CN101409331A - 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 - Google Patents
电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101409331A CN101409331A CNA2008101750387A CN200810175038A CN101409331A CN 101409331 A CN101409331 A CN 101409331A CN A2008101750387 A CNA2008101750387 A CN A2008101750387A CN 200810175038 A CN200810175038 A CN 200810175038A CN 101409331 A CN101409331 A CN 101409331A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- photonic crystals
- display device
- organic
- electroluminescence display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 13
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- -1 naphthalene-1-yl Chemical group 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 208000000187 Abnormal Reflex Diseases 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021089 Hyporeflexia Diseases 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001399 aluminium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机电致发光(EL)显示装置,该显示装置由于在最靠近堆积层的一侧形成了光子晶体层而具有改善的出光效率。在其余的元件中,堆积层可以包括在基底上形成的第一电极、在第一电极上面形成的有机发光层和在有机发光层上面形成的第二电极。此外,光子晶体层可以对应于颜色光的波长进行配置。可通过使用将光子晶体层粘合到堆积层上的热传递给体膜来制备具有改善的出光效率的有机EL显示装置。
Description
本申请是申请日为2004年11月26日、国家申请号为200410103806.X、发明名称为“电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜”的发明专利申请的分案申请。
本申请要求韩国知识产权局的于2003年11月28日提交的韩国专利申请No.2003-85819的权益,在此将其引入作为参考。
1.技术领域
本发明涉及一种有机电致发光(EL)显示装置和用于制备有机EL显示装置的热转移给体膜。更尤其是,本发明涉及一种从有机发光部分有着高效率出射光的EL显示装置。这种较高效率部分地是由直接位于堆积层(stack)上的光子晶体层(photonic crystal layer)引起的,该堆积层形成在基底之上。此外,引发用于EL显示装置的热转移给体膜的激光可用来在堆积层上形成光子晶体层。
2.背景技术
通过反射或照射穿过介于很多个阳极和阴极之间的有机薄膜材料(例如,发光部分)的光,电致发光(EL)显示装置形成可见图像,阳极和阴极形成在两个平行的玻璃基底的相对表面上。对每个阳极/阴极对(例如,像素)施加电压差可改变有机发光层的物理性质。当施加离散量的电压差时,可产生不同颜色的阴影。有机EL显示装置因其驱动电压低、轻便且薄,以及能提供宽视角和快速响应时间而得到了广泛应用。
如上所述,有机EL显示装置的发光部分包括在彼此上顺序形成的阳极、发光层和阴极。发光层可以包括发射层(EML),在发射层中通过空穴和电子的复合而形成的激子产生光。激子是绝缘体或半导体的电中性激发态,经常被认为是电子和电子空穴(“空穴”)的结合状态。空穴是由于缺少电子而在晶体中留下来的空闲位置。EML可进一步包括:位于阴极和发射层之间的可以更平稳地向发射层传输空穴和电子,从而提高了发射效率的电子传输层(ETL)、位于阳极和发射层之间的空穴传输层(HTL)、位于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层(HIL)和位于阴极和电子传输层之间的电子注入层(EIL)。示例性的常规发光层可由酞菁铜(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)构成。
这样的发光部分的光效率(例如,光发射的效率)取决于内部效率和EL显示装置的其它层的效率(外部效率)。层的内部效率依赖于构成有机发光部分的材料的光电转换效率而变化。类似地,外部效率依赖于有机EL显示装置每层的折射指数而变化。也称外部效率为光耦合效率。一个问题是,当从有机发光层发射出的光的出射角大于其中一层的临界角时,外部效率将降低。当这种情况发生时,在层的表面上发生反射。反射减弱了光,并致使光向外部发射。
表1直观地显示了由玻璃形成的透明基底和由氧化铟锡(ITO)形成的电极层对每个蓝光(B)、红光(R)和绿光(G)的光耦合效率。光耦合效率由每层的折射指数计算得出,Nin和Nout分别表示光进入和发射处的层的折射指数。
表1
蓝光发射层 | 红光发射层 | 绿光发射层 | |
波长(nm) | 450 | 620 | 530 |
电极层折射指数(N) | 2.01 | 1.76 | 1.93 |
基底折射指数(N) | 1.525 | 1.515 | 1.52 |
光耦合效率 | 29% | 37% | 34% |
从表1中可看出,由于电极层和基底之间折射指数的差异,从每个发射层中产生的光可以降低60%以上。已提出多种方法来增大光耦合效率。
例如,日本专利公报特开平11-283751公开了一种形成于基底上的包括衍射光栅或波带片的结构。该公报还公开了残留于有机膜和氧化铟锡(ITO)电极上的衍射光。
在这样的一个有机EL装置中,因为在基底表面上产生了不规整性,所以必须包含精细的电极图案层或独立的衍射光栅。这个要求使得制备过程变得复杂、难以获得有效的生产能力。而且,在不规整的基底表面上有机层的形成或精细的电极图案层增加了有机层的整体粗糙度,这增大了电流泄漏。而电流泄漏又损坏了有机EL装置的耐用性和可靠性。
在日本专利公报特开昭63-17269公开了一种能够阻止光耦合效率降低的有机EL显示装置。该公开的有机EL显示装置包括一种带有诸如凸透镜的光学聚光器的基底。
日本专利公报特开平1-29394公开了另一种有机EL显示装置。该显示装置包括介于透明电极层和发射层之间的第一电介质层。此外,也公开了具有折射指数小于第一电介质层的折射指数且大于透明电极层的折射指数的第二电介质层。
附图1是常规有机EL显示装置的局部剖面图。如图所示,包括两个电极层21和22的有机发光部分形成于基底(未显示)上,以及在光子晶体层41上形成密封基底10。在光子晶体层41和有机发光部分之间形成的空间层40为真空或充满惰性气体。
光子晶体层41的使用可以增大光耦合效率,然而光传播的路径必须结构平整。否则屏幕显示质量将下降。为了得到均匀的屏幕显示质量,空间层40应该有规律地间隔在有机EL显示装置的光传播区域内。然而,这种约束限制了EL显示装置的设计和制备。这些问题也涉及到主动基体(AM)有机EL显示装置。
发明内容
本发明提供一种出光效率(light extraction efficiency)改善的有机电致发光(EL)显示装置,出光效率的改善是由于在最接近有机发光部分的一侧所形成的光子晶体层。本发明进一步提供一种用于制备出光效率改善的有机EL显示装置的热传递给体膜。
根据本发明的一方面,提供一种包括基底的有机EL显示装置。在基底上以预定的图案形成第一电极层。在基底上也形成了堆积层,其包括:第一电极层,以及在第一电极层上形成的有机发光部分。直接在堆积层上形成的光子晶体层提高了发光部分的出光效率。
根据本发明的另一个方面,有机EL显示装置可以包括具有许多突起的光子晶体层。突起可以面向或背向堆积层。此外,形成于突起之间的凹穴部分可处于真空状态或充满预定气体。另外,凹穴部分可以充满折射指数不同于构成突起的材料的折射指数的材料。
在另一个实施方案中,有机EL显示装置包括带有许多穿孔的光子晶体层,该穿孔处于真空状态或充满预定气体。此外,这些穿孔可以充满折射指数不同于构成光子晶体层的材料的折射指数的材料。
根据本发明的另一方面,提供一种包括基底的有机EL显示装置。在基底上形成了堆积层,包括:在基底上以预定图案形成的第一电极层、在第一电极层上形成的第二电极层和有机发光部分、可以增大发光部分的出光效率的光子晶体层、介于光子晶体层和堆积层之间的折射层,因此折射层是直接在堆积层上形成的。在一个实施方案中,折射层可以是折射指数不同于构成光子晶体层的材料的折射指数的材料。
附图说明
通过参照附图对其中示例性实施方案的详细描述,本发明的上述及其它的特征和优点将更为明显。
附图1是常规有机电致发光(EL)显示装置的局部剖面图。
附图2A、2B、2C和2D是根据本发明实施方案的有机EL显示装置的局部剖面图。
附图3A和3B是根据本发明实施方案的有机EL显示装置的局部剖面图。
附图3C和3D是根据本发明实施方案的有机EL显示装置的局部剖面图。
附图4是根据本发明另一个实施方案的有机EL显示装置。
具体实施方式
要求保护的本发明涉及改进的有机EL显示装置,通过使用折射材料和光子晶体层使得该装置具有改善的光发射效率。本发明还提供一种用来构成光子晶体层以及将之传送到堆积层的上层表面的热传递层。
附图2A-2D是根据本发明实施方案的有机电致发光(EL)装置的局部剖面图。根据本发明实施方案的有机EL显示装置包括基底210,在基底210上以图案方式形成第一电极层230。在第一电极层上形成有机发光部分240。在有机发光部分240上形成第二电极层250。在第二电极层250上形成了增大有机发光的出光效率的光子晶体层260。
第一电极层230作为阳极,第二电极层250作为阴极,然而,本发明并不局限于这样的结构,可使用不同的结构。第一电极层230可由通过真空沉积或喷涂形成的透明导电材料例如ITO构成。第二电极层250可由镁、锂或其它具有小功函的元素组成。可选地,电极层250可以是一种导电金属,例如铝、铝化合物、银、银化合物等。
介于第一电极层230和第二电极层250之间的有机发光部分240可进一步包括:空穴注入层、空穴传输层、R,G,B发射层、电子注入层和电子传输层。这些层的示例性布置示于附图4中。
根据本发明的实施方案,有机EL显示装置的光子晶体层260的一部分被布置在非常靠近堆积层,因此能稳固地接触堆积层的一侧。在该特别实施方案中,在光子晶体层260和堆积层之间没有形成空间层。
光子晶体层260可由有机材料和无机材料形成。例如,光子晶体层260可由能够热传递且分子量小于100,000的光致抗蚀剂(PR)或透明的有机材料构成。可选地,光子晶体层260可由SiOx、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MGF2和CaF2中的一种或多种构成。当在光子晶体层260中使用分子量小于100,000的有机材料时,在激光诱导热成像过程中光子晶体层260可以部分地剥落下来。因此,依赖于该实施方案,光子晶体层260可以平滑地或不平滑地从热成像膜剥落而粘合到堆积层的上表面上。
光子晶体层260可有多种形式,如附图2A中所示,突起260b可从底层260a的一侧突出。突起260b可从朝向堆积层的一侧突出。可选地,尽管没有示于附图2A中,突起260b可背向堆积层突出。如附图2A中所示,当突起260b朝向堆积层突出时,它们可以稳固地接触第二电极层250的一个侧面。
当光子晶体层260具有突起260b时,在突起260b之间形成了凹穴部分260c,并且这些凹穴部分260c可以保持真空状态。可选地,如附图2b中所示,凹穴部分260c可以充满诸如氖气、氦气等预定的惰性气体。通过在各个凹穴260c中变换布置不同的状态和/或不同的材料可在光子晶体层中引起衍射。例如,所有的凹穴可处于真空状态或充满气体。可选地,至少一个凹穴可以充满气体,而至少另一个凹穴保持在真空状态。可以形成的多种组合是有意义的。尽管为了简洁的目的在此不进行描述,但所有的这些组合应被包含在要求保护的发明的范围之内。
在附图2d表示的一个可选实施方案中,通过填充凹穴部分260c可以增大衍射,该凹穴部分是由折射指数不同于构成突起260b材料的折射指数的一种材料或多种材料的组合而形成的。例如,合适的填充剂材料可选自诸如SiNx、TiO2等不同的有机材料和无机材料。如果填充凹穴部分260c的材料粘合到堆积层的一侧(例如,第二电极层250),可使用有机材料作为填充凹穴部分260c的材料,以增大接触表面的结合能力。此外,底层260a可由无机材料构成,以增大底层260a和凹穴部分260c之间的结合能力。
在本发明的另一个实施方案中,如附图2c所示,光子晶体层260可以是一种点格式的光子晶体层,其中在底层260a中有许多穿孔260d。穿孔260d可在底层260a内等间距布置,并在堆积层的一侧。此外,当穿孔260d紧密布置在第二电极层250一侧时,其可保持真空状态,或充满诸如Ne、He等惰性气体的预定气体。
此外,如附图2D表示的有机EL装置,通过用折射指数不同于构成底层260a材料的折射指数的材料来填充光子晶体层260上的穿孔260d,可以增大折射指数。例如,可用有机材料或诸如SiNx或TiO2等的无机材料来填充穿孔260d。由于填充穿孔260d的材料应粘合到堆积层(例如,第二电极层250)的一侧,填充穿孔260d的材料可以是一种能够提高第二电极层250和光子晶体层260之间结合能力的有机材料。此外,光子晶体层260的底层260a可由一种能够提高填充穿孔260d的材料和底层260a之间结合能力的材料构成。
根据本发明实施方案的主动驱动EL显示装置的局部剖面图示于附图3A和3B中。如图所示,可在EL显示装置300的基底310上形成缓冲层311。一个或多个用于驱动像素形成部分的薄膜晶体管(TFT)以及一个或多个驱动部分,每个均带有电容器,可以布置在缓冲层311的最上面以产生像素。
缓冲层311可由诸如SiO2的材料通过等离子增强的化学汽相沉积而形成。然而,缓冲层311可由其它材料通过其它制备方法来形成。驱动部分包括TFT和电容器。TFT还包括:在部分缓冲层311上形成的p-或n-型半导体层321、在半导体层321和缓冲层311上形成的门电路绝缘层322、在p-或n-型半导体层321上面的部分门电路绝缘层322上形成的门电路电极层323、以及在门电路绝缘层322和门电路电极层323上形成的第一绝缘层324。漏电极(drainelectrode)325和源电极326形成于第一绝缘层324上,并且通过穿透第一绝缘层324和门电路绝缘层322的接触孔325a向下延伸到半导体层321。电容器包括从源电极326延伸出的第一附属电极327a,以及布置在门电路绝缘层322与第一附属电极327a相应的一侧且被第一绝缘层324掩盖的第二附属电极327b。第二绝缘层328掩盖了TFT和电容器,即掩盖了漏电极325、源电极326和第一附属电极327a。
在驱动部分上形成像素形成部分以产生像素。有机发光部分包括漏电极325。在掩盖了源电极326和第一绝缘层324的第二绝缘层328上形成第一电极层331(用作阳极电极(anode pole))和第二电极层343。有机发光部分也包括用作阴极电极(cathode pole)的第二电极层343,以及介于第一电极层331和第二电极层343之间的有机发光部分342。本实施方案进一步包括用来保护有机发光部分342和阻止有机发光部分342由于吸收水分而造成损坏的钝化层344。第一电极层331包括导电连接部分331a,该连接部分通过形成于第二绝缘层328中的穿孔与漏电极325的一端接触。
参考附图3a,根据本发明实施方案的制备有机EL显示装置的方法首先在基底310上堆积形成驱动部分和像素部分。
如前所述,要求保护的本发明进一步提供一种用于制备光子晶体层和通过热成像而把光子晶体层粘合到堆积层上的热传递给体膜。在一个实施方案中,通过在成像底层基底372下面顺序形成光热转换层371和光子晶体层360来制备激光传递给体膜。成像底层基底372可由包括高分子材料的高分子膜构成,高分子膜可由诸如聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酯、聚丙烯酸类(polyacryl)、聚环氧树脂、聚乙烯或聚苯乙烯等高分子材料构成。光热转换层371将激光束的光能转变为热能,并可由诸如炭黑和石墨的聚合物材料、诸如铝的金属或铝的氧化产物构成。
尽管没有示于附图中,但可以形成由丙烯酸类(acryl)构成的独立内层来保护光热转换层371,以及可以形成剥落层,用于平滑剥落传递部分并阻止光热转换层371材料传递到光热层的一侧上。热传递给体膜并不局限于此,可以是处于包括光子晶体层或不包括光热转换层的范围之内的多种不同形式。热传递给体膜在本发明的特别实施方案中进行了描述,然而,根据本发明的实施方案,热传递给体膜可采用其它的不同形式,且可包括光子晶体层。
在附图3a中,光子晶体层360直接紧密地形成于光热转换层371下面,且可由厚度为几μm的有机材料构成,或者由一种或多种下述物质构成:SiOx、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MGF2和CaF2。光子晶体层360可由使用Ni涂覆的光子晶体铸模通过热压缩而形成。光子晶体层360具有底层360a和很多可朝向基底310的突起360b。光子晶体层360的底层360a可以是薄膜,且突起360b可形成凹穴部分或穿孔。凹穴部分可处于真空状态,可充满诸如惰性气体的预定气体,或者被折射指数不同于构成突起360b材料的折射指数的材料所填充(参考附图3C和3D)。此外,突起360b和底层360a可由不同或相同的材料构成。
在热传递给体膜上形成光子晶体层360后,可在光子晶体层360下面形成由有机材料或者一种或多种诸如SiNx和TiO2的无机材料构成的折射层350。此外,可将折射层350进行均匀化,以防止由于不平整的表面而导致与堆积层侧连接不良。折射层350可具有突起,该突起对应于由突起360b形成的凹穴部分。当突起360b朝向基底310时,可采用与由突起所形成的凹穴部分相啮合的结构。突起360b并不限于这些结构,而且突起360b可形成于与光子晶体层的折射层350相对的光子晶体层360的一侧。
此外,尽管没有示于附图中,当光子晶体层是具有多个穿孔的点状型式时,在朝向光子晶体层的一侧形成的突起可具有与穿孔相啮合的结构。在形成光子晶体层时,为了增大衍射和防止可能的缺陷,直接形成于光子晶体层360下面的折射层350应该由不同于光子晶体层的元素构成。此外,光子晶体层360的底层360a的折射指数应该不同于折射层350的折射指数。
形成包括了光子晶体层的热传递给体膜后,光子晶体层360在堆积层的一个表面上热成像。例如,热传递给体膜放置于靠近EL显示装置300的顶层,从而热传递给体膜的低层表面朝向EL显示装置300的顶层表面。
使用热棒(heat bar)、电子感应加热、超声摩擦加热或激光对成像底层基底进行加热。可以使用高精度的激光束。因此,在一个具体实施方案中,激光照射源对成像底层基底372的期望区域照射出激光束。照射激光束穿过透明的成像底层基底,并将能量传送到可为炭黑层或类似层的光热转换层371。光热转换层371将发时激光束的光能转变成热能,并将光子晶体层360从光热转换层371上分离下来。如附图3b所示,分离的光子晶体层360和折射层350等被传送到EL显示装置300的像素区域的一侧(例如,在钝化层344上),并且在光子晶体层360和钝化层344之间没有形成空间层。此外,例如,当钝化层344是由诸如SiO2、SiNx等无机材料构成时,通过用有机材料形成折射层350和用无机材料形成底层360a,可以增大同钝化层344的粘附度。
在附图3c中表示的另一个实施方案中,在光子晶体层360的一侧不包括折射层350,从而光子晶体层360的至少一部分直接形成在钝化层344上。通过突起360b形成的凹穴部分360c可以保持真空状态,可充满预定气体,或者可充满折射指数不同于构成突起360b材料的折射指数的材料(参考附图3d)。光子晶体层360可以是一种点状形式的光子晶体层,带有许多在底层中形成的穿孔,其可以保持真空状态,可充满预定气体,或者可充满折射指数不同于底层的折射指数的材料。
根据本发明的另一个实施方案的有机EL显示装置示于附图4中。在基底410上形成第一电极层421。在基底410和先前形成的第一电极层421上顺序形成电子注入层422、电子传输层423、包括R,G和B发光层的有机发光部分425a、425b和425c、电子传输层424和第二电极层426。可在顶部形成钝化层430以保护有机发光部分。
此外,在钝化层430上形成光子晶体层450,以及可在光子晶体层450和钝化层430之间形成折射层440。由于从R、G和B发光层425a、425b和425c发出的光的波长是不同的,光子晶体层450a、450b和450c可以单独地配置成对应于颜色光的各自波长。因此,在一个实施方案中,根据发光层425a、425b和425c的类型(例如,R、G或B颜色中的每个),在钝化层430上形成的光子晶体层450各自常规地形成图案。
根据对应于颜色R的亚-像素组、对应于颜色G的亚-像素组、对应于颜色B的亚-像素组可形成图案。在一个实施方案中,一种亚-像素组中的光子晶体层的形式不同于其它任何一个亚-像素组中的光子晶体层的形式。一些情况下,在相同组中的光子晶体层具有不同的形式或尺寸。
同时,参考附图2a-附图4,激光热传递给体膜可以包括光热转换层。其进一步可以包括具有许多突起的光子晶体层。另外可以包括形成在传递给体膜上的许多穿孔。激光热传递给体膜也可以包括折射层,构成该折射层的材料的折射指数不同于形成光子晶体层一侧的材料的折射指数,该光子晶体层的一侧距离光子晶体层的光热转换层最远。此外,在激光热传递给体膜上形成的光子晶体层可以被形成许多组,并且这些组的光子晶体层的尺寸和物理性能对于不同的组可以是不同的。
按照被动驱动形式或主动驱动形式的有机EL显示装置对上述实施方案进行了描述,然而,本发明并不局限于任何一种形式。
具有上述结构的本发明具有如下效果。
根据本发明的实施方案,有机EL显示装置不包括介于光子晶体层和堆积层之间的空间层。此外,在堆积层上形成光子晶体层提高了出光效率,并且通过避免了在光子晶体层和堆积层之间制备空间层的需要,而解决了制备过程中的物理问题。
通过包含带有光子晶体层的折射层也进一步提高了出光效率。此外,为各个R、G和B组单独形成的光子晶体层能够提高颜色光发出的每个波长的出光效率
这里所描述的有机EL显示装置和热传递给体膜的实施方案使得利用热成像方法,尤其是激光诱导热成像(LITI)方法能够进行精确地制备。通过消除了形成空间层的需要(这在有机EL显示装置的传统制备方法中是个问题),使用这样的方法显著地降低了制备成本和时间。
本发明的多种实施方案不但可以用于被动驱动模型(PM)的有机EL显示装置,也可以用于主动驱动(AM)的有机EL显示装置。
尽管已参考示例性的实施方案对本发明进行了详尽的说明和描述,但本领域技术人员应当理解,可以在形式和细节上作出各种变化,而这些变化并不偏离如权利要求所定义的本发明的精神和范围。
Claims (21)
1.一种有机电致发光显示装置,包括:
基底;
堆积层,其包括在基底上以预定图案形成的第一电极层、在第一电极层上形成的第二电极层和有机发光部分;
提高了发光部分的出光效率的光子晶体层;和
介于光子晶体层和堆积层之间的折射层,从而折射层的一部分直接形成在堆积层上,折射层是由折射指数不同于构成光子晶体层材料的折射指数的材料构成。
2.权利要求1的有机电致发光显示装置,其中光子晶体层包括多个突起。
3.权利要求2的有机电致发光显示装置,其中突起朝向折射层。
4.权利要求2的有机电致发光显示装置,其中突起背向折射层。
5.权利要求2的有机电致发光显示装置,其中,在朝向光子晶体层的折射层一侧中,对应于突起之间的凹穴部分而形成突起。
6.权利要求1的有机电致发光显示装置,其中光子晶体层具有多个穿孔。
7.权利要求6的有机电致发光显示装置,其中,在朝向光子晶体层的折射层一侧中,对应于在光子晶体层上形成的多个穿孔而形成多个突起。
8.权利要求1的有机电致发光显示装置,其中折射层是由有机材料构成。
9.权利要求8的有机电致发光显示装置,其中光子晶体层是由无机材料构成。
10.权利要求1的有机电致发光显示装置,折射层形成在第二电极上。
11.权利要求10的有机电致发光显示装置,其中折射层是由有机材料构成。
12.权利要求11的有机电致发光显示装置,其中光子晶体层是由无机材料构成。
13.权利要求1的有机电致发光显示装置,其中堆积层进一步包括保护有机发光部分的钝化层,且在钝化层上形成折射层。
14.权利要求13的有机电致发光显示装置,其中折射层是由有机材料构成。
15.权利要求14的有机电致发光显示装置,其中光子晶体层是由无机材料构成。
16. 权利要求1的有机电致发光显示装置,其中有机电致发光部分的每个有机发光层包括R、G和B亚-像素组,且光子晶体层对亚-像素组的至少两个亚-像素形成图案。
17.权利要求16的有机电致发光显示装置,其中对于每个R、G和B亚-像素组的任何一个或多个亚-像素的光子晶体层的尺寸不同于其它任何一个或多个亚-像素的光子晶体层的尺寸。
18.一种热传递给体膜,包括:
热成像基底膜;
基底膜下面的光热转换层;
在光热转换层下面形成的中间层;和
在中间层下面形成的光子晶体层。
19.权利要求18的热传递给体膜,其中光子晶体层具有多个突起。
20.权利要求18的热传递给体膜,其中光子晶体层具有多个穿孔。
21.权利要求18的热传递给体膜,其中在光子晶体层下面形成折射层,构成该折射层的材料的折射指数不同于形成光子晶体层的材料的折射指数。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030085819A KR100563059B1 (ko) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름 |
KR1020030085819 | 2003-11-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200410103806A Division CN100595931C (zh) | 2003-11-28 | 2004-11-26 | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101409331A true CN101409331A (zh) | 2009-04-15 |
Family
ID=34617359
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200410103806A Active CN100595931C (zh) | 2003-11-28 | 2004-11-26 | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 |
CNA2008101750387A Pending CN101409331A (zh) | 2003-11-28 | 2004-11-26 | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200410103806A Active CN100595931C (zh) | 2003-11-28 | 2004-11-26 | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7589461B2 (zh) |
JP (1) | JP2005166635A (zh) |
KR (1) | KR100563059B1 (zh) |
CN (2) | CN100595931C (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8538224B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-17 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
US9859497B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-01-02 | Pontificia Universidad Javeriana | Method for manufacturing a thin film consisting of a colloidal crystal infiltrated with the luminescent MDMO-PPV polymer made of silica (SiO2) spheres, having a face-centered cubic system (FCC) |
CN110858605A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100730121B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
WO2006062084A1 (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4410123B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-02-03 | 株式会社東芝 | 有機elディスプレイ |
WO2006134218A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Braggone Oy | Optical device structure |
KR100713994B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사방법 |
KR100752382B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
EP1830422A3 (en) | 2006-03-03 | 2012-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US20070241326A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
KR100782471B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
GB0622998D0 (en) * | 2006-11-17 | 2006-12-27 | Microemissive Displays Ltd | Colour optoelectronic device |
FR2909223B1 (fr) * | 2006-11-24 | 2009-04-10 | Commissariat Energie Atomique | Electrode de dispositif emissif lumineux de type oled |
KR100856282B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 광자 리사이클링을 이용한 광자결정 발광소자 |
US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
US8179034B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
US20090160317A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Herschel Clement Burstyn | Increasing the external efficiency of organic light emitting diodes utilizing a diffraction grating |
WO2009157077A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルおよびその製造方法 |
US20100110551A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
US7957621B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
KR100952831B1 (ko) * | 2009-01-12 | 2010-04-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
WO2010143360A1 (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイ |
JP5898398B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2016-04-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法 |
US8917447B2 (en) * | 2010-01-13 | 2014-12-23 | 3M Innovative Properties Company | Microreplicated film for attachment to autostereoscopic display components |
CN102326448B (zh) * | 2010-03-01 | 2015-03-25 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
JP5258817B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 照明装置及びその製造方法 |
JP5586303B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-09-10 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 低屈折率層転写シート、並びに有機電界発光装置及びその製造方法 |
KR101983229B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2019-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US8469551B2 (en) * | 2010-10-20 | 2013-06-25 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur |
US8547015B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-10-01 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs) |
JP5945787B2 (ja) | 2010-10-20 | 2016-07-05 | オーエルイーディーワークス ゲーエムベーハーOLEDWorks GmbH | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
TWI410732B (zh) * | 2010-12-27 | 2013-10-01 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
TWI562423B (en) * | 2011-03-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and lighting device |
US8692446B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-04-08 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having nanoparticles and periodic structures |
KR101885821B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5832210B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-12-16 | キヤノン株式会社 | 有機el素子 |
TWI470814B (zh) * | 2011-10-25 | 2015-01-21 | Au Optronics Corp | 太陽能電池 |
CN103160273B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-03-11 | 中国科学院化学研究所 | 增强长余辉发光体的初始亮度和余辉时间的方法 |
KR20130081531A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 |
KR101933718B1 (ko) | 2012-03-27 | 2018-12-28 | 리쿠아비스타 비.브이. | 전기 습윤 표시장치 |
KR20150046116A (ko) * | 2012-08-22 | 2015-04-29 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 마이크로캐비티 oled 광 추출 |
CN104078613A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078612A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078572A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078578A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078571A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078605A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078577A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078576A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078611A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078604A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102150011B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101466831B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR20150006263A (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | 한국전자통신연구원 | 전자소자 및 그 제조방법 |
KR102090276B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름 |
US9246134B2 (en) * | 2014-01-20 | 2016-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming articles with engineered voids |
CN105280667A (zh) * | 2014-07-03 | 2016-01-27 | 逢甲大学 | 有机发光装置及其制作方法 |
KR102296915B1 (ko) * | 2014-07-30 | 2021-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104201188B (zh) | 2014-08-22 | 2017-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled像素单元及其制备方法、显示面板和显示装置 |
US9472788B2 (en) | 2014-08-27 | 2016-10-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermally-assisted self-assembly method of nanoparticles and nanowires within engineered periodic structures |
KR20160049610A (ko) | 2014-10-27 | 2016-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 패터닝 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
KR102405943B1 (ko) * | 2014-11-11 | 2022-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
CN106067516A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件以及发光显示装置 |
KR102676050B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN107123665A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
US10535840B2 (en) * | 2018-01-26 | 2020-01-14 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode displays |
KR102656695B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2024-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 음향기능을 가진 광학소자 및 이를 이용한 표시장치 |
KR102568784B1 (ko) * | 2018-08-23 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
CN109273501B (zh) * | 2018-09-25 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基底及其制造方法、显示装置 |
KR102630109B1 (ko) * | 2018-10-18 | 2024-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200044247A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11610868B2 (en) * | 2019-01-29 | 2023-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11271143B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11156759B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-10-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11538852B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
CN110581162B (zh) * | 2019-09-27 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN110780531A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-02-11 | 张保平 | 一种纳米光子晶体光致发光透明全息高清显像膜 |
KR20220004892A (ko) * | 2020-07-03 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112255830B (zh) * | 2020-10-23 | 2021-11-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 激光感应面板及其制作方法、显示装置 |
KR102660821B1 (ko) * | 2022-04-27 | 2024-04-24 | 고려대학교 산학협력단 | 광 결정 구조 기반 색 가변형 유기 발광 다이오드 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE205998T1 (de) | 1996-07-10 | 2001-10-15 | Ibm | Siloxan und siloxanderivate als einkapslungsmaterial für lichtemittierende organische bauelemente |
JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3832088B2 (ja) | 1998-04-23 | 2006-10-11 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子 |
JP2000200687A (ja) | 1998-12-29 | 2000-07-18 | Seiko Epson Corp | El装置 |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
JP2000277260A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
US6366017B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
JP3965848B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2007-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学素子、レーザアレイ、および光学素子の製造方法 |
JP2001272557A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Minolta Co Ltd | 光機能素子及びその製造方法 |
JP4492986B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2010-06-30 | パナソニック株式会社 | 半導体面発光素子 |
JP2002008868A (ja) | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
JP2002022981A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-23 | Nec Corp | フォトニック結晶多層基板およびその製造方法 |
JP2002075656A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | El素子 |
JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
JP4724281B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
KR100568534B1 (ko) | 2001-09-22 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 광자결정 구조를 포함하는 디스플레이용 투명 기판, 이의제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 |
KR100437886B1 (ko) | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
JP4251801B2 (ja) | 2001-11-15 | 2009-04-08 | パナソニック株式会社 | El表示装置およびel表示装置の駆動方法 |
JP2003163075A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP3591728B2 (ja) | 2002-02-20 | 2004-11-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイ |
KR100581850B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
KR100433992B1 (ko) | 2002-04-25 | 2004-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
CN1666579A (zh) * | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 泽奥勒克斯公司 | 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 |
JP4017485B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 有機el発光素子 |
KR100563046B1 (ko) * | 2003-03-06 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP2004296438A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005174700A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
-
2003
- 2003-11-28 KR KR1020030085819A patent/KR100563059B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-09-16 JP JP2004270054A patent/JP2005166635A/ja active Pending
- 2004-11-19 US US10/992,219 patent/US7589461B2/en active Active
- 2004-11-26 CN CN200410103806A patent/CN100595931C/zh active Active
- 2004-11-26 CN CNA2008101750387A patent/CN101409331A/zh active Pending
-
2009
- 2009-08-05 US US12/536,057 patent/US20090291237A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/536,049 patent/US8013514B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8538224B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-17 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
US9859497B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-01-02 | Pontificia Universidad Javeriana | Method for manufacturing a thin film consisting of a colloidal crystal infiltrated with the luminescent MDMO-PPV polymer made of silica (SiO2) spheres, having a face-centered cubic system (FCC) |
CN110858605A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005166635A (ja) | 2005-06-23 |
US7589461B2 (en) | 2009-09-15 |
KR20050052648A (ko) | 2005-06-03 |
US8013514B2 (en) | 2011-09-06 |
CN1622727A (zh) | 2005-06-01 |
US20090291237A1 (en) | 2009-11-26 |
US20090295284A1 (en) | 2009-12-03 |
CN100595931C (zh) | 2010-03-24 |
US20050116625A1 (en) | 2005-06-02 |
KR100563059B1 (ko) | 2006-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100595931C (zh) | 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜 | |
JP6479738B2 (ja) | 有機デバイス上の非共通キャッピング層 | |
CN101257747B (zh) | 有机发光显示装置 | |
KR101011153B1 (ko) | 유기막 피열전사체의 제조 방법 및 유기막 피열전사체 | |
CN103681746B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
US20060181204A1 (en) | Flexible organic light emitting devices | |
WO2015142149A1 (ko) | 봉지용 적층체, 유기발광장치 및 이들의 제조방법 | |
CN102456704B (zh) | 有机发光显示装置 | |
KR101397108B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
JP2006278241A (ja) | 自発光パネル及びその製造方法 | |
KR102096887B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법 | |
CN109994644A (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
JP2012504782A (ja) | 光学/電子構造物を有するディスプレー装置の製造方法 | |
CN105789239A (zh) | Oled显示屏双面发光的装置及制备方法 | |
US8409788B2 (en) | Laser induced thermal imaging method, method of patterning organic layer using the same and method of fabricating organic light emitting diode display device using the same | |
CN110212115A (zh) | 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法 | |
TW201423978A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
CN103811527A (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
KR20060033554A (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자의제조 방법 | |
CN101017884B (zh) | 自发光显示装置 | |
TW201403905A (zh) | 有機電場發光裝置及其製造方法、以及電子機器 | |
JP2002313585A (ja) | 有機led発光素子およびその製造方法 | |
JP2007258006A (ja) | 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 | |
CN211654861U (zh) | 有源矩阵式有机发光显示器 | |
JP2002208483A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20090415 |