TWI454587B - 濺鍍裝置 - Google Patents

Description

濺鍍裝置

本發明涉及一種濺鍍裝置，更具體而言，涉及一種可降低由於停止沉積製程而頻繁地更換用於防止膜生長的遮罩件(anti-film-growing shield)所造成的各種製程損耗、進而提高生產率的濺鍍裝置。

例如液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、電漿顯示器(plasma display panel；PDP)以及有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)等平板顯示器，或者半導體會經歷例如薄膜沉積、蝕刻等各種製程並作為產品推出。

在各種製程中，薄膜沉積製程根據主要原理而一般被劃分成兩類。

一是化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)，而另一則是物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)，這兩類已根據先前製程的特徵而被廣泛地使用。

在CVD中，通過電極將由外部高頻電源轉變成等離子體(plasma)且具有高能量的矽化物離子從噴頭(shower head)噴射出並沉積到基板上。

另一方面，在被稱為濺鍍裝置的PVD中，等離子體中的離子被施以足夠的能量來碰撞靶材，然後從靶材逸出(即濺射出)的靶材原子被沉積到基板上。

當然，除濺鍍方法之外，PVD還採用例如電子束蒸鍍(E-beam evaporation)以及熱蒸鍍(thermal evaporation)等各種方法，但需要使用靶材作為濺鍍源向基板提供沉積材料。在下文中，將採用濺鍍方法的濺鍍裝置稱為PVD。

傳統濺鍍裝置包括處理室以及作為濺鍍源的靶材，在該處理室中執行基於濺鍍方法的製程，該濺鍍源則用於向置於沉積位置上的基板提供沉積材料。

同時，在傳統濺鍍裝置中，當具有預定厚度或更大厚度的薄膜沉積到圍繞靶材設置的用於防止膜生長的遮罩件以及靶材上時，會出現剝落(peeling)，從而造成顆粒、由於在玻璃基板端部處靠近不需要生長膜的部分而造成的短路等各種問題。

為最小化此種問題，已作出大量努力來優化用於防止膜生長的遮罩件的表面上的形狀、照明度等並使用於防止膜生長的遮罩件的更換週期最大化。然而，到目前所知，仍須約5天至15天為一週期頻繁地進行更換來進行清潔。進一步，在更換期間，不僅需要大量的人力，而且為在停止所更換設備的操作來進行更換之後重新啟動生產，要花費大約10小時或更多時間來進行各種準備，例如室的真空化、加熱操作以及靶材特徵穩定化等。這些製程損耗一般可降低生產率，因此須準備對策來預防損耗。

本發明提供一種可降低由於停止沉積製程來頻繁更換用於防止膜生長的遮罩件而造成的各種製程損耗、從而提高生產率的濺鍍裝置。

根據本發明的一方面，提供一種濺鍍裝置，其包括：一處理室，用以對一基板執行沉積製程，並在其一內側包括一靶材；一載具，用以在支撐該基板的同時進出該處理室；以及一用於防止膜生長的遮罩件，隨該載具一起移動並可分離地耦合至該載具，並防止薄膜在該基板的邊緣部分沉積。

該用於防止膜生長的遮罩件可包括：一耦合本體，可分離地耦合至該載具；以及一遮罩構件，連接至該耦合本體並包括一個端部，該端部在該載具與該靶材之間設置於該基板的該邊緣部分中。

該遮罩構件包含在一外側面上的一斜面。

該遮罩構件可被處理成具有一經過壓花的外表面。

該用於防止膜生長的遮罩件可設置於該載具的四個側面中。

該濺鍍裝置還可包括：一驅動滾輪，設置於該處理室內部，並在接觸該載具的上部區域或下部區域時驅動該載具；以及一導向件，設置於與該驅動滾輪相對的一側、使該載具位於該導向件與該驅動滾輪之間，並用於引導被驅動的該載具。

該導向件可包括一磁鐵。

該用於防止膜生長的遮罩件可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)。

該濺鍍裝置還可包括一遮罩件驅動單元，該遮罩件驅動單元連接至該載具及該用於防止膜生長的遮罩件並驅動該用於防止膜生長的遮罩件，以使該用於防止膜生長的遮罩件可在將被設置於該基板中的設置位置與將從該基板分離的分離位置之間移動。

該遮罩件驅動單元可選自一旋轉驅動器、一線性運動驅動器、以及一旋轉及線性運動驅動器。

該濺鍍裝置還可包括：一加熱室，連接至該處理室並對穿過該加熱室的該基板進行預先加熱；一載入互鎖真空室，連接至該加熱室；以及一載入/卸載室，連接至該載入互鎖真空室，並包括用於向該載入互鎖真空室中載入該載具或從該載入互鎖真空室卸載該載具的載入/卸載單元。

該載入/卸載單元可包括用於載送所述載具的一夾具。

該載入/卸載單元可包括用於載送所述載具的一機械手。

該處理室、該加熱室、該載入互鎖真空室以及該載入/卸載室可形成一用於直列式製程的一生產線。

該用於直列式工藝的該生產線可包括至少一條循環線，並且在該循環線的循環點處還可設置一緩衝室，以用於反轉該載具或該基板的方向。

該處理室可包括沿徑向排列的複數個處理室，並且有一傳送室呈群簇形式，該群簇形式設置於該加熱室與該複數個處理室之間。

為充分地理解本發明及其優點，須參照用於例示本發明實施例的附圖以及附圖的內容。

在下文中，將通過參照附圖解釋實例性實施例來詳細說明本發明。附圖中相同的參考編號指示相同的元件。

在參照附圖進行說明之前，下文將要說明的基板可為用於例如液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、電漿顯示器(plasma display panel；PDP)、有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)等平板顯示器的基板、用於太陽能電池(solar cell)的基板、或用於半導體晶圓的基板，然而其術語將被統一標準化為基板。

第1圖為顯示根據本發明第一實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖，且第2圖為顯示第1圖所示靶材區域的結構的剖面圖。

如圖所示，該實例性實施例中的濺鍍裝置包括：處理室110，在處理室110中對基板執行沉積製程並在一個內側提供靶材140；載具120，能夠在支撐基板的同時進出處理室110；以及用於防止膜生長的遮罩件160，可分離地耦合至載具120並隨載具一起移動以防止薄膜在基板的邊緣部分上形成沉積。

處理室110形成外觀(outer appearance)以及壁本體(wall body)，且在沉積製程期間被密封以保持高的真空度。為此，如第1圖所示意性地顯示，在處理室110的一側提供閘閥(gate valve)111，且在閘閥111的一側提供真空泵112。因此，如果當閘閥111打開時，真空泵112產生真空壓力，則處理室110的內部可保持高的真空度。

儘管未詳細顯示，然而在處理室110的一個側壁處形成開口，以使載具120及基板可經由該開口而進出處理室110。載具120及基板可經由一個開口進出，然而也可通過兩個開口而分別進出。此一開口設置有用於保持真空的閘閥。

進一步，在處理室110的一個內側提供靶材140作為濺鍍源，以向基板提供沉積材料。在第1圖中，沉積材料是從靶材140直接濺鍍至基板上，然而並不僅限於此。作為另外一種選擇，可在靶材140與基板之間設置單獨的遮罩。

如第2圖所示，磁鐵單元150設置於靶材140的一側，並在靶材140與基板之間產生用於沉積的磁場。通常，靶材140與磁鐵單元150的區域形成陰極，且基板的區域形成陽極。

在該實例性實施例中，靶材140是以旋轉靶材140的形式提供。為此，用於使靶材140旋轉的靶材旋轉單元145耦合至靶材140的一側。靶材旋轉單元145可被設置成暴露於處理室110的外部，並包括電動機，在該電動機中可設置稍後所要說明的電源142。當然，無需將本發明限制於第1圖及第2圖。作為另外一種選擇，靶材140可為平面型靜止靶材(圖中未示出)，且與附圖所示相反，可提供多個靶材。

在靶材140與磁鐵單元150之間，以環繞磁鐵單元150的形式提供陰極墊板(cathode backing plate)141，以用於設置靶材140且還用於使磁鐵單元150為氣密性的。陰極墊板141連接至射頻(radio frequency；RF)或直流(direct current；DC)電源142。

參見第2圖，磁鐵單元150設置於靶材140的一側，換句話說，設置於陰極墊板141內部，並用以在靶材140與基板之間產生用於沉積的磁場。

磁鐵單元150包括多個磁鐵151至153以及用於支撐磁鐵151至153的底板(base plate)154。在該實例性實施例中，這些磁鐵151至153被一體地支撐於底板154上，然而並不僅限於此。作為另外一種選擇，這些磁鐵151至153可分別被單獨地支撐於底板154上，且其相對於底板154的位置也可有所變化。這可便於容易地控制磁場的流量或強度。

磁鐵151至153包括設置於底板154的中心區域的中心磁鐵151、以及設置於中心磁鐵151外側的外部磁鐵152及153。通過該結構，外部磁鐵152及153從底板154突出至具有低於中心磁鐵151的高度或具有小於中心磁鐵151的體積。這是考慮到磁場的流量或強度而設計的，但可根據需要進行改變。而且，外部磁鐵152與153也可具有不同的尺寸。

接著，載具120被設置在支撐基板的同時進出處理室110。當靶材140被設置於處理室110內部時，載具120可進出處理室110。因此，處理室110設置有開口，載具120可經由該開口而進出。

為驅動(或移動)載具120，提供驅動滾輪131以及導向件133。驅動滾輪131設置於處理室110內的下部區域中，並接觸載具120的下部區域以驅動載具120。導向件133設置於與驅動滾輪131相對的一側、使載具120位於導向件133與驅動滾輪131之間，並用於引導被驅動的載具120。此時，導向件133可為磁鐵。進一步，加熱器135可由加熱器支架136支撐於載具120的一側。

同時，用於防止膜生長的遮罩件160耦合至載具120並隨載具120一起移動，並防止薄膜在基板的邊緣部分上沉積。

當然，傳統濺鍍裝置也設置有用於防止膜生長的遮罩件(圖中未示出)。然而，由於傳統的用於防止膜生長的遮罩件被固定在處理室110中的預設位置上，因而如果將具有預定厚度或更大厚度的薄膜沉積到用於防止膜生長的遮罩件上，則須以約5天至15天為一週期頻繁地進行更換來進行清潔。在更換期間，不僅需要大量人力，而且在停止設備操作以進行更換後，再重新啟動生產，要花費大約10小時或更多時間來進行各種準備，例如室真空化、加熱操作以及靶材特徵穩定化等。這些製程損耗一般可降低生產率。

然而，在該實例性實施例中，用於防止膜生長的遮罩件160耦合至能夠進出處理室110的載具120，使得在載具120進入處理室110之前或離開處理室110之後的備用狀態，可根據需要而更換用於防止膜生長的遮罩件160。因此，可在不停止沉積製程的情況下更換用於防止膜生長的遮罩件160，與傳統情形相反，可降低由於頻繁更換而造成的各種製程損耗，進而提高生產率。

如第1圖所示，用於防止膜生長的遮罩件160包括耦合本體161以及遮罩構件162，耦合本體161可分離地耦合至載具120，遮罩構件162則連接至耦合本體161並將一個端部設置於載具120與靶材140之間的基板的邊緣部分。

用於防止膜生長的遮罩件160可設置於載具120的四個側面。為此，可以單一矩形回路形式或以分別耦合至載具120的四個側面的四個棒材的形式提供用於防止膜生長的遮罩件160。

可通過例如螺栓、粘著、閂鎖等各種方法來實現載具120與耦合本體161之間的耦合。

進一步，遮罩構件162的一個外側面(即實質上用於遮罩基板的部分的一個外側面)形成有斜面162a。該斜面162a是一種能減小用於防止膜生長的遮罩件160的重量的設計，但並非是必不可少的。

耦合本體161與遮罩構件162可被成型為一體，但並不僅限於此。至少遮罩構件162可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)，但並不僅限於此。作為另外一種選擇，除上述材料之外，還可使用各種合金。

通過此種配置，濺鍍裝置的操作方式如下。

在處理室110的外部將基板載入於載具120上，並使載具120進入處理室110，以便可將基板放置於沉積位置上。此時，用於防止膜生長的遮罩件160已將基板的邊緣區域遮罩。

在基板被放置就位時，通過加熱器135加熱基板。與此同時或在加熱之前及之後，用例如氬氣(Ar)填充處理室110，然後密封處理室110以保持高的真空度。

當沉積製程準備就緒時，電源142對靶材140施加負壓，並且從靶材140釋放的電子與氬氣(Ar)碰撞，進而使氬(Ar)氣電離。

經電離的氬氣在電位差作用下朝向靶材140加速，並與靶材140的表面碰撞。此時，從靶材140產生靶材140的原子(即沉積材料)，這些原子下落到基板的沉積表面上，從而可對基板執行沉積製程。

在完成沉積製程後，釋放處理室中的真空，且在出口被打開的同時使基板隨載具120一起經由該出口而離開。然後，新的基板進入處理室，並且重複上述過程。

在重複上述沉積製程期間，當到達需要清潔用於防止膜生長的遮罩件160的時間點時，可在載具120進入處理室110之前或離開處理室110之後的備用狀態中根據需要而用新的用於防止膜生長的遮罩件更換用於防止膜生長的遮罩件160，而不需如傳統情形一樣停止沉積製程。因此，可在不停止沉積製程的情況下更換用於防止膜生長的遮罩件160，從而與傳統情形相反，可降低各種製程損耗，進而提高生產率。

通過根據本發明的濺鍍裝置的結構及操作，可降低由於停止沉積製程而頻繁地更換用於防止膜生長的遮罩件160所造成的各種製程損耗，進而提高生產率。

第3圖至第7圖分別顯示用於防止膜生長的遮罩件或用於驅動用於防止膜生長的遮罩件的第1圖的替代實例性實施例。

如第3圖所示，遮罩構件160a可被處理成具有經過壓花的外表面E。如果遮罩構件160a被處理成具有經過壓花的外表面E，則壓花部分可減少沉積材料在遮罩構件160a的外表面上的沉積，因此可有利地延長用於防止膜生長的遮罩構件160a的更換週期。

第4圖至第7圖顯示替代實例，在這些替代實例中，遮罩件驅動單元170b至170e連接至載具120及用於防止膜生長的遮罩件160b至160e，並驅動用於防止膜生長的遮罩件160b至160e，以使用於防止膜生長的遮罩件160b至160e可在將被設置於基板中的設置位置與將從基板分離的分離位置之間移動。

參見第4圖，遮罩件驅動單元170b是例如由旋轉驅動器170b實現，旋轉驅動器170b則可通過鉸鏈等實現。用於防止膜生長的遮罩件160b通過旋轉驅動器170b而在箭頭方向上從虛線旋轉至實線，從而設置於基板的防止膜生長的側上。

參見第5圖，遮罩件驅動單元170c是例如由旋轉及線性運動驅動器170c實現。用於防止膜生長的遮罩件160c通過旋轉及線性運動驅動器170c而在箭頭方向上線性地移動並接著旋轉，從而設置於基板的防止膜生長的側上。

參照第6圖，遮罩件驅動單元170d是例如由線性運動驅動器170d實現。用於防止膜生長的遮罩件160d通過線性運動驅動器170d而沿基板的縱向方向(如箭頭方向)線性地移動，側設置於基板的防止膜生長的側上。在第6圖所示的情形中，需要預定空間A，以使用於防止膜生長的遮罩件160d向回移動並設置於載具120d上。

參見第7圖，遮罩件驅動單元170e是例如由線性運動驅動器170e實現。用於防止膜生長的遮罩件160d通過遮罩件驅動單元170e而沿與基板的縱向方向相交的方向(如箭頭方向)線性地移動，從而設置於基板的防止膜生長的側上。

結果，即使應用第3圖至第7圖以及第1圖所示的任何結構，也足以使本發明能夠通過降低由於停止沉積製程而頻繁地更換用於防止膜生長的遮罩件160所造成的各種製程損耗，從而提高生產率。

第8圖為顯示根據本發明第二實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。

在該實例性實施例中，濺鍍裝置包括：加熱室181，連接至處理室110並對穿過加熱室181的基板進行預先加熱；載入互鎖真空室182，連接至加熱室181；以及載入/卸載室183，連接至載入互鎖真空室182，並具有用於向載入互鎖真空室182中載入載具120及從載入互鎖真空室182卸載載具120的載入/卸載單元184。

如圖所示，處理室110、加熱室181、載入互鎖真空室182以及載入/卸載室183可形成用於直列式沉積製程(in-line deposition process)的生產線。

同時，載入/卸載室183中所設置的載入/卸載單元184可由用於載送載具120的夾具184來實現。

據此，通過夾具184將載入有基板的載具120經由載入/卸載室183、載入互鎖真空室182以及加熱室181載送至處理室110中，然後對處理室110中的基板執行沉積製程。在完成沉積製程後，可以相反的順序取出載具120。

第9圖為顯示根據本發明第三實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。

在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有如下的結構：在該結構中，載入互鎖真空室182a設置於處理室110的一側且一對載入/卸載室183a設置於處理室110的相對側。在此種情形中，未形成用於直列式製程的生產線。

在此種情形中，設置於載入/卸載室183a中的載入/卸載單元184a可由用於載送載具120的機械手184a來實現。進一步，盒式載具185可分別圍繞所述一對載入/卸載室183而設置。

第10圖為顯示根據本發明第四實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。

在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有如下的結構：在該結構中，類似於第8圖所示者，處理室110b、加熱室181b、載入互鎖真空室182b以及載入/卸載室183b形成用於直列式沉積製程的生產線，但沿箭頭方向上形成循環線。在該實例性實施例中，揭露了兩條循環線。

在此種情形中，存在其中沉積製程的箭頭方向被反轉的部分，且可在該部分中額外地設置緩衝室186b，以用於使載具120或基板反轉方向。

第11圖為顯示根據本發明第五實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。

在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有其中將多個處理室110c沿徑向排列的結構。

在此種情形中，傳送室187c可以群簇形式設置於加熱室181c與複數個處理室110c之間。傳送室187c用以通過內部機械手(圖中未示出)將載具或基板從加熱室181c傳送至處理室110c。第11圖所示的結構有利地設置於相對狹窄的空間中，進而額外地具有減小佔用面積(footprint)的效果。

結果，即使應用第8圖至第11圖以及第1圖所示的任何結構，只要用於防止膜生長的遮罩件160耦合至第1圖所示的載具120，也足以使本發明能夠降低由於停止沉積製程而頻繁地更換用於防止膜生長的遮罩件160所造成的各種製程損耗，從而提高生產率。

如上所述，通過降低由於停止沉積製程來頻繁地更換用於防止膜生長的遮罩件而造成的各種製程損耗，可提高生產率。

儘管已參照實例性實施例具體顯示和說明了本發明，然而應理解，在不背離以上權利要求的精神與範圍的條件下，可對本發明作出形式及細節上的各種改變。

110．．．處理室

110b．．．處理室

110c．．．處理室

111．．．閘閥

112．．．真空泵

120．．．載具

120d．．．載具

131．．．驅動滾輪

133．．．導向件

135．．．加熱器

136．．．加熱器支架

140．．．靶材/旋轉靶材

141．．．陰極墊板

142．．．電源

145．．．靶材旋轉單元

150．．．磁鐵單元

151．．．中心磁鐵

152、153．．．外部磁鐵

154．．．底板

160．．．用於防止膜生長的遮罩件

160a．．．遮罩構件

160b、160c、160d、160e．．．用於防止膜生長的遮罩件

161．．．耦合本體

162．．．遮罩構件

162a．．．傾斜面

170b、170c、170d、170e．．．遮罩件驅動單元

181．．．加熱室

181b．．．加熱室

181c．．．加熱室

182．．．載入互鎖真空室

182a．．．載入互鎖真空室

182b．．．載入互鎖真空室

183．．．載入/卸載室

183a．．．載入/卸載室

183b．．．載入/卸載室

184．．．載入/卸載單元/夾具

184a．．．載入/卸載單元/機械手

185．．．盒式載具

186b．．．緩衝室

187c．．．傳送室

A．．．預定空間

E．．．經過壓花的外表面

S．．．邊緣部分

第1圖為顯示根據本發明第一實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；

第2圖為顯示第1圖所示靶材區域的結構的剖面圖；

第3圖至第7圖分別顯示用於防止膜生長的遮罩件或用於驅動用於防止膜生長的遮罩件的第1圖的替代實例性實施例；

第8圖為顯示根據本發明第二實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；

第9圖為顯示根據本發明第三實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；

第10圖為顯示根據本發明第四實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；以及

第11圖為顯示根據本發明第五實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。

110．．．處理室

111．．．閘閥

112．．．真空泵

120．．．載具

131．．．驅動滾輪

133．．．導向件

135．．．加熱器

136．．．加熱器支架

140．．．靶材/旋轉靶材

145．．．靶材旋轉單元

160．．．用於防止膜生長的遮罩件

161．．．耦合本體

162．．．遮罩構件

162a．．．傾斜面

Claims (16)

1. 一種濺鍍裝置，其特徵在於，包括：一處理室，用以對一基板執行沉積製程，並在其一內側包括一靶材；一載具，在支撐該基板的同時進出該處理室；以及一用於防止膜生長的遮罩件，隨該載具一起移動並可分離地耦合至該載具，並防止一薄膜在該基板的一邊緣部分沉積。
2. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，用於該防止膜生長的遮罩件包括：一耦合本體，可分離地耦合至該載具；以及一遮罩構件，連接至該耦合本體，並包括一個端部，該端部在該載具與該靶材之間，且設置於該基板的該邊緣部分。
3. 如請求項2所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該遮罩構件包含在一外側面上的一斜面。
4. 如請求項2所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該遮罩構件被處理成具有一經過壓花的外表面。
5. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該用於防止膜生長的遮罩件設置於該載具的四個側面中。
6. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，還包括：一驅動滾輪，設置於該處理室內部，並在接觸該載具的上部區域或下部區域的同時驅動該載具；以及一導向件，設置於該驅動滾輪相對的一側、使該載具位於該導向件與該驅動滾輪之間，並用於引導被驅動的該載具。
7. 如請求項6所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該導向件包括一磁鐵。
8. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該用於防止膜生長的遮罩件是選自鋁、不銹鋼、及鈦。
9. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，還包括一遮罩件驅動單元，該遮罩件驅動單元連接至該載具及該用於防止膜生長的遮罩件並驅動該用於防止膜生長的遮罩件，以使該用於防止膜生長的遮罩件可在將被設置於該基板中的設置位置與將從該基板分離的分離位置之間移動。
10. 如請求項9所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該遮罩件驅動單元選自一旋轉驅動器、一線性運動驅動器、以及一旋轉及線性運動驅動器。
11. 如請求項1所述的濺鍍裝置，其特徵在於，還包括：一加熱室，連接至該處理室並對穿過該加熱室的該基板進行預先加熱；一載入互鎖真空室，連接至該加熱室；以及一載入/卸載室，連接至該載入互鎖真空室，並包括用於向該載入互鎖真空室中載入該載具或從該載入互鎖真空室卸載該載具的載入/卸載單元。
12. 如請求項11所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該載入/卸載單元包括用於載送該載具的一夾具。
13. 如請求項11所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該載入/卸載單元包括用於載送該載具的一機械手。
14. 如請求項11所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該處理室、該加 熱室、該載入互鎖真空室以及該載入/卸載室形成用一於直列式製程的一生產線。
15. 如請求項14所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該用於直列式工藝的該生產線包括至少一條循環線，並且在該循環線的循環點處還設置緩衝室，以用於反轉該載具或該基板的方向。
16. 如請求項11所述的濺鍍裝置，其特徵在於，該處理室包括沿徑向排列的複數個處理室，並且一傳送室呈群簇形式，該群簇形式設置於該加熱室與該複數個處理室之間。