CN101582381A - 薄膜晶体管的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底；在生长基底表面均匀形成一催化剂层；将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入碳源气体及载气，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，在生长基底表面生长一单壁碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接；在所述碳纳米管层表面形成一绝缘层；以及在所述绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管。

Description

薄膜晶体管的制备方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，尤其涉及一种基于碳纳米管的薄膜晶体管的制备方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是现代微电子技术中的一种关键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域。薄膜晶体管主要包括栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极。其中，源极和漏极间隔设置并与半导体层电连接，栅极通过绝缘层与半导体层及源极和漏极间隔绝缘设置。所述半导体层位于所述源极和漏极之间的区域形成一沟道区域。薄膜晶体管中的栅极、源极、漏极均由导电材料构成，该导电材料一般为金属或合金。当在栅极上施加一电压时，与栅极通过绝缘层间隔设置的半导体层中的沟道区域会积累载流子，当载流子积累到一定程度，与半导体层电连接的源极漏极之间将导通，从而有电流从源极流向漏极。在实际应用中，对薄膜晶体管的要求是希望得到较大的开关电流比。影响上述开关电流比的因素除薄膜晶体管的制备工艺外，薄膜晶体管半导体层中半导体材料的载流子迁移率为影响开关电流比的最重要的影响因素之一。
现有技术中，薄膜晶体管中形成半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或有机半导体聚合物等(R.E.I.Schropp，B.Stannowski，J.K.Rath，New challengesin thin film transistor research，Journal of Non-Crystalline Solids，299-302，1304-1310(2002))。以非晶硅作为半导体层的非晶硅薄膜晶体管的制备技术较为成熟，但在非晶硅薄膜晶体管中，由于半导体层中通常含有大量的悬挂键，使得载流子的迁移率很低，从而导致薄膜晶体管的响应速度较慢。以多晶硅作为半导体层的薄膜晶体管相对于以非晶硅作为半导体层的薄膜晶体管，具有较高的载流子迁移率，因此响应速度也较快。但多晶硅薄膜晶体管低温制备成本较高，方法较复杂，大面积制备困难，且多晶硅薄膜晶体管的关态电流较大。相较于上述传统的无机薄膜晶体管，采用有机半导体做半导体层的有机薄膜晶体管具有成本低、制备温度低的优点，且有机薄膜晶体管具有较高的柔韧性。但由于有机半导体聚合物在常温下多为跳跃式传导，表现出较高的电阻率、较低的载流子迁移率，使得有机薄膜晶体管的响应速度较慢。
碳纳米管具有优异的力学及电学性能。并且，随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性。半导体性的碳纳米管具有较高的载流子迁移率(一般可达1000～1500cm2V-1s-1)，是制备晶体管的理想材料。现有技术中已有报道采用半导体性碳纳米管形成碳纳米管层作为薄膜晶体管的半导体层。上述采用碳纳米管层作为半导体层的薄膜晶体管的制备方法主要包括以下步骤：将碳纳米管粉末分散于有机溶剂中；通过喷墨打印的方法将碳纳米管与有机溶剂的混合液打印在绝缘基板上，待有机溶剂挥发后，在绝缘基板的预定位置上形成一碳纳米管层；通过沉积及刻蚀金属薄膜的方法在碳纳米管层上形成源极及漏极；在碳纳米管层上沉积一层氮化硅形成一绝缘层；以及在绝缘层上沉积一金属薄膜形成栅极。然而，在上述方法中，碳纳米管需要通过有机溶剂进行分散，碳纳米管易团聚，且分散所用的有机溶剂易残留在碳纳米管层中，影响薄膜晶体管的性能。另外，通过有机溶剂结合的碳纳米管层的结构松散，柔韧性差，不利于制备柔性的薄膜晶体管。
综上所述，确有必要提供一种薄膜晶体管的制备方法，该制备方法简单、适于低成本大量生产，该薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率，较高的响应速度，以及较好的柔韧性。
发明内容
一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底；在生长基底表面均匀形成一催化剂层；将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入碳源气体及载气，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，在生长基底表面生长一单壁碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接；在所述碳纳米管层表面形成一绝缘层；以及在所述绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管。
本技术方案实施例提供的采用直接生长的无序生长的碳纳米管层作为半导体层的薄膜晶体管的制备方法具有以下优点：其一，本技术方案通过直接生长纯净的单壁半导体性碳纳米管层作为薄膜晶体管的半导体层，这种半导体层的形成方法比现有技术中的喷墨打印法形成薄膜晶体管半导体层的方法简单，无需经过在有机溶剂中分散碳纳米管的步骤。得到的碳纳米管薄膜中碳纳米管分布均匀，且纯度较高，避免了现有技术中形成的碳纳米管层中碳纳米管易团聚，从而分布不均，且碳纳米管层中易残留有机溶剂的问题。其二，通过控制碳源气与保护气体的比例可以控制得到的碳纳米管的半径，从而得到半导体性的碳纳米管。半导体性的碳纳米管具有较高的载流子迁移率，作为半导体层可以使薄膜晶体管具有较大的载流子迁移率和较快响应速度。其三，通过控制生长条件使得到的碳纳米管层中的碳纳米管无序且相互缠绕，因此碳纳米管层具有较好的韧性及机械强度，故采用该无序排列的碳纳米管层作为半导体层，可以相应的提高薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列的柔韧性。其四，由于本实施例所提供的碳纳米管层具有较大黏性，可以黏附于其它基底表面，因此，可以采用一转印步骤将碳纳米管层转印到其它基底上，该基底的材料可以选择不耐高温的柔性材料，有利于制备柔性的薄膜晶体管。
附图说明
图1是本技术方案第一实施例薄膜晶体管的制备方法的流程图。
图2是本技术方案第一实施例薄膜晶体管的制备工艺流程图。
图3是本技术方案第一实施例薄膜晶体管中碳纳米管层的扫描电镜照片。
图4是本技术方案第二实施例薄膜晶体管的制备方法的流程图。
图5是本技术方案第二实施例薄膜晶体管的制备工艺流程图。
图6是本技术方案第三实施例薄膜晶体管的制备方法的流程图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案实施例提供的薄膜晶体管的制备方法。
请参阅图1及图2，本技术方案第一实施例提供一种顶栅型薄膜晶体管10的制备方法，主要包括以下步骤：
步骤一：提供一生长基底110。
所述生长基底110为一耐高温绝缘基底，其材料不限，只要确保其熔点高于所述碳纳米管的生长温度且绝缘即可。另外，所述生长基底110的材料也可选用大规模集成电路中的基板的材料。所述生长基底110形状不限，可为方形、圆形等任何形状。所述生长基底110的大小尺寸不限，具体可根据实际情况而定。所述生长基底110具有一平整的表面。具体地，该生长基底110可选用P型或N型硅基底、形成有氧化层的硅基底、透明石英基底、或形成有氧化层的透明石英基底。本实施例优选为采用形成有氧化层的硅基底，上述氧化层可以为一氧化硅层，上述生长基底110直径为4英寸。
步骤二：在生长基底110表面均匀形成一催化剂层。
本技术方案中，通过电子束蒸发沉积等物理沉积方法在上述生长基底110表面均匀沉积一催化剂层。该催化剂层为一金属层。上述催化剂层的材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镁(Mg)或他们的合金。催化剂层的厚度为几纳米到几百纳米。
本技术方案选为采用铁金属层作为催化剂层。具体地，在上述生长基底110上通过电子束蒸发法沉积一铁金属层。铁金属层的厚度为0.1～3纳米。上述超薄催化剂层有利于单壁碳纳米管的生长。
步骤三：将形成有催化剂层的生长基底110置于反应炉中，在保护气体环境下加热至500～740℃，通入载气与碳源气体，控制载气与碳源气的体积比约为100∶1至100∶10范围内，生长得到无序的单壁碳纳米管层140，作为薄膜晶体管10的半导体层。
步骤三具体包括以下步骤：首先，将形成有催化剂层的生长基底110置于反应炉中；其次，在反应炉中通入保护气体并加热上述形成有催化剂层的生长基底110至500～740℃；最后，在反应炉中通入碳源气与载气反应约5～30分钟。其中，碳源气的流量约为5～50sccm，优选为20sccm。载气的流量约为500sccm。碳源气可选用乙炔、乙烯、甲烷、一氧化碳等化学性质较活泼的碳氢化合物，优选为乙炔。载气为氢气。保护气体为氮气或惰性气体。
通过上述步骤三生长的碳纳米管的管壁数与载气和碳源气的比例相关。通过将上述载气与碳源气的体积比控制在100∶1至100∶10的范围内，可以控制生长得到的碳纳米管层140中的碳纳米管为单壁碳纳米管，并且，可以控制该碳纳米管的直径在0.5纳米到10纳米之间。本实施例中生长得到的碳纳米管的直径为2纳米。碳纳米管层140的厚度为0.5纳米～100微米。
如图3所示，该碳纳米管层140包括多个无序并相互缠绕生长的含有半导体性碳纳米管的碳纳米管层140。通过上述控制生长条件，该碳纳米管层140中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。碳纳米管层140中半导体性碳纳米管的比例占碳纳米管总质量的2/3。
可以理解，由于上述碳纳米管的生长温度较高，因此，上述生长基底110的材料必须选用耐高温的硬性材料，从而限制了基底材料的选择。为使该薄膜晶体管10能够采用更广泛的基底材料，尤其为一柔性基底材料，从而形成一柔性薄膜晶体管10，在生长碳纳米管层140后可以进一步通过一转印步骤，将该碳纳米管层140转印在柔性基底上。
具体地，该转印步骤包括以下步骤：首先，提供一绝缘基底；其次，将该形成有碳纳米管层140的生长基底110倒扣在绝缘基底上使碳纳米管层140表面与绝缘基底表面接触，从而形成一从上到下依次包括生长基底110、碳纳米管层140以及绝缘基底的三层结构；再次，热压该三层结构；最后，移去生长基底110，从而使上述碳纳米管层140黏附于绝缘基底表面。
该绝缘基底的材料为一柔性材料，如塑料或树脂材料等。本实施例中，该绝缘基底为一PET薄膜。热压的温度及时间取决于绝缘基底的材料种类。当该绝缘基底的材料为一塑料或树脂时，热压温度为50～200℃，热压时间为5～30分钟。由于本实施例生长的无序碳纳米管层140中的碳纳米管非常纯净，且由于碳纳米管本身的比表面积非常大，所以该碳纳米管层140本身具有较强的粘性。因此，当将碳纳米管层140的生长基底110倒扣在绝缘基底上时，碳纳米管层140能够黏附于绝缘基底表面。通过热压步骤，碳纳米管与绝缘基底表面的结合更为紧密，从而能够容易地与生长基底110分离。
步骤四：间隔形成一源极151及一漏极152，并使该源极151及漏极152与上述碳纳米管层140电连接。
该源极151及漏极152的材料应具有较好的导电性。具体地，该源极151及漏极152的材料可以为金属、合金、铟锡氧化物(ITO)、锑锡氧化物(ATO)、导电银胶、导电聚合物以及碳纳米管薄膜等导电材料。根据形成源极151及漏极152的材料种类的不同，可以采用不同方法形成该源极151及漏极152。具体地，当该源极151及漏极152的材料为金属、合金、ITO或ATO时，可以通过蒸镀、溅射、沉积、掩模及刻蚀等方法形成源极151及漏极152。当该源极151及漏极152的材料为导电银胶、导电聚合物或碳纳米管薄膜时，可以通过印刷涂附或直接黏附的方法，将该导电银胶或碳纳米管薄膜涂附或黏附于生长基底110/绝缘基底或碳纳米管层140表面，形成源极151及漏极152。一般地，该源极151及漏极152的厚度为0.5纳米～100微米，源极151至漏极152之间的距离为1～100微米。
本实施例中，该源极151及漏极152材料为金属。上述步骤四具体可通过两种方式进行。第一种方式具体包括以下步骤：首先，在上述碳纳米管层140表面均匀涂覆一层光刻胶；其次，通过曝光及显影等光刻方法在光刻胶上形成源极151及漏极152区域，在该源极151及漏极152区域露出该碳纳米管层140；再次，通过真空蒸镀、磁控溅射或电子束蒸发沉积等沉积方法在上述光刻胶、源极151及漏极152区域表面沉积一金属层，优选为钯、钛或镍金属层；最后，通过丙酮等有机溶剂去除光刻胶及其上的金属层，即得到形成在碳纳米管层140上的源极151及漏极152。第二种方式具体包括以下步骤：首先，在碳纳米管层140表面沉积一金属层；其次，在该金属层表面涂覆一层光刻胶；再次，通过曝光及显影等光刻方法去除源极151区域及漏极152区域外的光刻胶；最后，通过等离子体刻蚀等方法去除源极151区域及漏极152区域外的金属层，并以丙酮等有机溶剂去除源极151区域及漏极152区域上的光刻胶，即得到形成在碳纳米管层140上的源极151及漏极152。本实施例中，该源极151及漏极152的厚度为1微米，源极151至漏极152之间的距离为50微米。
可以理解，为了得到具有更好的半导体性的碳纳米管层140，在形成源极151及漏极152之后，可以进一步包括一去除碳纳米管层140中的金属性碳纳米管的步骤。具体包括以下步骤：首先，提供一外部电源，其次，将外部电源的正负两极连接至源极151及漏极152；最后，通过外部电源在源极151及漏极152两端施加一较大电压，使金属性的碳纳米管发热并烧蚀，获得一半导体性的碳纳米管层140。
另外，上述去除碳纳米管层140中金属性碳纳米管的方法也可以使用氢等离子体、微波、太赫兹(THz)、红外线(IR)、紫外线(UV)或可见光(Vis)照射该碳纳米管层140，使金属性的碳纳米管发热并烧蚀，获得一半导体性的碳纳米管层140。
步骤五：在上述碳纳米管层140上形成一绝缘层130。
该绝缘层130的材料可以为氮化硅、氧化硅等硬性材料或苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂等柔性材料。根据绝缘层130的材料种类的不同，可以采用不同方法形成该绝缘层130。具体地，当该绝缘层130的材料为氮化硅或氧化硅时，可以通过沉积的方法形成绝缘层130。当该绝缘层130的材料为苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂时，可以通过印刷涂附的方法形成绝缘层130。一般地，该绝缘层130的厚度为0.5纳米～100微米。
本实施方式中采用等离子体化学气相沉积等沉积方法形成一氮化硅绝缘层130覆盖于碳纳米管层140及形成在碳纳米管层140上的源极151及漏极152表面。绝缘层130的厚度约为1微米。
可以理解，根据薄膜晶体管10的不同应用，可以采用与形成源极151及漏极152相似的光刻或刻蚀的方法将所述源极151及漏极152的一部分暴露在绝缘层130外。
步骤六：形成一栅极120于所述绝缘层130表面，得到一薄膜晶体管10。
该栅极120的材料应具有较好的导电性。具体地，该栅极120的材料可以为金属、合金、ITO、ATO、导电银胶、导电聚合物以及碳纳米管薄膜等导电材料。该金属或合金材料可以为铝、铜、钨、钼、金或它们的合金。具体地，当该栅极120的材料为金属、合金、ITO或ATO时，可以通过蒸镀、溅射、沉积、掩模及刻蚀等方法形成栅极120。当该栅极120的材料为导电银胶、导电聚合物或碳纳米管薄膜时，可以通过直接黏附或印刷涂附的方法形成栅极120。一般地，该栅极120的厚度为0.5纳米～100微米。
本技术方案实施例中通过与形成源极151及漏极152相似的方法在绝缘层130表面且与半导体层相对的位置形成一导电薄膜作为栅极120。该栅极120通过绝缘层130与半导体层电绝缘。本技术方案实施例中，所述栅极120的材料为铝，栅极120的厚度约为1微米。
请参阅图4及图5，本技术方案第二实施例提供一种底栅型薄膜晶体管20的制备方法，其与第一实施例中薄膜晶体管10的制备方法基本相同。主要区别在于，本实施例中形成的薄膜晶体管20为一底栅型结构。本技术方案第二实施例薄膜晶体管20的制备方法包括以下步骤：
步骤一：提供一生长基底。
步骤二：在生长基底表面均匀形成一催化剂层。
步骤三：将形成有催化剂层的生长基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热至500～740℃，通入载气与碳源气体，控制载气与碳源气的体积比约为100∶1至100∶10范围内，生长得到无序的单壁碳纳米管层240。
步骤四：提供一绝缘基底210。
步骤五：形成一栅极220于所述绝缘基底210表面。
步骤六：形成一绝缘层230覆盖所述栅极220。
步骤七：转印该碳纳米管层240至所述绝缘层230表面。
该转印步骤具体包括以下步骤：首先，将该形成有碳纳米管层240的生长基底倒扣在绝缘基底210上使碳纳米管层240表面与绝缘层230表面接触，从而形成一从上到下依次包括生长基底、碳纳米管层240以及绝缘基底210的三层结构；再次，热压该三层结构；最后，移去生长基底，从而使上述碳纳米管层240黏附于绝缘层表面。
当将该形成有碳纳米管层240的生长基底倒扣在绝缘基底210上时，应确保该碳纳米管层240表面与绝缘层230表面相贴合，从而使碳纳米管层240黏附在绝缘层230上。
步骤八：间隔形成一源极251及一漏极252，并使该源极251及漏极252与上述碳纳米管层240电连接。
所述源极251、漏极252、栅极220及绝缘层230均可采用与第一实施例相同的方法形成。
请参阅图6，本技术方案第三实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，其与第一实施例薄膜晶体管10的制备方法基本相同。主要区别在于，本实施例在同一绝缘基底上形成多个薄膜晶体管，从而形成一薄膜晶体管阵列。本实施例薄膜晶体管的制备方法具体包括以下步骤：
步骤一：提供一生长基底。
步骤二：在生长基底表面均匀形成至少一个催化剂层。
具体地，当形成多个催化剂层时，先在生长基底表面形成一大面积的催化剂层，并采用掩模刻蚀或激光切割等方法图案化该催化剂层，从而在需要形成薄膜晶体管的不同位置形成多个催化剂层。
步骤三：将形成有至少一个催化剂层的生长基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热至500～740℃，通入载气及碳源气体，控制载气与碳源气的体积比约为100∶1至100∶10范围内，于生长基底表面形成多个无序的单壁碳纳米管层。
当在步骤二中形成一个催化剂层时，该催化剂层具有较大面积。在步骤三于该较大面积的催化剂层上生长碳纳米管层后，可以进一步采用一激光切割或掩模刻蚀的方法处理该碳纳米管层，从而能够获得多个碳纳米管层形成于生长基底表面。
当在步骤二中形成多个催化剂层时，在步骤三中可以在多个催化剂层上直接生长出多个碳纳米管层，从而无需对碳纳米管层进行切割或刻蚀。
可以理解，与第一实施例薄膜晶体管10的制备方法相似，由于多个碳纳米管层具有较大粘性，本实施例可以通过一转印步骤，将上述多个碳纳米管层转印在一柔性的绝缘基底上，形成多个柔性薄膜晶体管。
步骤四：间隔形成多个源极及多个漏极，并使上述每一碳纳米管层均与一源极及一漏极电连接。
与第一实施例薄膜晶体管10中源极及漏极的形成方法相似，本实施例可以先在形成有多个碳纳米管层的整个生长基底表面沉积一金属薄膜，再通过刻蚀等方法图案化该金属薄膜，从而在预定位置上一次形成多个源极及多个漏极。上述源极及漏极的材料也可为ITO薄膜、ATO薄膜、导电聚合物薄膜、导电银胶或碳纳米管薄膜。
步骤五：在每一碳纳米管层上形成一绝缘层。与第一实施例薄膜晶体管10中绝缘层的制备方法相似地的，可以先在整个生长基底的表面沉积一氮化硅薄膜，再通过刻蚀等方法图案化该氮化硅薄膜，从而在预定位置上一次形成多个绝缘层。上述绝缘层的材料也可为氧化硅等硬性材料或苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂等柔性材料。
步骤六：在每一绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管。
可以理解，通过与第二实施例相似的方法，也可以形成一薄膜晶体管阵列，其具体包括以下步骤：
步骤一：提供一生长基底。
步骤二：在生长基底表面均匀形成一催化剂层。
步骤三：将形成有催化剂层的生长基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热至500～740℃，通入载气与碳源气体，控制载气与碳源气的体积比约为100∶1至100∶10范围内，生长得到无序的单壁碳纳米管层。
步骤四：提供一绝缘基底。
步骤五：形成一多个栅极于所述绝缘基底表面。
步骤六：形成至少一绝缘层覆盖所述多个栅极。
步骤七：转印上述碳纳米管层至所述绝缘层表面，图案化该碳纳米管层，从而形成多个碳纳米管层，该多个碳纳米管层与上述多个栅极通过绝缘层相对并绝缘设置。
步骤八：间隔形成多个源极及多个漏极，并使上述每一碳纳米管层均与一源极及一漏极电连接。
本技术方案实施例提供的薄膜晶体管的制备方法具有以下优点：其一，本技术方案通过直接生长纯净的单壁半导体性碳纳米管层作为薄膜晶体管的半导体层，这种半导体层的形成方法比现有技术中的喷墨打印法形成薄膜晶体管半导体层的方法简单，无需经过在有机溶剂中分散碳纳米管的步骤。得到的碳纳米管薄膜中碳纳米管分布均匀，且纯度较高，避免了现有技术中形成的碳纳米管层中碳纳米管易团聚，从而分布不均，且碳纳米管层中易残留有机溶剂的问题。其二，通过控制碳源气与保护气体的比例可以控制得到的碳纳米管的半径，从而得到半导体性的碳纳米管。半导体性的碳纳米管具有较高的载流子迁移率，作为半导体层可以使薄膜晶体管具有较大的载流子迁移率和较快响应速度。其三，通过控制生长条件使得到的碳纳米管层中的碳纳米管无序且相互缠绕，因此碳纳米管层具有较好的韧性及机械强度，故采用该无序排列的碳纳米管层作为半导体层，可以相应的提高薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列的柔韧性。其四，由于本实施例所提供的碳纳米管层具有较大黏性，可以黏附于其它基底表面，因此，可以采用一转印步骤将碳纳米管层转印到其它基底上，该基底的材料可以选择不耐高温的柔性材料，有利于制备柔性的薄膜晶体管。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内作其它变化，当然这些依据本发明精神所作的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
提供一生长基底；
在生长基底表面均匀形成一催化剂层；
将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入碳源气体及载气，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，在生长基底表面生长一单壁碳纳米管层；
间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接；
在所述碳纳米管层表面形成一绝缘层；以及
在所述绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管为半导体性碳纳米管，所述碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层中的碳纳米管无序排列并相互缠绕。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述催化剂层为一金属层，催化剂层的材料为铁、钴、镍、镁或上述金属任意组合的合金之一，所述催化剂层的厚度为0.1～3纳米。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在保护气体环境下加热的温度为500～740℃，通入碳源气及载气后的反应时间为5～30分钟。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述碳源气为乙炔、乙烯、甲烷或一氧化碳，所述载气为氢气，所述保护气体为氮气或惰性气体。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在生长基底上形成碳纳米管层后，进一步包括一转印该碳纳米管层的步骤，该转印步骤包括：提供一绝缘基底；将形成有碳纳米管层的生长基底倒扣在绝缘基底上使碳纳米管层表面与绝缘基底表面接触，从而形成一包括生长基底、碳纳米管层及绝缘基底的三层结构；热压该三层结构；以及移去生长基底，从而使所述碳纳米管层黏附于绝缘基底表面。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘基底的材料为塑料或树脂。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述源极及漏极直接形成于上述碳纳米管层上。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，生长一单壁碳纳米管层后，进一步包括一去除碳纳米管层中的金属性碳纳米管的步骤。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述去除碳纳米管薄膜中的金属性碳纳米管的步骤在形成所述源极及漏极后进行，具体包括：提供一外部电源；将外部电源的正负两极连接至源极及漏极；以及通过外部电源在源极及漏极两端施加1～1000伏电压，使金属性的碳纳米管发热并烧蚀，获得一半导体性的碳纳米管层。
12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述去除碳纳米管层中的金属性碳纳米管的步骤为通过氢等离子体、微波、太赫兹、红外线、紫外线或可见光照射该碳纳米管层，使金属性碳纳米管烧蚀。
13.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
提供一生长基底；
在生长基底表面均匀形成一催化剂层；
将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入载气与碳源气体，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，生长得到无序的单壁碳纳米管层；
提供一绝缘基底；
形成一栅极于所述绝缘基底表面；
形成一绝缘层覆盖所述栅极；
转印该碳纳米管层至所述绝缘层表面；以及
间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接，
得到一薄膜晶体管。
14.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
提供一生长基底；
在生长基底表面均匀形成至少一个催化剂层；
将形成有至少一个催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入载气与碳源气体反应，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10范围内，形成多个无序的单壁碳纳米管层；
间隔形成多个源极及多个漏极，并使所述每一碳纳米管层均与一源极及一漏极电连接；
在每一碳纳米管层上形成一绝缘层；以及
在每一绝缘层表面形成一栅极，得到多个薄膜晶体管，形成一薄膜晶体管阵列。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当形成多个催化剂层时，所述形成多个催化剂层的步骤包括：在生长基底表面形成一大面积催化剂层，以及将该大面积催化剂层通过掩模刻蚀或激光切割的方法图案化，从而形成多个催化剂层。
16.如权利要求14所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当形成一个催化剂层时，在催化剂层上生长碳纳米管层后，进一步包括一激光切割或掩模刻蚀该碳纳米管层的步骤，从而形成多个碳纳米管层。
17.如权利要求14所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在生长基底上生长碳纳米管层后，进一步包括一转印该碳纳米管层的步骤，该转印步骤包括：提供一绝缘基底；将形成有碳纳米管层的生长基底倒扣在绝缘基底上；以及移去生长基底，从而使上述碳纳米管层黏附于绝缘基底表面。
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EP09160164.1A EP2120274B1 (en) 2008-05-14 2009-05-13 Carbon Nanotube Thin Film Transistor
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101908494A (zh) * 2010-06-12 2010-12-08 上海大学 用于微电子封装的碳纳米管凸点的低温转印方法
CN103011133A (zh) * 2013-01-09 2013-04-03 华北电力大学 一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法
CN103537293A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 北京大学 用于制备手性选择性和导电性选择性单壁碳纳米管的催化剂及其制备方法和应用
CN103700706A (zh) * 2013-12-16 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管和阵列基板及其各自制备方法、以及显示装置
CN103943458A (zh) * 2014-03-27 2014-07-23 北京大学 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
CN104112777A (zh) * 2013-04-16 2014-10-22 清华大学 薄膜晶体管及其制备方法
CN105737975A (zh) * 2016-02-15 2016-07-06 欧阳征标 基于mim高灵敏度spp太赫兹探测器
CN107528001A (zh) * 2017-08-31 2017-12-29 清华大学 一种纳米二极管的制备方法和纳米二极管
CN107564910A (zh) * 2016-07-01 2018-01-09 清华大学 半导体器件
CN108023016A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
CN108365095A (zh) * 2017-09-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101582450B (zh) * 2008-05-16 2012-03-28 清华大学 薄膜晶体管
US8895950B2 (en) * 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
CN102050424B (zh) * 2009-11-06 2013-11-06 清华大学 一种制备碳纳米管薄膜及薄膜晶体管的方法
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
TWI479547B (zh) * 2011-05-04 2015-04-01 Univ Nat Cheng Kung 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體
US8471249B2 (en) * 2011-05-10 2013-06-25 International Business Machines Corporation Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance
KR101830782B1 (ko) * 2011-09-22 2018-04-05 삼성전자주식회사 그래핀을 포함하는 전극 구조체 및 전계효과 트랜지스터
KR101920724B1 (ko) 2012-12-11 2018-11-21 삼성전자주식회사 그래핀을 포함하는 전자 소자
WO2016081689A2 (en) * 2014-11-19 2016-05-26 Vorbeck Materials Corp. Transfer print circuitry
US10355206B2 (en) 2017-02-06 2019-07-16 Nantero, Inc. Sealed resistive change elements

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5061414B2 (ja) * 2001-09-27 2012-10-31 東レ株式会社 薄膜トランジスタ素子
US7081210B2 (en) * 2002-04-22 2006-07-25 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic semiconductor composition
JP3804594B2 (ja) * 2002-08-02 2006-08-02 日本電気株式会社 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
CN1208818C (zh) 2002-10-16 2005-06-29 中国科学院化学研究所 一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法
EP1434281A3 (en) * 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
US7037767B2 (en) * 2003-03-24 2006-05-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method
US6918284B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Interconnected networks of single-walled carbon nanotubes
JP4834950B2 (ja) * 2003-09-12 2011-12-14 ソニー株式会社 電界効果半導体装置の製造方法
US7399400B2 (en) * 2003-09-30 2008-07-15 Nano-Proprietary, Inc. Nanobiosensor and carbon nanotube thin film transistors
US20060194058A1 (en) 2005-02-25 2006-08-31 Amlani Islamshah S Uniform single walled carbon nanotube network
KR100770258B1 (ko) * 2005-04-22 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR101127132B1 (ko) * 2005-05-13 2012-03-21 삼성전자주식회사 실리콘 나노와이어 기판 및 그 제조방법, 그리고 이를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
JP2007073706A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法
US20070069212A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat panel display and method for manufacturing the same
JP2007123870A (ja) 2005-09-29 2007-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板表示装置およびその製造方法
JP4997750B2 (ja) * 2005-12-12 2012-08-08 富士通株式会社 カーボンナノチューブを用いた電子素子及びその製造方法
US7559653B2 (en) 2005-12-14 2009-07-14 Eastman Kodak Company Stereoscopic display apparatus using LCD panel
JP2009528254A (ja) 2006-03-03 2009-08-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 空間的に配列したナノチューブ及びナノチューブアレイの作製方法
US20070273797A1 (en) 2006-05-26 2007-11-29 Silverstein Barry D High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US20070273798A1 (en) 2006-05-26 2007-11-29 Silverstein Barry D High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US7458687B2 (en) 2006-05-26 2008-12-02 Eastman Kodak Company High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US7528448B2 (en) * 2006-07-17 2009-05-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions
US20080277718A1 (en) 2006-11-30 2008-11-13 Mihai Adrian Ionescu 1T MEMS scalable memory cell
JP4666270B2 (ja) 2006-12-18 2011-04-06 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20080252202A1 (en) 2007-04-11 2008-10-16 General Electric Company Light-emitting device and article
JP2009032894A (ja) 2007-07-26 2009-02-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
CN101591015B (zh) * 2008-05-28 2013-02-13 清华大学 带状碳纳米管薄膜的制备方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101908494A (zh) * 2010-06-12 2010-12-08 上海大学 用于微电子封装的碳纳米管凸点的低温转印方法
CN103537293A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 北京大学 用于制备手性选择性和导电性选择性单壁碳纳米管的催化剂及其制备方法和应用
CN103537293B (zh) * 2012-07-12 2015-12-16 北京大学 用于制备手性选择性和导电性选择性单壁碳纳米管的催化剂及其制备方法和应用
CN103011133A (zh) * 2013-01-09 2013-04-03 华北电力大学 一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法
CN104112777A (zh) * 2013-04-16 2014-10-22 清华大学 薄膜晶体管及其制备方法
CN103700706A (zh) * 2013-12-16 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管和阵列基板及其各自制备方法、以及显示装置
US9391207B2 (en) 2013-12-16 2016-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN103943458A (zh) * 2014-03-27 2014-07-23 北京大学 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
CN105737975A (zh) * 2016-02-15 2016-07-06 欧阳征标 基于mim高灵敏度spp太赫兹探测器
CN107564910A (zh) * 2016-07-01 2018-01-09 清华大学 半导体器件
CN108023016A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
CN108023016B (zh) * 2016-10-31 2020-07-10 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
CN107528001A (zh) * 2017-08-31 2017-12-29 清华大学 一种纳米二极管的制备方法和纳米二极管
CN107528001B (zh) * 2017-08-31 2019-10-11 清华大学 一种纳米二极管的制备方法和纳米二极管
CN108365095A (zh) * 2017-09-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法

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US7754526B2 (en) 2010-07-13
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CI01 Publication of corrected invention patent application

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University| 100084. Haidian District 1, Tsinghua Yuan, Beijing, Tsinghua University, Room 401, research center of Tsinghua Foxconn nanometer science and technology|Hung Fujin Precision Industrial (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 04

Volume: 27

CI03 Correction of invention patent

Correction item: Patentee|Address|Co-patentee

Correct: Tsinghua University| 100084. Haidian District 1, Tsinghua Yuan, Beijing, Tsinghua University, Room 401, research center of Tsinghua Foxconn nanometer science and technology|Hung Fujin Precision Industrial (Shenzhen) Co., Ltd.

False: Hongfujin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd.|518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Number: 04

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Volume: 27

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