CN102012643B - 减压干燥装置和减压干燥方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种减压干燥装置和减压干燥方法,能够在对被处理基板上的涂敷膜迅速地进行减压干燥处理的工艺和缓慢地进行减压干燥处理的工艺之间有选择性地进行切换。在该减压干燥单元(214)中,气流控制部(260)包括:位于下部腔室(224)的沿Y方向相对的侧壁224(2)、224(4)的内侧、并配置在载置台(230)的两侧的第一分隔板(262A、262B);使该第一分隔板(262A、262B)在第一高度位置和第二高度位置之间升降移动的第一升降机构(264)。而且,气流控制部(260)包括:配置在载置台(230)的周围或旁边的、横截面呈コ字状的第二分隔板(276);使该第二分隔板(276)在第三高度位置和第四高度位置之间升降移动的第二升降机构(278)。
Description
技术领域
本发明涉及在减压状态下对形成在被处理基板上的涂敷液的膜(涂敷膜)实施干燥处理的减压干燥装置和减压干燥方法。
背景技术
例如在FPD(Flat Panel Display,平板显示器)的制造中,在玻璃基板等被处理基板上形成规定的膜后,利用所谓光刻工序形成电路图案,该光刻工序如下所述:涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下称为抗蚀剂)而形成抗蚀剂膜,然后与电路图案相对应地对抗蚀剂膜进行曝光,对曝光后的抗蚀剂膜进行显影处理。
在该FPD制造的光刻工序中,对在玻璃基板等被处理基板上涂敷有抗蚀剂液的涂敷膜进行预烘干之前,为了使涂敷膜适当地干燥而使用减压干燥装置。
以往的有代表性的减压干燥装置(50)例如如专利文献1记载那样,具有上表面开口的托盘或浅底容器型的下部腔室(51)和构成为与该下部腔室的上表面气密地紧密结合或能够与该下部腔室的上表面嵌合的盖状的上部腔室(52)。在下部腔室中配设有载置台,在该载置台上利用固定凸片(fin)(54)水平地载置基板(G),之后关闭腔室(使上部腔室与下部腔室紧密结合),进行减压干燥处理(参照图23)。
在这种减压干燥处理中,通过设于下部腔室的底部的排气口(55),利用外部的真空泵来进行腔室内的真空排气。通过该真空排气,腔室内的压力从排气之前的大气压状态改变为减压状态,在该减压状态下,溶剂(稀释剂)从基板上的抗蚀剂涂敷膜蒸发,从而在抗蚀剂涂敷膜的表面形成变质层(坚固的层)。然后,在开始减压干燥之后经过了一定时间的时刻,或到达设定压力的时刻,结束减压干燥处理。因此,经由设于下部腔室内的角落的清除口(purge port)喷出或扩散放出非活性气体(例如氮气或空气),使腔室内的压力恢复至大气压。之后,抬起上部腔室,打开腔室,搬出基板。
专利文献1:日本特开2000-181079
另外,近年来,用于FPD等的玻璃基板大型化,在减压干燥处理单元中,收容玻璃基板的腔室也大型化。
因此,腔室内的容积增加,减压到规定压力需要一定时间。而且,因为涂敷在基板上的抗蚀剂液的量增加,所以抗蚀剂液在基板整个面上均匀地干燥需要较长时间,存在生产效率降低这样的课题。
对于这样的课题,本申请人提出以下的减压干燥装置和减压干燥方法,即,通过在腔室内设有整流构件,能够在基板上表面附近形成向一个方向流动的气流,从而在更短的时间内对基板处理面进行干燥处理(日本特愿2009-172834)。
但是,根据抗蚀剂液的种类、膜厚等处理条件的不同,干燥时间、干燥斑的产生状态也不同,因此在1个腔室中执行多种处理条件的情况下,所有的基板未必均能在短时间内形成良好的膜。
即,为了对处理条件不同的所有基板进行良好的成膜(干燥处理),需要至少根据处理条件而改变配置在腔室内的基板的高度,然而,即使改变基板的高度,使用相同的整流构件仍不足以应对所有的处理条件。
列举具体的例子,根据抗蚀剂液的种类、膜厚的不同,在腔室内基板下方的空间狭小的情况下,在抗蚀剂膜上容易产生基板下方的构件的复制痕迹。
为了防止那样的复制痕迹的产生,优选提高腔室内的基板的位置,使基板远离腔室底面。
但是,若使基板远离腔室底面,则设于腔室内的整流构件无法充分地发挥作用,在基板的背面侧产生间隙从而无法在基板上形成充分的气流,不能在短时间内进行干燥处理。此外,由于通过基板的背面侧(基板和整流构件之间的间隙)的气流,存在容易在抗蚀剂膜上产生干燥斑这样的问题。
并且,抗蚀剂图案的残留膜率与图案截面形状以及线宽之间存在有相关关系,残留膜率越高则抗蚀剂图案的铅直方向的上部的角部越伸展,且抗蚀剂图案的铅直方向的下部越窄(即截面形状呈倒锥形),残留膜率越低则抗蚀剂图案的铅直方向的上部越窄,且抗蚀剂图案的铅直方向的下部越宽(即截面形状呈梯形)。通常,在器件的微细化中期望残留膜率高的前者的图案特性,但是在多层布线构造中使布线交叉时,有时残留膜率低的后者的图案特性是好的。因此,应根据器件的规格等选择残留膜率高的减压干燥处理或残留膜率低的减压干燥处理中的任一个。无论选择哪一种减压干燥处理,都需求使减压干燥处理后的抗蚀剂涂敷膜在面内均匀地具有期望的膜质特性那样的装置性能。
发明内容
本发明是鉴于上述这样的情况而提出的,提供一种减压干燥装置和减压干燥方法,该减压干燥装置是对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥装置,该减压干燥装置和减压干燥方法能够对处理条件不同的多个被处理基板分别缩短处理液的干燥时间且进行良好的成膜。
此外,本发明提供一种减压干燥装置和减压干燥方法,其能够在迅速地对被处理基板上的涂敷膜进行减压干燥处理的工艺和缓慢地对被处理基板上的涂敷膜进行减压干燥处理的工艺之间有选择性地进行切换,并且无论是哪一种工艺都能够在基板上面内均匀地获得期望的膜质特性。
为了解决上述的课题,本发明的减压干燥装置是对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥装置,其包括:腔室,其用于收容被处理基板,并形成处理空间;保持部,其被设于上述腔室内,用于保持上述被处理基板;第一升降部件,其用于使上述保持部升降移动;气流控制部,其被设于上述保持部的下方;第二升降部件,其用于使上述气流控制部升降移动;排气口,其形成于上述腔室内;排气部件,其用于自上述排气口对腔室内的气氛排气。
根据这样的构成,通过在减压干燥处理的期间使用于保持被处理基板的保持部的高度和气流控制部的高度变化,能对形成在腔室内的气流进行控制。
由此,即使由于被处理基板不同而使抗蚀剂液的种类、膜厚等处理条件不同,也能实施与各处理条件相对应的较佳的干燥处理,能缩短抗蚀剂液的干燥时间,并且进行良好的成膜。
此外,本发明的减压干燥装置是用于在减压状态下使形成于被处理基板上的涂敷液的膜干燥的减压干燥装置,其包括:腔室,其能够被减压,且能够放入、取出基板地收容该基板;保持部,其用于在上述腔室内载置基板;非活性气体供给部,其具有在水平的第一方向上设于上述腔室内的上述保持部的一侧的第一供气口,经由上述第一供气口向上述腔室内供给非活性气体;排气部,其具有设于上述腔室内的除了上述第一供气口和上述保持部之间的第一区域之外的第二区域的排气口,经由上述排气口对上述腔室内进行真空排气;气流控制部,其能够在第一模式和第二模式之间进行切换,该第一模式将非活性气体的气流路径限制为自上述第一供气口喷出的非活性气体中的大部分非活性气体通过上述保持部和基板的上方并到达上述排气口,该第二模式实质上解除上述气流路径对非活性气体的限制。
此外,本发明的减压干燥方法是在上述减压干燥装置中对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其进行以下的步骤:将被处理基板保持于上述保持部的步骤;利用上述第一升降部件使上述保持部上升,使被保持于上述保持部的上述被处理基板接近上述腔室的顶部的步骤;利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;在经过规定时间后,利用上述第二升降部件使上述气流控制部上升移动,使上述气流控制部接近被保持于上述保持部的被处理基板的步骤。
此外,本发明的减压干燥方法是在上述减压干燥装置中对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其进行以下的步骤:将被处理基板保持在上述保持部的步骤;利用上述第一升降部件使上述保持部下降移动,使上述被处理基板接近上述气流控制部的步骤;利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;在经过规定时间后,在上述气流控制部和用于保持上述被处理基板的上述保持部保持相互之间的距离的状态下,利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述整流构件和上述保持部上升移动,并使上述整流构件和上述保持部停止在腔室内的规定位置的步骤。
此外,本发明的减压干燥方法是在上述减压干燥装置中对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其进行以下的步骤:将被处理基板保持于上述保持部的步骤;利用上述第一升降部件使上述保持部上升,使被保持于上述保持部的上述被处理基板接近上述腔室的顶部的步骤;利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;在经过规定时间后,利用上述第二升降部件使上述气流控制部上升移动,使上述气流控制部接近被保持于上述保持部的被处理基板,并且利用上述供气部件向上述腔室内供应非活性气体的步骤。
此外,本发明的减压干燥方法是在上述减压干燥装置中对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,进行以下的步骤:将被处理基板保持于上述保持部的步骤;利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;在经过规定时间后,利用上述第一升降部件使上述保持部下降移动,使上述被处理基板接近上述气流控制部,并且利用上述供气部件向上述腔室内供应非活性气体的步骤;在经过规定时间后,在上述气流控制部和用于保持上述被处理基板的上述保持部保持相互之间的距离的状态下,利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述整流构件和上述保持部上升移动,并使上述整流构件和上述保持部停止在腔室内的规定位置的步骤。
此外,本发明的减压干燥方法是在上述减压干燥装置中对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其进行以下的步骤:将被处理基板保持于上述保持部的步骤;利用上述第一升降部件使上述保持部下降移动,使上述被处理基板接近上述气流控制部的步骤;利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;利用上述供气部件对上述腔室内供给非活性气体的步骤;在经过规定时间后,在上述气流控制部和用于保持上述被处理基板的上述保持部保持相互之间的距离的状态下,利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述整流构件和上述保持部上升移动,并使上述整流构件和上述保持部停止在腔室内的规定位置的步骤。
通过实施这样的方法,即使由于被处理基板不同而使得抗蚀剂液的种类、膜厚等处理条件不同,也能实施与各处理条件相对应的较佳的干燥处理,能缩短抗蚀剂液的干燥时间且进行良好的成膜。
此外,本发明的减压干燥方法是使用减压干燥装置并在减压状态下使形成在被处理基板上的涂敷液的膜干燥的减压干燥方法,该减压干燥装置包括:腔室,其能够被减压,且能够放入、取出基板地收容该基板;保持部,其用于在上述腔室内载置基板;非活性气体供给部,其具有在水平的第一方向上设于上述腔室内的上述保持部的一侧的第一供气口,经由上述第一供气口向上述腔室内供给非活性气体;排气部,其具有设于上述腔室内的除了上述第一供气口和上述保持部之间的第一区域之外的第二区域的排气口,经由上述排气口对上述腔室内进行真空排气,其中,能够有选择性地切换第一模式和第二模式,该第一模式将非活性气体的气流路径限制为从上述第一供气口喷出的非活性气体中的大部分非活性气体通过上述保持部的上方并到达上述排气口,该第二模式实质上解除上述气流路径对非活性气体的限制。
根据本发明,在气流控制部选择第一模式时,在减压干燥处理中,自第一供气口向腔室内供给的非活性气体中的大部分(优选大部分)非活性气体在基板的上方朝向一个方向流动,自基板上的涂敷膜挥发的溶剂被非活性气体的气流带走,因此促进减压干燥,能够迅速且短时间地进行减压干燥处理,而且能够面内均匀地得到与基板上的涂敷膜的膜质特性相对应的迅速减压干燥的效果。
此外,在气流控制部选择第二模式时,因为在腔室内、特别是在保持部和基板周围,不对非活性气体的气流施加限制,所以不仅能够高效率地进行在减压干燥处理刚刚开始之后的抽真空、减压干燥处理结束时的清除,也能够在减压干燥处理中,以不在基板上形成一个方向的气流的方式向腔室内供给非活性气体。由此,也能够稳定且良好地实施缓慢、长时间的减压干燥处理,能够面内均匀地得到与基板上的涂敷膜的膜质特性相对应的缓慢减压干燥的效果。
根据本发明,能够获得一种减压干燥装置和减压干燥方法,该减压干燥装置是对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥装置,该减压干燥装置和减压干燥方法能够对处理条件不同的多个被处理基板分别缩短处理液的干燥时间且进行良好的成膜。
此外,根据本发明,能够在迅速地对被处理基板上的涂敷膜进行减压干燥处理的工艺和缓慢地对被处理基板上的涂敷膜进行减压干燥处理的工艺之间有选择性地切换,并且无论进行哪一减压干燥工艺都能够在基板上面内均匀地获得期望的膜质特性。
附图说明
图1是表示具有本发明的减压干燥装置的涂敷装置的整体构成的俯视图。
图2是图1的涂敷装置的侧视图。
图3是本发明的减压干燥装置的一实施方式的俯视图。
图4是图3的A-A向视剖视图。
图5是图3的B-B向视剖视图。
图6是表示本发明的减压干燥装置的动作的流程的流程图。
图7是用于说明本发明的减压干燥装置的状态转变的剖视图。
图8是用于说明本发明的减压干燥装置的状态转变的剖视图。
图9是表示一实施方式中的FPD制造用的抗蚀剂涂敷装置的构成的局部分解侧视图。
图10是表示上述抗蚀剂涂敷装置的构成的俯视图。
图11是表示实施方式的抗蚀剂涂敷单元中的供气***的一构成例的图。
图12是表示实施方式的抗蚀剂涂敷单元中的排气***的一构成例的图。
图13是表示实施方式的抗蚀剂涂敷单元中的腔室内部的构成的局部剖俯视图。
图14A是用气流控制部选择第一模式时的图13的I-I纵剖视图。
图14B是用气流控制部选择第二模式时的图13的I-I纵剖视图。
图15A是用气流控制部选择第一模式时的图13的II-II纵剖视图。
图15B是用气流控制部选择第二模式时的图13的II-II纵剖视图。
图16A是表示减压干燥处理刚开始之后的腔室内的各部分和气流的状态的俯视图。
图16B是表示减压干燥处理刚开始之后的腔室内的各部分以及气流的状态的纵剖视图。
图17A是表示在减压干燥处理中选择了第一模式的情况下的腔室内的各部分以及气流的状态的俯视图。
图17B是表示在减压干燥处理中选择了第一模式的情况下的腔室内的各部分以及气流的状态的纵剖视图。
图18是表示相对于基板上的间隙调整的气流控制部的应对的纵剖视图。
图19是表示在减压干燥处理中选择用第二模式向腔室内供给非活性气体的情况下的各部分以及气流的状态的俯视图。
图20是表示在减压干燥处理结束时用非活性气体吹扫腔室内时的各部分以及气流的状态的纵剖视图。
图21A是表示使用块状构造的载置台和升降销的实施方式的装置构成和作用的一纵剖视图。
图21B是表示使用块状构造的载置台和升降销的实施方式的装置构成和作用的另一纵剖视图。
图22A是表示在载置台下设有排气口的实施方式的装置构成的俯视图。
图22B时表示在载置台下设有排气口的实施方式的装置构成和作用的纵剖视图。
图23是表示以往的减压干燥单元的概略构成的剖视图。
具体实施方式
以下,基于图1~图5说明本发明的第一实施方式。本发明的减压干燥装置能应用于在光刻工序中在被处理基板上形成抗蚀剂膜的涂敷装置内的减压干燥单元。
如图1、图2所示,在涂敷装置100的支承台110上按照处理工序的顺序横向排成一行地配置有具有喷嘴122的抗蚀剂涂敷单元112、减压干燥单元114。在支承台110的两侧铺设有一对导轨116,利用沿着该导轨116平行移动的一组输送臂118,基板G能够自抗蚀剂涂敷单元112输送至减压干燥单元114。
上述抗蚀剂涂敷单元112如上所述具有喷嘴122,该喷嘴122以自固定在支承台110上的龙门状构件120悬垂的状态被固定。自抗蚀剂液供给部件(未图示)向该喷嘴122供给作为处理液的抗蚀剂液R,利用输送臂118的移动,自通过龙门状构件120下方的基板G的一端至另一端地涂敷抗蚀剂液R。
此外,减压干燥单元114包括:上表面开口的浅底容器型的下部腔室124;构成为能够与该下部腔室124的上表面气密地紧密结合的盖状的上部腔室126。
如图1、图3所示,下部腔室124是大致四边形,在其中心部配置有用于水平载置基板G并吸附保持该基板G的板状的载置台130(保持部)。上述上部腔室126利用上部腔室移动部件128从而能够升降地配置在上述载置台130的上方,在减压干燥处理时上部腔室126下降而与下部腔室124紧密结合而关闭,从而成为将载置在载置台130上的基板G收容在处理空间内的状态。
另外,如图4、5所示,上述载置台130能够利用例如由以电动机为驱动源的滚珠丝杠机构构成的升降装置194(第一升降部件)来进行升降移动。
此外,如图3、图4所示,基板G的侧方设有排气口134。更具体而言,排气口134设于下部腔室124的底面的一个边附近的两个部位。在各排气口134处分别连接有排气管152,各排气管152与真空泵148(排气部件)连通。而且,在将上述上部腔室126覆盖在下部腔室124的状态下,能够利用上述真空泵148将腔室内的处理空间减压至规定的真空度。
此外,在腔室内,在隔着基板G的与上述排气口134相反一侧的基板侧方设有供气口132。如图3、图4所示,该供气口132设于大致四边形的下部腔室9的底面上的、与设有上述排气口134的一边相对的另一边附近。自该供气口132向腔室内供给非活性气体(例如氮气),从而腔室内气氛被吹扫。如图4所示,连接于供气口132的供气管142与非活性气体供给部136(供气部件)连接。
在腔室内气压到达规定值(例如400Pa以下)时或自腔室内减压开始经过规定时间后,开始自上述供气口132供给非活性气体。这是为了保持因减压而流量减少的腔室内的气流,有助于缩短减压干燥处理的时间。
另外,为了在减压干燥处理期间始终保持稳定的气流,也可以在腔室内开始减压前或腔室内开始减压的同时开始供给非活性气体。
此外,供气口132侧的基板G的缘部下方配置有作为气流控制部的块状构件160。并且,在供气口132和排气口134之间的基板G左右两侧的缘部下方分别配置有作为气流控制部的块状构件161。
如图4、图5所示,这些块状构件160、161的大部分能够收容在形成于下部腔室124的底面的收容槽124a中。
此外,这些块状构件160、161能够利用例如由以电动机为驱动源的滚珠丝杠机构构成的升降装置164(第二升降部件)进行升降移动。
即,块状构件160、161利用升降装置164进行升降移动,该块状构件160、161通过被配置到腔室内的空间中而作为气流控制部发挥作用。
另外,作为这样的气流控制部的块状构件160、161既可以是相互独立设置的,也可以是一体(コ字型)地设置的。
而且,在上述块状构件160、161的左右两侧分别设有在基板G左右侧形成壁的侧板构件162,该侧板构件162用于抑制非活性气体向基板侧方的流动。
该侧板构件162例如如图所示形成为板状,其上端面被设置成与上部腔室126接触,从而遮挡基板G左右侧方的空间。或者,侧板构件162也可以被设置成其端面不与上部腔室126接触地遮挡基板G左右侧方的空间。
此外,侧板构件162不限定为板状,也可以设置成占据基板G左右侧方的空间的形状。
此外,为了在基板G上容易形成气流,该侧板构件162的沿气流方向的长度形成为至少长于基板G左右侧边的长度,然而如图3、图4所示,也可以将侧板构件162的端部162a(特别是排气口134侧)设置成不与腔室内壁124B接触。即使在该情况下,基板G左右侧方的空间的一部分处于被遮挡的状态,也能充分地抑制非活性气体向基板侧方的流动。
此外,不限于图示的例子,也可以使各侧板构件162形成为其两端部与相对的腔室内壁接触的长度,从而完全遮挡(占据)基板G左右侧方的空间。
接着,基于图6、图7说明这样构成的涂敷装置100的动作。
首先,在基板G被搬入而载置在输送臂118上时,输送臂118在轨道116上移动,其通过抗蚀剂涂敷单元112的龙门状构件120的下方进行移动。此时,自固定在龙门状构件120上的喷嘴122对在其下方移动的基板G喷出抗蚀剂液R,自基板G的一边朝向另一边涂敷抗蚀剂液R(图6的步骤S1)。
另外,在抗蚀剂液遍及基板G的整个面地被涂敷的时刻(涂敷结束位置),基板G成为位于减压干燥单元114的上部腔室126下方的状态。
接着,基板G被载置到减压干燥单元114的载置台130上,基板G被上部腔室126覆盖,该上部腔室126自其上方利用上部腔室移动部件128进行下降移动。然后,基板G被收容在通过上部腔室126相对于下部腔室124关闭而形成的处理空间内(图6的步骤S2)。
在下部腔室124被上述上部腔室126关闭时,如图7的(a)所示,载置台130被升降装置194驱动而上升移动至腔室内的上方位置,其在基板G接近腔室顶部的状态下停止(图6的步骤S3)。此时,块状构件160、161成为与下部腔室124的底部接触的状态。
真空泵148自该状态开始工作,其自排气口134经由排气管152吸引处理空间内的空气,使处理空间的气压减压至规定的真空状态(图6的步骤S4)。
在此,基板G的上表面接近腔室顶部,成为在基板G的上表面几乎不产生气氛的流动的状态。由此,对在基板G上成膜后的抗蚀剂液R实施因减压引起的自然干燥(预干燥),抑制产生复制痕迹、橘皮(orange peel,这里是指涂敷面像橘子皮那样形成为凹凸的现象)、爆沸等。
在腔室内的气压到达规定值(例如400Pa以下)或从开始减压经过规定时间时(图6的步骤S5),载置台130和块状构件160、161根据需要进行上升或下降移动,并停止在腔室内的规定位置。
在此,基于抗蚀剂液的种类、膜厚、干燥时间等处理条件来决定基板G在腔室内的高度位置,但是至少形成为块状构件160、161在基板G的缘部下方接近基板G的状态(图6的步骤S6)。
在图7的(b)所示的例子中,在该步骤S6中,载置台130的位置不变化,仅块状构件160、161利用升降装置194上升,并接近静止状态的基板G地配置在静止状态的基板G的下方。
此外,驱动非活性气体供给部136,自供气口132向腔室内供给规定流量的非活性气体,开始正式干燥处理(图6的步骤S7)。另外,向腔室内开始供给该非活性气体的时刻不限于像上述那样在步骤S6中的载置台130和块状构件160、161升降移动之后,也可以是在升降移动之前。或者,也可以在载置台130和块状构件160、161进行升降移动的中途开始供给非活性气体。
在此,由于在基板G的侧方设有侧板构件162,因此成为几乎不存在基板G的侧方的间隙的状态。此外,接近基板G的下方地设有块状构件160、161,所以块状构件160、161的侧面作为气流控制部来发挥向基板G的上方引导自供气口132供给的非活性气体的作用。
因此,自供气口132供给的非活性气体在基板上方形成向一个方向流动的气流,并且该气流从排气口134排出。
由此,提高涂敷在基板上表面的抗蚀剂液R的干燥速度,能够在短时间内进行减压干燥处理,并且不产生干燥斑,干燥状态良好。
在该正式干燥处理中,在经过规定时间减压干燥处理结束时(图6的步骤S8),上部腔室126利用上部腔室移动部件128进行上升移动,基板G自减压干燥单元114被搬出至下一处理工序。
另外,在上述图6的流程图中,在正式干燥处理时,块状构件160、161利用升降装置164上升,成为接近基板G(载置台130)的下方的状态,在基板上表面形成气流,然而在本发明中,不限定于该方式。
即,根据抗蚀剂液R的种类、膜厚等处理条件的不同,将载置台130和块状构件160、161分别移动配置到合适的高度位置,从而能控制形成在腔室内的气流。具体举例来说,在正式干燥处理的过程中,欲使在基板上表面流动的气流的量变化时,例如能够通过以下的步骤来实现。
另外,根据处理条件的不同,在使基板G接近腔室顶部的状态下进行减压干燥的预干燥的步骤不是必须的,因此,在以下的说明中省略上述预干燥的步骤。
涂敷有抗蚀剂液的基板G被载置到减压干燥单元114的载置台130上后,利用上部腔室126关闭处理空间。并且,保持有基板G的载置台130被下降移动。
如图8的(a)所示,块状构件160、161在被收容于收容槽124a中的状态下,成为块状构件160、161的上端接近被保持在载置台130上的基板G的周缘部的状态。
此外,自排气口134吸引处理空间内的空气,处理空间的气压被减压至规定的真空状态。另外,如上所述,腔室被关闭之后,该开始减压的时刻可以为载置台130下降移动之前、之后、或移动中这三者当中的任一时刻。
此外,在腔室内,自供气口132供给非活性气体。在此,如图所示,由于在基板上方形成有宽广的空间,所以在基板上表面附近形成大量的非活性气体向一个方向流动的状态,开始正式干燥处理。
另外,根据处理条件的不同,向腔室内开始供给该非活性气体的时刻还可以是使载置台130和块状构件160、161升降移动至对基板G进行正式干燥的位置之前、之后、或移动中这三者当中的任一时刻。
在图8的(a)所示状态下的干燥处理经过规定时间时,载置台130和块状构件160、161在保持相互之间的距离的状态下,如图8的(b)所示那样在腔室内同时上升,并停止在规定位置。
在此,如图所示那样,基板G的上方空间进一步变窄,因此在基板G的上表面附近流动的气流的流量减少,以小流量继续进行正式干燥处理。
另外,这样的在减压干燥处理中,使载置台130和块状构件160、161升降移动的控制不限定为像上述那样用图8说明的控制方式,也可以根据处理条件任意地变更。此外,优选与处理条件相对应地对减压干燥中的腔室内的载置台130和块状构件160、161的高度位置进行详细的设定并对其进行驱动控制。
如上所述,根据本发明的第一实施方式,通过在减压干燥处理期间使保持基板G的载置台130的高度和块状构件160、161的高度变化来控制形成于腔室内的气流。
由此,即使因被处理基板不同而使抗蚀剂液R的种类、膜厚等处理条件不同,也能实施与各处理条件相对应的较佳的干燥处理,能缩短抗蚀剂液R的干燥时间,并且进行良好的成膜。
另外,在上述实施方式中,表示了具有供气口132和非活性气体供给部136的例子,然而,本发明不限定于此,也可以是不具备供气口132和非活性气体供给部136的构成。在该情况下,作为气流控制部的块状构件160隔着保持在载置台130上的基板G被设于与排气口134相反一侧的基板缘部的下方空间。
即,即使不进行供气,只利用自排气口13的排气处理也能够在正式干燥处理中在腔室内形成气流,利用在基板上方朝向一个方向流动的气流,能提高基板上表面的抗蚀剂液R的干燥速度,从而在更短时间内进行减压干燥处理。
此外,在上述实施方式中,作为排气口,在基板G的下方位置表示有2个排气口134,但是其数量、排列(布局)不被限定。
此外,表示了在处理空间的底面形成有排气口134的例子,但是不限定于此,排气口134也可以形成于腔室内壁等。
而且,排气口134的形状表示为正圆形,但是不限定于此,也可以是长孔、矩形等其他的形状。
此外,表示了在处理空间的底面形成有供气口132的例子,但是不限定于此,例如,供气口132也可以设于下部腔室124的内壁部等。
而且,供气口132的形状表示为1个横向长的矩形状,但是不限定于此,也可以是正圆形状、长孔等其他的形状,并且不限定其数量。
或者,排气口134和供气口132各自也可以不是设于腔室的孔,而是喷嘴型的口。
以下,参照附图说明本发明的优选的第二实施方式。
在图9和图10中表示能应用本发明的第二实施方式的减压干燥装置或减压干燥方法的FPD制造用的抗蚀剂涂敷装置的另一构成例。
该第二实施方式的抗蚀剂涂敷装置200在支承台210上一并设有抗蚀剂涂敷部单元212和减压干燥单元214。减压干燥单元214是本发明的第二实施方式的减压干燥装置。因为第二实施方式的涂敷装置200如后所述那样除了气流控制部等一部分的构成之外与上述第一实施方式的涂敷装置100相同,所以省略关于相同构件的重复说明。
在该第二实施方式中,如后所述,关于基板G上的抗蚀剂涂敷膜,抗蚀剂涂敷部单元212能够有选择性地实施与得到高残留膜率(例如残留膜率99%以上)的膜质特性相对应的迅速的短时间的减压干燥工艺以及与得到低残留膜率(例如残留膜率95%以下)的膜质特性相对应的缓慢的长时间的减压干燥工艺这两者中的任一个,无论选择哪一个减压干燥工艺,都能够面内均匀地得到预期的抗蚀剂膜质特性。
此外,在用减压干燥单元214完成1次(1张基板)的减压干燥处理时,腔室开闭机构228抬起上部腔室226,腔室为开放状态,输送臂218进入腔室并自载置台230接受、搬出处理结束的基板G,然后将基板G输送至进行下一工序的预烘干的预烘干单元(未图示)。
以下,说明减压干燥单元214的详细构成和作用。
如图10所示,下部腔室224俯视构成为矩形。在该下部腔室224的内侧,与其四边的腔室壁部224(1)、224(2)、224(3)、224(4)分别相邻地设有4个(或4组)供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4),并且在四个角落设有4个(或4组)排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)。
图11表示该减压干燥单元214中的供气***的一个例子。供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)分别经由气体供给管242(1)、242(2)、242(3)、242(4)与具有非活性气体罐236和鼓风机(或压缩机)238的共用的非活性气体源240相连接。在气体供给管242(1)、242(2)、242(3)、242(4)的中途,分别设有流量调整阀244(1)、244(2)、244(3)、244(4)和开闭阀246(1)、246(2)、246(3)、246(4)。使用的非活性气体例如是氮气。
图12表示该减压干燥单元214中的排气***的一个例子。排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)分别经由排气管252(1)、252(2)、252(3)、252(4)与具有真空泵248和压力控制阀250的共用的排气装置251相连接。在气体排气管252(1)、252(2)、252(3)、252(4)的中途,分别设有开闭阀254(1)、254(2)、254(3)、254(4)。
图13~图15表示作为该减压干燥单元214的主要特征部分的气流控制部的构成。图13是表示下部腔室224内的构成的局部剖俯视图,图14A和图14B是图13的I-I纵剖视图,图15A和图15B是图13的II-II纵剖视图。
在图13中,气流控制部260包括:位于下部腔室224的在Y方向上相对的侧壁224(2)、224(4)的内侧,并配置在载置台230的两侧(优选尽可能接近载置台230的位置)的第一分隔板(或分隔壁)262A、262B;使该第一分隔板262A、262B在图14A所示的第一高度位置和图14B所示的第二高度位置之间进行升降移动的第一升降机构264。
如图13所示,第一分隔板262A、262B自在X方向上设于载置台230的一侧(图中的左侧)的供气口232(1)的附近的位置、即几乎与腔室壁部224(1)接触的位置延伸至接近载置台230的相反侧(右侧)的供气口232(3)和排气口234(3)、234(4)的位置。并且,第一分隔板262A、262B在铅垂方向(Z方向)上优选具有自下部腔室224的底面到达上部腔室226的下表面(顶面)的尺寸。
而且,在第一高度位置,第一分隔板262A、262B自下部腔室224的底面沿铅垂方向突出至到达上部腔室226的下表面或上部腔室226的下表面附近的高度(图14A),在第二高度位置,第一分隔板262A、262B下降至其上端接近下部腔室224的底面的高度或低于下部腔室224的底面的高度(图14B)。在下部腔室224的底壁形成有用于分别使第一分隔板262A、262B下降(退避)到第二高度位置的凹部265A、265B。
第一升降机构264包括:分别与第一分隔板262A、262B的下端连接的沿铅垂方向延伸的各1根或各多根支承杆266A、266B;用于平行地支承这些支承杆266A、266B的水平支承板268;借助升降驱动轴270与该水平支承板268结合的升降驱动器272。升降驱动器272例如由气缸或电动线性电动机构成。支承杆266A、266B能够上下移动地贯穿下部腔室224的底壁,被密封构件274真空密封。
并且,如图13所示,气流控制部260包括:第二分隔板(或分隔壁)276,其横截面呈コ字状,配置在载置台230的周围或旁边;第二升降机构278,其使该第二分隔板276在图14A或图15A所示的第三高度位置和图14B或图15B所示的第四高度位置之间进行升降移动。
第二分隔板276包括:第一平板部276a,其沿Y方向在载置台230的与第一供气口232(1)相对的图中左侧的旁边延伸;第二平板部276b、276c,其沿X方向在载置台230的与第一分隔板262A、262B相对的图中上侧和下侧的旁边延伸。也可以构成为用第二分隔板276来分隔载置台230的相反侧(图中的右侧),但是从载置台230下方的空间的排气性的观点出发,优选像该实施方式那样的开放的构成。
而且,在第三高度位置,第二分隔板276自下部腔室224的底面沿铅垂方向突出至与载置在载置台230上的基板G的背面(下表面)接触的高度或该基板G的背面附近的高度(图14A、图15A),在第四高度位置,第二分隔板276下降至其上端接近下部腔室224的底面的高度或低于下部腔室224的底面的高度(图14B、图15B)。在下部腔室224的底壁形成有用于使第二分隔板276下降(退避)到第四高度位置的凹部280。
另外,第一分隔板262A、262B位于第一高度且第二分隔板276位于第三高度时,优选在第一分隔板262A、262B与第二分隔板276的第二平板部276b、276c之间,两者隔着不接触程度的尽可能小的间隙接近。
第二升降机构278包括:与第二分隔板276的下端连接的沿铅垂方向延伸的1根或多根支承杆282;平行地支承这些支承杆282的水平支承板284;借助升降驱动轴286与该水平支承板284结合的升降驱动器288。升降驱动器288例如由气缸或电动线性电动机构成。支承杆282能够上下移动地贯穿下部腔室224的底壁,被密封构件290真空密封。
载置台230借助沿铅垂方向延伸的升降驱动轴292与升降驱动器294结合,在与输送臂218(图1、图2)交接基板G时,或为了调整在减压干燥处理中与腔室顶面(上部腔室226的下表面)的距离或间隙H,载置台230能够进行升降移动。升降驱动轴292能够上下移动地贯穿下部腔室224的底壁,被密封构件296真空密封。
在该实施方式中,图中的左侧的供气口232(1)是第一供气口,其他的供气口232(2)、232(3)、232(4)是第二供气口。此外,如图13所示,在腔室(224、226)内,供气口232(1)和第二分隔板276之间的区域是第一区域[E1],除了该第一区域[E1]之外的区域,特别是从供气口232(1)来看,位于分别处于第一和第三位置时的第一分隔板262A、262B和第二分隔板276的后面的所有的区域是第二区域[E2]。
在该减压干燥单元214中具有控制各部分和整体的动作的主控制器(未图示)。气流控制部260也可以具有在主控制器的控制下控制第一和第二升降机构264、278的升降动作的局部控制器(未图示)。
接着,图16~图20表示该减压干燥单元214中的气流控制部260的作用。
气流控制部260通过具有上述那样的构成,能够在第一模式和第二模式之间有选择性地切换,该第一模式将非活性气体的气流路径限制成,从图中的左侧的第一供气口232(1)喷出的非活性气体的大部分在载置台230和基板G上方通过并到达图中的右侧的排气口234(3)、234(4),该第二模式实质上解除对非活性气体或其他的气体的如上述那样的气流路径的限制。
此外,利用该减压干燥单元214,能够有选择性地实施与为了得到高残留膜率的膜质特性相对应的迅速的短时间的减压干燥工艺以及与为了得到低残留膜率的膜质特性相对应的缓慢的长时间的减压干燥工艺中任一减压干燥工艺。无论选择哪一减压干燥工艺,都优选在第二模式下开始减压干燥处理。
图16A和图16B表示刚刚开始减压干燥处理后的腔室(224、226)内的状态。优选关闭所有供气口232(1)~232(4),不导入非活性气体,使排气***(图12)工作,经由所有排气口234(1)~234(4)进行真空排气。如图所示,残留在腔室(224、226)内的空气以及自基板G上的抗蚀剂涂敷膜挥发的溶剂(稀释剂)被均匀的吸引力吸入腔室四个角落的排气口234(1)~234(4),从而被迅速地排出。然而,作为另一实施例,也能在刚刚开始该减压干燥处理后的抽真空时,打开供气口232(1)~232(4),以规定的流量导入非活性气体。
在相对于被收容在腔室(224、226)内的处理对象的基板G选择迅速·短时间的减压干燥工艺时,在自减压干燥处理开始后经过规定时间的时刻,或腔室内的压力达到设定值(例如约400Pa)时刻,由图16A和图16B所示的第二模式切换至图17A和图17B所示的第一模式。
在该情况下,气流控制部260使第一升降机构264工作,使第一分隔板262A、262B自在此之前的第二高度位置上升移动至第一高度位置,并且使第二升降机构278动作,使第二分隔板276自在此之前的第四高度位置上升移动至第三高度位置。
另外,在供气***(图11)中,开闭阀246(1)被打开,其他所有的开闭阀246(2)、246(3)、246(4)被保持为关闭状态。由此,在腔室(224、226)内,仅第一供气口232(1)喷出非活性气体。其他供气口232(2)、232(3)、232(4)均保持关闭。在此,调节流量控制阀244(1),使得自供气口232(1)供给的非活性气体的流量为设定值(例如20L(升)/min)。
另一方面,在排气***(图12)中,开闭阀254(3)、254(4)保持打开状态,剩下的开闭阀254(1)、254(2)切换成关闭状态。由此,在腔室(224、226)内,从第一供气口232(1)来看,位于载置台230相反侧的排气口234(3)、234(4)继续进行排气动作,与供气口232(1)接近的排气口234(1)、234(2)中止排气动作。在此,根据自供气口232(1)向腔室内供给的非活性气体的流量来调节压力控制阀250,使得在腔室内得到规定的压力或排气速度。
如图17A和图17B所示,在第一模式时,利用第一分隔板262A、262B和第二分隔板276的分隔壁作用或气流限制作用,使得从供气口232(1)喷出的几乎所有的或大部分(优选90%以上)的氮气在载置台230和基板G上方沿X方向流动(通过),并被吸入相反侧的排气口234(3)、234(4)。
这样,在减压干燥处理过程中非活性气体在基板G上方沿一个方向(X方向)流动,优选以层流方式均匀地流动,因此自基板G上的抗蚀剂涂敷膜挥发的溶剂随着气流被迅速地排除,溶剂的挥发速度提高,并且促进抗蚀剂表面的变质(固化),而且能够在基板G上面内均匀地得到高残留膜率的抗蚀剂膜质特性。这样,能够缩短减压干燥处理所需时间(例如约30秒)。
另外,在第二实施方式的减压干燥处理中,不仅是压力、非活性气体的流量,基板G和腔室226之间的距离间隔(间隙)H也是重要的处理参数,因此,有时能够改变载置台230的高度位置。在该情况下,如图18所示,与载置台230的高度位置调整相对应地气流控制部260能够可变地调整第二分隔板276的第三高度位置,从而在第一模式时,对于任意的间隙H,始终保持第二分隔板276的上表面与基板G的下表面接近至接触程度的状态。由此,能完全地防止自供气口232(1)喷出的非活性气体的一部分通过基板G下方。
在选择对处理对象的基板G进行缓慢·长时间的减压干燥工艺时,在自减压干燥处理开始之后经过规定时间的时刻或腔室内的压力达到设定值(例如约400Pa)时刻,由保持第二模式的图16A和图16B的状态切换至图19所示那样的状态。
在该情况下,在供气***(图11)中,所有的开闭阀246(1)、246(2)、246(3)、246(4)被打开。由此,在腔室(224、226)内,所有供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)均喷出非活性气体。其中,调节流量调整阀244(1)、244(2)、244(3)、244(4),将非活性气体的供给流量设定为较小(例如2L/min)。此外,优选使供气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)的喷出流量均匀。
另一方面,在排气***(图12)中,将所有的开闭阀254(1)、254(2)、254(3)、254(4)保持为打开状态,使所有的排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)继续排气。其中,根据自供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)供给的非活性气体的流量,调节压力控制阀250,使得在腔室内保持规定的压力。此外,优选使供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)的喷出流量相对于载置台230上的基板G为均匀的。
这样,在减压干燥处理中的第二模式下,在所有供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)处于打开(开)状态下使非活性气体朝向载置台230上的基板G均匀且小流量地喷出,并且在所有的排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)处于打开(开)状态下进行排气,这种情况下,被供给至腔室内的非活性气体中的大部分非活性气体在基板G或载置台230的下方或周围流动而容易被排出,在基板G上方几乎不形成气流,特别是不形成朝向一个方向的气流。因此,自基板G的抗蚀剂涂敷膜挥发的溶剂容易滞留在附近,挥发速度被抑制。由此,因减压干燥引起的抗蚀剂表面的变质(固化)变缓慢,能够在基板G上面内均匀地得到低残留膜率的抗蚀剂膜质特性。此外,减压干燥处理所需时间变长(例如约60秒)。
另外,作为选择缓慢·长时间的减压干燥工艺时的另一实施例,自开始减压干燥处理起经过规定时间后,或腔室内的压力达到设定值后,还能够在所有供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)保持关闭(OFF)状态下,使用所有排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)继续进行排气动作。在该情况下,自基板G的抗蚀剂涂敷膜挥发的溶剂成为主要的排出气体。
在该减压干燥单元214中,使减压干燥处理结束时,如图20所示,选择第二模式,在所有供气口232(1)、232(2)、232(3)、232(4)处于打开(ON)状态下以大流量喷出非活性气体的同时,在所有的排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)处于打开(ON)状态下暂时进行高速排气(清除),接着排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)全部被关闭。由此,腔室(224、226)内的气氛从减压状态切换至大气压状态,从而能够进行上部腔室224的打开操作(腔室开放)。
如上所述,在该实施方式中,在选择迅速·短时间的减压干燥工艺的情况下,在减压干燥处理刚刚开始之后的抽真空和减压干燥处理结束时的清除中,选择分别使第一分隔板262A、262B退避到第二高度位置和第四高度位置的第二模式,因为能够使用所有的供气口232(1),232(2),232(3),232(4)向腔室内供给非活性气体,使用所有的排气口234(1)、234(2)、234(3)、234(4)对腔室内进行排气,所以能够更加高效率地进行该种减压干燥工艺,也能谋求处理时间的更加缩短化。
然而,作为另外的顺序,虽然效率有所降低,但也能够从减压干燥处理开始到结束均不选择第二模式而保持第一模式。在该情况下,也需要与各阶段相对应地切换非活性气体的流量和排气速度。
此外,在自减压干燥处理开始起经过规定时间、或自腔室内的压力达到设定值起至减压干燥处理结束的期间内,也能够依次或交替地切换第一模式的使用非活性气体的减压干燥(图17A、图17B)和第二模式的使用非活性气体的减压干燥(图19)。
以上,说明了本发明的优选实施方式,但是本发明不限定于上述的实施方式,能够在其技术的构思范围内进行各种变形或变更。
例如,如图21A和图21B所示,也可以使载置基板G的载置台230’具有占据基板G下方的直至下部腔室224的底面的空间的块状构造。在这样的载置台构造中,具有升降驱动器295和升降销231的升降机构204使基板G在载置台上升或下降来进行基板的装载/卸载,上述升降销231能够自下贯穿下部腔室224的底壁和载置台230’地进行升降。
在该情况下,在第一模式下,块状构造的载置台230’阻止自供气口232(1)喷出的非活性气体在基板G下方通过,通过与第一分隔板262A、262B的配合,来发挥在基板G上形成一个方向(X方向)的气流的作用。因此,能用载置台230’代替第二分隔板276。
然而,为了能够可变调整如上述那样的间隙H,在减压干燥处理中使基板G从载置台230’的上表面分离的情况下,省略图示,优选和上述实施方式相同地具有第二分隔板276的构成。
此外,关于排气***,如图22A和图22B所示,也能够是在载置台230下方设有1个或多个排气口206的构成。在该情况下,在第一模式下,自供气口232(1)喷出的几乎所有的或大部分的非活性气体在载置台230和基板G的上方朝向一个方向(X方向)流动,并且在经过基板G的相反侧(图中的右侧)的端部后蔓延到(钻入)基板G和载置台230的下方,被吸入排气口206。
此外,在上述的实施方式中,因为利用第一升降机构264和第二升降机构278使第一分隔板262A、262B和第二分隔板276进行升降移动,所以即使在关闭腔室(224、226)的期间也能进行模式切换。作为另一实施方式,也能够构成为,为了进行模式切换,通过手动将第一分隔板262A、262B和/或第二分隔板276能够装卸地装配或安装到腔室内。
不仅是腔室本身的构造、形状,腔室内外的各部分,特别是载置台、供气口、排气口的构造、个数、配置位置等也不限定于上述的实施方式,能够进行各种变形。
本发明中的被处理基板不限于LCD用的玻璃基板,也能够是其他的平板显示器用基板、半导体晶圆、CD基板、光掩模、印制电路板等。减压干燥处理对象的涂敷液也不限于抗蚀剂液,例如也能够是层间绝缘材料、电介体材料、布线材料等的处理液。
Claims (12)
1.一种减压干燥装置,该减压干燥装置是对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥装置,其特征在于,包括:
腔室,其用于收容被处理基板,并形成处理空间;
保持部,其被设于上述腔室内,用于保持上述被处理基板;
第一升降部件,其用于使上述保持部升降移动;
气流控制部,其被设于上述保持部的下方;
第二升降部件,其用于使上述气流控制部升降移动;
排气口,其形成于上述腔室内,设置在所述保持部的一侧,并且设置在所述保持部的下方位置;
排气部件,其自上述排气口对腔室内的气氛进行排气,
在形成于上述被处理基板上表面的流路的左右两侧设有占据或遮挡上述基板的左右侧方的至少一部分空间的侧板构件。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,
利用上述第一升降部件和上述第二升降部件来对上述腔室内的上述保持部和上述气流控制部进行配置,
在上述气流控制部接近被保持于上述保持部的被处理基板的状态下,利用上述排气部件的排气动作,在上述基板上表面形成朝向一个方向流动的气流的流路。
3.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述排气口形成于上述被处理基板的侧方,
上述气流控制部隔着被保持于上述保持部的被处理基板至少被设于与上述排气口相反一侧的基板缘部的下方空间。
4.根据权利要求3所述的减压干燥装置,其特征在于,该减压干燥装置包括:
供气口,其在上述腔室内隔着上述被处理基板形成在与上述排气口相反一侧的基板侧方;
供气部件,其自上述供气口向腔室内的处理空间供给非活性气体。
5.根据权利要求4所述的减压干燥装置,其特征在于,
利用上述第一升降部件和上述第二升降部件来对上述腔室内的上述保持部和上述气流控制部进行配置,
在上述气流控制部接近被保持于上述保持部的被处理基板的状态下,利用上述排气部件的排气动作,在上述基板上表面形成朝向一个方向流动的气流的流路。
6.一种减压干燥装置,该减压干燥装置是用于在减压状态下使形成在被处理基板上的涂敷液的膜干燥的减压干燥装置,其包括:
腔室,其能够被减压,且能够放入、取出基板地收容该基板;
保持部,其用于在上述腔室内载置基板;
非活性气体供给部,其具有在水平的第一方向上设于上述腔室内的上述保持部的一侧的第一供气口,经由上述第一供气口向上述腔室内供给非活性气体;
排气部,其具有设于上述腔室内的除了上述第一供气口和上述保持部之间的第一区域之外的第二区域的排气口,经由上述排气口对上述腔室内进行真空排气;
气流控制部,其能够在第一模式和第二模式之间进行切换,该第一模式将非活性气体的气流路径限制为自上述第一供气口喷出的非活性气体中的大部分非活性气体通过上述保持部的上方并到达上述排气口,该第二模式实质上解除上述气流路径对非活性气体的限制,
上述气流控制部包括:
第一分隔板,其在与上述第一方向正交的水平的第二方向上位于上述腔室的侧壁的内侧,并配置在上述保持部的两侧;
第一升降机构,其用于使上述第一分隔板在上述第一模式用的第一高度位置和上述第二模式用的第二高度位置之间进行升降移动。
7.根据权利要求6所述的减压干燥装置,
上述第一分隔板处于上述第一高度位置时,该第一分隔板自上述腔室的底面沿铅垂方向突出至接触上述腔室的顶部的高度或该顶部附近的高度,上述第一分隔板处于上述第二高度位置时,该第一分隔板下降至其上端接近上述腔室的底面的高度或低于上述腔室的底面的高度。
8.根据权利要求6所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述第一分隔板在上述第一方向上自上述第一供气口附近的位置延伸至上述保持部的相反一侧的位置。
9.根据权利要求6所述的减压干燥装置,其特征在于,上述气流控制部包括:
第二分隔板,其配置在上述保持部的至少与上述第一供气口相对的一侧的旁边;
第二升降机构,其用于使上述第二分隔板在上述第一模式用的第三高度位置和上述第二模式用的第四高度位置之间进行升降移动。
10.一种减压干燥方法,该减压干燥方法是在上述权利要求1~3中任一项所述的减压干燥装置中、对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其特征在于,进行以下的步骤:
将被处理基板保持于上述保持部的步骤;
利用上述第一升降部件使上述保持部上升,使保持于上述保持部的上述被处理基板接近上述腔室的顶部的步骤;
利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;
在经过规定时间后,利用上述第二升降部件使上述气流控制部上升移动,使上述气流控制部接近被保持于上述保持部的被处理基板的步骤。
11.一种减压干燥方法,该减压干燥方法是在上述权利要求1~3中任一项所述的减压干燥装置中、对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的减压干燥处理而形成涂敷膜的减压干燥方法,其特征在于,进行以下的步骤:
将被处理基板保持于上述保持部的步骤;
利用上述第一升降部件使上述保持部下降移动,使上述被处理基板接近上述气流控制部的步骤;
利用上述排气部件对上述腔室内的处理空间进行减压的步骤;
在经过规定时间后,在上述气流控制部和用于保持上述被处理基板的上述保持部保持相互之间的距离的状态下,利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述气流控制部和上述保持部上升移动,并使上述气流控制部和上述保持部停止在腔室内的规定位置的步骤。
12.一种减压干燥方法,该减压干燥方法使用减压干燥装置,用于在减压状态下使形成在被处理基板上的涂敷液的膜干燥的减压干燥方法,该减压干燥装置包括:腔室,其能够被减压,且能够放入、取出基板地收容该基板;保持部,其用于在上述腔室内载置基板;非活性气体供给部,其具有在水平的第一方向上设于上述腔室内的上述保持部的一侧的第一供气口,经由上述第一供气口向上述腔室内供给非活性气体;排气部,其具有设于上述腔室内的除了上述第一供气口和上述保持部之间的第一区域之外的第二区域的排气口,经由上述排气口对上述腔室内进行真空排气,
该减压干燥方法有选择性地在第一模式和第二模式之间进行切换,在该第一模式下将非活性气体的气流路径限制为自上述第一供气口喷出的非活性气体中的大部分非活性气体通过上述保持部的上方并到达上述排气口,在该第二模式下实质上解除上述气流路径对非活性气体的限制,
使用第一分隔板,该第一分隔板在与上述第一方向正交的水平的第二方向上位于上述腔室的侧壁的内侧、并配置在上述保持部的两侧,
在上述第一模式用的第一高度位置和上述第二模式用的第二高度位置之间切换上述第一分隔板的高度位置。
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