CN101923293A - 用于照射均匀性校正和均匀性漂移补偿的光刻设备和方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于照射均匀性校正和均匀性漂移补偿的光刻设备和方法。具体地，公开一种光刻设备，其包括均匀性校正***。***指状物配置为可移入和移出与辐射束的相交处，以便校正所述辐射束的各部分的强度。***还包括致动装置，其耦合至所述指状物中的相应一个并配置为移动相应的指状物。每一个指状物的尖端的宽度是致动装置的宽度的一半。提供***和方法用于补偿均匀性漂移。测量由***漂移引起的照射狭缝均匀性并由此确定均匀性补偿器的第一各自位置。移动均匀性补偿器至第一各自位置，曝光衬底。

Description

用于照射均匀性校正和均匀性漂移补偿的光刻设备和方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和照射均匀性校正***。本发明大体涉及光刻技术，更具体地涉及一种用于补偿例如由于照射束运动、光柱均匀性、均匀补偿器漂移等造成的均匀性漂移的***和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应所述IC的单层的电路图案，并且可以将该图案转移到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

通常，光刻设备包括照射***，其布置用以在辐射入射到图案形成装置之前调节由辐射源产生的辐射。所述照射***可以例如修改辐射的一个或多个特性，例如偏振和/或照射模式。所述照射***可以包括均匀性校正***，其布置用以校正或减小存在于辐射中的非均匀性，例如强度非均匀性。所述均匀性校正装置可以运用***在辐射束边缘的致动指状物来校正强度变化。然而，能够被校正的强度变化中的空间周期的宽度是依赖于用来移动均匀性校正***的指状物的致动装置的尺寸。此外，在某些情况下，如果用于校正辐射束的不规则性的指状物的尺寸或形状被修改，则所述均匀性校正***可能以不想要的方式累及或修改辐射束的一个或多个特性，比如由辐射束形成的光瞳。

光刻技术被广泛地认为是制造集成电路(IC)以及其他器件和/或结构中的关键过程或工艺。光刻设备是一种在光刻术中使用的机器，其将所需的图案应用到衬底上，比如应用到衬底的目标部分上。在用光刻设备制造ICs期间，图案形成装置(其可选地称为掩模或掩模版)在IC的单层上形成电路图案。这个图案能够转移到衬底(例如，硅衬底)的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)。通常，图案的转移是通过将图像成像到提供到衬底上的辐射敏感材料的层(例如，抗蚀剂)。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网。为了降低ICs的制造成本，通常曝光每个IC的多个衬底。同样，还通常几乎不变地使用光刻设备。即，为了将所有类型的IC的制造成本保持在可能的最低程度，还最小化衬底曝光之间的空闲时间。因此，所述光刻设备吸收引起所述设备的部件的膨胀的热，从而导致漂移、移动和均匀性变化。

为了保证图案形成装置和衬底上的良好的成像质量，保持照射束的被控制的均匀性。也就是说，照射束从所述图案形成装置反射或透射穿过图案形成装置之前潜在地具有非均匀的强度轮廓。期望地，对于整个光刻过程来说，控制所述照射束具有至少一定程度的均匀性。均匀性可以指的是整个照射束上的恒定强度，还可以指的是用以控制照射为目标照射的能力。所述目标照射的均匀性具有平的或不平的轮廓。所述图案形成装置将图案赋予辐射束，然后图案被成像至衬底上。该投影辐射束的图像质量受所述照射束的均匀性的影响。

市场要求所述光刻设备尽可能有效地执行所述光刻工艺、以最大化制造能力并且将保持每个器件成本低。这意味着将制造缺陷保持为最少，这就是为什么需要将照射束的均匀性的影响最小化成实际应用一样小。

发明内容

本发明旨在提供一种克服或消除不论是此处还是它处指出的一个或多个问题的光刻设备和方法。

根据本发明的一个实施例，提供了一种光刻设备，包括配置为调节辐射束的照射***。所述照射***包括位于当用所述辐射束照射时配置为接收基本上恒定的光瞳的平面上的均匀性校正***。所述均匀性校正***包括：配置为可移入和移出与辐射束的相交处、以便校正所述辐射束的各部分的强度的指状物，和耦合所述指状物中的相应一个并配置为移动相应的指状物的致动装置。

根据本发明的一个实施例，每个指状物的尖端的宽度是配置用以移动所述尖端的致动装置的宽度的一半。

在一个例子中，所述光刻设备还包括支撑结构、衬底台和投影***。支撑结构配置为保持图案形成装置，所述图案形成装置配置为将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束。衬底台配置为保持衬底。投影***配置为将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

根据本发明的一个实施例，通过所述指状物校正的辐射的强度变化的空间周期是所述指状物的每一个的尖端的所述宽度的至少两倍。

在一个实施例中，所述指状物被布置在第一和第二相对的堆中，所述第一和第二相对的堆配置为彼此互锁，其中所述指状物的每一堆在单个平面中。

在一个实施例中，所述尖端的宽度大约为2毫米，校正的辐射的强度变化的空间周期为4毫米。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种包括了如下步骤的光刻方法。将辐射束聚焦在第一平面上，以便在所述第一平面上形成基本恒定的光瞳。形成基本恒定的光瞳可能意味着在在第一平面上每个点处的辐射的角强度相等。通过调节位于所述第一平面的不重叠的指状物的堆中的一个或更多个指状物来调节辐射束的强度。通过将位于所述第一平面中的指状物移入所述辐射束的路径和移出所述辐射束的路径来调节位于所述第一平面处的所述辐射束的强度。引导辐射束到图案形成装置上以图案化辐射束。将图案化辐射束投影到衬底上。

在一个例子中，所述指状物的每一个的尖端的宽度是用于移动所述指状物的每一个相应的指状物的相应的致动装置的宽度的一半。在一个示例中，指状物被布置在相对的堆中以便互锁。在一个例子中，通过指状物校正的辐射的强度变化的空间周期是指状物的每一个的尖端的宽度的两倍。

鉴于上述情况，需要一种均匀性补偿器***和方法，其相对于目标照射轮廓最小化照射束的非均匀性，同时最小化对衬底生产量的任何影响。为满足这一需要，本发明的实施例旨在提供一种均匀性补偿器***和方法，其在随后的衬底之间300-600毫秒以内执行。

根据本发明的一实施例，提供了一种用于使用均匀性补偿器控制照射狭缝(所述照射束的一部分)的均匀性的方法。尽管以下的描述暗示了一种顺序，但是其只是示例性的并且可以在不偏离本发明的实施例的原意的情况下重新布置所述顺序。测量由所述光刻***中的漂移引起的照射狭缝均匀性。基于所述均匀性测量，确定均匀性补偿器的第一各自位置。移动所述均匀性补偿器至所述第一各自位置。在移动所述均匀性补偿器之后，测量另一个照射狭缝均匀性。对比所述另一个照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性。如果对比的结果在容限之外，则基于另一个照射狭缝均匀性确定均匀性补偿器的第二各自位置，并且移动所述均匀性补偿器至第二各自位置。无论对比结果是否在容限之外，在第一或第二各自位置上用均匀性补偿器来曝光衬底。可选地，另一个实施例不对比另一个照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性，从而在移动所述均匀性补偿器之后曝光所述衬底。

在一个示例中，所述照射狭缝均匀性的测量包括积分所述照射束狭缝强度、以产生在随后与所述均匀性补偿器相关的整个所述狭缝上的连续的强度轮廓。在另一个例子中，所述照射狭缝均匀性的测量包括使用沿着所述狭缝的在随后与所述均匀性补偿器相关的离散的强度样本生成狭缝-扫描平均强度轮廓。

在一个实施例中，所述均匀性补偿器包括***到照射束的路径中和从照射束的路径中撤出以调整照射狭缝均匀性的指状物。在一个例子中，***漂移(例如，照射束运动、光柱均匀性、均匀性补偿器漂移等)引起照射狭缝均匀性的改变。

在一个示例中，目标照射狭缝均匀性包括平的曲线或轮廓。在另一个例子中，所述目标照射狭缝均匀性包括不平的曲线或轮廓。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于使用均匀性补偿器控制照射狭缝(所述照射束的一部分)的均匀性的方法。尽管以下的描述暗示了一种顺序，但是其只是示例性的并且可以在不偏离本发明的实施例的原意的情况下重新布置所述顺序。执行所述均匀性补偿器的初始校准。基于初始校准确定多个均匀性补偿器的第一位置。移动多个均匀性补偿器的每一个至所确定的第一位置。发射束通过包括均匀性补偿器的光学***，其中束被图案化并被引导至衬底上。使用多个均匀性补偿器来补偿***漂移。在一个例子中，所述补偿通过多个步骤来完成，其中一个步骤就是测量照射狭缝均匀性。对比所测量的照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性以产生对比结果。如果对比结果不在容限之内，基于所测量的照射狭缝均匀性确定均匀性补偿器的各自的位置，并且移动均匀性补偿器至该各自的位置。无论对比的结果是否在容限之外，在均匀性补偿器在任一个所述各自的位置的情况下曝光衬底。可选地，另一个实施例不对比所述另一个照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性，从而在移动所述均匀性补偿器之后曝光所述衬底。

在一个示例中，在随后的衬底曝光之间执行用于***漂移的补偿。

根据本发明的另一个实施例，提供一种有形的计算机可读介质，其具有存储在其上的用于使用均匀性补偿器控制照射狭缝(所述照射束的一部分)的均匀性的指令。用以测量由光刻***中的漂移造成的照射狭缝均匀性的指令。用以基于所述均匀性测量确定均匀性补偿器的各自位置的指令。用以移动所述均匀性补偿器至所述各自位置、使得所述照射狭缝均匀性在目标照射狭缝均匀性的容限之内、由此在均匀性补偿器在各自位置上的情况下曝光衬底的指令。可选地，另一个实施例不提供用以确定所述照射狭缝均匀性是否在容限之内、并因此在移动所述均匀性补偿器之后曝光所述衬底的指令。

还一实施例包括在移动所述均匀性补偿器之后测量另一照射狭缝均匀性的指令。用以对比所述另一照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性的指令。如果对比的结果在容限之外，则另一组指令基于所述另一照射狭缝均匀性确定均匀性补偿器的各自位置，并且移动所述均匀性补偿器至所述各自位置。无论所述对比结果是否在容限之外，用一组指令用以在均匀性补偿器在各自位置上的情况下曝光衬底。

在一个例子中，用以测量所述照射狭缝均匀性的指令包括积分照射束狭缝强度，以生成随后与所述均匀性补偿器相关的整个所述狭缝上的连续的强度轮廓。在另一个例子中，用以测量所述照射狭缝均匀性的指令包括使用沿狭缝的随后与所述均匀性补偿器相关的离散的强度样本产生狭缝-扫描平均强度轮廓。

根据本发明的一实施例，提供一种用于使用均匀性补偿器控制照射狭缝(所述照射束的一部分)的均匀性的方法。尽管以下的描述暗示了一种顺序，但是其只是示例性的并且可以在不偏离本发明的原意的情况下重新布置所述顺序。控制照射狭缝均匀性的方法测量由光刻***中的在随后的衬底曝光之间的***漂移引起的照射狭缝均匀性。基于均匀性测量确定均匀性补偿器的各自位置。移动所述均匀性补偿器至所述各自位置。在均匀性补偿器在所述各自位置上的情况下曝光衬底。

下面参照附图详细地描述了本发明的更多的特征和优点以及本发明的多个实施例的结构和操作。需要指出的是，本发明并不局限于此处描述的具体实施例。此处给出的这些实施例只用于说明目的。对于相关领域的技术人员来说，基于此处包含的教导，附加的实施例是明显的。

附图说明

这里附图并入说明书并且形成说明书的一部分，这些附图示出本发明并且和说明书一起进一步用来说明本发明的原理，以允许本领域技术人员能够实施和使用本发明。

图1示出一种光刻设备；

图2示出另一种光刻设备。

图3A示出一种均匀性校正***。

图3B示出用于图3A中的均匀性校正***的指状物。

图4A和4B示出了使用如图2布置的均匀性校正***的效果。

图5还示出了一种根据本发明实施例的光刻设备。

图6A和6B示出了使用附图5中所示的根据本发明一个实施例布置的均匀性校正***的效果。

图7A示出了根据本发明实施例的一种均匀性校正***。

图7B示出了用于图7A的均匀性校正***的示例性的指状物。

图8是根据本发明的一个实施例的示出被执行用以校正辐射束的均匀性的步骤的流程图。

图9A和9B分别示出具有均匀性补偿器和相关传感器的反射型光刻设备和透射型光刻设备。

图10示出了一种示例性的极紫外(EUV)光刻设备。

图11示出相对于照射束狭缝的均匀性补偿器的示例。

图12示出了一个照射束狭缝的示例。

图13示出了一个用于均匀性更新的流程。

图14示出了均匀性更新和(可选)离线校准的组合的一般化主流程。

图15A示出根据本发明实施例的关于第一衬底曝光序列的均匀性更新步骤。

图15B示出根据本发明实施例的关于第二和随后的衬底曝光序列的均匀性更新步骤。

图16示出了一个使用平的目标的用于顺序的均匀性更新的数据流的例子。

图17示出了使用不平的目标的用于顺序的均匀性更新的数据流。

图18显示了用以计算指状物位置的指状物定位算法(FPA)。

图19示出一个计算机***1900的示例，其中本发明的实施例或其中的一些部分可以应用为计算机可读代码。

通过以下详细的描述并结合附图，本发明的特征和优点将会变得更加清楚，其中相同的附图标记表示相同的元件。在附图中，相同的附图标记表示相同或功能相似的部件。此外，附图标记的最左边的数字表示附图标记首先出现的附图。

具体实施方式

本发明涉及使用均匀性补偿器补偿例如由于照射束运动、光柱均匀性、均匀性补偿器漂移等造成的均匀性漂移的方法。本说明书揭示了一个或更多个并入本发明特征的实施例。所揭示的实施例仅是举例说明本发明。本发明的范围不局限于所揭示的实施例。本发明通过所附的权利要求来限定。

所述的实施例和在说明书提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是，每个实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这些段落不必指的是同一个实施例。此外，当特定特征、结构或特性与实施例结合进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，它们均落入本领域技术人员所知的知识范围内，而可以实现将这些特征、结构或特性与其他实施例(无论是否详细地描述)的结合。

本发明实施例可以应用到硬件、固件、软件或其任何组合。本发明实施例还可以应用为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器(例如计算设备)可读形式存储或传送信息的机构。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存设备；电、光、或声装置以及其他。此外，这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定操作。然而，应该认识到，这些描述仅为了方便并且这些操作实际上由计算设备、处理器、控制器或其他执行所述固件、软件、程序、指令等的设备来完成的。

然而在详细地描述这些实施例之前，描述本发明实施例可以应用的示例环境是有指导意义的。

参照图1，照射器IL接受来自辐射源SO的辐射束。源SO和光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或束扩展装置的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递***BD一起称作辐射***。

照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将专用设备用于以下模式中的至少一个：

1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。在所示的例子中，光刻设备可以包括源SO、照射***IL、配置用以保持图案形成装置MA的支撑结构(未示出)、投影***PL、衬底台WT、校正模块170、一个或更多个测量装置190、设置在衬底台WT上的衬底W。

在一个例子中，照射***IL可以包括准直器10、场限定元件12、场透镜组14、均匀性校正***16、掩模版遮蔽板(masking blade)18和聚光透镜20。

在一个例子中，准直器10可以用于准直由源SO(束用虚线示意地表示)生成的辐射束。场限定元件12可以将辐射束形成为场的形状(field shape)，其将被投影在衬底W上。所述场限定元件可以例如包括两个凸透镜的阵列，第二阵列放置于第一阵列的焦平面上。

在一个例子中，场透镜组14可以将辐射束聚焦在场平面FP1上。在这个例子中，遮蔽板18位于场平面FP1上，所述遮蔽板18包括一对沿光刻设备的扫描方向可移动的板。

在一个例子中，遮蔽板18可以用于确保在给定的目标区域的曝光期间，辐射不入射到在y和/或x方向上邻近给定的目标区域的目标区域上。遮蔽板18位于场平面FP1上，使得由遮蔽板18提供的遮蔽能够被精确地转换(且与尖锐棱边一起)到图案形成装置MA上。

在一个例子中，均匀性校正***16位于所述辐射束的路径中遮蔽板18之前，使得在所述辐射束入射到遮蔽板18上之前所述辐射束能够通过均匀性校正***。因此均匀性校正***16不设置在场平面FP1上，而是被移离场平面。均匀性校正***16可以在空间上控制辐射束的强度，即，均匀性校正***16能够在空间上控制将被投影到衬底W上的场形状的辐射强度。在一个实施例中，均匀性校正***16包括至少一个重叠指状物阵列(例如，图3B中的指状物堆22、23)和/或至少一个非重叠指状物阵列(例如，图7A中的指状物堆32、33)，其可移动到与入射到指状物的辐射束相交以及移动不与入射到指状物的辐射束相交，以便选择地校正辐射束的一部分的强度。应该明白，尽管每堆中示出7根指状物，但是可以使用任何数量的指状物。“指状物的堆”、“指状物堆”或“堆”这些术语在本申请中可以交换使用。

在一个例子中，在穿过遮蔽板18之后，辐射束入射到聚光透镜20上。聚光透镜20可以将辐射会聚在另一个场平面FP2上。位于场平面FP2上的图案形成装置MA可以将图案施加在辐射束上。

在一个例子中，图案化辐射束穿过投影***PL并投射在衬底W上。衬底W位于另一场平面FP3上。所述投影的图案束将图案转移到衬底上。

在一个例子中，校正模块170可以确定对校正***16的变量的调节，使得满足所需的均匀性规格。校正模块170可以基于所确定的调节来确定一个或更多个校正参数175并将这些参数传送至校正***16。所述校正参数控制校正***16中的可调节的变量。校正模块170还接收从定位于图案形成装置MA的场平面FP2或场平面FP3处的一个或更多个均匀性测量装置190中收集的照射场数据185。

通过根据校正参数操纵校正***16的可调节变量，可以改变照射束的特性。更具体的，校正参数可以提供如何调节校正***16的变量的细节，以获得所需的均匀性轮廓(例如，有利于光刻过程的最平的均匀性或形状)。例如，校正参数可以描述在一个或多个指状物堆(例如，图3A中的指状物堆22、23和图7A中的指状物堆32、33)中的哪个指状物需要被移动和描述它们需要移动什么距离到与入射的辐射束相交或移动出与入射的辐射束的相交，以便选择地校正入射到均匀性校正***16上的辐射束的一部分的强度。

在一个例子中，校正模块170可以包括一个或更多个处理器172和存储器174。一个或更多个处理器172可以执行使得均匀性校正***16调节变量以获得所需的用于辐射束的均匀性标准的软件。存储器174可以包括主存储器(例如，随机存取存储器(RAM))。在一个实施例中，存储器174还包括辅助存储器。辅助存储器可以包括例如硬盘驱动器和/或可拆装的存储驱动器。计算机程序可以存储在存储器174中。该计算机程序在被执行时可以允许在校正模块170中的处理器172执行本发明的实施例中的特征，正如此处所描述的。在一个实施例中，在使用软件实施用于调节均匀性校正***16的元件的方法的情形下，所述软件可以存储在计算机程序产品中，并且使用可移动存储设备、硬盘驱动器、或通信接口被加载至校正模块170。可选的，所述计算机程序产品可以经由通信路径被下载至校正模块170。此外，在一个实施例中，校正模块170被耦合至一个或更多个远程处理器。然后校正模块170可以远程地接收指令和/或操作参数。

图3A示出示范性的均匀性校正***16的顶视图。所述均匀性校正***可以包括两个指状物堆22和23，它们在y方向上是可移动的。指状物堆22和23可以沿Y方向移动，使得他们与辐射束相交。以这种方式，所述指状物可以被用于选择地遮挡入射辐射。例如，可以实施这种方式以减少在辐射束场中辐射强度太高的位置上的辐射强度。在一个实施例中，指状物堆22和23中的交替的指状物可以在两个不同的平面上。例如，暗灰色的指状物可以在第一平面上，白色的指状物可以在第二平面上。使指状物在不同的平面上可能加剧由使用图3A中的指状物堆校正辐射束的强度带来的可能的光瞳误差。在一个例子中，在不同的平面上放置指状物可以允许它们重叠并由此在重叠区域中形成形状，这能提供对强度轮廓的平滑影响。然而，平滑强度轮廓仍然可能加剧由于指状物在不同的平面上带来的光瞳误差。

图3B示出根据本发明的一个实施例的指状物300，其能够被用于形成均匀性校正***16中的指状物堆22和23。指状物300可以具有宽度为x的基底304和宽度也为x的尖端302。指状物300可以与致动装置306耦合。致动装置306的宽度可以为x。致动装置306被配置成沿Y方向移动指状物300。在一个实施例中，致动装置306可以是电动机、压电装置、液压装置或类似的装置中的一个或更多个。

如上所述，均匀性校正***16可以设置在位于场平面FP1处的遮蔽板18(参见图2)之前。因为遮蔽板18可以位于场平面FP1中，均匀性校正***16可以移离场平面FP1。

图4A和4B示出根据本发明的一个实施例使用均匀性校正***16来校正辐射束的强度均匀性的效果。图4A和4B示出操作中的均匀性校正***16的截面图。在这个例子中，遮蔽板18位于场平面FP1中。在这个例子中，辐射束24示意地表示为多个子束，它们会聚以在场平面FP1中形成多个虚源26。

在图4A中，指状物堆22和23中的指状物被缩回，使得它们不与辐射束24相交。图4B中，指状物堆22和23中的指状物沿y方向移动，使得它们与辐射束24的边缘相交，从而部分地遮挡辐射束24的部分子束。

由于在这个例子中均匀性校正***16不位于场平面FP1中，均匀性校正***16在辐射束24的光瞳中引入不对称。束24不再是平衡的(即，束24可能不再是远心的和/或存在能量椭圆率(energetic ellipticity))。在这个例子中，均匀性校正***16导致在辐射束24的整体光瞳平面中辐射束24的一侧引入阴影。因为辐射束24的光瞳的不对称会降低光刻设备可以将图案形成装置MA的图案投影到衬底W上的精确度，因此辐射束24的光瞳中的不对称是不希望的。

在这个例子中，当辐射束24的强度被校正时，指状物堆22中的指状物在相对的指状物堆23中具有镜像以减少光瞳误差。可以通过均匀性校正***16校正的辐射束的强度变化的空间周期至少是形成指状物堆22和23的每个指状物300的尖端302的宽度的两倍。照射束包括连续的明区和暗区的照射轮廓。当往照射束通过的长且窄的狭缝看时，在包括明区和暗区的照射束中形成图案。这些图案可以在性质上不是周期性的，使得相邻的明区和暗区对可以是不同的尺寸(宽度)。测量图案的明区之间的距离限定在照射轮廓中的强度变化的空间周期。所述束的照射轮廓可以包括变化宽度的强度变化的多重叠加空间周期。从而，强度变化的每个空间周期可以是不同的宽度。为了校正较短的辐射24的强度变化空间周期，每个指状物300的尖端302必须减小宽度。由于每个指状物堆22和23中邻接的指状物必须彼此紧靠地放置，因而致动装置306的宽度会是一个限制因素。如果指状物300的尖端302宽度减小，那么在邻接的指状物的尖端之间的最终的间隙还会加剧光瞳误差。此处提供的本发明的实施例允许每个指状物300的尖端302的宽度尺寸减少而不会诱导光瞳误差，从而允许校正周期更细密的辐射。

根据本发明的一个实施例，如图5所示，为了防止发生光瞳误差，均匀性校正***16被放置在场平面FP1内或附近，而不是放置在场平面FP1之前。

图5描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。在图5中所示的例子中，均匀性校正***16位于照射***IL的场平面FP1上。在这个实施例中，遮蔽板18放置在场平面FP1之后，使得在操作过程中在所述束入射到遮蔽板18上之前，辐射束穿过均匀性校正***16。在一个实施例中，可以移动均匀性校正***16以定位至场平面FP1上。在可选的实施例中，通过调整在场透镜组14中的透镜(未显示)，场平面FP1可以被移动以放置在均匀性校正***16附近。

图6A和6B示出了使用图5中示出的实施例的效果。图6A和6B示出了均匀性校正***16的横截面。在这个例子中，均匀性校正***16的指状物堆22和23被设置在场平面FP1中。在这个面上，辐射束36包括虚源30的阵列。由多个子束表示的辐射束36在图案形成装置(例如掩模版)遮蔽板18处发散。

在图6A的例子中，均匀性校正***16的指状物堆22和23中的指状物被定位成使得它们不与辐射束36相交。在图6B中，指状物堆22和23中的指状物沿y方向移动，使得它们与辐射束36相交。因为均匀性校正***16位于场平面FP1中，所述均匀性校正***16没有引入不对称到辐射束36中。辐射束36保持远心，并且不对称阴影不被引入至平面FP1的光瞳中的辐射束36中。在一个例子中，这允许光刻设备以改进的精确度将图案形成装置MA的图案投影到衬底W上。这还允许修改均匀性校正***16的指状物的形状和尺寸，从而允许校正辐射的强度变化的较短空间周期，如下面所述。

在图4A和4B中，当指状物堆22中的指状物与辐射束24相交，指状物堆22中的指状物会导致形成虚源26的部分辐射被遮挡。在一个例子中，所有的虚源26被保持，但是在辐射束24的边缘上的那些虚源不会接收来自任何角度的辐射。相反，虚源26可以接收来自角度的子集的辐射。因此这些虚源26不再对称，即，可能引入不对称至所述辐射束24的光瞳中。在图6A和6B中，当指状物堆32和33中的指状物与辐射束24相交，所述指状物还可以遮挡一些虚源30。然而，由于指状物堆32和33中的指状物位于虚源36被聚焦的场平面FP1中，所述指状物堆中的指状物不部分地遮挡虚源30中任一个。所述虚源30可以是完全可见的或完全被遮挡的。虚源30保持对称，从而辐射束36的光瞳保持对称。

在这个例子中，辐射束36的光瞳(角度分布)在场平面FP1中的所有位置上都是相同的。因此，当均匀性校正***16的指状物堆32和33中的指状物遮挡所述辐射束36的一部分时，这并不影响辐射束36的光瞳(角度分布)。因此不对称不被引入至辐射束36的光瞳中。从而光刻设备(例如图1中的设备)可以以提高的精确度将图案形成装置MA的图案投影到衬底W上。

在一个例子中，由于在位于场平面FP1处或附近时均匀性校正***16不引起辐射束36的光瞳的不对称，因此均匀性校正***16可以用于校正辐射束36的非均匀性的程度被显著地提高。例如，根据本发明的一实施例，用在均匀性校正***16中的每个指状物300的尖端302的形状和宽度现在可以被修改以允许调整辐射强度的较短空间周期而不会引起光瞳误差，如在下面参照图7A和7B所述。

图7B示出了根据本发明的实施例的示例性的指状物。指状物可以包括宽度为x的基底和宽度为x/2的尖端702。与图3B中描述的类似，指状物可以与宽度为x的致动装置306耦合。通过移动焦平面FP1，在仍然使用宽度为x(如图3A-B中的例子所示)的相同的致动装置306的同时，指状物的尖端702宽度可以减少，并且可以校正辐射的强度变化的较短空间周期。在图7B中，用多个指状物形成的指状物堆32和33可以布置成使得在相对的指状物的堆中(例如，指状物堆32与指状物堆33相对)的指状物，当沿Y方向被移到一起时，被配置成互锁。例如，指状物708正对于间隙710，使得如果沿Y方向移动时，指状物708可以填充在间隙710内。与图3A的指状物堆22和23中的相对的指状物的镜像不同，指状物堆32和33中的互锁的指状物可以允许获得与使用指状物堆22和23获得的相同的校正精确度而不会带来光瞳误差。例如，如果图3A的指状物堆22和23中的指状物互锁而不是镜像，则均匀性校正***16将会引入光瞳误差。因为均匀性校正***16中的指状物堆22和23中的每个指状物的尖端宽度为x/2，因此现在可以使用指状物堆22和23中的这些指状物校正x的空间周期，而不会带来光瞳误差，因为焦平面FP1现在已经被移至与指状物堆32和33所放置的平面基本相同的平面处，从而消除光瞳误差。此外，因为在指状物堆32和33的交替的指状物之间的间隙不会导致光瞳误差，因而如果需要，在每个指状物堆32和33中的指状物现在都可以位于一个平面中。

在一个实施例中，均匀性校正***16可以位于照射***IL的场平面(例如FP1)上。可选地，所述均匀性校正***可以位于通过照射***IL用恒定的光瞳照射的平面上，即在整个所述均匀性校正***16的平面的每个点上的辐射的角分布都是相同的。

在一些例子中，均匀性校正***16可以不精确地定位在照射***的场平面(例如FP1)上，即，均匀性校正***16可以被定位为基本上接近或靠***面FP1。例如，均匀性校正***16可以被定位成，例如离平面FP1为1毫米或2毫米远，但是小于10毫米远。在本文档中这种关系通过所述均匀性校正***16基本上定位在场平面FP1上或附近来描述。可选地，可以说均匀性校正***16被定位在通过照射***以基本不变的光瞳来照射的平面上。

在一个例子中，期望保持遮蔽板18基本上接近场平面FP1。遮蔽板18可以例如定位在离场平面FP1几毫米远。例如，遮蔽板18可以距离场平面FP18到20毫米之间远。如果由均匀性校正***16(以及由图案形成装置遮蔽板)占据的空间允许遮蔽板18被定位在较靠近场平面FP1，则遮蔽板18还可以设置更接近场平面FP1。

均匀性校正***16的指状物可以例如为4毫米宽，并且可以利用碳化硅或任何其他诸如本领域人员知道的金属或陶瓷等合适的材料来形成。如果构造方法允许实现，指状物可以比这个窄。通常，较窄的指状物允许实现较精细地校正辐射束的均匀性。在一个实施例中，尖端702可以是2毫米宽，并且能够校正4毫米周期的辐射。

图8示出了根据本发明的一个实施例的被执行以校正辐射束均匀性的方法800的示例性流程图。在一个例子中，延续参照图1-7中描绘的示例性操作环境描述方法800。然而，方法800不限于这些实施例。注意的是，方法800中所示的某些步骤不必按照所示的顺序执行。

在步骤802中，产生辐射束。例如，源SO可以被用于生成辐射束。

在步骤804，辐射束被聚焦在基本上位于均匀性校正***所放置的平面处的第一平面上，以便在所述第一平面上形成基本恒定不变的光瞳。例如，由源SO生成的束能够被聚焦在均匀性校正***16的平面FP1上，以便形成基本不变的光瞳。

在步骤806，通过选择地移动非重叠的指状物堆中的一个或更多个指状物，调整在第一平面上的辐射束的强度，以便选择地校正辐射束的一部分的强度并形成校正的辐射束。例如，在堆32和33中的指状物可以被选择地移动以校正聚焦在平面FP1上的辐射束的一部分的强度。在一实施例中，每根指状物的宽度可以是用于移动指状物的致动装置的宽度的一半。

在步骤808，校正后的辐射束被引导到图案形成装置上以形成图案化的辐射束。例如，在步骤806中由均匀性校正***16校正的辐射束能够被引导到图案形成装置MA上以形成图案化辐射束。

在步骤810，图案化的辐射束被投影***投影到衬底上。例如，来自图案形成装置MA的图案化的辐射束通过投影***PL被投影到衬底W上。

应该明白，在光刻设备未***作并因此不存在辐射束的情况下，辐射束的场平面可以理解为照射***IL的场平面。

下面详细描述的是用于补偿由于***漂移造成的照射狭缝均匀性的方法的实施例。在一个实施例中，用于补偿***漂移的方法包括测量照射狭缝均匀性、基于所测量的均匀性确定均匀性补偿器的第一各自位置，以及移动均匀性补偿器至第一各自位置。使用沿所述狭缝的离散的强度样本积分所述照射狭缝均匀性或生成狭缝-扫描平均强度轮廓，由此测量照射狭缝均匀性。均匀性补偿器可以包括***和移出照射束的路径以修改照射狭缝均匀性的指状物。另一个实施例还包括在移动之后测量另一个照射狭缝均匀性，将所述另一个照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性对比。如果对比的结果在容限之外，则基于另一个照射狭缝均匀性确定均匀性补偿器的第二各自位置，移动所述均匀性补偿器至第二各自位置。最终，在均匀性补偿器处于第一或第二各自位置上的情况下曝光衬底。***中的漂移会造成这些均匀性更新指状物移动，它们尤其是照射束运动、光柱均匀性和均匀性补偿器漂移。所述目标照射狭缝均匀性可以是平的或不平的。将测量的照射狭缝均匀性与容限对比并不是必需的，虽然其是有用。

在一个实施例中，一种补偿***漂移的方法包括执行均匀性补偿器的初始校准，基于初始校准确定多个均匀性补偿器的第一位置，移动多个均匀性补偿器的每一个至确定的第一位置，传递束通过包括均匀性补偿器的光学***，其中所述束被图案化并引导至衬底上，以及使用多个均匀性补偿器来补偿***漂移。在至少一个实施例中，对***漂移的补偿是在随后的衬底曝光之间执行的。

然而在更详细地描述这些实施例之前，给出可以应用本发明实施例的示例性的环境是有意义的。

I.示例性的光刻环境

A.示例性反射和透射型光刻***

图9A和9B分别示意性地示出了光刻设备900和光刻设备900’。光刻设备900和光刻设备900’每个包括：配置用以调节辐射束B(例如DUV或EUV辐射)的照射***(照射器)IL；配置用以支撑图案形成装置(例如掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并连接到配置为精确地定位所述图案形成装置MA的第一定位装置PM的支撑结构(例如掩模台)MT；以及配置用以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W并连接到配置为精确地定位所述衬底W的第二定位装置PW的衬底台(例如衬底台)WT。光刻设备900和900’还具有配置成通过图案形成装置MA将图案赋予给所述辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如包括一个或多个管芯)C上的投影***PS。在光刻设备900中，所述图案形成装置MA和所述投影***PS是反射型的，在光刻设备900’中，所述图案形成装置MA和所述投影***PS是透射型的。

照射***IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。照射***IL还可以包括提供能量(每个脉冲)的测量的能量传感器ES、用于测量光学束的运动的测量传感器MS以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备900和900’的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影***PS)。

术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的(例如在图9B中的光刻设备900’)或反射式的(例如在图9A中的光刻设备900)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。

这里使用的术语“投影***”PS应该广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体可以吸收太多的辐射或电子。因此，在真空壁和真空泵的帮助下，真空环境可以提供给整个束路径。

光刻设备900和/或光刻设备900’可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多个掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。

参照图9A和9B，照射器IL接受来自辐射源SO的辐射束。源SO和光刻设备900和900’可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备900和900’的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或束扩展装置的束传递***BD(图9B)的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备900、900’的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递***BD一起称作辐射***。

照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图9B)。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(图9B)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。可以通过使用将源输出的变化分割开的能量传感器ES和由可以***到照射束以及可以移离照射束以调整其均匀性和强度的多个突出(例如指状物)构成的均匀性补偿器UC保持这种所需的均匀性。

参照图9A，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备900中，辐射束B被反射离开图案形成装置(例如掩模)MA。在已经从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B通过投影***PS，投影***PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，使用所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2可以对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

参照图9B，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图9B中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。同样，在图10中，存在在每个脉冲基础上结合能量传感器ES产生标准化的从照射***IL到衬底W强度数据的衬底台狭缝传感器WS。

通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

光刻设备900和900’可以用于以下模式中的至少一个：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs中的应用，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这些可选的应用情形中，任何使用术语“衬底”或“管芯”可以分别认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所述的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道工具(通常将抗蚀剂的层应用到衬底并将曝光后的抗蚀剂显影)、量测工具和/或检验工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将这里公开的内容应用于这种和其他衬底处理工具中。此外，衬底可以处理一次以上，例如以便形成多层IC，使得这里所用的术语衬底还可以指已经包含多个已处理层的衬底。

在另一实施例中，光刻设备900包括极紫外(EUV)源，其被配置成产生EUV辐射束以用于EUV光刻。通常，所述EUV源配置在辐射***(见下文)中，并且配置相应的照射***以调节EUV源的EUV辐射束。

B.示例性EUV光刻设备

图10示意性地示出了根据本发明的一个实施例的示例性的EUV光刻设备。在图10中，EUV光刻设备包括辐射***42、照射光学单元44和投影***PS。辐射***42包括辐射源SO，其中辐射束可以通过放电等离子体形成。在一个实施例中，EUV辐射可以通过气体或蒸气生成，例如从Xe气体、Li蒸气或Sn蒸气中产生，在其中产生极热的等离子体以发射在电磁谱的EUV范围内的辐射。可以通过产生至少部分电离的等离子体(例如通过放电)来产生所述极热的等离子体。为了有效地产生辐射，需要分压为(例如)10帕的Xe、Li、Sn蒸气或任何其他合适的气体或蒸气。由辐射源SO发射的辐射经由定位在源室47中的开口之内或之后的气体阻挡装置或污染物陷阱49从源室47传送至收集装置室48。在一个实施例中，气体阻挡装置49可以包括沟道结构。

收集装置室48包括可以由掠入射收集装置形成的辐射收集装置50(其还可以称为收集装置反射镜或收集装置)。辐射收集装置50具有上游辐射收集装置侧50a和下游辐射收集装置侧50b，并且经过收集装置50的辐射可以被光栅光谱滤光器51反射以聚焦在位于收集装置室48内的孔处的虚源点52上。辐射收集装置50对于技术人员是已知的。

从收集装置室48，辐射束56经由垂直入射反射器53和54在照射光学单元44中被反射至位于掩模版或掩模台MT上的掩模版或掩模(未示出)上。形成图案化束57，其在投影***PS中经由反射元件58和59被成像至支撑在衬底台或衬底台WT上的衬底(未示出)上。在不同的实施例中，照射光学单元44和投影***PS可以包括与图10中示出的不同的更多(或更少)的元件。例如，照射光学单元44还可以包括提供能量(每个脉冲)测量的能量传感器ES，用于测量光学束的运动的测量传感器MS，以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。另外，依赖于光刻设备的类型，光栅光谱滤光器51是可选的。进一步，在一个实施例中，照射光学单元44和投影***PS可以包括比图10中描绘的更多的反射镜。例如，除了反射元件58和59，投影***PS可以并入一个到四个反射元件。在图10中，附图标记180表示在两个反射器之间的空间，例如在反射器142和143之间的空间。

在一个实施例中，收集装置反射镜50还可以包括代替掠入射反射镜或除了掠入射反射镜之外的垂直入射收集装置。进一步的，尽管参考具有反射器142、143和146的嵌套收集装置进行描述，但是这里用收集装置反射镜50作为收集装置的例子。

此外，正如在图10中示意性地示出的，代替光栅51还可以应用透射光学滤光器。对EUV透射的光学滤光器，以及对UV辐射不透射或甚至基本上吸收UV辐射的光学滤光器是本领域技术人员已知的。因此，这里“光栅光谱纯度滤光器”的使用还互换地表示“光谱纯度滤光器”，其包括光栅或透射滤光器。尽管未在图10中示出，EUV透射光学滤光器可以作为附加的光学元件被包括，例如其配置在收集装置反射镜50的上游或照射单元44和/或投影***PS内的光学EUV透射滤光器的上游。

相对于光学元件的术语“上游”和“下游”分别表示一个或更多个附加的光学元件的一个或更多个光学元件“光学上游”和“光学下游”的位置。沿着辐射束通过光刻设备的光路，比第二光学元件靠近源SO的第一光学元件被配置在第二光学元件的上游；第二光学元件被配置在第一光学元件的下游。例如，收集装置反射镜50配置在光谱滤光器51的上游，而光学元件53被配置在光谱滤光器51的下游。

在图10示出的所有光学元件(以及在这个实施例的示意图中未示出的附加的光学元件)对由源SO产生的污染物(例如Sn)的沉积是易受损的。对于辐射收集装置50和(如果存在)光谱纯度滤光器51也是这样。因此，可以采用清洁装置以清洁这些光学元件中的一个或更多个，以及可以应用清洁方法到这些光学元件上，而且也可以应用到垂直入射反射器53和54以及反射元件58和59或其他光学元件，例如附加的反射镜、光栅等。

辐射收集装置50可以是掠入射收集装置，并且在这样的实施例中，收集装置50沿着光学轴线O对齐。源SO或其图像也可以沿光学轴线O设置。辐射收集装置50可以包括反射器142、143和146(也称为“壳”或包括几个沃尔特型反射器的沃尔特型反射器)。反射器142、143和146可以是嵌套的并且关于光学轴线O旋转地对称。在图10中，内反射器用附图标记142表示，中间反射器用附图标记143表示，外反射器用附图标记146表示。辐射收集装置50包围一个特定的体积，例如在外反射器146内的体积。通常，外反射器146内的体积是圆周地封闭的，但是可以存在小的开口。

反射器142、143和146可以分别包括至少一部分表现为反射层或多个反射层的表面。因此，反射器142、143和146(或者在包括多于三个反射器或壳的辐射收集装置的实施例中的附加的反射器)至少部分地设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，并且反射器142、143和146的至少一部分可以不设计用于反射和收集EUV辐射。例如，反射器的背面的至少一部分可以不设计为反射和收集EUV辐射。此外在这些反射层的表面上，可以附加地具有用于保护的盖层或作为光学滤光器设置在反射层的表面的至少一部分上的盖层。

辐射收集装置50可以被放置在源SO或源SO的图像的附近。每个反射器142、143和146可以包括至少两个邻近的反射表面，距离源SO较远的反射表面比较靠近源SO的反射表面以与光学轴线O呈较小的角度方式放置。以这种方式，掠入射收集装置50被配置成产生沿光学轴线O传播的EUV辐射束。至少两个反射器可以被基本同轴地放置并关于光学轴线O基本上旋转地对称地延伸。应该明白，辐射收集装置50可以具有在外反射器146的外表面上的其他特征或外反射器146周围的其他特征，例如保护性保持装置、加热器等。

在此处描述的实施例中，在上下文允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以涉及各种类型光学部件中的任一个或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。

此外，此处使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或126纳米的波长λ)、极紫外(EUV或软X-射线)辐射(例如具有在5-20纳米范围内的波长，例如13.5纳米)，或者以小于5纳米工作的硬X-射线，以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，具有在大约780-3000纳米(或更长)之间的波长的辐射被认为是IR辐射。UV指具有大约100-400纳米的波长的辐射。在光刻技术中，通常UV还用于能够由汞放电灯产生的波长：G-线436纳米；H-线405纳米；和/或I-线365纳米。真空UV，或VUV(即被空气吸收的UV)，指的是具有大约100-200纳米波长的辐射。深紫外(DUV)通常指具有从126纳米到428纳米范围的波长的辐射，在一实施例中，准分子激光器可以产生用在光刻设备内的DUV辐射。应该明白，具有在例如5-20纳米范围内的波长的辐射涉及具有特定波长带的辐射，其中至少一部分在5-20纳米范围内。

II.用于补偿照射束均匀性中的漂移的***和方法

图11示出根据本发明的一个实施例的均匀性更新(UR)校正***1100的机械部分。在图11中，均匀性更新(UR)校正***1100包括能量传感器(ES)1110和多个均匀性补偿器1120。UR校正***1100可以在光刻操作过程中调整照射束。在本发明的至少一个实施例中，照射束被定形为圆弧形并且被称为照射狭缝1130。通过控制单个均匀性补偿器1120移入和移出照射狭缝1130，可以控制照射狭缝1130的均匀性。均匀性补偿器1120还可以称为指状物。均匀性补偿器的一个示例性操作可以在2009年5月29日递交的共有的、未决的美国临时专利申请第61/182,295号中找到，其在此通过参考整体并入。

在一个例子中，为了获得目标均匀性，图11中所示的指状物可以被单独控制以调整照射狭缝的强度。

图18示出了根据本发明一个实施例的用于平的目标的目标均匀性的过程1800。应该明白的是，对于不平的目标，本领域的普通技术人员很容易理解如何获得相同的结果。在这个例子中，使用两组输入1810/1815和1820/1825。第一组输入可以涉及表示在其中间位置具有指状物的情况下的目标平轮廓的曲线1810和在其中间位置具有指状物的情况下的均匀性测量的值1815。第二组输入涉及表示指状物***照射束的每个***位置的衰减量的曲线1820和当前指状物位置的值1825和相应的衰减值。

在一个例子中，在指状物位于其初始位置(例如在中心位置)的情况下一旦确定表示照射狭缝强度的测量值轮廓的曲线1840，则可以执行指状物定位算法(FPA)1830。在一个例子中，FPA 1830使用最小强度测量值来定位指状物。然后FPA1830使用函数1850以移动其余指状物至与该指状物相同的强度级别1850以生成平的轮廓。如果所述轮廓是不平的，可以由此确定衰减量度(例如指状物位置)以产生不平的轮廓。FPA 1830输出表示多个新的指状物位置和它们相关的衰减值的控制信号1860。然后，控制信号1860可以被用以机械地移动指状物至“校正的”补偿位置并获得照射狭缝的目标均匀性。

图12是根据本发明的一个实施例的照射狭缝1230的放大图。例如，图12示出了在至少一个实施例中的照射狭缝1230的尺寸和形状。图12没有示出均匀性补偿器的被***到照射狭缝的路径以及从照射狭缝的路径撤出以便调整其强度均匀性的指状物。在一个实施例中，均匀性补偿器仅被定位在照射狭缝的一侧上。

图13示出根据本发明的实施例的一种方法。例如，方法可以被用来使用均匀性更新(UR)校正***，以通过补偿***均匀性漂移来提高在衬底到衬底的基础上成功成像的器件的数量，由此最大化制造效率。

在一个例子中，在每批衬底1310的开端处开始方法。在步骤1320，测量照射狭缝均匀性(例如，通过狭缝积分强度或通过使用沿狭缝的离散强度样本的狭缝-扫描平均)。在步骤1320，均匀性更新(UR)校正***基于整个狭缝上的平的强度轮廓计算均匀性补偿器(例如指状物)位置。可选地，在步骤1340，均匀性更新(UR)校正***基于不平的(又称

或DoMa)强度轮廓计算均匀性补偿器(例如指状物)位置。关于

实施例的示例可以在授权日为2009年5月12日的美国专利US7,532,308中被找到，其在此通过参考并入。在步骤1350，均匀性更新(UR)校正***设置多个均匀性补偿器(例如指状物)的位置。在步骤1360，衬底被曝光。在一个例子中，在每个衬底的曝光过程中，多个不同的不平的轮廓(例如目标照射狭缝轮廓)可以被使用(例如依赖于衬底的被曝光部分)。从而，即使在单个衬底的曝光期间，也会有均匀性补偿器指状物位置的改变。在步骤1370，确定在该批衬底中的另一衬底是否曝光。如果是，方法返回至步骤1320。如果在该批中没有衬底要曝光，在步骤1390，方法结束。

在本发明的一个实施例中，在步骤1310期间中，在连续的单批衬底之间控制(例如校正)照射狭缝均匀性，使得在该批中的每个衬底以独立受控的均匀性照射狭缝曝光。在步骤1320，测量照射狭缝的均匀性。例如，照射狭缝的均匀性会由于许多因素而变化，例如照射束的运动、光柱均匀性或均匀性补偿器指状物的漂移。

在一个例子中，通过对整个狭缝上的照射狭缝强度积分可以测量作为连续的强度轮廓或曲线的照射狭缝均匀性。附加地，或者可选地，使用沿狭缝的离散的强度样本可以测量照射狭缝的均匀性作为狭缝-扫描平均强度。

在步骤1330，使用由步骤1320测量的照射狭缝均匀性，计算指状物位置以便生成平的目标照射狭缝均匀性(例如可以如图18中所示执行指状物位置计算)。可选地，在步骤1340，可以使用不平的(DoMa)均匀性轮廓，与由步骤1320测得的照射狭缝均匀性一起计算指状物位置。在步骤1350，计算的指状物位置被设置成使得照射束均匀性匹配平的目标轮廓或不平的目标轮廓。在步骤1360，曝光衬底。

在一个实施例中，在衬底曝光期间可以移动指状物，使得使用不同的照射狭缝目标轮廓曝光衬底的不同部分。如果这些“期间”曝光照射狭缝目标轮廓被改变，它们仍然基于所测量的照射狭缝均匀性。

在步骤1370，确定在该批中是否有附加的衬底要曝光。如果是，那么方法返回至步骤1320。在一个例子中，由于***运动、热量生成和震动可能导致照射狭缝的均匀性的改变，单批衬底之间期望测量和校正照射狭缝的均匀性。如果不是，方法在步骤1390结束。

图14示出了根据本发明的一个实施例的一种方法。例如，该方法可以被用来使用均匀性更新(UR)校正***，以通过补偿***均匀性漂移来提高在衬底对衬底的基础上成功地成像的器件的数量，由此最大化制造效率。图14中示出的方法可以包括在处理第一衬底之前的初始校准步骤。随后的衬底可以没有校准步骤，而使用前面的衬底终结测量值作为初始测量值。

在步骤1410，执行均匀性补偿器位置的离线校准。在步骤1415，机械地调整均匀性补偿器。在步骤1420，产生辐射束。在步骤1425，辐射束通过包含均匀性补偿器的光学***。在可选的步骤1430，测量束运动或者计算束运动。在步骤1435，测量或计算照射狭缝均匀性(例如如果测量的话，可以通过狭缝积分强度或通过使用沿狭缝的离散强度样本的狭缝-扫描平均来实现)。在步骤1440，基于当前均匀性、离线数据和/或束运动确定均匀性补偿器(例如指状物)的位置。在步骤1445，调整均匀性补偿器(例如指状物)的位置。在步骤1450，决定图13中的方法是否再次被执行。如果是，图14中的方法返回至步骤1420。如果不是，图14中的方法进行至步骤1455，在步骤1455期间曝光衬底。

在一个例子中，在每个衬底的曝光期间，(依赖于衬底的被曝光部分)可以使用许多不同的不平的轮廓(例如

目标照射狭缝轮廓)。例如，即使在单个衬底的曝光期间，也会有均匀性补偿器指状物位置的改变。有关在加热和冷却循环期间为均匀性变化建模、校准相关的参数以及应用这些结果到各个衰减器的致动的示例可以在2009年5月12日授权的美国专利第7,532,308号和2002年9月24日授权的美国专利第6,455,862号中被找到，它们都通过参考在此整体并入。

在本发明的一实施例中，如参照图13描述的那样，在连续的衬底之间控制(例如校正)照射狭缝均匀性。此外，在本发明的一实施例中，用于调整均匀性补偿器使得照射狭缝均匀性与目标照射狭缝均匀性匹配的方法包括对每个衬底至少测量两次照射狭缝均匀性。也就是说，当图14中示出的方法到步骤1450时，作出“重复”决定。对于每个衬底，第一次“重复”决定通常为“是”。当决定1450为是，重复步骤1420，并且产生新的辐射束。在步骤1435，新的辐射束穿过光学***。步骤1435测量照射狭缝均匀性，步骤1440确定均匀性补偿器的位置，以及步骤1445调整均匀性补偿器。

在图14中的方法重复期间，如果测量的照射狭缝均匀性在目标照射狭缝强度轮廓(平的或不平的)的预定的容限之内，则不需要进一步重复补偿方法，并且将在步骤1450选择“否”。因而，在步骤1455，如参照图13所述的那样，可以曝光衬底。还可以在不与预定的容限对比的情况下执行如图14示出的方法。在一个实施例中，仅执行一次图14示出的方法，并且不重复以确定在步骤1445中均匀性补偿器调整是否导致照射狭缝均匀性与目标照射狭缝强度轮廓(平的或不平的)匹配。

在另一个例子中，如果测量的照射狭缝均匀性不在目标照射狭缝强度轮廓(平的或不平的)的预定的容限内，则均匀性补偿器需要进一步的调整。在这种情况下，在步骤1450中将再次选择“是”。照射狭缝均匀性可以被精细地调整成更靠近目标照射狭缝强度轮廓。可选地，即使在衬底的第一次之后，如果测量的照射狭缝均匀性在目标照射狭缝强度轮廓的预定容限内，也不需要重复该方法。

图15A示出了根据本发明实施例的关于第一衬底曝光序列的均匀性更新步骤。图15B示出了根据本发明实施例的关于第二和随后的衬底曝光序列的均匀性更新步骤。图15A和15B示出了由于***漂移而实施均匀性补偿的图13和14所示的多衬底批的方法。在一个例子中，时间表(timeline)1500是上面的图13和14中描述的方法的图形表示。图15A包括对每个新的批次的第一衬底实施的额外的步骤(例如校准)。图15B不包括额外的校准步骤，而是使用第一衬底的最终测量值以生成其初始测量值。这去除了对所有衬底曝光2的校准步骤，并且更高地提高了效率。在一个例子中，在图15A和15B中示出的过程与参照图13和14描述的相同，出于简要的原因不再重复上述描述。

图16和17示出了用于连续的均匀性更新(UR)数据流的不同实施例。例如，在图16和17之间的不同之处是图16中示出的数据流校正照射狭缝均匀性为平的目标，而图17中的数据流校正照射狭缝均匀性为不平的目标。

图16显示了用于使用平的目标执行均匀性更新(UR)的数据流1600。单元1602、1608、1614、1620、1626、1632、1652、1658和1664是用以执行均匀性更新(UR)算法(例如，与上面参照图13-7的描述类似的)的输入。单元1604、1610、1616、1622、1628、1634、1638、1654、1660、1666和1670是用于执行均匀性更新(UR)算法的函数、操作或处理。单元1606、1612、1618、1624、1630、1636、1656、1662和1668是用于执行均匀性更新(UR)算法的输出。

图17显示了用于使用不平的目标执行均匀性更新(UR)的数据流1700。在图17中，除了图16的单元，还示出了用于执行不平的(例如

)目标的输入(1738、1744、1780和1786)、功能、操作或处理(1740、1746、1750、1782、1788和1792)，以及输出(1742、1748、1784、1790)。

在一个例子中，再参考图16，用于平的指状物位置Flat_FP_X(1702、1720和1752)的数据流1600被示出。使用数据流1600，同时测量照射狭缝均匀性(1704、1722和1752)以生成平的目标轮廓Flat_Profile_X(1706、1724和1756)。Flat_Profile_X可以与指状物衰减Flat_atten_X(1708、1726和1758)结合使用，其可以通过均匀性更新指状物定位算法“UR X FPA”(1710、1728和1760)用以生成新的指状物位置Flat_FP_X+1和新的指状物衰减值Flat_atten_X+1(1712、1730和1762)。Flat_atten_X和Flat_atten_X+1(1714、1732和1764)可以通过剂量偏离算法(1716、1734和1766)用以生成剂量Flat_DO_UR_X中所引起的偏离。从剂量偏离算法得出的数据流用于曝光衬底(例如1738和1770)。尽管并未想要限制于此实施例，图16的左手侧示出了需要两个用以最优化均匀性的循环的测量、确定和调整均匀性补偿器，而右侧只需要一个循环。

在一个例子中，参照图17，相对于数据1600，数据流1700包括基本上在衬底曝光之前即刻或期间移动均匀性补偿器的附加的步骤，以便实现不平的(例如

)目标照射均匀性。Flat_Profile_X连同指状物衰减Flat_atten_X和多个不平的目标(1738和1780)一起用于不平的(

)指状物定位算法“DoMa FPA”(1740和1782)以生成新的指状物位置Target_X(i)_FP和新的指状物衰减值Target_X(i)_atten(1742和1784)。Flat_atten_X和Target_X(i)_atten(1744和1786)可以用于剂量偏离算法(1746和1788)以为多个不平的目标TX(i)_DO_UR_X中的每一个生成剂量的偏离。来自剂量偏离算法的数据流可以用于曝光衬底(1750和1792)。

本发明的各个方面可以在软件、固件、硬件或它们的组合中执行。图19是本发明实施例或其一部分可以作为计算机可读编码执行的计算机***1900的示例。例如，由图13和14的流程图示出的方法可以在包括与显示器1930耦合的显示器接口1902的计算机***1900中分别执行。本发明的多个实施例使用此示例性计算机***1900进行描述。在阅读了所述描述之后，对于相关领域的技术人员来说，如何使用其他计算机***和/或计算机结构执行本发明的实施例是很明显的。

计算机***1900包括一个或更多个处理器，例如处理器1904。处理器1904可以是一个特定用途的或一般用途的处理器。处理器1904连接至通信基础结构1906(例如网络总线)。

计算机***1900还包括主存储器1905，优先随机存取存储器(RAM)，并且还可以包括辅助存储器1910。辅助存储器1910可以包括例如硬盘驱动器1912、可拆装的存储驱动器1914和/或记忆棒。可拆装的存储驱动器1914可以包括软盘驱动器、磁带驱动器和光盘驱动器、闪存存储器或类似物。可拆装的存储驱动器1914以公知的方式从可拆装的存储单元1918中读取和/或写入。可拆装的存储单元1918可以包括软盘、磁带和光盘等，它们由可拆装的存储驱动器1914读取和写入。相关领域的技术人员可以认识到的，可拆装的存储单元1918包括计算机可用的存储了计算机软件和/或数据的存储介质。

在替换的实施例中，辅助存储器1910可以包括其他类似的允许计算机程序或其他指令加载至计算机***1900的装置。这些装置可以包括例如可拆装的存储单元1918和接口1920。这些装置的例子可以包括程序编码磁带和编码磁带接口(例如那些在视频游戏装置中可以找到的)，可拆装的存储芯片(例如EPROM或PROM)和相关联的插座，以及允许软件和数据从可拆装的存储单元1918转移至计算机***1900的其他的可拆装的存储单元1918和接口1920。

计算机***1900还可以包括通信接口1924。通信接口1924允许软件和数据在计算机***1900和外部设备之间转移。通信接口1924可以包括调制解调器、网络接口(例如以太网卡)、通信端口、PCMCIA槽和卡以及类似的装置。经由通信接口1924转移的软件和数据是信号的形式，其可以是电的、电磁的、光学的或其他能够被通信接口1924接收的信号。这些信号经由通信路径1926和1928被提供给通信接口1924。通信路径1926和1928携带信号并且可以使用电线或电缆、光学光纤、电话线、手机链接、RF链接或其他通信通道执行。

在本文中，术语“计算机程序介质”和“计算机可用介质”用于广义地指例如可拆装的存储单元1918、可拆装的存储单元1918和安装于硬盘驱动器1912的硬盘等介质。计算机程序介质和计算机可用介质还可以指存储器，例如主存储器1905和辅助存储器1910，其可以是存储器半导体(例如DRAM等)。这些计算机程序产品为计算机***1900提供了软件。

计算机程序(也称计算机控制逻辑)存储于主存储器1905和/或辅助存储器1910内。计算机程序还可以经由通信接口1924被接收。这些计算机程序在执行的时候使得计算机***1900执行此处所述的本发明的实施例。具体地，当执行这些计算机程序时，使处理器1904执行本发明的过程，比如由图13中的上述流程图所揭示的方法中的步骤。据此，这些计算机程序表示计算机***1900的控制器。在使用软件执行本发明的实施例的情形中，该软件可以存储在计算机程序产品中并且使用可拆装的存储驱动器1914、接口1920、硬件驱动器1912或通信接口1924加载至计算机***1900中。

本发明的实施例还涉及包括存储在任何计算机可用介质上的软件的计算机程序产品。这些软件，当在一个或多个数据处理装置中执行时，导致数据处理装置如此处所述的进行操作。本发明的实施例采用任何现在或以后所知的计算机可用或可读的介质。计算机可用介质的例子包括，但是并不限于主存储器装置(例如任何类型随机存取存储器)、辅助存储装置(例如硬盘驱动器、软盘、CD只读存储器、ZIP盘、磁带、磁存储装置、光学存储装置、MEMS、纳米技术存储装置等)，和通信介质(例如有线和无线通信网络、局域网、广域网、内部网等)。

虽然本申请详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开的内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

在还一实施例中，光刻设备包括极紫外(EUV)源，其被配置为生成用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，所述EUV源配置在辐射***(见下文)中，并且相应的照射***被配置为调节EUV源的EUV辐射束。

在此处描述的实施例中，在上下文允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以指的是多种类型光学部件中的任一个或其组合，包括折射、反射、磁性的、电磁的和静电光学部件。

此外，此处使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或126纳米的波长λ)、极紫外(EUV或软X-射线)辐射(例如具有在5-20纳米范围内的波长，例如13.5纳米)，或者以小于5纳米工作的硬X-射线，以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，具有在大约780-3000纳米(或更长)之间的波长的辐射被认为是IR辐射。UV指具有大约100-400纳米的波长的辐射。在光刻技术中，通常UV还用于能够由汞放电灯产生的波长：G-线436纳米；H-线405纳米；和/或I-线365纳米。真空UV，或VUV(即被空气吸收的UV)，指的是具有大约100-200纳米波长的辐射。深紫外(DUV)通常指具有从126纳米到428纳米范围的波长的辐射，在一实施例中，准分子激光器可以产生用在光刻设备内的DUV辐射。应该明白，具有在例如5-20纳米范围内的波长的辐射涉及具有特定波长带的辐射，其中至少部分在5-20纳米范围内。

结论

应该明白，所述具体实施方式部分，而不是发明内容和摘要部分，是用来解释权利要求的。发明内容和摘要部分阐述一个或多个但不是发明人所预期的本发明所有的示例性实施例，因此并不是为了以任何方式来限制本发明和所附的权利要求。

上面借助示出特定功能的执行及其关系的功能构造模块描述了本发明。为了描述方便，这些功能构造模块的边界在此处被任意地限定。只要恰当地执行具体的功能和它们的关系，可以限定其他替换的边界。

前面具体实施例的描述充分地揭示了本发明的通常含义，在不脱离本发明的发明构思的情况下，通过应用本领域的知识，可以对应不同的应用容易地修改和/或调整这些具体实施例。因此，基于此处给出的教导和指引，这些修改和变更是在所公开的实施例的等价物的含义和范围内的。应该明白，此处的措辞或术语是用于描述而不是限制用途，以便本领域技术人员在教导和指引下解释所给出的具体描述的措辞或术语。

本发明的宽度和范围不受上述任一示例性实施例的限制，而是仅根据随附的权利要求及其等同物而被限定。

Claims (20)

1.一种光刻设备包括：

照射***，配置为调节辐射束，所述照射***包括设置在当用所述辐射束照射时配置为接收基本上恒定的光瞳的平面上的均匀性校正***，所述均匀性校正***包括：

指状物，配置为可移入和移出与辐射束的相交处、以便校正所述辐射束的各部分的强度，和

致动装置，耦合至所述指状物中的相应的一个并配置为移动相应的指状物，

其中所述指状物的每一个的尖端的宽度是所述致动装置的宽度的一半；

支撑结构，配置为保持图案形成装置，所述图案形成装置配置为图案化辐射束；

衬底台，配置为保持衬底；以及

投影***，配置为将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

2.如权利要求1所述的光刻设备，其中通过所述指状物校正的辐射的强度变化的最小空间周期是所述指状物的每一个的尖端的所述宽度的两倍。

3.如权利要求1所述的光刻设备，其中所述指状物被布置在第一和第二相对的堆中，所述第一和第二相对的堆配置为彼此互锁。

4.如权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一和第二堆中的每一个在单个平面中。

5.如权利要求1所述的光刻设备，其中所述尖端的所述宽度大约为2毫米，校正的辐射的强度变化的空间周期为大约4毫米。

6.一种器件制造方法，包括步骤：

将辐射束聚焦在第一平面上，以便在所述第一平面处形成基本恒定的光瞳；

通过将位于所述第一平面中的指状物移入所述辐射束的路径和移出所述辐射束的路径来调节在所述第一平面处的所述辐射束的强度，其中所述指状物的每一个的尖端的宽度是用于移动所述指状物的每一个相应的指状物的相应的致动装置的宽度的一半；

引导所述辐射束的束至图案形成装置上以图案化所述辐射束；以及

将图案化的辐射束投影至衬底上。

7.如权利要求6所述的方法，其中通过所述指状物校正的辐射的强度变化的最小空间周期是所述指状物的每一个的所述尖端的所述宽度的两倍。

8.如权利要求6所述的方法，还包括将所述指状物布置在配置成互锁的两个相对的堆中。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述指状物的所述堆中的每一个在单个平面中。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述指状物的每一个的所述尖端的宽度大约为2毫米，校正的辐射的强度变化的空间周期大约为4毫米。

11.一种均匀性校正***，包括：

指状物，配置为可移入和移出与辐射束的相交处，以便当用所述辐射束照射时，校正位于配置成接收基本上恒定的光瞳的平面处的所述辐射束的各部分的强度，以及

致动装置，耦合至所述指状物中的相应一个并配置为移动相应的指状物，

其中所述指状物的每一个的尖端的宽度是所述致动装置的宽度的一半。

12.如权利要求11所述的***，其中通过所述指状物校正的辐射的强度变化的最小空间周期是所述指状物的每一个的所述尖端的所述宽度的两倍。

13.如权利要求11所述的***，其中所述指状物被布置在第一和第二相对的堆中，所述第一和第二相对的堆配置为彼此互锁。

14.如权利要求13所述的***，其中所述第一和第二堆中的每一个在单个平面中。

15.如权利要求11所述的***，其中所述尖端的所述宽度大约为2毫米，校正的辐射的强度变化的空间周期为大约4毫米。

16.一种方法，包括步骤：

提供位于第一平面上的指状物，当用辐射束照射时所述第一平面接收基本恒定的光瞳；以及

提供耦合至所述指状物中的相应的指状物的致动装置，所述致动装置通过将位于所述第一平面上的所述指状物移入到所述辐射束的路径和移出所述辐射束的路径而调节在所述第一平面处的所述辐射束的强度；

其中所述指状物的每一个的尖端的宽度是用于移动所述指状物中的相应的指状物的每一个的致动装置中的相应致动装置的宽度的一半。

17.如权利要求16所述的方法，其中通过所述指状物校正的辐射的强度变化的最小空间周期是所述指状物的每一个的所述尖端的所述宽度的两倍

18.如权利要求16所述的方法，还包括将所述指状物耦合至两个互锁的相对的堆中。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述指状物的所述堆的每一个在单个平面中。

20.如权利要求16所述的方法，其中所述指状物的每一个的所述尖端的所述宽度大约为2毫米，校正的辐射的强度变化的空间周期大约为4毫米。

Images