CN101875048A - 一种去除硅片表面杂质的方法 - Google Patents
一种去除硅片表面杂质的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101875048A CN101875048A CN 201010214616 CN201010214616A CN101875048A CN 101875048 A CN101875048 A CN 101875048A CN 201010214616 CN201010214616 CN 201010214616 CN 201010214616 A CN201010214616 A CN 201010214616A CN 101875048 A CN101875048 A CN 101875048A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- less
- removing impurities
- closed container
- ultrasonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明公开了一种去除硅片表面杂质的方法，将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射；在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；硅片用无水乙醇洗后烘干成品。本发明在处理过程中不会对硅片造成损害，操作便捷，设备简单。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种硅片的清洁方法，尤其涉及的是一种去除硅片表面杂质的方法。
背景技术
硅片是以硅材料制作的片状物体，硅片表面污染物主要包括有机物，颗粒污染和金属离子玷污等，它们通常以物理吸附和化学的方式存在于硅片的表面或硅片的自身氧化膜中，难以去除。对正常清洗工艺之后，仍有一些无法去除的杂质，包括：有机物、金属和SIC等，由于清洗工艺需要一个较长的流程，需要大量的清洗装置和大量的清洗液，并且消耗大量的电力以及时间，特别是装置都有较大的体积，综合考虑节约时间、节约成本、节约能源和清洗效果，需要一种新的方法来去除正常清洗工艺之后仍残留的杂质。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种去除硅片表面杂质的方法，利用紫外线的照射臭氧，会产生氧化能力更强羟基自由基，可分解大多数的有机物，对金属也有很好的氧化作用。
技术方案：本发明是通过以下技术方案实现的，本发明包括以下步骤：
(1)将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射，紫外线灯的能量不小于600mj/cm2；
(2)在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；
(3)将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(4)将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(5)将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(6)硅片用无水乙醇洗后烘干成品。
所述的超声波功率是1.8KW，频率为40KHz。
所述的步骤(3)中碱液的PH值为9～14，碱液选自以下组合中的一种或多种：醇钠、烃基钠、烃基锂、苛性碱及季铵碱。
所述的步骤(4)中表面活性剂的浓度是0.5％～30％，表面活性剂选自以下组合中的一种或多种：聚氧乙烯失水山梨醇单月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯及脂肪醇聚氧乙烯醚。
本发明的工作原理是：利用紫外线的照射臭氧，会产生氧化能力更强羟基自由基，对硅片表面的有机物杂质，金属等进行氧化，并且硅片表面也形成氧化层，用碱液腐蚀后利用低表面张力的硅表面，并利用超声波等使杂质难以再次吸附上去。
有益效果：本发明对无机物和有机物同样有效，并且在处理过程中不会对硅片造成损害，即使用本方法对硅片处理时间超过4h，硅片表面依然完好，且操作便捷，设备简单。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
本实施例包括以下步骤：(1)将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射，紫外线灯的能量是600mj/cm2；
(2)在密闭容器中通入臭氧，25℃，时间为500s，使硅片的表面生成氧化层；
(3)将密闭的容器中通入PH值为13.5的四甲基氢氧化铵溶液超声洗500s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是30℃；
(4)将表面活性剂通入密闭容器超声洗500s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是30℃；
(5)将硅片用纯水超声洗600s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是30℃；
(6)硅片用无水乙醇洗后烘干成品。
所述的步骤(4)中表面活性剂是吐温20∶吐温80＝1∶1，浓度为15％。
在对本实施例的硅片进行长达4个小时的处理后，硅片表面仍然完好无损。清洁度大于99％。
实施例2
本实施例包括以下步骤：(1)将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射，紫外线灯的能量是700mj/cm2；
(2)在密闭容器中通入臭氧，温度50℃，时间300s，使硅片的表面生成氧化层；
(3)将密闭的容器中通入PH值为14的氢氧化钾溶液超声洗800s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是50℃；
(4)将表面活性剂通入密闭容器超声洗800s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是50℃；
(5)将硅片用纯水超声洗800s，超声波功率是1.8KW，频率为40KHz，温度是50℃；
(6)硅片用无水乙醇洗后烘干成品。
所述的步骤(4)中表面活性剂是浓度为10％的AEO-9(脂肪醇聚氧乙烯醚)。
在对本实施例的硅片进行长达4个小时的处理后，硅片表面仍然完好无损。清洁度大于99％。
Claims (6)
1.一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射，紫外线灯的能量不小于600mj/cm2；
(2)在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；
(3)将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(4)将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(5)将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；
(6)硅片用无水乙醇洗后烘干成品。
2.根据权利要求1所述的一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于：所述的步骤(3)中碱液的PH值为9～14。
3.根据权利要求1或2所述的一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于：所述的碱液选自以下组合中的一种或多种：醇钠、烃基钠、烃基锂、苛性碱及季铵碱。
4.根据权利要求1所述的一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于：所述的步骤(4)中表面活性剂的浓度是0.5％～30％。
5.根据权利要求1或4所述的一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于：表面活性剂选自以下组合中的一种或多种：聚氧乙烯失水山梨醇单月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯及脂肪醇聚氧乙烯醚。
6.根据权利要求1所述的一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于：所述的超声波功率是1.8KW，频率为40KHz。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010214616 CN101875048A (zh) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 一种去除硅片表面杂质的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010214616 CN101875048A (zh) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 一种去除硅片表面杂质的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101875048A true CN101875048A (zh) | 2010-11-03 |
Family
ID=43017790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010214616 Pending CN101875048A (zh) | 2010-06-30 | 2010-06-30 | 一种去除硅片表面杂质的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101875048A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103639149A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-19 | 山东百利通亚陶科技有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN106881308A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-06-23 | 上海巨煌光电科技有限公司 | 一种镀膜镜片的清洗方法 |
| CN107486459A (zh) * | 2017-10-10 | 2017-12-19 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种闪烁体晶条批量清洗夹具及清洗方法 |
| CN110047736A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-23 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN115245926A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-10-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 零部件的处理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6588122B2 (en) * | 1999-11-26 | 2003-07-08 | Heraeus Noblelight Gmbh | Method for treating surfaces of substrates and apparatus |
| WO2004027810A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Thomas Johnston | System and method for removal of materials from an article |
| CN1536623A (zh) * | 1996-08-20 | 2004-10-13 | �¼�ŵ��ʽ���� | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 |
| EP1541667A1 (en) * | 2002-08-13 | 2005-06-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Technique on ozone water for use in cleaning semiconductor substrate |
| CN101700520A (zh) * | 2009-12-03 | 2010-05-05 | 杭州海纳半导体有限公司 | 单晶/多晶硅片的清洗方法 |
-
2010
- 2010-06-30 CN CN 201010214616 patent/CN101875048A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1536623A (zh) * | 1996-08-20 | 2004-10-13 | �¼�ŵ��ʽ���� | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 |
| US6588122B2 (en) * | 1999-11-26 | 2003-07-08 | Heraeus Noblelight Gmbh | Method for treating surfaces of substrates and apparatus |
| EP1541667A1 (en) * | 2002-08-13 | 2005-06-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Technique on ozone water for use in cleaning semiconductor substrate |
| WO2004027810A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Thomas Johnston | System and method for removal of materials from an article |
| CN101700520A (zh) * | 2009-12-03 | 2010-05-05 | 杭州海纳半导体有限公司 | 单晶/多晶硅片的清洗方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103639149A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-19 | 山东百利通亚陶科技有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN103639149B (zh) * | 2013-12-09 | 2016-01-06 | 山东百利通亚陶科技有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN106881308A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-06-23 | 上海巨煌光电科技有限公司 | 一种镀膜镜片的清洗方法 |
| CN107486459A (zh) * | 2017-10-10 | 2017-12-19 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种闪烁体晶条批量清洗夹具及清洗方法 |
| CN110047736A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-07-23 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN115245926A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-10-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 零部件的处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102832101B (zh) | 晶体硅清洗方法 | |
| CN103008311B (zh) | 一种基于紫外光的干式清洗方法 | |
| CN101700520B (zh) | 单晶/多晶硅片的清洗方法 | |
| CN101875048A (zh) | 一种去除硅片表面杂质的方法 | |
| CN104377119B (zh) | 一种锗单晶抛光片的清洗方法 | |
| CN103222351A (zh) | 印刷电路板孔金属化的方法 | |
| CN103111434A (zh) | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 | |
| JP2004098056A (ja) | アルミニウム素材を含む複合材料の回収方法 | |
| CN103087850A (zh) | 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法 | |
| CN101590476A (zh) | 一种单晶硅片的清洗方法 | |
| CN107523881A (zh) | 一种制备单晶硅绒面的预处理方法 | |
| CN110586568A (zh) | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 | |
| CN102527676B (zh) | 一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法 | |
| CN113210349A (zh) | 光学元件的高效清洗工艺 | |
| CN104190652A (zh) | 一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗装置及方法 | |
| CN109302809A (zh) | 一种印刷电路板表面处理工艺 | |
| CN102364697B (zh) | 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 | |
| CN101694013A (zh) | 增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法 | |
| CN109553070A (zh) | 废盐酸回收利用处置方法 | |
| CN203030580U (zh) | 一种常压等离子体自由基清洗设备 | |
| CN108630522A (zh) | 芯片表面的清洗方法 | |
| CN104028503B (zh) | 硅原材料的清洗方法 | |
| CN102744230A (zh) | 一种粘污太阳能硅片的清洗方法 | |
| CN106423999B (zh) | 一种蓝宝石衬底片研磨后的清洗工艺 | |
| CN104931568A (zh) | 氧化铟锡电化学发光反应电极的再生清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20101103 |