CN101695696B - 一种硅片清洗方法 - Google Patents
一种硅片清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101695696B CN101695696B CN 200910035260 CN200910035260A CN101695696B CN 101695696 B CN101695696 B CN 101695696B CN 200910035260 CN200910035260 CN 200910035260 CN 200910035260 A CN200910035260 A CN 200910035260A CN 101695696 B CN101695696 B CN 101695696B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- ultrasonic
- minute
- temperature
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及硅片加工方法,特别涉及硅片清洗方法;其特征在于如下步骤:将硅片放入煤油浸泡;将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗,冲洗,将硅片放入BS-1溶液超声洗,将硅片放入无水乙醇脱水,脱水后硅片放入烘箱烘;本发明有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质,确保硅片表面清洁度,不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液,消耗大量的电力以及花费许多时间,该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。
Description
一、技术领域:
本发明涉及硅片加工方法,特别涉及硅片清洗方法。
二、背景技术
硅片就是以硅为材料制造的片状物体,一般是指纯度很高的结晶硅(单晶硅)制成的,单晶硅的分子结构非常稳定,很少有自由电子产生,因此其导电能力很差。若在单晶硅中掺入某些3或5价的元素,分子结构将发生很大改变,其导电能力将得到很大的提高,但与金属等导体的导电能力比还是较低,因此称为半导体。根据掺杂元素的不同,可以制造出N型和P型半导体,它们都是制造电子元件的主要材料。随着科学技术的发展,在硅片可以直接制造出完成各种功能的电子线路,将能够完成某些功能的电子线路在硅片制造出来就称为半导体芯片了。
生产硅片时需要对硅片进行清洗,以去除各种污染物。化学湿法清洗由于能够简单而且批量地除去各种污染物,所以得到广泛采用。例如,利用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM,H2SO4/H2O2)除去有机物,利用APM除去微粒,利用HPM除去金属,然后利用稀释氢氟酸(DHF,HF/H2O)除去自然氧化膜和化学氧化膜。考虑到清洗效果,可以建立这样的清洗顺序:SPM→水洗→DHF→水洗→APM→水洗→DHF→水洗→HPM→水洗→DHF→水洗→干燥。这是一种实际使用的清洗顺序。从清除污染物的角度来看,可以说是一种万全的清洗顺序。
但是应该看到,为了完成这样长的清洗过程,需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液,并且消耗大量的电力以及花费许多时间。特别值得注意的是装置的大小。可以说超净室中占据空间最大的就是清洗装置。所以,在权衡节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及清洗效果这些因素后,需要一种新的清洗方法。
三、发明内容:
技术目的
本发明提供一种硅片清洗方法,去除附著在硅片上的残留研磨砂和杂质,确保硅片表面清洁度,该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。
技术方案
本发明有如下步骤完成,其特征在于:
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时;
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为50-70℃;
c.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40-60℃;
e.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为30-50℃;
g.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟;
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟,烘箱温度为70-80℃;
k.成品
所述的BS-1溶液为1000ml水中含有3.26g乙酸钠和10ml冰醋酸配制而成;所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水=400g∶60g∶16L配制而成,所述的SDS为十二烷基磺酸钠;
作为一种优化方式,所述将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为50℃。;将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40℃。
有益效果
1.采用BS-1溶液代替硫酸与过氧化氢混合溶液,有效清除杂质,且条件温和。
2.所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水=400g∶60g∶16L配制而成,清洗效果良好,不要大量纯净水进行洗涤。
3.本发明有效地去除附著在硅片上的残留研磨砂和杂质,确保硅片表面清洁度,不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液,消耗大量的电力以及花费许多时间,该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果。
四、具体实施方式
实施例1
一种硅片清洗方法,有如下步骤完成:
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时;
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为60℃;
c.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为50℃;
e.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40℃;
g.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟;
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟,烘箱温度为70-80℃;
k.成品。
实施例2
一种硅片清洗方法,有如下步骤完成:
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时;
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为70℃;
c.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40℃;
e.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为30℃;
g.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟;
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟,烘箱温度为70-80℃;
k.成品。
实施例3
一种硅片清洗方法,有如下步骤完成:
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时;
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为50℃;
c.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为60℃;
e.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40℃;
g.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟;
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟,烘箱温度为70-80℃;
k.成品。
Claims (3)
1.一种硅片清洗的方法,其特征在于如下步骤:
a.先将硅片放入煤油浸泡1-2小时;
b.将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为50-70℃;
c.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
d.将硅片放入BS-1溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为40-60℃;
e.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
f.将硅片放入纯净水超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为30-50℃;
g.硅片冷却至室温,用流动水冲洗1分钟;
h.将硅片放入无水乙醇脱水3-5分钟;
i.将脱水后硅片放入烘箱烘30-50分钟,烘箱温度为70-80℃;
k.成品。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗的方法,其特征在于:所述的氢氧化钠溶液由氢氧化钠∶SDS∶纯净水=400g∶60g∶16L配制而成。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法,其特征在于,步骤b进一步具体为:将硅片放入氢氧化钠溶液超声洗30分钟,超声波功率设为100W,温度为60℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200910035260 CN101695696B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 一种硅片清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200910035260 CN101695696B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 一种硅片清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101695696A CN101695696A (zh) | 2010-04-21 |
CN101695696B true CN101695696B (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=42140842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200910035260 Expired - Fee Related CN101695696B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 一种硅片清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101695696B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101937845A (zh) * | 2010-08-24 | 2011-01-05 | 如皋市日鑫电子有限公司 | 一种二极管台面处理工艺 |
CN102082204B (zh) * | 2010-12-02 | 2012-10-10 | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 | 一种减少槽式去psg设备产生水渍的方法 |
CN102527662A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-04 | 湖北泰晶电子科技有限公司 | 一种石英晶体素子的清洗方法 |
CN102513306A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 保定天威英利新能源有限公司 | 太阳能电池片装卸用陶瓷吸片的清洗方法 |
CN103721968A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 江苏天宇光伏科技有限公司 | 一种提高电池转换效率的制绒清洗方法 |
CN103078601B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-02-24 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种用于石英晶片的金属粘接方法 |
CN103639149B (zh) * | 2013-12-09 | 2016-01-06 | 山东百利通亚陶科技有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
CN104190669B (zh) * | 2014-09-09 | 2017-02-08 | 盐城市华鸥实业有限公司 | 一种玻璃仪器清洗方法 |
CN105598076A (zh) * | 2015-12-26 | 2016-05-25 | 湖南长材电工科技有限公司 | 一种高效无损伤冷缩电缆附件清洁方法 |
CN107413760B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-08-11 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种对雷达电子组件上的助焊剂的水基环保清洗方法及清洗装置 |
CN109755099B (zh) * | 2017-11-01 | 2022-04-08 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片扩散后清洗工艺 |
CN108655086A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-16 | 苏州珮凯科技有限公司 | 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 |
CN114871161A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-09 | 核工业西南物理研究院 | 一种适用于托卡马克超高真空环境的金属零件清洁方法 |
-
2009
- 2009-09-23 CN CN 200910035260 patent/CN101695696B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101695696A (zh) | 2010-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101695696B (zh) | 一种硅片清洗方法 | |
CN101276856A (zh) | 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备 | |
CN102304444B (zh) | 环保型太阳能级硅片水基清洗剂 | |
CN100428406C (zh) | 半导体管芯总成晶粒表面的处理方法 | |
CN103774239B (zh) | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 | |
CN107658367A (zh) | 一种异质结电池的湿化学处理方法 | |
CN100428405C (zh) | 半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法 | |
CN103938276A (zh) | 一种单晶硅片制绒添加剂、制绒液及对应的制绒方法 | |
CN103464415A (zh) | 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法 | |
TWI596668B (zh) | 一種半導體晶圓的拋光方法 | |
CN106373862A (zh) | 适于异质结电池片湿法清洗的处理方法 | |
CN103013711A (zh) | 一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺 | |
CN103394484A (zh) | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 | |
CN103111434A (zh) | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 | |
CN104934339A (zh) | 一种晶体硅片位错检测方法 | |
CN103480598A (zh) | 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备 | |
CN107516693B (zh) | 一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法 | |
CN109585268A (zh) | 一种碳化硅晶片的清洗方法 | |
CN110571309B (zh) | 一种去除Poly绕镀清洗方法 | |
CN104393094B (zh) | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 | |
TW508681B (en) | Cleaning method of semiconductor manufacture process for preventing metal corrosion | |
CN101826451A (zh) | 一种超薄氧化层生长前清洗工艺 | |
CN113245279A (zh) | 陶瓷件清洗方法 | |
Sun et al. | A new texturing technique of monocrystalline silicon surface with sodium hypochlorite | |
CN104252103A (zh) | 光刻返工后残留光刻胶的去除方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110824 Termination date: 20120923 |