JPH11288874A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

露光装置および露光方法

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JPH11288874A
JPH11288874A JP10103435A JP10343598A JPH11288874A JP H11288874 A JPH11288874 A JP H11288874A JP 10103435 A JP10103435 A JP 10103435A JP 10343598 A JP10343598 A JP 10343598A JP H11288874 A JPH11288874 A JP H11288874A
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JP
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light
exposure
region
blind
mask
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JP10103435A
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Masanori Kato
正紀 加藤
Kazuhiko Hori
和彦 堀
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いように構成された露光装置。 【解決手段】 照明領域規定手段(9)は、複数のブラ
インド部材(21、22)の各々を所定方向に沿って移
動させるための駆動系(23、24)とを有する。各ブ
ラインド部材は、透光領域と、遮光領域と、減光領域と
を有する。部分的に重なり合う重複露光領域とそれ以外
の露光領域とで露光光量をほぼ一致させるために、各ブ
ラインド部材の減光領域は所定の透過率分布を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置および露光
方法に関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の製造に
用いられる露光装置であって、感光性基板上において単
位マスクパターンを部分的に重ね合わせることによって
大面積のパターンを形成する露光装置、いわゆる画面合
成を行う露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の露光装置では、露光対象
となる感光性基板の大型化に対処するために、感光性基
板の露光領域を複数の単位露光領域に分割し、各単位露
光領域に対する露光を複数回に亘って繰り返し、最終的
に所望の大面積を有するパターンを合成する手法、すな
わち画面合成の手法が用いられている。画面合成を行う
場合、パターン投影用のマスクの描画誤差、投影光学系
のディストーション、感光性基板を位置決めするステー
ジの位置決め誤差等に起因して、各単位露光領域の境界
位置においてパターンの切れ目が発生し易い。そこで、
パターンの切れ目の発生を防止するために、各単位露光
領域の境界を微少量だけ重ね合わせることによって、換
言すると各単位露光領域を部分的に重ね合わせることに
よって、画面合成のための露光を行っている。
【0003】しかしながら、各単位露光領域を部分的に
重ね合わせると、重ね合わせた露光領域(以下、「重複
露光領域」という)の露光光量が重複露光領域以外の露
光領域の2倍(4重複露光領域では4倍)になり、感光
剤の特性およびパターン性状によってはパターンの継ぎ
目部分の線幅が大きく変化することになる。また、画面
合成を行うと、隣接する2つの単位露光領域の間の相対
位置ずれによってパターンの継ぎ目部分に段差が発生し
て、製造デバイスの特性が損なわれることがある。さら
に、画面合成された単層のパターンを多層に重ね合わせ
る工程において各層のパターン形成を異なる露光装置に
分担させた場合、各露光装置のレンズディストーション
やステージの位置決め誤差の相違によって、各層におけ
る単位露光領域の重ね合わせ誤差がパターンの継ぎ目部
分で不連続に変化することになる。この場合、特にアク
ティブマトリックス液晶デバイスでは、パターン継ぎ目
部分でコントラストが不連続に変化して、デバイスの品
質が低下することになる。
【0004】特開平6−244077号公報および特開
平7−235466号公報には、以上のような画面合成
上の不都合を解決する露光装置が開示されている。これ
らの公報に記載された露光装置では、マスクとほぼ共役
な位置に配置されてマスクの照明領域を規定するための
マスクブラインドに透過率が100%から0%まで線形
的に変化する減光領域を数mmの幅に亘って形成してい
る。そして、この減光領域の作用により、重複露光領域
とそれ以外の露光領域とで露光光量がほぼ等しくなるよ
うに構成している。特に上述の特開平7−235466
号公報に開示された露光装置では、露光装置の限界解像
力以下の大きさのドット状の微小遮光部を所定の密度分
布にしたがって形成することによって減光領域を形成し
ている。すなわち、減光領域における微小遮光部の密度
分布は、透光領域側から遮光領域側へ向かって線形的に
増大するように設定されている。
【0005】上述の2つの公報に記載された露光装置で
は、マスクブラインドをマスクと共役な位置またはその
近傍に配置する必要がある。このため、マスクブライン
ドに所定の大きさ以上の微小異物が付着すると、この微
小異物が感光性基板上に転写されて製造デバイスの欠陥
になるという恐れがある。そこで、特開平7−1351
66号公報では、マスクとほぼ共役な位置に配置された
マスクブラインドに対して光束を照射し、マスクブライ
ンドからの反射光束を検出する異物検査機構を付設した
露光装置を提案している。この露光装置では、簡単な構
成を有する異物検査機構により、マスクブラインドから
の光情報に基づいて異物の検査を定期的に行うことがで
きるので、感光性基板に対する異物の転写を未然に防止
することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
7−235466号公報に開示されているように、マス
クブラインドに形成される減光領域の幅は数mmであ
り、この数mm幅の狭い領域において所定の密度分布に
したがってドット状の微小遮光部を形成することにより
透過率を0%から100%まで線形的に変化させること
は困難である。また、マスク(ひいては感光性基板)と
ほぼ共役に配置されたマスクブラインドを移動させるこ
となく露光を行うので、減光領域に形成されたドット状
の微小遮光部からなるパターン自体が感光性基板に写り
込んでしまう可能性がある。上述の公報では露光装置の
限界解像力以下の大きさのドット状の微小遮光部を所定
の密度分布にしたがって形成することが提案されている
が、密度の高い領域では互いに近接した微小遮光部から
なるパターン自体の写り込みが起こる可能性があり、ひ
いては照度ムラの原因になる可能性がある。すなわち、
マスクブラインドに形成されたドット状の微小遮光部か
らなるパターンの影響を受け、重複露光領域とそれ以外
の露光領域とで露光光量が実質的に異なってしまうだけ
でなく、部分的に露光光量ムラが起こる可能性がある。
【0007】さらに、露光装置の限界解像力以下の大き
さのドット状の微小遮光部を所定の密度分布にしたがっ
て形成したとしても、密度の高い領域と密度の低い領域
とでは微小遮光部のピッチの差が大きく、この微小遮光
部のピッチに依存して照明光学系にて取り込める回折光
と取り込めない回析光との差が生じる。その結果、透過
率が0%から100%まで線形的に変化するようにドッ
ト状の微小遮光部を所定の密度分布にしたがって形成し
た場合であっても、この減光領域を介してマスク(ひい
ては感光性基板)上に形成される照度分布は直線的な分
布から外れてしまう。つまり、露光装置の限界解像力以
下の大きさのドット状の微小遮光部を所定の密度分布に
したがって形成しても、マスクブラインドを移動させる
ことなく露光を行えば、感光性基板の露光領域において
局所的な露光光量ムラが発生することになる。
【0008】また、特開平7−135166号公報に開
示されているように、簡単な構成を有する異物検査機構
によりマスクブラインドに付着した異物の検査を定期的
に行うとしても、マスクブラインドがマスクとほぼ共役
な位置に配置される以上、マスクブラインドに所定の大
きさ以上の微小異物が付着すると、この微小異物が感光
性基板上に転写されて製造デバイスの欠陥の原因になっ
てしまうということ自体に変わりは無い。発塵に対して
一般的な考慮をしても感光性基板上に転写され得るよう
な有害な大きさの異物が付着する可能性はある程度高
く、さらに気密性を高めるか吸引等の処置を施したとし
ても有害な大きさの異物の付着を回避することは不可能
である。したがって、上述の特開平7−135166号
公報に開示された露光装置では、定期的な異物検査にお
いて有害な大きさの異物がある程度頻繁に検出されるこ
とが考えられる。有害な大きさの異物が検出された場合
には、その都度マスクブラインドの清掃を行う必要があ
るため、露光装置の稼働率が低下してしまう。
【0009】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いように構成された露光装置および露光方
法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1発明では、転写用のパターンが形成さ
れたマスクを所定の照明光で照明するための照明光学系
と、該照明光学系の光路中において前記マスクとほぼ共
役な位置に配置されて前記マスクの照明領域を規定する
ための照明領域規定手段とを備え、感光性基板上におい
て部分的に重なり合う複数の単位露光領域に前記マスク
のパターンの像を順次露光する露光装置において、前記
照明領域規定手段は、複数のブラインド部材と、前記複
数の単位露光領域の各々への露光に際して前記複数のブ
ラインド部材の各々を前記照明光学系の光軸を横切る所
定方向に沿って常に移動させるための駆動系とを有し、
各ブラインド部材は、前記照明光を透過させるための透
光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
前記透光領域と前記遮光領域との間に形成された減光領
域とを有し、前記複数の単位露光領域において部分的に
重なり合う重複露光領域と該重複露光領域以外の露光領
域とで露光光量をほぼ一致させるために、各ブラインド
部材の減光領域は前記照明光に対して所定の透過率分布
を有することを特徴とする露光装置を提供する。
【0011】第1発明の好ましい態様によれば、前記照
明領域規定手段は、前記マスクと共役な位置を挟むよう
に前記照明光学系の光軸に沿って所定の間隔を隔てて配
置された2つのブラインド部材を有し、前記駆動系は、
前記感光性基板上における前記重複露光領域の幅に対応
する所定距離だけ前記照明光学系の光軸と直交する第1
方向に沿って各ブラインド部材を駆動し、各ブラインド
部材において、前記減光領域は前記第1方向に沿って矩
形状に延び、前記透光領域と前記遮光領域との境界線は
前記照明光学系の光軸と直交する平面内において前記第
1方向と直交する第2方向に沿って延びている。
【0012】また、本発明の第2発明では、転写用のパ
ターンが形成されたマスクを所定の照明光で照明する際
に前記マスクとほぼ共役な位置に配置された複数のブラ
インド部材によって前記マスクの照明領域を規定し、前
記マスクの前記照明領域に形成されたパターンの像を感
光性基板上において部分的に重なり合う複数の単位露光
領域に順次露光する露光方法において、前記複数のブラ
インド部材の各々は、前記照明光を透過させるための透
光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
前記透光領域と前記遮光領域との間に形成されて前記照
明光に対して所定の透過率分布を有する減光領域とを有
し、前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合
う重複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露
光光量をほぼ一致させるために、前記複数のブラインド
部材の各々を基準光軸を横切る所定方向に沿って移動さ
せることを特徴とすることを露光方法を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明では、マスクとほぼ共役な
位置に配置されてマスクの照明領域を規定するための照
明領域規定手段としてのマスクブラインドが、複数のブ
ラインド部材、たとえばマスクと共役な位置を挟むよう
に所定の間隔を隔てて配置された2つのブラインド部材
で構成されている。一対のブラインド部材の各々には、
露光光(照明光)を透過させるための透光領域と、露光
光の透過を遮るための遮光領域と、露光光に対して所定
の透過率分布を有する減光領域とが形成されている。そ
して、感光性基板上において部分的に重なり合う各単位
露光領域への露光に際して、各ブラインド部材を基準光
軸を横切る所定方向に沿って常に移動する。その結果、
感光性基板上の複数の単位露光領域において部分的に重
なり合う重複露光領域とそれ以外の露光領域とで露光光
量がほぼ一致した所望の露光光量分布を得ることができ
る。
【0014】さらに具体的な形態によれば、減光領域は
各ブラインド部材の移動方向に沿って矩形状に延び、透
光領域と遮光領域との境界線からなるエッジパターンは
移動方向と直交する方向に沿って延びている。ここで、
各ブラインド部材の移動距離に対応する幅の任意の減光
領域において、移動方向に沿って積算された積算透過率
が移動方向と直交する方向に沿って透光領域側から遮光
領域側へほぼ線形的に減少している。各ブラインド部材
は、感光性基板上において重複露光領域の幅に対応する
所定距離だけ互いに異なる向きにほぼ一定の速度で移動
する。その結果、ブラインド部材の減光領域およびマス
クのパターン領域を通過した光により重複露光領域への
露光が行われ、この重複露光領域においてたとえば線形
的に変化する所望の露光光量分布が得られる。
【0015】ところで、従来技術では、マスクブライン
ドが露光中に移動しないため、減光領域に形成するドッ
ト状の微小遮光部が感光性基板上に転写されないよう
に、微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像力よりも
小さくする必要があった。これに対して、本発明では、
マスクブラインドが露光中に移動するので、減光領域に
おいて移動幅に対する積算透過率が所定の分布を示して
いれば良く、減光領域に形成すべきドット状の微小遮光
部の大きさを露光装置の限界解像力よりも小さくする必
要はない。換言すると、露光装置の諸条件に依存するこ
となく、描画し易い大きさで且つ各ブラインド部材の移
動幅に対して十分小さいサイズを有する微小遮光部を所
定の密度分布に沿って多数形成することによって、感光
性基板上に転写されることのないパターンを減光領域に
容易に形成することができる。
【0016】また、従来技術では、マスクブラインドが
露光中に移動しないため、かなり小さな異物がブライン
ド部材に付着しても、感光性基板上での露光光量ムラが
大きく発生してしまう。これに対して、本発明では、マ
スクブラインドが露光中に移動するので、後述の実施例
において具体的に検証しているように、かなり大きな異
物がブラインド部材に付着しても、感光性基板上での露
光光量ムラを小さく抑えることができる。換言すると、
本発明の露光装置では、発塵に対する通常の配慮をすれ
ば、有害なサイズを有する異物のブラインド部材への付
着を十分回避することができ、その結果異物の影響によ
る感光性基板上での露光光量ムラを十分小さく抑えるこ
とができる。
【0017】以上のように、本発明の露光装置では、マ
スクブラインドの減光領域に形成された微小遮光部から
なるパターンおよびマスクブラインドに付着した異物が
感光性基板への転写および露光光量ムラの原因となり難
いような構成を実現することができる。その結果、本発
明では、感光性基板上で画面合成により形成された大面
積のパターンにおいてパターン継ぎ目に欠陥のない良好
なデバイスを製造することができる。
【0018】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構
成を概略的に示す図である。本実施例では、液晶表示素
子の製造に用いられる投影露光装置に本発明を適用して
いる。図1では、投影光学系14の光軸AXに平行にZ
軸が、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に平行
にX軸が、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に
垂直にY軸がそれぞれ設定されている。
【0019】図1に示す投影露光装置は、たとえば超高
圧水銀ランプからなる光源1を備えている。光源1は、
回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2の第1焦点
位置に位置決めされている。したがって、光源1から射
出された照明光束は、ミラー3を介して、楕円鏡2の第
2焦点位置P1に光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦
点位置P1に形成された光源像からの光束は、コレクタ
ーレンズ4によりほぼ平行な光束に変換された後、所望
の波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルター5
に入射する。波長選択フィルター5を介して選択された
露光波長の光(たとえばg線(436nm)またはi線
(365nm)など)は、フライアイインテグレーター
6に入射する。
【0020】フライアイインテグレーター6は、多数の
正レンズエレメントをその中心軸線が光軸AXに沿って
延びるように縦横に配列することによって構成されてい
る。したがって、フライアイインテグレーター6に入射
した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割さ
れ、フライアイインテグレーター6の後側焦点面(すな
わち射出面の近傍)にレンズエレメントの数と同数の光
源像からなる二次光源を形成する。すなわち、フライア
イインテグレーター6の後側焦点面には、実質的な面光
源が形成される。
【0021】二次光源からの光束は、フライアイインテ
グレーター6の後側焦点面の近傍に配置された開口絞り
7により制限された後、第1リレーレンズ8に入射す
る。なお、開口絞り7は、後述する投影光学系14の入
射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄
与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有
する。開口絞り7は、この可変開口部の開口径を変化さ
せることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系
の瞳面の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径の
比)を所望の値に設定する。
【0022】第1リレーレンズ8を介して集光された光
束は、後述するマスク13の照明領域を規定するために
マスク13と光学的にほぼ共役な位置に配置されたマス
クブラインド9に入射する。なお、照明領域規定手段と
してのマスクブラインド9の構成および作用については
後述する。マスクブラインド9を介した光束は、ブライ
ンドリレー系(10、11)およびブラインドリレー系
の光路中に配置された折り曲げミラー12を介して、所
定の転写パターンが形成されたマスク13を重畳的に照
明する。
【0023】マスク13を透過した光束は、投影光学系
14を介して、感光性基板であるプレート15に達す
る。こうして、プレート15上の単位露光領域には、マ
スク13のパターン像が形成される。ここで、上述した
ように開口絞り7と投影光学系14の入射瞳面とがほぼ
共役に配置されているので、投影光学系14の入射瞳面
上に二次光源の像が形成され、マスク13およびプレー
ト15がいわゆるケーラー照明される。
【0024】なお、プレート15は、投影光学系14の
光軸AXに対して垂直な平面(XY平面)内において二
次元的に移動可能なプレートステージ16上に支持され
ている。したがって、プレートステージ16をひいては
プレート15を二次元的に移動させながら順次露光を行
うことにより、プレート15の各単位露光領域にマスク
13のパターンを逐次転写することができる。
【0025】図2は、図1のマスクブラインド9の要部
構成を示す拡大斜視図であって、光軸AXに沿って光源
側からマスクブラインド9を構成する一対のブラインド
部材を見た図である。図2に示すように、マスクブライ
ンド9は、YZ平面に平行なプレート状に形成された透
明なガラス基板からなるブラインド部材21および22
を備えている。一対のブラインド部材21および22
は、マスク13のパターン面と共役な面と光軸AXとの
交点P2を中心として光軸AXに沿って等しい間隔を隔
てて配置されている。
【0026】また、ブラインド部材21および22の対
向する面には、遮光領域21aおよび22aと、減光領
域21bおよび22bとが形成されている。ここで、遮
光領域21aおよび22aは露光光の透過をほぼ100
%遮る領域であり、減光領域21bおよび22bは露光
光に対して後述するように所定の透過率分布を有する領
域である。したがって、ブラインド部材21および22
の対向する面において遮光領域も減光領域も形成されて
いない領域(図2中白抜きの部分)は、露光光をほぼ1
00%透過させる透光領域21cおよび22cを構成し
ている。
【0027】ブラインド部材21では、透光領域21c
がY方向およびZ方向に沿った矩形状に形成され、遮光
領域21aがZ方向に沿って延びた矩形状部分とY方向
に沿って延びた矩形状部分とからなり全体的にL字型に
形成されている。なお、遮光領域21aは、透光領域2
1cの−Z方向側および−Y方向側に形成されている。
そして、透光領域21cと遮光領域21aのY方向に沿
った矩形状部分との間には、Y方向に沿って延びた矩形
状の減光領域21bが形成されている。また、透光領域
21cと遮光領域21aのZ方向に沿った矩形状部分と
の境界線は、Z方向に沿ったエッジパターン21dを構
成している。一方、ブラインド部材22は、ブラインド
部材21と基本的に同じ構成を有するが、遮光領域22
aが透光領域22cの+Z方向側および+Y方向側に形
成されている点が相違している。
【0028】図3は、ブラインド部材の減光領域の構成
を示す図であって、光源側のブラインド部材21の減光
領域21bを光軸AXに沿ってマスク側から見た拡大図
である。図3に示すように、ブラインド部材21の減光
領域21bには、ドット状の微小遮光部が所定の密度分
布にしたがって形成されている。さらに詳細には、図3
において矩形状の範囲31で示す領域が1つの単位減光
領域を形成し、この単位減光領域31のパターンがY方
向に沿って同じピッチ(単位減光領域31の幅)で繰り
返されている。
【0029】単位減光領域31では、透光領域21cか
ら遮光領域21aへ向かってすなわち−Z方向に沿って
ドット状の微小遮光部の形成密度が増大している。換言
すると、単位減光領域31において、露光光に対する透
過率は−Z方向に沿って減少している。さらに詳細に
は、単位減光領域31においてY方向に積算した積算透
過率が透光領域21cから遮光領域21aへ−Z方向に
沿って100%から0%まで線形的に減少している。こ
こで、各微小遮光部はたとえばクロムのような遮光性の
薄膜から構成され、その形状は矩形状(正方形状または
長方形状)であっても円形であってもよい。他方のブラ
インド部材22の減光領域22bも、ブラインド部材2
1の減光領域21bと同様に形成されている。
【0030】ここで、図1を再び参照すると、マスクブ
ラインド9は、光源側のブラインド部材21をY方向に
沿って移動させるための駆動系23と、マスク側のブラ
インド部材22をY方向に沿って移動させるための駆動
系24とを備えている。このように、一対のブラインド
部材21および22をそれぞれ機械的に駆動するため
に、一対のブラインド部材21と22との間には数百μ
mの間隔が確保されている。
【0031】図4は、4つのパターンを画面合成する場
合におけるプレート15上の4つの単位露光領域EA1
〜EA4の配置およびその重なり合わせを示す図であ
る。また、図5は、プレート15上の第1単位露光領域
EA1に露光する際のマスクブラインド9の動作を説明
する図であって、光軸AXに沿って光源側からマスクブ
ラインド9を見た図である。さらに、図6は、マスク1
3のパターン面の構成を示す平面図である。
【0032】図6に示すように、マスク13のパターン
面には、転写用のパターンが描かれた矩形状のパターン
領域61と、この矩形状のパターン領域61を包囲する
遮光帯62とが形成されている。遮光帯62には、露光
光の透過をほぼ100%遮るように、たとえばクロム膜
が蒸着されている。こうして、パターン領域61と遮光
帯62との間には、矩形状の遮光帯エッジ63が形成さ
れている。以下、図4〜図6を参照して、第1単位露光
領域EA1、第2単位露光領域EA2、第3単位露光領
域EA3、および第4単位露光領域EA4の順に行う各
露光動作について説明する。
【0033】まず、第1単位露光領域EA1への露光で
は、マスク13に対して一対のブラインド部材21およ
び22を図5に示すような位置関係にしたがって初期的
に位置決めする。すなわち、初期状態では、ブラインド
部材21の減光領域21bおよびエッジパターン21d
がマスク13のパターン領域61(図5では不図示)と
重なり、ブラインド部材22の減光領域22bおよびエ
ッジパターン22dがマスク13の遮光帯62(図5で
は不図示)と重なっている。第1単位露光領域EA1へ
の露光では、図5において実線で示す初期状態から、駆
動系23によりブラインド部材21を−Y方向に、駆動
系24によりブラインド部材22を+Y方向に一定の速
度で移動させる。なお、露光に伴うブラインド部材21
および22の移動距離は、ブラインド部材21(22)
の減光領域21b(21b)の単位減光領域31の幅
(Y方向の長さ)のN倍(Nは正の整数:図3ではN=
2と仮定している)となっている。こうして、感光性基
板であるプレート15上の第1単位露光領域EA1への
露光が行われる。
【0034】図7は、プレート15上の第1単位露光領
域EA1への露光状態を示す図である。図7に示す第1
単位露光領域EA1のうち、領域71はブラインド部材
21の減光領域21bを通過した光によって露光された
領域であり、領域72はブラインド部材21のエッジパ
ターン21dの露光中の通過領域によって規定される露
光領域であり、領域71および領域72以外の領域73
はブラインド部材21の透光領域21cを通過した光に
よって露光された領域である。ここで、領域73を画成
する4つの境界線のうち領域71および領域72に接し
ない境界線73aおよび73bは、マスク13の遮光帯
エッジ63によって規定されることはいうまでもない。
【0035】したがって、図7において線74および7
5で示すように、露光領域73における露光光量は一定
である。また、露光領域72における露光光量は、エッ
ジパターン21dが一定の速度で移動するため、露光領
域73との境界から外縁に向かって線形的に減少する。
さらに、露光領域71における露光光量も、減光領域2
1bが単位減光領域31の幅の整数倍(この場合は2
倍)だけ移動するため、露光領域73との境界から外縁
に向かって線形的に減少する。これは、単位減光領域3
1における積算透過率が線形的に変化しているため、単
位減光領域31の幅の整数倍の移動中における露光領域
71の積算露光光量も線形的に変化するからである。
【0036】次いで、プレートステージ16を、ひいて
はプレート15を移動させた後、第2単位露光領域EA
2への露光を行う。第2単位露光領域EA2への露光の
初期状態では、ブラインド部材21の減光領域21bお
よびブラインド部材22のエッジパターン22dがマス
ク13のパターン領域61と重なり、ブラインド部材2
2の減光領域22bおよびブラインド部材21のエッジ
パターン21dがマスク13の遮光帯62と重なってい
る。そして、駆動系23によりブラインド部材21を−
Y方向に、駆動系24によりブラインド部材22を+Y
方向に一定の速度で移動させる。なお、露光に伴うブラ
インド部材21および22の移動距離は、第1単位露光
領域EA1への露光と同様である。
【0037】さらに、プレート15を移動させた後、第
3単位露光領域EA3への露光を行う。第3単位露光領
域EA3への露光の初期状態では、ブラインド部材22
の減光領域22bおよびエッジパターン22dがマスク
13のパターン領域61と重なり、ブラインド部材21
の減光領域21bおよびエッジパターン21dがマスク
13の遮光帯62と重なっている。そして、駆動系23
によりブラインド部材21を−Y方向に、駆動系24に
よりブラインド部材22を+Y方向に一定の速度で移動
させる。なお、露光に伴うブラインド部材21および2
2の移動距離は、第1単位露光領域EA1および第2単
位露光領域EA2への露光と同様である。
【0038】最後に、プレート15をさらに移動させた
後、第4単位露光領域EA4への露光を行う。第4単位
露光領域EA4への露光の初期状態では、ブラインド部
材22の減光領域22bおよびブラインド部材21のエ
ッジパターン21dがマスク13のパターン領域61と
重なり、ブラインド部材21の減光領域21bおよびブ
ラインド部材22のエッジパターン22dがマスク13
の遮光帯62と重なっている。そして、駆動系23によ
りブラインド部材21を−Y方向に、駆動系24により
ブラインド部材22を+Y方向に一定の速度で移動させ
る。なお、露光に伴うブラインド部材21および22の
移動距離は、第1単位露光領域EA1〜第3単位露光領
域EA3への露光と同様である。
【0039】こうして、プレート15を二次元的に移動
させながら順次露光を行うことにより、プレート15上
の4つの単位露光領域EA1〜EA4において、ほぼ一
定の露光光量を得ることができる。すなわち、重複露光
領域(図4中斜線で示す領域)41〜44とそれ以外の
露光領域(図4中白抜きで示す領域)とでほぼ一致した
露光光量を得ることができる。
【0040】上述の実施例では、図4の4つの重複露光
領域41〜44が重なり合う領域45において4回の露
光が行われる。以下、この4重複露光領域45の露光光
量分布について検討する。各ブラインド部材の減光領域
の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量の
1/2に設定している場合、第1回目の露光(すなわち
第1単位露光領域EA1への露光)により、4重複露光
領域45の図中右半分の領域では所望の露光光量分布を
得ることができるが、4重複露光領域45の図中左半分
の領域では露光光量分布に誤差が発生してしまう。
【0041】同様に、第2回目の露光(すなわち第2単
位露光領域EA2への露光)では、4重複露光領域45
の図中左半分の領域では所望の露光光量分布を得ること
ができるが、4重複露光領域45の図中右半分の領域で
は露光光量分布に誤差が発生してしまう。また、第3回
目の露光(すなわち第3単位露光領域EA3への露光)
では、4重複露光領域45の図中左半分の領域では所望
の露光光量分布を得ることができるが、4重複露光領域
45の図中右半分の領域では露光光量分布に誤差が発生
してしまう。さらに、第4回目の露光(すなわち第4単
位露光領域EA4への露光)では、4重複露光領域45
の図中右半分の領域では所望の露光光量分布を得ること
ができるが、4重複露光領域45の図中左半分の領域で
は露光光量分布に誤差が発生してしまう。こうして、4
回に亘って露光を繰り返した結果、4重複露光領域45
では露光光量分布にある程度の誤差が発生する。
【0042】4重複露光領域45における露光光量分布
の誤差を小さくするには、各ブラインド部材の減光領域
の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量の
1/Nに設定するときの正の整数Nをできるだけ大きく
設定すればよい。たとえば、各ブラインド部材の減光領
域の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量
の1/10(N=10)に設定すれば、各露光により4
重複露光領域45の90%の領域において所望の露光光
量分布を得ることができ、誤差が発生する領域は4重複
露光領域45の10%となる。この10%の誤差領域に
おいて仮に10%程度の誤差が発生したとしても、全体
の4重複露光領域45の全体露光光量に対しては1%程
度の誤差にしかならず十分良好な露光光量分布を得るこ
とができる。
【0043】ところで、従来の技術では、マスクブライ
ンドが露光中に移動しないため、減光領域に形成するド
ット状の微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像力よ
りも小さくする必要があった。具体的には、投影光学系
の倍率を等倍とし、投影光学系のNAを0.1とし、ブ
ラインドリレー系の倍率を4倍とし、マスクを照明する
照明光学系のNAを0.05と設定すれば、マスクブラ
インド上における照明NAは0.2となる。つまり、露
光波長をg線(波長λ=436nm)とすれば、マスク
ブラインドの各ブラインド部材の減光領域上の微小遮光
部のプレート上に転写され得る臨界的な大きさRは、以
下の式(1)で表される。 R=λ/2NA=436×10-3/(2×0.2)≒1μm (1)
【0044】すなわち、各ブラインド部材の減光領域上
の微小遮光部がプレート上に転写されないように構成す
るには、1μmよりも小さいドット状の微小遮光部を所
定の密度分布に沿って多数形成する必要がある。換言す
ると、電子ビーム描画機のような特殊な装置を使用しな
ければ、このように小さいドット状の微小遮光部からな
る特殊な微細パターンを形成することはできなくなって
しまう。さらに、投影光学系が拡大光学系(倍率が1よ
りも大きい)であったり、露光波長がg線よりも短波長
のi線(365nm)であるような場合には、1μmよ
りもさらに小さいドット状の微小遮光部を所定の密度分
布に沿って多数形成しなければならなくなる。その結
果、描画精度が厳しくなり過ぎて、ドット状の微小遮光
部からなるパターンを減光領域に形成すること自体困難
になってしまう。
【0045】これに対して、本実施例では、マスクブラ
インド9の各ブラインド部材(21、22)が露光中に
移動するため、各ブラインド部材の減光領域に形成すべ
きドット状の微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像
力よりも小さくする必要はない。すなわち、露光装置の
諸条件に依存することなく、描画し易い大きさで且つ各
ブラインド部材の移動幅に対して十分小さいサイズ(例
えば2μm〜5μm程度)を有するドット状の微小遮光
部を所定の密度分布に沿って多数形成することによっ
て、プレート上に転写されることのないパターンを減光
領域に容易に形成することができる。
【0046】図8は、本実施例において各ブラインド部
材上に付着した異物とプレート上における露光光量ムラ
との関係を説明する図である。図8において、マスク1
3およびプレート15との共役面(図2において点P2
を通り光軸AXに垂直な面)81から光軸AXに沿って
距離dだけ間隔を隔ててブラインド部材の面(一対のブ
ラインド部材の対向面)82が配置されている。この場
合、円形または球形と仮定した異物83の半径rと露光
光量ムラの許容値Pp との間には、次の式(2)に示す
関係が近似的に成立する。 (π×r2 ×2×r)/(π×(d×NA)2 ×L)=Pp (2)
【0047】ここで、NAはマスクブラインド9上での
照明NAであり、Lは露光中における各ブラインド部材
の移動量である。したがって、マスクブラインド9上で
の照明NAを0.2とし、共役面81とブラインド面8
2との間隔d=300μmとし、各ブラインド部材の移
動量L=1.5mmとし、露光光量ムラの許容値Pp =
0.03(すなわち3%)とすると、許容できる異物の
サイズ(直径)2rは約85μmとなる。換言すると、
約85μmよりも大きな異物がブラインド部材に付着し
ないようにすれば、プレート上での露光光量ムラを3%
よりも小さく抑えることができる。露光装置において発
塵に対して通常の配慮をすれば、約85μmよりも大き
なサイズの異物のブラインド部材への付着を十分回避す
ることができる。したがって、本実施例の露光装置で
は、ブラインド部材への異物の付着の影響による感光性
基板上での露光光量ムラを十分小さく抑えることができ
る。
【0048】因みに、マスクブラインドが露光中に移動
しない従来技術では、異物の半径rと露光光量ムラの許
容値Pp との間に、次の式(3)に示す関係が近似的に
成立する。 (π×r2 )/(π×(d×NA)2 )=Pp (3) したがって、上述の数値例と同様に、マスクブラインド
上での照明NAを0.2とし、共役面とブラインド面と
の間隔d=300μmとし、露光光量ムラの許容値Pp
=0.03(すなわち3%)とすると、許容できる異物
のサイズ(直径)は約20μmとなる。換言すると、マ
スクブラインドが露光中に移動しない従来技術では、約
20μmよりも大きな異物がブラインド部材に付着する
と、プレート上での露光光量ムラが3%よりも大きくな
ってしまう。前述したように、気密性を高めるか吸引等
の処置を施したとしても、20μm程度のサイズの異物
がブラインド部材に付着するのを回避することは不可能
である。このように、従来の露光装置では、ブラインド
部材への異物の付着の影響により感光性基板上において
ある程度の露光光量ムラが発生していることがわかる。
【0049】以上のように、本実施例の露光装置では、
マスクブラインドの各ブラインド部材の減光領域に形成
された微小遮光部からなるパターンが感光性基板への転
写および露光光量ムラの原因となり難く、且つマスクブ
ラインドに付着した異物が感光性基板への転写および露
光光量ムラの原因となり難いような構成を実現すること
ができる。その結果、本実施例では、感光性基板上で画
面合成により形成された大面積のパターンにおいてパタ
ーン継ぎ目に欠陥のない良好なデバイスを製造すること
ができる。
【0050】図9は、ブラインド部材の第1変形例とし
て減光領域に三角形状の微小遮光部を所定のピッチで形
成した様子を示す図である。図9では、遮光領域と減光
領域との境界線に沿って延びた底辺と、透光領域と減光
領域との境界線上の頂点とを有する三角形状の微小遮光
部(図中斜線で示す)がブラインド部材の移動方向に沿
って所定のピッチで形成されている。三角形状の微小遮
光部が形成されるピッチは、ブラインド部材の露光移動
量の1/N(Nは十分大きな正の整数)に設定されてい
る。例えば、ブラインドリレー系の倍率が4倍で投影光
学系の倍率が等倍であるような露光装置では、プレート
上の重複露光領域の幅を8mmとすれば、ブラインド部
材の露光移動量は2mmである。したがって、N=10
0と設定すれば、三角形状の微小遮光部の形成ピッチは
20μmとなる。
【0051】このように、図9の第1変形例の場合、減
光領域の単位減光領域の幅が20μmで、この単位減光
領域において積算透過率は透光領域側から遮光領域側へ
向かって100%から0%まで線形的に減少している。
したがって、この減光領域を微小遮光部のピッチ方向に
2mm移動させた場合、この減光領域を介してプレート
上に形成される露光領域では所望の線形的な露光光量分
布を得ることができる。また、各ブラインド部材は露光
中に移動するので、移動方向に20μm程度の幅を有す
る微小遮光部がプレート上に転写されることはない。た
だし、図9の第1変形例では、各微小遮光部の底辺の長
さが20μmでその高さが2mm(2000μm)であ
るため、各微小遮光部の頂角が極端に角度の小さい鋭角
になってしまう。その結果、特に各微小遮光部の頂点部
分が剥がれ易く、たとえばエッチングによるパターニン
グが難しい。
【0052】図10は、減光領域のパターニングが容易
なブラインド部材の第2変形例として三角形状の微小遮
光部の一方の斜線部分を階段状に形成した様子を示す図
である。図10の第2変形例では、図9の第1変形例と
同様に、遮光領域と減光領域との境界線に沿って延びた
底辺と、透光領域と減光領域との境界線上またはその近
傍に位置する頂点とを有する三角形状の微小遮光部(図
中斜線で示す)がブラインド部材の移動方向に沿って所
定のピッチで形成されている。そして、三角形状の微小
遮光部の形成ピッチは、ブラインド部材の露光移動量の
1/100に設定されている。ただし、各微小遮光部の
図中左側の斜辺は図中鉛直方向に直線状に延びている
が、図中右側の斜辺部分が10段の階段状に形成されて
いる。
【0053】すなわち、図9の第1変形例と同様の全体
設定に基づいて図10の最も左側の微小遮光部101の
全体形状に着目すると、底辺の長さが20μmであり、
高さが2000μmである。そして、図中最も上側の第
1段目の遮光部分の幅が2μmでその高さが200μm
となり、第2段目の遮光部分の幅が4μmでその高さが
200μmとなり、以下同様に第n段目の遮光部分の幅
が(2×n)μmでその高さが200μmとなってい
る。次に、図10の左側から2番目の微小遮光部102
に着目すると、この微小遮光部102は微小遮光部10
1を40μm(すなわち各段の遮光部分の高さ200μ
mの1/5)だけ図中鉛直方向に位置ずれさせた形状を
していることがわかる。同様に、図10の左側から3番
目の微小遮光部103は、微小遮光部101を80μm
(すなわち各段の遮光部分の高さ200μmの2/5)
だけ図中鉛直方向に位置ずれさせた形状をしている。ま
た、図10の左側から4番目の微小遮光部104は微小
遮光部101を120μm(すなわち各段の遮光部分の
高さ200μmの3/5)だけ図中鉛直方向に位置ずれ
させた形状を、図10の左側から5番目の微小遮光部1
05は微小遮光部101を160μm(すなわち各段の
遮光部分の高さ200μmの4/5)だけ図中鉛直方向
に位置ずれさせた形状をしている。
【0054】こうして、たとえば微小遮光部101を含
む20μmの幅の減光領域だけの積算透過率を考えると
100%から0%まで10%ずつ段階的に変化している
が、微小遮光部101〜105を含む100μmの幅の
単位減光領域106の積算透過率を考えると2%ずつ段
階的に変化していることがわかる。すなわち、単位減光
領域106の積算透過率はほぼ線形的に変化しており、
このような単位減光領域が所定のピッチで繰り返し形成
された減光領域を介してプレート上に形成される露光領
域ではほぼ線形的な露光光量分布を得ることができる。
さらに、単位減光領域の積算透過率の線形性すなわち露
光光量分布の線形性を高めるには、図10において隣接
する微小遮光部を鉛直方向に沿って互いに20μm(す
なわち各段の遮光部分の高さ200μmの1/10)ず
つ位置ずれさせ、連続する10個の微小遮光部で単位減
光領域を形成し、このような単位減光領域を所定のピッ
チで繰り返しパターニングすればよい。また、図10で
は各微小遮光部を段階的(規則的)に位置ずれさせてい
るが、スキャン幅(すなわち単位減光領域)中において
各微小遮光部の位置ずれをランダムに配置してもよいこ
とは当然である。
【0055】図11は、ブラインド部材の第3変形例と
して減光領域に様々な長さの棒状の微小遮光部を所定の
ピッチで形成することによって単位減光領域を棒グラフ
状に形成した様子を示す図である。図11の第3変形例
では、単位減光領域において長さの異なる棒状の微小遮
光部が所定のピッチで形成されている。さらに詳細に
は、実際に微小遮光部の形成されていない途中の部分を
長さが0の微小遮光部であると考えると、単位減光領域
には合計10本の微小遮光部が形成されている。そし
て、図中最も左側の微小遮光部は、減光領域の全体高さ
(減光領域の図中鉛直方向の長さ)の約11%の高さを
有する。以下、左側から2番目の微小遮光部は約44
%、3番目の微小遮光部は約77%、4番目の微小遮光
部は約22%、5番目の微小遮光部は100%、6番目
の微小遮光部は0%、7番目の微小遮光部は約66%、
8番目の微小遮光部は約88%、9番目の微小遮光部は
約55%、10番目の微小遮光部は約33%の高さを有
する。
【0056】こうして、単位減光領域の積算透過率を考
えると100%から0%まで約11%ずつ段階的に変化
していることがわかる。すなわち、図11の第3変形例
にかかる単位減光領域の積算透過率はほぼ線形的に変化
しており、このような単位減光領域が所定のピッチで繰
り返し形成された減光領域を介してプレート上に形成さ
れる露光領域ではほぼ線形的な露光光量分布を得ること
ができる。さらに、単位減光領域の積算透過率の線形性
すなわち露光光量分布の線形性を高めるには、図11に
おいて単位減光領域を構成する棒状の微小遮光部の数を
増大させればよい。
【0057】なお、図3の実施例にかかるブラインド部
材では、ドット状の微小遮光部をランダムに形成するこ
とによって単位減光領域を構成しているが、ドット状の
微小遮光部を規則的に形成することによって単位減光領
域を構成することもできる。また、ドット状の微小遮光
部で単位減光領域を構成する場合、図12に示すよう
に、透光領域側から3段毎に形成する微小遮光部の数を
1つずつ増大させてもよい。さらに一般的には、透光領
域側からn(nは正の整数)段毎に形成する微小遮光部
の数をm(mは正の整数)個つずつ増大させてもよい。
【0058】また、上述の実施例および各変形例では、
単位減光領域の積算透過率を線形的に変化させている
が、一対のブラインド部材で単位減光領域の積算透過率
が相補的でさえあれば積算透過率を非線形的に変化させ
ることもできる。さらに、上述の実施例では、液晶表示
素子を製造する露光装置に本発明を適用しているが、半
導体素子を製造する露光装置に対して本発明を適用する
こともできる。また、上述の実施例では、投影光学系を
介して露光を行う投影露光装置に本発明を適用している
が、マスクと感光性基板とを近接させて露光を行う他の
露光装置や他の一般的な露光装置に対して本発明を適用
することもできる。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いような構成を実現することができる。そ
の結果、本発明では、感光性基板上で画面合成により形
成された大面積のパターンにおいてパターン継ぎ目に欠
陥のない良好なデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略
的に示す図である。
【図2】図1のマスクブラインド9の要部構成を示す拡
大斜視図であって、光軸AXに沿って光源側からマスク
ブラインド9を構成する一対のブラインド部材を見た図
である。
【図3】ブラインド部材の減光領域の構成を示す図であ
って、光源側のブラインド部材21の減光領域21bを
光軸AXに沿ってマスク側から見た拡大図である。
【図4】4つのパターンを画面合成する場合におけるプ
レート15上の4つの単位露光領域EA1〜EA4の配
置およびその重なり合わせを示す図である。
【図5】プレート15上の第1単位露光領域EA1に露
光する際のマスクブラインド9の動作を説明する図であ
って、光軸AXに沿って光源側からマスクブラインド9
を見た図である。
【図6】マスク13のパターン面の構成を示す平面図で
ある。
【図7】プレート15上の第1単位露光領域EA1への
露光状態を示す図である。
【図8】本実施例において各ブラインド部材上に付着し
た異物とプレート上における露光光量ムラとの関係を説
明する図である。
【図9】ブラインド部材の第1変形例として減光領域に
三角形状の微小遮光部を所定のピッチで形成した様子を
示す図である。
【図10】減光領域のパターニングが容易なブラインド
部材の第2変形例として三角形状の微小遮光部の一方の
斜線部分を階段状に形成した様子を示す図である。
【図11】ブラインド部材の第3変形例として減光領域
に様々な長さの棒状の微小遮光部を所定のピッチで形成
することによって単位減光領域を棒グラフ状に形成した
様子を示す図である。
【図12】透光領域側から3段毎にドット状の微小遮光
部の形成数を1つずつ増大させて単位減光領域を構成す
る様子を示す図である。
【符号の説明】
1 光源 2 楕円反射鏡 3 第2焦点位置 4 コレクターレンズ 5 波長選択フィルター 6 フライアイインテグレーター 7 開口絞り 8 第1リレーレンズ 9 マスクブラインド 10、11 ブラインドリレー系 12 ミラー 13 マスク 14 投影光学系 15 プレート 16 プレートステージ 21、22 ブラインド部材 23、24 駆動系

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたマスクを
    所定の照明光で照明するための照明光学系と、該照明光
    学系の光路中において前記マスクとほぼ共役な位置に配
    置されて前記マスクの照明領域を規定するための照明領
    域規定手段とを備え、感光性基板上において部分的に重
    なり合う複数の単位露光領域に前記マスクのパターンの
    像を順次露光する露光装置において、 前記照明領域規定手段は、複数のブラインド部材と、前
    記複数の単位露光領域の各々への露光に際して前記複数
    のブラインド部材の各々を前記照明光学系の光軸を横切
    る所定方向に沿って常に移動させるための駆動系とを有
    し、 各ブラインド部材は、前記照明光を透過させるための透
    光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
    前記透光領域と前記遮光領域との間に形成された減光領
    域とを有し、 前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合う重
    複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露光光
    量をほぼ一致させるために、各ブラインド部材の減光領
    域は前記照明光に対して所定の透過率分布を有すること
    を特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記照明領域規定手段は、前記マスクと
    共役な位置を挟むように前記照明光学系の光軸に沿って
    所定の間隔を隔てて配置された2つのブラインド部材を
    有し、 前記駆動系は、前記感光性基板上における前記重複露光
    領域の幅に対応する所定距離だけ前記照明光学系の光軸
    と直交する第1方向に沿って各ブラインド部材を駆動
    し、 各ブラインド部材において、前記減光領域は前記第1方
    向に沿って矩形状に延び、前記透光領域と前記遮光領域
    との境界線は前記照明光学系の光軸と直交する平面内に
    おいて前記第1方向と直交する第2方向に沿って延びて
    いることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 各単位露光領域への露光に伴う各ブライ
    ンド部材の移動距離に対応する幅を前記第1方向に沿っ
    て有する任意の減光領域において、前記第1方向に沿っ
    て積算された積算透過率が前記第2方向に沿って前記透
    光領域側から前記遮光領域側へほぼ線形的に減少してい
    ることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 各ブラインド部材の減光領域において前
    記第1方向に沿った積算透過率が前記第2方向に沿って
    ほぼ線形的に減少する領域の単位幅は各ブラインド部材
    の前記移動距離の1/N(Nは正の整数)に設定されて
    いることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記減光領域には、所定の大きさを有す
    るドット状の微小遮光部が所定の密度分布にしたがって
    形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいず
    れか1項に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記減光領域には、前記遮光領域と前記
    減光領域との境界線に沿って延びた底辺と前記透光領域
    と前記減光領域との境界線上の頂点とを有する三角形状
    の微小遮光部が前記第1方向に沿って所定のピッチで形
    成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
    か1項に記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記三角形状の微小遮光部の少なくとも
    一方の斜辺部分は階段状に形成されていることを特徴と
    する請求項6に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 転写用のパターンが形成されたマスクを
    所定の照明光で照明する際に前記マスクとほぼ共役な位
    置に配置された複数のブラインド部材によって前記マス
    クの照明領域を規定し、前記マスクの前記照明領域に形
    成されたパターンの像を感光性基板上において部分的に
    重なり合う複数の単位露光領域に順次露光する露光方法
    において、 前記複数のブラインド部材の各々は、前記照明光を透過
    させるための透光領域と、前記照明光の透過を遮るため
    の遮光領域と、前記透光領域と前記遮光領域との間に形
    成されて前記照明光に対して所定の透過率分布を有する
    減光領域とを有し、 前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合う重
    複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露光光
    量をほぼ一致させるために、前記複数のブラインド部材
    の各々を基準光軸を横切る所定方向に沿って移動させる
    ことを特徴とすることを露光方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010278443A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Asml Holding Nv リソグラフィ装置並びに照明均一性補正及び均一性ドリフト補償の方法

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