CN101824598B - 溅射设备、双旋转挡板单元以及溅射方法 - Google Patents

溅射设备、双旋转挡板单元以及溅射方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种溅射设备、双旋转挡板单元以及溅射方法。两个挡板形成双旋转挡板机构。圆柱形的第二沉积护罩置于靶侧的第一挡板与第二挡板之间，以围绕形成在第一挡板中的第一开口。圆柱形的第一沉积护罩置于溅射阴极与第一挡板之间，以围绕靶的前表面区域。这能够防止溅射物质通过第一挡板与第二挡板之间的间隙以及第一挡板与溅射阴极之间的间隙，并继而防止产生任何交叉污染。

Description

溅射设备、双旋转挡板单元以及溅射方法
技术领域
本发明涉及一种具有可用于制造薄膜的结构的溅射设备、溅射方法以及双旋转挡板单元，并且更具体地，本发明涉及一种包括多个靶的溅射设备、安装在该溅射设备中的双旋转挡板单元以及溅射方法。
背景技术
一种已知的溅射设备使用通过将两个被独立地控制旋转的挡板组合而形成的双旋转挡板机构，来从多个放置在真空容器中的靶选择待溅射的靶(参见日本专利特开No.2005-256112)。
在日本专利特开No.2005-256112中说明的溅射设备(多阴极溅射沉积设备)包括放置在单个真空容器中的四个靶和包括两个挡板的双旋转挡板机构，所述两个挡板相互独立地旋转并且包括分别形成在各挡板中的开口。双旋转挡板机构通过将形成在第一挡板中的开口的位置与形成在第二挡板中的开口的位置组合而选择靶，并且对所选的靶持续放电。可以通过预溅射处理和主溅射处理以前述的方式在衬底上沉积膜。
该溅射设备控制第一挡板的旋转操作，以便使其它靶中包含的任何物质决不沉积在所选的待溅射靶上。这能够防止在预溅射期间其它靶中包含的任何物质粘附到所选的靶的表面上。这继而能够防止在主溅射期间发生任何交叉污染。
不幸地，依据溅射材料和放电条件，即使以上提及的双旋转挡板机构也会遭遇交叉污染。例如，当易于大量地散射到周边的金(Au)被选择作为溅射材料时，Au原予会不期望地进入盘保持器和与所选的溅射阴极相邻的溅射阴极，并且在其上形成膜。
另外，因为在日本专利特开No.2005-256112中说明的溅射设备包括位于与溅射阴极(靶)相距较远的位置处的溅射气体入口，所以在放电触发期间靶附近的溅射气体的压力难以升高。这不利地导致在放电方面或低压放电稳定性方面的困难。这还会导致各阴极位置的放电压力的差异。
发明内容
本发明已经考虑到上述问题，并且提供了一种溅射设备、安装在该溅射设备中的双旋转挡板单元以及溅射方法，所述溅射设备可以通过防止溅射物质散射到周边而更加可靠地防止任何交叉污染。
本发明的另一个目的是提供一种允许稳定的放电和放电触发的溅射设备、安装在该溅射设备中的双旋转挡板单元以及溅射方法。
本发明的发明人重复封闭研究以便于解决上述问题，并且通过获得新知识而完成本发明，所述新知识指能够通过在传统的双旋转挡板机构的挡板上安装沉积护罩而防止靶的任何交叉污染并且稳定溅射气体压力的知识。
根据本发明的一个方面，提供一种溅射设备，其包括：
布置在真空容器中的多个溅射阴极；
包括第一挡板和第二挡板的双旋转挡板机构，所述第一挡板和第二挡板布置成在面对所述溅射阴极的同时能够独立地旋转，并且所述第一挡板和第二挡板每个都包括在预定位置处形成在其中的至少一个开口，所述第二挡板与所述溅射阴极之间的距离大于所述第一挡板与所述溅射阴极之间的距离；以及
置于所述溅射阴极与所述第一挡板之间的第一沉积护罩，所述第一沉积护罩横向地围绕所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域。
根据本发明的另一个方面，提供一种双旋转挡板单元，其包括：
第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和第二挡板布置成在面对放置在真空容器中的溅射阴极的同时能够独立地旋转，并且所述第一挡板和第二挡板每个都包括在预定位置处形成在其中的至少一个开口，所述第二挡板与所述溅射阴极之间的距离大于所述第一挡板与所述溅射阴极之间的距离，
其中，围绕所述第一挡板中的开口的第二沉积护罩安装在所述第一挡板的位于所述第二挡板这一侧的表面上。
根据本发明的又一个方面，提供一种由溅射设备执行的溅射方法，所述溅射设备包括布置在真空容器中的多个溅射阴极以及具有第一挡板和第二挡板的双旋转挡板机构，所述第一挡板和第二挡板布置成在面对所述溅射阴极的同时能够独立地旋转，并且所述第一挡板和第二挡板每个都包括在预定位置处形成在其中的至少一个开口，所述第二挡板与所述溅射阴极之间的距离大于所述第一挡板与所述溅射阴极之间的距离；其中，第一沉积护罩置于所述溅射阴极与所述第一挡板之间，并横向地围绕所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域的；并且其中，围绕所述第一挡板中的开口的第二沉积护罩安装在所述第一挡板的位于所述第二挡板这一侧的表面上，所述方法包括：
预溅射步骤，在其中所述第一挡板中的开口定位在所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域中且所述第二挡板中的开口没有定位在所述前表面区域中的布置的情况下，在将溅射气体引入到所述前表面区域中时，执行放电；以及
主溅射步骤，在其中所述第一挡板中的开口和所述第二挡板中的开口二者定位在所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域中的布置的情况下，在将溅射气体引入到所述前表面区域中时，执行放电。
根据本发明，可以使溅射气体和溅射物质从靶的前表面上的等离子体产生区域运动通过的间隙变窄。这继而能够防止在预溅射和主溅射期间溅射物质散射到周边，并且从而稳定靶的前表面上的等离子体产生区域中的溅射气体的压力。因此，能够可以提供一种防止靶之间的任何交叉污染且具有稳定放电性能和良好点火性的溅射设备、安装在该溅射设备中的双旋转挡板单元以及溅射方法。
本发明的进一步特征将从以下参照附图的示例性实施例的说明而变得清楚。
附图说明
图1是溅射设备的示意性剖视图；
图2是溅射阴极的周边的放大的解释性视图；
图3是溅射阴极的周边的放大的透视图。
具体实施方式
以下将参照附图说明本发明的一个实施例。应当注意到，例如以下待说明的构件和布置仅仅是实施本发明的示例而不限制本发明，所以当然它们可以在本发明的精神和范围内被修改成各种形式。
图1至3是用于解释根据本发明的一个实施例的溅射设备(多阴极溅射沉积设备)的视图，其中图1是溅射设备的示意性剖视图；图2是溅射阴极的周边的放大的解释性视图；并且图3是溅射阴极的周边的放大的透视图。应当注意到，为了说明简单起见，某些部件在附图中没有示出。
根据本发明的溅射设备1包括在一个溅射沉积室(真空容器)中的溅射阴极和由不同的材料制成的多个靶，并且溅射设备1通过在衬底上顺序地沉积由不同的材料制成的膜而形成多层膜。溅射设备1可以通过在不中断一个真空容器中的衬底上从最下层至最上层的沉积的情况下溅射制造磁头或MRAM所需要的多层膜而连续地沉积，并且因此可以在衬底上有效地沉积磁膜，所述磁头或MRAM包括GMR元件或TMR元件。
以下将解释溅射设备1的一个实施例。如图1中所示，根据该实施例的溅射设备1包括真空容器11、衬底保持器20、双旋转挡板机构30、溅射装置40和溅射气体供给装置(未示出)作为主要构成元件。虽然在图1所示的溅射设备1中衬底22位于上侧而溅射装置40位于下侧，但本发明当然也可应用于其中衬底22和溅射装置40的上下位置互换的布置。
真空容器11由典型地用于已知溅射设备的不锈钢或铝合金制成，并且真空容器11是具有大致长方体形状的气密中空体。用于装载/卸载衬底22(衬底传输盘)的装载锁定室(未示出)经由闸阀(未示出)连接至真空容器11的侧表面。
在真空容器11中底面附近形成有排气口13。排气口13连接至诸如干式泵、低温泵或涡轮分子泵的真空泵，并且可以将真空容器11抽空到约10-5至10-7Pa。
衬底保持器20是可以将衬底22保持在其下表面上的台状构件，并且可以使用夹盘或衬底传输盘(均未示出)保持衬底22。衬底保持器20附装到衬底旋转轴24上，所述衬底旋转轴24被支承在真空容器11的上部分中，以便在维持气密性的同时在其竖直运动和旋转中是可控制的。现有的竖直度调节机构和旋转控制机构可以用于衬底旋转轴24，并且将不给出其详细说明。
在衬底保持器20和溅射装置40之间插置有双旋转挡板机构30。双旋转挡板机构30具有如下的结构：两个可以通过旋转轴被独立地控制旋转的挡板平行地竖直堆叠。布置在溅射阴极42侧(在靶43侧)的挡板是第一挡板32，并且布置在衬底保持器20侧(在衬底22侧)的挡板是第二挡板34。应当注意到“平行”此处意味着“大体平行”。
旋转轴36具有双重结构，其包括布置在其外侧的管状构件(未示出)和布置在其内侧的杆状构件(未示出)，所述管状构件和杆状构件二者可以被独立地控制旋转。管状构件连接至第一挡板32，并且杆状构件连接至第二挡板34。已知的旋转控制机构可以用于旋转轴36，并且将不给出其详细说明。
第一挡板32和第二挡板34包括形成在它们的预定部分中的开口32a和开口34a。例如，第一挡板32包括形成在其中的开口(第一开口)32a，并且第二挡板34包括形成在其中的开口(第二开口)34a。各开口(第一开口32a和第二开口34a)都形成为可在至少一个靶上对准，并且具有等于或稍大于靶直径的直径。应当注意到，开口32a和34a的上述的位置和数量仅仅是示例，并且本发明不受它们限制。
第一开口32a和第二开口34a的边缘优选地是锥形的。粘附到第一开口32a的边缘上的溅射物质的量可以通过将该边缘逐渐缩减成平滑的弯曲形状而减少。例如，这能够防止由于粘附在第一开口32a的边缘上的溅射物质剥离并落到靶43上的现象所导致的任何异常放电和污染。
第一挡板32优选地安装有沉积护罩(第二沉积护罩37)以围绕所形成的第一开口32a。
第二沉积护罩37具有向内或向外弯曲的下部分，并且自然具有大致L状的横截面，并且该下部分安装在第一挡板32上。虽然第二沉积护罩37的高度可以是任意的，但是该高度被设定成低到足以使第二沉积护罩37不与第二挡板34接触，并且足以抑制溅射气体从靶43的前表面区域迁移。在该实施例中，第二沉积护罩37与第二挡板34之间的间隙被调节成超过就会干涉挡板旋转的最小距离。
第二沉积护罩37与第一开口32a的边缘间隔开预定的距离。更具体地，第二沉积护罩37具有等于溅射阴极42直径的直径，从而避免由溅射阴极42所产生的磁场的不利影响。根据第二沉积护罩37的直径确定从第一开口32a的周边(边缘)到第二沉积护罩37的内部分的距离。由溅射阴极42所产生的磁场的不利影响的示例是放电不稳定性。
另一方面，从第一开口32a的边缘到第二沉积护罩37的内部分的直接距离被期望地设定成大于第二沉积护罩37的高度。该距离设置可以大大减小即使当粘附在第二沉积护罩37上的物质剥离并部分地悬挂在第一开口32a上方时该物质落入第一开口32a中的可能性。即，可以防止例如由于剥离的物质粘附到靶43的现象所导致的任何异常放电和污染。
在该实施例中，第二沉积护罩37在满足上述全部条件的同时安装在第一挡板32上。
虽然即使当从第一开口32a的边缘到第二沉积护罩37的内部分的距离被设定得较长时也可以产生相同的效果，但是该距离期望地约为第二沉积护罩37的高度的两倍或更小。这是为了防止第二沉积护罩37与绕第一挡板的另一个开口布置的相邻的第二沉积护罩接触。在该实施例中，第二沉积护罩37的高度是13mm，而从第一开口32a的边缘到第二沉积护罩37的内部分的距离是16mm。
溅射装置40包括以下主要构成元件：多个溅射阴极42，其设定在真空容器11的底面上的预定位置处；和靶43，其含有用于溅射沉积的物质。靶43固定在背板44上，所述背板44布置在溅射阴极42的上表面上。
在该实施例中，溅射装置40包括四个溅射阴极42，在所述四个溅射阴极42上方分别布置有含有不同溅射物质的靶43。溅射阴极42是包括有布置在背板44的下侧上的旋转磁体47的磁控管电极。
如图2中所示，各溅射阴极42的侧表面都被大致圆柱形构件45围绕，并且在背板44侧的外部周边用环状的阴极护罩46覆盖。当靶43附装在溅射阴极42上时，阴极护罩46围绕靶43的外部周边，从而阴极护罩46具有与靶43的上表面几乎相同的表面水平。在各溅射阴极42和各圆柱形构件45之间以及各溅射阴极42和各阴极护罩46之间都形成有预定间隙。虽然在该实施例中的圆柱形构件45具有圆柱形的形状，但是本发明不受此限制，只要圆柱形构件45具有围绕各溅射阴极42的形状即可。
以下将解释一个任意的溅射阴极42的实施例。圆柱形构件45是大致圆柱形的不锈钢构件，所述圆柱形构件45在与溅射阴极42之间有预定间隙的情况下覆盖该溅射阴极42。圆柱形构件45的上端部连接至阴极护罩46的外部周边边缘(外部边缘)，其下端部固定并保持在溅射阴极42的侧表面上或固定并保持在真空容器11的底面上。圆柱形构件45的内侧表面与溅射阴极42的侧表面之间的间隙被调节成超过就会与挡板旋转发生干涉的最小距离。
圆柱形构件45的下端部期望地在维持气密性的同时在整个圆周上固定在溅射阴极42的侧表面上或固定在真空容器11的底面上。
阴极护罩46是布置成与靶43平行的大致环状的不锈钢构件，并且阴极护罩46在与靶43之间有预定的间隙的情况下围绕靶43的外部周边。阴极护罩46的外部周边边缘(外部边缘)在整个圆周上气密地与圆柱形构件45的上端部接触。虽然阴极护罩46的内部周边边缘(内部边缘)与靶43的侧表面之间的间隙可以在它们之间具有任意的距离，但是阴极护罩46优选地在整个圆周上与靶43的外部周边间隔开预定的距离。应当注意到，上述的“平行”意味着“大体平行”，并且上述的“预定的距离”意味着“大体预定的距离”。
如后面将说明，形成在溅射阴极42与圆柱形构件45之间的间隙以及形成在溅射阴极42与阴极护罩46之间的间隙用作溅射气体引入路径和气体出口54。
虽然阴极护罩46布置成与靶43的上表面几乎齐平，但是阴极护罩46也可以布置成稍微在靶43的上方或者布置成覆盖靶43的上外部周边。
阴极护罩46的特征在于包括安装在其上表面(其位于第一挡板32侧的表面)上的第一沉积护罩38。第一沉积护罩38插置在阴极护罩46与第一挡板32之间。第一沉积护罩38具有向内或向外弯曲的下部分，并且自然具有大致L状的横截面，并且该下部分安装在阴极护罩46上。虽然第一沉积护罩38的高度可以是任意的，但是该高度被设定成低到足以使第一沉积护罩38不与第一挡板32接触，并且足以抑制溅射气体从靶43的前表面区域迁移。
第一沉积护罩38的直径期望地设定成等于形成在第一挡板32中的第一开口32a的直径。这是为了使溅射物质粘附到第一挡板32上的区域的面积最小。
上述的第一沉积护罩38可以安装在第一挡板32的下表面上。另外，与第一沉积护罩38相对应的构件可以通过使圆柱形构件45向着第一挡板32延伸而形成。在任一种情况下，都可以产生与上述的第一沉积护罩38安装在阴极护罩46的上表面上的布置相同的效果。
溅射气体供给装置(未示出)至少包括用作溅射气体供给源的气瓶(未示出)、溅射气体导管(未示出)和气体出口54。导管例如包括阀和流控制器(均未示出)。从气瓶供给的溅射气体通过导管被导入真空容器11中，并且从气体出口54排出。
如图2中所示，在该实施例中的气体出口54被形成为在靶43与阴极护罩46之间的上述间隙。而且，导管连接到气体入口52，所述气体入口52将溅射气体引入到溅射阴极42与圆柱形构件45之间的间隙中。即，溅射气体从气体入口52通过导管引入到溅射阴极42与圆柱形构件45之间的间隙中，并且随后从靶43与阴极护罩46之间的间隙(气体出口54)引入到靶43的前表面区域(等离子体产生区域)中。
通过将溅射气体引入到溅射阴极42与圆柱形构件45之间的间隙中，可以稳定被供给到靶43与阴极护罩46之间的间隙(气体出口54)中的气体的压力。即，可以减小溅射气体压力的波动和由于气体引入位置所导致的溅射气体压力的差异。对此的一个原因是，气体被选择地引入到放电靶部分中。对此的另一个原因是，因为气体出口54具有环状形状，所以气体有效地在圆形的靶上循环。
可以通过将溅射阴极42与圆柱形构件45之间的间隙形成为大于靶43与阴极护罩46之间的间隙而使溅射气体压力稳定。这是因为在临时地储存溅射气体时增强了缓冲作用。
如上所述，通过将溅射气体通过靶43与阴极护罩46之间的间隙(气体出口54)引到靶43的前表面上，溅射气体可以从靶43的外部边缘的整个圆周通过环状的循环而均匀地供给到靶43的前表面区域中，并且从而稳定该区域中溅射气体的压力。此外，第一沉积护罩38和第二沉积护罩37可以调节从靶43的前表面区域流出的溅射气体的量。这继而能够将靶43的前表面区域中的溅射气体的压力设定成高于与靶43间隔开的真空容器11中的压力。因此，可以使溅射设备1具有更加稳定的放电性能和放电触发(点火性)。在挡板侧的溅射阴极42的前表面区域和靶43的前表面区域在此指溅射阴极42和靶43在衬底22侧的等离子体产生区域。
优选地通过提前使第二挡板34和安装有第二沉积护罩37的第一挡板32成为一个单元而形成双旋转挡板单元(双旋转挡板机构30)。该单元化可以通过调节第一挡板32和第二挡板34之间的间隙的量而方便第一挡板32和第二挡板34的定位，并方便在第一挡板32和第二挡板34组装到溅射设备1时的其它操作。即，能够提高维护性能和组装准确性二者。
以下将解释根据该实施例的溅射设备1的操作和效果。
首先，当形成在第一挡板32中的第一开口32a的位置与用于预溅射的靶43的位置对准且形成在第二挡板34中的第二开口34a的位置与该靶43的位置没有对准时，执行预溅射。即，靶43的前表面区域被第一沉积护罩38、第二沉积护罩37和第二挡板34围绕。由于溅射气体从靶43的外部周边中的气体出口54引入，靶43的前表面区域中的溅射气体的压力容易升高，并且这帮助点火和放电。
第一沉积护罩38和第二沉积护罩37防止由该预溅射所溅射的物质进入相邻的靶43。这能够防止靶43之间的任何交叉污染。应当注意到，第二挡板34上的相同的位置被控制成位于一个靶43的上侧上。即，在预溅射期间，第二挡板34上的各预定区域面对相对应的靶43。这是为了防止由于各靶43中含有的物质在预溅射期间粘附到位于各靶43的上侧上的第二挡板34的下表面上所导致的任何污染。
接下来，当形成在第一挡板32中的第一开口32a的位置和形成在第二挡板34中的第二开口34a的位置二者都与用于溅射(主溅射)的靶43的位置对准时，执行主溅射。即，靶43的前表面区域被第一沉积护罩38和第二沉积护罩37横向地围绕，但对衬底22敞开。同样，由于溅射气体从靶43的外部周边中的气体出口54引入，靶43的前表面区域中的溅射气体的压力容易升高，并且这帮助点火和放电(尤其是低压放电)。
因为第一沉积护罩38和第二沉积护罩37也防止由主溅射所溅射的物质进入相邻的靶43，所以在靶43之间没有发生交叉污染。
当多个靶43被同时溅射时，可以通过改变形成在第一挡板32和第二挡板34中的开口的布置和数量而设定上述状态。
如上所述，根据该实施例的溅射设备1可以通过分别安装在阴极护罩46上和第一挡板32上的第一沉积护罩38和第二沉积护罩37中的至少一个，使溅射气体和溅射物质从靶43的前表面上的等离子体产生区域运动通过的间隙变窄。
为此，可以防止在预溅射和主溅射期间所溅射的溅射物质散射到周边，并且从而稳定靶43的前表面区域中的溅射气体的压力。这继而使得即使当溅射易于大量散射到周边的物质(例如，Au)时，也能够防止靶43之间的交叉污染并获得稳定的放电和良好的点火性。
而且，当通过将溅射气体经靶43的外部周边与大致环状的阴极护罩46之间的间隙引入到靶43的前表面区域中而将溅射气体均匀地供给到该区域中时，可以稳定溅射气体压力。此外，靶43的前表面区域中的溅射气体的压力可以设定成高于与靶43间隔开的真空容器11中的压力。尤其因为气体供给口(气体出口54)靠近靶43，当触发器需要临时的高压时可以获得高的溅射气体压力。还可以在从高压至低压的宽范围的溅射气体压力上总是获得稳定的放电。这允许更加稳定的放电和更好的点火性。
根据该实施例的溅射设备1包括双旋转挡板机构30，并且因此与其中挡板分离地布置在各溅射阴极43上的结构(分离挡板结构)相比较，可以实现小型化和成本减少。这是因为，与分离挡板结构不同，溅射设备1不必设有在挡板打开时让挡板运行的空隙和用于各挡板的旋转引入机构。
虽然第一挡板和第二挡板在该实施例中安装有沉积护罩，但是即使当仅第一挡板安装有沉积护罩时也可以满意地获得本发明的效果。
虽然已经参照示例性实施例说明本发明，但应理解本发明不受所公开的示例性实施例限制。下述权利要求的范围将与最广泛解释一致，从而包含所有这些修改和等同结构以及功能。

Claims (7)

1.一种溅射设备，包括：
布置在真空容器中的多个溅射阴极；
包括第一挡板和第二挡板的双旋转挡板机构，所述第一挡板和第二挡板布置成在面对所述溅射阴极的同时能够独立地旋转，并且所述第一挡板和第二挡板每个都包括在预定位置处形成在其中的至少一个开口，所述第二挡板与所述溅射阴极之间的距离大于所述第一挡板与所述溅射阴极之间的距离；以及
置于所述溅射阴极与所述第一挡板之间的第一沉积护罩，所述第一沉积护罩横向地围绕所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，围绕所述第一挡板中的开口的第二沉积护罩安装在所述第一挡板的位于所述第二挡板这一侧的表面上。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二沉积护罩构造成具有等于所述溅射阴极的直径的直径。
4.根据权利要求1所述的设备，
其中，所述溅射阴极包括：
阴极护罩，所述阴极护罩在与靶之间有预定的间隙的情况下围绕所述靶的外部周边；和圆柱形构件，所述圆柱形构件连接至所述阴极护罩，并且在与所述溅射阴极之间有预定的间隙的情况下围绕所述溅射阴极的侧表面，并且
其中，通过所述溅射阴极与所述圆柱形构件之间的间隙以及所述靶与所述阴极护罩之间的间隙，能够将溅射气体引到所述靶的前表面上。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第一沉积护罩安装在所述阴极护罩的位于所述第一挡板这一侧的表面上。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一挡板中的开口的边缘是锥形的。
7.一种溅射方法，所述溅射方法由溅射设备执行，所述溅射设备包括布置在真空容器中的多个溅射阴极以及具有第一挡板和第二挡板的双旋转挡板机构，所述第一挡板和第二挡板布置成在面对所述溅射阴极的同时能够独立地旋转，并且所述第一挡板和第二挡板每个都包括在预定位置处形成在其中的至少一个开口，所述第二挡板与所述溅射阴极之间的距离大于所述第一挡板与所述溅射阴极之间的距离；其中，第一沉积护罩置于所述溅射阴极与所述第一挡板之间，并横向地围绕所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域；并且其中，围绕所述第一挡板中的开口的第二沉积护罩安装在所述第一挡板的位于所述第二挡板这一侧的表面上，所述方法包括：
预溅射步骤，在其中所述第一挡板中的开口定位在所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域中且所述第二挡板中的开口没有定位在所述前表面区域中的布置的情况下，在将溅射气体引入到所述前表面区域中时，执行放电；以及
主溅射步骤，在其中所述第一挡板中的开口和所述第二挡板中的开口二者定位在所述溅射阴极的位于所述第一挡板这一侧的前表面区域中的布置的情况下，在将溅射气体引入到所述前表面区域中时，执行放电。
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