JP4571525B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、好適な一態様において、処理液供給部は、搬送方向において基板の前端部が第1の浮上領域の下流側の端部付近に位置する状態で処理液供給動作を開始し、基板の後端部が第1の浮上領域の上流側の端部付近に位置する状態で処理液供給動作を終了する。この場合、基板搬送部は、処理液供給動作の実行中に基板を搬送方向に比較的高速の一定の速度で搬送するのが好ましく、基板の前端部が第1の浮上領域の下流側端部付近の所定位置に到達した時は処理液供給動作の開始のために基板をいったん停止させるのが好ましい。
TG=(LG−LM3)/Va, T78=LM3/Vn
TG=T78 ∴(LG−LM3)/Va=LM3/Vn
∴ Vn=V b *LM3/(LG−LM3) ・・・・(1)
75 ノズル移動機構
76 ステージ
78 レジストノズル
81 ノズル昇降機構
84 基板搬送部
85 搬入用リフトピン昇降部
86 搬入用リフトピン
87 アライメント部
88 噴出口
90 吸引口
91 搬出用リフトピン昇降部
92 搬出用リフトピン
93 レジスト液供給源
100 搬送駆動部
102 保持部
104 吸着パッド
134 ステージ基板浮上部
136 コントローラ
M1 搬入領域
M3 塗布領域
M5 搬出領域
Claims (20)
- 被処理基板よりも面積の小さい第1の浮上領域を有し、前記第1の浮上領域内の各位置で前記基板にほぼ均一な浮上力を与えるステージと、
前記基板を浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
前記基板が前記第1の浮上領域を通過する途中でその領域のほぼ全域を覆っている間に、前記基板の被処理面に処理液を供給する動作を実行する処理液供給部と
を具備し、
前記処理液供給部が、
前記第1の浮上領域内で前記基板の被処理面に向けて上方から前記処理液を吐出する長尺型ノズルと、
前記長尺型ノズルに前記処理液を送る処理液供給源と、
前記処理液の吐出を開始する第1のノズル位置から前記処理液の吐出を終了する第2のノズル位置まで前記処理液供給動作中に前記長尺型ノズルを前記搬送方向と反対の方向に移動させるノズル移動部と
を有する、基板処理装置。 - 前記長尺型ノズルが、前記搬送方向と交差する水平方向に延びる微細径の吐出口を有し、
前記ノズル移動部が、前記長尺型ノズルを前記搬送方向と反対の方向に前記第1のノズル位置から前記第2のノズル位置まで一定の速度で移動させる、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1のノズル位置が前記第1の浮上領域の下流側の端部付近に設定され、前記第2のノズル位置が前記第1の浮上領域の上流側の端部付近に設定される、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給部が、前記長尺型ノズルを昇降移動させるノズル昇降部を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給部が、前記搬送方向において前記基板の前端部が前記第1の浮上領域の下流側の端部付近に位置する状態で前記処理液供給動作を開始し、前記基板の後端部が前記第1の浮上領域の上流側の端部付近に位置する状態で前記処理液供給動作を終了する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送部が、前記処理液供給動作の実行中に前記基板を前記搬送方向に一定の速度で搬送する、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送部が、前記処理液供給動作の開始のために、前記基板の前端部が前記第1の浮上領域の下流側端部付近の所定位置に到達した時に前記基板をいったん停止させる、請求項5または請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記ステージの第1の浮上領域内に多数設けられた気体を噴出する噴出口と、
前記ステージの第1の浮上領域内に前記噴出口と混在して多数設けられた気体を吸い込む吸引口と、
前記第1の浮上領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御する浮揚制御部と
を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ステージが、前記搬送方向において前記第1の浮上領域の上流側に前記基板を浮かせる第2の浮上領域を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記第2の浮上領域における浮上高度が前記第1の浮上領域における浮上高度よりも高い、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記第2の浮上領域内に、前記基板を搬入するための搬入部が設けられる、請求項9または請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記搬入部が、
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、
前記第1のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部と
を有する、請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記ステージが、前記搬送方向において前記第1の浮上領域の下流側に前記基板を浮かせる第3の浮上領域を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記第3の浮上領域における浮上高度が前記第1の浮上領域における浮上高度よりも高い、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記第3の浮上領域内に、前記基板を搬出するための搬出部が設けられる、請求項13または請求項14に記載の基板処理装置。
- 前記搬出部が、
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、
前記第2のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部と
を有する、請求項15に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬送部が、
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する、請求項1〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、前記塗布領域ではその領域内の各位置で前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中で前記基板が前記塗布領域のほぼ全域を覆っている間に、長尺型ノズルを用いて前記基板の被処理面に処理液を塗布する処理を実行し、
前記塗布処理中に、前記基板の被処理面に前記処理液を供給する前記長尺型ノズルの位置を前記塗布領域の下流側端部の所定位置から上流側端部の所定位置まで前記搬送方向と反対の方向に第1の速度で移動させる、
基板処理方法。 - 前記塗布処理の終了後に、前記基板を前記搬送方向に前記第1の速度よりも高速の第2の速度で移動させる、請求項18に記載の基板処理方法。
- 前記塗布処理中に、前記基板を前記搬送方向に第3の速度で移動させる、請求項18または請求項19に記載の基板処理方法。
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