长的时间内维持其阻气性质的能力，光取出效率(light extraction efficiency)，和其它性质。
在本发明的阻气膜包括多个无机层14的情况下，不需要每一个层14都是本发明的阻气涂层，只要至少一个层14是本发明的阻气涂层即可。换言之，在无机层14中，一个或多个各自可以是本发明的阻气涂层，而其余各自可以是氧化硅或氧化铝涂层。
然而，优选的是，在包括多个无机层14的本发明的阻气膜中，2个以上的层14，特别是所有的层14各自都是本发明的阻气涂层。
已经这样详细描述了根据本发明的阻气涂层和阻气膜，但是本发明绝不限于以上实施方案。不必说，在不背离本发明的要旨的情况下可以进行各种改进和更改。
实施例
[实施例1]
使用用于通过CCP-CVD技术沉积涂层的普通CVD设备在基底上形成阻气涂层。
所使用的基底是100μm-厚的PET膜(Lumirror(R)T60，由Toray Industries，Inc.生产；总发光透射率，89％)。
将硅烷(SiH4)气体，氨(NH3)气，氮(N2)气和氢(H2)气用作气态原料。
所使用的电源是在13.56MHz的频率运行的射频电源。
将基底安装在CVD设备的真空室中的基底支架上，之后关闭所述室。将室中的空气吸出以允许所述室内部的压力为0.1Pa，然后以对于硅烷气体为80sccm，对于氨气为150sccm，对于氮气为200sccm并且对于氢气为170sccm的流量将气态原料引入到所述室中。
在将室中的压力稳定到50Pa以后，从RF电源对电极供给1300W的等离子体-激发功率以在基底的表面上沉积基于氮化硅的阻气涂层，从而制备包括在作为基底的PET膜上沉积的基于氮化硅的阻气涂层的阻气膜。
沉积阻气涂层，使之具有50nm的厚度。基于初步实验控制涂层的厚度。在沉积过程中，通过内置于基底支架中的温度调节装置将基底温度调节到70℃以下。
关于所制备的阻气膜，经由Rutherford背向散射分析(Rutherford backscattering analysis)和氢前向散射分析(hydrogen forward scattering analysis)在背向散射分光计(型号AN 2500，由NHV Corporation制造)上测量阻气涂层的N/Si组成比和氢含量。
发现涂层具有1.36的N/Si组成比和23原子％的氢含量。
将阻气涂层进行FTIR光谱法，并且发现归因于Si-H伸缩振动的峰出现在2184.5cm-1处。
如由归因于Si-H伸缩振动的峰的峰强度I(Si-H)和在840cm-1附近的归因于Si-N伸缩振动的峰的峰强度I(Si-N)确定的峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.048(参见图4A)。
在此实施例中，在作为基底的Si晶片((001)面)上沉积与在PET基底上沉积的阻气涂层完全相同的阻气涂层，并且将其进行透射FTIR光谱法。证实的是，该测量结果具有与在使用PET基底的以上阻气膜中的阻气涂层的ATR-FTIR光谱法得到的那些相同的倾向。
在硅晶片基底上的阻气涂层的FTIR光谱结果实际上比在如上所述的这种阻气膜中的阻气涂层的那些FTIR光谱结果更精确。因此，通过在Si晶片基底上形成的相同的阻气涂层的透射FTIR光谱得到以上阻气膜中的阻气涂层的FTIR光谱中归因于Si-H伸缩振动的峰的位置，以及峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]。
[比较例1]
通过遵循实施例1中的程序制备阻气膜，不同之处在于氨气的原料流量为60sccm，氮气的原料流量为400sccm并且氢气的原料流量为60sccm，沉积压力为100Pa，并且等离子体-激发功率为600W。
关于所制备的阻气膜中的阻气涂层，以与实施例1相同的方式确定N/Si组成比，氢含量，归因于Si-H伸缩振动的峰的位置，和峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]。
发现阻气涂层的N/Si组成比为0.97，氢含量为33.6原子％，归因于Si-H伸缩振动的峰出现在2157.2cm-1处，并且峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.17。
将分别在实施例1和比较例1中所制备的阻气膜中的阻气涂层，在刚刚制备以后，在85℃的温度和85％的相对湿度的环境中留置500小时以后，以及在85℃的温度和85％的相对湿度的环境中留置1000小时以后，进行FTIR光谱法。
光谱结果阐述在图4A和4B中，并且图4A显示实施例1的FTIR光谱，而图4B显示比较例1的那些光谱。
在图4A和图4B中的每一个中，为了更好地看到随着时间的改变，从下方以下列顺序排列在刚刚制备以后的FTIR光谱(用“0hr”表示)，在500小时以后的FTIR光谱(用“500hr”表示)，和在1000小时以后的FTIR光谱(用“1000hr”表示)，而各自由水平虚线表示的3个光谱的基线应当被假定位于1个和相同的吸光度水平。
如从图4A中看到的，其中N/Si组成比，氢含量，归因于Si-H伸缩振动的峰的位置和峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]落入所定义的各自范围之内的实施例1的本发明阻气涂层在FTIR光谱方面没有显著改变，即使在85℃的温度和85％的相对湿度的环境中留置500或1000小时以后也是如此，即，证实实施例1的阻气涂层是高度耐氧化的，并且具有良好的长期阻气性质。
相反，将其中N/Si组成比，氢含量，归因于Si-H伸缩振动的峰的位置和峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]都没有落入所定义的范围之内的比较例1的阻气涂层在85℃的温度和85％的相对湿度的环境中留置500小时，此时在FTIR光谱中1080cm-1附近识别出在刚刚制备以后没有识别出的由Si-O伸缩振动引起的吸收，如图4B中所示。而且，该吸收在将阻气涂层在以上环境中留置1000小时以后增加，这表明了涂层的进一步氧化。
[实施例2至4和比较例2至4]
通过遵循实施例1中的程序制备6个不同的阻气膜，即实施例2至4的膜和比较例2至4的膜，不同之处在于适当地改变选自各个反应气体的流量，等离子体激发电功率和沉积压力中的一项或多项。
关于所制备的阻气膜中的阻气涂层，以与实施例1相同的方式确定N/Si组成比，氢含量(原子％)，归因于Si-H伸缩振动的峰的位置(cm-1)和峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]。
另外，从FTIR-光谱结果确定在3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收的峰强度I(N-H)与峰强度I(Si-N)的比率[I(N-H)/I(Si-N)]，以及在峰强度I(N-H)与峰强度I(Si-H)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]。
对于每一个阻气涂层，经由X-射线反射率测量在用于薄膜分析的X-射线衍射仪(型号ATX-E，由Rigaku Corporation制造)上测量密度(g/cm3)。
结果阐述在表1中。
表1
Figure BSA00000280780100201
在阻气性质，可见光透射率和耐氧化性方面对实施例2至4和比较例2至4的阻气膜进行考察。
<阻气性质>
通过MOCON法测量阻气膜的水蒸汽透过率[g/(m2·天)]。如果任何样品具有超过MOCON法的测量极限的水蒸汽透过率，则通过钙腐蚀法(如在JP 2005-283561 A中公开的)重新测量样品。
<可见光透射率>
使用分光光度计(类型U-4100，由Hitachi High-Technologies Corporation制造)，测量每一种阻气膜(包括PET基底)在400至700nm的波长范围内的平均透射率。还得到作为基底的PET膜的平均透射率。
基于假定为100％的PET膜的平均透射率评价有关阻气膜的可见光透射率(％)。
<耐氧化性>
通过将储存阻气膜在规定温度和湿度(相对湿度(％))的环境中历时1000小时，评价阻气膜的耐氧化性。
更具体地：对于每一种阻气膜，在储存之前和之后，经由X-射线光电子能谱(XPS；在由ULVAC-PHI，Inc.制造的XPS微探针PHI Quantera SXMTM上进行)进行有关膜中的阻气涂层的组成测量，以确定从其排除了已经在储存之前被氧化的表面或界面的区域中的氧与氮的比率(O/N值)。如果在储存以后的O/N值比储存之前的O/N值增加至少10％，则认为阻气膜“被氧化”。对于耐氧化性的评价基于储存阻气膜的氧化环境而进行。换言之：
在储存在85℃温度和85％湿度的环境中历时1000小时以后不被氧化的阻气膜被评价为5；
在储存在60℃温度和90％湿度的环境中历时1000小时以后不被氧化的阻气膜被评价为4；
在储存在40℃温度和90％湿度的环境中历时1000小时以后不被氧化的阻气膜被评价为3；
在储存在25℃温度和50％湿度的环境中历时1000小时以后不被氧化的阻气膜被评价为2；和
在储存在25℃温度和50％湿度的环境中历时1000小时以后被氧化的阻气膜被评价为1。
结果阐述在表2中。
表2
Figure BSA00000280780100211
如从表2看出的，在其每一个的N/Si组成比，氢含量，归因于Si-H伸缩振动的峰的位置以及峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]都落入各自所定义的范围之内的实施例2至4的阻气膜在阻气性质，可见光透射率，和耐氧化性中的每一项方面都是优异的。其阻气涂层各自具有优选的峰强度比率[I(N-H)/I(Si-N)]和[I(N-H)/I(Si-H)]以及优选的密度的实施例2和3的阻气膜达到了特别适宜的结果。
相反，其中N/Si组成比和氢含量超出各自所定义的范围的比较例2的阻气膜具有差的阻气性质和低的耐氧化性。其中氢含量高并且与Si-H键相关的峰位置过低的比较例3的阻气膜，以及其中N/Si组成比小，氢含量高，与Si-H键相关的峰位置过低，并且峰强度比率[I(Si-H)/I(Si-N)]大的比较例4的阻气膜各自在阻气性质，可见光透射率和耐氧化性中的任何一项方面都差。
图5显示在实施例2至4和比较例2至4中制备的阻气膜作为N/Si组成比的函数的可见光透射率。
如从图5明显的是，通过对膜中的基于氮化硅的阻气涂层赋予不小于1的N/Si组成比，使阻气膜具有高的可见光透射率，即良好的透明性。
[实施例5]
在与实施例2(即，如实施例1)相同的基底上沉积有机层，然后在与实施例2相同的条件下在有机层上沉积阻气涂层，以制备如图1中所示的阻气膜，所述阻气膜具有在基底Z上沉积的有机层12和无机层14。
在此实施例中，有机层12是500nm-厚的基于三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的有机层，其通过下列方法形成：制备包含溶解在18.5g甲基乙基酮中的1.37g单体形式的TMPTA(A-TMPT，由Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.生产)和0.134g自由基聚合引发剂(ESACURE(R)KTO46，由Lamberti S.p.A.生产)的涂布制剂，用辊涂机涂覆该涂布制剂，并且干燥，然后将涂布制剂UV-固化。
[实施例6]
将实施例5中的有机层12和阻气涂层的沉积进行2次，以制备如图3中所示的阻气膜，其具有在基底Z上沉积的有机层12a，无机层14a，有机层12b和无机层14b。
以与以上关于实施例2至4和比较例2至4所述相同的方式，测量实施例5和6的阻气膜以及实施例2的阻气膜的阻气性质(水蒸汽透过率[g/(m2·天)])。测量在下列条件下进行：在将阻气膜在常温和湿度储存1000小时以后，在将膜储存在60℃温度和90％相对湿度的环境中历时1000小时以后，在将膜储存在85℃温度和80％相对湿度的环境中历时1000小时以后，以及在将膜各自卷绕到直径为10mm的圆柱形棒上，然后展开1000次以后。
结果阐述在表3中。
Figure BSA00000280780100231
测量极限为1.0E-05[g/(m2·天)]
从表3显然的是，即使在处于高的温度和湿度的环境中长时间静置或被许多次卷绕在细棒上，本发明的阻气膜在阻气性质方面也不显著下降，即在耐氧化性(耐环境性)以及挠性方面非常优异。
工业适用性
本发明可以适当地用于需要具有高透明性和耐氧化性以及良好阻气性质的各种产品的生产，例如包括液晶显示器的各种显示器或太阳能电池的生产。

Claims (12)

1.一种基于氮化硅的阻气涂层，其具有：
1至1.4的N/Si组成比，和
10至30原子％的氢含量，其中：
在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中，由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处，并且由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。
2.根据权利要求1所述的阻气涂层，其中在傅里叶变换红外吸收光谱中的3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与所述峰强度I(Si-N)之间的比率[I(N-H)/I(Si-N)]为0.03至0.07。
3.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，所述阻气涂层的密度为2.1至2.7g/cm3。
4.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，其中在傅里叶变换红外吸收光谱中的3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与所述峰强度I(Si-H)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]为0.5至1.5。
5.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，其中在傅里叶变换红外吸收光谱中，在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰出现在820至860cm-1的范围内的波数处。
6.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，其中平均Si-N键长为1.69至
Figure FSA00000280780000011
7.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，所述阻气涂层具有不大于15原子％的氧含量。
8.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，所述阻气涂层具有10至150nm的厚度。
9.根据权利要求1或2所述的阻气涂层，所述阻气涂层作为单层具有不小于95％的可见光透射率。
10.一种阻气膜，其包括：
玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜；和
沉积在所述树脂膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层。
11.一种阻气膜，其包括：
基底膜；和
沉积在所述基底膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层，
其中所述阻气膜具有允许至多1×10-5[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85％的可见光透射率，并且
其中即使在将所述阻气膜在温度为60℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持所述阻气性能和所述可见光透射率，并且即使在将所述阻气膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。
12.一种阻气膜，其包括：
基底膜；和
沉积在所述基底膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层，
其中所述阻气膜具有允许至多3×10-3[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85％的可见光透射率，并且
其中即使在将所述阻气膜在温度为85℃且相对湿度为90％的环境中留置1000小时以后，也维持所述阻气性能和所述可见光透射率，并且即使在将所述阻气膜卷绕成直径为10mm的卷材，然后展开1000次以后，同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。
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