CN101834163A - 一种半导体倒装焊封装散热改良结构 - Google Patents

一种半导体倒装焊封装散热改良结构 Download PDF

Info

Publication number
CN101834163A
CN101834163A CN 201010163353 CN201010163353A CN101834163A CN 101834163 A CN101834163 A CN 101834163A CN 201010163353 CN201010163353 CN 201010163353 CN 201010163353 A CN201010163353 A CN 201010163353A CN 101834163 A CN101834163 A CN 101834163A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
heat radiation
improved structure
chip bonding
semiconductor flip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010163353
Other languages
English (en)
Inventor
吴晓纯
陶玉娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd filed Critical Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
Priority to CN 201010163353 priority Critical patent/CN101834163A/zh
Publication of CN101834163A publication Critical patent/CN101834163A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体倒装焊封装散热改良结构,包括芯片、电互联材料、引线框架和塑封料,该封装散热改良结构中还包括弹簧散热器;引线框架上设有传输管脚;芯片的正面植有电互联材料,并倒装于传输管脚上;塑封料塑封弹簧散热器、芯片、电互联材料和引线框架,形成塑封体,弹簧散热器周围被塑封料固定,其一端与芯片相连,另一端裸露于塑封体表面,将芯片的热量散出塑封体外,解决了一些没有大片外露芯片承载底座或倒装芯片封装的散热难题,大大提高了产品的电热性能和可靠性。

Description

一种半导体倒装焊封装散热改良结构
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域的散热结构,特别是涉及一种半导体倒装焊封装散热改良结构。
背景技术
传统的半导体芯片倒装焊封装结构大多通过承载板来传导芯片的热量,主要会存在以下不足:
1、传统的半导体芯片倒装焊封装结构中,芯片悬架于承载板上,而悬着的芯片很难将热充分散出去,进而影响到最终产品的电热性能以及可靠性。
2、传统的半导体引线框架式封装,大多透过封装体中的金属承载板来传导芯片产生的热量,为了满足高散热需求而增加承载板面积,一方面会因不同材质间热膨胀率的差异而容易产生应力残留、分层等可靠性问题;另一方面也不符合半导体封装体越来越轻薄短小的趋势发展要求。
3、传统的半导体封装结构,也有通过选用高导热塑封料的方式来提高散热效果,而高导热塑封料除了本身高昂的***格外,对产品塑封工艺的控制也提出了更高的要求,且散热效果不明显。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体倒装焊封装散热改良结构,使得半导体封装散热结构的散热性强、结构简单、散热空间利用率高、适用性强。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种半导体倒装焊封装散热改良结构,包括芯片、电互联材料、引线框架和塑封料,所述的封装散热改良结构中还包括弹簧散热器;所述的引线框架上设有传输管脚;所述的芯片的正面植有所述的电互联材料,并倒装于所述的传输管脚上;所述的塑封料塑封所述的弹簧散热器、芯片、电互联材料和引线框架,形成塑封体,所述的弹簧散热器周围被所述的塑封料固定,其一端与所述的芯片相连,另一端裸露于所述的塑封体表面。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的弹簧散热器为柔性结构或弹性结构。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的弹簧散热器根据芯片的尺寸和散热需求来改变与芯片相连端的接触面积和接触形状。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的弹簧散热器的一端通过粘结物质与所述的芯片相连。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的电互联材料为锡球、或铜柱、或金凸点、或合金凸块。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的弹簧散热器裸露于塑封体表面的一端上焊有外接散热装置。
所述的半导体倒装焊封装散热改良结构的引线框架上贴有被动元件;所述的被动元件为电阻、或电容、或电感、或晶振。
有益效果
由于采用了上述的技术方案,本发明与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:
1、内置弹簧散热器,大大增加了芯片的散热面积,使芯片由原来靠承载底座导热的单面散热结构变成靠承载底座与弹簧散热器同时散热的芯片双面散热结构。
2、解决了一些没有大片外露芯片承载底座或倒装芯片封装的散热难题,大大提高了产品的电热性能和可靠性。
3、封装体内置弹簧散热器的结构使封装体在原有的空间内实现了很好的散热效果,满足了半导体封装轻薄短小的趋势要求。
4、弹簧散热器的弹簧伸缩特性,使其在不同封装厚度的产品中具备了一定的通用性,适用性的提高也降低了弹簧散热器的开模成本。
5、弹簧散热器本身的柔性结构使其在高度空间上具有很强的灵活性,和传统非可压缩性金属块或金属片散热结构相比,弹簧的柔性结构不会因封装各环节中的高度公差而造成对芯片的压伤,弹簧良好的应力吸收功能更有利于产品可靠性的提高。
6、在弹簧散热器裸露于塑封体的一端可以加焊大型外接散热装置,满足了大功率产品的超高散热要求。
7、在封装结构中加入被动元件,使得封装结构更为紧凑,具有封装密度高的***集成优点。
附图说明
图1是本发明半导体倒装焊封装散热改良结构的剖面图;
图2是本发明半导体倒装焊封装散热改良结构中弹簧散热器的示意图;
图3是本发明半导体倒装焊封装散热改良结构中焊有外接散热装置的产品示意图;
图4是本发明半导体倒装焊封装散热改良结构中贴有被动元件的产品示意图;
图5是本发明半导体倒装焊封装散热改良结构中贴有被动元件并焊有外接散热装置的产品示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
本发明的实施方式涉及一种半导体倒装焊封装散热改良结构,如图1所示,包括芯片2、电互联材料3、引线框架4和塑封料6,所述的封装散热改良结构中还包括弹簧散热器1;所述的引线框架4上设有传输管脚5;所述的芯片2的正面植有电互联材料3,并倒装于所述的传输管脚5上,其中,电互联材料3为锡球、或铜柱、或金凸点、或合金凸块。所述的塑封料6塑封所述的弹簧散热器1、芯片2、电互联材料3和引线框架4,形成塑封体,所述的弹簧散热器1周围被所述的塑封料6固定,其一端与所述的芯片2相连,另一端裸露于所述的塑封体表面,如图1所示,弹簧散热器1的下表面粘在芯片2的背面,其上表面裸露于塑封体表面,以便将芯片2的热量散出塑封体外。
图2所示的是弹簧散热器1的结构示意图,可以根据实际使用时的情况选用各种不同形状、面积和体积的弹簧散热器,即根据具体的产品需要来确定弹簧散热器采用螺旋线形式的弹性结构,还是采用折叠式的弹性结构,或是采用Z字的上升结构,根据芯片的尺寸和散热需求来改变弹簧散热器与芯片的接触面积和接触形状以及弹簧散热器的高度和层数。由于弹簧散热器本身的弹簧伸缩特性,使其在不同封装厚度的产品中具备了一定的通用性,适用性的提高从而降低了弹簧散热器的开模成本;同时,弹簧本身的柔性结构使其在高度空间上具有很强的灵活性,和传统非可压缩性金属块或金属片散热结构相比,不会因封装各环节中的高度公差而造成对芯片的压伤,弹簧良好的应力吸收功能有利于产品可靠性的提高。
在弹簧散热器1裸露于所述的塑封体表面的一端还可以加焊外接散热装置7,如图3所示,由于在弹簧散热器1的上表面焊有外接散热装置7,因此可以满足大功率产品的超高散热要求。在所述的引线框架4上还可以贴有被动元件8,如图4所示,所述的被动元件8为电阻、或电容、或电感、或晶振,由于在封装结构中加有被动元件8,使得封装结构更为紧凑,具有封装密度高的***集成优点。本发明可以在弹簧散热器1裸露于所述的塑封体表面的一端加焊外接散热装置7的同时,并在所述的引线框架4上贴有被动元件8,同时满足超高散热和***集成的封装需求,如图5所示。
不难发现,本发明采用内置弹簧散热器,大大增加了芯片的散热面积,使芯片由原来仅仅靠一面与承载底座相连来散热的方式变成同时依靠承载底座与弹簧散热器进行双面散热的方式,从而解决了一些没有外露芯片承载底座或倒装芯片封装的散热难题,大大提高了产品的电热性能和可靠性;另外,封装体内置弹簧散热器的结构使封装体在原有的空间内实现了很好的散热效果,满足了半导体封装轻薄短小的趋势要求。

Claims (6)

1.一种半导体倒装焊封装散热改良结构,包括芯片(2)、电互联材料(3)、引线框架(4)和塑封料(6),其特征在于,所述的封装散热改良结构中还包括弹簧散热器(1);所述的引线框架(4)上设有传输管脚(5);所述的芯片(2)的正面植有所述的电互联材料(3),并倒装于所述的传输管脚(5)上;所述的塑封料(6)塑封所述的弹簧散热器(1)、芯片(2)、电互联材料(3)和引线框架(4),形成塑封体,所述的弹簧散热器(1)周围被所述的塑封料(6)固定,其一端与所述的芯片(2)相连,另一端裸露于所述的塑封体表面。
2.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良结构,其特征在于,所述的弹簧散热器(1)为柔性结构或弹性结构。
3.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良结构,其特征在于,所述的弹簧散热器(1)根据芯片(2)的尺寸和散热需求来改变与芯片(2)相连端的接触面积和接触形状。
4.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良结构,其特征在于,所述的电互联材料(3)为锡球、或铜柱、或金凸点、或合金凸块。
5.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良结构,其特征在于,所述的弹簧散热器(1)裸露于塑封体表面的一端上焊有外接散热装置(7)。
6.根据权利要求1或6所述的半导体倒装焊封装散热改良结构,其特征在于,所述的引线框架(4)上贴有被动元件(8);所述的被动元件(8)为电阻、或电容、或电感、或晶振。
CN 201010163353 2010-04-29 2010-04-29 一种半导体倒装焊封装散热改良结构 Pending CN101834163A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010163353 CN101834163A (zh) 2010-04-29 2010-04-29 一种半导体倒装焊封装散热改良结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010163353 CN101834163A (zh) 2010-04-29 2010-04-29 一种半导体倒装焊封装散热改良结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101834163A true CN101834163A (zh) 2010-09-15

Family

ID=42718189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010163353 Pending CN101834163A (zh) 2010-04-29 2010-04-29 一种半导体倒装焊封装散热改良结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101834163A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263078A (zh) * 2011-06-13 2011-11-30 西安天胜电子有限公司 一种wlcsp封装件
CN104465551A (zh) * 2014-12-26 2015-03-25 江苏长电科技股份有限公司 机械压合方式实现电性和散热的封装结构及工艺方法
WO2017071418A1 (zh) * 2015-10-30 2017-05-04 杰群电子科技(东莞)有限公司 半导体器件及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0717440A2 (en) * 1994-12-15 1996-06-19 Hitachi, Ltd. Cooling device of multi-chip module
DE19925983A1 (de) * 1999-06-08 2000-12-14 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Ableitung von Verlustwärme
CN2591771Y (zh) * 2002-12-11 2003-12-10 华腾微电子(上海)有限公司 倒装片式封装内存芯片的结构
CN1641865A (zh) * 2004-01-09 2005-07-20 日月光半导体制造股份有限公司 覆晶封装体
CN1665023A (zh) * 2004-03-04 2005-09-07 松下电器产业株式会社 树脂密封半导体器件和引线框架、及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0717440A2 (en) * 1994-12-15 1996-06-19 Hitachi, Ltd. Cooling device of multi-chip module
DE19925983A1 (de) * 1999-06-08 2000-12-14 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Ableitung von Verlustwärme
CN2591771Y (zh) * 2002-12-11 2003-12-10 华腾微电子(上海)有限公司 倒装片式封装内存芯片的结构
CN1641865A (zh) * 2004-01-09 2005-07-20 日月光半导体制造股份有限公司 覆晶封装体
CN1665023A (zh) * 2004-03-04 2005-09-07 松下电器产业株式会社 树脂密封半导体器件和引线框架、及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263078A (zh) * 2011-06-13 2011-11-30 西安天胜电子有限公司 一种wlcsp封装件
CN104465551A (zh) * 2014-12-26 2015-03-25 江苏长电科技股份有限公司 机械压合方式实现电性和散热的封装结构及工艺方法
CN104465551B (zh) * 2014-12-26 2017-12-01 江苏长电科技股份有限公司 机械压合方式实现电性和散热的封装结构及工艺方法
WO2017071418A1 (zh) * 2015-10-30 2017-05-04 杰群电子科技(东莞)有限公司 半导体器件及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101840896B (zh) 一种倒装焊高散热球型阵列封装结构
CN102683302A (zh) 一种用于单芯片封装和***级封装的散热结构
CN101887886A (zh) 一种多芯片封装及制造方法
CN101834150B (zh) 一种高散热球型阵列封装方法
CN101834163A (zh) 一种半导体倒装焊封装散热改良结构
CN101826492B (zh) 一种芯片悬架式半导体封装散热改良结构
CN101826470B (zh) 一种倒装焊高散热球型阵列封装方法
CN207021250U (zh) 一种半导体的堆叠封装结构
CN101840895A (zh) 一种高散热球型阵列封装结构
CN201766069U (zh) 一种芯片悬架式半导体封装散热改良结构
CN202259248U (zh) 封装结构、小外型封装结构及其电子芯片
CN201732780U (zh) 一种半导体倒装焊封装散热改良结构
CN101840868B (zh) 一种半导体倒装焊封装散热制造方法
CN201904329U (zh) 一种引线框架
CN201673899U (zh) 一种高散热球型阵列封装结构
CN206697471U (zh) 一种半导体集成电路的封装结构
CN201673900U (zh) 一种倒装焊高散热球型阵列封装结构
CN202142517U (zh) 半导体散热封装结构
CN101840869A (zh) 一种芯片悬架式半导体封装散热改良方法
CN107221519B (zh) 一种***级封装模块
CN201608174U (zh) 一种半导体器件的***级封装结构
CN101515550A (zh) 半导体封装件的散热模块化结构及其制造方法
CN202111082U (zh) 多圈排列ic芯片封装件
CN201063342Y (zh) 一种多芯片封装结构
CN202796930U (zh) 用于mosfet芯片的封装体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Tao Yujuan

Inventor after: Wu Xiaochun

Inventor before: Wu Xiaochun

Inventor before: Tao Yujuan

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: WU XIAOCHUN TAO YUJUAN TO: TAO YUJUAN WU XIAOCHUN

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20100915