CN108655086A - 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 - Google Patents

半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，包括如下步骤：1)取石英绝缘环，浸泡于清洗用水内20~30分钟；2)取出石英绝缘环，进行第一轮超声波清洗；3)进行第二轮超声波清洗；4)进行第三轮超声波清洗；5)对石英绝缘环进行高压喷淋清洗；6)送入烘箱，将石英绝缘环烘烤5~10分钟；7)由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室，对石英绝缘环进行急速冷冻，冷冻时长30~60分钟；8)取出石英绝缘环，敲打石英绝缘环表面，自然升温至室温，完成对所述石英绝缘环的再生。所述再生方法不采用任何化学试剂，通过热胀冷缩的物理学原理，即可实现对石英绝缘环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。

Description

半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法
技术领域
本发明属于石英绝缘环再生技术领域，具体的，涉及一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法。
背景技术
晶元（Wafer），是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制得多晶硅，多晶硅再经熔融、单晶晶核提拉制成具有一定晶体学取向的单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶元。晶元是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等。晶元越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但对材料技术和生产技术的要求更高。
对于计算机产品而言，芯片可以说是其精髓所在，毕竟芯片的等级也就决定了产品的性能表现以及功耗、发热量等额外因素，作为芯片的前身，晶圆的品质和制程就成为消费者以及厂商所共同关心的。
晶圆制程过程中，包括蚀刻工艺，即利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
基于半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺生产的石英绝缘环，即是其中有一项重要产品，近年来，由于产能跟不上需求量的增长速度，使得石英绝缘环的再生和重复利用，逐渐引发人们的关注。
石英绝缘环的材质以石英为主，对于石英的清洗、再生，目前国内主要存在如下专利文献：
中国专利公开号：102249522A，公开了一种用于光伏生产的石英件的清洗方法，其包括如下步骤：Ａ）首先将炉内的温度调节到１１５０℃～１２００℃；Ｂ）同时向扩散炉的炉腔内输入流量为２５－５０Ｌ／ｍｉｎ的氮气、流量为０．５～２．５Ｌ／ｍｉｎ的三氯氧磷及流量为０．８～３．４Ｌ／ｍｉｎ的氧气，输入时间为１２０～３００分钟，上述氮气、三氯氧磷、氧气从扩散炉的进口输入，途经石英件再从扩散炉的出口输出，该种清洗方法不但有利于安全生产，而且还可降低生产成本。然而，该专利所提供的清洗方法，会采用各种化学试剂对石英件进行清洗、再生，过多化学试剂的使用，会对环境造成难以逆转的污染。
发明内容
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，所述再生方法不采用任何化学试剂，通过热胀冷缩的物理学原理，即可实现对石英绝缘环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，所述方法包括如下步骤：
1)取石英绝缘环，放置于清洗槽内，浸泡于清洗用水内20~30分钟；
2)取出石英绝缘环，送入第一超声波清洗机，进行第一轮超声波清洗，超声波功率为80~100KHz；
3)取出石英绝缘环，送入第二超声波清洗机，进行第二轮超声波清洗，超声波功率为150~200KHz；
4)取出石英绝缘环，送入第三超声波清洗机，进行第三轮超声波清洗，超声波功率为300~400KHz；
5) 取出石英绝缘环，送入高压喷淋机，对石英绝缘环进行高压喷淋清洗；
6)将高压喷淋清洗后的石英绝缘环送入烘箱，设置烘箱温度700~800℃，将石英绝缘环烘烤5~10分钟，使得石英绝缘环表面附着物熔化、液化；
7)将高温烘烤后的石英绝缘环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室，以40~50℃/分钟的降温速度降温至-30~-20℃，对石英绝缘环进行急速冷冻，冷冻时长30~60分钟，使得石英绝缘环表面附着物结块；
8)取出石英绝缘环，敲打石英绝缘环表面，使得表面附着物破碎、脱落，自然升温至室温，完成对所述石英绝缘环的再生。
进一步地，步骤1)所述清洗用水为去离子水。
进一步地，步骤2)中超声波清洗用水为超纯水，水温60~70℃，清洗时长4~6分钟。
进一步地，步骤3)中超声波清洗用水为去离子水，水温为60~80℃，清洗时长为5~10分钟。
进一步地，步骤4)中超声波清洗用水为超纯水，水温70~80℃，清洗时长为8~12分钟。
进一步地，步骤5)采用高压喷头对石英绝缘环进行高压喷淋清洗，高压喷头喷射压力为0.5~2MPa。
进一步地，步骤7)采用干冰或液氮将石英绝缘环降温至-30~-20℃。
进一步地，步骤5)在高压喷淋清洗过程中，将石英绝缘环套设于一轴杆上，轴杆表面设置有用于支撑石英绝缘环的支撑杆，轴杆均速旋转，使得石英绝缘环外周得到充分喷淋清洗。
本发明具有如下优点：
所述再生方法首先通过三轮超声波清洗，对石英绝缘环表面附着物进行超声波处理，然后在700~800℃的高温下烘烤，再采用干冰或液氮将石英绝缘环急速冷却至-30~-20℃，即可有效剥离附着于石英绝缘环表面的附着物，整个过程不采用任何化学试剂，通过热胀冷缩的物理学原理，即可实现对石英绝缘环的清洗、再生，再生成本低、节能环保，对环境友好、无污染。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明所提供的一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，所述方法包括如下步骤：
1) 取石英绝缘环，放置于清洗槽内，浸泡于清洗用水内20~30分钟；
2)取出石英绝缘环，送入第一超声波清洗机，进行第一轮超声波清洗，超声波功率为80~100KHz；
3) 取出石英绝缘环，送入第二超声波清洗机，进行第二轮超声波清洗，超声波功率为150~200KHz；
4) 取出石英绝缘环，送入第三超声波清洗机，进行第三轮超声波清洗，超声波功率为300~400KHz；
5) 取出石英绝缘环，送入高压喷淋机，对石英绝缘环进行高压喷淋清洗；
6)将高压喷淋清洗后的石英绝缘环送入烘箱，设置烘箱温度700~800℃，将石英绝缘环烘烤5~10分钟，使得石英绝缘环表面附着物熔化、液化；
7) 将高温烘烤后的石英绝缘环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室，以40~50℃/分钟的降温速度降温至-30~-20℃，对石英绝缘环进行急速冷冻，冷冻时长30~60分钟，使得石英绝缘环表面附着物结块；
8)取出石英绝缘环，敲打石英绝缘环表面，使得表面附着物破碎、脱落，自然升温至室温，完成对所述石英绝缘环的再生。
进一步地，步骤1)所述清洗用水为去离子水。
进一步地，步骤2)中超声波清洗用水为超纯水，水温60~70℃，清洗时长4~6分钟。
进一步地，步骤3)中超声波清洗用水为去离子水，水温为60~80℃，清洗时长为5~10分钟。
进一步地，步骤4)中超声波清洗用水为超纯水，水温70~80℃，清洗时长为8~12分钟。
进一步地，步骤5)采用高压喷头对石英绝缘环进行高压喷淋清洗，高压喷头喷射压力为0.5~2MPa。
进一步地，步骤7)采用干冰或液氮将石英绝缘环降温至-30~-20℃。
进一步地，步骤5)在高压喷淋清洗过程中，将石英绝缘环套设于一轴杆上，轴杆表面设置有用于支撑石英绝缘环的支撑杆，轴杆均速旋转，使得石英绝缘环外周得到充分喷淋清洗。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。

Claims (8)

1.一种半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
1)取石英绝缘环，放置于清洗槽内，浸泡于清洗用水内20~30分钟；
2)取出石英绝缘环，送入第一超声波清洗机，进行第一轮超声波清洗，超声波功率为80~100KHz；
3)取出石英绝缘环，送入第二超声波清洗机，进行第二轮超声波清洗，超声波功率为150~200KHz；
4)取出石英绝缘环，送入第三超声波清洗机，进行第三轮超声波清洗，超声波功率为300~400KHz；
5)取出石英绝缘环，送入高压喷淋机，对石英绝缘环进行高压喷淋清洗；
6)将高压喷淋清洗后的石英绝缘环送入烘箱，设置烘箱温度700~800℃，将石英绝缘环烘烤5~10分钟，使得石英绝缘环表面附着物熔化、液化；
7)将高温烘烤后的石英绝缘环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室，以40~50℃/分钟的降温速度降温至-30~-20℃，对石英绝缘环进行急速冷冻，冷冻时长30~60分钟，使得石英绝缘环表面附着物结块；
8)取出石英绝缘环，敲打石英绝缘环表面，使得表面附着物破碎、脱落，自然升温至室温，完成对所述石英绝缘环的再生。
2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤1)所述清洗用水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤2)中超声波清洗用水为超纯水，水温60~70℃，清洗时长4~6分钟。
4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤3)中超声波清洗用水为去离子水，水温为60~80℃，清洗时长为5~10分钟。
5.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤4)中超声波清洗用水为超纯水，水温70~80℃，清洗时长为8~12分钟。
6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤5)采用高压喷头对石英绝缘环进行高压喷淋清洗，高压喷头喷射压力为0.5~2MPa。
7.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤7)采用干冰或液氮将石英绝缘环降温至-30~-20℃。
8.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法，其特征在于，步骤5)在高压喷淋清洗过程中，将石英绝缘环套设于一轴杆上，轴杆表面设置有用于支撑石英绝缘环的支撑杆，轴杆均速旋转，使得石英绝缘环外周得到充分喷淋清洗。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112845397A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 河南科技大学第一附属医院 一种玻切管用干洗式清洁器

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3948679A (en) * 1974-11-27 1976-04-06 Halliburton Company Cleaning liquid systems including controlled heating and cooling of the liquid
US4777804A (en) * 1987-08-26 1988-10-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase
JPH03152928A (ja) * 1989-11-09 1991-06-28 Sony Corp 被処理体の洗浄方法
US6341997B1 (en) * 2000-08-08 2002-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for recycling a polishing pad conditioning disk
CN1850360A (zh) * 2005-12-02 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法
CN101204706A (zh) * 2006-12-21 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种石英材料零件的清洗方法
CN101439341A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体制程设备零部件的清洗方法
CN101651085A (zh) * 2008-08-14 2010-02-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 晶片清洗装置及清洗方法
CN101695696A (zh) * 2009-09-23 2010-04-21 镇江市港南电子有限公司 一种硅片清洗方法
CN102674372A (zh) * 2012-05-04 2012-09-19 武汉理工大学 一种超低金属元素高纯石英的提纯方法
CN103464412A (zh) * 2012-06-05 2013-12-25 株式会社电装 用于从物品除去污染物的清洗方法及设备
CN105177614A (zh) * 2015-08-19 2015-12-23 苏州吴江春宇电子股份有限公司 一种清洗生产线用高温脱脂槽
CN106269713A (zh) * 2015-05-19 2017-01-04 四平维克斯换热设备有限公司 板式热交换器的高温固化密封胶垫与板片的分离方法
CN107171652A (zh) * 2017-05-24 2017-09-15 广东惠伦晶体科技股份有限公司 一种石英晶片的化砣工艺
CN107364870A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 宁晋松宫电子材料有限公司 一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺
CN107460489A (zh) * 2017-07-04 2017-12-12 河池桂嘉知识产权服务有限公司 去除钢铁表面锈迹的方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3948679A (en) * 1974-11-27 1976-04-06 Halliburton Company Cleaning liquid systems including controlled heating and cooling of the liquid
US4777804A (en) * 1987-08-26 1988-10-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase
JPH03152928A (ja) * 1989-11-09 1991-06-28 Sony Corp 被処理体の洗浄方法
US6341997B1 (en) * 2000-08-08 2002-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for recycling a polishing pad conditioning disk
CN1850360A (zh) * 2005-12-02 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法
CN101204706A (zh) * 2006-12-21 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种石英材料零件的清洗方法
CN101439341A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体制程设备零部件的清洗方法
CN101651085A (zh) * 2008-08-14 2010-02-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 晶片清洗装置及清洗方法
CN101695696A (zh) * 2009-09-23 2010-04-21 镇江市港南电子有限公司 一种硅片清洗方法
CN102674372A (zh) * 2012-05-04 2012-09-19 武汉理工大学 一种超低金属元素高纯石英的提纯方法
CN103464412A (zh) * 2012-06-05 2013-12-25 株式会社电装 用于从物品除去污染物的清洗方法及设备
CN106269713A (zh) * 2015-05-19 2017-01-04 四平维克斯换热设备有限公司 板式热交换器的高温固化密封胶垫与板片的分离方法
CN105177614A (zh) * 2015-08-19 2015-12-23 苏州吴江春宇电子股份有限公司 一种清洗生产线用高温脱脂槽
CN107171652A (zh) * 2017-05-24 2017-09-15 广东惠伦晶体科技股份有限公司 一种石英晶片的化砣工艺
CN107460489A (zh) * 2017-07-04 2017-12-12 河池桂嘉知识产权服务有限公司 去除钢铁表面锈迹的方法
CN107364870A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 宁晋松宫电子材料有限公司 一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112845397A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 河南科技大学第一附属医院 一种玻切管用干洗式清洁器

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