CN101573666B - 中间转印体、使用其的图像形成方法以及图像形成装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种中间转印体、使用其的图像形成方法以及图像形成装置，即便反复印刷的情况下，也可以维持良好的二次转印性和良好的清洁性，并可持续得到文字图像不发生空心的高品质调色剂图像。本发明的中间转印体用于图像形成装置中，所述图像形成装置具有如下设备，该设备将负载于电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体上，然后将该调色剂图像从中间转印体二次转印至转印材料上，其中，该中间转印体在其最表面上具有无机层，该无机层对于二碘甲烷的接触角为30～60°，以纳米压痕法测定的无机层的硬度为3～10GPa。

Description

中间转印体、使用其的图像形成方法以及图像形成装置

技术领域

本发明涉及中间转印体、使用该中间转印体的图像形成方法以及图像形成装置。 

背景技术

以往，作为将负载于电子照相感光体(以下，也简称为感光体)表面上的调色剂图像转印在转印材料上的方式，已知有使用中间转印体的图像形成方式。该图像形成方式中，将调色剂图象从电子照相感光体一次转印至中间转印体，然后将调色剂图象从中间转印体二次转印至转印材料上，得到最终图像。该方式是一种多重转印方式，其中，采用由黑色、青色、品红、黄色等调色剂进行减色混合而使色彩分解的原稿图像再现出来，即所谓全色图像形成装置中各色调色剂图像从感光体依次一次转印至中间转印体，最后将全色调从中间转印体转印至转印材料上。 

然而，在使用该中间转印体的多重转印方式中，由于加入了一次转印和二次转印这样的两次转印，以及将多色的调色剂图象在转印体上重合，并将重合后的调色剂图象一起转印到转印材料上，因此伴随转印不良而容易产生图像不良。 

通常，对于调色剂的转印不良，已知有通过使用二氧化硅等外添加剂对调色剂粒子表面进行表面处理，从而提高转印性。然而，由于接受来自显影装置内部的调色剂搅拌部件的应力，或接受来自用于在显影辊上形成调色剂层的控制刮刀的应力，以及在感光体和显影辊之间所受到的应力等，而导致二氧化硅从调色剂表面脱离，或埋没于调色剂内部，因此存在无法得到足够转印性的问题。 

在这里，以改善中间转印体的转印性为目的，提出了以下方法：降低中间转印体的表面能，使得感光体的表面能低于中间转印体的表面能，从而提高了二次转印效率(例如，参考专利文件1)。 

此外，还提出了以下方法：通过降低中间转印体的表面能，提高了二 次转印性，进而在中间转印体中导入弹性层；在中间转印体上抑制调色剂的凝聚，从而抑制文字的空心(中抜け)(例如，参考专利文献2)。 

然而，按照专利文献1记载的中间转印体中，由于该中间转印体的表面能低，容易引起调色剂的凝聚，因此存在频发空心的问题。此外，按照专利文献2记载的中间转印体，在连续进行印刷(例如10万张)的情况下，残留调色剂的清洁性降低，中间转印体的表面被调色剂等污染(调色剂成膜化)，存在转印后的画质变差的问题。 

专利文献1：特开平8-211755号公报 

专利文献2：特开2006-79016号公报 

发明内容

发明要解决的问题 

本发明的目的在于提供一种中间转印体、使用该中间转印体的图像形成方法以及图像形成装置，即便反复印刷的情况下，也能维持良好的二次转印性和良好的清洁性，并可持续得到文字图像无空心的高品质调色剂图像。 

解决问题的方法 

(1)一种中间转印体，其用于图像形成装置中，所述图像形成装置具有如下设备，该设备将负载于电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体上，然后将该调色剂图像从中间转印体二次转印至转印材料上，其中， 

该中间转印体在其最表面上具有无机层，该无机层对于二碘甲烷的接触角为30～60°，以纳米压痕法测定(ナノインデンテ一シヨン法)的无机层的硬度为3～10GPa。 

(2)上述(1)所述的中间转印体，其中，使用原子力显微镜测定的所述无机层的十点平均表面粗糙度Rz为30～300nm。 

(3)上述(1)或(2)所述的中间转印体，其中，所述无机层的内应力在正区域中为100MPa以下、0.01MPa以上。 

(4)上述(1)～(3)中任一项所述的中间转印体，其中，所述无机层由氧化硅膜以及金属氧化物膜中的至少一种膜形成。 

(5)上述(1)～(4)中任一项所述的中间转印体，其中，所述无机层通过 大气压等离子体CVD形成。 

(6)上述(1)～(5)中任一项所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体为树脂。 

(7)上述(6)所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体的树脂为聚碳酸酯、聚酰亚胺或聚苯硫醚。 

(8)一种图像形成方法，其中，该方法使用上述(1)～(7)中任一项所述的中间转印体。 

(9)一种图像形成装置，其中，该装置使用上述(1)～(7)中任一项所述的中间转印体。 

(10)一种图像形成装置，其具有如下设备，所述设备将负载于电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体上，然后将该调色剂图像从中间转印体二次转印至转印材料，其中， 

该电子照相感光体的表面能的分散分量和该中间转印体的表面能的分散分量之间存在如下关系：电子照相感光体的表面能的分散分量≤中间转印体的表面能的分散分量。 

发明效果 

本发明的中间转印体、使用其的图像形成方法以及图像形成装置，可以达到以下优异的效果：即便反复进行印刷，也能够维持良好的二次转印性和良好的清洁性，并可持续得到没有文字图像空心的高品质调色剂图像。 

附图说明

图1为示出中间转印体的层结构的剖面示意图。 

图2为示出采用纳米压痕法的测定装置之一例的示意图。 

图3示出通过纳米压痕法得到的典型的负重-位移曲线图。 

图4示出压头和试样的接触状态的示意图。 

图5是示出在宽10mm、长50mm、厚0.1mm的石英基板上通过真空蒸镀法形成1μm的氧化硅膜时腔室内的真空度与按照上述方法测定的所形成的氧化硅膜的残余(内部)应力之间关系的图。 

图6是制造中间转印体的无机层的第一制造装置的说明图。 

图7是制造中间转印体的无机层的第二制造装置的说明图。 

图8是通过等离子体制造中间转印体的无机层的第一等离子体成膜装置的说明图。 

图9是示出辊电极之一例的简图。 

图10是示出固定电极之一例的简图。 

图11是示出可以使用本发明的中间转印体的图像形成装置之一例的剖面结构图。 

符号说明 

170中间转印体 

175基体 

176无机层 

具体实施方式

本发明人等为了解决上述问题进行了多种研究，结果发现，通过将中间转印体的表面对于二碘甲烷的接触角以及硬度调整为特定值，可以维持良好的转印性以及良好的清洁性，并可持续得到没有文字图像空心的高品质的调色剂图像。 

将中间转印体的表面相对于二碘甲烷的接触角、硬度以及内应力控制为特定值，可持续得到高转印性以及良好的清洁性，且能够抑制文字图像的空心，其原因尚不非常清楚，但可解释为如下。 

当降低中间转印体的表面能(加大对于二碘甲烷的接触角)，中间转印体与调色剂之间的粘着力降低，故对转印材料的转印效率(二次转印效率)提高，另一方面，调色剂相互之间的粘着力提高，故引起了调色剂的凝聚，文字图像产生空心。 

相反地，当提高中间转印体的表面能，则调色剂相互之间的粘着力降低，可抑制空心的发生，但是对转印材料的二次转印效率变差。 

另一方面，就中间转印体的表面硬度而言，从感光体向中间转印体进行一次转印时，中间转印体在感光体和中间转印体之间，在压缩方向上受力。此时，当调色剂介于感光体和中间转印体之间时，中间转印体被调色剂挤压而发生变形。在这里，中间转印体的表面***时，其变形量减少，调色剂与中间转印体之间的接触面积变小。也就是说，通过将中间转印体的表面硬度调整为本发明所规定的硬度值，可以使调色剂的脱模性变好， 从中间转印体转印至转印材料上的二次转印性得以提高。 

因此，在本发明中，通过将对二碘甲烷的接触角、以及表面硬度规定为特定值，从而可以同时兼顾二次转印性和文字的空心。 

此外，将调色剂二次转印至转印材料之后，使用清洁部件(例如清洁板)对中间转印体上未被转印而残留的剩余调色剂进行清洁。当中间转印体的表面具有本发明所规定的特性时，则残留的调色剂可良好地被清洁刮板所清洁。 

结果，在印刷多张的情况下，也不会因清洁不良而导致的印刷图像的污染，减少了因调色剂成膜化而导致的转印性的降低，可以持续得到高品质的调色剂图像。 

关于改善中间转印体中文字空心性能问题进行了深入研究，结果发现在决定表面能的三种分量(分散分量、偶极子分量、氢键分量)中，通过增加分散分量，可改善空心性能，其它的偶极子分量以及氢键分量的影响非常小。进而，在测定表面能时所使用的水、二碘甲烷、溴萘(硝基甲烷)中，对于表面能的分散分量来说，二碘甲烷的接触角值起到决定性作用，关于分散分量，可通过二碘甲烷的接触角的值进行调整。并且，将中间转印体表面对于二碘甲烷的接触角控制为30～60°，可使中间转印体上多种颜色的调色剂图像一并转印到转印材料上时，防止文字图像等的线的中央部未被转印而发生的残留文字空心的现象。 

对于表面能的分散分量进行进一步的研究得知，当中间转印体的表面能的分散分量大于感光体的表面能的分散分量时，对空心有效。也就是说，并非是特开平8-211755号公报中所记载表面能整体的大小关系(电子照相感光体的表面能≤中间转印体的表面能)，在满足如权利要求3的分散分量中所规定的大小关系(电子照相感光体的表面能的分散分量≤中间转印体的表面能的分散分量)，从而可以提供防止空心的性能优异的中间转印体。 

如上述可知，通过使用具有特定数值的表面能和硬度的中间转印体，既可持续地获得优异的二次转印性、还可以获得优异的防止文字发生空心的能力。 

中间转印体中无机层对于二碘甲烷的接触角为30～60°，优选为35～50°。 

通过纳米压痕法测得的中间转印体中无机层的表面硬度为3～10GPa， 优选为4～6GPa。 

将表面硬度设定为上述范围，使用清洁部件时不会产生伤痕，表面也不会发生龟裂，可持续保持高的转印性，同时可防止文字图像的空心发生。当表面硬度在3GPa以下，则提高二次转印效率的效果稍微变弱。此外，对于表面硬度在11GPa以上的中间转印体而言，容易导致基体与无机层之间的粘结不良，容易引发无机层的裂纹。 

就中间转印体的无机层而言，通过原子力显微镜测定的10μm见方的10点平均表面粗糙度Rz，优选为30nm～300nm，更优选为30nm～200nm。 

当Rz小于30nm时，在转印结束后，利用清洁刮板将残留在中间转印体上的调色剂进行清洁处理时，容易发生摩擦变大、清洁刮板发生卷曲的问题。 

另一方面，当Rz为300nm以上时，由于清洁刮板的清洁能力变差，因此由于表面凹凸而损害了二次转印性。 

进而，无机层的内应力，在正的区域，优选200MPa以下且0.01MPa以上，并特别优选为100MPa以下且0.1MPa以上。 

通过将中间转印体的内应力设置为上述范围，可以有效地维持清洁性能。 

以下，关于本发明进行详细的叙述。 

本发明的中间转印体包括基体和位于基体上的无机层。 

图1为示出中间转印体的层结构之一例的剖面示意图。 

在图中，170为中间转印体，175为基体，176为无机层。 

中间转印体170包括基体175和位于基体175表面上的无机层176。无机层176至少由一层以上的层构成。 

接着，对于各个层进行说明。 

对于本发明的基体，优选使用在树脂材料中分散导电剂而形成的无缝带或鼓。无缝带的厚度优选为50～700μm，鼓的厚度优选为1mm以上。需要说明的是，就本发明而言，作为基体优选使用具有挠性的无缝带。 

就本发明的无机层而言，优选是氧化硅膜和金属氧化物膜中至少一种膜。具体而言，可以举出氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化钛、氮氧化钛、氮化钛或氧化铝等金属氧化物膜，其中优选是氧化硅膜。此外，优选是由它们的混合物构成的无机化合物。 

本发明的无机层可以是1层以上的结构。 

无机层的膜厚优选为100nm～1000nm，更优选为150nm～500nm，进一步优选为200nm～400nm。 

关于膜厚，使用Mac Science公司制造的MXP21测定得到的数值。关于膜厚的具体测定方法，可按照以下的进行。X射线源的靶使用铜，并以42kV，500mA工作。入射单色仪使用多层膜抛物线镜(パラボラミラ一)。入射狭缝使用0.05mm×5mm，受光狭缝使用0.03mm×20mm。以2θ/θ扫描方式，通过步幅为0.005°，1步10秒的FT法，对0到5°进行测定。对所得的反射率曲线，使用Mac Science公司制造的反射率分析程序第一版(Reflectivity Analysis Program Ver.1)进行曲线拟合，求出各个参数并使实测值和拟合曲线的残差平方和最小。由各个参数求出叠层膜的厚度。 

在无机层176的膜厚不足100nm时，由于耐久性或表面强度不足，因而在对厚纸进行转印等时容易产生擦伤，最终，薄膜发生不均匀的磨损，发生转印率下降以及转印不均匀。当膜厚超过1000nm时，由于密合性或耐弯曲性不足，因此在反复使用时，容易产生裂损或剥离，并且增加了成膜所需要的时间，因此从生产性的观点考虑，也不优选。 

接着，对中间转印体的特性进行说明。在本发明中，表面能是通过对于二碘甲烷的接触角来表征的。硬度是通过纳米压痕法测定得到的值来表征的。粗糙度是利用原子力显微镜测定得到的值。内应力是测定压应力而得出的值。 

以下，关于表面能、硬度、粗糙度、内应力以及电子照相感光体的表面能的分散分量和基体的表面能分散分量进行说明。 

《对于二碘甲烷的接触角》 

关于二碘甲烷的接触角，在常温常湿(例如，20℃、50％RH)的条件下使用接触角测量装置“接触角计CA-V(协和界面科学株式会社制造)”，测定5次，取其平均值作为接触角。 

对于二碘甲烷的接触角可通过在形成膜时所添加的气体种类等来进行调整。例如，添加气体使用氢气时，在膜中残留有大量原料所含的C，具有对于二碘甲烷的接触角变大的趋势。 

《通过纳米压痕法测定的硬度》 

由纳米压痕法测定的本发明的无机层的硬度为3～10GPa，优选是4～ 6GPa。 

由纳米压痕法进行的测定硬度方法如下：将微小钻石压头压入薄膜，同时测定荷重和压入深度(位移量)的关系，并由测定值算出塑性变形硬度。 

特别是对于1μm以下薄膜的测定，其具有如下特征：不易受到基体物性的影响，并且，压入时不易产生薄膜裂损。通常，可用于非常薄的薄膜的物性测定。 

图2为示出纳米压痕法的测定装置之一例的示意图。 

在图2中，31是传感器(transducer)、32是前端形状为正三角形的钻石Berkovich压头、170是中间转印体、175是基体、176是无机层。 

该测定装置，可以使用传感器31和前端形状为正三角形的钻石Berkovich压头32，加上μN级的负重，同时测定纳米精度级的位移量。在该测定中，可以使用例如市售的NANO Indenter XP/DCM(MTS Systems公司/MTS NANO Instruments公司制造)等测定装置。 

图3示出通过纳米压痕法得到的典型的负重-位移曲线图。 

图4示出压头和试样的接触状态的示意图。 

硬度H，可以由下式(1)求出。 

式(1) 

H＝Pmax/A 

在这里，P是加在压头上的最大荷重，A是此时压头和试样间的接触投影面积。 

接触投影面积A，可以使用图4中的hc，由下式(2)表示。 

式(2) 

A＝24.5hc²

在这里，由于如图4中所示接触点的周围表面的弹性凹陷，因此，hc比整体的压入深度h浅，并且由下式(3)表示。 

式(3) 

hc＝h-hs 

在这里，hs是因弹性而凹陷的量，并且由压头压入后的负重曲线的坡度(勾配)(图4的坡度S)以及压头形状表示为下式(4)。 

式(4) 

hs＝ε×P/S。 

在这里，ε是和压头形状有关的常数，并且使用Berkovich压头时为0.75。 

使用这种硬度测定装置，可以测定在基体175上所形成的无机层176的表面硬度。 

测定条件 

测定机：NANO Indenter XP/DCM(MTS Systems公司制造) 

测定压头：前端形状为正三角形的钻石Berkovich压头 

测定环境：20℃、60％RH 

测定试样：将中间转印体切成5cm×5cm大小制得测定试样 

最大载荷设定：25μN 

压入速度：在以5秒达到最大负重25μN的速度下，与时间成比例地施加负重。 

需要说明的是，对于各种材料随机选择十个点测定硬度，将其平均值作为由纳米压痕法测定的硬度。 

通过加大电源输出功率，或是提高基体温度的方法，加快了原料的分解而得到硬膜。 

《使用原子力显微镜测定得到的表面粗糙度》 

本发明的无机层的表面粗糙度是通过原子力显微镜测定得到的。 

本发明的中间转印体的特征在于，通过原子力显微镜测定得到的10μm见方的表面粗糙度Rz为30～300nm。 

十点平均粗糙度Rz的测定方法(通过AFM测定)之一例如下所述。 

所使用的原子力显微镜(Atomic Force Microscopy：AFM)是由精工仪器公司(精工Instruments Inc)制造的SPI3800Nprobe station以及SPA500多功能型单元，切取大致为1cm见方大小的试样，安装在压电扫描仪(ピエゾスキヤナ一)上的水平试样台上，将悬臂向试样表面接近，到达原子力发挥作用的区域，在XY方向上进行扫描，通过Z方向上的压电位移来获取这时试样的凹凸。压电扫描仪采用可扫描XY20μm、Z2μm的装置。悬臂采用精工仪器公司制造的硅悬臂SI-DF40P，共振频率为200～400kHz、弹簧常数为30～50N/m，在DFM模式(Dynamic Force Mode)下测定，在10μm见方的测定区域下以0.5Hz的扫描频率进行测定。此外，将所得到的三维数据进行最小二乘法近似，由此校正试样的斜率，得到基准面。表面粗糙度的解析如 下进行：从解析软件SPIwin的“分析”菜单中读出表面粗糙度解析，计算出Rz(十点平均表面粗糙度)，Rz包括面内的10点平均表面粗糙度与从截面轮廓(profile)中求出的10点平均表面粗糙度，其中任一个均可以从解析菜单中计算得到。 

关于表面粗糙度，可以通过降低成膜速度的方法降低表面粗糙度，也可以通过加快成膜速度的方法加大表面粗糙度。 

《内应力》 

无机层中内应力的测定是通过以下方法进行的。即，在宽10mm、长50mm、厚0.1mm的石英基板上，按照相同的方法形成与测定膜具有相同组成和厚度的无机层，并使其厚度为1μm，使样品的凹部向上，通过NEC三荣社制造的薄膜物性评价装置MH4000测定所制造样品中产生的翘曲。一般来说，由于压应力而使膜侧相对于基体材料发生收缩的正翘曲情况下，为正应力，相反，由于拉伸应力而产生倒翘曲的情况下，表现为负应力。 

具有通过例如蒸镀法、CVD法、溶胶凝胶法等形成的无机层的基体，在一定条件下放置时，由于该基体材料和无机膜的膜质的关系而产生正翘曲(プラスカ一ル)、倒翘曲(マイナスカ一ル)。该翘曲是通过在前述无机层中发生的应力而产生的，并且可以认为翘曲越大(正翘曲)，压应力越大。 

形成有氧化硅膜的中间转印体的残余应力，在例如通过真空蒸镀法制造氧化硅膜时，可以通过调整真空度而调整。 

图5示出在宽10mm，长50mm，厚0.1mm的石英基板上通过真空蒸镀法形成1μm的氧化硅膜时的腔室真空度，与通过前述方法测定的形成的氧化硅膜的残余(内)应力之间的关系。 

图中，优选为具有大于0并直到100MPa左右的残余应力的无机层膜，但是微调困难，特别是细微控制困难，并且无法在该范围内调整的情况也很多。当残余应力过小时，存在其中部分残余应力变为拉伸应力的情况，容易使膜产生裂缝或龟裂，所形成的膜缺乏耐久性，而当其过大时，形成的膜容易开裂，容易剥离。 

《电子照相感光体的表面能的分散分量与中间转印体的表面能的分散分量》 

电子照相感光体的表面能的分散分量γD与中间转印体的表面能的分散分量γD可以通过下述方法求出。 

利用接触角测定装置“接触角计CA-V(协和界面科学株式会社制造)”测定了三种标准液体与被测定固体(电子照相感光体和中间转印体)之间的接触角，测定五次，取其平均值，得到平均接触角，所述标准液体包括水、硝基甲烷、二碘甲烷。接着，基于Young-Dupre式以及扩展Fowkes式，计算出了固体的表面自由能的三个分量。 

Young-Dupre式WSL＝γL(1+cosθ) 

WSL：液体/固体之间的粘合能 

γL：液体的表面自由能 

θ：液体/固体的接触角 

扩展Fowkes式 

WSL＝2{(γSDγLD)1/2+(γSPγLP)1/2+(γSHγLH)1/2} 

γL＝γLD+γLP+γLH：液体的表面自由能 

γS＝γSD+γSP+γSH：固体的表面自由能 

γD、γP、γH：表面自由能的分散分量、偶极子分量、氢键分量。 

水、硝基甲烷、二碘甲烷各自的表面自由能的分散、偶极子、氢键分量为已知，故只要知道上述液体/固体的接触角，就可求出固体的表面自由能的分散、偶极子、氢键分量。 

接着，说明中间转印体与电子照相感光体的制造。 

《中间转印体的制造》 

本发明的中间转印体包括基体和位于基体上的无机层。 

以下，就中间转印体的制备方法之一例举例说明，但本发明并不限于这些。 

(基体) 

作为本发明中使用的基体材料，优选使用在树脂中分散导电剂而形成的无缝带。作为带所使用的树脂，可以使用聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚酰胺和聚苯硫醚等所谓的工程塑料材料，其中，特别优选是聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚苯硫醚等。 

此外，可以使用炭黑作为导电剂。炭黑可以使用中性炭黑或者是酸性炭黑。就导电性填料的使用量而言，根据所用的导电性填料种类而不同，只要按照使中间转印体的体积电阻值和表面电阻值处于规定范围进行添加即可，通常，相对于100质量份树脂材料，添加10-20质量份，优选添加 10～16质量份。本发明中所用的基体，可以通过以往公知的常规方法制造。例如，可以通过使用挤出机熔融形成材料的树脂，并使用环状模头或T型模头挤出，再急冷而制造。 

在基体上形成无机物层之前，还可以对基体表面进行电晕处理、火焰处理、等离子体处理、辉光放电处理、表面粗糙化处理、药品处理等表面处理。 

此外，为了提高粘合性，可以在无机层176和基体175之间形成增粘涂覆剂层。作为该增粘涂覆剂层中所用的增粘涂覆剂，可以使用聚酯树脂、异氰酸酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯-乙烯醇树脂、乙烯基改性树脂、环氧树脂、改性苯乙烯树脂、改性聚硅氧烷树脂和烷基钛酸酯等，可以使用其中一种，也可组合使用两种以上。在这些增粘涂覆剂中，还可以添加以往公知的添加剂。而且，上述增粘涂覆剂可以按如下方法进行增粘涂覆：通过辊涂法、凹版涂覆法、刮刀涂布法、浸涂法、喷涂法等公知方法涂布在基体上，并通过干燥除去溶剂、稀释剂等，并进行UV固化。作为上述增粘涂覆剂的涂布量，优选为0.1g/m²-5g/m²(干燥状态)左右。 

(无机层) 

接着，对通过大气压等离子体CVD形成本发明的无机层的装置和方法，以及所用的气体进行说明。 

图6是制造中间转印体无机层的第一制造装置说明图。 

中间转印体的制造装置2(放电空间和薄膜堆积区域为大致相同的直接方式)，是在基体175上形成无机层176的装置，并且由卷绕架设带状的中间转印体170的基体175并沿箭头方向旋转的辊电极20和从动辊201，以及作为在基体175表面上形成无机层176的成膜装置的大气压等离子体CVD装置3所构成。 

大气压离子体CVD装置3具有：沿辊电极20外周配置的至少一个固定电极21、在固定电极21和辊电极20的对置区域进行放电的放电空间23、生成至少原料气体和放电气体混合气G并将混合气G供给至放电空间23的混合气供给装置24、减少空气向放电空间23等流入的放电容器29、连接至辊电极20的第一电源25、连接至固定电极21的第二电源26，和将使用完的排出气G’排出的排气部28。 

混合气供给装置24将原料气体与氮气或氩气等稀有气体混合而得到的 混合气供给至放电空间23中，其中，原料气体为形成选自无机氧化物层、无机氮化物层中至少一层膜的原料气体。此外，为了促进氧化还原反应，优选混合氧气和氢气。 

此外，从动辊201由张力赋予设备202沿箭头方向牵引，并对基体175施加规定的张力。在基体175更换时等，张力赋予设备202解除张力的赋予，并且可以很容易地进行基体175的更换等。 

第一电源25输出频率为ω1的电压，第二电源26输出频率为ω2的电压，并通过这些电压在放电空间23中产生频率ω1和ω2叠加的电场V。而且，通过电场V使混合气体G等离子体化，并使与混合气G中所含的原料气体相对应的膜(无机层176)堆积在基体175的表面上。 

另外，通过多个固定电极中位于辊电极旋转方向下游侧的多个固定电极和混合气供给装置，以重叠的方式堆积无机层176，从而调整无机层176的厚度。 

此外，通过多个固定电极中位于辊电极旋转方向最下游侧的固定电极和混合气供给装置来堆积无机层176，并且，还可以通过位于更上游侧的其它固定电极和混合气供给装置来形成其它层，例如提高无机层176和基体175粘合性的粘合层等。 

此外，为了提高无机层176和基体175的粘合性，可以在形成无机层176的固定电极和混合气供给装置的上游，设置供给氩气或氧气等气体的气体供给装置和固定电极而进行等离子体处理，从而使基体175的表面活化。 

如上说明，将状带的中间转印体架设在1对辊上，并将1对辊中一个作为1对电极中的一个电极，沿着作为一个电极的辊的外周面的外侧设置作为另一个电极的至少一个固定电极，并在这些1对电极间，在大气压下或接近大气压的压力下产生电场，进行等离子体放电，在中间转印体表面上堆积并形成薄膜，通过采用这样的方案，可以制得转印性高、清洁性和耐久性高的中间转印体。 

图7是制造中间转印体中无机层的第二制造装置的说明图。 

中间转印体第二制造装置2b在多个基体上同时形成无机层，并且主要由在基体表面形成无机层的多个成膜装置2b1和2b2所构成。 

第二制造装置2b(是直接方式的变形方式，在对置的辊电极间进行放电和堆积薄膜的方式)具有第一成膜装置2b1、第二成膜装置2b2和混合气供 给装置24b，其中，所述第一成膜装置2b1与第二成膜装置2b2隔有规定间隙，配置为大致镜像关系，所述混合气供给装置24b配置在第一成膜装置2b1和第二成膜装置2b2之间，并生成至少原料气体和放电气体的混合气G，并将混合气G供给至放电空间23b。 

第一成膜装置2b1具有卷绕架设带状中间转印体的基体175并沿箭头方向旋转的辊电极20a、从动辊201、沿箭头方向牵引从动辊201的张力赋予设备202、和连接至辊电极20a的第一电源25，第二成膜装置2b2具有卷绕架设带状的中间转印体的基体175并沿箭头方向旋转的辊电极20b、从动辊201、沿箭头方向牵引从动辊201的张力赋予设备202、和连接至辊电极20b的第二电源26。 

此外，第二制造装置2b具有在辊电极20a和辊电极20b的对置区域中进行放电的放电空间23b。 

混合气供给装置24b将原料气体与氮气或氩气等稀有气体混合而得到的混合气供给至放电空间23b中，其中，原料气体为形成选自无机氧化物层、无机氮化物层中至少一层膜的原料气体。此外，为了促进氧化还原反应，优选混合氧气和氢气。 

第一电源25输出频率为ω1的电压，第二电源26输出频率为ω2的电压，并通过这些电压在放电空间23b中产生频率ω1和ω2叠加的电场V。而且，通过电场V使混合气G等离子体化(激发)，将等离子体化(激发)的混合气暴露在第一成膜装置2b1的基体175和第二成膜装置2b2的基体175的表面上，并使与等离子体化(激发)后的混合气中所含的原料气体相对应的膜(无机层)同时堆积并形成在第一成膜装置2b1的基体175和第二成膜装置2b2的基体175的表面上。 

此处，对置的辊电极20a和辊电极20b隔着规定的间隙配置。 

下面，对在基体175上形成无机层176的大气压等离子体CVD装置的形态进行详细说明。 

另外，下述图8是沿虚线部选择出来的图6的主要部分。 

图8是通过等离子体制造中间转印体无机层的第一等离子体成膜装置的说明图。 

参照图8，对适合用于形成无机层176的大气压等离子体CVD装置之一例进行说明。 

大气压等离子体CVD装置3是中间转印体的制造装置，具有可以自由装卸地卷绕架设基体并使之旋转驱动的至少1对辊，以及进行等离子体放电的至少1对电极，在上述1对电极中的一个电极是上述1对辊中的一个辊，另一个电极是通过上述基体与上述一个辊对置的固定电极，使上述基体暴露在上述一个辊和上述固定电极的对置区域所产生的等离子体中，堆积并形成上述无机层，并且，例如在使用氮气作为放电气体的情况下，通过一个电源施加高电压，并通过另一个电源施加高频率，可稳定地开始放电并持续放电，因此适合使用。 

如前所述，大气压等离子体CVD装置3具有混合气供给装置24、固定电极21、第一电源25、第一滤波器25a、辊电极20、使辊电极沿箭头方向驱动旋转的驱动设备20a、第二电源26、和第二滤波器26a，并且在放电空间23中进行等离子体放电，从而使混合有原料气体和放电气体的混合气G激发，再将激发后的混合气G1暴露于基体表面175a，并在该表面上堆积而形成无机层176。 

然后，由第一电源25向固定电极21施加频率为ω₁的第一高频电压，并由第二电源26向辊电极20施加频率为ω₂的高频电压，由此，在固定电极21和辊电极20之间产生电场强度为V₁、频率为ω₁和电场强度V₂、频率为ω₂相叠加而成的电场，并且在固定电极21中流过电流I₁，在辊电极20中流过电流I₂，在电极间产生等离子体。 

其中，频率ω₁和频率ω₂的关系，以及，电场强度V₁与电场强度V₂以及放电气体开始放电的电场强度IV的关系，满足ω₁＜ω₂，V₁≥IV＞V₂，或者，V₁＞IV≥V₂，并且上述第二高频电场的输出功率密度为1W/cm²以上。 

由于氮气开始放电的电场强度IV是3.7kV/mm，因此优选至少由第一电源25所施加的电场强度V₁为3.7kV/mm或其以上，由第二高频电源60所施加的电场强度V₂为3.7kV/mm或比其小。 

此外，作为可用于第一大气压等离子体CVD装置3中的第一电源25(高频电源)，可以列举 

施加电源记号    制造商          频率      制品名 

A1              神钢电机        3kHz      SPG3-4500 

A2              神钢电机        5kHz      SPG5-4500 

A3              春日电机        15kHz     AGI-023 

A4    神钢电机                 50kHz           SPG50-4500 

A5    高强度钢研究所(Haiden)   100kHz*         PHF-6k 

A6    pearl工业                200kHz          CF-2000-200k 

A7    pearl工业                400kHz          CF-2000-400k 

A8    SEREN IPS                100～460kHz     L3001 

等市售产品，均可使用。 

此外，作为第二电源26(高频电源)，可以列举 

所加电源记号    制造商         频率           制品名 

B1              pearl工业      800kHz         CF-2000-800k 

B2              pearl工业      2MHz           CF-2000-2M 

B3              pearl工业      13.56MHz       CF-5000-13M 

B4              pearl工业      27MHz          CF-2000-27M 

B5              pearl工业      150MHz         CF-2000-150M 

B6              pearl工业      20～99.9MHz    RP-2000-20/100M 

等市售产品，均可使用。 

另外，在上述电源中，*记号是高强度钢(Haiden)研究所的脉冲(インパルス)高频电源(在连续模式下为100kHz)。除此之外，均是可以仅施加连续正弦波的高频电源。 

本发明中，由第一和第二电源供给至对置电极间的电力，向固定电极21供给了1W/cm²以上的电功率(输出功率密度)，并激发了放电气体，由此产生等离子体，形成薄膜。作为供给至固定电极21的电功率上限值，优选为50W/cm²，更优选为20W/cm²。下限值优选为1.2W/cm²。另外，放电面积(cm²)，是指在电极中产生放电的范围的面积。 

此外，通过向辊电极20也供给1W/cm²以上的电功率(输出功率密度)，可以维持高频电场的均匀性，并且提高输出功率密度。由此，可以进一步产生均匀的高密度等离子体，并且，既可加快制膜速度，也可提高膜质。其优选为5W/cm²以上。供给至辊电极20的电功率上限值，优选为50W/cm²。 

此处，作为高频电场的波形，没有特别限制。包括被称为连续模式的连续正弦波状的连续振荡模式、以及被称为脉冲模式的间断进行ON/OFF的间断振荡模式等，可以采用其中任一种，但由于至少向辊电极20供给的 高频为连续正弦波时，可以得到更致密的优质膜，因此优选。 

在固定电极21和第一电源25之间，设置第一滤波器25a，使从第一电源25流向固定电极21的电流容易通过，并使来自第二电源26的电流接地，以使从第二电源26流向第一电源25的电流不易通过。此外，在辊电极20和第二电源26之间，设置第二滤波器26a，使从第二电源26流向辊电极20的电流容易通过，并使来自第一电源21的电流接地，以使从第一电源25流向第二电源26的电流不易通过。 

优选采用可以通过在电极上施加上述强电场，而均匀地保持稳定的放电状态的电极，并且为使固定电极21和辊电极20耐受由强电场产生的放电，在至少一个电极表面上包覆下述的电介质。 

在上述说明中，电极和电源的关系可以是将第二电源26连接至固定电极21，并将第一电源25连接至辊电极20。 

图9是示出辊电极之一例的简图。 

对辊电极20的结构进行说明，在图9(a)中，辊电极20是由如下组合构成的，所述组合是对金属等导电性母材200a(以下，也称为“电极母材”)喷镀陶瓷，然后通过包覆使用无机材料进行了封孔处理的陶瓷包覆处理电介质200b(以下，也简称为“电介质”)而形成的。此外，作为在喷镀中使用的陶瓷材料，可以优选使用氧化铝·氮化硅等，其中，由于氧化铝容易加工，因此更优选使用。 

此外，如图9(b)所示，将通过涂敷施工而设置有无机材料的涂敷处理电介质200B包覆在金属等导电性母材200A上，采用这样的组合，也可以构成电极20’。作为涂敷材料，可以优选使用硅酸盐类玻璃、硼酸盐类玻璃、磷酸盐类玻璃、锗酸盐类玻璃、亚碲酸盐玻璃、铝酸盐玻璃、钒酸盐玻璃等，其中，由于硼酸盐类玻璃容易加工，因此更优选使用。 

作为金属等导电性母材200a、200A，可以列举银、铂、不锈钢、铝、钛、钛合金、铁等金属等，并且从加工或成本的观点考虑，优选不锈钢。 

此外，在本实施方式中，辊电极的母材200a、200A，使用具有采用冷却水进行冷却的冷却设备的不锈钢制夹套辊母材(未图示)。 

图10是示出固定电极之一例的简图。 

在图10(a)中，棱柱或棱筒的固定电极21、21a、21b与上述的辊电极20一样，由下述组合构成，所述组合是通过对金属等导电性母材210c喷镀 陶瓷后，包覆使用无机材料进行了封孔处理的陶瓷包覆处理电介质210d而形成的。此外，如图10(b)所示方式，棱柱或棱筒型的固定电极21’也可以由对金属等导电性母材210A包覆通过涂敷施工而设置有无机材料的涂敷处理电介质210B形成的组合而构成的。 

以下，参照图6、8，对中间转印体制造方法的工序中在基体175上堆积并形成无机层176的成膜工序的例子进行说明。 

图6和8中，在辊电极20和从动辊201上拉设基体175后，通过张力赋予设备202的运行，在基体175上施加规定的张力，接着以规定转速旋转驱动辊电极20。 

由混合气供给装置24生成混合气G，并排放至放电空间23。 

由第一电源25输出频率为ω1的电压并施加在固定电极21上，由第二电源26输出频率为ω2的电压并施加在辊电极20上，并由这些电压在放电空间23中产生频率ω1和ω2叠加的电场V。 

由电场V激发排放至放电空间23中的混合气G，并形成等离子体状态。然后，将等离子体状态的混合气G暴露于基体表面上，并通过混合气G中的原料气体在基体175上形成选自无机氧化物层、无机氮化物层中的至少一层的膜，即无机层176。 

如此形成的无机层，可以设置多层，也可以是由多层形成的无机层，但是该多层中的最底一层，通过XPS测定的碳原子含量优选含有0.1-20原子％的碳原子，此外，更优选该含碳原子的层是更接近于基体的层。 

例如，在上述大气压等离子体CVD装置3中，在一对电极(辊电极20和固定电极21)间使混合气体(放电气体)激发为等离子体，使该等离子体中所存在的具有碳原子的原料气体发生自由基化，并暴露在基体175的表面上。而且，暴露于该基体175表面上的含碳分子或含碳自由基包含在无机层中。 

所谓放电气体，是指在上述条件下可被激发为等离子体的气体，例如，氮气、氩气、氦气、氖气、氪气、氙气等以及它们的混合物等。其中，优选使用氮气、氦气、氩气，特别优选氮气，因为成本低廉。 

此外，作为用于形成无机层的原料气体，可以使用在常温下为气体或液体的有机金属化合物，特别是烷基金属化合物或烷氧基金属化合物、有机金属配位化合物。这些原料的相态在常温常压下并非一定为气相，只要 可在混合气供给装置24中通过加热或减压等经熔融、蒸发、升华等而气化的即可，也可以使用液相或固相。 

原料气体含有形成薄膜的成分，其在放电空间为等离子体状态，例如有机金属化合物、有机化合物、无机化合物等。 

例如，作为硅化合物，可以列举硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、(3，3，3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、双(二甲基氨基)甲基乙烯基硅烷、双(乙基氨基)二甲基硅烷、N，O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、双(三甲基甲硅烷基)碳化二亚胺、二乙基氨基三甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、六甲基二硅氨烷、六甲基环三硅氨烷、七甲基二硅氨烷、九甲基三硅氨烷、八甲基环四硅氨烷、四(二甲基氨基)硅烷、四异氰酸酯基硅烷、四甲基二硅氨烷、三(二甲基氨基)硅烷、三乙氧基氟化硅烷、烯丙基二甲基硅烷、烯丙基三甲基硅烷、苄基三甲基硅烷、双(三甲基甲硅烷基)乙炔、1，4-双(三甲基甲硅烷基)-1，3-丁二炔、二叔丁基硅烷、1，3-二硅杂丁烷(1，3-ジシラブタン，1，3-disilabutane)、双(三甲基甲硅烷基)甲烷、环戊二烯基三甲基硅烷、苯基二甲基硅烷、苯基三甲基硅烷、炔丙基三甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙炔、1-(三甲基甲硅烷基)-1-丙烷、三(三甲基甲硅烷基)甲烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、乙烯基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、六甲基环四硅氧烷、M硅酸盐51等，但是并不限定于它们。 

作为钛化合物，可以列举四(二甲基氨基)钛等有机金属化合物，单钛、二钛等金属氢化物，二氯化钛、三氯化钛、四氯化钛等金属卤化物，四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四丁氧基钛等金属烷氧化物等，但是并不限定于它们。 

作为铝化合物，可以列举正丁氧基铝、仲丁氧基铝、叔丁氧基铝、二异丙氧基乙酰乙酸乙酯合铝、乙氧基铝、六氟戊二酸铝(アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネ-ト)、异丙氧基铝、4-戊二酸酯、二甲基铝氯化物等，但是并不限定于它们。 

此外，这些原料，可以单独使用，也可以将2种以上成分混合使用。 

此外，上述无机层的硬度，可以通过成膜速度或添加气体量比等而调整。 

通过使用上述方法在基体175表面上形成无机层176，可提供转印性高、清洁性和耐久性高的中间转印体。 

《感光体的制造》 

接着，说明在感光体的制备方法，所述感光体是在支持体的外周上具有中间层、电荷产生层、电荷输送层、由光固化膜形成的保护层的支持体。 

(准备支持体) 

本发明中所使用的支持体优选为圆筒状且比电阻为10³Ωcm以下。作为具体例，可以举出通过切削加工之后进行表面清洗而得到的圆筒状铝。 

(中间层) 

中间层是通过在支持体上涂布由粘结剂、无机颗粒、分散溶剂等构成的中间层用涂布液，再经干燥而形成的。 

作为制备中间层的粘结剂，可以举出，聚酰胺树脂、氯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂，以及含有上述树脂的两种以上重复单元的共聚物树脂。在这些树脂中，聚酰胺树脂可降低重复使用中残余电位的增加，故优选。 

作为制备中间层用涂布液的溶剂，优选使用可良好地分散所添加的无机颗粒并可溶解聚酰胺树脂的溶剂。具体而言，优选乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、仲丁醇等碳原子数为2～4的醇类，因为它们对于聚酰胺树脂的溶解性以及涂布性能优异。这些溶剂占总溶剂的30～100质量％，优选占40～100质量％，更优选占50～100质量％。与上述溶剂组合使用的助溶剂，可以举出甲醇、苄醇、甲苯、二氯甲烷、环己烷、四氢呋喃等，从而能够得到更好的效果。 

中间层的膜厚优选0.2～40μm，更优选0.3～20μm。 

<电荷产生层> 

电荷产生层含有电荷发生物质(CGM)。作为其它的物质，可根据需要含有粘结剂树脂、其它添加剂。 

作为电荷产生物质(CGM)可以使用目前公知的电荷产生物质(CGM)。例如，可以使用酞菁颜料、偶氮颜料、苝颜料、薁鎓(アズレニウム)颜料等。 

在电荷发生层中使用粘结剂作为CGM的分散剂的情况下，作为粘结剂，可以使用公知的树脂，其中，作为最优选的树脂，可举出聚甲醛树脂、 聚乙烯醇缩丁醛树脂、有机硅树脂、有机硅改性聚乙烯醇缩丁醛树脂、苯氧基树脂等。粘结剂树脂与电荷产生物质之间的比率，相对于100质量份的粘结剂树脂，电荷产生物质为20～600质量份。通过使用这些树脂，可将伴随重复使用而导致的残余电位的增加最小化。电荷产生层的膜厚优选为0.01～2μm。 

<电荷输送层> 

电荷输送层由电荷输送物质(CTM)和粘结剂树脂形成。也可根据需要添加抗氧化剂等添加剂所形成。电荷输送层的膜厚优选为5～40μm，更优选为10～30μm。 

作为电荷输送物质(CTM)，可以使用目前公知的电荷输送物质(CTM)。例如，可以举出，三苯胺衍生物、腙化合物、苯乙烯基化合物、联苯胺化合物、丁二烯化合物等。 

在电荷输送层(CTL)中所使用的树脂，例如可以举出，聚苯乙烯、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、醇酸树脂、聚碳酸酯树脂、有机硅树脂、三聚氰胺树脂、以及含有上述树脂的重复单元中2种以上重复单元的共聚物树脂。此外，这些绝缘性树脂之外，可以举出聚-N-乙烯基咔唑等高分子有机半导体。 

作为这些CTL的粘结剂，最优选聚碳酸脂树脂。聚碳酸脂树脂使CTM的分散性、电子照相特性良好，故最优选。粘结剂树脂与电荷输送物质之间的比率，相对于100质量份的粘结剂树脂，电荷输送物质为10～200质量份。此外，电荷输送层的膜厚优选为10～40μm。 

作为抗氧化剂，可以使用目前公知的化合物。 

具体可以举出“Irganox1010”(由日本汽巴嘉基(チバガイギ一)公司制造)。 

以下，对于图像形成方法和图像形成装置进行说明。 

本发明的中间转印体适合用于电子照相方式的复印机、打印机、传真机等图像形成装置中。就图象形成方法而言，只要可以将负载在感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体表面，保持转印来的调色剂图像，并将保持的调色剂图像使用中间转印体二次转印至转印纸等被转印材料的表面上即可。中间转移体即可以是带状的转印体，也可以是鼓状的转印体。 

首先，对于具有本发明中间转印体的图像形成装置，以随机型全彩色复印机为例进行说明。 

图11是示出彩色图像形成装置的一例的截面结构图。 

该彩色图像形成装置10被称作随机型全彩色复印机，其包括自动原稿传送装置13、原稿图像读取装置14、多个曝光设备13Y、13M、13C、13K、多组图像形成部10Y、10M、10C、10K、中间转印体单元17、进纸设备15和定影设备124。 

在图像形成装置的主体12的上部，配置有自动原稿传送装置13和原稿图像读取装置14，并且，由自动原稿传送装置13传送的原稿d的图像通过原稿图像读取装置14的光学***反射并成像，通过在线图像传感器(ラインイメ-ジセンサ)CCD读取。 

使通过在线图像传感器CCD读取的原稿图像进行光电转换而形成的模拟信号，在未图示的图像处理部中，进行模拟处理、A/D转换、图象斑点调整(シエデイング補正)、图像压缩处理等之后，以各色的数字图像数据的形式送至曝光设备13Y、13M、13C、13K，并通过曝光设备13Y、13M、13C、13K在相应的作为第一图像载体的鼓状感光体(以下，也记作感光体)11Y、11M、11C、11K上形成各色的图像数据的潜像。 

图像形成部10Y、10M、10C、10K在垂直方向上以纵列配置，并在感光体11Y、11M、11C、11K的图示左侧方配置中间转印体170，所述中间转印体170是卷绕在辊171、172、173、174上且可以转动地拉设的半导电性环形带状的第二图像载体。 

而且，中间转印体170通过由未图示的驱动装置而旋转驱动的辊171沿箭头方向驱动。 

形成黄色图像的图像形成部10Y，具有配置在感光体11Y周围的带电设备12Y、曝光设备13Y、显影设备14Y、作为一次转印设备的一次转印辊15Y、清洁设备16Y。 

形成品红色图像的图像形成部10M，具有感光体11M、带电设备12M、曝光设备13M、显影设备14M、作为一次转印设备的一次转印辊15M、清洁设备16M。 

形成青色图像的图像形成部10C，具有感光体11C、带电设备12C、曝光设备13C、显影设备14C、作为一次转印设备的一次转印辊15C、清洁设 备16C。 

形成黑色图像的图像形成部10K，具有感光体11K、带电设备12K、曝光设备13K、显影设备14K、作为一次转印设备的一次转印辊15K、清洁设备16K。 

调色剂补充设备141Y、141M、141C、141K，分别将新调色剂补充至显影装置14Y、14M、14C、14K。 

此处，一次转印辊15Y、15M、15C、15K，通过未图示的控制设备并根据图像种类选择性地工作，将中间转印体170挤压至各自对应的感光体11Y、11M、11C、11K上，由此转印感光体上的图像。 

如此以来，通过图像形成部10Y、10M、10C、10K在感光体11Y、11M、11C、11K上形成的各色图像，通过一次转印辊15Y、15M、15C、15K，逐次转印到旋转的中间转印体170上，从而形成合成的彩色图像。 

即，中间转印体将负载在感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体表面上，并保持转印的调色剂图像。 

此外，收容在进纸盒151内作为记录介质的转印材料P，通过进纸设备15进纸，接着经过多个中间辊122A、122B、122C、122D、阻挡辊(レジストロ一ラ)123，运送至作为二次转印设备的二次转印辊117，并通过二次转印辊117将中间转印体上合成的调色剂图像一次性地转印至转印材料P上。 

即，将保持在中间转印体上的调色剂图像二次转印至被转印物的表面上。 

此处，二次转印设备6，仅在转印材料P通过其中而进行二次转印时，才将转印材料P压接在中间转印体170上。 

转印彩色图像的转印材料P，通过定影设备124进行定影处理，并由排纸辊125夹持而放置在机外的排纸盘126上。 

另一方面，通过二次转印辊117将彩色图像转印至转印材料P后，弯曲分离转印材料P之后的中间转印体170，通过清洁设备8除去残留的调色剂。 

此处，中间转印体还可以换成上述的旋转鼓状的中间转印体。 

接着，对与中间转印体170相连的作为一次转印设备的一次转印辊15Y、15M、15C、15K，和二次转印辊117的结构进行说明。 

一次转印辊15Y、15M、15C、15K，通过在例如外径为8mm的不锈钢 等导电性芯棒的周面上涂覆半导电弹性橡胶而形成，所述半导电弹性橡胶是通过在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡胶材料中，分散炭黑等导电性填料，或使之含有离子性导电材料而形成的，其体积电阻为10⁵～10⁹Ω·cm左右的固体状或发泡海绵状，并且厚度为5mm，橡胶硬度为20-70°左右(阿斯卡硬度C)。 

二次转印辊117通过在例如外径为8mm的不锈钢等导电性芯棒的周面上涂覆半导电弹性橡胶而形成，所述半导电弹性橡胶是通过在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡胶材料中分散炭黑等导电性填料，或含有离子性导电材料而形成的，其体积电阻为10⁵～10⁹Ω·cm左右的固体状或发泡海绵状，并且厚度为5mm，橡胶硬度为20～70°左右(阿斯卡硬度C)的半导电弹性橡胶。 

本发明所使用的转印材料为保持调色剂图像的支持体，通常称作图像支持体、转印材料或复写纸。具体而言，可以举出，从薄纸到厚纸的普通纸，铜版纸或涂布纸等经涂布加工的印刷用纸，市面销售的日本传统纸或明信片用纸、OHP用塑料薄膜、布等各种转印材料。但并不限于此。 

实施例 

以下，举出实施例具体说明本发明，但于本发明的实施方式并不限定于此。 

《中间转印体的制备》 

按照以下顺序制造了中间转印体。 

<中间转印体1的制造> 

(基体的制造) 

聚苯硫醚树脂(E2180、东丽公司制造)            100质量份 

导电填料(furnace#3030B、三菱化学公司制造)    16质量份 

接枝共聚物(modiper A4400、日本油脂公司制造)  1质量份 

润滑剂(二十八碳烷酸钙)                       0.2质量份 

将上述材料投入单螺杆挤出机，熔融混炼制成树脂混合物。在单螺杆挤出机的前端，安装了具有带状出料口且为狭缝状环形模头，并将混炼后的上述树脂混合物挤出成为带状。将挤出的无缝带状的树脂混合物，插至设于出料口前面(吐出先)的圆筒状冷却筒中，冷却并固化，由此得到无缝圆筒状的中间转印体。所得基体的厚度为150μm。 

(无机层的制造) 

接着，使用图6的等离子体放电处理装置，在如上所述制造得到的基体上形成了作为无机层的一层无机化合物层250nm。 

作为形成无机层的材料，使用了氧化硅、氧化铝。包覆此时的等离子体放电处理装置的各个电极的电介质和与之对置的两电极均使用由陶瓷喷镀加工包覆片层厚度为1mm的氧化铝的电极。包覆后的电极间隙设定为0.5mm。此外，包覆有电介质的金属母材是具有使用冷却水进行冷却的功能的不锈钢制夹套形式，并且由冷却水进行电极温度控制的同时实施放电。 

无机层的制膜条件如下所述(表1所示)。各原料气体，通过加热生成蒸气，并预先将产生余热的放电气体和反应气体混合稀释，以使原料不凝集，然后供给至放电空间。 

(氧化硅无机层) 

放电气体：N₂气体 

反应气体：O₂气体，相对于所有气体为19体积％ 

原料气体：四乙氧基硅烷(TEOS)，相对于所有气体为0.4体积％ 

低频侧电源电功率(神钢电机制造的高频电源(50kHz))：10W/cm²

高频侧电源电功率(pearl工业制造的高频电源(13.56MHz))：5W/cm²。 

<中间转印体2～4的制造> 

按照表1，改变中间转印体1的制造中所使用的反应气体、原料气体、以及制膜速度，除此之外，按照与制造中间转印体1类似的方法，制造中间转印体2～4。 

<中间转印体5的制造> 

使用三仲丁氧基铝作为中间转印体1的制造中所使用的原料气体，并按照表1所述进行改变，除此之外，按照与制造中间转印体1相同的方法，制造了中间转印体5。 

(氧化铝无机层) 

放电气体：N₂气体 

反应气体：H₂气体，相对于所有气体为4.0体积％ 

原料气体：三仲丁氧基铝，相对于所有气体为0.05体积％ 

低频侧电源电功率(高强度钢(Haiden)研究所制造的脉冲高频电源(100kHz))：10W/cm²

高频侧电源电功率(pearl工业制宽频带高频电源(40.0MHz))：5W/cm²。 

<中间转印体6、7的制造> 

按照表1改变中间转印体1的制造中所使用的反应气体、原料气体、以及制膜速度，除此之外，按照与制造中间转印体1类似的方法，制造中间转印体6、7。 

<中间转印体8的制造> 

使用SAMCO公司制造的等离子体CVD装置Model PD-270STP，在与实施例相同的基体上进行制膜，并实施评价。根据制膜装置的情况，仅对中间转印体的一部分进行制膜，并对成膜部分进行评价。 

(氧化硅无机层) 

放电气体：O₂气体，0.08torr 

反应气体：四乙氧基硅烷(TEOS)，5 sccm(standard cubic centimeter perminute) 

电功率：13.56MHz，100W/cm²

基体保持温度：60℃ 

<中间转印体9～11的制造> 

按照表1，改变中间转印体1的制造中所使用的反应气体、原料气体、以及制膜速度，除此之外，按照与制造中间转印体1类似的方法，制造了中间转印体9～11。 

<中间转印体12的制造> 

中间转印体12是将按照上述方法制造的基体直接作为中间转印体使用。 

在表1中列出了中间转印体的制造条件、对于二碘甲烷的接触角、表面硬度、表面粗糙度、内应力、表面能的值。 

需要说明的是，上述对于二碘甲烷的接触角、表面硬度、表面粗糙度、内应力、表面能的值是按照前面记载的方法测定并求出的。 

《感光体的制造》 

感光体是在基体上依次形成中间层、电荷生成层、电荷输送层而制得的。 

<基体的准备> 

准备外径为100mm的清洗干净的圆筒状铝基体。将此作为“基体100”。 

(中间层的形成) 

制备下述中间层涂布液，通过浸涂法涂布在上述“基体100”的外周，之后在100℃下加热干燥20分钟，形成了干燥膜厚为0.3μm的中间层。 

聚酰胺树脂“AMILAN(アミラン)C M-8000(toray(東レ)公司制造)” 

        60质量份 

甲醇    1600质量份 

(电荷产生层的形成) 

混合下述的涂布液，使用砂磨机分散10小时，制备了电荷产生层涂布液。通过浸涂法将该电荷产生层涂布液涂布在上述中间层上，之后在100℃下加热干燥20分钟，形成了干燥后膜厚为0.2μm的电荷产生层。 

Y型钛氧基酞菁(チタニルフタロシアニン)(通过Cu-Kα特征X射线进行X射线解析的最大峰角度以2θ计为27.3°)60质量份 

聚硅氧烷树脂溶液“KR5240(15％二甲苯-丁醇溶液：信越化学公司制造)”                                    700质量份 

2-丁酮                               2000质量份 

(电荷输送层的形成) 

将下述涂布液混合、溶解而制备电荷输送层涂布液。通过浸涂法将该电荷输送层涂布液涂布在上述电荷产生层上，然后在100℃下加热干燥60分钟，形成了膜厚为20μm的电荷输送层。 

电荷输送物质(4，4′-二甲基-4″-(α-苯基苯乙烯基)三苯基胺) 

                                    150质量份 

双酚Z型聚碳酸酯树脂“Iupilon(ユ一ピロン)Z300(三菱瓦斯化学公司制造)”                                 300质量份 

四氢呋喃                            1600质量份 

甲苯                                        400质量份 

抗氧化剂“Sumilize(スミライザ一)BHT(住友化学)”2.5质量份 

需要说明的是，按照上述的方法测定得到的感光体的表面能的分散分量结果为29.7mN/m。 

《评价》 

关于中间转印体的评价是如下进行的，在安装了如上所述方法制备的感光体的图像形成装置“8050”(Konica Minolta Business Technologies(コニカミノルタビジネステクノロジ一ズ)公司制造)上，依次安装如上述制备的中间转印体。 

需要说明的是，在图像的形成中使用了双组份显影剂，该双组份显影剂包括以体积基准计的中位径(D₅₀)为4.5μm的调色剂和60μm的涂布载体。 

印刷环境为：在低温低湿(10℃、20％RH)和高温高湿(33℃、80％RH)下进行印刷。转印材料使用A4的上等纸(64g/m²)。 

印刷的原稿使用了像素率为7％的文字图像(3点、5点)、彩色人物图像(含有网版(half-tone)的网点图像)、全白图像、全图像分别占1/4等份的原稿图像(A4)。按照以下项目进行评价。需要说明的是，作为评价基准，◎、○为合格，×为不合格。 

(二次转印率) 

关于二次转印率的评价如下进行：在低温低湿(10℃、20％RH)的环境下，对初始的转印率和印刷16万张后的转印率进行评价。转印率是形成像素浓度为1.30的固体图像(20mm×50mm)时，求出转印到转印材料上的调色剂的质量和向中间转印体供给的调色剂的质量，按照下述式求出转印率。 

转印率(％)＝(转印至转印材料上的调色剂的质量/供给中间转印体上的调色剂质量)×100 

这里，转印率为90％以上时评价为良好。 

(清洁性) 

清洁性的评价如下进行：在低温低湿(10℃、20％RH)的环境下进行印刷，并肉眼观察使用清洁刮刀进行清洁后的中间转印体表面状态，通过确认调色剂在其表面上的残留程度以及通过印刷得到的印刷图像清洁不良而引起的图像污染发生程度，来进行评价。 

需要说明的是，将印刷过程中由于刮刀清洁引起的中间转印体的卷曲 也作为清洁性进行评价。 

评价标准 

◎：印刷16万张，没有在中间转印体上发现清洁后残留的调色剂，印刷图像上也没有发现清洁不良所导致的图像污染。 

○：印刷16万张，在中间转印体上发现清洁后残留的调色剂，但印刷图像上没有发现清洁不良所导致的图像污染。 

×：印刷10万张，在中间转印体上发现清洁后残留的调色剂，在印刷图像上也发现了清洁不良所导致的图像污染，其实际应用中存在问题。 

(文字图像的空心) 

文字图像的空心如下评价：在高温高湿(33℃、80％RH)下，各取初期印刷的10张和经过16万张印刷后的10张，用放大透镜将文字图像放大后观察，评价文字图像的空心的发生程度。 

评价标准 

◎：全部十张印刷图像中，发生文字图像空心的个数为三个以下时，判定为良好。 

○：发生文字图像空心的个数为4个以上19个以下的张数为1张以上，但实际应用没有问题。 

×：发生文字图像空心的个数为20个以上的张数为1张以上，实际应用中存在问题。 

将评价结果示于表2中。 

表2 

※1无机层开裂，发生剥离，无法测定转印率 

由以上表2的结果可知，根据本发明的“实施例1～7”的“中间转印体1～7”，对于初期的二次转印率以及印刷16万张之后的二次转印率，文字图像部的空心、清洁性等各个评价项目来说，均可以得到良好的结果，虽然，实施例8属于实施例范畴，但内应力超过了优选的范围，在印刷了1 6万张后，二次转印率减少了10％，与其它实施例相比较劣化率较大。“比较例1～4”的“中间转印体9～12”在评价项目中的某一项目上存在问题，与本发明的中间转印体为迥然不同的结果。 

Claims (15)

1.一种中间转印体，其用于图像形成装置中，所述图像形成装置具有如下设备，该设备将负载于电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印体上，然后将该调色剂图像从中间转印体二次转印至转印材料上，其中，

该中间转印体在其最表面上具有无机层，该无机层对于二碘甲烷的接触角为30～60°，以纳米压痕法测定的无机层的硬度为3～10GPa。

2.权利要求1所述的中间转印体，其中，使用原子力显微镜测定的所述无机层的十点平均表面粗糙度Rz为30～300nm。

3.权利要求1所述的中间转印体，其中，所述无机层的内应力在正区域中为100MPa以下、0.01MPa以上。

4.权利要求2所述的中间转印体，其中，所述无机层的内应力在正区域中为100MPa以下、0.01MPa以上。

5.权利要求1所述的中间转印体，其中，所述无机层由氧化硅膜以及金属氧化物膜中的至少一种膜所形成。

6.权利要求2所述的中间转印体，其中，所述无机层由氧化硅膜以及金属氧化物膜中的至少一种膜所形成。

7.权利要求3所述的中间转印体，其中，所述无机层由氧化硅膜以及金属氧化物膜中的至少一种膜所形成。

8.权利要求4所述的中间转印体，其中，所述无机层由氧化硅膜以及金属氧化物膜中的至少一种膜所形成。

9.权利要求1～8中任一项所述的中间转印体，其中，所述无机层为通过大气压等离子体CVD所形成的。

10.权利要求1～8中任一项所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体为树脂。

11.权利要求9所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体为树脂。

12.权利要求10所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体的树脂为聚碳酸酯、聚酰亚胺或聚苯硫醚。

13.权利要求11所述的中间转印体，其中，所述中间转印体的基体的树脂为聚碳酸酯、聚酰亚胺或聚苯硫醚。

14.一种图像形成方法，其中，该方法使用权利要求1～13中任一项所述的中间转印体。

15.一种图像形成装置，其中，该装置使用权利要求1～13中任一项所述的中间转印体。

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