CN101978081B - 电气电子零件用铜合金材料 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电气电子零件用铜合金材料,含有0.5~2.5质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且Co/Si=3~5(质量比),剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其中,在设定800℃以上960℃以下且Co含量(质量%)为X的情况下,以比-122.77X2+409.99X+615.74低的温度(℃)进行固溶化处理。
Description
技术领域
本发明涉及适用于电气电子零件的铜合金材料。
背景技术
目前,电子电气设备用的连接器、端子、继电器、开关等使用了黄铜(C2600)及磷青铜(C5191、C5212、C5210)以及铍铜(C17200、C17530)及科森合金(C7025)等。
近年来,使用这些材料的电子电气设备中所使用的电流的频率变高,因趋肤效应而实质的导电率低下,因此,变得对材料也要求高导电性。因此,黄铜及磷青铜本来导电性低,科森铜合金作为连接器材料显示中导电性(),但却寻求更高导电性。另外,铍铜具有中导电性但价格高昂,并且由于铍为环境负荷物质,所以,探讨将其置换为其它铜合金等也是众所周知的。另一方面,高导电性的纯铜(C1100)及含Sn铜(C14410)等存在强度低的缺点。因此,期望具备超过现有的科森铜的导电性、同等的拉伸强度、弯曲加工性的铜合金。
上述Cxxxx是以JIS规定的铜合金的种类,%IACS是internationalannealed copper standard的简称,是表示材料的导电性的单位。
已知,通常,导电性和强度具有相反的特性,作为提高强度的方法,有固溶强化、加工强化、析出强化等各种强化方法,但其中铜合金析出强化不会使导电性劣化,有望作为提高强度的方法。该析出强化是将添加有引起析出的元素的合金进行高温热处理,使这些元素向铜母相固溶后,以比其温度低的温度进行热处理,使已固溶的元素析出的方法。例如,铍铜、科森合金等采用该强化方法。
但是,除上述铍铜、科森合金等外,还熟知铜中含有钴(Co)和硅(Si)的金属间化合物的合金。另外,有与迄今为止的高浓度CoSi铜合金(Co量为2~4质量%、Si量为Co量的1/4)相比Co和Si浓度降低了的、含有可廉价地制作高强度高导电材料的Co和Si以及Mg、Sn、Zn的铜合金(例如参照专利文献1)。
在该专利文献1记载的铜合金的制造中,采用取高的固溶化温度(例如在专利文献1的实施例中为950℃),在充分固溶后的热处理中进行析出固化的方法。
但是,该方法中晶粒会粗大化。众所周知,在合金组织中,当晶粒直径粗大时弯曲加工性差,在现有的进行了固溶化处理的铜合金中,不能得到良好的弯曲加工性。
专利文献1:(日本)特开昭63-307232号公报
发明内容
本发明的课题在于,提供一种可适合用于连接器等伴随严酷的弯曲加工的制品的、强度、导电率、及弯曲加工性优异的电气电子零件用铜合金材料。
根据本发明,提供以下发明:
(1)一种电气电子零件用铜合金材料,含有0.5~2.5质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且Co/Si=3~5(质量比),剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其特征在于,在设定800℃以上960℃以下且Co含量(质量%)为X的情况下,以比-122.77X2+409.99X+615.74低的温度Ts(℃)进行固溶化处理。
(2)一种电气电子零件用铜合金材料,含有0.5~2.5质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且Co/Si=3~5(质量比),还含有0.01~1.0质量%的选自Cr、Mg、Mn、Sn、V、Al、Fe、Ni、Ti、及Zr构成的组中的一种或两种以上,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其特征在于,在设定800℃以上960℃以下且Co含量(质量%)为X的情况下,以比-94.643X2+329.99X+677.09低的温度Ts(℃)进行固溶化处理。
(3)如(1)或(2)所述的电气电子零件用铜合金材料,其特征在于,屈服应力为500MPa以上且不足650MPa,导电率为60%IACS以上,且表示弯曲加工性的值(R/t)不足0.5。
(4)如(1)或(2)所述的电气电子零件用铜合金材料,其特征在于,屈服应力为650MPa以上,导电率为50%IACS以上,且表示弯曲加工性的值(R/t)不足1.5。
(5)如(1)或(2)所述的电气电子零件用铜合金材料,其特征在于,屈服应力为500MPa以上且不足650MPa,导电率为60%IACS以上,且表示弯曲加工性的值(R/t)在与轧制方向平行的试样及与轧制方向垂直的试样两方均为1.2以下。
(6)如(1)或(2)所述的电气电子零件用铜合金材料,其特征在于,屈服应力为650MPa以上,导电率为50%IACS以上,且表示弯曲加工性的值(R/t)在与轧制方向平行的试样及与轧制方向垂直的试样两方均为1.5以下。
在此,表示弯曲加工性的值(R/t)是指如下得到的值R/t:从供试材料取出各板厚的板宽w=10(mm)的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,在[1]与轧制方向平行的试样的弯曲(GW)、和[2]与轧制方向垂直的试样的弯曲(BW)这两种类中进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲,且没有微细裂纹的最小的弯曲半径R(mm)除以试样板厚t(mm)。本发明中,通过该值R/t来评价弯曲加工性。
本发明的电气电子零件用铜合金材料是强度、导电率、弯曲加工性均优异的铜合金材料。本发明的电气电子零件用铜合金材料也可以适合用于连接器等伴随严酷的弯曲加工的制品。
从下述的记载将对本发明的上述及其它特征及优点更加了解。
具体实施方式
下面,对本发明的铜合金材料的合金组成详细说明优选的实施方式。另外,本发明的铜合金材料是具有特定形状的铜合金材料,例如板材、条材、线材、棒材、箔等,也可以用于任何电气电子零件,其零件没有特别限定,例如适合用于连接器、端子材料等,特别是期望高导电性的高频继电器及开关、或汽车车载用等的连接器或端子材料及引线架等。
本发明的铜合金组成中,Co和Si是必须成分。铜合金中的Co和Si主要形成Co2Si金属间化合物的析出物,提高强度及导电率。
Co为0.2~2.5质量%,优选为0.3~2.0质量%,更优选为0.5~1.6质量%,Si为0.1~1.0质量%,优选为0.1~0.7质量%,更优选为0.1~0.5质量%。这样规定的理由是,如上所述,它们主要形成Co2Si金属间化合物的析出物,有助于析出强化。Co量不足0.5质量%时析出强化量减小,超过2.5质量%时其效果饱和。另外,根据该化合物的化学计量比,最佳的添加比为以达到该范围的方式决定Si的添加量,但优选以该值为中心进行调节,以使Co/Si在3.0~5.0的范围内,更优选在3.2~4.5的范围内。下面,有时将Si及Co称作“添加元素I”。
在上述组成的铜合金的情况下,进行固溶化处理的温度Ts(℃)为800℃以上960℃以下,将Co含量(质量%)设为X的情况下,以比-122.77X2+409.99X+615.74低的温度(℃)进行固溶化处理。
本发明的铜合金中,优选添加Cr、Mg、Mn、Sn、V、Al、Fe、Ni、Ti、及Zr中的任一种或两种以上,其量为0.01~1.0质量%。下面,有时将该Cr、Mg、Mn、Sn、V、Al、Fe、Ni、Ti、及Zr称作“添加元素II”。
这是因为添加元素II的添加量在不足0.01质量%时,添加的效果少,超过1.0质量%时,<1>Mg、Mn、Sn这样的固溶的元素中导电率显著降低;<2>Cr、V、Al、Fe、Ni、Ti、Zr这样的促进析出的元素中引起时效时以外的析出带来的强度的降低或固溶温度的上升带来的固溶化温度的上升;<3>Cr、Mg、Al、Ti、Zr因显著的氧化而难以进行铸造。
这些添加元素II中的Cr、Ni、Fe具有与主析出相的Co的一部分进行置换,形成Co-χ-Si化合物(χ=Cr、Ni、Fe)而使强度提高的作用。
Mg、Mn、及Sn具有固溶于铜母相中而强化铜合金的作用。Mg、Mn也具有改善热加工性的效果。
V、Al、Ni、Ti、及Zr具有与Co、Si一同形成化合物进行强化并抑制晶粒的粗大化的作用。
本发明的铜合金材料的优选的制造方法由如下工序组成。即,熔解铸造→再热处理→热轧→冷轧→固溶化处理→时效热处理→最终冷轧→消除应力退火。时效热处理和最终冷轧可以为相反的顺序。另外,最终消除应力(低温)退火可以省略。
本发明中,将最终轧制前的上述固溶化处理设为800℃以上960℃以下。
另外,对于固溶化处理温度Ts(℃)而言,在不含上述的添加元素II的情况下,在设定Co含量(质量%)为X的情况下,设为比-122.77X2+409.99X+615.74低的温度(℃)。
另一方面,对于固溶化处理温度Ts(℃)而言,在以上述的含量含有上述的添加元素II的情况下,在设定Co含量(质量%)为X的情况下,设为比-94.643X2+329.99X+677.09低的温度(℃)。
由该温度的热处理决定铜合金材料中的晶粒直径。
另外,本发明中,优选进行从该固溶化热处理温度Ts的冷却速度为50℃/秒以上的急速冷却(淬火)。当该冷却时的冷却速度过低时,以上述的高温被固溶化的元素有时发生析出。
以这样过低的冷却速度(例如低于50℃/秒的冷却速度)在冷却中发生了析出的粒子(化合物)是对强度没有帮助的非共格析出物(Noncoherent Precipitate)。另外,该非共格析出物在下一时效热处理工序中形成共格析出物(Coherent Precipitate)时,作为成核点起作用,促进该部分的析出,有时在特性上带来不良影响。
因此,上述冷却速度优选为50℃/秒以上,更优选为80℃/秒以上,特别优选为100℃/秒以上,在实用上的上限的范围内尽可能快的冷却速度比较理想。
另外,该冷却速度是指从高温的固溶化热处理温度到300℃的平均冷却速度。在低于300℃的温度时不会引起大的组织变化,因此,只要适当地控制该温度之前的冷却速度即可。
本发明中,为恰当地实现上述组成的铜合金材料的特性,规定固溶化温度。
本发明中,晶粒直径优选为20μm以下,更优选为10μm以下。其理由是因为,猜想由于当晶粒直径超过20μm时为粗大的粒径,所以晶界密度降低,不能充分吸收弯曲应力,因此,加工性劣化。晶粒直径的下限没有特别限制,但通常为3μm以上。另外,“晶粒直径”为基于后述的JIS-H0501(切断法)测得的值。
在此所说的“析出物的尺寸”为用后述的方法求出的析出物的平均尺寸。
本发明的电气电子零件用铜合金材料的一个优选的实施方式中,具有屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上且弯曲加工性(R/t)不足0.5的特性。在此,弯曲加工性(R/t)不足0.5是指至少与轧制方向平行的试样的弯曲中R/t值不足0.5,优选与轧制方向平行的试样的弯曲及与轧制方向垂直的试样的弯曲两方中R/t值不足0.5。
另外,本发明的电气电子零件用铜合金材料的另一优选的实施方式中,具有屈服应力为650MPa以上、导电率为50%IACS以上且弯曲加工性(R/t)不足1.5的特性。在此,弯曲加工性(R/t)不足1.5是指至少与轧制方向平行的试样的弯曲中R/t值不足1.5,优选与轧制方向平行的试样的弯曲及与轧制方向垂直的试样的弯曲两方中R/t值不足1.5。
另外,本发明的电气电子零件用铜合金材料的再一优选的实施方式中,具有屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上且表示弯曲加工性的值(R/t)在与轧制方向平行的试样的弯曲及与轧制方向垂直的试样的弯曲两方为1.2以下(更优选为1.0以下,特别优选为0.6以下)的特性。
另外,本发明的电气电子零件用铜合金材料的再另一优选的实施方式中,具有屈服应力为650MPa以上、导电率为50%IACS以上且表示弯曲加工性的值(R/t)在与轧制方向平行的试样的弯曲及与轧制方向垂直的试样的弯曲两方为1.5以下(更优选为1.2以下)的特性。
这样,高导电性且强度高进而弯曲加工性优异的本发明的铜合金材料可以恰当地用于伴随严格的弯曲加工的连接器等的电气电子零件。
实施例
其次,基于实施例更详细地说明本发明,但本发明不限于此。
(参考例1)
将含有表1所示的成分且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的合金(No.1~9)用高频熔解炉熔解,且将其以10~30℃/秒的冷却速度进行铸造,得到长度180mm、宽度30mm、高度110mm的铸块。
将得到的铸块在1000℃下保持30分钟后,通过热轧加工成厚度12mm。在热轧后,通过水冷却迅速实施淬火,为除去表面上的氧化皮膜而端面切削成厚度10mm左右后,通过冷轧进行加工。之后,为了固溶化、再结晶,在950℃下维持温度30秒,同时进行热处理,通过水冷却迅速进行淬火。
从此时的室温到达最高温度的升温速度在10~50℃/秒的范围内,冷却速度在30~200℃/秒的范围内进行。
之后,将表面氧化膜除去,根据需要实施冷轧。这样操作兼备加工固化、下一工序的热处理中的析出固化的促进。
其次,为进行时效析出,在525℃下实施120分钟的热处理。从此时的室温至达到最高温度的升温速度在3~25℃/分钟的范围内,在进行降温时,在炉内且在1℃/分钟~2℃/分钟的范围内进行冷却,直至与认为对析出造成影响的温度带相比足够低的温度即300℃。
时效热处理后,实施冷轧,以使板厚减少20%。对于各合金而言,制作板厚为0.10mm、0.15mm、0.20mm、0.25mm的材料。
其次,在350℃下实施30分钟的热处理。从此时的室温到达最高温度的升温速度在3~25℃/分钟的范围内,在进行降温时,在炉内且在1℃/分钟~2℃/分钟的范围内进行冷却,直至与认为对析出造成影响的温度带相比足够低的温度即300℃。
关于这样制作的合金No.1~8的合金材料的板厚0.20mm的材料,通过以下的方法测定屈服应力(YS)、拉伸强度(TS)、及导电率(EC)。表3表示结果。另外,关于合金No.9的合金材料,结晶、析出过多使热轧困难,未能制造出最终制品,因此,不进行以下的测定。
屈服应力及拉伸强度测定法:将沿轧制方向平行切出的JIS Z2201-5号试验片以JIS Z2241为基准各测定两个,求出其平均值(MPa)。
另外,关于屈服应力,按照微量残余伸长法。即,使用式子σ0.2=F0.2/A0计算出永久伸长0.2%时的屈服强度。在此,σ是通过微量残余伸长法计算出的屈服强度(N/mm2),F用于求出下述所述的力,即使用伸长计求力和伸长量的关系线图,且从相当于规定的永久伸长(ε%)的伸长轴上的点向试验初始的直线部分引出平行线,求出其与线图相交的点所示的力。
导电率测定法:使用四端子法在保持为20℃(±0.5℃)的恒温槽中测定电阻率,计算出导电率(%IACS)。端子间距离设定为100mm。
表1
表2
工序 | 固溶化/℃ | 时效退火/℃ | 轧制(red%) | 消除应力退火/℃ |
A | 825 | 525 | 20 | 350 |
B | 850 | 525 | 20 | 350 |
C | 875 | 525 | 20 | 350 |
D | 900 | 525 | 20 | 350 |
E | 925 | 525 | 20 | 350 |
F | 950 | 525 | 20 | 350 |
G | 750 | 525 | 20 | 350 |
H | 1000 | 525 | 20 | 350 |
表3
本试验中,由于仅进行强度和导电率的评价,所以处理温度采用可得到足够强度的950℃(上述表2的工序F)。
满足本发明中规定的组成的范围的合金No.1~5中,得到强度和导电率均衡且优异的合金材料。
另一方面,Co及Si量过少的合金No.6中,析出固化减小,强度不足。
另外,Co量过多的合金No.9中,熔解时的氧化物形成过多而引起制品劣化、析出过多而引起铸块再热破裂、难以热轧,因此,难以进行制造。另外,由于大量使用昂贵的Co,所以成为成本方面竞争力差的合金材料。
Co/Si=3~5以外的范围的合金例No.7、8中,未析出的Co、Si固溶元素增多,引起导电率的显著降低。
实施例1
使用含有表4所示的成分且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的合金,将固溶化处理的温度变更为表2所示的工序A~H的温度,除此之外,与参考例1相同,得到本发明例1~3、10~16及比较例1~3、18~22的合金材料。另外,表4所示的发明例的合金No.1~3为与表1所示的合金No.1~3相同的组成。另外,表4所示的发明例的合金No.10~12分别是在表1及表4所示的合金No.1~3中在规定的范围内添加了Cr的合金,表4所示的发明例的合金No.13~16是在表1及表4所示的合金No.3中在规定的范围内分别添加了Mg(No.13)、Sn(No.14)、Cr和Mg(No.15)、Cr和Ti(No.16)的合金。表4所示的比较例的合金No.18~22是在表1及表4所示的合金No.3中超过规定的范围分别添加了Cr(No.18)、Ti(No.19)、Mg(No.20)、Sn(No.21)、Zr(No.22)的合金。
关于所得到的本发明例1~3、10~16及比较例1~3、18~22的合金材料,与参考例1相同,测定了屈服应力(YS)、拉伸强度(TS)、及导电率(EC)。另外,基于下记方法测定了晶粒直径(GS)及弯曲加工性(R/t)。表5表示结果。
晶粒直径测定法:在通过湿式抛光、抛光将试验片的垂直于轧制方向的截面精加工成镜面后,用铬酸∶水=1∶1的溶液将抛光面腐蚀数秒,之后,使用SEM的二次电子图像以400~1000倍的倍率拍摄照片,基于JIS-H-0501的切断法测定截面的平均晶粒直径(μm)。截面在轧制方向横截面进行了测定。
弯曲加工性评价:从供试材料取出各板厚中板宽w=10(mm)的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,在与轧制方向平行的试样的弯曲(GOOD WAY:以下称作GW)、与轧制方向垂直的试样的弯曲(BAD WAY:以下称作BW)这两种类中进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲。关于弯曲的评价,通过没有微细裂纹的最小的弯曲半径R除以试样板厚t的值即R/t来进行评价。
表4
表5
表5的本发明例1~3中,在将固溶化处理温度Ts(℃)设为800℃以上960℃以下且将Co含量(质量%)设为X的情况下,成为比-122.77X2+409.99X+615.74低的温度(℃)。因此,能够维持不足20μm的粒径,能够得到强度、导电率、弯曲性的平衡优异的铜合金。
具体而言,屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上且表示弯曲加工性的值(R/t)在GW和BW两方为1.0以下。并且得知,也有表示弯曲加工性的值(R/t)在GW和BW两方为0.6以下、甚至不足0.5的例子,得到了强度、导电率、弯曲性的平衡优异的铜合金材料。
另一方面,即使是同样的组成,在进行了比较例1~3所示的温度的热处理的情况下,强度也与本发明例1~3相同或变高,粒径***大,与本发明例1~3相比,弯曲加工性差。另外发现表示弯曲加工性的值(R/t)在BW比在GW差的倾向。
如表5所示,在比较例3中,在低于规定采用固溶化温度的处理中,未再结晶的组织残留(表5中作为无晶粒直径的值(-)表示),另外,在高于规定采用固溶化温度的处理中,晶粒粗大化,均不能维持成为课题的良好的弯曲加工性。
表5的本发明例10~16中,添加一种以上的Cr、Mg、Mn、Sn、V、Zn、Al、Fe、Nb、Ni、Ti、Zr(即添加总计0.01~1质量%的上述添加元素II),在将固溶化处理温度Ts(℃)设为800℃以上960℃以下、且Co含量(质量%)设为X的情况下,成为比-94.643X2+329.99X+677.09低的温度(℃)。因此,在与参考例1同程度的高温下的热处理中,可将粒径设为20μm以下,可设为具有与参考例1同程度的强度且弯曲加工性优异的材料。
具体而言,关于屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上的试样,表示弯曲加工性的值(R/t)在GW和BW两方为1.2以下。另外,也有表示弯曲加工性的值(R/t)在GW和BW两方为1.0以下,甚至为0.6以下、再甚至为不足0.5的例子。另外,关于屈服应力为650MPa以上、导电率为50%IACS以上的试样,表示弯曲加工性的值(R/t)在GW和BW两方为1.5以下、甚至为1.2以下。这样,得知可得到强度、导电率、弯曲性的平衡优异的铜合金材料。
另外,即使在通过参考例1的手段在仅添加Co、Si时可将粒径控制在20μm以下的情况下,通过添加上述金属而可以进一步促进晶粒微细化,可得到优异的弯曲加工性能。
另一方面,在添加元素II的添加量超过1%的比较例18~22中,因铸造时的氧化物的形成、以及高温热处理中的析出过多而难以制造。另外,在添加元素II的添加量超过1%的比较例21中,当添加固溶型元素时,导电率大幅度下降,屈服应力不足650MPa,但R/t的值在BW超过1.2,弯曲加工性差。另外发现,表示弯曲加工性的值(R/t)在BW比在GW差的倾向。
产业上的可利用性
本发明的电气电子零件用铜合金材料可以恰当地用于电气电子设备用的连接器、端子材料等、特别是期望高导电性的高频继电器及开关、或汽车车载用等的连接器或端子材料及引线架等电气电子零件。
将本发明与其实施方式一同进行了说明,但只要我们没有特别指定,则在说明的任何细节都不要限定我们的发明,认为不违反附带的权利要求所示的发明的精神和范围而应当宽范围地解释。
本申请基于2008年3月21日在日本国专利申请的特愿2008-074650主张优先权,其在此进行参考,摘录其内容作为本说明书的记述的一部分。
Claims (4)
1.一种电气电子零件用铜合金材料,含有0.7~1.4质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且质量比Co/Si=3~5,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其特征在于,
在熔解铸造、再热处理、热轧、水冷却后的冷轧之后,以在800℃以上960℃以下且设Co以质量%计的含量为X的情况下比-122.77X2+409.99X+615.74低的摄氏温度Ts进行固溶化处理,在525℃进行120分钟的时效处理后,以炉内1~2℃/分钟冷却到300℃,进行最终冷轧,
其平均晶粒直径为20μm以下,
屈服应力为500MPa以上且不足650MPa,导电率为60%IACS以上,且表示弯曲加工性的值R/t在GW和BW两方为1.0以下,其中,从供试材料取出各板厚中板宽w=10mm的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲,与轧制方向平行的试样的弯曲为GW,与轧制方向垂直的试样的弯曲为BW,R表示没有微细裂纹的最小的弯曲半径,t表示供试材料的板厚,R和t的单位为mm。
2.一种电气电子零件用铜合金材料,含有0.7~1.4质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且质量比Co/Si=3~5,还含有0.01~0.2质量%的Cr,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,其特征在于,
在熔解铸造、再热处理、热轧、水冷却后的冷轧之后,以在800℃以上960℃以下且设以质量%计的Co含量为X的情况下比-94.643X2+329.99X+677.09低的摄氏温度Ts进行固溶化处理,在525℃进行120分钟的时效处理后,以炉内1~2℃/分钟冷却到300℃,进行最终冷轧,
其平均晶粒直径为20μm以下,
屈服应力为500MPa以上且不足650MPa,导电率为60%IACS以上,且表示弯曲加工性的值R/t在GW方面为1.0以下,表示弯曲加工性的值R/t在BW方面为1.2以下,其中,从供试材料取出各板厚中板宽w=10mm的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲,与轧制方向平行的试样的弯曲为GW,与轧制方向垂直的试样的弯曲为BW,R表示没有微细裂纹的最小的弯曲半径,t表示供试材料的板厚,R和t的单位为mm。
3.一种电气电子零件用铜合金材料的制造方法,其是权利要求1所述的铜合金材料的制造方法,其特征在于,
在熔解铸造、再热处理、热轧、水冷却后的冷轧之后,以在800℃以上960℃以下且设以质量%计的Co含量为X的情况下比-122.77X2+409.99X+615.74低的摄氏温度Ts进行固溶化处理,在525℃进行120分钟的时效处理后,以炉内1~2℃/分钟冷却到300℃,进行最终冷轧,
其中,所述铜合金材料含有0.7~1.4质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且质量比Co/Si=3~5,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,
并且该制造方法得到平均晶粒直径为20μm以下、屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上且表示弯曲加工性的值R/t在GW和BW两方为1.0以下的电气电子零件用铜合金材料,其中,从供试材料取出各板厚中板宽w=10mm的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲,与轧制方向平行的试样的弯曲为GW,与轧制方向垂直的试样的弯曲为BW,R表示没有微细裂纹的最小的弯曲半径,t表示供试材料的板厚,R和t的单位为mm。
4.一种电气电子零件用铜合金材料的制造方法,其特征在于,
在熔解铸造、再热处理、热轧、水冷却后的冷轧之后,以在800℃以上960℃以下且设Co以质量%计的含量为X的情况下比-94.643X2+329.99X+677.09低的摄氏温度Ts进行固溶化处理,在525℃进行120分钟的时效处理后,以炉内1~2℃/分钟冷却到300℃,进行最终冷轧,
其中,所述铜合金材料含有0.7~1.4质量%的Co、0.1~1.0质量%的Si,且质量比Co/Si=3~5,还含有0.01~0.2质量%的Cr,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,
并且该制造方法得到平均晶粒直径为20μm以下、屈服应力为500MPa以上且不足650MPa、导电率为60%IACS以上且表示弯曲加工性的值R/t在GW方面为1.0以下、表示弯曲加工性的值R/t在BW方面为1.2以下的电气电子零件用铜合金材料,其中,从供试材料取出各板厚中板宽w=10mm的试样,用金属抛光粉在表面上轻轻摩擦,除去氧化膜,之后,进行弯曲的内侧的角度为90°的W弯曲,与轧制方向平行的试样的弯曲为GW,与轧制方向垂直的试样的弯曲为BW,R表示没有微细裂纹的最小的弯曲半径,t表示供试材料的板厚,R和t的单位为mm。
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