JP5415979B2 - スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 173
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 44
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 44
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
前記スパッタリングカソードに対向してそれぞれ独立に回転可能に配設され、かつ開口部がそれぞれ予め決められた位置に少なくとも1つが形成された第1のシャッタ板及び該第1のシャッタ板よりも前記スパッタリングカソードから遠い位置にある第2のシャッタ板を有する二重回転シャッタ機構と、
前記スパッタリングカソードと前記第1のシャッタ板の間に配設され、前記スパッタリングカソードの前記第1のシャッタ板側の前面領域の側面を囲む第1の防着シールドと、を備えることを特徴とする。
Claims (8)
- 真空容器内に設けられた複数のスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに対向してそれぞれ独立に回転可能に配設され、かつ開口部がそれぞれ予め決められた位置に少なくとも1つが形成された第1のシャッタ板及び該第1のシャッタ板よりも前記スパッタリングカソードから遠い位置にある第2のシャッタ板を有する二重回転シャッタ機構と、
前記スパッタリングカソードと前記第1のシャッタ板の間に配設され、前記スパッタリングカソードの前記第1のシャッタ板側の前面領域の側面を囲む第1の防着シールドと、を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記第1のシャッタ板の前記第2のシャッタ板側には、該第1のシャッタ板の開口部の周囲を囲む第2の防着シールドが取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記第2の防着シールドは、前記スパッタリングカソードと等しい直径を有するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載のスパッタリング装置。
- 前記スパッタリングカソードは、
ターゲットの外周部分を予め決められた間隔の隙間を有して囲うように配設されたカソードシールドと、前記カソードシールドに連結されかつ前記スパッタリングカソードの側面周囲を予め決められた隙間を有して囲む筒状部材と、を備え、
前記スパッタリングカソードと前記筒状部材との隙間及び前記ターゲットと前記カソードシールドとの隙間を通って、スパッタガスがターゲット前面に導入可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 前記第1の防着シールドは、前記カソードシールドの前記第1のシャッタ板側に取り付けられることを特徴とする請求項4に記載のスパッタリング装置。
- 前記第1のシャッタ板の開口部の縁部にテーパ加工が施されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 二重回転シャッタユニットであって、
真空容器内に設けられたスパッタリングカソードに対向してそれぞれ独立に回転可能に配設され、かつ開口部がそれぞれ予め決められた位置に少なくとも1つは形成された第1のシャッタ板及び該第1のシャッタ板よりも前記スパッタリングカソードから遠い位置にある第2のシャッタ板を有し、
前記第1のシャッタ板の前記第2のシャッタ板側には、該第1のシャッタ板の開口部の周囲を囲む第2の防着シールドが取り付けられていることを特徴とする二重回転シャッタユニット。 - 真空容器内に設けられた複数のスパッタリングカソードと、前記スパッタリングカソードに対向してそれぞれ独立に回転可能に配設され、かつ開口部がそれぞれ予め決められた位置に少なくとも1つが形成された第1のシャッタ板及び該第1のシャッタ板よりも前記スパッタリングカソードから遠い位置にある第2のシャッタ板を有する二重回転シャッタ機構とを有し、前記スパッタリングカソードと前記第1のシャッタ板の間に、前記スパッタリングカソードの前記第1のシャッタ板側の前面領域の側面を囲む第1の防着シールドが設けられており、かつ前記第1のシャッタ板の前記第2のシャッタ板側には、それらのシャッタ板間の開口部の周囲を囲む第2の防着シールドが設けられているスパッタリング装置で実行されるスパッタリング方法であって、
前記スパッタリングカソードの前記第1のシャッタ板側の前面領域に、前記第1のシャッタ板の開口部を位置させる一方で、前記第2のシャッタ板の開口部は位置させない構成でスパッタガスを導入しながら放電を行うプリスパッタ工程と、
前記シャッタ板側の前面領域に、前記第1のシャッタ板の開口部を位置させかつ前記第2のシャッタ板の開口部も位置させる構成でスパッタガスを導入しながら放電を行う本スパッタ工程と、
を有することを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025216A JP5415979B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-08 | スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法 |
TW099104445A TWI431141B (zh) | 2009-02-16 | 2010-02-11 | 濺鍍裝置,二重回轉快門單元,及濺鍍方法 |
CN2010101211891A CN101824598B (zh) | 2009-02-16 | 2010-02-11 | 溅射设备、双旋转挡板单元以及溅射方法 |
KR1020100013355A KR101185709B1 (ko) | 2009-02-16 | 2010-02-12 | 스퍼터링 장치, 이중 회전식 셔터 유닛, 및 스퍼터링 방법 |
US12/704,743 US20100206715A1 (en) | 2009-02-16 | 2010-02-12 | Sputtering apparatus, double rotary shutter unit, and sputtering method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009033028 | 2009-02-16 | ||
JP2009033028 | 2009-02-16 | ||
JP2010025216A JP5415979B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-08 | スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010209463A JP2010209463A (ja) | 2010-09-24 |
JP5415979B2 true JP5415979B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=42558972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010025216A Active JP5415979B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-08 | スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100206715A1 (ja) |
JP (1) | JP5415979B2 (ja) |
KR (1) | KR101185709B1 (ja) |
CN (1) | CN101824598B (ja) |
TW (1) | TWI431141B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5632072B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2014-11-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
KR101255524B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2013-04-23 | 주식회사 삼원진공 | 박막 증착 및 조성 탐색용 스퍼터링 장치 |
JP5662575B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
JP5662583B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
US20130153413A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Intermolecular, Inc. | Sputter gun shutter |
WO2013094200A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
CN104011254B (zh) * | 2011-12-27 | 2016-04-20 | 佳能安内华股份有限公司 | 贵金属膜的连续成膜方法和电子零件的连续制造方法 |
KR101636190B1 (ko) | 2012-03-14 | 2016-07-04 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 스퍼터 장치 |
CN102757183A (zh) * | 2012-08-02 | 2012-10-31 | 金堆城洛阳节能玻璃有限公司 | 一种提高低辐射镀膜玻璃生产效率的方法 |
CN103871845B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-11-16 | 中国科学院物理研究所 | 组合薄膜制备装置和方法 |
CN111902922B (zh) * | 2018-04-18 | 2024-04-19 | 应用材料公司 | 具有自定心特征的两件式快门盘组件 |
JP7263908B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2023-04-25 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
JP7044887B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-03-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3864239A (en) * | 1974-04-22 | 1975-02-04 | Nasa | Multitarget sequential sputtering apparatus |
US4410407A (en) * | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
JPS61110763A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-29 | Nec Corp | スパツタリング電極 |
JPH0657869B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1994-08-03 | 日本電信電話株式会社 | 多層薄膜作製装置 |
JPS63274766A (ja) | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタリング装置 |
JPH0594266U (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-24 | 沖電気工業株式会社 | スパッタ装置のシャッタ構造 |
US5482604A (en) * | 1994-01-27 | 1996-01-09 | Honeywell Inc. | Off-axis radio frequency diode apparatus for sputter deposition of RLG mirrors |
JPH11302841A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Victor Co Of Japan Ltd | スパッタ装置 |
JP3529676B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US6733640B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc | Shutter assembly having optimized shutter opening shape for thin film uniformity |
CN1459515A (zh) * | 2002-05-21 | 2003-12-03 | 雷卫武 | 多离子束共溅射淀积纳米膜装置 |
JP4494047B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法 |
JP4581466B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-17 | Tdk株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
CN2832829Y (zh) * | 2005-04-27 | 2006-11-01 | 北京实力源科技开发有限责任公司 | 一种新型真空镀膜机 |
JP2006336085A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025216A patent/JP5415979B2/ja active Active
- 2010-02-11 CN CN2010101211891A patent/CN101824598B/zh active Active
- 2010-02-11 TW TW099104445A patent/TWI431141B/zh active
- 2010-02-12 US US12/704,743 patent/US20100206715A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-12 KR KR1020100013355A patent/KR101185709B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100206715A1 (en) | 2010-08-19 |
CN101824598B (zh) | 2012-05-30 |
KR101185709B1 (ko) | 2012-09-24 |
TWI431141B (zh) | 2014-03-21 |
KR20100093495A (ko) | 2010-08-25 |
CN101824598A (zh) | 2010-09-08 |
JP2010209463A (ja) | 2010-09-24 |
TW201042067A (en) | 2010-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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