CN102744230A - 一种粘污太阳能硅片的清洗方法 - Google Patents

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吴志军
井辰龙
余小金
郜勇军
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Abstract

本发明涉及一种粘污太阳能硅片的清洗方法，该方法是将硅片放入水中，并在水中按质量百分比加入1～1.5%的清洗液和0.1～0.3%的氢氧化钠，然后将该溶液加热到45～55℃，再采用超声波清洗硅片5～10分钟；接着，将硅片放在质量百分比浓度为1～2%的柠檬酸溶液中漂洗5～10分钟；最后用纯水超声溢流清洗硅片若干道即可。采用本发明，可以极大地提高粘污太阳能硅片的清洗效果，达到提高太阳能硅片清洗合格率的目的；据实践表明，太阳能硅片的清洗合格率由原来的98%提高到99.99%。

Description

一种粘污太阳能硅片的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种粘污太阳能硅片的清洗方法，尤其适用于经过通常清洗工艺后，部分表面具有砂浆残留、花篮印、清洗液残留、清洗液与硅的反应物、硅片氧化物的粘污太阳能硅片清洗。
背景技术
目前，太阳能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并经脱胶后，先用纯水漂洗，接着用纯水超声清洗，然后又在纯水中加入清洗剂进行超声波清洗，之后再经多次纯水超声波漂洗即完成清洗工艺。通过这种正常的清洗工艺后，再通过检验，经常会检出较大比重的粘污片，上面会有砂浆残留、花篮印、清洗液残留、清洗液与硅的反应物、硅片氧化物等，这些粘污的太阳能硅片如果采用通常的清洗工艺再次清洗，几乎没有效果。只有报废或作次片处理，影响了太阳能硅片的合格率。
发明内容
本发明的目的是提供具有很好的清洗效果的一种粘污太阳能硅片的清洗方法。
本发明采取的技术方案是：一种粘污太阳能硅片的清洗方法，其特征在于将硅片放入水中，并在水中按质量百分比加入1～1.5%的清洗液和0.1～0.3%的氢氧化钠，然后将该溶液加热到45～55℃，再采用超声波清洗硅片5～10分钟；接着，将硅片放在质量百分比浓度为1～2%的柠檬酸溶液中漂洗5～10分钟；最后用纯水超声溢流清洗硅片若干道即可。
采用本发明，可以极大地提高粘污太阳能硅片的清洗效果，达到提高太阳能硅片清洗合格率的目的；据实践表明，太阳能硅片的清洗合格率由原来的98%提高到99.99%。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
1、将若干粘污太阳能硅片放在100㎏水中，并加入1～1.5㎏的清洗液和0.1～0.3㎏的氢氧化钠，将该溶液加热到45～55℃，用超声波清洗硅片5～10分钟。
2、接着，将硅片放在质量百分比浓度为1～2%的柠檬酸溶液中漂洗5～10分钟。
3、最后用纯水超声溢流清洗硅片二道以上，每道5～8分钟时间即可。

Claims (1)

1.一种粘污太阳能硅片的清洗方法，其特征在于将硅片放入水中，并在水中按质量百分比加入1～1.5%的清洗液和0.1～0.3%的氢氧化钠，然后将该溶液加热到45～55℃，再采用超声波清洗硅片5～10分钟；接着，将硅片放在质量百分比浓度为1～2%的柠檬酸溶液中漂洗5～10分钟；最后用纯水超声溢流清洗硅片若干道即可。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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